專利名稱：半導(dǎo)體器件,用于在半導(dǎo)體上制造電路的金屬疊層板和制造電路的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及形成有導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件，制造導(dǎo)體線路的方法，形成有具有凸起(bump)的導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件，和制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法。
背景技術(shù)：
近來，涉及IC芯片小型化、提高性能和增加封裝密度與管腳數(shù)量的技術(shù)有了顯著進步。另一方面，由于芯片體積的減小和管腳數(shù)量的增加，芯片的電極間距變得越來越窄。
如果電極陣列的電極間距減小，則在插入件或印刷布線板上安裝芯片時需要有較高的精度。這造成不受歡迎的設(shè)備成本增加。因此，需要在芯片上重新排列芯片周圍具有較小間距的電極以增加電極間距，以便于后續(xù)的安裝。
為了重新排列電極，需要在形成電極的芯片表面上構(gòu)成導(dǎo)體線路。傳統(tǒng)方法是通過汽相沉積過程形成線路，這導(dǎo)致成本增加。另一方面，有必要在重新排列的電極上形成凸起。形成凸起需要更高的成本。
本發(fā)明的目的是解決所述現(xiàn)有技術(shù)中的問題，其目標(biāo)是提供允許以經(jīng)濟和高度精確的方式在半導(dǎo)體上形成線路并且允許以高度精確和廉價的方式在電極上形成凸起的裝置。

發(fā)明內(nèi)容
通過使用粘合金屬箔和陶瓷的技術(shù)，本發(fā)明人在形成有電路的半導(dǎo)體芯片或圓片的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的金屬箔，此前已提出了所述粘合技術(shù)的專利申請(參見國際待審專利公開說明書WO99/58470)。接著蝕刻金屬箔以形成線路。這樣，本發(fā)明人得出在半導(dǎo)體上形成線路的解決方案，從而實現(xiàn)了上述目標(biāo)之一。
在形成凸起方面，本發(fā)明人提出，為了允許蝕刻過程單獨形成具有凸起的線路，可以在半導(dǎo)體芯片等的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的多層金屬箔。
即，如權(quán)利要求1所述的發(fā)明提供了包括半導(dǎo)體、用于形成線路的金屬箔和半導(dǎo)體上的導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件(此后稱作本發(fā)明的第一實施例)。
在這種情況下，用于布線的金屬箔最好包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金。
在這種情況下，用于布線的金屬箔最好是厚度為1至50微米的金屬箔。
如本發(fā)明權(quán)利要求4所述，通過一種在半導(dǎo)體上制造導(dǎo)體線路的方法可以制造這種基于本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件，該方法包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于布線的金屬箔；在金屬箔上制作抗蝕布線圖案；蝕刻金屬箔；清除抗蝕劑以得到線路。
在這種情況下，用于布線的金屬箔最好包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金。
在這種情況下，用于布線的金屬箔最好是厚度為1至50微米的金屬箔。
在這種情況下，半導(dǎo)體最好具有覆蓋在其一個表面上的金屬薄膜。金屬薄膜最好由鎳組成。
權(quán)利要求9所述的發(fā)明提供了一種包括半導(dǎo)體、用于布線的多層金屬箔、半導(dǎo)體上的凸起和導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件(此后稱作本發(fā)明的第二實施例)。
在這種情況下，用于布線的多層金屬箔最好是包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金的金屬疊層。
此外，用于布線的多層金屬箔最好是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔的金屬疊層。
最好通過電鍍層疊出鎳阻蝕層。在這種情況下，用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，電鍍鎳阻蝕層厚度為0.5至3微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
在這種情況下，最好通過包覆箔層技術(shù)構(gòu)成鎳阻蝕層。用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，鎳包層阻蝕層厚度為1至10微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
此外，在這種情況下用于布線的多層金屬箔最好是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于布線的鋁或銀箔的金屬疊層。在這種情況下，用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，用于形成線路的鋁或銀箔厚度為1至100微米。
通過在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法可以制造這種基于本發(fā)明第二實施例的半導(dǎo)體器件，該方法包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面上覆蓋用于布線的多層金屬箔；對多層金屬箔進行光刻以制作用于形成凸起的抗蝕布線圖案；通過有選擇地蝕刻制造凸起；清除阻蝕層；制作用于布線的抗蝕布線圖案；通過蝕刻制作線路；清除抗蝕劑以得到線路。
在這種情況下，用于布線的多層金屬箔最好是包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金的金屬疊層。
在這種情況下，用于布線的多層金屬箔最好是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔的金屬疊層。
在這種情況下，最好通過電鍍層疊出鎳阻蝕層。用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，電鍍鎳阻蝕層厚度為0.5至3微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
在這種情況下，最好通過包覆箔層技術(shù)構(gòu)成鎳阻蝕層。用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，鎳包層阻蝕層厚度為1至10微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
此外，在這種情況下用于布線的多層金屬箔最好是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于布線的鋁或銀箔的金屬疊層。用于布線的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔最好具有5至100微米的厚度，用于形成線路的鋁或銀箔厚度為1至100微米。
在這種情況下，半導(dǎo)體最好具有覆蓋在其一個表面上的金屬薄膜。金屬薄膜最好由鎳組成。


圖1是說明基于本發(fā)明第一實施例的電路制造過程的一個步驟(在半導(dǎo)體圓片上覆蓋用于布線的銅箔)的截面圖；圖2是說明基于本發(fā)明第一實施例的電路制造過程的一個步驟(制作抗蝕布線圖案)的截面圖；圖3是說明基于本發(fā)明第一實施例的電路制造過程的一個步驟(有選擇地蝕刻銅箔以制造線路)的截面圖；圖4是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(在半導(dǎo)體圓片上覆蓋用于布線的金屬疊層)的截面圖；圖5是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(制作用于形成凸起的抗蝕布線圖案)的截面圖；圖6是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(有選擇地蝕刻銅箔)的截面圖；圖7是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(有選擇地蝕刻鎳阻蝕層并且制造凸起)的截面圖；圖8是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(制作用于布線的抗蝕布線圖案)的截面圖；圖9是說明基于本發(fā)明第二實施例的電路制造過程的一個步驟(有選擇地蝕刻銅箔并且制造線路)的截面圖。
具體實施例方式
首先描述本發(fā)明的第一實施例。
本發(fā)明的第一實施例涉及包括半導(dǎo)體、用于形成線路的金屬箔和半導(dǎo)體上的導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件。
用于布線的金屬箔的材料沒有特別限制，可以包含本領(lǐng)域通常使用的材料。然而優(yōu)選的金屬材料包含銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金。
用于布線的金屬箔的厚度可以為1至50微米，最好是5至20微米。
可用半導(dǎo)體的例子包含本領(lǐng)域通常使用的芯片、圓片等等?？梢园凑招枰男问叫纬蓪?dǎo)體線路。
通過一種在半導(dǎo)體上制造導(dǎo)體線路的方法可以制造這種基于本發(fā)明第一實施例的半導(dǎo)體器件，該方法包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于布線的金屬箔；在金屬箔上制作抗蝕布線圖案；蝕刻金屬箔；清除抗蝕劑以完成布線。
可用基底的例子包含本領(lǐng)域通常使用的基底，例如半導(dǎo)體圓片、芯片等等。用于布線的金屬箔最好使用厚度為1至50微米的銅箔(圖1)。
在某些情況下，可以對半導(dǎo)體圓片進行表面清潔，并且接著進行濺射，汽相淀積等處理，從而在其表面覆蓋金屬薄膜。這利于在半導(dǎo)體上覆蓋金屬箔。對于制造薄膜的金屬，在半導(dǎo)體芯片電極由鋁構(gòu)成的情況下可以把鉻、鉬、鎢等用作防護金屬(barrier metal)。然而在后續(xù)步驟中難以通過蝕刻清除這種金屬。因此，為了易于通過蝕刻清除，最好使用鎳。在芯片電極由銅構(gòu)成的情況下，最好使用銅制成的金屬薄膜。
可以使用國際待審專利公開說明書WO99/58470中提出的技術(shù)將用于布線的金屬箔層疊到半導(dǎo)體上(圖1)，本發(fā)明人此前對該技術(shù)提出了專利申請。
在層疊之后，抗蝕涂層被涂在用于布線的金屬箔上，接著進行曝光和顯影處理以形成抗蝕布線圖案。可以根據(jù)已知方法執(zhí)行所述工藝序列(圖2)。
接著，蝕刻用于布線的金屬箔。在金屬箔由銅構(gòu)成的情況下，可在市場購買的堿性銅蝕刻溶液可被用來蝕刻銅。
最后，清除抗蝕劑以完成布線(圖3)。這里應(yīng)當(dāng)注意，在形成金屬薄膜的情況下，通過蝕刻清除薄膜。
下面描述本發(fā)明的第二實施例。
本發(fā)明的第二實施例提供了包括半導(dǎo)體、用于布線的多層金屬箔、半導(dǎo)體上的凸起和導(dǎo)體線路的半導(dǎo)體器件。
這里，用于布線的多層金屬箔最好是包括銅、焊錫、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金的金屬疊層。
首先，用于布線的多層金屬箔最好包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔。
可以通過電鍍層疊出鎳阻蝕層，也可以通過包覆箔層技術(shù)形成鎳阻蝕層。
在通過電鍍層疊出鎳阻蝕層的情況下，用于布線的多層金屬箔的各個層可以具有以下厚度。用于形成凸起的銅或焊錫箔的厚度范圍為5至100微米，并且最好為10至50微米；電鍍鎳阻蝕層厚度范圍為0.5至3微米，并且最好為1至2微米；布線銅箔厚度范圍為1至100微米，并且最好為5至20微米。
另一方面，在通過包覆箔層技術(shù)形成鎳阻蝕層的情況下，用于布線的多層金屬箔的各個層可以具有以下厚度。用于形成凸起的銅或焊錫箔的厚度范圍為5至100微米，并且最好為10至50微米；鎳包層阻蝕層厚度范圍為1至10微米，并且最好為1.5至5微米；布線銅箔厚度范圍為1至100微米，并且最好為5至20微米。
除上述多層金屬箔之外，用于布線的多層金屬箔還可以使用包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于布線的鋁或銀箔的金屬疊層。
在這種情況下，用于形成凸起的銅或焊錫箔的厚度范圍為5至100微米，并且最好為10至50微米，用于布線的鋁或銀箔厚度范圍為1至100微米，并且最好為5至20微米。
通過在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法可以制造這種半導(dǎo)體器件，該方法包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的多層金屬箔；在多層金屬箔上制作用于形成凸起的抗蝕布線圖案；通過選擇性蝕刻制造凸起；清除阻蝕層；制作用于形成線路的抗蝕布線圖案；通過蝕刻制作線路；清除抗蝕劑以得到線路。
具體地，用于形成線路的金屬箔被覆蓋在半導(dǎo)體圓片等上面(圖4)。
如上所述，用于形成線路的多層金屬箔可以使用包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔的金屬疊層；或包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于形成線路的鋁或銀箔的金屬疊層。
可以按照與上述第一實施例相同的方式層疊多層金屬箔。與第一實施例類似，可以在層疊金屬箔之前提供金屬薄膜。
抗蝕涂層被涂在用于形成線路的多層金屬箔上，接著進行曝光和顯影處理以構(gòu)成用于形成凸起的抗蝕布線圖案(圖5)?？梢愿鶕?jù)已知方法執(zhí)行這些處理。
接著，有選擇地蝕刻用于形成凸起的層(圖6)，從而形成凸起。在用于形成凸起的層是銅箔的情況下，可以使用可在市場購買的銅蝕刻溶液，例如硫酸和過氧化氫。
接著，清除阻蝕層。在阻蝕層由鎳構(gòu)成的情況下，可以使用可在市場購買的鎳清除劑(例如米爾泰克斯公司(Meltex Inc.)的N-950)(圖7)。
接著，按照期望的樣式構(gòu)成用于形成線路的抗蝕布線圖案(圖8)。
最后，通過用市場可購買的堿性銅蝕刻溶液進行蝕刻可以形成線路。之后清除抗蝕劑(圖9)。
例子下面參照例子更加詳細地描述本發(fā)明。
例子1(在半導(dǎo)體上制造線路)1.材料半導(dǎo)體圓片1被用作基底，其中銅箔(厚度為15微米)2被用作用于形成線路的金屬箔(圖1)。應(yīng)當(dāng)注意，一個鋁電極3被嵌入半導(dǎo)體圓片1。
2.在半導(dǎo)體圓片上制造薄膜在表面清潔之后，對半導(dǎo)體圓片進行濺射，汽相淀積等處理以便在其表面上構(gòu)成鎳(銅)薄膜(未示出)。
3.層疊使用國際待審專利公開說明書WO99/58470中提出的技術(shù)將用于形成線路的銅箔2層疊到半導(dǎo)體圓片1上，本發(fā)明人此前對該技術(shù)提出了專利申請(圖1)。
4.制造抗蝕布線圖案抗蝕涂層4被涂在銅箔上，接著進行曝光和顯影處理以形成抗蝕布線圖案5(圖2)。
5.蝕刻使用市場可購買的堿性銅蝕刻溶液蝕刻銅箔。(圖3)。
6.清除抗蝕劑4以形成線路6(圖3)。最后，通過蝕刻清除鎳薄膜。
例子2(在半導(dǎo)體上制造凸起)1.材料基底使用的半導(dǎo)體圓片1與例子中的相同。另一方面，用于形成線路的金屬箔使用包含用于形成凸起的銅或焊錫箔(厚度為35微米)8、電鍍鎳阻蝕層(厚度為1微米)和布線銅箔(15微米)的金屬疊層(圖4)。
2.層疊按照與例子1相同的方式把金屬疊層(由附圖標(biāo)記8，7和2表示的多層金屬箔)覆蓋在半導(dǎo)體圓片1上(圖4)。
3.制造用于形成凸起的抗蝕布線圖案抗蝕涂層4被涂在金屬疊層上，接著進行曝光和顯影處理以構(gòu)成用于形成凸起的抗蝕布線圖案9(圖5)。
4.蝕刻使用包括硫酸和過氧化氫的市場可購買的銅蝕刻溶液有選擇地蝕刻銅箔(圖6)。
5.清除鎳阻蝕層使用可在市場購買的鎳清除劑(例如米爾泰克斯公司(MeltexInc.)的N-950)清除鎳阻蝕層，從而形成凸起10(圖7)。
6.制造用于形成線路的抗蝕布線圖案抗蝕涂層4被涂在金屬箔上，接著進行曝光和顯影處理以構(gòu)成用于形成線路的抗蝕布線圖案5(圖8)。
7.使用市場可購買的堿性銅蝕刻溶液蝕刻銅，從而形成線路。接著清除抗蝕劑4(圖9)。
工業(yè)實用性本發(fā)明的目標(biāo)是提供允許以高度精確和經(jīng)濟的方式在半導(dǎo)體上形成線路并且允許以高度精確和廉價的方式在電極上形成凸起的線路制造方法。
因此，本發(fā)明的半導(dǎo)體器件和線路制造方法可用于半導(dǎo)體制造領(lǐng)域。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體、用于形成線路的金屬箔和半導(dǎo)體上的導(dǎo)體線路。
2.如權(quán)利要求1所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的金屬箔包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金。
3.如權(quán)利要求1或2所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的金屬箔厚度為1至50微米。
4.在半導(dǎo)體上制造導(dǎo)體線路的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的金屬箔；光刻金屬箔以制作抗蝕布線圖案；蝕刻金屬箔；清除抗蝕劑以得到線路。
5.如權(quán)利要求4所述的制造導(dǎo)體線路的方法，其中所述用于形成線路的金屬箔包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金。
6.如權(quán)利要求4或5所述的制造導(dǎo)體線路的方法，其中所述用于形成線路的金屬箔厚度為1至50微米。
7.如權(quán)利要求4至6中任何一個所述的制造導(dǎo)體線路的方法，其中半導(dǎo)體具有覆蓋在其一個表面上的金屬薄膜。
8.如權(quán)利要求7所述的制造導(dǎo)體線路的方法，其中所述金屬薄膜由鎳構(gòu)成。
9.一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體、用于形成線路的多層金屬箔、半導(dǎo)體上的凸起以及導(dǎo)體線路。
10.如權(quán)利要求9所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔是包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金的金屬疊層。
11.如權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔的金屬疊層。
12.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中通過電鍍層疊出鎳阻蝕層。
13.如權(quán)利要求12所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，電鍍鎳阻蝕層厚度為0.5至3微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
14.如權(quán)利要求11所述的半導(dǎo)體器件，其中通過包覆箔層構(gòu)成鎳阻蝕層。
15.如權(quán)利要求14所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，鎳包層阻蝕層厚度為1至10微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
16.如權(quán)利要求9或10所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于形成線路的鋁或銀箔的金屬疊層。
17.如權(quán)利要求16所述的半導(dǎo)體器件，其中所述用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，用于形成布線的鋁或銀箔厚度為1至100微米。
18.在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的多層金屬箔；對多層金屬箔進行光刻以制作用于形成凸起的抗蝕布線圖案；通過選擇性的蝕刻制造凸起；清除阻蝕層；制作用于形成線路的抗蝕布線圖案；通過蝕刻制作線路；清除抗蝕劑以得到線路。
19.如權(quán)利要求18所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔是包括銅、鋁、鎳或兩種或更多種所述金屬的合金的金屬疊層。
20.如權(quán)利要求18或19所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔、鎳阻蝕層和布線銅箔的金屬疊層。
21.如權(quán)利要求19所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中通過電鍍層疊出鎳阻蝕層。
22.如權(quán)利要求21所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，電鍍鎳阻蝕層厚度為0.5至3微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
23.如權(quán)利要求19所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中通過包覆箔層構(gòu)成鎳阻蝕層。
24.如權(quán)利要求23所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，鎳包層阻蝕層厚度為1至10微米，布線銅箔厚度為1至100微米。
25.如權(quán)利要求18或19所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔是包括用于形成凸起的銅或焊錫箔，和用于形成線路的鋁或銀箔的金屬疊層。
26.如權(quán)利要求25所述在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，其中用于形成線路的多層金屬箔的用于形成凸起的銅或焊錫箔具有5至100微米的厚度，用于形成線路的鋁或銀箔厚度為1至100微米。
27.如權(quán)利要求18至26中任何一個所述制造導(dǎo)體線路的方法，其中半導(dǎo)體具有覆蓋在其一個表面上的金屬薄膜。
28.如權(quán)利要求27所述制造導(dǎo)體線路的方法，其中金屬薄膜由鎳構(gòu)成。
全文摘要
以高度精確和經(jīng)濟的方式在半導(dǎo)體上制造線路并且以高度精確和經(jīng)濟的方式在電極上形成凸起的手段。(1)一種半導(dǎo)體器件，包括半導(dǎo)體、用于形成線路的金屬箔和半導(dǎo)體上的導(dǎo)體線路，和在半導(dǎo)體上制造導(dǎo)體線路的方法，包括以下步驟在半導(dǎo)體的形成電極的表面覆蓋用于形成線路的金屬箔，光刻金屬箔以制作抗蝕布線圖案，蝕刻金屬箔，清除抗蝕劑以得到線路。(2)一種半導(dǎo)體器件，包括用于制造線路的多層金屬箔，這種金屬箔取代了(1)中描述的半導(dǎo)體器件的用于形成線路的金屬箔；在半導(dǎo)體上制造具有凸起的導(dǎo)體線路的方法，包括(1)中描述的方法的步驟，并且還包括以下步驟對用于形成線路的多層金屬箔進行光刻以構(gòu)成用于形成凸起的抗蝕布線圖案，通過有選擇的蝕刻形成凸起；清除阻蝕層。
文檔編號H01L21/768GK1433571SQ00818330
公開日2003年7月30日 申請日期2000年12月26日 優(yōu)先權(quán)日2000年1月12日
發(fā)明者西條謹二, 大澤真司, 岡本浩明, 吉田一雄 申請人:東洋鋼鈑株式會社