算機系統(tǒng)400)實施時，使得此類數(shù)據(jù)處理設備如本文所述的進行操作。
[0048]基于包含在本公開中的教導，如何使用除了在圖4中所示的以外的數(shù)據(jù)處理設備、計算機系統(tǒng)和/或計算機的體系結(jié)構(gòu)制造和使用本發(fā)明對于相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員將是明顯的。特別地，實施例可以用除了本文描述的那些以外的軟件、硬件和/或操作系統(tǒng)實現(xiàn)來操作。
[0049]因此，本公開使能在存儲器中的存儲器單元篩選用于指定穩(wěn)定和可靠的存儲器單元作為參考單元，并且?guī)椭苊馀c參考單元相關(guān)聯(lián)的電平過編程和/或過擦除。例如，本公開還幫助篩選出具有不期望的隨機電報噪聲(RTN)的單元。以這種方式，所提出的篩選改進了存儲器的操作性和可靠性。
[0050]結(jié)論
[0051]應該理解，詳細描述部分，而不是概述和摘要部分(如果有的話)，旨在用于解釋權(quán)利要求。概述和摘要部分(如果有的話)可以闡述如由發(fā)明人所設想的一個或多個但不是所有的本發(fā)明的示例性實施例，并因此，不旨在以任何方式限制本發(fā)明或所附權(quán)利要求。
[0052]雖然在本文中已參考用于示例性領(lǐng)域和應用的示例性實施例描述了本發(fā)明，但是應當理解，本發(fā)明不限于此。其它實施例及其修改是可能的，并且落入本發(fā)明的范圍和精神之內(nèi)。例如，而且不限制本段的一般性，實施例不限于附圖中所示出的和/或本文中所描述的軟件、硬件、固件和/或?qū)嶓w。另外，除本文中所描述的實例以外，實施例(無論是否在本文中明確描述)對領(lǐng)域和應用具有顯著實用性。
[0053]本文中已借助于示出特定功能及其關(guān)系的實現(xiàn)的功能構(gòu)建塊描述了實施例。這些功能構(gòu)建塊的界限為了方便描述在本文中已被任意定義。可以定義可選的界限，只要特定功能及關(guān)系(或其等同物)被適當?shù)貓?zhí)行。而且，可選實施例可以使用不同于本文中所描述的那些順序執(zhí)行功能塊、步驟、操作、方法等。
[0054]本文對“一個實施例”、“實施例”、“示例實施例”或類似的短語的引用指所描述的實施例可以包括特定特征、結(jié)構(gòu)或特性，但每個實施例可不必包括所述特定特征、結(jié)構(gòu)或特性。此外，此類短語不一定是指相同的實施例。另外，當特定特征、結(jié)構(gòu)或特性結(jié)合實施例被描述時，無論是否在本文中明確地提及或描述，將此類特征、結(jié)構(gòu)或特性合并到其它實施例中將落入相關(guān)領(lǐng)域技術(shù)人員的知識范圍內(nèi)，。
[0055]本發(fā)明的廣度和范圍不應由上述示例性實施例中的任一個來限制，而應僅根據(jù)以下權(quán)利要求及其等同物來限定。
【主權(quán)項】
1.一種方法，包括: 從存儲器中的多個陣列當中選擇陣列作為參考陣列； 評估在所述參考陣列內(nèi)的存儲器單元以選擇與所述存儲器的第一操作相關(guān)聯(lián)的第一參考單元；以及 重復所述評估以從所述參考陣列內(nèi)選擇第二參考單元，所述第二參考單元與所述存儲器的第二操作相關(guān)聯(lián)。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述評估包括: 基于所述存儲器的操作參數(shù)確定目標閾值電壓范圍； 測量與考慮中的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的閾值電壓；以及 確定所測量的閾值電壓是否在所述預先確定的目標閾值電壓范圍內(nèi)。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中，所述評估包括: 預先確定目標隨機電報噪聲(RTN)值； 測量與考慮中的存儲器單兀相關(guān)聯(lián)的RTN值；以及 確定所測量的RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值。4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述測量包括: 獲得所述RTN值的多個測量值；以及 通過取兩個被連續(xù)測量的RTN值之間的差來計算增量RTN值，以及 其中，所述確定包括: 確定所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值。5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中，所述測量包括: 獲得所述RTN值的多個測量值； 通過取最大RTN值與最小RTN值之間的差來計算增量RTN值，以及 其中，所述確定包括: 確定所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值。6.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，其中，所述評估還包括: 校準所測量的閾值電壓以更接近期望的閾值電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的方法，其中，所述評估還包括: 測量與考慮中的所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的RTN值；以及 確定所測量的RTN值是否小于預先確定的目標RTN值。8.一種系統(tǒng)，包括: 存儲器；以及 處理器，其被配置成: 使能從所述存儲器中的多個陣列當中對作為參考陣列的陣列的選擇； 使能對在所述參考陣列內(nèi)的存儲器單元的評估以選擇與所述存儲器的第一操作相關(guān)聯(lián)的第一參考單元；以及 使能對所述評估的重復以從所述參考陣列內(nèi)選擇第二參考單元，所述第二參考單元與所述存儲器的第二操作相關(guān)聯(lián)。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，為了使能所述評估，所述處理器被配置成: 使能對與考慮中的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的閾值電壓的測量；以及 使能對于所測量的閾值電壓是否在預先確定的目標閾值電壓范圍內(nèi)的確定。10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的系統(tǒng)，其中，為了使能所述評估，所述處理器被配置成: 使能對與考慮中的所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的隨機電報噪聲(RTN)值的測量； 使能對于所測量的RTN值是否小于預先確定的目標RTN值的確定。11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，為了使能對所述RTN值的測量，所述處理器被配置成: 使能對所述RTN值的多個測量；以及 通過取兩個被連續(xù)測量的RTN值之間的差來使能對增量RTN值的計算，以及 為了使能所述確定，所述處理器被配置成: 使能對于所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值的確定。12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的系統(tǒng)，其中，為了使能對所述RTN值的測量，所述處理器被配置成: 使能對所述RTN值的多個測量；以及 通過取最大RTN值與最小RTN值之間的差來使能對增量RTN值的計算，以及 為了使能所述確定，所述處理器被配置成: 使能對于所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值的確定。13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的系統(tǒng)，其中，為了使能所述評估，所述處理器還被配置成: 使能對所測量的閾值電壓的校準以更接近期望的閾值電壓。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的系統(tǒng)，其中，為了使能所述評估，所述處理器還被配置成: 使能對與考慮中的所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的RTN值的測量；以及 使能對于所測量的RTN值是否小于預先確定的目標RTN值的確定。15.一種具有存儲在其上的指令的有形計算機可讀設備，當由至少一個計算設備執(zhí)行時，所述指令導致所述至少一個計算設備執(zhí)行包括以下的操作: 從存儲器中的多個陣列當中選擇陣列作為參考陣列； 評估在所述參考陣列內(nèi)的存儲器單元以選擇與所述存儲器的第一操作相關(guān)聯(lián)的第一參考單元；以及 重復所述評估以從所述參考陣列內(nèi)選擇第二參考單元，所述第二參考單元與所述存儲器的第二操作相關(guān)聯(lián)。16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有形計算機可讀設備，所述操作還包括: 基于所述存儲器的操作參數(shù)預先確定目標閾值電壓范圍； 測量與考慮中的存儲器單元相關(guān)聯(lián)的閾值電壓；以及 確定所測量的閾值電壓是否在預先確定的目標閾值電壓范圍內(nèi)。17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的有形計算機可讀設備，其中，所述評估包括: 預先確定目標隨機電報噪聲(RTN)值； 測量與考慮中的所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的RTN值；以及 確定所測量的RTN值是否小于預先確定的目標RTN值。18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有形計算機可讀設備，所述操作還包括: 獲得所述RTN值的多個測量值； 通過取兩個被連續(xù)測量的RTN值之間的差來計算增量RTN值，以及確定所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值。19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的有形計算機可讀設備，所述操作還包括:獲得所述RTN值的多個測量值；通過取最大RTN值與最小RTN值之間的差來計算增量RTN值，以及確定所述增量RTN值是否小于所述預先確定的目標RTN值。20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的有形計算機可讀設備，其中，所述評估包括:校準所測量的閾值電壓以更接近期望的閾值電壓；測量與考慮中的所述存儲器單元相關(guān)聯(lián)的RTN值；以及確定所測量的RTN值是否小于預先確定的目標RTN值。
【專利摘要】從存儲器中的多個陣列中選擇陣列作為參考陣列。示例性方法包括評估在參考陣列內(nèi)的存儲器單元以選擇與存儲器的第一操作相關(guān)聯(lián)的第一參考單元，并重復該評估和該選擇以從參考陣列內(nèi)選擇第二參考單元，第二參考單元與存儲器的第二操作相關(guān)聯(lián)。
【IPC分類】G11C29/00, G11C16/04
【公開號】CN105283922
【申請?zhí)枴緾N201480033825
【發(fā)明人】Z·劉, 辛迪·孫, 賀·易, 古爾扎·卡薩瓦拉
【申請人】賽普拉斯半導體公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2014年6月3日
【公告號】DE112014002811T5, US9142311, US20140369141, WO2014200760A1