專利名稱：導(dǎo)體基片結(jié)構(gòu)的校準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明有關(guān)于在基片正面和基片背面進行結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)的方法。
背景技術(shù)：
在集成電路的三維集成過程中，一片薄半導(dǎo)體基片被放置在另一半導(dǎo)體基片上，并且在機械上和電氣上與之保持連接。這種方法的一個示例見《垂直集成電路--未來高性能系統(tǒng)中的關(guān)鍵技術(shù)》(Vertically Integrated Circuits-A Key Technology for Future HighPerformance Systems)，M.Engelhardt et.al著，第11屆等離子處理國際討論會，會議錄97編目，第187頁(1997)，Supplément àla RevueLe Vide科學(xué)、技術(shù)與應(yīng)用；No 284，四-五-六月1997，編輯SociétéFrancaise du Vide，19 rue du Renard，75004法國巴黎，第187至192頁。在此方法中，半導(dǎo)體基片的校準(zhǔn)和觸點連接在技術(shù)上要求最為苛刻，也是最困難的一個步驟。
在三維集成中，習(xí)慣上首先提供兩個晶片，它們帶有經(jīng)過處理的電路。這時候，第一晶片作為載體，對第二晶片按如下方法使其變薄，然后安放在第一晶片上。為了使晶片變薄，首先在第二晶片的正面提供一個附著層，正面是帶有電路的一面，附著層被連接到基座上。第二晶片從其背面變薄。另外，從其背面，穿過薄基片一直到薄晶片正面的第一金屬平面，形成連接開孔。要使接觸開孔與薄基片正面觸點對齊，不可能通過薄基片正面實現(xiàn)，因為后者被基座遮擋住了。
因此，第二晶片通常在其背面通過觸點光刻技術(shù)曝光，借助在變薄晶片正面的紅外曝光標(biāo)記，校準(zhǔn)得以實現(xiàn)。在這種情形下，觸點曝光，尤其是紅外觸點曝光，將產(chǎn)生許多校準(zhǔn)誤差，典型誤差值為+/-5μm。因此，在薄基片正面的觸點區(qū)域通常做得很大。這意味著在基片正面中寶貴的空間，其中可能含有電氣電路，被大面積觸點所占據(jù)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目標(biāo)是確定一種方法，用于校準(zhǔn)在基片正面和基片背面的結(jié)構(gòu)，使得能夠顯著地減少校準(zhǔn)誤差。
根據(jù)本發(fā)明，通過一種方法來校準(zhǔn)基片正面和基片背面的結(jié)構(gòu)，實現(xiàn)該目標(biāo)的步驟為在基片正面形成一種結(jié)構(gòu)；從結(jié)構(gòu)向外生長一個有效層；從基片背面露出結(jié)構(gòu)，基片背面與基片正面相對。
根據(jù)本發(fā)明的方法首先在基片正面形成一種結(jié)構(gòu)。然后，如例所示，能夠在基片的正面形成其他層。如例所示，可以在其他層中形成電氣元件和電路。在這種情形下，在基片正面的結(jié)構(gòu)能夠用于分步光刻機中的校準(zhǔn)，分步光刻機在在基片正面對感光保持膜曝光。在示例中，通過在基片的背面進行蝕刻，用于形成基片正面圖案的結(jié)構(gòu)在基片背面被裸露出來，從而它也能夠在基片背面當(dāng)作校準(zhǔn)標(biāo)記，以用于分步光刻機在基片背面對感光保持膜曝光，進行基片背面的處理。由于該結(jié)構(gòu)適合于分步光刻機使用，所以具有較大校準(zhǔn)誤差的觸點曝光就不再是必不可少的了。同樣，有可能省去對薄晶片的紅外曝光，這也會減少校準(zhǔn)誤差。
方法中一個步驟是進行校準(zhǔn)，利用裸露在背面的結(jié)構(gòu)作為校準(zhǔn)標(biāo)記。這有利于使用分步光刻機曝光，而不是紅外觸點曝光，其結(jié)果是能夠顯著地減少校準(zhǔn)誤差。
方法中的另一個步驟是利用基片正面的結(jié)構(gòu)作為校準(zhǔn)標(biāo)記進行校準(zhǔn)。這一個方法步的優(yōu)點是在基片正面和背面形成的結(jié)構(gòu)能夠用相同的結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)。結(jié)果是，有可能避免在基片正面與背面的處理和曝光步驟之間出現(xiàn)錯誤校準(zhǔn)。
另一方法步驟是對背面進行蝕刻，以利用該結(jié)構(gòu)作為蝕刻掩模。將結(jié)構(gòu)作為蝕刻掩模的優(yōu)點是有可能在基片背面實現(xiàn)自校準(zhǔn)過程。
一種不同的方法是在基片正面使結(jié)構(gòu)形成溝槽形式。這種構(gòu)造的優(yōu)點是基片表面的溝槽能被分步光刻機用作校準(zhǔn)標(biāo)記。
另一種不同的方法在基片正面中使基片凸起。在基片正面增高有利于為分步光刻機形成校準(zhǔn)標(biāo)記。在這種情形下，可以使用與基片相同的或者不同的材料來凸起。
如果該結(jié)構(gòu)是由不同的材料形成，則該不同材料在基片正面能夠形成凹陷，且基片表面能被平坦化。
另外，可能在基片中形成摻雜層。這種情形下，在對基片的背面蝕刻過程中，摻雜層能夠中斷蝕刻。摻雜層形成的好處是它能夠獲取結(jié)構(gòu)的地理等高線。結(jié)果是，有可能同時在基片正面和基片背面進行處理，與相同的結(jié)構(gòu)對準(zhǔn)。
而且，如果基片的背面進行了化學(xué)蝕刻，基片變薄，摻雜層使蝕刻中斷，在背面形成該結(jié)構(gòu)。
在另一不同的方法中，有可能除了在背面裸露的結(jié)構(gòu)之外，還形成第二溝槽，在其中用掩模材料填充。這種方法步驟的優(yōu)點是掩模材料能夠以一種自校準(zhǔn)的方式排列，這種自校準(zhǔn)方式與在背面所形成的結(jié)構(gòu)有關(guān)，不需要額外的光刻曝光步驟。該掩模材料能夠在隨后的蝕刻步驟中用作蝕刻掩模。
在另一方法步驟中，如果第二個溝槽填有掩模材料，該材料被沉積在基片背面且被平坦化處理。此方法步驟的優(yōu)點是掩模材料用于第二溝槽，并形成一種自校準(zhǔn)的蝕刻掩模，而不需要額外的光刻曝露步驟。
另一方法步驟中，在背面形成圖案的過程中，掩模材料被用作蝕刻掩模。這個處理步驟使有可能蝕刻接觸孔，該開孔連接基片的正面和基片的背面，它們被校準(zhǔn)，并具有相應(yīng)的接觸面積。
有可能該結(jié)構(gòu)是從一種掩模材料形成，并被用作蝕刻掩模，以在背面形成圖案。在該結(jié)構(gòu)以外，還形成第三個溝槽。在此方法步驟中，在基片正面的結(jié)構(gòu)是從掩模材料中形成的。相應(yīng)地，該結(jié)構(gòu)以及掩模材料在蝕刻基片背面的過程中是裸露的。在進一步的基片背面蝕刻步驟中，該結(jié)構(gòu)被用作蝕刻掩模，除該結(jié)構(gòu)之外，還形成一個溝槽。此過程的好處是在基片背面的隨后的光刻步驟中，能夠與該結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)。
在進一步的方法步驟中，第三溝槽以第二掩模材料填充，且該結(jié)構(gòu)從背面去除。這個方法步驟的優(yōu)點是，除該結(jié)構(gòu)之外，形成了第二掩模。在隨后的蝕刻步驟中，第二掩模能夠用作蝕刻掩模，目的是對基片背面中以前被該結(jié)構(gòu)占據(jù)的區(qū)域進行蝕刻，比如基片正面的接觸孔。
根據(jù)本發(fā)明，此方法的另一優(yōu)勢構(gòu)造是，第三溝槽中填充有第二掩模材料，且該結(jié)構(gòu)從背面去除。這個過程的優(yōu)點是，最初結(jié)構(gòu)所占據(jù)的背面區(qū)域能夠通過蝕刻過程形成圖案，以形成連接到基片正面的接觸孔，如例所示。
而且，在背面圖案形成過程中，有可能第三溝槽中的第二掩模材料能被用作蝕刻掩模。將第二掩模材料作為蝕刻掩模同樣實現(xiàn)一個蝕刻過程，它根據(jù)結(jié)構(gòu)進行自校準(zhǔn)。這是因為第三溝槽以及第二掩模材料是以一種與結(jié)構(gòu)相關(guān)的自校準(zhǔn)的方式形成的。
在另一方法步驟中，摻雜層在基片的正面生長。摻雜層生長的優(yōu)點是，在基片正面的結(jié)構(gòu)被封裝為與摻雜層相似的形狀，從而摻雜層與結(jié)構(gòu)形狀類似。
另一種不同的方法中，通過在基片中注入摻雜劑，而形成第一摻雜層。摻雜劑注入的優(yōu)點是，能夠使摻雜層與結(jié)構(gòu)形狀類似。
在另一種不同的方法中，在摻雜層中生長一個有效層。該層可用來形成電路或結(jié)構(gòu)。
另外，有可能在基片正面形成電路。
一種不同的方法中，該有效層可以在基片正面生長，在結(jié)構(gòu)中，該有效層生長的速率或者形態(tài)與在基片表面有差異。此過程的優(yōu)點是，凸起的結(jié)構(gòu)在有效層的頂部凹陷。
在另一方法步驟中，結(jié)構(gòu)從基片正面移除，結(jié)果是摻雜層中形成圖案。如果結(jié)構(gòu)形成一個凸起，且隨后形成摻雜層，那么通過移除凸起，有可能同時在凸起區(qū)域中移除摻雜層。結(jié)果是，比如有可能在摻雜層中形成一個窗口。
在另一不同的方法中，對要進行蝕刻的基片背面和用作蝕刻中斷的有圖案的摻雜層，在基片背面形成第四溝槽，形成區(qū)域為摻雜層具有掩模窗口處。此不同方法的優(yōu)點是有圖案的摻雜層中具有掩模窗口，其中能通過適當(dāng)?shù)奈g刻步驟形成一個溝槽。
本發(fā)明其他有利構(gòu)造在相關(guān)的權(quán)利要求書中指明。
參照示例裝置和插圖，在以下對本發(fā)明進行詳細(xì)說明。


圖1顯示一個薄基片，帶有一個從基片背面到第一金屬鍍敷的接觸孔；圖2顯示具有結(jié)構(gòu)的基片；圖3顯示圖2中變薄的基片；圖4顯示從圖3中基片中的進一步構(gòu)造；圖5顯示另一不同的方法，結(jié)構(gòu)形成一個凸起；圖5a根據(jù)圖5顯示一個不同的方法，但沒有可選的摻雜層；圖6、7和8顯示進一步的處理步驟，通過在圖5或5a中的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)。
具體實施例方式
圖1顯示一個薄基片1，在它上面有一個絕緣層25，作為示例，其中有第一金屬平面22和第二金屬平面23。此外，從基片1的背面3直到基片1的正面2，形成一個接觸孔24，第一金屬鍍敷平面22在接觸區(qū)域裸露于背面。通過附著層20，絕緣層25固定在基座21上。將基片1固定到基座21，可以使基片1在接觸孔24形成之前從背面3處變薄。
圖2到4用于描述校準(zhǔn)標(biāo)記7的生產(chǎn)方法，通過光刻處理，校準(zhǔn)標(biāo)記7在基片正面2和基片背面3中都可用來校準(zhǔn)基片1中的結(jié)構(gòu)。
圖2顯示沒有變薄的基片1，具有正面2和背面3。在基片1的正面2處引入結(jié)構(gòu)4，作為溝槽8。結(jié)構(gòu)4能夠用作自正面的校準(zhǔn)標(biāo)記7。摻雜層5設(shè)置在基片1的正面2和溝槽8中。在摻雜層5之上有可用層15。在本示例裝置中，基片1由硅制成。結(jié)構(gòu)4通過分步光刻機曝光步驟以及隨后的溝槽蝕刻而形成。有效層15，同樣也通過外延生長法在摻雜層5上形成。比如說，在有效層15中能夠形成采用CMOS技術(shù)的電路裝置。有效層15的生長是個共形沉積過程，從而結(jié)構(gòu)4被轉(zhuǎn)移到有效層15，從而被用作校準(zhǔn)標(biāo)記7，用于分步光刻機。
另一不同的方法中，適合產(chǎn)生在圖2中顯示的結(jié)構(gòu)，首先在基片1的正面2蝕刻一個溝槽8，然后通過注入方式在基片1中形成摻雜層。在本生產(chǎn)方法中，摻雜層5也是作為一個掩埋層而形成，從而具有雜質(zhì)的有效層15脫離摻雜層5，被安放在摻雜層5的上面。
參照圖3，示例中在有效層中放置有場效應(yīng)晶體管，以及一個絕緣層25，其中安放有用于場效應(yīng)晶體管的金屬線。通過附著層20，絕緣層被固定在基座21上?；?的背面3被研磨并被濕化學(xué)蝕刻，蝕刻在摻雜層5中被選擇性的中斷。因為摻雜層5被用作蝕刻中斷，結(jié)構(gòu)4在基片1的背面3上形成。在背面3的光刻過程中，結(jié)構(gòu)4能被分步光刻機用作校準(zhǔn)標(biāo)記。結(jié)果，有可能高精度地定位一個與校準(zhǔn)標(biāo)記7相關(guān)的接觸孔，其精度在紅外觸點曝光中無法達到。
參照圖4，另外還有可能實現(xiàn)一個自校準(zhǔn)過程，通過它能夠以自校準(zhǔn)方式形成一個接觸孔，接觸孔連接基片1的背面3和第一金屬平面22，而不需要其他的光刻圖案形成。圖4中顯示了有效層15，在其中安置有絕緣層25，絕緣層中有可能放置第一金屬平面22。為了能夠進行研磨并對背面3進行蝕刻，通過附著層20，該結(jié)構(gòu)被固定在基座21上。進一步，摻雜層5被安放在有效層15的背面。通過背面蝕刻過程，背面3在摻雜層5中被去除。對基片1背面3的蝕刻結(jié)果是，除了結(jié)構(gòu)4以外，還形成第二溝槽10，并填充了掩模材料11，用作蝕刻掩模12。填充過程比如可以通過一個二氧化硅全面積沉積過程，隨后通過CMP(Chemical Mechanical Polishing，化學(xué)機械研磨)過程來進行平坦化處理。可用的氧化硅沉積方法有CVD(Chemical Vapor Deposition，化學(xué)氣相沉積)方法。蝕刻掩模12能夠用作蝕刻裸露摻雜層5的掩模，且覆蓋在有效層15之上，有可能在第一金屬平面22的背面3中蝕刻一個接觸孔。
參照圖5到8，制造可用作校準(zhǔn)標(biāo)記的結(jié)構(gòu)4的進一步方法敘述如下。圖5中描述了一個基片1，它具有基片正面2和基片背面3。在基片1的正面2上，形成了結(jié)構(gòu)4，作為一個由掩模材料11形成的凸起。在分步光刻機的曝光步驟中，結(jié)構(gòu)4被用作校準(zhǔn)標(biāo)記。摻雜層5被安置在基片1的正面2。在本實施例中，摻雜層5被安置在基片表面17和結(jié)構(gòu)4中，形狀類似。摻雜層5可以選用，也可以不需要，顯示在圖5a中。有效層5安置在摻雜層5上，其中還安放有一個絕緣層25。
第一金屬平面22被安置在絕緣層25之上。為了制造在圖5中所顯示的結(jié)構(gòu)，通過示例，假定基片1是由硅所制成。一個由掩模材料11所形成的層被沉積在基片1的基片表面17的整個區(qū)域，并形成圖案，從而在基片表面17上形成校準(zhǔn)標(biāo)記7。
通過在基片表面17蝕刻一個溝槽，同樣有可能將校準(zhǔn)標(biāo)記7配置為結(jié)構(gòu)4，該溝槽中填充有掩模材料11，隨后按基片表面17的高度平坦化。在這種情形下，校準(zhǔn)標(biāo)記凹入到基片表面17中。
摻雜層5隨后通過沉積方法形成。該沉積方法可能，比如說，是外延沉積法或注入法。外延生長只在基片1的基片表面17上保持單晶屬性，而在校準(zhǔn)標(biāo)記7上形成多晶摻雜層5，校準(zhǔn)標(biāo)記是由掩模材料11形成。這個規(guī)定同樣應(yīng)用在摻雜層5，它只能在基片表面17上生長，而不能在掩模材料11上生長，從而要進行選擇性外延生長。有效層15隨后被外延研磨。在這里同樣，有效層15的單晶屬性只在基片表面17保持，而在掩模材料11的外延上生長多晶。外延生長可以有選擇地進行，在掩模11上的外延上生長，明顯要慢得多，因此有效層15的表面上的結(jié)構(gòu)4形成溝槽形式，可用作校準(zhǔn)標(biāo)記7。
參照圖6，基片被固定在基座21上?；?從其背面3變薄，因此，通過蝕刻過程，在摻雜層5中，背面蝕刻中斷采用一種自校準(zhǔn)形式。進一步，背面蝕刻在掩模材料11得到中斷。在基片1中沒有可選用的摻雜層5的情形下，通過時控的研磨過程和時控蝕刻過程，基片1的背面3可被去除，從而基片1的變薄過程可以根據(jù)所需要的基片保留厚度而停止。
通過隨后的反應(yīng)離子蝕刻步驟，它能蝕刻摻雜層5和結(jié)構(gòu)4上有效層15中的硅，這里摻雜層和有顏色層都是由氧化硅形成，可用作蝕刻掩模。這種蝕刻同樣能采用濕化學(xué)技術(shù)。在蝕刻過程中，在結(jié)構(gòu)4旁排列的硅被蝕刻，從而產(chǎn)生第三溝槽13。然后，進行共形的或平坦化沉積，在背面3中沉積出第二掩模材料14。在沉積過程中，第三溝槽13中被填充第二掩模材料14。
參照圖8，隨后進行平坦化步驟，可以將背面3平坦化。第二掩模材料14、結(jié)構(gòu)4和摻雜層5被去除，裸露出區(qū)域18。在隨后的蝕刻過程中，安放在第三溝槽13中的第二掩模材料14被用作蝕刻掩模，以在裸露區(qū)域18中對有效層15進行蝕刻。在這里，比如說，可蝕刻出第四溝槽19，它作為接觸孔24，裸露出第一金屬平面22。
在所指定的方法中，根據(jù)要求摻雜層5可由P型雜質(zhì)硼形成。蝕刻掩模12和第二掩模材料14可由硅氧化物或硅氮化物制成。如果結(jié)構(gòu)4的材料與基片1的材料不同，則可以在結(jié)構(gòu)4中采用硅氧化物或硅氮化物或鈦氮化物。
如果基片1變薄到相當(dāng)程度，它會由于內(nèi)部壓力而彎曲。在這種情形下，只利用在基片1中形成的結(jié)構(gòu)，而忽略合適的校準(zhǔn)標(biāo)記，對基片1的光刻校準(zhǔn)會產(chǎn)生錯誤校準(zhǔn)。由于這個原因，采用自校準(zhǔn)蝕刻掩模，以自校準(zhǔn)方式對基片1的背面3進行蝕刻特別有利，目的是使結(jié)構(gòu)在基片1中合適的位置產(chǎn)生。
權(quán)利要求
1.一種方法，用于校準(zhǔn)基片正面和背面的結(jié)構(gòu)，它有如下步驟在基片(1)的正面(2)形成一種結(jié)構(gòu)(4)；超出結(jié)構(gòu)(4)以外生長出一個有效層(15)；從基片(1)的背面(3)裸露結(jié)構(gòu)(4)，基片(1)的背面(3)與基片(1)的正面(2)相對。
2.根據(jù)權(quán)利要求1中所述的方法，其特征是校準(zhǔn)步驟采用在背面(3)上裸露的結(jié)構(gòu)(4)作為校準(zhǔn)標(biāo)記(7)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1和2之一中所述的方法，其特征是校準(zhǔn)步驟采用基片(1)的正面(2)中的結(jié)構(gòu)(4)作為校準(zhǔn)標(biāo)記。
4.根據(jù)權(quán)利要求1到3中所述的方法，其特征是采用結(jié)構(gòu)(4)作為蝕刻掩模來蝕刻背面(3)。
5.根據(jù)權(quán)利要求1到4之一所述的方法，其特征是結(jié)構(gòu)(4)在基片(1)的正面(2)形成一個溝槽(8)。
6.根據(jù)權(quán)利要求1到5之一所述的方法，其特征是在基片(1)的正面(2)上結(jié)構(gòu)(4)形成一個凸起(9)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1到6之一所述的方法，其特征是在基片(1)中形成一個摻雜層(5)。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的方法，其特征是基片(1)的背面(3)被化學(xué)蝕刻，基片(1)變薄，摻雜層(5)用作蝕刻中斷，且結(jié)構(gòu)(4)在背面(3)形成。
9.根據(jù)權(quán)利要求1到8之一所述的方法，其特征是除了在背面(3)所裸露的結(jié)構(gòu)(4)以外，還形成第二溝槽，其中填充有掩模材料(11)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其特征是通過將掩模材料(11)沉積在基片(1)的背面(3)并被平坦化處理，而將第二溝槽(10)用掩模材料(11)填充。
11.根據(jù)權(quán)利要求9或10中所述的方法，其特征是在背面(3)形成圖案的過程中，掩模材料(11)被用作蝕刻掩模(12)。
12.根據(jù)權(quán)利要求1到11之一所述的方法，其特征是結(jié)構(gòu)(4)由掩模材料(11)形成，并被用作背面(3)形成圖案的蝕刻掩模(12)，除了結(jié)構(gòu)(4)以外，還形成第三溝槽(13)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征是第三溝槽(13)用第二掩模材料(14)填充，并且在背面(3)去除結(jié)構(gòu)(4)。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其特征是在背面(3)形成圖案的過程中，第三溝槽(13)中的第二掩模材料(14)用作蝕刻掩模。
15.根據(jù)權(quán)利要求7到14之一所述的方法，其特征是在基片(1)的正面(2)生長有摻雜層(5)。
16.根據(jù)權(quán)利要求7到15之一所述的方法，其特征是通過在基片(1)中注入摻雜劑而形成摻雜層(5)。
17.根據(jù)權(quán)利要求7到16之一所述的方法，其特征是在摻雜層(5)中生長有效層(15)。
18.根據(jù)權(quán)利要求1到17之一所述的方法，其特征是在基片(1)的正面(2)形成電路(16)。
19.根據(jù)權(quán)利要求1到18之一所述的方法，其特征是有效層(15)在基片(1)的正面(2)生長，相比在基片表面(17)，有效層(15)在結(jié)構(gòu)(4)中以不同的速率和形態(tài)生長。
20.根據(jù)權(quán)利要求7到19之一所述的方法，其特征是從基片(1)的正面(2)去除結(jié)構(gòu)(4)，其結(jié)果是使摻雜層(5)形成圖案。
21.根據(jù)權(quán)利要求20所述的方法，其特征是基片(1)的背面(3)被蝕刻，且有圖案的摻雜層(5)被用作蝕刻中斷，在基片(1)背面(3)的某個區(qū)域(18)形成第四溝槽(19)，在該區(qū)域摻雜層(5)具有一個掩模窗口。
全文摘要
在集成電路的三維集成過程中，將變薄的半導(dǎo)體基片(1)安置在第二半導(dǎo)體基片中，并保持機械和電氣連接。在此之后，在第二薄半導(dǎo)體基片(1)中形成持續(xù)接觸孔(24)，該孔從基片背面(3)一直到基片正面(12)第一金屬連線平面。為了將接觸孔(24)與在正面(2)中安置的結(jié)構(gòu)校準(zhǔn)，在基片(1)的正面(2)設(shè)計了結(jié)構(gòu)(4)，它可以作為正面(2)上的校準(zhǔn)標(biāo)記(7)。從結(jié)構(gòu)(4)向外生長出一個有效層(15)，結(jié)構(gòu)在基片(1)的背面(3)裸露，從而結(jié)構(gòu)(4)能夠從背面(3)用作校準(zhǔn)標(biāo)記(7)。這避免了在正面(2)與背面(3)上結(jié)構(gòu)之間的校準(zhǔn)誤差。
文檔編號H01L21/02GK1425195SQ01808245
公開日2003年6月18日 申請日期2001年3月28日 優(yōu)先權(quán)日2000年4月19日
發(fā)明者H·許布納 申請人:因芬尼昂技術(shù)股份公司