2000按成為相同的值的實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)2000而實(shí)行。并且，強(qiáng)制刷新相對(duì)于寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)4000按成為相同的值的實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)4000而實(shí)行。相對(duì)于此，在L4中，空閑刷新在對(duì)應(yīng)于寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)2000的實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)1000以上且不足2000的范圍而實(shí)行。并且，強(qiáng)制刷新在對(duì)應(yīng)于計(jì)數(shù)數(shù)4000的實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)3000以上且不足4000的范圍而實(shí)行。
[0053]從而，在本實(shí)施方式中，在判定產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下，通過(guò)在用于數(shù)據(jù)刷新實(shí)行的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)加權(quán)而進(jìn)行計(jì)數(shù)，能夠在到達(dá)產(chǎn)生讀錯(cuò)誤的錯(cuò)誤率的閾值之前對(duì)寫(xiě)入于磁道(或扇區(qū))的數(shù)據(jù)進(jìn)行刷新。
[0054]接下來(lái)，參照?qǐng)D5，關(guān)于本實(shí)施方式的數(shù)據(jù)刷新處理進(jìn)行說(shuō)明。
[0055]圖5表示數(shù)據(jù)刷新處理的流程。
[0056]首先，通過(guò)VCM14的驅(qū)動(dòng)，寫(xiě)頭15W移動(dòng)到磁盤(pán)11上的目標(biāo)磁道的位置，在目標(biāo)磁道寫(xiě)入數(shù)據(jù)(BlOl)。在寫(xiě)入數(shù)據(jù)期間，MPU60(詳細(xì)地脫離磁道管理部61)對(duì)脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生進(jìn)行監(jiān)視，對(duì)脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生進(jìn)行判定(B102)。在判定為未產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下(B102的否)，在寫(xiě)入數(shù)據(jù)的磁道所屬的磁道組η的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)Cn，相加在磁道上寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)ACn(B103)。在磁道上寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)ACn例如為I。接下來(lái)，通過(guò)MPU60，判定寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)Cn是否超過(guò)數(shù)據(jù)刷新閾值(B104)。在判定為超過(guò)數(shù)據(jù)刷新閾值的情況下(B104的是)，刷新寫(xiě)入于該磁道組內(nèi)的磁道的數(shù)據(jù)(B105)，完成處理。并且，在判定為未超過(guò)數(shù)據(jù)刷新閾值的情況下(B104的否)，不實(shí)行數(shù)據(jù)刷新地完成處理。
[0057]另一方面，在B102中判定為產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下(B102的是)，在產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的磁道所屬的磁道組η的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)Cn，相加脫離磁道寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)ACn' (B106)。脫離磁道寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)ACn'為比在磁道上寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)Cn大的值。例如，脫離磁道寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)Cn'為200。接下來(lái)進(jìn)到B104，實(shí)行B104以下的處理。
[0058]從而，根據(jù)本實(shí)施方式，在寫(xiě)入于磁道中通過(guò)MPU60判定脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生的情況下，在用于數(shù)據(jù)刷新實(shí)行的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)，相加比在磁道上寫(xiě)(不存在脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生的寫(xiě))時(shí)大的值。通過(guò)相應(yīng)于判定脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生而相加脫離磁道寫(xiě)計(jì)數(shù)增加數(shù)，脫離磁道寫(xiě)時(shí)用于數(shù)據(jù)刷新實(shí)行的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)比在磁道上寫(xiě)時(shí)的寫(xiě)計(jì)數(shù)早期地到達(dá)數(shù)據(jù)刷新閾值。
[0059](第2實(shí)施方式)
[0060]在所述的實(shí)施方式中，關(guān)于通過(guò)在產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下使關(guān)于數(shù)據(jù)刷新的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)更多地增加，寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)早期地到達(dá)數(shù)據(jù)刷新閾值的處理進(jìn)行了說(shuō)明。在本第2實(shí)施方式中，關(guān)于在產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下，并非改變寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)的增加量，而是通過(guò)降低數(shù)據(jù)刷新閾值而寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)早期地到達(dá)數(shù)據(jù)刷新閾值的處理進(jìn)行說(shuō)明。
[0061]本實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置I的構(gòu)成與第I實(shí)施方式的磁盤(pán)裝置I的構(gòu)成基本等同。從而，在同一構(gòu)成要素附加與第I實(shí)施方式相同的參照符號(hào)，并將其詳細(xì)的說(shuō)明進(jìn)行省略。
[0062]雖然在第I實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)刷新閾值為固定值，但是在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)刷新閾值管理部63對(duì)數(shù)據(jù)刷新閾值進(jìn)行更新(變更)。具體地，數(shù)據(jù)刷新閾值管理部63從脫離磁道管理部61接受關(guān)聯(lián)于脫離磁道寫(xiě)的信息，用于早期地實(shí)施數(shù)據(jù)刷新在每次產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)而降低數(shù)據(jù)刷新閾值。數(shù)據(jù)刷新管理部63在非易失性存儲(chǔ)器70及易失性存儲(chǔ)器80，對(duì)變更的數(shù)據(jù)刷新閾值按每磁道組作為閾值管理表71進(jìn)行記錄。還有，在以預(yù)定的程度(電平)的脫離磁道量(脫離磁道寫(xiě)判定值)產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下等，也可以通過(guò)其他的條件而降低數(shù)據(jù)刷新閾值。并且，數(shù)據(jù)刷新閾值管理部63也可以在每次脫離磁道寫(xiě)的電平超過(guò)脫離磁道寫(xiě)，降低數(shù)據(jù)刷新閾值。
[0063]非易失性存儲(chǔ)器70按每磁道組，具有包括數(shù)據(jù)刷新閾值的初始值(初始閾值)、寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)及數(shù)據(jù)刷新閾值的更新值(更新閾值)等的閾值管理表71。數(shù)據(jù)刷新閾值(初始閾值及更新閾值)雖然也可以如本實(shí)施方式地按每磁道組以閾值管理表71而管理，但是也可以按每數(shù)據(jù)區(qū)和/或按每頭而管理。閾值管理表71從非易失性存儲(chǔ)器70加載于易失性存儲(chǔ)器80，通過(guò)由數(shù)據(jù)刷新閾值管理部63(MPU60)實(shí)行的固件而更新。
[0064]易失性存儲(chǔ)器80對(duì)閾值管理表71進(jìn)行加載，按每磁道組對(duì)寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)及數(shù)據(jù)刷新閾值暫時(shí)地進(jìn)行保持。
[0065]圖6是表示關(guān)聯(lián)于本實(shí)施方式的閾值管理表71的一部分的圖。如所述地，數(shù)據(jù)刷新管理表71對(duì)寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)和/或數(shù)據(jù)刷新閾值等按每磁道組進(jìn)行登記而進(jìn)行管理。例如，如示于圖6地，數(shù)據(jù)刷新管理表71在各磁道組對(duì)寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)、初始閾值和更新閾值進(jìn)行保持。
[0066]初始閾值為用于實(shí)行數(shù)據(jù)刷新的按每磁道組設(shè)定的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)的閾值的初始值。初始閾值相應(yīng)于磁道組的個(gè)數(shù)而設(shè)置。初始閾值作為數(shù)據(jù)刷新的更新閾值的初始值通過(guò)MPU60而參照。初始閾值為預(yù)先確定的固定值，在程序上按每磁道組任意地設(shè)定。例如，數(shù)據(jù)刷新初始值在全部磁道組既可以為同一值也可以為不同的值，也可以為沿著按照磁盤(pán)11的半徑方向的方向而加權(quán)的值。在圖6中，初始閾值按每磁道組以Nthl_0、Nth2_0、Nth3_0、Nth4_0表示。例如，初始閾值NthlJK Nth2_0、Nth3_0、Nth4_0保存于非易失性存儲(chǔ)器70及易失性存儲(chǔ)器80，相應(yīng)于需要從非易失性存儲(chǔ)器70及易失性存儲(chǔ)器80讀出。
[0067]更新閾值為用于實(shí)行數(shù)據(jù)刷新按每磁道組設(shè)定的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)的更新閾值。更新閾值在產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)的情況下早期地實(shí)行數(shù)據(jù)刷新地更新為比初始閾值小的值。更新閾值相應(yīng)于脫離磁道的產(chǎn)生次數(shù)而反復(fù)更新，相應(yīng)于更新次數(shù)而變小。更新閾值在實(shí)行數(shù)據(jù)刷新的情況下返回到初始值。
[0068]如所述地，例如，更新閾值在脫離磁道寫(xiě)產(chǎn)生時(shí)作為數(shù)據(jù)刷新閾值通過(guò)MPU60而參照，在數(shù)據(jù)刷新實(shí)行之后，初始閾值作為數(shù)據(jù)刷新閾值通過(guò)MPU60再次參照。
[0069]在圖6中，更新閾值以Nthl、Nth2、Nth3、Nth4表示。若產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)，則更新閾值Nthl、Nth、Nth3、Nth4作為數(shù)據(jù)刷新閾值通過(guò)MPU60而參照。更新閾值Nthl、Nth2、Nth3、Nth4在脫離磁道寫(xiě)產(chǎn)生的情況下降低預(yù)定的值(降低值)。例如如果降低值為1000，則每次產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)，數(shù)據(jù)刷新閾值逐次降低1000。而且，若寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)達(dá)到數(shù)據(jù)刷新閾值，則實(shí)行數(shù)據(jù)刷新。
[0070](第2實(shí)施方式涉及的數(shù)據(jù)刷新的處理方法的效果)
[0071]參照?qǐng)D7關(guān)于關(guān)聯(lián)于本實(shí)施方式涉及的數(shù)據(jù)刷新的處理方法的效果進(jìn)行說(shuō)明。
[0072]在本實(shí)施方式中，數(shù)據(jù)刷新閾值每次通過(guò)MPU60判定脫離磁道寫(xiě)的產(chǎn)生而降低。
[0073]圖7是表示相對(duì)于磁道組的實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)與用于數(shù)據(jù)刷新實(shí)行的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)的關(guān)系之一例的圖。在圖7中，橫軸表示實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)，縱軸表示用于實(shí)行數(shù)據(jù)刷新的寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)。
[0074]在圖7中，L5表示寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)相對(duì)于實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)的變化。該L5表示寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)相對(duì)于實(shí)際的寫(xiě)次數(shù)以相同的值變化即成正比。L6表示關(guān)聯(lián)于強(qiáng)制刷新的數(shù)據(jù)刷新閾值(強(qiáng)制刷新閾值)的變化，L7表示關(guān)聯(lián)于空閑刷新的數(shù)據(jù)刷新閾值(空閑刷新閾值)的變化。強(qiáng)制刷新閾值及第2數(shù)據(jù)刷新閾值在每次產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)而降低其值。在圖7中，在關(guān)于寫(xiě)計(jì)數(shù)數(shù)的L5和關(guān)于強(qiáng)制刷新閾值的L6及關(guān)于空閑刷新閾值的L7的各自相交的點(diǎn)，實(shí)行數(shù)據(jù)刷新。
[0075]例如，強(qiáng)制模式用的強(qiáng)制刷新閾值的初始值設(shè)定為4000。此后，通過(guò)每次產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)而降低數(shù)據(jù)刷新閾值，與L5的交點(diǎn)成為比強(qiáng)制刷新閾值的初始值4000低的計(jì)數(shù)數(shù)。艮P，早期地實(shí)行數(shù)據(jù)刷新。
[0076]同樣地，空閑模式用的空閑刷新閾值的初始值設(shè)定為2000。通過(guò)每次產(chǎn)生脫離磁道寫(xiě)而降低數(shù)據(jù)刷新閾值，與L5的交點(diǎn)成為比空閑刷新閾值的初始值2000低的計(jì)數(shù)數(shù)。艮P，早期地實(shí)行數(shù)據(jù)刷新。
[0077]如以上地，在本實(shí)施方式中通過(guò)MPU60 (詳細(xì)地脫離磁道管