專利名稱：電子元件及制造該部件的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及電子元件和電子元件的制造方法，特別涉及具有一種結(jié)構(gòu)的電子元件，在該電子元件的結(jié)構(gòu)中，連接到內(nèi)導(dǎo)體的外電極形成在鑲嵌了內(nèi)導(dǎo)體的鑄模體表面上，以及用于電子元件的制造方法。
步驟1首先，形成鑄模體，在該鑄模體中，纏繞銅線的空心線圈被鑲嵌在與磁粉混合并揉搓的樹脂或橡膠中，以便暴露空心線圈的兩個端部。
步驟2用酒精或中性脫脂溶劑清洗包括空心線圈(內(nèi)導(dǎo)體)暴露部分的鑄模體的表面，然后，使用酸性或堿性溶液對該表面進行粗糙蝕刻。
步驟3在鑄模體浸漬在包含鈀離子的溶液之后，用還原劑將鈀離子還原，以使金屬鈀核沉積在鑄模體的表面上。
步驟4下一步，進行化學(xué)鍍膜法鍍鎳，在鑄模體的整個表面上形成金屬膜。
步驟5在金屬膜的必要部分用抗蝕劑涂覆之后，進行蝕刻以除去金屬膜的不必要的部分。
步驟6下一步，除去抗蝕劑，在金屬膜上進行幾種電鍍，從而形成外部電極。
以這種方式，獲得如

圖10所示的表面安裝型電感器。
然而，在由化學(xué)鍍膜法形成金屬膜的方法中，在鑄模體浸漬在包含鈀離子的溶液中之后，鑄模體上的鈀離子用還原劑還原，由于沉積金屬鈀核，而在鑄模體的表面上提供了鈀催化劑，形成在鑄模體表面上的金屬膜的黏著性受鈀核的黏著性的影響，所以，很難在鑄模體(具有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)(以后簡稱為鑄模體的表面)和內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面(以后簡稱為內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面)的兩個表面形成具有良好黏著性的金屬膜，因此，為了改善鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面的黏著性，需要嚴(yán)格控制用于化學(xué)鍍膜法條件的含有鈀離子的溶液濃度和粘性，在這種情況下，存在增加成本的問題。
為獲得上述目的，本發(fā)明人已經(jīng)研究了沉積在鑄模體表面上的鈀的密度和化學(xué)鍍膜法鍍膜的黏著性之間的關(guān)系，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，在使用鈀作為催化劑的化學(xué)鍍膜法中，1)當(dāng)鈀整體上大密度沉積時，由化學(xué)鍍膜法形成的金屬膜和鑄模體(含有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)之間的黏著性是很好的，但金屬膜和內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分之間的黏著性可能變成不足，2)相反，當(dāng)?shù)兔芏瘸练e鈀時，由化學(xué)鍍膜法形成的金屬膜和內(nèi)導(dǎo)體(金屬)的暴露表面之間的黏著性是很好的，但金屬膜和鑄模體(含有樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料)之間的黏著性可能變?yōu)椴蛔?，此外，發(fā)明人已經(jīng)對沉積在由包含樹脂或橡膠作為主要成分的磁性材料制成的鑄模體的表面(鑄模體表面)上的鈀的密度和暴露在鑄模體的內(nèi)導(dǎo)體的表面上的鈀的密度之間的關(guān)系進行了試驗，以及對化學(xué)鍍膜法鍍膜的黏著性進行了試驗，上述工作使得發(fā)明人做出了本發(fā)明。
就是說，本發(fā)明的電子元件包括由鑲嵌在鑄模體內(nèi)的金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體，鑄模體是把包含樹脂或橡膠作為主要成分的絕緣材料鑄成預(yù)定形狀形成的，以至至少部分內(nèi)導(dǎo)體暴露在鑄模體的表面上；外電極，其連接到內(nèi)導(dǎo)體并提供在包括在鑄模體的表面上內(nèi)導(dǎo)體被暴露的區(qū)域的預(yù)定區(qū)域，鈀以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度沉積在鑄模體的表面上，其中鈀沉積在形成的外電極上而不沉積在內(nèi)導(dǎo)體暴露的區(qū)域；鈀以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度沉積暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體上，以及，至少構(gòu)成部分外電極的金屬膜在沉積鈀的區(qū)域中由化學(xué)鍍膜法形成。
在本發(fā)明的電子元件中，鈀以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度沉積在鑄模體的表面上形成外電極的區(qū)域內(nèi)的內(nèi)導(dǎo)體沒有暴露的區(qū)域；鈀以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度沉積暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體上；至少構(gòu)成部分外電極的金屬膜形成在鈀以固定密度沉積的區(qū)域中(鑄模體的表面和內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面)，因此，就有可能獲得一種電子元件，在該電子元件中，金屬膜與提供的鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性，通過外部電極的外部連接具有高可靠性。
就是說，雖然金屬膜與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面的黏著性很容易受沉積鈀的密度(每單位面積沉積)影響，當(dāng)沉積鈀的密度設(shè)置在上述范圍時(0.5至1.5μg/cm2的密度沉積在鑄模體表面，0.05至0.3μg/cm2的密度沉積內(nèi)導(dǎo)體暴露表面)，就能夠形成金屬膜與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面非常好的黏著性。
此外，在本發(fā)明的電子元件中，內(nèi)導(dǎo)體的兩個端部暴露在鑄模體的表面上，并形成了一對外電極，以便與兩個端部電連接。
例如，本發(fā)明適用于表面安裝型電感器，在該電感器中提供一對外電極在鑄模體表面上，以便連接到導(dǎo)電線圈的兩個端部，該鑄膜體是致使線圈導(dǎo)體(內(nèi)導(dǎo)體)被鑲嵌在與磁粉混合并揉搓的樹脂或橡膠的磁性材料中以便形成固定的形狀而形成的。在這種情況中，就能夠形成金屬膜與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性。因此，就能夠提供一種具有高可靠性的如電感器的電子元件。
此外，在本發(fā)明的電子元件中，絕緣材料包括與磁粉混合和揉搓的樹脂和橡膠。
本發(fā)明可以應(yīng)用到絕緣材料包括與磁粉混合和揉搓的樹脂和橡膠中，在這種情況中，可能提供一種如電感器的電子元件，該電感器在外部電極和鑄模體之間具有非常好的黏著性并具有高可靠性。
另外，在本發(fā)明的電子元件中，內(nèi)導(dǎo)體包括金屬線螺旋纏繞的線圈導(dǎo)體。
例如，通過把本發(fā)明應(yīng)用到表面安裝型電感器，其中，外電極形成在具有線圈導(dǎo)體的鑄模體的表面上，就是說，鑲嵌螺旋纏繞的金屬線作為內(nèi)導(dǎo)體，就可能提供一種在構(gòu)成外電極的金屬膜和鑄模體之間具有良好黏著性和高可靠的電子元件。
此外，在本發(fā)明的電子元件中，內(nèi)導(dǎo)體至少由從Cu、Ag、Al、Ni和它們的合金中選擇的一種材料制成。
通過把本發(fā)明應(yīng)用到電子元件，至少使用從Cu、Ag、Al、Ni和它們的合金中選擇的一種材料作為構(gòu)成內(nèi)導(dǎo)體的材料。
此外，本發(fā)明電子元件的制造方法包括步驟把金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體鑲嵌在鑄模體內(nèi)，鑄模體是把包含樹脂或橡膠作為主要成分的絕緣材料鑄成預(yù)定形狀形成的，以至至少部分內(nèi)導(dǎo)體暴露在鑄模體的表面上；以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度把鈀沉積在沒有暴露內(nèi)導(dǎo)體的鑄模體的表面上，以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度把鈀沉積在暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體上；沉積之后，通過進行化學(xué)鍍膜法，把金屬膜形成在鑄模體的表面上；在鑄模體表面上包括暴露內(nèi)部導(dǎo)體的區(qū)域的預(yù)定區(qū)域中，提供與內(nèi)部導(dǎo)體電連接的外部電極。
在鈀以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度沉積在該區(qū)域(鑄模體表面)之后，在該區(qū)域，內(nèi)導(dǎo)體沒有暴露在鑄模體上，鈀以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度沉積暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體的表面(內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面)，通過化學(xué)鍍膜法，就能夠形成金屬膜與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性，因此，能夠有效地制造高可靠的電子元件。
然而，如果金屬膜形成在鑄模體的表面上，當(dāng)在鑄模體表面上的鈀沉積小于0.5μg/cm2時，鑄模體表面和金屬膜之間的黏著性就會變壞，此外，當(dāng)在鑄模體表面上的鈀沉積超過1.5μg/cm2時，在化學(xué)鍍膜溶液中的鈀核的分離會增加，因此，使得化學(xué)鍍膜溶液的質(zhì)量下降，因而增加了成本，因此，要求在鑄模體表面上沉積鈀的范圍在0.5至1.5μg/cm2內(nèi)。
此外，當(dāng)在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上的鈀沉積超過0.3μg/cm2時，如果金屬膜由化學(xué)鍍膜法形成在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上，內(nèi)導(dǎo)體暴露表面和金屬膜之間的黏著性就會變壞，此外，當(dāng)在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上的鈀沉積小于0.05μg/cm2時，特別要避免部分地進行化學(xué)鍍膜，因此，要求在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上沉積鈀的范圍在0.05至0.3μg/cm2內(nèi)。
此外，本發(fā)明電子元件的制造方法還包括步驟通過干法噴沙，把包括內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分的鑄模體表面上的預(yù)定區(qū)域進行粗糙度處理；通過把鑄模體浸漬在蝕刻溶液中，對干法噴沙粗糙的內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面進行平滑處理；在平滑處理之后，進行化學(xué)鍍膜以在包括內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分的鑄模體的表面上形成金屬膜。
包括內(nèi)導(dǎo)體暴露部分的鑄模體表面上的固定區(qū)域已經(jīng)由干法噴沙和由干法噴沙的粗糙內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面已經(jīng)由浸漬鑄模體在蝕刻溶液中平滑之后，通過化學(xué)鍍膜，就能夠有效地形成與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性的金屬膜。
就是說，鈀離子還原到金屬鈀的速率一般說來在如銅等金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上是比較低的，銅具有的離子化趨勢大于鈀的離子化趨勢，由于鑄模體表面的粗糙度大于被平滑的內(nèi)導(dǎo)體暴露表面的粗糙度，按照固著效應(yīng)，鈀離子沉積在鑄模體表面上的密度大于內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上的密度。因此，通過使用還原劑，把沉積在鑄模體表面上的鈀離子還原，就能夠使在鑄模體表面上沉積的鈀密度大，而在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上沉積的鈀薄，之后進行化學(xué)鍍膜，就能夠有效地形成與鑄模體表面和內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性的化學(xué)鍍膜。
此外，本發(fā)明電子元件的制造方法還包括步驟把鑄模體浸漬在有機溶液中只粗糙鑄模體表面；之后，通過進行化學(xué)鍍膜，在包括內(nèi)導(dǎo)體暴露部分的鑄模體的表面上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)形成金屬膜。
在把鑄模體浸漬在有機溶液中只粗糙鑄模體的表面之后進行化學(xué)鍍膜，就能夠使在鑄模體表面上鈀沉積密度大，而在內(nèi)導(dǎo)體暴露表面上鈀沉積薄，因此，就能夠有效地形成與鑄模體表面和包括內(nèi)導(dǎo)體暴露部分的鑄模體表面上固定區(qū)域中的內(nèi)導(dǎo)體暴露表面具有非常好的黏著性的金屬膜。
發(fā)明的
具體實施例方式
此后，本發(fā)明實施例的描述將使發(fā)明的特征更加清楚。
實施例1在實施例1中，描述制作具有下述結(jié)構(gòu)的表面安裝型電感感器作為例子，在該例中，連接到作為感性元件的銅線圈2(內(nèi)導(dǎo)體)的兩端2a和2b的外電極4a和4b提供在鑄模體3的兩端，鑄模體3由磁性材料(鐵氧體樹脂)與鑲嵌在其中的銅線圈構(gòu)成。
步驟1如圖1所示，首先，鑄模體3的尺寸是4.5mm×3.2mm×3.2mm，其中，銅線圈2的線徑是0.2mm，線圈內(nèi)徑是1.8mm，線圈長度是3.2mm，銅線圈鑲嵌在鐵氧體樹脂1(磁芯)中，鐵氧體樹脂由Fe2O3、NiO、CuO、ZnO構(gòu)成的鐵氧體粉末和PPS(聚亞苯基硫化物)樹脂混合并揉搓而成。
步驟2下一步，如2所示，對鑄模體3進行噴沙(干法噴沙)處理以粗糙它的表面，噴沙粉(在實施例1中使用平均粒子直徑約40μm的鋁粉)以固定壓力吹向鑄模體3的兩個端面。
步驟3下一步，暴露在鑄模體3表面上的銅線圈(內(nèi)導(dǎo)體)的表面由把鑄漠體3浸漬在銅蝕刻溶液(氯化鐵標(biāo)準(zhǔn)溶液)中約10到30秒來平滑，鑄模體3用堿性清洗溶液清洗，在用弱硫酸(5％的H2SO2)清洗之后，再用大量的水進行清洗。
步驟4然后，鑄模體3在室溫下浸漬在預(yù)浸溶液中一分鐘(20ml/l的Pri DipNeoganth B(日本Atotech K.K.公司))與1ml/l的硫酸的混合液)，而且，在堿性鈀催化溶液(40ml/l的activator Neoganth 834(日本Atotech K.K公司)與所加的5g/l的硼酸溶液，溶液的ph值調(diào)整到10.5-11.0)中浸漬五分鐘，溶液的溫度保持在40℃，用水清洗鑄模體3約一分鐘，然后，在30℃的鈀還原溶液(Reducer Neoganth WA(日本Atotech K.K.公司)與所加的5g/l硼酸的溶液)中浸漬五分鐘，用水清洗鑄模體3約一分鐘。如圖3所示，以這種方式，金屬鈀核被沉積在鑄模體3的整個表面。
而且，這時，在銅線圈2(內(nèi)導(dǎo)體暴露表面)的暴露表面上沉積的金屬鈀核的密度是0.05至0.3μg/cm2，在鐵氧體樹脂1的表面(鑄模體表面)上沉積的密度是0.5至1.5μg/cm2，因此，沉積了金屬鈀核10，以至在鐵氧體樹脂1上的金屬鈀核密度大，在暴露的銅線圈2上的金屬鈀核密度小。
步驟5之后，化學(xué)鎳鍍?nèi)芤?100ml/l的ICP NICORON USD-M(OKUNO化學(xué)工業(yè)公司)與50ml/l的ICP NICORON USD-1(OKUNO化學(xué)工業(yè)公司)的混合溶液，溶液的ph值調(diào)整到5)被保持在85℃，鑄模體3被浸漬在化學(xué)鎳鍍?nèi)芤褐?0分鐘進行化學(xué)鍍膜，如圖4所示，約1μm厚的鎳膜5(化學(xué)鍍鎳膜)形成在鑄模體3的整個表面。
步驟6然后，如圖5所示，化學(xué)鍍鎳膜5的必要部分(該部分將成為外電極)由抗蝕劑11覆蓋，化學(xué)鍍鎳膜5的不必要部分由酸除去(圖6)。
步驟7在除去抗蝕劑11及鑄模體3干燥之后，剩在鑄模體3上的化學(xué)鍍鎳膜5以鎳和錫的順序被電鍍。如圖8所示，以這種方式，獲得了具有三層結(jié)構(gòu)的外電極4a和4b的表面安裝型電感器，由化學(xué)鍍鎳膜5、電鍍鎳膜6、電鍍鎳膜7構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)提供在鑄模體3的兩個端部。
在實施例1中，因為使用堿性鈀離子溶液，鈀離子還原到由銅制成的內(nèi)導(dǎo)體(銅線圈)的暴露表面上的金屬鈀的比率較小，因為銅的離子化趨勢大于鈀的離子化趨勢。
另一方面，鐵氧體樹脂1的表面粗糙度大于由上面步驟3平滑的銅線圈2的暴露表面的粗糙度，根據(jù)固著效應(yīng)，沉積的鈀離子比沉積在銅線圈2的暴露表面上的鈀離子密度大。
因此，通過使用還原劑，把沉積在鑄模體3的表面上的鈀離子還原，就能夠沉積鈀離子，致使在鐵氧體樹脂上鈀的沉積密度大，在暴露的銅線圈2上鈀沉積的密度小，并且在下面的化學(xué)鎳鍍中，就能形成與鐵氧體樹脂1和暴露的銅線圈2具有良好的黏著性的鎳膜5(化學(xué)鍍鎳膜)。
而且，當(dāng)沉積密度在銅線圈2上超過0.3μg/cm2時，化學(xué)鍍鎳膜5的黏著性降低，當(dāng)鈀的沉積密度變?yōu)?.05μg/cm2或更小時，可能引起在一部分上不能產(chǎn)生化學(xué)鍍鎳膜，因此，需要在銅線圈2上設(shè)置沉積密度的范圍，即，0.05至0.3μg/cm2。
此外，當(dāng)鈀的沉積密度在鐵氧體樹脂1上小于0.5μg/cm2時，化學(xué)鍍鎳膜5的黏著性變化，當(dāng)鈀的沉積密度超過1.5μg/cm2時，較多的金屬鈀核10溶解在化學(xué)鍍鎳溶液中，加速了化學(xué)鍍鎳溶液的質(zhì)量下降，從而增加了成本，因此，需要在鐵氧體樹脂1上設(shè)置沉積密度的范圍，即，0.5至1.5μg/cm2。
另外，按照實施例1的方法，與常規(guī)方法進行比較，很容易控制含有鈀的溶液的濃度和粘性，因此，能夠降低生產(chǎn)成本。
此外，關(guān)于常規(guī)測試樣品(制成的電感器產(chǎn)品)，在鐵氧體樹脂1和暴露的銅線圈2上沉積的鈀基本上具有相同的沉積密度，而根據(jù)實施例1測試的樣品(制成的電感器產(chǎn)品)，沉積在鐵氧體1上的鈀的密度大，沉積在導(dǎo)體線圈2的表面上的鈀的密度小，進行了粘結(jié)強度測試，以便檢查外電極4a和4b(圖8)與鑄模體3的黏著性。測試結(jié)果顯示在表1中。
然而，在表1中，粘結(jié)強度缺陷率(％)表示為百分比。表1

*號表示出現(xiàn)沉積缺陷而且，對于粘結(jié)強度測試，當(dāng)測試樣品(電感器)被放在溫度250℃的熱板上十分鐘時，如果測試樣品的外電極發(fā)生松動或部分地分離，則判斷粘結(jié)強度存在缺陷。
從表1可清楚地看出，在常規(guī)測試樣品1到5號，當(dāng)鐵氧體1上的鈀沉積密度的范圍在0.5至1.5μg/cm2時，外電極與鐵氧體樹脂的粘結(jié)強度變得很好，當(dāng)導(dǎo)體線圈上的鈀沉積密度的范圍在0.05至0.3μg/cm2時，外電極與導(dǎo)體線圈的粘結(jié)強度變得很好。然而，應(yīng)當(dāng)理解，外電極同時與鐵氧體樹脂和導(dǎo)體線圈具有良好的粘結(jié)強度是很困難的。相反，在本發(fā)明實施例的測試樣品(電感器)6到10號，應(yīng)當(dāng)理解，外電極與鐵氧體樹脂和導(dǎo)體線圈都具有良好的粘結(jié)強度。
實施例2在實施例2中，只描述把鑄模體浸漬在有機溶液中平滑鑄模體的表面。
步驟1首先，制備與實施例1中的鑄模體一樣的鑄模體，即鑄模體3的尺寸是4.5mm×3.2mm×3.2mm，其中，銅線圈2的線徑是0.2mm，線圈內(nèi)徑是1.8mm，線圈長度是3.2mm，銅線圈2鑲嵌在鐵氧體樹脂1(磁芯)中，鐵氧體樹脂由Fe2O3、NiO、CuO、ZnO構(gòu)成的鐵氧體粉末和PPS(聚苯硫)樹脂混合并揉搓而成。
步驟2然后，如圖9所示，鑄模體3浸漬在含有丙酮作為主要成分的有機溶液中一到五分鐘，鐵氧體樹脂1的表面由化學(xué)腐蝕粗糙，因此，微小的粗糙形成在鐵氧體樹脂1(鑄模體)的表面。而且，同時，銅線圈2的暴露表面沒有由有機溶液12侵蝕，沒有在線圈2的表面上形成粗糙。
步驟3下一步，鑄模體3用堿性清洗溶液和弱硫酸(5％的H2O2)清洗之后，再用大量的水進行清洗。
步驟4然后，與實施例1的步驟4到7相同，在鈀已經(jīng)被沉積在鑄模體3的表面之后，鐵氧體樹脂上的密度大，暴露銅線圈2上的密度小(見圖3)，然后，進行化學(xué)鎳鍍(見圖4)，在化學(xué)鎳鍍膜5的必要部分由抗蝕劑11覆蓋之后(見圖5)，化學(xué)鎳鍍膜5的不必要部分由酸除去(見圖6)，除去抗蝕劑11(見圖7)，然后，在剩余在鑄模體3上的化學(xué)鍍鎳膜5上以先鎳和后錫的順序進行電鍍。因此，如圖8所示，獲得了具有三層結(jié)構(gòu)的外電極4a和4b的表面安裝型電感器，由化學(xué)鍍鎳膜5、電鍍鎳膜6、電鍍鎳膜7構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)提供在鑄模體3的兩個端部。
同樣，在實施例2中，鈀離子還原到由銅制成的內(nèi)導(dǎo)體(銅線圈)的暴露表面上的金屬鈀的比率較小，因為銅的離子化趨勢大于鈀的離子化趨勢，由于鐵氧體樹脂1的粗糙度大于銅線圈2的暴露表面粗糙鍍，按照固著效應(yīng)，鈀離子沉積在鐵氧體樹脂1上的密度大于銅線圈2暴露表面上的密度。
因此，通過使用還原劑，把沉積在鑄模體表面上的鈀離子還原，就能使在鐵氧體1上沉積的鈀密度大，而在暴露銅線圈2上沉積的鈀薄，之后進行化學(xué)鍍膜，就能形成與鐵氧體樹脂1和暴露銅線圈2具有非常好的黏著性的鎳膜5(化學(xué)鍍鎳膜)。
此外，同樣在實施例2中，與常規(guī)方法進行比較，很容易控制含有鈀的溶液的濃度和粘性，因此，可能降低生產(chǎn)成本。
此外，在實施例2中，使用丙酮組有機溶液，以便通過化學(xué)侵蝕來粗糙鐵氧體樹脂1的表面，但是，也可以使用各種不同的有機溶液，這些溶液不改變銅線圈2的暴露表面只侵蝕鐵氧體樹脂的表面。
另外，在上述實施例1和實施例2中，形成化學(xué)鍍鎳膜作為金屬膜，但是，也可以形成其他金屬的化學(xué)鍍膜(例如，銅等)，這些鍍膜由鈀催化作為金屬膜。
此外，在上述的實施例1和2中，描述了具有由化學(xué)鍍鎳膜、鎳電鍍膜、以及錫電鍍膜構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)的外電極，但是外電極的具體結(jié)構(gòu)沒有特定限制，是否由單一層結(jié)構(gòu)或多層結(jié)構(gòu)構(gòu)成，以及層數(shù)，這些層中每一層的組合等，當(dāng)外電極是由多層結(jié)構(gòu)制成時，這些外電極是可以修改變化的。
另外，在上述實施例1和實施例2中，作為例子描述了表面安裝型電感器的電子元件，但是，本發(fā)明可應(yīng)用于各種電子元件的制造而沒有局限于電感器，例如，層壓電容器、層壓變阻器、合成LC部件等。
而且，本發(fā)明沒有局限于關(guān)于其它點的上述實施例，在本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)能夠?qū)嵤├M行各種修改。
權(quán)利要求
1.一種電子元件，包括由鑲嵌在鑄模體中的金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體，鑄模體是把包含樹脂或橡膠作為主要成分的絕緣材料鑄成預(yù)定形狀形成的，以至至少部分內(nèi)導(dǎo)體暴露在鑄模體的表面上；外電極，其電連接到內(nèi)導(dǎo)體并提供在包括內(nèi)導(dǎo)體被暴露的區(qū)域的鑄模體的表面上的預(yù)定區(qū)域，其中，鈀以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度沉積在鑄模體的表面上除內(nèi)導(dǎo)體暴露的區(qū)域之外的形成外電極的區(qū)域；鈀以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度沉積在暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體上，以及金屬膜，其至少構(gòu)成部分外電極并且是在沉積鈀的區(qū)域中由化學(xué)鍍膜法形成。
2.按權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于內(nèi)導(dǎo)體的兩個端部暴露在鑄模體的表面上，形成一對外電極，以便與兩個端部電連接。
3.按權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于絕緣材料包括與磁粉混合的樹脂或橡膠。
4.按權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于內(nèi)導(dǎo)體包括金屬線螺旋纏繞的線圈導(dǎo)體。
5.按權(quán)利要求1所述的電子元件，其特征在于內(nèi)導(dǎo)體至少由從Cu、Ag、Al、Ni和它們的合金中選擇的一種材料制成。
6.一種電子元件的制造方法，包括步驟把金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體鑲嵌在鑄模體內(nèi)，鑄模體是把包含樹脂或橡膠作為主要成分的絕緣材料鑄成預(yù)定形狀形成的，以至至少部分內(nèi)導(dǎo)體暴露在鑄模體的表面上；以0.5至1.5μg/cm2的沉積密度把鈀沉積在鑄模體的表面上內(nèi)導(dǎo)體沒有暴露的區(qū)域，并以0.05至0.3μg/cm2的沉積密度把鈀沉積在暴露在鑄模體表面上的內(nèi)導(dǎo)體上；沉積之后，通過進行化學(xué)鍍膜法，把金屬膜形成在鑄模體的表面上；以及在預(yù)定區(qū)域提供與內(nèi)導(dǎo)體電連接的外部電極，預(yù)定區(qū)域包括鑄模體的表面上的內(nèi)導(dǎo)體被暴露的區(qū)域。
7.按權(quán)利要求6所述的電子元件制造方法，其特征在于包括步驟通過干法噴沙，把包括內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分的鑄模體表面上的預(yù)定區(qū)域進行粗糙度處理；通過把鑄模體浸漬在蝕刻溶液中，對由干法噴沙粗糙的內(nèi)導(dǎo)體的暴露表面進行平滑處理；以及在平滑處理之后，進行化學(xué)鍍膜以在包括內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分的鑄模體的表面上形成金屬膜。
8.按權(quán)利要求6所述的電子元件制造方法，其特征在于包括步驟把鑄模體浸漬在有機溶液中只粗糙鑄模體表面；之后，通過進行化學(xué)鍍膜，在包括內(nèi)導(dǎo)體暴露部分的鑄模體的表面上的預(yù)定區(qū)域內(nèi)形成金屬膜。
全文摘要
一種電子元件,包括由鑲嵌在鑄模體中的金屬制成的內(nèi)導(dǎo)體,鑄模體是把鐵氧體樹脂鑄成預(yù)定形狀形成的,以至至少部分內(nèi)導(dǎo)體暴露在鑄模體的表面上,連接到內(nèi)導(dǎo)體的外電極提供在包括內(nèi)導(dǎo)體的暴露部分的鑄模體的表面上的預(yù)定區(qū)域,在鈀以0.5至1.5μg/cm
文檔編號H01F41/04GK1351359SQ0113436
公開日2002年5月29日 申請日期2001年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2000年11月1日
發(fā)明者浜谷淳一, 大島序人 申請人:株式會社村田制作所