專利名稱：存儲器模塊識別的制作方法
技術領域：
本發(fā)明通常和信息處理系統(tǒng)相關，并且更特別地同一種用于識別存儲器子系統(tǒng)中的存儲器模塊的方法和裝置相關。
許多計算機系統(tǒng)在存儲器子系統(tǒng)，特別是對工作站和服務器中的存儲子系統(tǒng)中進行了巨大的投入。在存儲器上的投入經常超過在計算機的CPU(中央處理單元)部件上的投入。隨著CPU性能的提高，許多計算機系統(tǒng)用戶決定對CPU進行升級而保留現(xiàn)存的存儲器部件。
隨著存儲器技術的快速發(fā)展，計算機系統(tǒng)必須根據當前技術進行發(fā)展并且還必須繼續(xù)支持以前的技術。對桌面及其他計算機系統(tǒng)來說，存儲器技術是從DRAMs(動態(tài)隨機存取存儲器)向SDRAMs(同步動態(tài)隨機存取存儲器)進行發(fā)展的。例如使用DRAM技術，在激勵信號從較早的定時信號導出時，許多激勵信號只有在較早提供的定時信號之后才產生。因此，對大多數應用來說，定時并不是一個關鍵的考慮因素。但是，如果使用同步系統(tǒng)，特別是SDRAMs，信號廣播是嚴格根據時鐘信號和所有的定時以及所有的激勵信號的完成情況來完成的，而這些信號必須在相對于主時鐘信號的一個預定的特定時間進行完成。
計算機業(yè)界已經對基本存儲器DIMM(雙列直插存儲器模塊)部件上的DIMM接口進行了標準化。DIMM接口允許指定168個到DRAM設備或SDRAM設備的引腳連接。因為這些DIMM插槽既可以接受DRAM DIMMs，也可以接受SDRAM DIMMs，并且因為引腳上的許多信號隨插在DIMM插槽上的DIMM的類型而不同，因此對于計算機系統(tǒng)來說，如果能探測是否有正在使用的DIMM設備，并且如果能探測到，則判斷某個特定的存儲器子系統(tǒng)插槽上所使用的DIMM設備的類型將非常必要。更特別地，為經緩沖的EDO(擴展數據輸出Extended Data Out)DRAM DIMMs和經緩沖的SDRAM DIMMs而定義的標準168引腳定義在現(xiàn)有的用于確定存儲器類型和大小的探測區(qū)域存在沖突的引腳定義。
這樣，需要有一種改進方法和實現(xiàn)系統(tǒng)，用于在存儲器子系統(tǒng)中探測現(xiàn)存的存儲器模塊并且進一步能探測所使用的存儲器設備的具體類型。
本發(fā)明提供了一種方法和實現(xiàn)存儲器設備探測系統(tǒng)，其中，可以探測到現(xiàn)在在存儲器模塊插槽中所安裝的存儲器模塊，并且可以對所安裝的存儲器模塊的預定引腳上的信號電平進行處理以識別存儲器模塊的具體類型。在示例實施例中，將根據所探測到的存儲器類型對存儲器控制器模式進行設置，并讀出所探測到的具體存儲器設備類型的特征。
通過下面對一個優(yōu)選實施例的詳細描述及


可以更好地理解本發(fā)明，其中圖1是一張可以實現(xiàn)本發(fā)明的計算機系統(tǒng)的示例圖；圖2是計算機系統(tǒng)的局部示意圖，示出了其中的存儲器系統(tǒng)；圖3示出了一個DIMM輸出引腳的各個部分，用于說明幾種典型的信號插入連接；圖4是一張示意圖，示出了根據本發(fā)明幾種相連的并列DIMMs設備；圖5是一張表，示出了圖4中所示的用于DIMM設備的示例地址；以及圖6是一張流程圖，示出了用于所公開的方法的示例操作序列。
在較早的存儲器子系統(tǒng)中使用的8個探測位中，在下面的示例實施例中僅有4位用來定義存儲器控制器初始化時所需的存儲器DIMM的大小。為128Mb的DIMMs而返回的代碼都是“1”，這同沒有DIMM安裝在存儲器插槽時所返回的代碼模式完全相同。為了解決這一不確定性，現(xiàn)在為所支持的存儲器類型總是置為“0”的第8位(PD8)在EDO或DRAM存儲器的判斷被激活時同一個上拉電阻相連。PD8引腳也就是SDRAM關鍵產生數據(VPD)ROM地址的第一位(VPDA1)，因此一個上拉電阻不能放在所有這些引腳上。在VPD地址具有VPDA1高電平的地方使用上拉電阻。在VPD地址具有VPDA1低電平的地方僅當EDO存儲器在測試時有選擇性地使用上拉電阻。這一方法提供了一個狀態(tài)位，用來指示在使用了EDO DRM DIMMs的情況下存儲器插槽內是否安裝了存儲器。
這里所討論的不同方法可以在一個典型的計算機系統(tǒng)中實現(xiàn)，例如工作站或個人計算機101。通常，一個計算機系統(tǒng)可以包括相似系統(tǒng)的網絡內的一個多總線系統(tǒng)中的多個處理器。但是，因為在示例實施例中實現(xiàn)本發(fā)明的工作站或計算機系統(tǒng)101在該領域內廣為所知并且它們由那些熟知該領域的人員所知的電子部件和電路組成，為了理解和正確評價本發(fā)明的基本概念以及為了不誤解或曲解本發(fā)明的教義，這里沒有對超出圖中所示內容的電路細節(jié)進行特別說明，從而高于示例說明所需的程度。
在圖1中，計算機系統(tǒng)包括一個顯示設備103和一個通常用于容納一或多個CPU(中央處理單元)以及計算機系統(tǒng)101的其他部件設備和子系統(tǒng)的電子外殼103。通常這些部件設備和子系統(tǒng)被安裝在外殼103中的電路板或電路卡上。計算機系統(tǒng)101還包括一個鍵盤107和一個鼠標或指點設備109，它們都在所示計算機系統(tǒng)中相互連接。
如圖2所示，一個示例計算機系統(tǒng)包括一或多個象CPU201一樣的CPU。CPU101同系統(tǒng)總線203相連。計算機系統(tǒng)還包括一個存儲器子系統(tǒng)，其包括一個同系統(tǒng)總線203相連的存儲器控制器205。存儲器控制器同系統(tǒng)存儲器207相連并對其進行管理。通常，系統(tǒng)存儲器207包括多個并排安裝在存儲器卡上的DIMM，該存儲器卡又被插在外殼105中的一個主板上。
在圖3中示出了一個示例DIMM輸出引腳。DIMM設備插槽301被安排用來沿DIMM插槽301的左邊接收DIMM連接引腳的第一序列303，以及沿DIMM插槽301的右邊接收DIMM連接引腳的第二序列311。在DIMM配置中的每個引腳是用不同的信號或沒有任何信號來識別的，這取決于所插入設備的類型而定。例如，如果插入一個SDRAM設備，則DIMM引腳166被設定作為一個SDRAM地址(SA)引腳，或者如果插入的是一個DRAM設備則該引腳被置為“存在探測(presence detect)”引腳(PD)。當作為“存在探測”引腳使用時，例如如果插入的是一個DRAM設備則在引腳上會產生一個“0”邏輯電平，相似地，引腳132在插入設備是SDRAM是被置為存儲器地址引腳，而在插入設備是DRAM時作為“存在探測”引腳。
如圖4所示，一個示例布局例如包括位于一個存儲器卡(未示出)上四個相互鄰接的DIMM插槽401，403，405和407。每個DIMM插槽401，403，405和407包含相應的SA1/PD8引腳位置166A，166B，166C和166D。為了有選擇性地連接到DIMM設備的相應引腳，每個DIMM插槽401，403，405和407包含相應的A13/PDE引腳位置132A，132B，132C和132D。這些引腳能夠各自將給定插槽的存在探測信息傳遞給存在探測位，也就是節(jié)點417和409。
如圖4所示，邏輯電平“1”通過一個上拉電阻411同公共點409相連，該公共點反過來同DIMM插槽405的引腳位置166C以及DIMM插槽407的引腳位置166D相連。一個SDRAM PRSNT CL信號被提供給每個插槽401，403，405和407的引腳82。相似地，一個SDRAMPRSNT DATA信號被提供給引腳83，并且READ SLOT(1-4)信號分別被提供給四個DIMM插槽401，403，405和407的每個引腳132。SDRAM PRSNT CL信號用于為給定的插槽計時以確定是否存在SDRAM DIMM。SDRAM PRSNT DATA信號用于當插槽中存在SDRAM時讀出給定插槽中的信息。READ SLOT(n)信號，也就是從READ SLOT#1到READ SLOT#4的信號，如果存在DRAM，則這些信號是活動低電平信號以指示相應的插槽輸出存在數據。公共點409也同門設備413的一個輸入相連。當READ_ID信號提供給其控制端子414并且在門413輸入端的信號SA1_HI為高電平時，門413可以有選擇性地進行操作以提供輸出信號XD7。在本發(fā)明中另一個門設備415的輸入端子同一個低邏輯電平或地線連接在一起。門415的輸出同公共端子417連接，該端子同DIMM插槽401的引腳位166A和DIMM插槽403的引腳位166B相連。公共端子417還通過一個上拉電阻419同本發(fā)明中的邏輯“1”電平或高邏輯電平相連。門415由提供給門415的控制端子421的一個SDRAM#信號進行控制。公共端子417還同另一個門423的一個輸入端子相連，在READ_ID信號提供給該門的控制端子425時，該門可以有選擇性地進行操作以提供一個XD6輸出信號。如果在插槽401或403上安裝的是一個DRAM設備，則XD6信號的輸出將為“0”。相似地，如果在插槽405或407上安裝的是一個DRAM設備則XD7將為“0”。這樣，如果任何插槽上安裝有DRAM設備，XD6或XD7將為邏輯“0”以進行指示。
圖5所示的表示出了可以安裝有DIMM設備的四個DIMM插槽401，403，405和407中每個插槽的SDRAM地址(SA)位的值?？梢宰⒁獾疆斣陬^兩個插槽或對應401和403的位置上安裝有SDRAMDIMM設備時，SA1位將處于邏輯“0”電平，當在DIMM插槽或對應405和407的位置上安裝有SDRAM DIMM設備時，SA1位將處于邏輯“1”電平。這樣通過得知是否有SDRAM設備安裝在四個插槽401，403，405和407的任何一個中，或者通過在每個設備的引腳166處確定該位的值，就可以確定在哪一個插槽中安裝了哪一種類型的DIMM設備。
例如，當在四個插槽中的任何一個中安裝一個DRAM設備時，在包含該DRAM的插槽的引腳插槽166的電平值將處于低或“0”邏輯電平。因此，如果在DIMM插槽401，403，405或407的任何一個中的引腳插槽166處探測到邏輯電平“1”或高邏輯電平時，則意味著在探測到“1”的插槽中存在SDRAM。因為插槽不能既包含SDRAM設備和DRAM設備，一旦通過檢查引腳166就可以進行任何一個插槽中是否存在SDRAM設備的判斷，從而可以得知每個插槽包含SDRAM設備或者為空，并且知道沒有插槽包含DRAM設備。
在圖6中，示出了圖5所示的探測電路的示例操作的流程圖。如所示，當操作在601開始時，在603進行判斷，判斷是否第一個或下一個插槽包含SDRAM設備。這是通過使用SDRAM_PRSNT_CLK和SDRAM_PRSNT_DATA信號讀出SDRAM特征數據從而探測是否在某一個DIMM插槽中存在SDRAM來完成的。如果所返回的數據記錄是正確的，則在那個插槽中安裝有一個SDRAM DIMM。接下來，如果在分析的那個插槽中安裝SDRAM，在605將模式置為“SDRAM”。值得注意的是系統(tǒng)可以包含SDRAM設備或DRAM設備，但不能同時包含它們的混合體。如果某個插槽被探測出有SDRAM設備，則設置SDRAM模式并將存儲器控制器設置為存儲器SDRAM類型。接著，在607讀出SDRAM設備的SDRAM特征并且通過在609確定是否有其他的插槽繼續(xù)進行操作。SDRAM PRSNT CL和SDRAMPRSNT DATA信號用于讀出SDRAM DIMM的特征。在例子中的所有四個插槽都以這種方式進行檢測并讀出所有安裝設備的所有SDRAM特征。當在603探測出沒有任何插槽包含SDRAM時，處理跳過步驟605“設置SDRAM_MODE”，以及步驟607“讀出SDRAM特征”并直接回到603處理下一個插槽。當所有的插槽都經過SDRAM存在檢查之后，在611處理檢查確定是否設置了SDRAM模式。如果在611SDRAM模式已經進行了設置，則處理將在讀出所有插槽的SDRAM模式特征后結束。
如果在611初始插槽掃描處理沒有設置SDRAM模式，則在615將SDRAM#信號置為邏輯“1”電平并且將信號READ_ID置為邏輯“0”電平。當設置READ_ID信號時，激活適當的READ_SLOT(n)信號。接著在617進行判斷，判斷是否XD6(外部數據“6”)或者XD7(外部數據“7”)處于邏輯“0”電平。如果在本例中XD6或者XD7處于邏輯零電平，也就是當某個DIMM插槽的引腳166處于邏輯“0”電平時，可以判斷出存在DRAM DIMM，并讀出DRAM DIMM的特征。這一處理在621會對所有插槽繼續(xù)下去直到所有插槽都被檢查過，此時處理會在613結束。如果在對某個插槽檢查期間，在617 XD6或XD7都不等于“0”邏輯電平，則可以確定具體插槽為空，沒有任何設備，并且處理跳至617進行下一個插槽檢查。在這種方式下，所有的DIMM插槽首先進行SDRAM設備存在檢查，然后進行DRAM設備存在檢查，與此同時探測在哪一個插槽上安裝有設備以及哪一個插槽是空的。所探測到的DIMM信息同一個存儲器控制器通信以正確配置所安裝的DIMM的存儲器控制器。
結合本發(fā)明所帶的一個優(yōu)選實施例對本發(fā)明的方法和裝置進行了描述。盡管示出了本發(fā)明的一個實施例并結合某些變量對其進行了詳細描述，但那些熟悉該領域的人員可以輕易構造許多其他包含本發(fā)明教義的實施例，并且甚至可以包括或集成到一個處理器或CPU或其他更大的系統(tǒng)集成電路或芯片中。因此，本發(fā)明不打算限制其中出現(xiàn)的具體形式，恰恰相反，在不超出本發(fā)明的精神和范圍的情況下，它還覆蓋了其他選擇，修改以及等價物。
權利要求
1.一種用于識別多個類型的存儲器模塊中哪個存在于一個存儲器模塊插槽中的方法，所述方法包括檢測所述存儲器模塊插槽以確定一個第一類型的存儲器模塊是否存在于所述存儲器模塊插槽中；如果確定所述第一類型的一個存儲器模塊存在于所述存儲器模塊插槽中就設定一個第一存儲器類型模式；及如果確定所述第一類型的存儲器模塊不存在于所述存儲器模塊插槽中，則檢測所述存儲器模塊插槽以確定一個第二類型的存儲器模塊是否存在于所述存儲器模塊插槽中。
2.根據權利要求1所述的方法，進一步包括多個存儲器模塊插槽，所述方法包括掃描所述多個存儲器模塊插槽的每一個以確定所述存儲器模塊插槽的每一個是否包括一個所述第一或第二類型的存儲器模塊。
3.根據權利要求1所述的方法，進一步包括根據與所述第一類型存儲器模塊相一致的特征讀取所述存儲器模塊特征以確定一個所述第一類型的存儲器模塊存在于所述存儲器插槽。
4.根據權利要求1所述的方法，進一步包括根據與所述第二類型存儲器模塊相一致的特征讀取所述存儲器模塊特征以確定一個所述第二類型的存儲器模塊存在于所述存儲器插槽。
5.根據權利要求2所述的方法，進一步包括根據與被確定存在于每個所述存儲器插槽中的所述類型的存儲器模塊一致的特征讀取所述多個存儲器模塊的特征。
6.根據權利要求1所述的方法，其中所述存儲器插槽是一個DIMM存儲器插槽。
7.根據權利要求6所述的方法，其中所述第一類型存儲器模塊是一個SDRAM存儲器模塊。
8.根據權利要求6所述的方法，其中所述第二類型存儲器模塊是一個DRAM存儲器模塊。
9.一種電路，包括一個第一數目的存儲器模塊連接器插槽，每個所述存儲器模塊連接器插槽具有選擇性地與多個存儲器模塊類型中的一個連接的預定數目的連接器端子；與所述存儲器模塊連接器插槽相連接的控制電路裝置，所述控制電路裝置選擇性地檢測在所述連接器端子的預定的多個的模塊信號，所述控制電路裝置響應所述模塊信號提供識別所述類型的所述存儲器模塊哪一個與所述存儲器模塊連接器插槽的每一個相連。
10.根據權利要求9所述的電路，其中所述控制電路裝置進一步包括第一控制信號輸入裝置，所述第一控制信號輸入裝置用于選擇性地向所述連接器端子的預定的第一組提供一系列第一控制信號。
11.根據權利要求10所述的電路，其中所述第一控制信號影響所述模塊信號。
12.根據權利要求11所述的電路，其中所述第一控制信號輸入裝置包括上拉電阻，所述上拉電阻與所述連接器端子的所述預定的多個相連。
13.根據權利要求10所述的電路，其中所述控制電路裝置進一步包括一個第二控制信號輸入裝置，所述第二控制信號輸入裝置選擇性地將一系列第二控制信號應用于所述連接器端子的預定的第二組。
14.根據權利要求13所述的電路，其中所述第二控制信號影響所述模塊信號。
15.根據權利要求9所述的電路，其中所述存儲器模塊連接器插槽是DIMM連接器。
16.根據權利要求9所述的電路，其中所述存儲器模塊的所述類型包括存儲器模塊的SDRAM類型和DRAM類型。
17.根據權利要求15所述的電路，進一步包括一個與所述控制電路裝置相連的一個存儲器控制器，所述存儲器控制器響應根據所述模塊類型信號設置所述存儲器控制器的操作模式的所述模塊類型信號。
全文摘要
一種計算機系統(tǒng)包括一個存儲器子系統(tǒng),它具有可以接收RAM和SDRAM存儲器模塊器件的DIMM插槽。一個存儲器件檢測方法檢測在存儲器模塊插槽中是否裝入存儲器模塊,處理安裝的存儲器模塊的預定引腳的信號電平以識別所安裝的存儲模塊的具體類型。根據被檢測到存在的模塊的類型設置相關的存儲器控制器的方式,并讀取存儲器模塊的特性。
文檔編號G11C5/00GK1249483SQ99120558
公開日2000年4月5日 申請日期1999年9月29日 優(yōu)先權日1998年9月30日
發(fā)明者小路易斯·B·卡普斯, 羅伯特·C·狄克遜, 范·H·李, 托伊·尼古延 申請人:國際商業(yè)機器公司