害組的干擾源相鄰體的數(shù)量(由相鄰讀取表示)，LLR發(fā)生器350a-350d選擇性地輸入第一原始讀取、第二原始讀取、第三原始讀取和第四原始讀取的一部分。注意，由LLR發(fā)生器350a-350d輸入的原始讀取的每個子集是相互獨(dú)立的(S卩，LLR發(fā)生器350a和LLR發(fā)生器350b不具有來自第一原始讀取的重疊輸入，等等)。下面的附圖示出了這樣的示例。
[0052]圖3C是示出對于給定單元的基于干擾源相鄰體的數(shù)量而正在被選擇性輸入的部分原始讀取的實(shí)施例的示圖。圖3C繼續(xù)了圖3B的示例。在所示的示例中，單元的受害組包括三個單元。相鄰讀取370表示:受害組中的第一單元不具有干擾源相鄰體，受害組中的第二單元具有三個干擾源相鄰體，受害組中的第三單元具有一個干擾源相鄰體。
[0053]由于LLR發(fā)生器350a對應(yīng)于無干擾源相鄰體，因此與原始讀取372、374、376和378中的第一單元相應(yīng)的值(即，A、E、I和M)由LLR發(fā)生器350輸入；那些值被所有其他LLR發(fā)生器忽略。相似地，由于LLR發(fā)生器350d對應(yīng)于三個干擾源相鄰體，因此來自與第二單元對應(yīng)的原始讀取的值由LLR發(fā)生器350d輸入，但被其他LLR發(fā)生器忽略。由于第三單元具有一個干擾源相鄰體，因此來自與第三單元對應(yīng)的原始讀取的值由LLR發(fā)生器350b輸入，但被所有其他LLR發(fā)生器忽略。
[0054]返回圖3B，傳輸至LLR發(fā)生器350a_350d的相鄰讀取能夠使LLR發(fā)生器選擇性地輸入來自第一原始讀取至第四原始讀取的與用于該特定LLR發(fā)生器的類別或情況有關(guān)的值。換句話說，相鄰讀取用于分離原始讀取值中的值，從而每個LLR發(fā)生器僅輸入和/或考慮與特定類別或情況(例如，無干擾源相鄰體、一個干擾源相鄰體等)相應(yīng)的那些值。忽略與另一情況或類別相應(yīng)的值。
[0055]利用分離的值，LLR發(fā)生器350a_350d中的每個LLR發(fā)生器針對落入特定類別的單元產(chǎn)生LLR值。例如，在圖3C中，LLR發(fā)生器350a針對受害組中的第一單元產(chǎn)生LLR值，LLR發(fā)生器350d針對受害組中的第二單元產(chǎn)生LLR值，LLR發(fā)生器350b針對受害組中的第三單元產(chǎn)生LLR值。
[0056]基于受害組中的給定單元具有多少個干擾源相鄰體(例如，從相鄰讀取獲得)，多路復(fù)用器352選擇由LLR發(fā)生器350a-350d中的一個產(chǎn)生的合適的一組LLR值。在圖3C的示例中，多路復(fù)用器352將選擇針對受害組中的第一單元的LLR發(fā)生器350a的輸出，多路復(fù)用器352將選擇針對受害組中的第二單元的LLR發(fā)生器350d的輸出，多路復(fù)用器352將選擇針對受害組中的第三單元的LLR發(fā)生器350b的輸出。
[0057]下面的附圖描述了浮柵晶體管系統(tǒng)以及這樣的系統(tǒng)中的一些單元能夠如何受到相鄰單元的影響。這些【附圖說明】了在浮柵晶體管系統(tǒng)中，復(fù)合讀取與原始讀取相比為何是更好質(zhì)量的讀取值，以及/或者復(fù)合讀取與原始讀取相比如何具有更好的機(jī)會來被成功譯碼。
[0058]圖4是說明與浮柵晶體管有關(guān)的電壓分布的實(shí)施例的示圖。在所示示例中，圖400示出在單元的相鄰組被寫入之前單元的受害組的兩個分布。分布410示出存儲I的受害組中的單元的分布，分布412示出存儲O的同一受害組中的單元的分布。注意，分布410和412不重疊，因此當(dāng)利用圖400示出的最佳讀取閾值時將不存在讀取錯誤。為了清楚起見，示出了僅存儲I或O的SLC示例，但是本文中所描述的構(gòu)思適用于MLC實(shí)施例以及每單元存儲多比特的其他實(shí)施例。
[0059]圖430示出在單元的相鄰組被寫入之后的相同分布。在該浮柵晶體管示例中，對單元的相鄰組進(jìn)行寫入導(dǎo)致附加電荷被增加至單元的受害組。分布410變成分布440，分布412變成分布442。如圖430中所示，對相鄰組進(jìn)行寫入導(dǎo)致分布410和412的中心上移并展開(即，變寬)。
[0060]注意，利用分布440和442，最佳讀取閾值(即，分布440和442彼此交叉處的電壓)將產(chǎn)生非零數(shù)量的讀取錯誤。在圖430中，與區(qū)域444(用網(wǎng)格圖案示出)對應(yīng)的單元在它們應(yīng)當(dāng)被讀取為O時將被錯誤地讀取為I。相似地，與區(qū)域446 (用點(diǎn)圖案示出)對應(yīng)的單元在它們應(yīng)當(dāng)被讀取為I時將被錯誤地讀取為O。這些讀取錯誤可能超出糾錯譯碼器的糾錯能力，并且可能阻止單元的受害組被成功地譯碼。
[0061]圖460不出被分解成它們的條件分布的分布440和442。分布440分解為條件分布470和472，其中，分布470對應(yīng)于受害組中的存儲I且具有非干擾源相鄰體的單元。換句話說，與分布470有關(guān)的那些單元存儲1，且具有可被忽略量的因?qū)ο噜徑M寫入而增加的附加電荷。例如，對應(yīng)的相鄰單元可以已經(jīng)用這樣的值寫入，即，該值導(dǎo)致很少或無附加電荷被增加至受害組中的相應(yīng)單元(例如，將00或11寫入相鄰組中的相應(yīng)單元)。
[0062]分布472對應(yīng)于受害組中的存儲I且具有干擾源相鄰體的單元。換句話說，分布472中的那些單元存儲I且具有因?qū)ο噜徑M進(jìn)行寫入而增加的顯著量或大量的電荷。
[0063]相似地，分布442 (即，受害組中的存儲O的單元)可以分解成分布474 ( S卩，受害組中的存儲0、具有非干擾源相鄰體的那些單元)和分布476(即，受害組中的存儲0、具有干擾源相鄰體的那些單元)。
[0064]利用條件分布470、472、474、476，圖460中示出的最佳讀取閾值在適當(dāng)區(qū)分存儲O和I的單元方面非常有效。最佳讀取閾值I用于區(qū)分分布470和474中的單元(即，受害組中的具有非干擾源相鄰體的那些單元)，最佳讀取閾值2用于區(qū)分分布472和476中的單元(即，受害組中的具有干擾源相鄰體的那些單元)。
[0065]返回圖1，從構(gòu)思上講，圖1中的步驟100(102)處所用的第一(第二)讀取閾值可以認(rèn)為是圖460中的最佳讀取閾值I的近似值。相似地，圖1中的步驟102(100)處所用的第二(第一)讀取閾值可以認(rèn)為是圖460中的最佳讀取閾值2的近似值。
[0066]相似地，相鄰讀取(在圖1中的步驟104處獲取)可以在構(gòu)思上認(rèn)為是給定單元所屬的條件分布的猜測。例如，讀取處理器不知道哪些單元分別是分布470、472、474、476的成員。為了完成將給定單元分配給分布470、472、474或476之一的“最佳猜測”，使用相鄰讀取。
[0067]受害組的任何數(shù)量的原始讀取可以用于產(chǎn)生復(fù)合讀取。下面的附圖示出了其中四個原始讀取用于產(chǎn)生復(fù)合讀取的示例。
[0068]圖5是說明與兩步寫入過程有關(guān)的四個條件分布的實(shí)施例的示圖。在所示示例中，固態(tài)存儲系統(tǒng)(未示出)包括以兩比特配置(即，其是MLC實(shí)施例)使用的浮柵晶體管，其中，每個單元具有MSB和LSB。圖500示出每個字線包括多個頁，每個頁包括多個單元(未示出)。在該示例中，單元的受害組和單元的相鄰組包括頁。圖500所示的結(jié)構(gòu)是“偶-奇”位線結(jié)構(gòu)的示例。
[0069]在該示例(其中單元具有偶-奇位線結(jié)構(gòu))中，MLC頁以兩步寫入:首先寫入頁的LSB，隨后寫入頁的MSB。由于寫入LSB需要增加大約2-2.5伏至單元的浮柵(并且寫入MSB需要增加那么多電壓的大約一半)，因此MSB寫入將引起如LSB寫入的電容耦合的大約一半。因此，制造商以下面的方式指定寫入MLC NAND模塊的順序，S卩，在頁被完全寫入之后(例如，在給定頁的MSB已被寫入之后)減少剩余的電容耦合的方式。圖500所示的頁的寫入順序是:
[0070]1.寫入頁O的LSB
[0071]2.寫入頁I的LSB
[0072]3.寫入頁2的LSB
[0073]4.寫入頁3的LSB
[0074]5.寫入頁O的MSB
[0075]6.寫入頁I的MSB
[0076]7.寫入頁4的LSB
[0077]8.寫入頁5的LSB
[0078]9.寫入頁2的MSB
[0079]10.寫入頁 3 的 MSB
[0080]11.寫入頁 6 的 LSB
[0081]12.寫入頁 7 的 LSB
[0082]13.寫入頁 4 的 MSB
[0083]14.寫入頁 5 的 MSB
[0084]為了理解上述寫入順序如何影響給定頁，考慮頁2的示例。在步驟9之后，已經(jīng)寫入頁2的MSB，因此完成頁2。此時，在圖500中用點(diǎn)圖案示出的頁僅寫入它們的LSB(即，它們?nèi)匀晃赐瓿?，而用網(wǎng)格圖案示出的頁已寫入它們的LSB和MSB 二者(即，它們已經(jīng)完成)。不具有陰影的所示單元既沒有寫入它們的LSB也沒有寫入它們的MSB(即，它們處于擦除狀態(tài))。
[0085]如圖500所示，鄰近頁2且未完成的頁(用點(diǎn)圖案示出，其中，已經(jīng)寫入那些頁的LSB)是頁3、4和5。因此，當(dāng)寫入這些頁時，僅MSB將耦合至頁2，因此，在完成所有頁之后的全部剩余親合將被最小化。如上所述，干擾源相鄰體被定義為正在寫入(LSB = O和MSB=I)或(LSB = I和MSB = O)的任何相鄰單元。在該示例中，在MSB寫入期間，僅被寫入有這些值之一的單元會將顯著的電壓增加至受害單元的浮柵。
[0086]在該示例中，假設(shè)僅被寫入至頁3和頁4的數(shù)據(jù)具有影響頁2的最終單元電壓分布的能力。例如，雖然頁O緊鄰頁2，但是頁O已經(jīng)被完全寫入(例如，其用表示完成頁的虛線圖案示出)，因此，由于對頁O沒有什么寫入，所以頁O不能用作頁2的干擾源。簡單起見，假設(shè)僅水平緊鄰相鄰體和垂直緊鄰相鄰體具有影響給定單元的能力。在該示例中，假設(shè)對角緊鄰相鄰體和“兩跳(two hop) ”相鄰體不影響給定單元(例如，假設(shè)頁5和頁6對頁2無影響)。緊接著完成頁2的寫入(即