專利名稱：磁頭及其生產(chǎn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一磁頭及其生產(chǎn)方法。特別是本發(fā)明涉及應(yīng)用在磁盤驅(qū)動器或磁帶驅(qū)動器的磁頭及其生產(chǎn)方法。
由于增加了裝置的錄制密度，結(jié)果磁盤驅(qū)動器或磁帶驅(qū)動器在磁道密度中得到了顯著改進，因而需要一個磁頭，它具有狹窄的核心寬度和僅允許少量錄制模糊度。特別是如果采用正日益得到認可的MR磁頭(磁阻頭)，則最好采用僅有少量錄制模糊度和擁有完美偏磁道特性的磁頭，因為大寬度磁層的共用肯定會形成MR磁砂的磁屏蔽，成為跨越錄制寫入間隙層相對的兩個錄制磁極之一，這種共用已很通用，但也易加劇錄制的模糊度。
人們知道，上錄制磁極和下錄制磁極在寬度上的均衡能有效地實現(xiàn)具有狹窄核心寬度及僅允許少量錄制模糊度的上述磁頭。已有很多方法建議用來生產(chǎn)這種式樣的磁頭。
將舉出這樣的例子采用聚焦離子光束(FIB)從空氣軸承表面(AB；)，即從對著磁性介質(zhì)的表面一側(cè)；來修整磁極。例如，在專利JP-A-03-296,907中提出了一個磁頭，它從磁頭的空氣軸承表面(ABS)一側(cè)用聚焦離子光束(FIB)來修整上、下磁極磁頭而獲得完美偏磁道特性。
特別是，在具有導(dǎo)軌表面102(空氣軸承表面(ABS))的滑觸頭101形成后，如

圖1A所示，在滑觸頭101上形成的磁頭103的上磁極104的側(cè)向部分通過暴露在聚焦離子光束(FIB)曝光來修整，同時下磁極105的上層部分也一起作修整，使下磁極105和上磁極104在寬度上均衡，如圖1B和1C所示。
除這種方法外，也有這樣的方法先形成上磁極，接著的晶片加工期間，以上磁極本身作為蝕刻掩模，用離子研磨來修整下磁極。由于此方法用修整方法來避免上磁極寬度的調(diào)整，因而上磁極寬度的精度取決于形成上磁極所用的電鍍模式的精度。
然而，實現(xiàn)如圖1A至1C的上磁極104和下磁極105的修整方法將引起以下問題。
第一，由于對聚焦離子光束曝光是在晶片切割成塊后進行的，而且導(dǎo)軌面102是在這個塊上形成的，因此基片的處理和聚焦離子光束的定位都是復(fù)雜的。再者，關(guān)于可靠性方面，該方法的問題極大，因為當導(dǎo)軌面102在接觸開始和停止(CSS)區(qū)接觸錄制介質(zhì)的表面時，在圖1C所示的導(dǎo)軌面102中形成的凹陷106肯定會聚集灰塵和其中的潤滑劑。
JP-A-03-296,907(KOKAI)告知用無磁性材料填充凹陷以解決該問題。由于導(dǎo)軌表面在基片上加工，而基片已不再是晶片，而是一個小塊，所以填充凹陷工作本身非常困難。
再者，由聚焦離子光束形成的凹陷邊緣容易形成尺寸為0.1-0.2微米的圓角。當核心寬度接近1微米時，這種圓角尺寸不應(yīng)忽略。
加之，除非導(dǎo)軌表面102完全經(jīng)受電中性處理，否則聚焦離子光束將對該表面充電，而它必然會破壞易受靜電損害的機械記錄元件。
已知一種解決該問題的方法在晶片加工期間，用上磁極作為蝕刻掩模，使磁屏蔽層承受離子研磨。盡管該方法可易于處理具有晶片單元尺寸的基片，但它仍存在如下缺點不可避免地對非磁極部分進行了蝕刻，使已蝕刻部分的再沉積膜附著到磁極的側(cè)面，以及難以改進核心寬度的精度。
本發(fā)明的目的是提供一個磁頭，它避免在磁記錄介質(zhì)的相對一側(cè)上形成任何凹陷，耐受強靜電充電，并允許提高磁極寬度的精度；以及生產(chǎn)這種磁頭的方法。
本發(fā)明設(shè)想在一個晶片上形成上磁極，然后沿膜厚方向投射聚焦離子光束，來修整上磁極的磁極端部的相對兩側(cè)部分，同時直接處于上磁極之下的下磁極上層中形成凹陷部分，并用非磁保護層來填充凹陷部分。
所以，當晶片被分割成使磁極端部的前端被暴露時，磁極端部前端及其附近區(qū)域，即對著磁性錄制介質(zhì)的磁頭表面，不再出現(xiàn)凹陷部分。對著磁錄制介質(zhì)的表面不易附著灰塵。
因為仍為晶片形式的上磁極和下磁極同時曝光在聚焦離子光束中，至少在晶片上的下磁極，上磁極，電鍍導(dǎo)電膜中的一個能夠容易地接地。利用這個接地，如果在下磁極下面存在一個磁阻元件，它可以避免靜電沖擊。
再者，由于聚焦離子光束從外面移向磁極端部的側(cè)向部分，被聚焦離子光束撞擊而擴散的磁極材料不容易附著在磁極端部的側(cè)向部分上，因此不會降低磁極端部寬度的精度。
如果直接處于上磁極的磁極端部下面的下磁極表面上覆蓋比其它區(qū)域高的飽和磁流密度層或電阻層，可以防止由于下磁極的磁飽和引起的信號變化，或者避免由于渦流引起的頻率特性的惡化。
如果增加對著上磁極及其鄰區(qū)的下磁極的上表面面積，以升高在聚焦離子光束曝光時可能在下磁極中形成的凹陷部分，則可以避免在最靠近磁極端部地方，得到深度最大的凹陷部分的可能性。如果準備在與上磁極的磁極端部相分離的下磁極區(qū)域中形成凹陷部分，則可對該凹陷部分的中心處增加深度，并可排除在最接近磁極端部區(qū)域內(nèi)凹陷部分呈現(xiàn)最大深度的可能性。
圖1A至1C是透視圖，表示在常規(guī)的磁頭中修整上磁極的實例；圖2A至2F是從磁頭前端觀察的橫截面，表示生產(chǎn)本發(fā)明磁頭的方法，圖3A至3F是從磁頭線圈形成部分的側(cè)面部分觀察的橫截面，表示生產(chǎn)本發(fā)明磁頭的方法，圖4A是平面圖，表示磁頭中的上磁極和螺旋線圈，圖4B至4D是平面圖，顯示在修整上磁極過程中聚焦離子光束的掃描方向；圖5A至5C是說明一種方法的示意圖，從生成磁頭工序開始，經(jīng)過從晶片把一個磁頭分割成棒形的工序，直到把棒料作成滑座形狀的工序。
圖6是透視橫截面，表示在分解狀態(tài)時本發(fā)明磁頭的腰部；圖7是平面圖，表示修整本發(fā)明磁頭的上磁極的另一實例；圖8A和8B是橫截面，表示修整本發(fā)明磁頭上磁極的再一實例；圖9A和9B是橫截面，表示修整本發(fā)明磁頭上磁極的又一實例；
圖10A至10C是橫截面，表示修整本發(fā)明磁頭上磁極的另一實例；圖11是平面圖，表示應(yīng)用本發(fā)明磁頭的磁盤驅(qū)動器的實例。
本發(fā)明的優(yōu)選實施例將附圖描述如下。
圖2A至2F和圖3A至3F是說明生產(chǎn)本發(fā)明磁頭方法的截面圖。圖2A至2F是從對著磁盤的磁頭部分，來觀察的磁頭截面圖。圖3A至3A是磁頭的橫截面，它是從具有電感寫入和磁阻記錄讀出合成型磁頭的螺旋線圈的一側(cè)觀察而得。
首先，對圖2A范圍所示工序作簡要的描述。
在由鋁鈦碳化物(Al2O3TiC)，鐵酸鹽或鈦酸鹽鈣制成的基本為圓盤形的晶片1上，疊加上由Al2O3制成的基片保護膜2，由NiFe制成的下磁防護層3，和由Al2O3制成的第一無磁性絕緣層4。
然后，磁性變換器5形成在第一無磁性絕緣層4上。磁性變換器5裝在無磁性絕緣層4的上表面上，它可沿縱向和橫向分開。
磁性變換器5可以是各向異性的磁阻元件或是自旋閥磁阻元件。一對引槽5A連接在磁性變換器5的相對端，并從第一無磁性絕緣層4上抽出。
另外，用以覆蓋磁性變換器5和引槽5A、并由Al2O3制成的第二無磁性絕緣層6在第一無磁性絕緣層4上形成。由NiFe制成的上磁性保護層7疊加在第二無磁性絕緣層6上。
在上述所得的疊加層中，由Al2O3制成且厚度約為0.2-0.6μm的寫入間隙層8在上保護層7上形成。在對著磁盤的寫入間隙層8的部分中，它完成了產(chǎn)生錄制磁通量的功能。由于感應(yīng)線圈型磁頭的上磁保護層7可起到下磁極的功能，它有時被稱為“下磁極”。
然后，如圖3A所示，在寫入間隙層8上，形成插入在第三和第四無磁性絕緣層9和10之間的螺旋線圈11。第三和第四無磁性絕緣層9和10由熱固化感光膠形成。通過第三和第四無磁性絕緣層9和10和寫入間隙層8，形成了中心穿過螺線圈11的通孔12。第三和第四無磁性絕緣層9和10及螺旋線圈11的位置均不對著磁性錄制介質(zhì)(例如磁盤或磁帶)。通過圖3A沿I-I線所取得橫截面以放大形式展示在圖2A中。
此后，由NiFe制成的電鍍底層13能夠覆蓋住第四無磁性絕緣層10和寫入間隙層8，并同時封閉在第四無磁性絕緣層10中的孔12，如圖2B和圖3B所示。感光膠14涂敷在電鍍底層13上。使感光膠14曝光并顯影，用來在感光膠14中形成窗口14a，它為上磁極的形成打開了一個空間。窗口14的形成使孔12再次曝光。
采用電鍍技術(shù)，在感光膠14的窗口14a中形成的NiFe的上磁極層15，它有幾個微米厚如圖2C和圖3C所示。如圖4A所示，在窗口14a中的上磁極層15具有這樣的形狀使它在對著磁錄制介質(zhì)的區(qū)域和附近區(qū)域具有細長的磁極端部15a，并通過孔12和下磁極7相連接。順便說及，磁保護層3和7及上磁極15的厚度范圍設(shè)定在2至4微米之間。除上面提及的鐵鎳合金NiFe外可由鈷基合金如CoNiFe來組成這些構(gòu)件。當采用噴鍍技術(shù)來代替電鍍技術(shù)時，可采用如FeN或FeNZr的鐵基合金或者如CoZr的鈷基合金。
當不采用電鍍技術(shù)而采用噴鍍技術(shù)來生成上磁極15時，則不再需要電鍍底層13。由噴鍍技術(shù)法生成的上磁極15是采用光刻法來成型的。
當隨后除去感光膠14時，從基片上同時除去疊加在感光膠上的上磁極15，而只有在窗口12內(nèi)的上磁極15仍留下，其形狀如圖4A所示。
在用溶劑除去感光膠14以后，由聚焦離子光束(FIB)的撞擊來修整與寫入間隙層8接觸的上磁極15的磁極端部15a兩側(cè)部分和下磁極7的上層部分，如晶片1還未被分割的圖2D和圖4B中所示。
按照此種修整方法把上磁極15的磁極端部15a的寬度調(diào)整到所需的尺寸，同時在下磁極7的上層部分形成溝槽7a，它位于磁極端部15a的相對兩側(cè)。
使聚焦離子光束(FIB)沿磁極端部15a的側(cè)面方向從磁極端部15a的外面向內(nèi)移動，同時沿15a凸臺方向作來回掃描，如圖4B所示，可實現(xiàn)聚焦離子光束的曝光。當聚焦離子光束(FIB)的掃描產(chǎn)生如圖4C和4D所示的單向運動時，可產(chǎn)生與來回模式同樣的效果。
上述從磁極端部15a外面向內(nèi)移動聚焦離子光束的原因是被聚焦離子光束撞擊而擴散的磁性材料可能要附著在磁極端部15a的側(cè)面上，因而降低了磁極端部15a寬度的精確度，對這種異常情況的可能性必須加以排除。如果聚焦離子光束從磁極端部15a側(cè)面向外移動，由聚焦離子光束擴散的磁極材料將不可避免的附著在磁極端部15a的側(cè)面，并且大大地增加了磁極端部15a的寬度。
在完成了上述的修整處理以后，暴露在上磁極層15以外區(qū)域中的電鍍底層B，如圖2E和圖3E所示，將要由離子研磨將其去除。研磨將使上磁極層15的厚度減小了與電鍍底層13相同的厚度。由于電鍍底層13的材料與上磁極層15的材料相同，允許上述已變薄的上磁極層15基本恢復(fù)到上磁極15開始形成時所具有的厚度。
此后，將形成一個與傳感器5或線圈11相連的電極墊層(圖中未示)。在如圖2F和圖3F所示的整個面積上形成Al2O3的保護層16以后，在磁極端部15a的相對兩側(cè)的下磁極層(上磁極保護層)7中的凹陷7a，將完全由保護層16來填充。
在上磁極形成以后或保護層形成以前的任何時候均可進行該修整處理。
例如，形成上磁極層15，去除電鍍底層13，在上磁極層15及其周圍區(qū)域上形成為電極墊層所用的另一個電鍍底層，在另一個電鍍底層上用電鍍技術(shù)形成電極墊層，然后把聚焦離子光束照射到磁極端部15a上。
由于至此描述的工序均是在晶片1被分割之前進行的，一磁感型的磁頭17可相互分開地形成在晶片1上，如圖5A所示。此后，晶片1分割成若干如圖5B所示的板條1a，并且在板條1a上形成導(dǎo)軌面1b和1c，每個板條1a從晶片1分離開來形成一個滑座18。
磁感型寫入/磁阻讀出復(fù)合型磁頭17和傳感器5之間的位置關(guān)系表示在圖6的透視圖上。在圖6中，參考數(shù)字15b表示一個由聚焦離子光束修整的磁極端部15a的一部分，參考數(shù)字19表示磁記錄介質(zhì)。
如果下磁極7上形成凹陷7a之前其上表面為平面，由于聚焦離子光束的撞擊，在下磁極7中形成的凹陷7a是這樣的它的深度直接達到磁極端部15a側(cè)面最下端，并當凹陷從磁極端部15a沿側(cè)向離開時深度相應(yīng)地降低。當然，凹陷7a挖出的形狀沒有必要受圖示的限制，因為它隨著聚焦離子光束撞擊的方式而變化。
本發(fā)明的另一個實施例如圖7所示。在這個實施例中，上磁極15的磁極端部15a是這樣形成的沿磁道寬度方向，其尺寸隨著離ABS面距離的增加而逐級增加。連續(xù)進行加工，并逐步地移動聚焦離子光束曝光位置，很容易生產(chǎn)出這種形式。這種特殊形式可有效地抑制遠離ABS面的相對面的磁極部分中所產(chǎn)生的原因不明的磁飽和現(xiàn)象。
圖8A和8B還表示了本發(fā)明的另一個實施例。該實施例代表了這樣一種情況，首先使下磁極7的側(cè)面位置曝光于聚焦離子光束中，其位置與上磁極15的磁極端部15a稍微偏離了約為0.2-1微米范圍的尺寸，由此開一個很淺的凹陷7a，然后把上磁極15的磁極端部15a的側(cè)面部分和下磁極7在聚焦離子光束中曝光，由此進行修整。在本實施例中，在形成如氧化鋁材料的保護層16期間的工序段，即晶片制造工藝的最后工序?qū)⒈贿M一步擴大，因為在下磁極7中的凹陷7a不是很容易呈現(xiàn)出具有陡峭斜面的底部形狀。
圖9A和9B還表示了本發(fā)明的另一個實施例。該實施例代表了這樣一種情況，利用由電鍍產(chǎn)生的Ni82Fe18薄膜形成下磁極7(飽和磁流密度1泰斯拉(T)和比電阻18μΩcm)，利用Ni50Fe50薄膜在下磁極7上疊加高度飽和的磁流密度型式20(飽和磁流密度1.5泰斯拉及比電阻40μΩcm)，該薄膜是直接電鍍在磁極端部15a的下面及其附近區(qū)域(例如在磁極端部15a的一側(cè)約0.2-1.0微米范圍之內(nèi))，此后把磁極端部15a和它下面的下磁極7的凸臺7b曝露在聚焦離子光束下，由此使其寬度大致相等。本實施例除了在形成如氧化鋁材料保護層16期間，有效地改善了整個工序以外，還允許生產(chǎn)出這樣的磁頭它只具有小的磁極磁飽和，這是因為在下磁極的表面上采用了高飽和的磁流密度材料，尤其是，它在高頻下僅遭受到很弱的渦流電流，這是因為采用了高電阻材料，自然，在這種情況下，至少上磁極15的一部分最好用是高飽和的和高比電阻的材料制成。在離開磁極端部15a約0.2-1.0μm的一側(cè)，在下磁極7上加寬高飽和磁流密度材料模式或者高電阻材料模式，其尺寸可有效地減少修整處理所花的時間。減少修整時間的特有理由是可采用與下磁極其它部分相同材料制成的模式，來替代上述高飽和磁流密度模式20。
上述磁感寫入/磁阻讀出復(fù)合型磁頭對錄制和復(fù)制都適用。
嘗試在下磁極中形成半圓形橫截面的凹陷已證明對寫入磁信息是不成功的，原因是下磁極7的凸臺7b基本上呈現(xiàn)梯形形狀，它具有寬的底邊，使錄制磁場的分布必然放大。
可以設(shè)想，在聚焦離子光束曝光期間用電阻掩模來覆蓋的上磁極。因為在位置對準精度方面，采用這個特殊方式的上磁極等于或小于前述不采用電阻掩模的實施例，這個方式已證明對生產(chǎn)磁頭沒有優(yōu)越性，因為在工藝過程中需增加形成電阻掩模的額外工序。
為了縮短上述聚焦離子光束輻射設(shè)備的操作時間，可以采用以下工藝過程，作為使圖2C所示狀態(tài)發(fā)生變化的時間。
首先如圖10A所示，有選擇地利用離子研磨去除未被上磁極15覆蓋的內(nèi)涂層13的電鍍區(qū)。這時由于離子研磨上磁極15也被刻蝕而稍稍失掉一些厚度。
如果上磁極15是用噴鍍技術(shù)形成，生成電鍍底層13就沒有必要了。
其次如圖10B所示，有選擇地去除未被上磁極15覆蓋的寫入間隙層8區(qū)域。如果寫入間隙層8正好是由Al2O3形成，可采用離子研磨技術(shù)去除寫入間隙層8。如果寫入間隙層8是由SiO2形成，利用含水氟化氫酸或者相關(guān)技術(shù)得到的反應(yīng)氣體的濕蝕刻技術(shù)不能蝕刻下磁極層7。
當把這些層去除以后，電鍍的內(nèi)涂層13和寫入間隙層8只被保留在磁極端部15a和下磁極7之間。
此后如圖10C所示，磁極端部15a的側(cè)面部分和下磁極7暴露在聚焦離子光束中，以減小磁極端部15a側(cè)面之間的寬度，并在磁極端部15a的相對兩側(cè)之下，在下磁極7上形成凹陷部分7a。然后用保護層覆蓋上磁極15和下磁極7。
按圖10A到圖10C所示的過程，可以縮短聚焦離子光束輻射設(shè)備對每個晶片的操作時間，因此利用聚焦離子光束輻射設(shè)備加工的晶片數(shù)量可以增加，因為如上所述，利用聚焦離子光束曝光來去除電鍍的內(nèi)涂層13和寫入間隙層8的時間可以免掉。
由于采用聚焦離子光束輻射來形成下磁極7中的凹陷部分7a以及接著用離子研磨技術(shù)去除電鍍的內(nèi)涂層工序，即與圖2D和2E相反的工序，利用離子研磨使凹陷部分7a深度增加的可能性為零。
如果由噴鍍技術(shù)生成的上磁極15采用照相光刻技術(shù)來成型，在上磁極15成型之后和聚焦離子光束輻射之前，在上磁極15之外曝光的寫入間隙層8將被去除。
帶有上述磁頭的磁盤驅(qū)動器的一個例子如圖11的平面視圖所示。
磁盤驅(qū)動器40的腔內(nèi)，有一個上述結(jié)構(gòu)的磁頭42與臂41的前端相連，臂41安裝成可使其前端在磁盤43上運動。
本發(fā)明預(yù)期在晶片上形成一個上磁極，然后沿膜厚度的方向投射一個聚焦離子光束，由此修整上磁極的磁極端部的相對兩側(cè)部分，并同時在直接處于上磁極下面的下磁極的上層中形成凹陷部分，利用上述非磁保護層填充凹陷部分，所以當晶片被分割成暴露出磁極端部的前端時，磁極端部的前端及其附近區(qū)域，即對著磁記錄介質(zhì)的磁頭面，不產(chǎn)生凹陷部分。對著磁記錄介質(zhì)的磁頭面不容易粘上灰塵。
因為上磁極和下磁極一起作修整，而同時它們還是整體晶片的一部分，因此可采取這樣的措施，如下磁極接地，或者在電鍍上磁極時從導(dǎo)電膜的上邊修整磁極，來使下邊的磁阻元件避免受靜電破壞。
另外，由于聚焦離子光束從外面移向磁極端部的側(cè)面部分，由聚焦離子光束撞擊而擴散的磁極材料不容易附著在磁極端部的側(cè)面部分，因此不可能降低磁極端部寬度的精度。
如果直接處于上磁極的磁極端部之下的下電極表面被高于其它區(qū)域的飽和密度層或者電阻層覆蓋，則可制止由于下磁極的飽和能引起的信號改變，或者避免由渦流電流引起的頻率特性的惡化。
如果增加對著上磁極及其鄰區(qū)的下磁極的上表面面積，以升高在聚焦離子光束曝光時可能在下磁極中形成的凹陷部分，則可以避免在最靠近磁極端部地方，得到深度最大的凹陷部分的可能性。如果準備在與上磁極的磁極端部相分離的下磁極區(qū)域中形成凹陷部分，則可對該凹陷部分的中心處增加深度，并可排除在最接近磁極端部區(qū)域內(nèi)凹陷部分呈現(xiàn)最大深度的可能性。
權(quán)利要求
1.生產(chǎn)磁頭的方法包括的工序是在晶片上形成下磁極，在上述下磁極上形成一個非磁寫入間隙層，在上述非磁寫入間隙層上形成一個線圈，它嵌入非磁絕緣層的相對部分之間，在上述非磁絕緣層之上形成一個上磁極，它具有一個與上述寫入間隙層接觸的磁極端部，沿膜厚度的方向?qū)ι鲜龃艠O端部的側(cè)面部分，直接處于其下的上述非磁絕緣層，以及上述下磁極投射一個聚焦離子光束，由此修整上述磁極端部相對兩側(cè)，因而減少上述磁極端部的寬度，同時在從上述磁極端部兩側(cè)下面向外延伸的區(qū)域中，在上述下磁極中形成凹陷部分，以及使得在上述凹陷部分中插入的上述下磁極寬度與上述磁極端部寬度相均衡；形成一個保護層，它由非磁絕緣材料制成，適于填充上述凹陷部分，并同時適于覆蓋上述上磁極和上述下磁極。
2.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中上述聚焦離子光束是從上述磁極端部的外面沿著上述磁極端部的側(cè)面部分方向作運動，伴隨著重復(fù)的來回掃描運動，或者從上述磁極端部前端向其底部作單向的掃描運動。
3.按照權(quán)利要求2生產(chǎn)磁頭的方法，其中對位于上述磁極端部側(cè)面之外區(qū)域的上述下磁極部分，投射聚焦離子光束來初步形成上述凹陷部分的一部分，然后用上述聚焦離子光束來修整上述磁極端部的側(cè)面部分和上述下磁極。
4.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中在對著上述磁極端部及其鄰區(qū)的上述下磁極部分中，形成寬度比上述磁極端部大的模式磁層，并用上述聚焦離子光束的曝光來部分去除上述磁層的相對兩側(cè)部分。
5.按權(quán)利要求4生產(chǎn)磁頭的方法，其中上述磁層具有比上述下磁極更高的飽和磁流密度層或者電阻層。
6.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中在上述下磁極形成之前先進行如下補充工序在上述晶片上形成一個專用于讀出的元件，以通過下磁屏蔽層和第一非磁絕緣層的介質(zhì)，并在上述元件上形成專用于讀出的第二非磁絕緣層。
7.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中上述凹陷部分的底面形成傾斜，使沿著從上述磁極端部外側(cè)的外面到上述磁極端部直接下方的方向上其深度增加。
8.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中為形成上述上磁極的操作包括在上述非磁絕緣層上和上述非磁寫入間隙層上形成電鍍底層；在上述電底底層上形成一個包括一個窗口在內(nèi)的電阻模式，以及利用上述電鍍底層作為電鍍電極，電鍍通過上述窗口暴露的上述電鍍底層，由此使磁性材料增厚。
9.按權(quán)利要求1生產(chǎn)磁頭的方法，其中在向上述聚焦離子光束曝光之前，去除未被上述上磁極覆蓋的上述非磁寫入間隙層的區(qū)域。
10.按權(quán)利要求9生產(chǎn)磁頭的方法，其中在上述聚焦離子光束曝光之后，去除未被上述上磁極覆蓋的上述電鍍底層的區(qū)域。
11.一個磁頭包括在晶片形成的一個下磁極；在上述下磁極上形成的一個非磁寫入間隙層；在上述非磁寫入間隙層上形成一個上磁極，它帶有一個具有細小前端的磁極端部；從上述磁極端部的側(cè)面正下方，沿側(cè)向形成的兩個凹陷部分，它們隔著寬度等于上述磁極端部的區(qū)域相互相對；一個非磁絕緣材料的保護層，用以填充上述凹陷部分，并且覆蓋上述上磁極和下磁極；嵌入在非磁絕緣層的相對部分之間的線圈，上述非磁絕緣層處于上述上磁極和上述下磁極之間。
12.按權(quán)利要求11的一個磁頭，其中在緊靠上述磁極端部的側(cè)面部分，上述凹陷部分具有最大的深度。
13.按權(quán)利要求11的一個磁頭，其中在與上述上磁極的上述磁極端部相對的區(qū)域中，上述下磁極的上層部分具有比上述下磁極其它部分高的飽和磁流密度。
14.按權(quán)利要求11的一個磁頭，其中在與上述上磁極的上述磁極端部相對的區(qū)域中，上述下磁極的上層部分具有比上述下磁極其它部分高的電阻。
15.按權(quán)利要求11的一個磁頭，其中上述磁極端部沿其前端方向逐步收縮。
全文摘要
一個磁頭包括:在晶片形成的一個下磁極、在下磁極上形成的一個非磁寫入間隙層、在非磁寫入間隙層上形成一個帶有細前端磁極端部的上磁極,從磁極端部側(cè)面的正下方,沿側(cè)向形成并隔著寬度等于磁極寬度的區(qū)域相對著的兩個凹陷部分,一個用以填充凹陷部分,并且覆蓋上磁極和下磁極的非磁絕緣材料的保護層以及嵌入在非磁絕緣層(處于上磁極和下磁極之間)的相對部分之間的線圈。
文檔編號G11B5/187GK1197977SQ98104028
公開日1998年11月4日 申請日期1998年1月24日 優(yōu)先權(quán)日1997年4月25日
發(fā)明者越川譽生, 長井篤彥 申請人:富士通株式會社