專利名稱：一種修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明提供一種修復(fù)一低介電常數(shù)材料層的方法，尤指一種利用一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halo substituent)的硅烷類溶液消除該低介電常數(shù)材料層中的硅-氫氧(Si-OH)鍵，以修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在一氧氣等離子體灰化工藝中所受到的損傷的方法。
背景技術(shù)：
隨著半導(dǎo)體元件尺寸的日益縮小以及集成電路密度的不斷提高，伴隨而來的金屬導(dǎo)線間所產(chǎn)生的RC弛豫效應(yīng)(RC delay effect)已嚴(yán)重地影響到集成電路的運行效能，大大降低了集成電路的工作速度。尤其當(dāng)工藝線寬(line width)降到0.25微米，甚至0.13微米以下時，RC弛豫效應(yīng)所造成的影響將更為明顯。
由于在金屬連線間所產(chǎn)生的RC弛豫效應(yīng)所造成影響的程度與金屬導(dǎo)線的電阻值(R)及金屬導(dǎo)線間的介電層的伴生電容(C)的乘積成正比，故可利用電阻值較低的金屬做為金屬導(dǎo)線，或者是降低金屬導(dǎo)線間介電層的伴生電容，以降低RC弛豫效應(yīng)。在降低電阻方面，使用純銅作為導(dǎo)線材料的銅連結(jié)線技術(shù)(copper interconnect technology)取代傳統(tǒng)鋁銅合金(AlCu(0.5％))為主要材料的多重金屬化工藝(multilevel metallization process)，已成為勢在必行的趨勢。由于銅本身具有較低的電阻率(1.67μΩ·cm)，并且可承載較高的電流密度而不致產(chǎn)生鋁銅合金的電致遷移(electro migration)的問題，因此可以減少金屬導(dǎo)線間的伴生電容以及金屬導(dǎo)線的連結(jié)層數(shù)。但是單憑銅連結(jié)線技術(shù)，仍然無法大幅降低金屬導(dǎo)線間所產(chǎn)生的RC弛豫效應(yīng)，而且銅連結(jié)線技術(shù)也有一些工藝上的問題尚待解決，所以利用降低金屬導(dǎo)線間介電層的伴生電容來減少RC弛豫效應(yīng)的方法便日漸重要。
由于介電層的伴生電容與介電層的介電常數(shù)(dielectric constant，k)相關(guān)，因此介電層的介電常數(shù)越低，則形成于介電層中的伴生電容也就相對地越低。而傳統(tǒng)的二氧化硅介電常數(shù)為3.9，已漸漸無法滿足目前0.13微米以下的半導(dǎo)體工藝的需求，所以一些新的低介電常數(shù)材料，例如聚酰亞胺(polyimide，PI)、FLARETM、FPI、PAE-2、PAE-3或LOSP等材料，在近年來已被陸續(xù)提出。然而這些低介電常數(shù)材料雖具有介于2.6～3.2之間的低介電常數(shù)值，但是這些一般主成分為碳?xì)溲醯牡徒殡姴牧希瑹o論在與其它材料的附著力、蝕刻效果或是其本身的各項性能等方面，都與傳統(tǒng)的二氧化硅有明顯差異，而且其大部分有附著性能不佳以及熱穩(wěn)定性不足等缺點，因此目前尚無法妥善地整合于一般IC常用的工藝。
因此，一些以二氧化硅為基礎(chǔ)然后在材料內(nèi)再摻入一些碳?xì)涞仍氐牡徒殡姵?shù)介電層，如介電常數(shù)值為2.8的HSQ(hydrogen silsesquioxane)、介電常數(shù)值為2.7的MSQ(methyl silsesquioxane)、介電常數(shù)值為2.5的HOSP(hybrid-organic-siloxane-polymer)以及多孔凝膠(porous sol-gel)等材料，由于其性質(zhì)與傳統(tǒng)二氧化硅相差不遠，因此對目前現(xiàn)有的半導(dǎo)體工藝有著較高的整合能力，因而為日后所看好。
請參考圖1至圖3，圖1至圖3為現(xiàn)有去除光致抗蝕劑的方法示意圖。如圖1所示，一半導(dǎo)體晶片10表面包含一硅基底12，以及一利用化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或旋涂方式(spin-on)形成于硅基底12表面，由HSQ、MSQ、HOSP或多孔凝膠等以二氧化硅為基礎(chǔ)(SiO2-based)的材料所構(gòu)成的低介電常數(shù)材料層14。
如圖2所示，首先在低介電常數(shù)材料層14上涂覆一光致抗蝕劑層16，并在光致抗蝕劑層16中形成一構(gòu)圖開口18，以暴露出部分低介電常數(shù)材料層14。隨后經(jīng)由構(gòu)圖開口18干法蝕刻低介電常數(shù)材料層14，用以將光致抗蝕劑層16中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至低介電常數(shù)材料層14中。
之后如圖3所示，進行一去光致抗蝕劑工藝，先利用一氧氣等離子體灰化光致抗蝕劑層16，使氧等離子體與光致抗蝕劑層16中的碳、氫元素完全反應(yīng)形成氣態(tài)的二氧化碳與水蒸汽。最后將半導(dǎo)體晶片10浸泡(dipping)于一光致抗蝕劑去除液中，以完全去除光致抗蝕劑層16。
然而，在對由例如HSQ、MSQ、HOSP或多孔凝膠等這些以二氧化硅為基礎(chǔ)的低介電常數(shù)材料構(gòu)成的介電層進行構(gòu)圖轉(zhuǎn)移時，不論在蝕刻介電層或進行去光致抗蝕劑工藝中，均會對介電層造成損傷。因為去光致抗蝕劑工藝通常是同時使用干法氧等離子體灰化(ashing)工藝與濕法去光致抗蝕劑液來去除光致抗蝕劑，所以使得介電層表面的鍵容易被氧等離子體打斷，而與堿性的去光致抗蝕劑液反應(yīng)，使受損介電層表面形成容易吸附水汽的Si-OH鍵。由于水的介電常數(shù)值高達78，因此在吸附水汽后，介電層的介電常數(shù)與漏電流皆會大幅上升，甚至?xí)卸竞閷佣?poison via)的情形產(chǎn)生，嚴(yán)重影響產(chǎn)品的可靠度。

發(fā)明內(nèi)容
因此本發(fā)明的主要目的在于提供修復(fù)一低介電常數(shù)材料層的方法，以解決上述現(xiàn)有方法中低介電常數(shù)介電層的介電常數(shù)與漏電流大幅上升的問題。
在本發(fā)明的優(yōu)選實施例中，半導(dǎo)體晶片上包含有一二氧化硅基(SiO2-based)的低介電常數(shù)材料層。首先在該低介電常數(shù)材料層上進行一氫等離子體(hydrogen plasma)處理步驟，以強化該低介電常數(shù)材料層。接著在該低介電常數(shù)材料層上涂覆一光致抗蝕劑層，并在該光致抗蝕劑層中形成一開口，以暴露出部分該低介電常數(shù)材料層。隨后經(jīng)由該開口干法蝕刻該低介電常數(shù)材料層，以將該光致抗蝕劑層中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至該低介電常數(shù)材料層中。最后進行一氧氣等離子體灰化工藝，以去除該光致抗蝕劑層，再利用一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halo substituent)的硅烷類溶液接觸該低介電常數(shù)材料層，以消除因該氧氣等離子體灰化工藝而存在于該低介電常數(shù)材料層中的硅-氫氧(Si-OH)鍵，并修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在該氧氣等離子體灰化工藝中所受到的損傷，同時將該低介電常數(shù)材料層的表面改變成憎水性(hydrophobic)表面，以防止環(huán)境中水汽(moisture)的吸附。
由于本發(fā)明的制作方法利用一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halosubstituent)的硅烷類溶液接觸該低介電常數(shù)材料層，因此可以消除由于該氧氣等離子體灰化工藝而存在于該低介電常數(shù)材料層中的硅-氫氧(Si-OH)鍵，因而達到修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在該氧氣等離子體灰化工藝中所受損傷的目的。此外，本發(fā)明的制作方法可同時將該低介電常數(shù)材料層的表面改變成憎水性表面以防止環(huán)境中水汽的吸附，故得以徹底解決現(xiàn)有工藝所導(dǎo)致低介電常數(shù)介電層的介電常數(shù)與漏電流皆大幅增加的問題。


圖1至圖3為現(xiàn)有的去除光致抗蝕劑的方法示意圖；圖4至圖7為本發(fā)明修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法示意圖；圖8為TMCS與介電層的化學(xué)反應(yīng)式；圖9為多孔凝膠介電層的紅外光譜；圖10為多孔凝膠介電層的介電常數(shù)直方圖；以及圖11為多孔凝膠介電層的電場與漏電流密度的關(guān)系曲線圖。
附圖的符號分別為10半導(dǎo)體晶片12硅基底14低介電常數(shù)材料層 16光致抗蝕劑層18構(gòu)圖開口 40半導(dǎo)體晶片42硅基底44低介電常數(shù)材料層46光致抗蝕劑層 48構(gòu)圖開口具體實施方式
請參考圖4至圖7，圖4至圖7為本發(fā)明修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法示意圖。如圖4所示，一半導(dǎo)體晶片40包含一硅基底42，以及一利用化學(xué)氣相沉積(chemical vapor deposition，CVD)或旋涂方式(spin-on)形成于硅基底42表面，由HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silsesquioxane)、HOSP(hybrid-organic-siloxane-polymer)或多孔凝膠(porous sol-gel)等以二氧化硅為基(SiO2-based)的材料所構(gòu)成的低介電常數(shù)材料層44。
如圖5所示，首先利用一在200至350℃的溫度與200至350毫乇(mTorr)的壓力下，藉由一流量為200至350標(biāo)準(zhǔn)立方厘米每分鐘(standard cubiccentimeters per minute，sccm)的氫氣，配合90至150瓦(Watts)的射頻功率所形成的含氫等離子體(hydrogen plasma)，進行一含氫等離子體處理步驟(hydrogen-containing plasma treatment)，以強化低介電常數(shù)材料層44。接著在低介電常數(shù)材料層44上涂覆一光致抗蝕劑層46，再于光致抗蝕劑層46中形成一構(gòu)圖開口48，以暴露出部分低介電常數(shù)材料層44。隨后如圖6所示，經(jīng)由構(gòu)圖開口48干法蝕刻低介電常數(shù)材料層44，以將光致抗蝕劑層46中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至低介電常數(shù)材料層44中。
如圖7所示，進行一去光致抗蝕劑工藝，先利用一氧氣等離子體灰化光致抗蝕劑層46，使氧等離子體與光致抗蝕劑層46中的碳、氫元素完全反應(yīng)形成氣態(tài)的二氧化碳與水蒸汽，再將半導(dǎo)體晶片40浸泡于一濕法去光致抗蝕劑液(wet stripper)中，以去除殘留在低介電常數(shù)材料層44表面的光致抗蝕劑層46。此時由于氧等離子體與去光致抗蝕劑液會損傷低介電常數(shù)材料層44表面，使低介電常數(shù)材料層44生成Si-OH鍵而吸附水汽，造成低介電常數(shù)材料層44的介電常數(shù)上升與漏電流問題。
之后對低介電常數(shù)材料層44進行表面處理(surface treatment)，也即將半導(dǎo)體晶片40浸泡在一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halo substituent)的硅烷類溶液中，或是將半導(dǎo)體晶片40置于一充滿該包含烷基和鹵素取代基蒸汽的環(huán)境中。通常該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液為一體積百分比濃度小于8％的三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，TMCS)/己烷溶液中，三甲基氯硅烷會與低介電常數(shù)材料層44的表面反應(yīng)，而消除由于該氧氣等離子體灰化工藝而存在于低介電常數(shù)材料層44中的Si-OH鍵。上述化學(xué)反應(yīng)式如圖8所示，Si-OH可在反應(yīng)后形成Si-OSi(CH3)3，且經(jīng)過此化學(xué)反應(yīng)步驟后，TMCS不但可消除低介電常數(shù)材料層44中的Si-OH鍵以修復(fù)低介電常數(shù)材料層44在去光致抗蝕劑工藝中所遭受到的損傷，更可以使低介電常數(shù)材料層44原本的親水性表面改變?yōu)樵魉?hydrophobic)表面，以防止后續(xù)工藝環(huán)境中水汽的吸附。最后進行一400℃，持續(xù)30分鐘的熱烘烤(hotbaking)工藝，以去除殘留于低介電常數(shù)材料層44表面的TMCS。
在本發(fā)明的另一實施例中，TMCS可用其它單鹵素取代基(mono-halosubstituent)硅烷類代替，如三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，Si(CH3)3Cl)、二甲基氯硅烷(dimethylchlorosilane，Si(CH3)2HCl)、一乙基一氯基硅烷(ethylchlorosilane，Si(C2H5)H2Cl)、一丙基一氯基硅烷(propylchlorosilane，Si(C3H7)H2Cl)、一乙基一溴基硅烷(ethylbromosilane，Si(C2H5)H2Br)、一丙基一溴基硅烷(propylbromosilane，Si(C3H7)H2Br)等物質(zhì)，也可由上述物質(zhì)組合而構(gòu)成。
參考圖9，圖9為多孔凝膠介電層的紅外光譜(infrared spectroscopy)。如圖9所示，曲線A、B分別代表多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝前、后的紅外線光譜，曲線C則為多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝與TMCS處理后，所得的紅外光譜。其中，吸收峰1代表Si-OH鍵的吸收峰，其吸收位置在3000至3500cm-1的波長范圍內(nèi)。如圖9所示，多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝后，明顯生成Si-OH鍵的吸收峰1，但經(jīng)過TMCS處理后的多孔凝膠介電層，其Si-OH的吸收峰1的強度會隨之降低。
參考圖10，圖10為多孔凝膠介電層的介電常數(shù)直方圖。如圖10所示，點狀方塊A與斜線方塊B分別代表多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝前、后的介電常數(shù)，格狀方塊C則代表多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝與TMCS處理后的介電常數(shù)。如圖10所示，多孔凝膠介電層在經(jīng)過氧等離子體去光致抗蝕劑工藝后，介電常數(shù)由原本的1.9增加到3.8；然而在經(jīng)過TMCS處理后，多孔凝膠介電層介電常數(shù)則回落到2.7，顯示TMCS可修復(fù)多孔凝膠介電層的受損結(jié)構(gòu)，而改善介電常數(shù)增加的問題。
參照圖11，圖11為多孔凝膠介電層的電場與漏電流密度關(guān)系的曲線圖。如圖11所示，圓形符號○、正方形符號□分別代表多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝前、后的電場與漏電流密度的關(guān)系曲線，三角符號△則代表多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝與TMCS處理后的電場與漏電流密度的關(guān)系曲線。如圖11所示，多孔凝膠介電層在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝前的漏電流密度很低，約為10-10到10-9A/cm2，但在進行氧等離子體去光致抗蝕劑工藝后，則其漏電流密度大幅上升3到4個數(shù)量級(order)。然而以TMCS處理后，則多孔凝膠介電層的漏電流密度可回落約1到2個數(shù)量級，顯示TMCS可修復(fù)多孔凝膠介電層的受損結(jié)構(gòu)，從而改善漏電流增加的問題。
與現(xiàn)有技術(shù)相比較，本發(fā)明將半導(dǎo)體晶片40浸泡在一TMCS/己烷溶液中，使TMCS與低介電常數(shù)材料層44的表面反應(yīng)，從而消除由于該氧氣等離子體灰化工藝而存在于低介電常數(shù)材料層44中的Si-OH鍵，達到修復(fù)低介電常數(shù)材料層44在該氧氣等離子體灰化工藝中所受損傷，使其回復(fù)原來介電特性的目的。此外，TMCS/己烷溶液更可以使低介電常數(shù)材料層44原來的親水性表面改變?yōu)樵魉?hydrophobic)表面，以防止后續(xù)工藝環(huán)境中水汽的吸附，進而解決現(xiàn)有低介電常數(shù)介電層的介電常數(shù)與漏電流均大幅增加的問題，避免介電常數(shù)材料層44發(fā)生介電特性劣化的現(xiàn)象。
以上所述僅為本發(fā)明的優(yōu)選實施例，凡是根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求所做的等效變化與修飾，均應(yīng)屬于本發(fā)明專利的涵蓋范圍。
權(quán)利要求
1.一種修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體晶片，其上包含有一低介電常數(shù)材料層；在該低介電常數(shù)材料層上涂覆一光致抗蝕劑層；在該光致抗蝕劑層中形成一開口，以暴露出部分該低介電常數(shù)材料層；經(jīng)由該構(gòu)圖開口干法蝕刻該低介電常數(shù)材料層，以將該光致抗蝕劑層中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至該低介電常數(shù)材料層中；利用一氧氣等離子體灰化工藝，以去除該光致抗蝕劑層；以及利用一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halo substituent)的硅烷類溶液接觸該低介電常數(shù)材料層；其中該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液可消除由于該氧氣等離子體灰化工藝而存在于該低介電常數(shù)材料層中的硅-氫氧(Si-OH)鍵，并修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在該氧氣等離子體灰化工藝中所受到的損傷，同時又可將該低介電常數(shù)材料層的表面改變成憎水性(hydrophobic)表面，以防止環(huán)境中水汽(moisture)的吸附。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該低介電常數(shù)材料層為一以二氧化硅為基礎(chǔ)(SiO2-based)的低介電常數(shù)材料層。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該低介電常數(shù)材料層由下列的一種材料所構(gòu)成HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silsesquioxane)、HOSP(hybrid-organic-siloxane-polymer)、或多孔sol-gel。
4.如權(quán)利要求1所述的方法在該低介電常數(shù)材料層上涂覆光致抗蝕劑層之前另包含有一氫等離子體(hydrogen plasma)處理步驟，用來強化該低介電常數(shù)材料層。
5.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液為己烷(hexane)溶液。
6.如權(quán)利要求5所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類為單鹵素取代基(mono-halo substituent)的硅烷類。
7.如權(quán)利要求6所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類由下列的一成分或組合所構(gòu)成三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，Si(CH3)3Cl)、二甲基氯硅烷(dimethylchlorosilane，Si(CH3)2HCl)、一乙基一氯基硅烷(ethylchlorosilane，Si(C2H5)H2Cl)、一丙基一氯基硅烷(propylchlorosilane，Si(C3H7)H2Cl)、一乙基一溴基硅烷(ethylbromosilane，Si(C2H5)H2Br)、一丙基一溴基硅烷(propylbromosilane，Si(C3H7)H2Br)。
8.如權(quán)利要求1所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液為體積百分比濃度小于8％的三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，TMCS)己烷溶液。
9.一種修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法，該方法包括下列步驟提供一半導(dǎo)體晶片，其上包含有一低介電常數(shù)材料層；在該低介電常數(shù)材料層上涂覆一光致抗蝕劑層；在該光致抗蝕劑層中形成一開口，以暴露出部分該低介電常數(shù)材料層；經(jīng)由該構(gòu)圖開口干法蝕刻該低介電常數(shù)材料層，以將該光致抗蝕劑層中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至該低介電常數(shù)材料層中；利用一光致抗蝕劑灰化工藝，以去除該光致抗蝕劑層；以及進行至少一次表面修復(fù)工藝，利用一包含烷基(alkyl group)和鹵素取代基(halo substituent)的硅烷類物質(zhì)接觸該低介電常數(shù)材料層；其中該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類物質(zhì)可消除由于該光致抗蝕劑灰化工藝而存在于該低介電常數(shù)材料層中的硅-氫氧(Si-OH)鍵，并修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在該光致抗蝕劑灰化工藝中所受到的損傷，同時又可將該低介電常數(shù)材料層的表面改變成憎水性(hydrophobic)表面。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該低介電常數(shù)材料層由下列的一種材料所構(gòu)成HSQ(hydrogen silsesquioxane)、MSQ(methyl silsesquioxane)、HOSP(hybrid-organic-siloxane-polymer)、或多孔sol-gel。
11.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該光致抗蝕劑灰化工藝?yán)靡谎鯕獾入x子體進行。
12.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該光致抗蝕劑灰化工藝?yán)靡缓粞醯牡入x子體進行。
13.如權(quán)利要求9所述的方法在該低介電常數(shù)材料層上涂覆光致抗蝕劑層之前另包含有一氫等離子體(hydrogen plasma)處理步驟，用來強化該低介電常數(shù)材料層。
14.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類物質(zhì)溶于己烷(hexane)溶劑中。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液為體積百分比濃度小于8％的三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，TMCS)己烷溶液。
16.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類物質(zhì)為一純蒸汽態(tài)包含烷基和鹵素取代基的硅烷類。
17.如權(quán)利要求9所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類物質(zhì)系為一單鹵素取代基的硅烷類。
18.如權(quán)利要求17所述的方法，其中，該包含烷基和鹵素取代基的硅烷類系由下列一種成分或組合所構(gòu)成三甲基氯硅烷(trimethylchlorosilane，Si(CH3)3Cl)、二甲基氯硅烷(dimethylchlorosilane，Si(CH3)2HCl)、一乙基一氯基硅烷(ethylchlorosilane，Si(C2H5)H2Cl)、一丙基一氯基硅烷(propylchlorosilane，Si(C3H7)H2Cl)、一乙基一溴基硅烷(ethylbromosilane，Si(C2H5)H2Br)、一丙基一溴基硅烷(propylbromosilane，Si(C3H7)H2Br)。
全文摘要
本發(fā)明提供一種修復(fù)低介電常數(shù)材料層的方法。首先在一半導(dǎo)體晶片上的一低介電常數(shù)材料層上涂覆一光致抗蝕劑層，并在該光致抗蝕劑層中形成一開口，以暴露出部分該低介電常數(shù)材料層。接著經(jīng)由該開口干法蝕刻該低介電常數(shù)材料層，以將該光致抗蝕劑層中的構(gòu)圖轉(zhuǎn)移至該低介電常數(shù)材料層中。最后利用一氧氣等離子體灰化工藝去除該光致抗蝕劑層，再利用一包含烷基和鹵素取代基的硅烷類溶液消除該低介電常數(shù)材料層中的硅－氫氧(Si－OH)鍵，并修復(fù)該低介電常數(shù)材料層在該氧氣等離子體灰化工藝中所受到的損傷，同時使該低介電常數(shù)材料層具有一憎水性表面，以防止水汽的吸附。
文檔編號H01L21/3105GK1405859SQ0113318
公開日2003年3月26日 申請日期2001年9月20日 優(yōu)先權(quán)日2001年9月20日
發(fā)明者張鼎張, 劉柏村, 莫亦先 申請人:聯(lián)華電子股份有限公司