一種閃存控制芯片的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及電子信息領(lǐng)域，特別是涉及一種閃存控制芯片。
【背景技術(shù)】
[0002]閃存(Flash Memory，簡稱flash)是一種長壽命的非易失性(在斷電情況下仍能保持所存儲的數(shù)據(jù)信息)的存儲器，數(shù)據(jù)刪除不是以單個的字節(jié)為單位而是以固定的區(qū)塊為單位，
[0003]隨著越來越多深亞微米工藝的新型號flash閃存的出現(xiàn)，flash內(nèi)部的升壓電路成為了 flash中越來越脆弱的部分，由于其出現(xiàn)問題導(dǎo)致的整片flash無法工作的情況的比例也越來越高，而且隨著flash使用時間的增加，增加升壓電路的輸出電壓對flash壽命的延長有非常直接的作用，但flash內(nèi)部固定不變的輸出電壓會導(dǎo)致越來越多flash單元的壽命提前終結(jié)。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種閃存控制芯片，可以輔助閃存控制芯片實(shí)現(xiàn)升壓。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供了一種閃存控制芯片，包括:
[0006]輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)閃存控制芯片的使用時長調(diào)整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標(biāo)電壓值，并根據(jù)所述目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓。優(yōu)選地，所述輔助升壓電路模塊包括:
[0007]初始輸出電壓值確定子模塊，用于確定需要為所述閃存控制芯片提供的初始輸出電壓值；
[0008]輸出電壓值調(diào)整子模塊，用于根據(jù)所述閃存控制芯片的使用時長調(diào)整所述初始輸出電壓，得到需要為所述閃存控制芯片提供的目標(biāo)輸出電壓；
[0009]升壓子模塊，用于使用所述目標(biāo)輸出電壓為所述閃存控制芯片升壓。
[0010]應(yīng)用本發(fā)明提供的一種閃存控制芯片，包括輔助升壓電路模塊，輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)閃存控制芯片的使用時長調(diào)整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標(biāo)電壓值，并根據(jù)所述目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓，，為閃存控制芯片增加了輔助升壓電路，防止閃存控制芯片內(nèi)部的升壓電路失效導(dǎo)致閃存控制芯片失效，增加了閃存控制芯片的使用壽命。
【附圖說明】
[0011]為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講，在不付出創(chuàng)造性勞動的前提下，還可以根據(jù)提供的附圖獲得其他的附圖。
[0012]圖1為本發(fā)明一種閃存控制芯片實(shí)施例的結(jié)構(gòu)不意圖；
[0013]圖2為本發(fā)明一種閃存控制芯片實(shí)施例的詳細(xì)結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0014]下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例?；诒景l(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。
[0015]本發(fā)明提供了一種閃存控制芯片，圖1示出了本發(fā)明閃存控制芯片的結(jié)構(gòu)示意圖，包括:
[0016]輔助升壓電路模塊101，輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)閃存控制芯片的使用時長調(diào)整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標(biāo)電壓值，并根據(jù)所述目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓。如圖2所示，具體地，所述輔助升壓電路模塊可包括:
[0017]初始輸出電壓值確定子模塊201，用于確定需要為所述閃存控制芯片提供的初始輸出電壓值；
[0018]輸出電壓值調(diào)整子模塊202，與所述初始輸出電壓確定子模塊201相連接，用于根據(jù)所述閃存控制芯片的使用時長調(diào)整所述初始輸出電壓，得到需要為所述閃存控制芯片提供的目標(biāo)輸出電壓；
[0019]升壓子模塊203，與所述輸出電壓值調(diào)整子模塊202相連接，用于使用所述目標(biāo)輸出電壓為所述閃存控制芯片升壓。
[0020]閃存控制芯片使用時間長了擦除次數(shù)增多，在芯片中有相應(yīng)記錄，輔助升壓電路模塊可以隨著記錄的閃存控制芯片的使用時長動態(tài)調(diào)整和升高輸出電壓值，可利用損耗均衡算法調(diào)整確定輸出電壓值。
[0021]應(yīng)用本實(shí)施例提供的一種閃存控制芯片，包括輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓，為閃存控制芯片增加了輔助升壓電路，防止閃存控制芯片內(nèi)部的升壓電路失效導(dǎo)致閃存控制芯片失效，并且輔助升壓電路模塊可以根據(jù)閃存控制芯片使用時間的不斷增加動態(tài)地調(diào)整自身輸出電壓值，增加了閃存控制芯片的使用壽命，
[0022]需要說明的是，本說明書中的各個實(shí)施例均采用遞進(jìn)的方式描述，每個實(shí)施例重點(diǎn)說明的都是與其他實(shí)施例的不同之處，各個實(shí)施例之間相同相似的部分互相參見即可。對于系統(tǒng)類實(shí)施例而言，由于其與方法實(shí)施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實(shí)施例的部分說明即可。
[0023]最后，還需要說明的是，在本文中，術(shù)語“包括”、“包含”或者其任何其他變體意在涵蓋非排他性的包含，從而使得包括一系列要素的過程、方法、物品或者設(shè)備不僅包括那些要素，而且還包括沒有明確列出的其他要素，或者是還包括為這種過程、方法、物品或者設(shè)備所固有的要素。在沒有更多限制的情況下，由語句“包括一個……”限定的要素，并不排除在包括所述要素的過程、方法、物品或者設(shè)備中還存在另外的相同要素。
[0024]以上對本發(fā)明所提供的閃存控制芯片進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實(shí)施方式】及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
【主權(quán)項】
1.一種閃存控制芯片，其特征在于，包括: 輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)閃存控制芯片的使用時長調(diào)整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標(biāo)電壓值，并根據(jù)所述目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的閃存控制芯片，其特征在于，所述輔助升壓電路模塊包括: 初始輸出電壓值確定子模塊，用于確定需要為所述閃存控制芯片提供的初始輸出電壓值； 輸出電壓值調(diào)整子模塊，用于根據(jù)所述閃存控制芯片的使用時長調(diào)整所述初始輸出電壓，得到需要為所述閃存控制芯片提供的目標(biāo)輸出電壓； 升壓子模塊，用于使用所述目標(biāo)輸出電壓為所述閃存控制芯片升壓。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種閃存控制芯片，包括輔助升壓電路模塊，用于根據(jù)閃存控制芯片的使用時長調(diào)整確定需要提供給所述閃存控制芯片的目標(biāo)電壓值，并根據(jù)所述目標(biāo)電壓值使用自身輸出電壓為閃存控制芯片升壓，為閃存控制芯片增加了輔助升壓電路，防止閃存控制芯片內(nèi)部的升壓電路失效導(dǎo)致閃存控制芯片失效，增加了閃存控制芯片的使用壽命。
【IPC分類】G11C16/30
【公開號】CN105280234
【申請?zhí)枴緾N201510718337
【發(fā)明人】王玉明, 李華偉
【申請人】深圳芯邦科技股份有限公司
【公開日】2016年1月27日
【申請日】2015年10月29日