專利名稱：一種導(dǎo)電漿料的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電漿料，更具體地說，是涉及一種防止金屬濺射的導(dǎo)電漿料。
但是，當(dāng)片式元件通過表面貼裝焊接到電路板時，外部導(dǎo)體電極上的錫金屬層或錫、鉛合金層會在高溫下再次熔化，與此同時，外部導(dǎo)體電極內(nèi)部結(jié)構(gòu)存在較多孔隙，在電鍍過程中會殘留一定的水汽；當(dāng)受熱超過200℃后，這些水汽會暴沸、膨脹，像噴管一樣向外噴發(fā)，從而導(dǎo)致熔融金屬的濺射到電路板四周，引起鄰近電子電路的短路。
針對上述問題，美國專利US6198618公開了一種導(dǎo)電漿料，其特點(diǎn)是在導(dǎo)電漿料中直接添加SiO2粉。由于SiO2粉粒徑過小，從而造成SiO2在導(dǎo)電漿料的分散極為困難，操作難度大，實(shí)際效果欠佳。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的是針對上述不足，提供一種操作簡易的防止金屬濺射的導(dǎo)電漿料。
本發(fā)明的目的是這樣實(shí)現(xiàn)的所述導(dǎo)電漿料的組分與重量百分為金屬粉75～80％、乙基纖維素松油醇或松節(jié)油溶液11～19％、玻璃粉1～5％和有機(jī)硅化合物1～5％。
所述金屬粉為銅、銀。
所述玻璃粉為硼硅酸鋅、硼硅酸鉛。
所述有機(jī)硅化合物為原硅酸四乙酯、硅酸甲酯。
本發(fā)明的特點(diǎn)是添加的有機(jī)硅化合物能極好地分散于導(dǎo)電漿料中，在高溫?zé)Y(jié)過程中分解成氧化硅，并均勻地分散開。這些氧化硅小顆粒填充了外部導(dǎo)體電極內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的孔隙，從而避免了水份進(jìn)入孔隙中，在焊接過程中防止了熔融金屬濺射，而且有機(jī)硅化合物能調(diào)節(jié)導(dǎo)電漿料的粘度，操作簡便，降低成本。有機(jī)硅化合物應(yīng)在總重量的1～5％范圍內(nèi)。當(dāng)含量低于1％時，高溫分解的SiO2太少，難以充分填充外電極內(nèi)部結(jié)構(gòu)中的孔隙，起不到阻止水分進(jìn)入孔隙的作用，因此也就不能防止熔融金屬的濺射；當(dāng)含量高于5％時，導(dǎo)電漿料的粘度難以控制，而且由于分解的SiO2過多，會導(dǎo)致電鍍過程中鎳層難以鍍上或鍍不到預(yù)期的厚度。
本發(fā)明可用于片式多層陶瓷電容器、片式多層陶瓷電感器、片式多層壓敏電阻器、片式多層熱敏電阻器以及類似于上述所需的元件。
片式多層陶瓷電容器采用鎳金屬作為內(nèi)電極，瓷體主要成份為鈦酸鋇。采用傳統(tǒng)的流延成型、印刷、疊層、切割、燒結(jié)、倒角等工藝制備完成，然后在封端機(jī)上分別涂敷這六種導(dǎo)電漿料，在180～250℃溫度下烘烤，排出有機(jī)揮發(fā)物，在800～900℃溫度下燒結(jié)約10分鐘，從而形成外部導(dǎo)電電極端頭，最后在電鍍線上先電鍍上一層鎳，再電鍍上一層錫。
從六種導(dǎo)電漿料制備的片式多層陶瓷電容器中分別取1000粒，240℃進(jìn)行表面貼裝試驗(yàn)。從表1中可以看出，當(dāng)有機(jī)硅化合物含量低于1％時，導(dǎo)致金屬發(fā)生濺射的片式多層陶瓷電容器約占總數(shù)的18/1000，當(dāng)有機(jī)硅化合物含量高于5％時，導(dǎo)致金屬發(fā)生濺射的片式多層陶瓷電容器約占總數(shù)的13～17％。依此為實(shí)施例1～6，見表1。
表1

權(quán)利要求
1.一種導(dǎo)電漿料，其特征在于由以下重量百分的組分組成金屬粉75～80、乙基纖維素松油醇或松節(jié)油溶液11～19、玻璃粉1～5和有機(jī)硅化合物1～5。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其特征在于所述金屬粉為銅、銀。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其特征在于所述玻璃粉為硼硅酸鋅、硼硅酸鉛。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的導(dǎo)電漿料，其特征在于所述有機(jī)硅化合物為原硅酸四乙酯、硅酸甲酯。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種導(dǎo)電漿料。由以下重量百分的組分組成金屬粉75～80、乙基纖維素松油醇或松節(jié)油溶液11～19、玻璃粉1～5和有機(jī)硅化合物1～5。本發(fā)明提供了一種操作簡易的防止金屬濺射的導(dǎo)電漿料。該導(dǎo)電漿料可用于片式多層陶瓷電容器、片式多層陶瓷電感器、片式多層壓敏電阻器、片式多層熱敏電阻器以及類似于上述所需的元件。
文檔編號H01B1/02GK1400610SQ0213463
公開日2003年3月5日 申請日期2002年9月2日 優(yōu)先權(quán)日2002年9月2日
發(fā)明者周少榮, 陳錦清, 王建明 申請人:廣東風(fēng)華高新科技集團(tuán)有限公司