的反轉(zhuǎn)電壓V3時(shí)，第三節(jié)點(diǎn)C降為“0”，此時(shí)預(yù)充電(Pre_Charge)信號為“0”，充電晶體管MO關(guān)閉，電路完成預(yù)充電的過程。與此同時(shí)，隨著第一節(jié)點(diǎn)A電位的升高，第二節(jié)點(diǎn)B逐漸降低，第三晶體管M3 (作為上拉管)開始導(dǎo)通，若第一非門Xl的反轉(zhuǎn)電壓為VI，則當(dāng)V3>V1時(shí)，即可保證在第三晶體管M3 (作為上拉管)導(dǎo)通之后再關(guān)閉充電晶體管MO。由于第一非門Xl和第三非門X3在版圖上可以非常接近，這就最大限度的減小了制造工藝上可能帶來的不良影響。
[0072]第四非門X4，第一觸發(fā)器X7，第八非門X8組成的線路作用是當(dāng)?shù)谝还?jié)點(diǎn)A完成預(yù)充電后，第一觸發(fā)器的D端產(chǎn)生一個(gè)上升沿的信號,從而將第一觸發(fā)器X7的輸出端QN端置為“ O ”，此時(shí)可確保預(yù)充電(Pre_charge )信號在該讀周期預(yù)充電完成之后一直為“ O ”，防止因第一節(jié)點(diǎn)A的變化而引起的誤充電動作。在一個(gè)讀周期結(jié)束后，第一觸發(fā)器X7會被重新置位，為下一次讀周期做好準(zhǔn)備。
[0073]在電路設(shè)計(jì)中，只要保證第三非門X3的反轉(zhuǎn)電壓V3大于第一非門Xl的反轉(zhuǎn)電壓VI，就可以使得電路順利完成預(yù)充電的動作，這樣就避免了設(shè)計(jì)一個(gè)固定脈沖寬度的充電信號產(chǎn)生電路，同時(shí)充電的時(shí)間取決于第三非門X3的反轉(zhuǎn)電壓，只要第一節(jié)點(diǎn)A沖電到第三非門X3反轉(zhuǎn)電壓，充電晶體管MO關(guān)閉(此時(shí)上拉管M3必然已經(jīng)打開)，從而節(jié)省了充電時(shí)間，可以提高數(shù)據(jù)的讀取速度。
[0074]本發(fā)明中為了解決現(xiàn)有技術(shù)中存在的各種問題，對讀取電路進(jìn)行了改進(jìn)，通過在讀取電路中設(shè)置檢測電路，實(shí)現(xiàn)對所述預(yù)充電過程的檢測，通過第三非門X3的反轉(zhuǎn)來檢測第一非門Xl反轉(zhuǎn)的這種方式，可以大大節(jié)省對第一節(jié)點(diǎn)A的充電時(shí)間，從而相應(yīng)地減少整個(gè)電路的讀取時(shí)間。在整個(gè)充電過程中，第四節(jié)點(diǎn)D的電位從O到1，第一觸發(fā)器X7的輸出端QN端的電位從I到O,從而將預(yù)充電(Pre_charge)信號鎖定在O狀態(tài),避免在預(yù)充電結(jié)束后，線路再出現(xiàn)充電的狀態(tài)。
[0075]本發(fā)明已經(jīng)通過上述實(shí)施例進(jìn)行了說明，但應(yīng)當(dāng)理解的是，上述實(shí)施例只是用于舉例和說明的目的，而非意在將本發(fā)明限制于所描述的實(shí)施例范圍內(nèi)。此外本領(lǐng)域技術(shù)人員可以理解的是，本發(fā)明并不局限于上述實(shí)施例，根據(jù)本發(fā)明的教導(dǎo)還可以做出更多種的變型和修改，這些變型和修改均落在本發(fā)明所要求保護(hù)的范圍以內(nèi)。本發(fā)明的保護(hù)范圍由附屬的權(quán)利要求書及其等效范圍所界定。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種帶有自檢測電路的讀出電路，包括預(yù)充電電路和控制電路，所述預(yù)充電電路和所述控制電路連接于第一節(jié)點(diǎn)(A)，用于對存儲器單元進(jìn)行充電，其特征在于，所述讀出電路還包括檢測電路，所述檢測電路和所述預(yù)充電電路連接于所述第一節(jié)點(diǎn)(A); 所述檢測電路包括第三非門(X3)、第四非門(X4)、第一與非門(X5)、第六非門(X6)、第一觸發(fā)器(X7)和第八非門(X8)； 其中，所述第三非門(X3)的輸入端連接于第一節(jié)點(diǎn)(A)，所述第三非門(X3)的輸出端與所述第四非門(X4)的輸入端連接于第三節(jié)點(diǎn)(C)，所述第四非門(X4)的輸出端與第一觸發(fā)器(X7)的時(shí)鐘信號輸入端連接于第四節(jié)點(diǎn)(D)，所述第一觸發(fā)器(X7)的反相復(fù)位端連接于所述第八非門(X8)的輸出端，所述第八非門(X8)的輸入端連接于第一信號端，所述第一觸發(fā)器(X7)的輸出端(QN)連接于所述第一與非門(X5)的一輸入端,所述第一與非門(X5)的另一輸入端連接于第一讀取端,所述第一與非門(X5)的輸出端連接于所述第六非門(X6)的輸入端，所述第一與非門(X5)還連接于所述第三節(jié)點(diǎn)(C)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述第四非門(X4)的輸出端連接于第一觸發(fā)器(X7)時(shí)鐘信號端(CP)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述讀出電路還包括重設(shè)電路，所述重設(shè)電路設(shè)置和所述預(yù)充電電路連接于第一節(jié)點(diǎn)(A)。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的讀出電路，其特征在于，所述重設(shè)電路包括第四晶體管(M4)，所述第四晶體管(M4)的源極連接于所述第一節(jié)點(diǎn)(A)，所述第四晶體管(M4)的柵極連接于所述第一信號端，所述第四晶體管(M4)的漏極接地。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述控制電路包括第一非門(XI)、第二與非門(X2)，其中所述第一非門(Xl)的輸入端連接于所述第一節(jié)點(diǎn)(A)，所述第一非門(Xl)的輸出端連接于所述第二與非門(X2)的一輸入端,所述第二與非門(X2)的另一輸入端連接于所述第一讀取端，所述第二與非門(X2)的輸出端連接于輸出信號端。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的讀出電路，其特征在于，所述預(yù)充電電路包括充電晶體管(MO)，所述充電晶體管(MO)的源極連接于電源電位(VDD)，所述充電晶體管(MO)的漏極連接于所述第一節(jié)點(diǎn)(A)，所述充電晶體管(MO)的柵極連接于預(yù)充電信號。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的讀出電路，其特征在于，所述第六非門(X6)的輸出端連接于所述預(yù)充電信號。
8.根據(jù)權(quán)利要求6所述的讀出電路，其特征在于，所述充電晶體管(MO)為P型或者N型充電管。
9.根據(jù)權(quán)利要求5所述的讀出電路，其特征在于，所述預(yù)充電電路還包括第一晶體管(Ml)、第二晶體管(M2)和第三晶體管(M3); 其中，所述第一晶體管(Ml)和所述第二晶體管(M2)組成鏡像電路，所述第一晶體管(MD的源極、所述第二晶體管(M2)的源極均連接于電源電位(VDD)，所述第一晶體管(Ml)的柵極連接于所述第二晶體管(M2)的柵極，所述第一晶體管(Ml)的漏極連接于所述第三晶體管(M3)的源極，所述第二晶體管(M2)的漏極連接于參考電流，所述第三晶體管(M3)的漏極連接于所述第一節(jié)點(diǎn)(A)，所述第三晶體管(M3)的柵極與所述第一非門(Xl)的輸出端連接于第二節(jié)點(diǎn)(B)。
10.一種基于權(quán)利要求1-9之一所述的電路的控制方法,包括: 步驟(I)將所述第一信號端置于高電平，所述預(yù)充電信號為低電平，充電晶體管(MO)關(guān)閉； 步驟(2)將所述第一信號端由高電平變?yōu)榈碗娖?，第一讀取端的信號從低電平變?yōu)楦唠娖?，使得所述預(yù)充電電路進(jìn)行充電的動作，以對所述存儲器單元進(jìn)行充電； 步驟(3)控制所述第一節(jié)點(diǎn)(A)的電位高于第三非門(X3)的反轉(zhuǎn)電壓V3，將預(yù)充電信號變?yōu)榈碗娖剑沟贸潆娋w管(MO)關(guān)閉，完成預(yù)充電過程； 同時(shí)，降低所述第二節(jié)點(diǎn)(B)的電位，從而使所述第三晶體管(M3)導(dǎo)通，所述第一非門(Xl)的反轉(zhuǎn)電壓為VI，控制V3>V1，以保證在所述第三晶體管(M3)導(dǎo)通之后再關(guān)閉充電晶體管(MO)。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述步驟(I)包括: 將所述第一信號端變?yōu)楦唠娖?，將第一?jié)點(diǎn)(A)變?yōu)榈碗娖?，將所述第一觸發(fā)器(X7)的輸出端(QN)變?yōu)楦唠娖?，所述第一讀取信號變?yōu)榈碗娖?，所述預(yù)充電信號變?yōu)榈碗娖剑沟贸潆娋w管(MO )關(guān)閉。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)包括: 將所述第一信號端由高電平變?yōu)榈碗娖剑龅谝蛔x取端的信號從低電平變?yōu)楦唠娖?，所述第一與非門(X5)三個(gè)輸入端信號變?yōu)楦唠娖剑A(yù)充電信號變?yōu)楦唠娖?，使得充電晶體管(MO)開啟，通過電源電位(VDD)為第一節(jié)點(diǎn)(A)充電。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的方法，其特征在于，在充電過程中，將所述第四節(jié)點(diǎn)(D)由低電平變?yōu)楦唠娖?，將所述第一觸發(fā)器(X7)的輸出端(QN)端的電位由高電平變?yōu)榈碗娖?，將預(yù)充電信號鎖定在低電平狀態(tài)，避免在預(yù)充電結(jié)束后，線路再出現(xiàn)充電的狀態(tài)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述步驟(2)包括: 提高所述第一節(jié)點(diǎn)(A)電平，到達(dá)所述第三非門(X3)的反轉(zhuǎn)電壓V3，使得所述預(yù)充電信號變?yōu)榈碗娖剑沟贸潆娋w管(MO)關(guān)閉，預(yù)充電過程結(jié)束。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的方法，其特征在于，所述步驟(3)包括: 將所述第一節(jié)點(diǎn)(A)電平提高至所述反轉(zhuǎn)電壓VI，第二節(jié)點(diǎn)(B)的電平降低，導(dǎo)致第三晶體管(M3)導(dǎo)通，使得所述第一節(jié)點(diǎn)(A)電平通過所述第三非門(Xl)和所述第三晶體管(M3)被鉗制住。
【專利摘要】本發(fā)明涉及一種帶有自檢測電路的讀出電路及控制方法，所述電路包括預(yù)充電電路和控制電路，所述預(yù)充電電路和所述控制電路連接于第一節(jié)點(diǎn)，用于對存儲器單元進(jìn)行充電，所述讀出電路還包括檢測電路，所述檢測電路和所述預(yù)充電電路連接于所述第一節(jié)點(diǎn)；所述檢測電路包括第三非門、第四非門、第一與非門、第六非門、第一觸發(fā)器和第八非門；通過第三非門的反轉(zhuǎn)來檢測第一非門反轉(zhuǎn)的這種方式，可以大大節(jié)省對第一節(jié)點(diǎn)A的充電時(shí)間，從而相應(yīng)地減少整個(gè)電路的讀取時(shí)間。同時(shí)還可以避免在預(yù)充電結(jié)束后，線路再出現(xiàn)充電的狀態(tài)。
【IPC分類】G11C29-12, G11C16-26
【公開號】CN104575606
【申請?zhí)枴緾N201310471186
【發(fā)明人】郭術(shù)明, 宗國翼
【申請人】無錫華潤上華半導(dǎo)體有限公司
【公開日】2015年4月29日
【申請日】2013年10月10日
【公告號】WO2015051754A1