專利名稱：電路裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電路裝置的制造方法，特別是涉及利用二個(gè)導(dǎo)電膜的箔型也能實(shí)現(xiàn)多層配線的電路裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
近年來，IC組件隨著在組裝便攜式機(jī)器和小型·高密集度組裝機(jī)器上采用，而也必將使過去的IC組件及其組裝概念發(fā)生大的改變，例如特開平2000-133678號(hào)公報(bào)中所描述的是關(guān)于采用作為絕緣樹脂片的一例的即柔性片的聚酰胺樹脂片的半導(dǎo)體裝置的技術(shù)。
圖13～圖15采用柔性片50作為中間母材基片。另外，在各圖上面所示的圖面是平面圖，在下面所示的圖面是沿A-A線的剖視圖。
首先準(zhǔn)備在圖13所示的柔性片50上通過粘接劑貼合銅箔圖形51。該銅箔圖形51隨著組裝的半導(dǎo)體元件是晶體管，IC的不同，其圖形也不同，一般地說，形成焊接點(diǎn)51A，島51B。而符號(hào)52是用于從柔性片50的里面取出電極的開口部，上述銅箔圖形51露出。
接著把該柔性片50運(yùn)送到芯片焊接器，如圖14所示，組裝半導(dǎo)體元件53。其后該柔性片50運(yùn)送給引線焊接器，用金屬細(xì)線54電連接焊接點(diǎn)51A和半導(dǎo)體元件53的焊接點(diǎn)。
最后如圖15A所示，在柔性片50的表面上準(zhǔn)備密封樹脂55密封，在此為了被覆焊接點(diǎn)51A、島51B、半導(dǎo)體元件53和金屬細(xì)線54而進(jìn)行連續(xù)自動(dòng)模塑。
然后，如圖15所示，設(shè)置焊錫和焊錫孔等連接手段，使其通過錫焊軟融爐借助開口部52形成焊接點(diǎn)51和熔融著的球狀焊錫56。然而因在柔性片50上半導(dǎo)體元件53形成為矩陣狀，所以被切割成圖14那樣，彼此分別分開。
另外，在圖15C中所示的剖視圖是在柔性片50的兩面上形成51A和51D作為電極。該柔性片50一般在兩面形成圖形后由制造商供給。
由于利用上述的柔性片50的半導(dǎo)體裝置不用公知的金屬框架，而且有能實(shí)現(xiàn)非常小型且薄的封裝構(gòu)造的優(yōu)點(diǎn)，但因只用形成在大致為柔性片50的表面上的一層銅箔圖形51進(jìn)行配線，而存在不能實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造的問題。
另外，為了實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造而保持支持強(qiáng)度，又必需使柔性片50達(dá)到約200μ的足夠的厚度，這又是與薄形化逆行的問題。
另外，關(guān)于制造方法，柔性片50運(yùn)送到上述的制造裝置例如芯片焊接器、引線焊接器、連續(xù)自動(dòng)模塑裝置、軟熔爐等中后，要安裝在所謂臺(tái)或平臺(tái)的部分上。
然而，當(dāng)構(gòu)成柔性片50的基材的絕緣樹脂的厚度薄到50μm左右時(shí)，在形成在表面上的銅箔圖形51的圖形51的厚度也薄到9～35μm的情況下，存在如圖16所示那樣因翹起而使運(yùn)送性變得非常差，并且使在上述的臺(tái)或平臺(tái)上的安裝性也變得很差的缺點(diǎn)。這被認(rèn)為是因絕緣樹脂本身非常薄而產(chǎn)生翹起，因銅箔51與絕緣樹脂的熱膨脹系數(shù)的差引起翹起的結(jié)果。特別是在當(dāng)不用玻璃交叉纖維作為芯材的結(jié)實(shí)的絕緣材料如圖16中所示那樣翹起時(shí)，從上方簡(jiǎn)單加壓就會(huì)使其破裂。
另外，開口部52的部分因在模塑時(shí)從上面加壓而使焊接點(diǎn)51A的周邊向上翹起的力起作用，并且還使焊點(diǎn)51的連接性能變差。
另外，當(dāng)構(gòu)成柔性片50的樹脂材料本身無柔性，并為提高導(dǎo)熱性而摻入填加物時(shí)則會(huì)變硬，在該狀態(tài)下存在用引線焊接器焊接時(shí)在焊接部分中出現(xiàn)裂紋的情況，而且即使在自動(dòng)模塑時(shí)，在模具接觸的部分上也存在出現(xiàn)裂紋的情況，該裂紋如圖16所示那樣因發(fā)生翹起而變得更嚴(yán)重。
迄今為止說明的柔性片50雖然是在里面上不形成電極的，但如圖15C所示，也有在柔性片50的里面上形成電極51D的情況。這時(shí)電極51D與上述制造裝置接觸，由于與該制造裝置間的運(yùn)送手段的運(yùn)送面接觸，而存在在電極51D的里面上發(fā)生損傷的問題，因該損傷按原樣作為電極構(gòu)成，所以也存在以后因加熱等在電極51D本身上出現(xiàn)裂紋的問題。
另外，當(dāng)電極51D形成在柔性片50的里面上時(shí)，在自動(dòng)模塑時(shí)，發(fā)生不能與臺(tái)面接觸的問題。這時(shí)，當(dāng)如上所述那樣柔性片50由硬的材料構(gòu)成時(shí)，電極51D變成支點(diǎn)，由于電極51的周圍被向下方加壓，而存在使柔性片50上產(chǎn)生裂紋的問題。
本發(fā)明人為了解決這些問題而曾建議采用用絕緣樹脂使薄的第一導(dǎo)電膜和厚的第二導(dǎo)電膜貼合的絕緣樹脂片。
然而，在實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造上用薄的第一導(dǎo)電膜形成細(xì)的圖形，厚的第二導(dǎo)電膜在形成微細(xì)的圖形時(shí)也存在不合適的問題。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的電路裝置的制造方法通過由下述工序組成的方法解決上述的問題，這些工序包括準(zhǔn)備用絕緣樹脂粘接第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的絕緣樹脂片的工序；在上述絕緣樹脂片的所希望的位置上形成貫通第一導(dǎo)電膜和上述絕緣樹脂的貫通孔，以使上述第二導(dǎo)電膜的里面選擇地露出的工序；在上述貫通孔中形成多層連接手段，并使第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜電連接的工序；通過把上述第一導(dǎo)電膜蝕刻成所希望的圖形來形成第一導(dǎo)電配線層的工序；在上述第一導(dǎo)電配線層上電絕緣地固定半導(dǎo)體元件的工序；用密封樹脂層被覆上述第一導(dǎo)電配線層和上述半導(dǎo)體元件的工序；在為了使上述第二導(dǎo)電膜全面減薄而蝕刻上述第二導(dǎo)電膜后，通過蝕刻上述第二導(dǎo)電膜形成第二導(dǎo)電配線層的工序；在上述第二導(dǎo)電配線層的所希望位置上形成外部電極的工序。
由于第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜形成的厚，而即使絕緣樹脂變薄，也能維持片狀的電路基板的扁平性。
另外在用密封樹脂層被覆第一導(dǎo)電配線層和半導(dǎo)體元件的工序中由第二導(dǎo)電膜保持機(jī)械強(qiáng)度，因其后由密封樹脂層保持機(jī)械強(qiáng)度而可以容易地用第二導(dǎo)電膜形成第二導(dǎo)電配線層，結(jié)果使絕緣樹脂不需要機(jī)械強(qiáng)度，可以薄到能保持電絕緣的厚度。
另外，由于運(yùn)送模塑裝置的下模具能通過面與第二層導(dǎo)電膜全部接觸，而沒有局部受壓并能防止絕緣樹脂發(fā)生裂紋。
另外，由于第一導(dǎo)電膜在通孔中形成多層連接手段后形成第一電導(dǎo)電配線層，而可不用掩模形成多層連接手段。
還有，由于使第二導(dǎo)電膜通過蝕刻減薄后加工第二導(dǎo)電配線層的圖形，而可以同時(shí)實(shí)現(xiàn)第二導(dǎo)電配線層的微細(xì)圖形化。


圖1是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖2是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖3是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖4是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖5是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖6是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖7是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖8是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖9是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖10是說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法的剖面圖。
圖11是說明按照本發(fā)明制造的電路裝置的平面圖。
圖12是說明本發(fā)明的電路裝置的造方法的剖面圖。
圖13是說明現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置制造方法的圖。
圖14是說明現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置制造方法的圖。
圖15是說明現(xiàn)有技術(shù)中的半導(dǎo)體裝置制造方法的圖。
圖16是說明現(xiàn)有技術(shù)中的柔性片的圖。
具體實(shí)施例方式
下面參照?qǐng)D1～圖12說明本發(fā)明的電路裝置的制造方法。
本發(fā)明的電路裝置的制造方法包括準(zhǔn)備用絕緣樹脂粘接第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的絕緣樹脂片的工序；在上述絕緣樹脂片的所希望的位置上形成貫通第一導(dǎo)電膜和上述絕緣樹脂的貫通孔，以使上述第二導(dǎo)電膜的里面選擇地露出的工序；在上述貫通孔中形成多層連接手段，并使第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜電連接的工序；通過把上述第一導(dǎo)電膜蝕刻成所希望的圖形來形成第一導(dǎo)電配線層的工序；在上述第一導(dǎo)電配線層上電絕緣地固定半導(dǎo)體元件的工序；用密封樹脂層被覆上述第一導(dǎo)電配線層和上述半導(dǎo)體元件的工序；在為了使上述第二導(dǎo)電膜全面減薄而蝕刻上述第二導(dǎo)電膜后，通過蝕刻上述第二導(dǎo)電膜形成第二導(dǎo)電配線層的工序；在上述第二導(dǎo)電配線層的所希望位置上形成外部電極的工序。
本發(fā)明的第一工序在于如圖1所示那樣準(zhǔn)備用絕緣樹脂2形成第一導(dǎo)電膜3和第二導(dǎo)電膜4粘接的絕緣樹脂片1。
絕緣樹脂片1的表面的大致全范圍上形成第一導(dǎo)電膜，在其里面上也大致全范圍上形成第二導(dǎo)電膜4。另外，絕緣樹脂2和材料是由聚酰亞胺樹脂或環(huán)氧樹脂等高分子組成的絕緣材料，另外，第一導(dǎo)電膜3和第二導(dǎo)電膜4最好是以Cu為主材料的材料，或者是公知的引線構(gòu)成材料，通過電鍍法、蒸鍍法或?yàn)R射法被覆在絕緣樹脂2上，也可以把通壓延法或電鍍法形成的金屬箔貼在絕緣樹脂2上。
另外，絕緣樹脂片1也可以用鑄塑法形成，下面簡(jiǎn)單描述該制造方法。首先在平坦膜的第一導(dǎo)電膜3上涂敷糊狀聚酰亞胺樹脂，在平膜狀的第二導(dǎo)電膜4上也涂敷糊狀聚酰亞胺樹脂。然后在使兩個(gè)聚酰亞胺樹脂半固化后互相貼合時(shí)，就制成絕緣樹脂片1。因此具有在絕緣樹脂片1上不要加強(qiáng)用的玻璃交叉纖維的優(yōu)點(diǎn)。
本發(fā)明的特點(diǎn)在于使第二導(dǎo)電膜4比第一導(dǎo)電膜3形成的厚。
第一導(dǎo)電膜3的厚度形成為5～35μm左右，關(guān)照第一導(dǎo)電膜3以便盡可能薄的形成微細(xì)圖形。第二導(dǎo)電膜4的厚度可以為70～200μm左右，以重視保持支持強(qiáng)度這一點(diǎn)。
因此，由于使第二導(dǎo)電膜形成的厚，而可以維持絕緣樹脂片1的平坦性，可以防止在絕緣樹脂2上誘發(fā)缺陷，裂紋等。
另外，第二導(dǎo)電膜4因經(jīng)過各個(gè)工序而發(fā)生傷痕，但因?yàn)槭窃谑购竦牡诙?dǎo)電膜4全面減薄后形成圖形，而可以除去該傷痕，并且由于能邊維持平坦性邊使密封樹脂固化，而使密封部分的里面也變平坦，使形成在絕緣樹脂片1的里面上的電極配置成扁平狀。從而可以使組裝基片上的電極與絕緣樹脂片1的里面的電極接觸，并可以防止焊接不良。
絕緣樹脂2最好是聚酰亞胺樹脂、環(huán)氧樹脂等。在通過涂敷膏狀物制成層的鑄塑法的情況下，該膜厚為10μm～100μm左右。另外，在作為層形成的情況下，市售的片最薄膜厚是25μm，并且考慮熱傳導(dǎo)性，也可以在其中摻入填加物。作為填充材料可以考慮玻璃、氧化錫、氧化鋁、氮化鋁、碳化硅、氮化硼等。
這樣可以把絕緣樹脂2選擇為摻入上述填料的低熱阻樹脂。超低熱阻樹脂或聚酰亞胺樹脂，可以根據(jù)形成的電路裝置的性質(zhì)區(qū)分使用。
本發(fā)明的第二工序在于如圖2所示那樣，在絕緣樹脂片1的所希望位置上形成貫通第一導(dǎo)電膜3和絕緣樹脂2的貫通孔21，使第二導(dǎo)電膜選擇地露出。
只使形成第一導(dǎo)電膜3的通孔21的部分露出后用光致抗蝕劑被覆全面，然后借助該光致抗蝕劑蝕刻第一導(dǎo)電膜。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電膜3是以銅為主材料的膜，所以用氯化亞鐵或氯化亞銅作為蝕刻液進(jìn)行化學(xué)蝕刻。通孔21的開口直徑隨著光刻法的分辯率而變化，但在此為50～100μm左右。另外，在進(jìn)行該蝕刻時(shí)，第二導(dǎo)電膜4被粘接性的層覆蓋保護(hù)與蝕刻液隔開。另外如果第二導(dǎo)電膜4本身充分的厚，且是在蝕刻后能維持平坦的膜厚，則即使稍許被蝕刻也沒關(guān)系。另外，作為第一導(dǎo)電膜3也可以用Al、Fe、Fe-Ni等公知的引線骨架材料。
接著在除去光致抗蝕劑后，把第一導(dǎo)電膜3作為掩模，利用激光除去貫通孔2的正下方的絕緣樹脂2，在通孔21的底上使第二導(dǎo)電膜4的里面露出，作為激光最好用二氧化碳激光。另外，在用激光使絕緣樹脂蒸發(fā)后，在開口部的底部有殘碴時(shí)，用高錳酸碳酸鈉或過硫酸銨等濕法蝕刻，以除去殘碴。
在本工序中當(dāng)?shù)谝粚?dǎo)電膜3薄到10μm左右時(shí)，可以在用光致抗蝕劑被覆通孔21以外的地方之后，用二氧化碳激光使第一導(dǎo)電膜3和絕緣樹脂成批形成通孔21。在這種情況下必需預(yù)先進(jìn)行粗化第一導(dǎo)電膜3的表面的黑化處理工序。
本發(fā)明的第三工序在于如圖3所示，在通孔21中形成多層連接手段，使第一導(dǎo)電膜3和第二導(dǎo)電膜4電連接。
在包含通孔21的第一導(dǎo)電膜3的全面上形成使第二導(dǎo)電膜4和第一導(dǎo)電膜3進(jìn)行電連接的多層連接手段12即鍍膜。該鍍膜通過非電解鍍和電解鍍兩種方法形成，在此通過非電解鍍至少在含通孔21的第一導(dǎo)電膜3的整個(gè)面上形成約2μm的Cu。因此，為了使第一導(dǎo)電膜3和第二導(dǎo)電膜4電導(dǎo)通，而再次通過把該第一和第二導(dǎo)電膜3、4作為電極進(jìn)行電解鍍，鍍約20μm的銅，借此用銅埋入通孔21，形成多層連接手段12。另外，如果采用商品外為工バラュ一ジラィト電鍍液，則也可以選擇地只埋入通孔21。并且鍍膜在此是采用Cu，但也可以采用Au、Ag、Pd等，并且也可以使用掩模進(jìn)行局部電鍍。
本發(fā)明的第四工序在于如圖4和圖5所示那樣，使第一導(dǎo)電膜蝕刻成所希望的圖形，以便形成第一導(dǎo)電配線層5。
在第一導(dǎo)電膜3上用所希望的圖形的光致抗蝕劑被覆，通過化學(xué)蝕刻形成從焊接接點(diǎn)10和從焊接接點(diǎn)10向中心延伸的第一導(dǎo)電配線層5。因第一導(dǎo)電膜3以Cu為主材料，所以蝕刻液可以用氯化亞鐵或氯化亞銅。
由于第一導(dǎo)電膜3的厚度形成為5～35μm左右，所以第一導(dǎo)電配電線層5可以形成為50μm以下的微細(xì)圖形。
接著使第一導(dǎo)電配線層5的焊接接點(diǎn)10露出，其它部分用涂層樹脂8被覆。使涂層樹脂8通過絲網(wǎng)印刷附著被溶劑溶解的環(huán)氧樹脂等，然后使其固化。
另外如圖5所示，在焊接接點(diǎn)10上考慮焊接性能而形成Au、Ag等鍍膜22，該鍍膜22以涂層樹脂8為掩模通過無電場(chǎng)鍍選擇地附著在焊接接點(diǎn)10上。
本發(fā)明的第五工序在于如圖6所示，在第一導(dǎo)電配線層5上電絕緣地固定半導(dǎo)體元件7。
半導(dǎo)體元件7用絕緣粘接樹脂25模按一對(duì)芯片的原樣接合在涂層樹脂8上，因半導(dǎo)體元件7和其下面的第一導(dǎo)電配線層5被涂層樹脂5電絕緣，所以雖然第一導(dǎo)電配線層5在半導(dǎo)體元件7的下面，也能自由配線，從而實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造。
另外，半導(dǎo)體元件7的各電極接點(diǎn)9通過連接引線11連接在形成在周邊的第一導(dǎo)電配線層5的一部分即焊接接點(diǎn)10上。半導(dǎo)體元件7也可以面朝下安裝。這時(shí)焊錫孔和凸出設(shè)置在半導(dǎo)體元件7的各電極接點(diǎn)9的表面上，在絕緣樹脂片1的表面上的與焊錫孔的位置對(duì)應(yīng)的部分上設(shè)置與焊接接點(diǎn)10相同的電極(見圖12)。
下面就使用引線焊接時(shí)的絕緣樹脂片1的優(yōu)點(diǎn)進(jìn)行說明。通常焊接金屬線引線時(shí)，加熱到200℃～300℃。這時(shí)如第二導(dǎo)電膜很薄，則絕緣樹脂片1就翹起，當(dāng)在該狀態(tài)下通過焊接接點(diǎn)對(duì)絕緣樹脂片1加壓時(shí)，絕緣樹脂可能發(fā)生龜裂。如果在絕緣樹脂2中摻入填加材料時(shí)，則因材料本身變硬失去柔軟性，龜裂發(fā)生更嚴(yán)重。并且因?yàn)闃渲c金屬比柔軟，所以在焊接Au和Al時(shí)，加壓和超聲波的能量發(fā)散掉。并且通過使絕緣樹脂2變薄并使第二導(dǎo)電膜4本身形成的厚，可以解決這些問題。
本發(fā)明的第六工序在于如圖7所示那樣，用密封樹脂層13被覆第一導(dǎo)電配線層5和半導(dǎo)體元件7。
將絕緣樹脂片1放置在模塑裝置中進(jìn)行樹脂模塑。作為模塑方法，可以用連續(xù)自動(dòng)模塑、噴射模塑、涂敷、浸涂等。但如考慮成批生產(chǎn)性，自動(dòng)連續(xù)模塑和噴射模塑是適合的。
在本工序中，絕緣樹脂片1必需在扁平狀態(tài)下與模腔的下模具接觸，厚的第二導(dǎo)電膜起這個(gè)作用。并且在從模腔中取出后，通過第二導(dǎo)電膜4維持封裝部分的平坦性，直到密封樹脂層13的收縮全部完成為止。
也就是說，本工序中的絕緣樹脂片1的機(jī)械支持的任務(wù)由第二導(dǎo)電膜4承擔(dān)。
本發(fā)明的第七工序在于如圖8和圖9所示那樣，在為了使第二導(dǎo)電膜4全面減薄而進(jìn)行蝕刻后，通過把第二導(dǎo)電膜4蝕刻成所希望的圖形來形成第二導(dǎo)電配線層6。
如圖8所示，不用掩模蝕刻第二導(dǎo)電膜4，以使其全面變薄。蝕刻可以用氯化亞鐵或氯化亞銅的化學(xué)蝕刻，將第二導(dǎo)電膜4的厚度從當(dāng)初的70～200μm左右均勻地減薄到約一半的厚度35μm左右。這時(shí)可以除去在以前的工序中在第二導(dǎo)電膜上引起的傷痕。
接著如圖9所示，使第二導(dǎo)電膜被覆所希望圖形的光致抗蝕劑，用化學(xué)蝕刻形成第二導(dǎo)電配線層6。由于第二導(dǎo)電膜在本工序中被減薄，所以可以實(shí)現(xiàn)50μm以下的微細(xì)圖形。第二導(dǎo)電配線層6如圖2所示那樣以一定間隔配列，分別通過多層連接手段12與第一導(dǎo)電配線層5和電連接來實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造。另外根據(jù)需要也可以在剩余空白部分上形成用于使第一導(dǎo)電配線層5交叉的第二導(dǎo)電配線層6。
本發(fā)明的第八工序在于如圖10所示那樣在第二導(dǎo)電配線層6的所希望的位置上形成外部電極14。
通過使形成外部電極14的部分露出用絲網(wǎng)印刷通過溶劑溶解的環(huán)氧樹脂等，用涂層樹脂15被覆第二導(dǎo)電配線層15的大部分。接著通過焊錫軟熔或焊錫膏的絲網(wǎng)印刷同時(shí)在該露出部分上形成外部電極14。
最后，因?yàn)槎鄠€(gè)電路裝置在絕緣樹脂片1上形成為矩陣狀，所以可以通過切割密封樹脂層13和絕緣樹脂片1，把這些電路裝置分離成單個(gè)電路裝置。
下面參照?qǐng)D11說明利用具體化的本發(fā)明的制造方法的電路裝置。首先用實(shí)線表示的圖形是第一導(dǎo)電配線層5，用虛線表示的圖形是第二導(dǎo)電配線層6。在第一導(dǎo)電配線層5在周邊設(shè)置焊接接點(diǎn)10以使它們包圍半導(dǎo)體元件7，并在一部分上與配置成兩段并具有多接點(diǎn)的半導(dǎo)體元件7相對(duì)應(yīng)。焊接接點(diǎn)10通過連接引線11與半導(dǎo)體元件7所對(duì)應(yīng)的電極接點(diǎn)9相連接，微細(xì)圖形的第一導(dǎo)電配線層5從焊接接點(diǎn)10多數(shù)向半導(dǎo)體元件7的下面延伸。通過用黑圓圈表示的多層連接手段12與第二導(dǎo)電配線層6連接。并且第二導(dǎo)電配線層6也形成微細(xì)圖形，還形成多個(gè)外部電極14。
按照該構(gòu)造，即使具有200個(gè)以上連接點(diǎn)的半導(dǎo)體元件，也能利用第一導(dǎo)電配線層5的微細(xì)圖形用多層配線構(gòu)造延伸到微細(xì)圖形化的所希望的第二導(dǎo)電配線層6上，并從設(shè)置在第二導(dǎo)電配線層6上的外部電極向外部電路進(jìn)行連接。
在圖12中示出了半導(dǎo)體元件7以面朝下的方式組裝的構(gòu)造。凡與圖10相同的構(gòu)成要素賦予相同的符號(hào)。在半導(dǎo)體元件7上設(shè)置凸出電極31，該凸出電極31與連接點(diǎn)電極相連。涂層樹脂8與半導(dǎo)體元件7的間隙被末充滿的樹脂32充填。按照該構(gòu)造可以沒有連接引線，從而可以使密封樹脂層13的厚度進(jìn)一步變薄。并且外部電極14也能在蝕刻第二導(dǎo)電膜后用金或鈀鍍膜33被覆的凸出電極來實(shí)現(xiàn)。
本發(fā)明具有以下的優(yōu)點(diǎn)第一，在直到用密封樹脂層模塑之前可以用第二導(dǎo)電膜消除翹起作為絕緣樹脂片，并使運(yùn)送性能等提高。
第二，由于用二氧化碳激光形成在絕緣樹脂中形成的通孔，而可以在其后立即進(jìn)行多層連接手段的鍍敷，使工序變得非常簡(jiǎn)單。如用銅鍍層作為多層連接手段，則與銅的第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜變?yōu)橥徊牧?，使其后的工序變?jiǎn)單。
第三，因?yàn)榭梢杂缅兡?shí)現(xiàn)多層連接手段，所以在形成第一導(dǎo)電配線層之前不用掩模就可形成多層膜連接手段，并且可在第一導(dǎo)電配線層形成的同時(shí)形成圖形，從而使多層連接手段的形成非常容易。
第四，因?yàn)橛玫诙?dǎo)電膜進(jìn)行絕緣樹脂片的機(jī)械支持直到密封樹脂層形成時(shí)，并且第二導(dǎo)電配線層形成后用密封樹脂層進(jìn)行支持絕緣樹脂片，所以可以實(shí)現(xiàn)絕緣樹脂的機(jī)械強(qiáng)度不受限制地非常薄型的組裝方法。
第五，即使絕緣樹脂本身是硬的，并且即使因摻入填充料而變硬，但因?yàn)橛玫谝缓偷诙?dǎo)電膜覆蓋兩面，而在制造工序中絕緣樹脂片本身的扁平性提高，從而可以防止發(fā)生裂紋。
第六，由于絕緣樹脂片在里面上形成厚的第二導(dǎo)電膜，所以可以作為用于芯片的模連接引線焊接，半導(dǎo)體元件密封的支持基板使用。并且即使在絕緣樹脂材料本身柔軟的情況下，也能提高引線焊接時(shí)的能量的傳送和提高引線焊接性能。
第七，蝕刻第二導(dǎo)電膜，以使在用密封層后模塑后使第二導(dǎo)電膜厚度減少一半，所以可實(shí)現(xiàn)第二導(dǎo)電配線層微細(xì)化，可以與第一導(dǎo)電配線層一起實(shí)現(xiàn)非常微細(xì)圖形的電路裝置。
權(quán)利要求
1.一種電路裝置的制造方法，其特征在于，包括準(zhǔn)備用絕緣樹脂粘接第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的絕緣樹脂片的工序；在上述絕緣樹脂片的所希望的位置上形成貫通第一導(dǎo)電膜和上述絕緣樹脂的貫通孔，以使上述第二導(dǎo)電膜的里面選擇地露出的工序；在上述貫通孔中形成多層連接手段，并使第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜電連接的工序；通過把上述第一導(dǎo)電膜蝕刻成所希望的圖形來形成第一導(dǎo)電配線層的工序；在上述第一導(dǎo)電配線層上電絕緣地固定半導(dǎo)體元件的工序；用密封樹脂層被覆上述第一導(dǎo)電配線層和上述半導(dǎo)體元件的工序；在為了使上述第二導(dǎo)電膜全面減薄而蝕刻上述第二導(dǎo)電膜后，通過蝕刻上述第二導(dǎo)電膜形成第二導(dǎo)電配線層的工序；在上述第二導(dǎo)電配線層的所希望位置上形成外部電極的工序。
2.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜由銅箔制成。
3.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于使上述第一導(dǎo)電膜比上述第二導(dǎo)電膜形成得薄，使上述第一導(dǎo)電配線層微細(xì)圖形化。
4.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于使上述第二導(dǎo)電膜比上述第一導(dǎo)電膜形成得厚，用上述第二導(dǎo)電膜機(jī)械地支持直到用上述密封樹脂層被覆的工序?yàn)橹埂?br> 5.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于在用上述密封樹脂層被覆的工序后，用上述密封樹脂層機(jī)械地支持。
6.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述貫通孔是在蝕刻上述第一導(dǎo)電膜后，把上述第一導(dǎo)電膜作為掩模，用激光蝕刻上述絕緣樹脂而形成。
7.如權(quán)利要求6所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述激光蝕刻用二氧化碳?xì)怏w激光。
8.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述多層連接手段用導(dǎo)電金屬的無電場(chǎng)鍍層和電場(chǎng)鍍層形成在上述通孔和上述第一導(dǎo)電膜表面上。
9.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于在上述第一導(dǎo)電配線層形成后，留下所希望的位置，用涂層樹脂被覆。
10.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于在從上述第一導(dǎo)電配線層的上述涂層樹脂中露出的位置上形成金或銀鍍層。
11.如權(quán)利要求9所述的電路裝置的制造方法，其特征在于在上述涂層樹脂上固定上述半導(dǎo)體元件。
12.如權(quán)利要求10所述的電路裝置的制造方法，其特征在于通過連接引線連接上述半導(dǎo)體元件的電極和上述金或銀鍍層。
13.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述密封樹脂層用連續(xù)自動(dòng)模塑形成。
14.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于使上述第二導(dǎo)電膜不用掩模全面均勻蝕刻減薄。
15.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于用涂層樹脂被覆上述第二導(dǎo)電配線層的大部分。
16.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述外部電極通過焊錫的絲網(wǎng)印刷附著焊錫后加熱熔融形成。
17.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述外部電極通過焊錫的軟熔形成。
18.如權(quán)利要求1所述的電路裝置的制造方法，其特征在于上述外部電極通過蝕刻成所希望的圖形，然后將其表面鍍金或鈀來形成。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電路裝置的制造方法，使用通過絕緣樹脂(2)使第一導(dǎo)電膜(3)和第二導(dǎo)電膜(4)貼合的絕緣樹脂片，用第一導(dǎo)電膜(3)形成第一導(dǎo)電配線層(5)，用第二導(dǎo)電膜(4)形成第二導(dǎo)電配線層(6)，使兩者用多層連接手段(12)連接。將半導(dǎo)體元件(7)固定在覆蓋第一導(dǎo)電配線層(5)的涂層樹脂(8)上，借此用第一導(dǎo)電配線層(5)和第二導(dǎo)電配線層(6)實(shí)現(xiàn)多層配線構(gòu)造，并且由于使形成厚的第二導(dǎo)電膜(4)在模塑后通過蝕刻減薄，而使第二導(dǎo)電配線層(6)也微細(xì)圖形化。本發(fā)明解決了在制造工序中的絕緣樹脂片的翹起嚴(yán)重的問題。
文檔編號(hào)H01L23/31GK1392602SQ02123158
公開日2003年1月22日 申請(qǐng)日期2002年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2001年6月19日
發(fā)明者五十嵐優(yōu)助, 坂本則明, 小林義幸, 中村岳史 申請(qǐng)人:三洋電機(jī)株式會(huì)社