磁盤裝置及數(shù)據(jù)刷新的處理方法
【專利說(shuō)明】磁盤裝置及數(shù)據(jù)刷新的處理方法
[0001]關(guān)聯(lián)申請(qǐng)
[0002]本申請(qǐng)要求以美國(guó)臨時(shí)專利申請(qǐng)62/002，551號(hào)(申請(qǐng)日:2014年5月23日)為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的全部的內(nèi)容。
技術(shù)領(lǐng)域
[0003]本發(fā)明涉及磁盤裝置及數(shù)據(jù)刷新的處理方法。
【背景技術(shù)】
[0004]在由磁盤裝置所代表的對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行存儲(chǔ)的存儲(chǔ)裝置要求大容量化。因而，盤介質(zhì)的存儲(chǔ)密度(磁道密度及比特密度)日益提高。
[0005]在如此的存儲(chǔ)裝置中，在成為寫入對(duì)象的目標(biāo)磁道(以下，簡(jiǎn)單地稱為目標(biāo)磁道)反復(fù)寫入數(shù)據(jù)的情況下，因頭的漏磁通等的影響會(huì)產(chǎn)生消去(擦除)目標(biāo)磁道的周邊磁道的數(shù)據(jù)的現(xiàn)象。因?yàn)樵摤F(xiàn)象，所以若在特定的磁道(或扇區(qū))反復(fù)寫入情況下，則總會(huì)擦除相鄰磁道及周邊磁道的數(shù)據(jù)。作為對(duì)策，在某記錄區(qū)域?qū)懙拇螖?shù)(寫次數(shù))超過規(guī)定次數(shù)的情況下，進(jìn)行重寫次數(shù)據(jù)的處理(數(shù)據(jù)刷新)。用于數(shù)據(jù)刷新的寫次數(shù)的閾值按每記錄區(qū)域預(yù)先在制造工序內(nèi)確定。并且，相對(duì)于通過脫離磁道寫而擦除相鄰磁道的數(shù)據(jù)的現(xiàn)象，也已知在寫中超過預(yù)先確定的定位精度(脫離磁道量)的情況下進(jìn)行禁止寫的處理的方法。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的實(shí)施方式提供可以對(duì)數(shù)據(jù)刷新的處理精密地進(jìn)行管理的磁盤裝置及數(shù)據(jù)刷新的處理方法。
[0007]根據(jù)本實(shí)施方式，磁盤裝置具備磁盤、頭和處理部，其中，所述磁盤具有在多個(gè)磁道記錄數(shù)據(jù)的記錄面；所述頭用于在記錄面寫入所述數(shù)據(jù)；所述處理部對(duì)對(duì)應(yīng)于通過頭進(jìn)行的寫入數(shù)的寫計(jì)數(shù)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，并在寫計(jì)數(shù)數(shù)超過閾值的情況下實(shí)行數(shù)據(jù)刷新。處理部在對(duì)寫計(jì)數(shù)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí)，在頭在磁道上寫時(shí)以第I計(jì)數(shù)增加數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，并在脫離磁道寫產(chǎn)生時(shí)以比第I計(jì)數(shù)增加數(shù)大的第2計(jì)數(shù)增加數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)。
【附圖說(shuō)明】
[0008]圖1是第I實(shí)施方式涉及的磁盤裝置的簡(jiǎn)要圖。
[0009]圖2是表TJK關(guān)聯(lián)于第I實(shí)施方式的閾值管理表的一部分的圖。
[0010]圖3是表示反復(fù)寫次數(shù)與錯(cuò)誤率的關(guān)系之一例的圖。
[0011]圖4是表示關(guān)聯(lián)于第I實(shí)施方式的磁道寫計(jì)數(shù)數(shù)及用于數(shù)據(jù)刷新的寫計(jì)數(shù)數(shù)的關(guān)系之一例的圖。
[0012]圖5是關(guān)聯(lián)于第I實(shí)施方式的數(shù)據(jù)刷新處理的流程圖。
[0013]圖6是表TJK關(guān)聯(lián)于第2實(shí)施方式的閾值管理表的一部分的圖。
[0014]圖7是表示關(guān)聯(lián)于第2實(shí)施方式的磁道寫計(jì)數(shù)數(shù)及用于數(shù)據(jù)刷新的寫計(jì)數(shù)數(shù)的關(guān)系之一例的圖。
[0015]圖8是關(guān)聯(lián)于第2實(shí)施方式的數(shù)據(jù)刷新處理的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0016]以下，參照?qǐng)D面對(duì)實(shí)施方式進(jìn)行說(shuō)明。
[0017]圖1是本實(shí)施方式涉及的磁盤裝置的簡(jiǎn)要圖。
[0018]如示于圖1地，磁盤裝置I具備頭盤組件(HDA) 10、伺服部(SVC) 20、頭放大器集成電路(IC) 30、讀寫(R/W)通道40、硬盤控制器(HDC) 50和微處理器單元(MPU) 60。而且，磁盤裝置I具備易失性存儲(chǔ)器80、非易失性存儲(chǔ)器70及緩沖存儲(chǔ)器90。磁盤裝置I連接于主機(jī)系統(tǒng)(Ho st) 100。
[0019]HDAlO具有磁盤11、主軸電動(dòng)機(jī)(SPM) 12和致動(dòng)器13。致動(dòng)器13包括音圈電動(dòng)機(jī)(VCM) 14和搭載于從VCM14進(jìn)行延伸的臂的頭15。致動(dòng)器13通過VCM14的驅(qū)動(dòng)對(duì)頭15在磁盤11上的移動(dòng)進(jìn)行控制。即，致動(dòng)器13通過VCM14的驅(qū)動(dòng)使頭15移動(dòng)到磁盤11上的指定位置。
[0020]頭15以滑塊為主體，具有安裝于滑塊的寫頭(writer) 15W及讀頭(reader) 15R。頭15相對(duì)于成為寫入(寫)或讀出(讀)的目標(biāo)的磁道在作為垂直的方向的盤半徑方向進(jìn)行移動(dòng)。寫頭15W在磁盤11上寫入數(shù)據(jù)。讀頭15R讀出記錄于磁盤11上的數(shù)據(jù)。
[0021 ] SVC20按照MPU60的控制而使SPM12與VCM14驅(qū)動(dòng)。通過SVC20而VCM14進(jìn)行驅(qū)動(dòng)，通過VCM14的驅(qū)動(dòng)而頭15移動(dòng)到磁盤11上的指定的位置。
[0022]頭放大器IC30具有預(yù)放大器及寫驅(qū)動(dòng)器。預(yù)放大器對(duì)通過讀頭15R讀出的讀信號(hào)進(jìn)行放大，作為讀數(shù)據(jù)傳送于讀/寫(R/W)通道40。寫驅(qū)動(dòng)器將相應(yīng)于從R/W通道40輸出的寫次數(shù)據(jù)的寫電流傳送于寫頭15W。
[0023]R/W通道40包括實(shí)行讀數(shù)據(jù)的信號(hào)處理的讀通道和實(shí)行寫次數(shù)據(jù)的信號(hào)處理的寫通道。
[0024]HDC50包括盤控制部51、I/F控制部52、指令控制部53及緩沖控制部54。
[0025]盤控制部51與R/W通道40連接，進(jìn)行相對(duì)于磁盤11的數(shù)據(jù)的讀處理及寫處理。
[0026]I/F控制部52進(jìn)行主機(jī)系統(tǒng)100與R/W通道40之間的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)送的控制。
[0027]指令控制部53進(jìn)行關(guān)于從主機(jī)系統(tǒng)100接收的寫指令或讀指令的控制。
[0028]緩沖控制部54與緩沖存儲(chǔ)器90連接，進(jìn)行關(guān)于在與緩沖存儲(chǔ)器90之間進(jìn)行發(fā)送接收的數(shù)據(jù)的控制。緩沖控制部54例如將從磁盤11讀出的數(shù)據(jù)及相應(yīng)于寫指令寫入于磁盤11的數(shù)據(jù)等暫時(shí)存儲(chǔ)于緩沖存儲(chǔ)器90。
[0029]MPU (處理部)60為磁盤裝置I的主控制器，實(shí)行對(duì)控制VCM14進(jìn)行控制而進(jìn)行頭15的定位的伺服控制等。
[0030]還有，R/W通道40、HDC50及MPU60也可以由單芯片的集成電路構(gòu)成。
[0031]在MPU60，具備脫離磁道管理部(第I管理部)61、寫計(jì)數(shù)管理部(第2管理部)62、數(shù)據(jù)刷新閾值管理部(第3管理部)63及數(shù)據(jù)刷新控制部64。脫離磁道管理部61、寫計(jì)數(shù)管理部62、數(shù)據(jù)刷新閾值管理部63及數(shù)據(jù)刷新控制部64的各自的處理通過固件(程序)實(shí)行。
[0032]脫離磁道管理部61對(duì)頭15的在脫離磁道狀態(tài)下的寫入(脫離磁道寫)的狀態(tài)進(jìn)行管理。具體地，脫離磁道管理部61對(duì)頭15的脫離磁道寫進(jìn)行檢測(cè)，并取得關(guān)聯(lián)于檢測(cè)到的脫離磁道寫的信息而進(jìn)行管理。例如，脫離磁道管理部61對(duì)15的定位精度(脫離磁道量)及脫離磁道寫的磁道組的位置等進(jìn)行檢測(cè)，并對(duì)這些信息進(jìn)行管理。在此，磁道組為使多個(gè)磁道成為I個(gè)組的管理單位，在程序上任意地進(jìn)行設(shè)定。脫離磁道管理部61根據(jù)這些檢測(cè)結(jié)果，對(duì)是否超過預(yù)定的脫離磁道量(脫離磁道寫判定值)進(jìn)行判定，并對(duì)脫離磁道寫的產(chǎn)生進(jìn)行判別(判定)。在此，脫離磁道寫判定值在程序上任意地進(jìn)行設(shè)定。關(guān)聯(lián)于脫離磁道管理部61取得的脫離磁道寫的信息保存于非易失性存儲(chǔ)器70及易失性存儲(chǔ)器80。例如，關(guān)聯(lián)于脫離磁道寫的信息為所述的脫離磁道量、脫離磁道寫的產(chǎn)生數(shù)、脫離磁道寫的磁道組的位置等。并且，在產(chǎn)生脫離磁道寫的情況下，脫離磁道管理部61控制為，使脫離磁道的頭15返回到在磁道上狀態(tài)。
[0033]寫計(jì)數(shù)管理部62對(duì)磁盤11的對(duì)于特定的區(qū)域(例如磁道組)的寫入數(shù)(詳細(xì)地，基于寫入數(shù)的寫計(jì)數(shù)數(shù))按每磁道組進(jìn)行管理。在此，寫計(jì)數(shù)數(shù)表示寫入于包括于磁道組的扇區(qū)或磁道的次數(shù)。寫計(jì)數(shù)管理部62參照關(guān)聯(lián)于以脫離磁道管理部61檢測(cè)到的脫離磁道寫的信息而對(duì)寫計(jì)數(shù)數(shù)進(jìn)行計(jì)測(cè)。寫計(jì)數(shù)管理部62使寫計(jì)數(shù)數(shù)的計(jì)測(cè)結(jié)果與目標(biāo)磁道的位置信息等相關(guān)聯(lián)而保存于非易失性存儲(chǔ)器70及易失性存儲(chǔ)器80進(jìn)行管理。還有，寫計(jì)數(shù)數(shù)也可以記錄為相對(duì)于目標(biāo)磁道相應(yīng)于沿著磁盤11的半徑方向的計(jì)數(shù)數(shù)。即，寫計(jì)數(shù)管理部62也可以對(duì)脫離磁道方向相對(duì)于盤半徑方向是內(nèi)周方向還是外周方向進(jìn)行判別，對(duì)按每磁道組的寫計(jì)數(shù)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)，進(jìn)行管理。
[0034]并且，寫計(jì)數(shù)管理部62用于在脫離磁道寫產(chǎn)生的情況下早期地實(shí)行重寫次數(shù)據(jù)的處理(數(shù)據(jù)刷新)，相比于在未完全產(chǎn)生脫離磁道的通常的在磁道上狀態(tài)下的寫入(在磁道上寫)的情況使寫計(jì)數(shù)數(shù)的計(jì)數(shù)增加數(shù)(相加值)增加。例如，寫計(jì)數(shù)管理部62在對(duì)脫離磁道寫的計(jì)數(shù)數(shù)進(jìn)行計(jì)數(shù)時(shí)，應(yīng)用比預(yù)先設(shè)定的在磁