磁頭組件以及磁盤裝置的制造方法
【專利摘要】提供可以減少由動作時的驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地獲得磁頭元件的位移量的磁頭組件以及磁盤裝置。磁頭組件(2)具備：第1緩沖部(55a)，連結(jié)第1增強部(51a)和第1位移傳遞部且彎曲剛性低于第1增強部(51a)以及第1位移傳遞部；第2緩沖部(56a)，連結(jié)第2增強部(52a)和撓性件的主體部(15a)且彎曲剛性低于第2增強部(52a)以及撓性件的主體部(15a)；第3緩沖部(55b)，連結(jié)第3增強部(51b)和第2位移傳遞部且彎曲剛性低于第3增強部(51b)以及第2位移傳遞部；第4緩沖部(56b)，連結(jié)第4增強部(52b)和撓性件的主體部(15a)且彎曲剛性低于第4增強部(52b)以及撓性件的主體部(15a)。
【專利說明】
磁頭組件以及磁盤裝置
技術(shù)領(lǐng)域
[0001]本發(fā)明涉及為了進一步使用于計算機的存儲裝置等的磁盤裝置高記錄密度化而具備微致動器等的磁頭旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的磁頭組件以及磁盤裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年來，相對于設(shè)置于磁盤裝置的磁盤的記錄密度正日新月異地朝著高密度化發(fā)展。在磁盤裝置中設(shè)置有搭載有相對于磁盤進行數(shù)據(jù)的記錄以及再生的磁頭的滑塊，該滑塊被磁頭組件支撐。
[0003]磁頭組件被搭載于磁頭致動器臂并由音圈馬達(VCM)而可旋轉(zhuǎn)地構(gòu)成磁頭致動器臂。由該VCM，能夠?qū)⒋钶d于滑塊的磁頭定位控制于磁盤上的任意的位置。
[0004]然而，為了相對于磁盤進一步以高密度記錄數(shù)據(jù)而有必要進一步對相對于磁盤的磁頭的定位進行高精度化，即使單單由VCM使磁頭致動器壁旋轉(zhuǎn)并對磁頭進行定位，也不能夠使磁頭的定位高精度化。
[0005]例如，在專利文獻I中公開有具備現(xiàn)有的磁頭旋轉(zhuǎn)機構(gòu)的磁頭組件的整體結(jié)構(gòu)。薄膜壓電體元件被固著于磁頭組件的前端部的撓性件(flexure)，如果將電壓施加于薄膜壓電體元件的話則薄膜壓電體元件發(fā)生伸縮，由此，滑塊以支點突起為中心進行旋轉(zhuǎn)并且磁頭的位置發(fā)生微小位移而被精密定位控制于磁道(track)。
[0006]另外，在專利文獻2中提出了將平衡配重(counterbalance)設(shè)置于在支點突起周圍旋轉(zhuǎn)自如地支撐滑塊的萬向節(jié)(gimbal)部的對稱軸上來提高共振頻率特性并高速地進行定位的技術(shù)。
[0007]現(xiàn)有技術(shù)文獻
[0008]專利文獻
[0009]專利文獻1:日本專利申請公開2011-138596號公報
[0010]專利文獻2:日本專利第5360129號公報
[0011]可是，如專利文獻I所公開的技術(shù)那樣，在將旋轉(zhuǎn)力賦予滑塊的驅(qū)動元件為薄膜壓電體元件的情況下，由驅(qū)動元件的翹曲而產(chǎn)生驅(qū)動元件的鉛垂方向的反作用力，該驅(qū)動元件的翹曲由通過施加電壓而進行伸縮位移的薄膜壓電體元件和固著有薄膜壓電體元件的磁頭組件的前端部之間的位移差產(chǎn)生，前端部由撓性件的一部分構(gòu)成且不進行伸縮。在由該反作用力激發(fā)起負載梁(load beam)的共振頻率下的共振等的方面還有改善的余地。
[0012]另一方面，在專利文獻2中，通過由平衡配重將包含滑塊的萬向節(jié)部的重心匹配于成為旋轉(zhuǎn)中心的支點突起從而最小地設(shè)定旋轉(zhuǎn)部的慣性質(zhì)量，通過旋轉(zhuǎn)部的反作用不使負載梁所具有的固有頻率激發(fā)從而抑制負載梁的不需要的振動，但是，關(guān)于由驅(qū)動元件的翹曲的反作用力引起的負載梁的不需要的共振的抑制，與專利文獻I相同，還有改善的余地。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0013]本發(fā)明是有鑒于該狀況而完成的發(fā)明，其目的在于，提供一種可以減少由動作時的驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地獲得磁頭元件的位移量的磁頭組件以及磁盤裝置。
[0014]本發(fā)明所涉及的磁頭組件，其特征在于，具備:滑塊支撐板，在設(shè)置于負載梁的前端部的支點突起周圍旋轉(zhuǎn)自如地支撐具有磁頭元件的滑塊并且被形成于具備撓性基板的撓性件;第1以及第2驅(qū)動元件，對滑塊支撐板賦予沿著其平面的旋轉(zhuǎn)力;第1位移傳遞部，將第I驅(qū)動元件的驅(qū)動力傳遞到滑塊支撐板;第2位移傳遞部，將第2驅(qū)動元件的驅(qū)動力傳遞到滑塊支撐板;第1驅(qū)動元件支撐部，支撐第I驅(qū)動元件;第2驅(qū)動元件支撐部，支撐第2驅(qū)動元件;第I驅(qū)動元件支撐部具有:第I以及第2增強部，位于第I驅(qū)動元件的兩端;第I緩沖部，連結(jié)第I增強部和第I位移傳遞部且彎曲剛性低于第I增強部以及第I位移傳遞部;第2緩沖部，連結(jié)第2增強部和撓性件的主體部且彎曲剛性低于第2增強部以及撓性件的主體部;第2驅(qū)動元件支撐部具有:第3以及第4增強部，位于第2驅(qū)動元件的兩端;第3緩沖部，連結(jié)第3增強部和第2位移傳遞部且彎曲剛性低于第3增強部以及第2位移傳遞部;第4緩沖部，連結(jié)第4增強部和撓性件的主體部且彎曲剛性低于第4增強部以及撓性件的主體部。
[0015]根據(jù)本發(fā)明，第I驅(qū)動元件支撐部具有:第I以及第2增強部，位于第I驅(qū)動元件的兩端;第I緩沖部，連結(jié)第I增強部和第I位移傳遞部且彎曲剛性低于第I增強部以及第I位移傳遞部;第2緩沖部，連結(jié)第2增強部和撓性件的主體部且彎曲剛性低于第2增強部以及撓性件的主體部;第2驅(qū)動元件支撐部具有:第3以及第4增強部，位于第2驅(qū)動元件的兩端;第3緩沖部，連結(jié)第3增強部和第2位移傳遞部且彎曲剛性低于第3增強部以及第2位移傳遞部;第4緩沖部，連結(jié)第4增強部和撓性件的主體部且彎曲剛性低于第4增強部以及撓性件的主體部。因此，由彎曲剛性低的第I?第4緩沖部，能夠減少由動作時的第I以及第2驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力。因此，通過減少第I以及第2驅(qū)動元件的鉛垂方向的反作用力，從而能夠抑制不需要的共振。另外，通過減少由第I以及第2驅(qū)動元件的鉛垂方向的翹曲引起的反作用力，從而第I以及第2驅(qū)動元件的驅(qū)動力在平面方向上被傳遞并能夠放大磁頭元件的位移量。其結(jié)果，可以有效地獲得磁頭元件的位移量。
[0016]優(yōu)選可以為如下結(jié)構(gòu):第I緩沖部和第3緩沖部由將信號傳遞給磁頭元件的磁頭元件配線部構(gòu)成，第2緩沖部和第4緩沖部由將信號傳遞給第I驅(qū)動元件和第2驅(qū)動元件的驅(qū)動元件配線部構(gòu)成，第I位移傳遞部以及第I增強部、第2位移傳遞部以及第3增強部具有部分性地增強磁頭元件配線部的增強板，第2增強部和第4增強部具有部分性地增強驅(qū)動元件配線部的增強板。通過成為該結(jié)構(gòu)，從而由彎曲剛性低的第I?第4緩沖部來吸收由第I以及第2驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力，通過減少由第I以及第2驅(qū)動元件的鉛垂方向的翹曲引起的反作用力從而能夠抑制不需要的共振并且能夠放大磁頭元件的位移量。另外，因為第I?第4緩沖部可以在形成磁頭元件配線部以及驅(qū)動元件配線部的時候一起進行加工形成，所以不需要追加新的工序并且能夠抑制不需要的共振且能夠放大磁頭元件的位移量。
[0017]優(yōu)選可以為如下結(jié)構(gòu):第I緩沖部的第I增強部與第I位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于第2緩沖部的第2增強部與撓性件的主體部的連結(jié)方向上的長度，第3緩沖部的第3增強部與第2位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于第4緩沖部的第4增強部與撓性件的主體部的連結(jié)方向上的長度。通過成為該結(jié)構(gòu)，從而由第I以及第2驅(qū)動元件的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力被均等地施加到第I以及第2位移傳遞部和撓性件的主體部，并且能夠有效地減少反作用力。因此，能夠進一步抑制不需要的共振并且能夠進一步放大磁頭元件的位移量。
[0018]優(yōu)選可以為如下結(jié)構(gòu):第I緩沖部和第2緩沖部具有相對于第I驅(qū)動元件的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)，第3緩沖部和第4緩沖部具有相對于第2驅(qū)動元件的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)。通過成為該結(jié)構(gòu)，從而由第I以及第2驅(qū)動元件的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力被均等地施加到第I以及第2位移傳遞部和撓性件的主體部，并且能夠有效地減少反作用力。因此，能夠進一步抑制不需要的共振并且能夠進一步放大磁頭元件的位移量。
[0019]本發(fā)明所涉及的磁盤裝置，其特征在于，具備上述磁頭組件。根據(jù)本發(fā)明，能夠減少由動作時的驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力并抑制不需要的共振，并且能夠得到具備可以有效地獲得磁頭元件的位移量的磁頭組件的磁盤裝置。
[0020]根據(jù)本發(fā)明，能夠提供一種可以減少由動作時的驅(qū)動元件的翹曲引起的反作用力并抑制不需要的共振并且可以有效地獲得磁頭元件的位移量的磁頭組件以及磁盤裝置。
【附圖說明】
[0021]圖1是概略地表示具備本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的裝載/卸載方式的磁盤裝置的整體結(jié)構(gòu)的圖。
[0022]圖2是概略地表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。
[0023]圖3是概略地表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的分解立體圖。
[0024]圖4是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的撓性件的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。
[0025]圖5a是具備本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的第I驅(qū)動構(gòu)件的平面圖。
[0026]圖5b是圖5a中的A-A截面圖。
[0027]圖5c是圖5a中的B-B截面圖。
[0028]圖6是從上面?zhèn)瓤幢景l(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的前端主要部分的平面圖。
[0029]圖7是從下面?zhèn)瓤幢景l(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的前端主要部分的平面圖。
[0030]圖8a是圖6中的C-C截面圖。
[0031]圖8b是圖6中的D-D截面圖。
[0032]圖8c是圖6中的F-F截面圖。
[0033]圖9a是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了第I驅(qū)動構(gòu)件的粘結(jié)于撓性件的部分的截面圖。
[0034]圖9b是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了第2驅(qū)動構(gòu)件的粘結(jié)于撓性件的部分的截面圖。
[0035]圖10是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了動作時的第I驅(qū)動構(gòu)件的截面圖。
[0036]圖11是表示實施例1的磁頭組件以及比較例I的磁頭組件的第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件的動作時的頻率響應(yīng)特性的圖。
【具體實施方式】
[0037]以下，參照附圖，對本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式進行說明。還有，本發(fā)明并不限定于下述的實施方式。另外，在以下所記載的結(jié)構(gòu)要素中包括本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠容易設(shè)想的要素或?qū)嵸|(zhì)上相同的要素。再有，以下所記載的結(jié)構(gòu)要素能夠適當(dāng)組合。另外，在不脫離本發(fā)明的主旨的范圍內(nèi)，結(jié)構(gòu)要素的各種省略和置換或者變更是可能的。
[0038]圖1是概略地表示具備本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的裝載/卸載方式的磁盤裝置(HDD裝置)的整體結(jié)構(gòu)的圖。根據(jù)圖1，磁盤裝置I由機殼(hoUsing)4、以軸5為中心被主軸馬達旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的磁盤6、具有磁頭元件7的滑塊3被安裝于前端部的磁頭組件
2、在前端部支撐該磁頭組件2的支撐臂8構(gòu)成。
[0039]在支撐臂8的后端部安裝有音圈馬達(VCM)的線圈部(沒有圖示)，支撐臂8能夠以水平旋轉(zhuǎn)軸9為中心與磁盤6的表面相平行地進行旋轉(zhuǎn)。VCM由該線圈部和覆蓋其的磁鐵部1構(gòu)成。從磁盤6的數(shù)據(jù)區(qū)域的外側(cè)遍及到磁盤6的外側(cè)設(shè)置有斜坡機構(gòu)(ramp mechan i sm)11，通過設(shè)置于磁頭組件2的最前端的突片(tab)12擱淺于該傾斜的表面而使滑塊3從磁盤6分開并成為卸載狀態(tài)。
[0040]在磁盤裝置I的動作時(磁盤的高速旋轉(zhuǎn)中)，滑塊3與磁盤6的表面相對并以低上浮量進行上浮而處于裝載狀態(tài)。另一方面，在非動作時(磁盤的停止中或者啟動以及停止時的低速旋轉(zhuǎn)中)，因為磁頭組件2的前端部的突片12處于斜坡機構(gòu)11上，所以滑塊3處于卸載狀態(tài)。
[0041]圖2是概略性地表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的整體結(jié)構(gòu)的立體圖。還有，以下，為了便于說明，將附圖的Z軸正方向稱為磁頭組件2的上面?zhèn)?，將Z軸負方向稱為磁頭組件2的背面?zhèn)然蛘叻Q為下面?zhèn)取；瑝K3在滑塊3的后端(后緣，圖2的Y軸正方向偵Ij)面上具備由感應(yīng)寫入磁頭元件、巨磁阻效應(yīng)(GMR:Giant Magneto Resistance)讀出磁頭元件或者隧道磁電阻效應(yīng)(TMR:Tunnel magneto-resistance)讀出磁頭元件等的MR讀出薄膜磁頭構(gòu)成的磁頭元件7。
[0042]根據(jù)圖2，磁頭組件2具備作為其主要的結(jié)構(gòu)要素的底板13、負載梁(loadbeam)
14、撓性件(fleXUre)15、驅(qū)動元件16以及滑塊3。另外，底板13以被安裝于支撐臂8的前端部的形式進行構(gòu)成。
[0043]根據(jù)圖2，負載梁14通過多個第一束焊接點(beam welding point) 17a等而被固著于底板13。另外，板簧18被形成于負載梁14，并且以滑塊3相對于寫入信息的對象即記錄媒介物的磁盤面給予負荷的形式進行構(gòu)成。再有，負載梁14成為將折彎加工部19施加于兩側(cè)并提高強度的結(jié)構(gòu)。撓性件15由多個第二束焊接點17b等而被固著于負載梁14。還有，在圖2中，滑塊3的姿勢角的間距方向(pitch direct1n)以Dp表示，滾動方向(roll direct1n)以Dr表示，偏航方向(Yaw direct1n)以Dy表示。
[0044]圖3是概略性地表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的分解立體圖。圖4是表示本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的撓性件的結(jié)構(gòu)的分解立體圖。還有，在圖3中，表示將磁頭組件2分解成底板13、負載梁14、撓性件15、驅(qū)動構(gòu)件16、滑塊3的狀態(tài)。
[0045]根據(jù)圖3，滑塊3被粘結(jié)固定于被形成于撓性件15的滑塊支撐板20上。支點突起21在負載梁14的前端部附近的中心線上被一體地突出形成，支點突起21形成成為點接觸于被第I突出支架(outrigger)22a和第2突出支架22b支撐的滑塊支撐板20的樞軸(pivot)結(jié)構(gòu)那樣的結(jié)構(gòu)。由此，滑塊3以能夠?qū)?yīng)于磁盤面的起伏而平穩(wěn)地追隨上浮姿勢的形式被構(gòu)成。換言之，滑塊支撐板20旋轉(zhuǎn)自如地將滑塊3支撐于支點突起21的周圍。
[0046]撓性件15—般來說由撓性(flexible)配線基板構(gòu)成。撓性配線基板通過在撓性基板24上層疊絕緣層41和導(dǎo)體箔25而被形成，撓性基板24由20μπι左右的薄不銹鋼板構(gòu)成并且具有彈性。在絕緣層41上，通過層疊鍍敷有銅箔的素材而由導(dǎo)體箔25形成磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)。在此，具有撓性基板24和磁頭元件配線25a的撓性(flexible)配線基板能夠以蝕刻工藝將外形形狀以及配線結(jié)構(gòu)精密加工成任意的形狀。還有，在圖4中，本來是一體的撓性件15，但是，為了能夠容易理解地進行表示，將不銹鋼制撓性基板24和形成于絕緣層41上的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)分開來進行表示。
[0047]驅(qū)動元件16為薄膜壓電體元件，并具有對滑塊支撐板20賦予沿著其平面的旋轉(zhuǎn)力的功能。具體來說，驅(qū)動元件16由第I驅(qū)動構(gòu)件16a(第I驅(qū)動元件)以及第2驅(qū)動構(gòu)件16b(第2驅(qū)動元件)構(gòu)成，并且分別被粘結(jié)并支撐于第I驅(qū)動元件支撐部23a以及第2驅(qū)動元件支撐部23b上。還有，第I驅(qū)動元件支撐部23a以及第2驅(qū)動元件支撐部23b僅由形成撓性件15的絕緣層41形成。
[0048]圖5a是本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件所具備的第I驅(qū)動構(gòu)件的平面圖。圖5b是表示圖5a中的A-A截面，圖5c是表示圖5a中的B-B截面。還有，因為第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b的結(jié)構(gòu)相同，所以在此僅說明第I驅(qū)動構(gòu)件16a的結(jié)構(gòu)。第I驅(qū)動構(gòu)件16a通過上部電極27a被形成于薄膜壓電體26的上面?zhèn)炔⑶蚁虏侩姌O27b被形成于下面?zhèn)葋磉M行構(gòu)成。因為該第I驅(qū)動構(gòu)件16a是非常薄而且容易破損的結(jié)構(gòu)，所以設(shè)置作為增強材料的基臺28。
[0049]第I驅(qū)動構(gòu)件16a為了保護薄膜壓電體26而使元件整體被聚酰亞胺制的絕緣蓋30覆蓋。還有，絕緣蓋30在圖5a的C部、D部被除去一部分。具體來說，在C部，下部電極27b露出并與第I電極焊墊29a相導(dǎo)通。在D部，上部電極27a露出并與第2電極焊墊29b相導(dǎo)通。由此，通過電壓施加于第I電極焊墊29a和第2電極焊墊29b，從而能夠使第I驅(qū)動構(gòu)件16a的薄膜壓電體26伸縮。用箭頭表示薄膜壓電體26的極化方向。如果將負電壓施加于第I電極焊墊29a并將正電壓施加于第2電極焊墊29b的話則薄膜壓電體26由壓電常數(shù)d31而在壓電膜的面內(nèi)方向上進行收縮。還有，關(guān)于具有與第I驅(qū)動構(gòu)件16a相同結(jié)構(gòu)的第2驅(qū)動構(gòu)件16b，雖然沒有圖示，但是如果將負電壓施加于相當(dāng)于第I電極焊墊29a的第3電極焊墊29c并且將正電壓施加于相當(dāng)于第2電極焊墊的第4電極焊墊29d的話則薄膜壓電體26由壓電常數(shù)d31而在壓電膜的面內(nèi)方向上進行收縮。
[0050]圖6是從上面?zhèn)?滑塊側(cè))看本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的前端主要部分的平面圖。圖7是從背面?zhèn)瓤幢景l(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件的前端主要部分的平面圖(從背面?zhèn)瓤磮D6的磁頭組件的平面圖)。還有，為了便于說明，從圖中刪除負載梁14?；瑝K3被粘結(jié)于滑塊支撐板20上，并且設(shè)置有對應(yīng)于磁頭電極端子31的磁頭元件配線25a (磁頭元件配線部)且通過焊料球而被連接。
[0051]在圖6中，在配置于滑塊支撐板20的兩側(cè)的第I以及第2突出支架(OUtrigger)22a，22b上形成有一部分的第I折彎部32a和第2折彎部32b。再有，第I以及第2折彎部32a，32b以左右的第I以及第2折彎部32a，32b的各自的延長方向的交點與支點突起21相一致的形式進行構(gòu)成。另外，滑塊支撐板20成為由設(shè)置于第I以及第2突出支架(OUtrigger)22a，22b的中間位置的第I折彎部32a和第2折彎部32b的作用而以支點突起21為中心進行旋轉(zhuǎn)的結(jié)構(gòu)。
[0052]在滑塊支撐板20上形成有以包含滑塊3的旋轉(zhuǎn)部分的偏航方向(Yawdirect1n)的慣性軸與支點突起21相一致的形式被設(shè)定的平衡配重33。另外，用于在從磁盤上卸載滑塊3的時候提起滑塊3的T型限制部34被形成于滑塊支撐板20并且卡合于被形成于負載梁14的孔部35。還有，在通常動作時，T型限制部34與孔部35經(jīng)由間隙而不接觸。
[0053]磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)以圍繞滑塊3的形式被配置，其端部被連接于滑塊3的磁頭電極端子31。該磁頭元件配線25a(磁頭配線部)，固著有第I以及第2突出支架22a，22b(圖6的C-C部)并且同樣地也被固著于從滑塊支撐板20延伸出的第I驅(qū)動肋36a和第2驅(qū)動肋36b(圖6的F-F部)。
[0054]第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b將電壓施加于第1、第2、第3、第4電極焊墊29a，29b，29c，29d來進行驅(qū)動。驅(qū)動配線37a(驅(qū)動元件配線部)以將電壓輸入到第I驅(qū)動構(gòu)件16a的第I電極焊墊29a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b的第4電極焊墊29d的形式被配置，第2電極焊墊29b和第3電極焊墊29c由接地配線37b而被接地到撓性基板24。由此，如果將交變驅(qū)動信號輸入到驅(qū)動配線37a的話則第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b在互相相反方向上進行伸縮運動。
[0055]在圖7中，設(shè)置作為第I位移傳遞部的第I鏈桿(link)部39a。第I鏈桿部39a連結(jié)于第I接頭(joint)40a與第2接頭40b之間而被配置，沒有通過蝕刻工藝除去撓性件15的撓性基板24而成為包含撓性基板24的結(jié)構(gòu)。第I接頭40a以及第2接頭40b由蝕刻除去了撓性件15的撓性基板24的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)形成，并成為不包含撓性基板24的結(jié)構(gòu)。第I接頭40a以及第2接頭40b與第I鏈桿部39a相比較成為柔軟的結(jié)構(gòu)(彎曲剛性低)，并且以在第I驅(qū)動構(gòu)件16a進行伸縮運動的時候第I鏈桿部39a以第2接頭40b為中心進行微小旋轉(zhuǎn)運動的形式進行構(gòu)成。該第I鏈桿部39a擔(dān)當(dāng)將第I驅(qū)動構(gòu)件16a的驅(qū)動力傳遞到滑塊支撐板20的角色。同樣的，作為第2位移傳遞部而設(shè)置第2鏈桿部39b，該第2鏈桿部39b連結(jié)于第3接頭40c與第4接頭40d之間而被配置，因為第3以及第4接頭40c，40d是與第I以及第2接頭40a，40b相同的結(jié)構(gòu)，所以在第2驅(qū)動16b進行伸縮運動的時候第2鏈桿部39b以第4接頭40d為中心進行微小旋轉(zhuǎn)運動。該第2鏈桿部39b擔(dān)當(dāng)將第2驅(qū)動構(gòu)件16b的驅(qū)動力傳遞到滑塊支撐板20的角色。
[0056]還有，磁頭組件2的底板13或負載梁14在各個附圖中相對于平行于Y軸方向的中心軸為線對稱。另外，關(guān)于第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a、第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b、第I接頭40a以及第2接頭40b和第3接頭40c以及第4接頭40d、第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b等的結(jié)構(gòu)，也同樣地在各個附圖中相對于平行于Y軸方向的中心軸成為線對稱。
[0057]在圖6以及圖7中，設(shè)置將第I驅(qū)動構(gòu)件16a與第2接頭40b以及撓性基板24分離的第I分離溝槽44a，再有，該第I分離溝槽44a沿著相當(dāng)于薄膜壓電體26的長度方向(圖中Y軸方向)的長度的范圍來進行形成。由該第I分離溝槽44a而從包含磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的第2接頭40b與撓性基板24的束縛中解放薄膜壓電體26的位移并且能夠使位移最大化。還有，磁頭組件2因為相對于平行于Y軸的對稱軸為線對稱的形狀，所以根據(jù)圖6，關(guān)于第2分離溝槽44b也相同。
[0058]撓性件15，通過在厚度18μπι的不銹鋼材料之上形成聚酰亞胺等的絕緣層41并在其上蝕刻加工導(dǎo)體箔25從而形成磁頭元件配線25a。再有，以配線的絕緣或者保護為目的而成為由聚酰亞胺等的配線蓋42覆蓋的結(jié)構(gòu)。撓性件15通過將不銹鋼制的撓性基板24蝕刻加工成任意形狀而確保所必要的機構(gòu)的功能。在幾個截面的每個截面使用圖8a?圖Sc來表示圖6(圖7)所表示的撓性件15的結(jié)構(gòu)。圖8a是表示圖6中的C-C截面的截面圖。圖8b是表示圖6中的D-D截面的截面圖，圖8c是表示圖6中的F-F截面的截面圖。根據(jù)圖8a，第I突出支架22a由撓性基板24構(gòu)成并被連結(jié)配置于滑塊支撐板20。絕緣層41被形成于該第I突出支架22a上，在其上由導(dǎo)體箔25來形成磁頭元件配線25a，以覆蓋磁頭配線25a的形式形成配線蓋。根據(jù)圖Sb，處于磁頭元件配線25a的背面?zhèn)鹊膿闲曰?4被蝕刻工藝去除，并且滑塊支撐板20、第I突出支架22a以及磁頭元件配線25a被分離。根據(jù)圖Sc，從滑塊支撐板20延伸出的撓性基板24即第I驅(qū)動肋36a和磁頭元件配線25a的一部分被固著。另一方面，第I突出支架22a和磁頭元件配線25a被分離。
[0059]圖9a是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了第I驅(qū)動構(gòu)件的粘結(jié)于撓性件的部分的截面圖(圖6中的E-E截面)。第I驅(qū)動構(gòu)件16a被粘結(jié)于第I驅(qū)動元件支撐部23a上。第I驅(qū)動元件支撐部23a具有主體支撐部231、第I增強部51a、第2增強部52a、第I緩沖部55a、第2緩沖部56a。主體支撐部231位于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的正下方，并且僅由絕緣層41構(gòu)成。該主體支撐部231構(gòu)成粘結(jié)有第I驅(qū)動構(gòu)件16a的主要部分。第I增強部51a被配置于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的磁頭組件前端側(cè)(滑塊3側(cè))，并支撐第I驅(qū)動構(gòu)件16a中的一方端的一部分。換言之，第I驅(qū)動構(gòu)件16a以磁頭組件前端側(cè)重疊于第I增強部51a的狀態(tài)被粘結(jié)于主體支撐部231。這是為了能夠可靠地將第I驅(qū)動構(gòu)件16a的薄膜壓電體26的位移傳遞到第I增強部51a。該第I增強部51a殘留撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25構(gòu)成。第2增強部52a被配置于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的磁頭組件后端側(cè)(底板13側(cè))，并支撐第I驅(qū)動構(gòu)件16a中的另一方端的一部分。換言之，第I驅(qū)動構(gòu)件16a以磁頭組件后端側(cè)重疊于第2增強部52a的狀態(tài)被粘結(jié)于主體支撐部231。該第2增強部52a殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25構(gòu)成。這樣構(gòu)成的第I以及第2增強部51a，52a位于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的兩端。更加具體來說，第I驅(qū)動構(gòu)件16a的磁頭組件前端側(cè)的端部從鉛垂方向看以與主體支撐部231以及第I增強部51a相重疊的形式進行定位，并且第I驅(qū)動構(gòu)件16a的磁頭組件后端側(cè)的端部以與主體支撐部231以及第2增強部52a相重疊的形式進行定位。第I緩沖部55a被配置于由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部與第I增強部51a之間，一方端被連接于第I鏈桿部39a，另一方端被連接于第I增強部51a。即，第I緩沖部55a被配置于比第I增強部51a更靠近磁頭組件前端側(cè)的位置，并連結(jié)第I增強部51a和第I鏈桿部39a。該第I緩沖部55a通過蝕刻除去撓性件15的撓性基板24來形成，并且由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。在此，第I鏈桿部39a殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25的磁頭元件配線25a構(gòu)成。由此，第I緩沖部55a成為彎曲剛性低于第I增強部51a以及由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部的結(jié)構(gòu)。
[0060]另外，第2緩沖部56a被配置于撓性件的主體部15a與第2增強部52a之間，一方端被連接于撓性件的主體部15a，另一方端被連接于第2增強部52a。即，第2緩沖部56a被配置于比第2增強部52a更靠近磁頭組件后端側(cè)的位置，并連結(jié)第2增強部52a和撓性件的主體部15a。該第2緩沖部56a通過蝕刻除去撓性件15的撓性基板24來形成，并且由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。在此，撓性件的主體部15a殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41、導(dǎo)體箔25的驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)構(gòu)成。由此，第2緩沖部56a成為彎曲剛性低于第2增強部52a以及撓性件的主體部15a的結(jié)構(gòu)。
[0061 ]在本實施方式中，第I緩沖部55a的導(dǎo)體箔25和第I增強部51a的導(dǎo)體箔25通過延伸第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a的導(dǎo)體箔25的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的一部分來構(gòu)成。即，第I緩沖部55a的導(dǎo)體箔25由將信號傳遞到磁頭元件7的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)構(gòu)成。另外，第I鏈桿部39a的撓性基板24以及第I增強部51a的撓性基板24起到作為部分性地增強磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的增強板的作用。另外，在本實施方式中，第2緩沖部56a的導(dǎo)體箔25和第2增強部52a的導(dǎo)體箔25由撓性件的主體部15a的導(dǎo)體箔25即驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)而被一體地構(gòu)成。即，第2緩沖部56a的導(dǎo)體箔25由將信號傳遞到第I驅(qū)動構(gòu)件16a的驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線部)構(gòu)成。另外，撓性件的主體部15a的撓性基板24以及第2增強部52a的撓性基板24起到作為部分性地增強驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線部)的增強板的作用。還有，第I緩沖部55a的導(dǎo)體箔25和第I增強部51a的導(dǎo)體箔25中的至少任意一者也可以由與磁頭元件配線25a不電連接的獨立的虛設(shè)配線(dummy wiring)來構(gòu)成。另外，第2緩沖部56a的導(dǎo)體箔25和第2增強部52a的導(dǎo)體箔25中的至少任意一者也可以追加設(shè)置與驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)不電連接的獨立的虛設(shè)配線。
[0062]另外，在本實施方式中，第I緩沖部55a的第I增強部51a以及由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部的連結(jié)方向(附圖所示Y軸方向)上的長度和第2緩沖部56a的第2增強部52a以及撓性件的主體部15a的連結(jié)方向(附圖所示Y軸方向)上的長度相等。即，第I緩沖部55a和第2緩沖部56a的第I驅(qū)動構(gòu)件16a的薄膜壓電體26的長邊方向的長度相等。再有，在本實施方式中，相對于第I緩沖部55a的第I驅(qū)動構(gòu)件16a的分開距離與相對于第2緩沖部56a的第I驅(qū)動構(gòu)件16a的分開距離相等，第I緩沖部55a和第2緩沖部56a均由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。即，第I緩沖部55a和第2緩沖部56a相對于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的中心成為點對稱的形狀或者相對于中心線成為線對稱的形狀，并且具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0063]圖9b是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了第2驅(qū)動構(gòu)件的粘結(jié)于撓性件的部分的截面圖。第2驅(qū)動構(gòu)件16b被連接于第2驅(qū)動元件支撐部23b上。第2驅(qū)動構(gòu)件16b因為是與第I驅(qū)動構(gòu)件16a相同的結(jié)構(gòu)，所以第2驅(qū)動元件支撐部23b也成為與第I驅(qū)動元件支撐部23a相同的結(jié)構(gòu)。即，第2驅(qū)動元件支撐部23b具有主體支撐部232、第3增強部51b、第4增強部52b、第3緩沖部55b、第4緩沖部56b。主體支撐部232位于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的正下方，并且僅由絕緣層41構(gòu)成。該主體支撐部232構(gòu)成粘結(jié)有第2驅(qū)動構(gòu)件16b的主要部分。第3增強部51b被配置于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的磁頭組件前端側(cè)(滑塊3側(cè))，并支撐第2驅(qū)動構(gòu)件16b上的一方端的一部分。換言之，第2驅(qū)動構(gòu)件16b以磁頭組件前端側(cè)重疊于第3增強部51b的狀態(tài)被粘結(jié)于主體支撐部232。這是為了能夠可靠地將第2驅(qū)動構(gòu)件16b的薄膜壓電體26的位移傳遞到第3增強部51b。該第3增強部51b殘留撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25構(gòu)成。第4增強部52b被配置于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的磁頭組件后端側(cè)(底板13側(cè))，并支撐第2驅(qū)動構(gòu)件16b上的另一方端的一部分。換言之，第2驅(qū)動構(gòu)件16b以磁頭組件后端側(cè)重疊于第4增強部52b的狀態(tài)被粘結(jié)于主體支撐部232。該第4增強部52b殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25構(gòu)成。這樣構(gòu)成的第3以及第4增強部51b，52b位于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的兩端。更加具體來說，第2驅(qū)動構(gòu)件16b的磁頭組件前端側(cè)的端部從鉛垂方向看以與主體支撐部232以及第3增強部51b相重疊的形式進行定位，并且第2驅(qū)動構(gòu)件16b的磁頭組件后端側(cè)的端部以與主體支撐部232以及第4增強部52b相重疊的形式進行定位。第3緩沖部55b被配置于第3增強部51b與由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部之間，一方端被連接于第2鏈桿部39b，另一方端被連接于第3增強部51b。即，第3緩沖部55b被配置于比第3增強部51b更靠近磁頭組件前端側(cè)的位置，并連結(jié)第3增強部51b和第2鏈桿39b。該第3緩沖部55b通過蝕刻除去撓性件15的撓性基板24來形成，并且由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。在此，第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41以及導(dǎo)體箔25的磁頭元件配線25a構(gòu)成。由此，第3緩沖部55b成為彎曲剛性低于第3增強部51b以及由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部的結(jié)構(gòu)。
[0064]另外，第4緩沖部56b被配置于撓性件的主體部15a與第4增強部52b之間，一方端被連接于撓性件的主體部15a，另一方端被連接于第4增強部52b。即，第4緩沖部56b被配置于比第4增強部52b更靠近磁頭組件后端側(cè)的位置，并連結(jié)第4增強部52b和撓性件的主體部15a。該第4緩沖部56b通過蝕刻除去撓性件15的撓性基板24來形成，并且由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。在此，撓性件的主體部15a殘留撓性件15的撓性基板24來形成，并且由撓性基板24、絕緣層41、導(dǎo)體箔25的驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)構(gòu)成。由此，第4緩沖部56b成為彎曲剛性低于第4增強部52b以及撓性件的主體部15a的結(jié)構(gòu)。
[0065]在本實施方式中，第3緩沖部55b的導(dǎo)體箔25和第3增強部51b的導(dǎo)體箔25通過延伸第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b的導(dǎo)體箔25的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的一部分來構(gòu)成。即，第3緩沖部55b的導(dǎo)體箔25由將信號傳遞到磁頭元件7的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)構(gòu)成。另外，第2鏈桿部39b的撓性基板24以及第3增強部51b的撓性基板24起到作為部分性地增強磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的增強板的作用。另外，在本實施方式中，第4緩沖部56b的導(dǎo)體箔25和第4增強部52b的導(dǎo)體箔25由撓性件的主體部15a的導(dǎo)體箔25即驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)而被一體地構(gòu)成。即，第4緩沖部56b的導(dǎo)體箔25由將信號傳遞到第2驅(qū)動構(gòu)件16b的驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線部)構(gòu)成。另外，撓性件的主體部15a的撓性基板24以及第4增強部52b的撓性基板24起到作為部分性地增強驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線部)的增強板的作用。還有，第3緩沖部55b的導(dǎo)體箔25和第3增強部51b的導(dǎo)體箔25中的至少任意一者也可以由與磁頭元件配線25a不電連接的獨立的虛設(shè)配線構(gòu)成。另外，第4緩沖部56b的導(dǎo)體箔25和第4增強部52b的導(dǎo)體箔25中的至少任意一者也可以追加設(shè)置與驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線)不電連接的獨立的虛設(shè)配線。
[0066]另外，在本實施方式中，第3緩沖部55b的第3增強部51b以及由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部的連結(jié)方向(附圖所示Y軸方向)上的長度和第4緩沖部56b的第4增強部52b以及撓性件的主體部15a的連結(jié)方向(附圖所示Y軸方向)上的長度相等。即，第3緩沖部55b和第4緩沖部56b的第2驅(qū)動構(gòu)件16b的薄膜壓電體26的長邊方向的長度相等。再有，在本實施方式中，相對于第3緩沖部55b的第2驅(qū)動構(gòu)件16b的分開距離與相對于第4緩沖部56b的第2驅(qū)動構(gòu)件16b的分開距離相等，第3緩沖部55b和第4緩沖部56b均由絕緣層41和導(dǎo)體箔25構(gòu)成。即，第3緩沖部55b和第2緩沖部56b相對于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的中心成為點對稱的形狀，相對于中心線成為線對稱的形狀，并且具有相同的結(jié)構(gòu)。
[0067]還有，第I位移傳遞部也可以由第I驅(qū)動肋36a構(gòu)成。此時，第I位移傳遞部即驅(qū)動肋36a如圖8c所示由延伸出滑塊支撐板20的一部分的撓性基板24、絕緣層41、導(dǎo)體箔25來進行構(gòu)成。此時，被配置于第I位移傳遞部即第I驅(qū)動肋36a與第I增強部51a之間的第I接頭40a為能夠看作為第I緩沖部55a的結(jié)構(gòu)。即，由蝕刻除去了撓性件15的撓性基板24的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)形成，第I緩沖部55a即第I接頭40a與第I位移傳遞部即第I驅(qū)動肋36a和第I增強部55a相比較，為彎曲剛性低的結(jié)構(gòu)。還有，關(guān)于第2位移傳遞部也相同，也可以由第2驅(qū)動肋36b構(gòu)成。
[0068]圖10是在本發(fā)明的優(yōu)選的實施方式所涉及的磁頭組件中放大了動作時的第I驅(qū)動構(gòu)件的截面圖。在圖10中，表示作為第I驅(qū)動構(gòu)件16a的動作狀態(tài)，將正電壓施加于第I電極焊墊29a并且將負電壓施加于第2電極焊墊29b的狀態(tài)。即，第I驅(qū)動構(gòu)件16a的薄膜壓電體26為由電壓施加而伸長的狀態(tài)。因為薄膜壓電體26伸長而處于薄膜壓電體26的下面?zhèn)鹊牡贗驅(qū)動元件支撐部23a不伸長，所以由于位移差而以在第I驅(qū)動構(gòu)件16a的上面?zhèn)?附圖中Z軸正方向)成為凸的形式發(fā)生彎曲并產(chǎn)生翹曲。此時，第I增強部51a和第2增強部52a因為一體地固定連結(jié)于第I驅(qū)動構(gòu)件16a，所以沿著第I驅(qū)動構(gòu)件16a的彎曲進行位移。
[0069]如以上所述，第I緩沖部55a成為蝕刻除去了撓性基板24的結(jié)構(gòu)，與成為包含撓性基板24的結(jié)構(gòu)的第I增強部51a以及由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部相比較，在其截面方向上成為柔軟的結(jié)構(gòu)。因此，由第I驅(qū)動構(gòu)件16a的彎曲產(chǎn)生的力矩(圖10中的-M)由產(chǎn)生于第I緩沖部55a和第2緩沖部56a的相反方向的力矩(M)來進行平衡。因為第I以及第2緩沖部55a，56a其彎曲剛性小，所以第I以及第2緩沖部55a，56a的彎曲剛性越小，則在相反方向上產(chǎn)生的力矩M越是被緩和減輕。另外，在第I以及第2緩沖部55a，56a的彎曲剛性相等的時候，加到連結(jié)于第I緩沖部55a的一方端的第I鏈桿部39a的鉛垂方向的反作用力(F)變成極小。如以上所述，第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a與滑塊支撐板20相機械連結(jié)，該滑塊支撐板20以被粘結(jié)固定于上面?zhèn)鹊幕瑝K3對應(yīng)于磁盤面的起伏而能夠平穩(wěn)地追隨上浮姿勢的形式形成為在下面?zhèn)扰c設(shè)置于負載梁14的支點突起21相點接觸的樞軸(pivot)結(jié)構(gòu)。因此，通過減小第I鏈桿部39a的反作用力(F)從而減少鉛垂方向的位移或不需要的振動，并且能夠抑制激發(fā)負載梁14的搖擺模式(sway mode)等的共振而減少不需要的振動。再有，能夠抑制激發(fā)包含滑塊3的旋轉(zhuǎn)部被構(gòu)成的撓性件15的前端部的共振，并且滑塊3的上浮姿勢的穩(wěn)定化的控制成為可能。
[0070]同樣的，在第I以及第2緩沖部55a，56a的彎曲剛性相等的時候，加到連結(jié)于第2緩沖部56a的一方端的撓性件的主體部15a的鉛垂方向的反作用力(F)也變成極小。撓性件的主體部15a作為燒性件15的一部分來構(gòu)成，并設(shè)置有第2束焊接點(beam welding point)17b。撓性件的主體部15a由該第2束焊接點17b而被固著于負載梁14。因此，通過減小撓性件的主體部15a的反作用力(F)從而能夠抑制激發(fā)負載梁14的搖擺模式等的共振并減少不需要的振動。還有，在第I緩沖部55a和第2緩沖部56a的彎曲剛性不相等的情況下，會產(chǎn)生鉛垂方向的反作用力(F)。因此，第I以及第2緩沖部55a，56a的彎曲剛性更小，并且在該彎曲剛性相等的時候反作用力(F)能夠減小到最小。
[0071]還有，關(guān)于以在負載梁14的中心線上成為線對稱的方式配置并且分別具有同樣的結(jié)構(gòu)的第2驅(qū)動構(gòu)件16b、第3增強部51b、第3緩沖部55b、第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b、第4增強部52b以及第4緩沖部56b，雖然沒有圖示，但是如以上所述，第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b作為通過在互相相反的方向上進行伸縮運動而旋轉(zhuǎn)滑塊3的結(jié)構(gòu)，所以動作時的第2驅(qū)動構(gòu)件16b的彎曲方向成為與第I驅(qū)動構(gòu)件16a相反的方向。即，在第I驅(qū)動構(gòu)件16a伸長并以在上面?zhèn)瘸蔀橥沟男问竭M行彎曲的情況下，第2驅(qū)動構(gòu)件16b以在下面?zhèn)瘸蔀橥沟男问竭M行彎曲，由第2驅(qū)動構(gòu)件16b的彎曲產(chǎn)生的鉛垂方向的反作用力(F)成為與第I驅(qū)動構(gòu)件16a相反的方向并且相對于磁頭組件2的中心線成為左右非對稱，所以減輕由第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b的彎曲而產(chǎn)生的鉛垂方向的反作用力(F)能夠有效地抑制激發(fā)負載梁14的搖擺模式或一次以及二次扭轉(zhuǎn)模式等的共振。另外，第I鏈桿部39a和第2鏈桿部39b分別與第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b相機械連結(jié)，所以會沿著第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b的彎曲而朝著互相相反的方向進行位移。即，因為加到第I鏈桿部39a和第2鏈桿部39b上的反作用力(F)成為相反方向，所以由第I緩沖部55a以及第3緩沖部55b的作用來減輕由第I驅(qū)動構(gòu)件16a以及第2驅(qū)動構(gòu)件16b的彎曲而產(chǎn)生的第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a以及第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b的鉛垂方向的位移或反作用力(F)，能夠有效地抑制激發(fā)負載梁14的搖擺模式或一次以及二次扭轉(zhuǎn)模式等的共振、或包含滑塊3的旋轉(zhuǎn)部被構(gòu)成的撓性件15的前端部的共振，并且能夠有效地進行滑塊3的上浮姿勢的穩(wěn)定化的控制。
[0072]如以上所述，在本實施方式所涉及的磁頭組件2中，第I驅(qū)動元件支撐部23a具有位于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的兩端的第I以及第2增強部51a，52a、連結(jié)第I增強部51a和由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部并且彎曲剛性低于第I增強部51a以及由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部的第I緩沖部55a、連結(jié)第2增強部52a和撓性件的主體部15a并且彎曲剛性低于第2增強部52a以及撓性件的主體部15a的第2緩沖部56a，第2驅(qū)動元件支撐部23b具有位于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的兩端的第3以及第4增強部51b，52b、連結(jié)第3增強部51b和由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部并且彎曲剛性低于第3增強部51b以及由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部的第3緩沖部55b、連結(jié)第4增強部52b和撓性件的主體部15a并且彎曲剛性低于第4增強部52b以及撓性件的主體部15a的第4緩沖部56b。因此，由彎曲剛性低的第I?第4緩沖部55&，56&，5513，5613來減少由動作時的第1以及第2驅(qū)動構(gòu)件16&，1613的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力。因此，通過減少第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的鉛垂方向的反作用力從而能夠抑制不需要的共振。另外，通過減少由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的鉛垂方向的翹曲引起的反作用力(F)從而第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的位移能夠在平面方向上被傳遞并能夠放大磁頭元件7的位移量。其結(jié)果，可以有效地獲得磁頭元件7的位移量。
[0073]另外，在本實施方式所涉及的磁頭組件2中，第I緩沖部55a和第3緩沖部55b由將信號傳遞到磁頭元件7的磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)構(gòu)成，第2緩沖部56a和第4緩沖部56b由將信號傳遞到第I驅(qū)動構(gòu)件16a和第2驅(qū)動構(gòu)件16b的驅(qū)動配線37a(驅(qū)動元件配線部)和接地配線37b構(gòu)成，第I增強部51a以及由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部和第3增強部51b以及由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部具有部分性地增強磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的增強板，第2增強部52a和第4增強部52b具有部分性地增強驅(qū)動配線37&(驅(qū)動元件配線部)的增強板。因此，用彎曲剛性低的第1?第4緩沖部55&，56&，5513，56匕來吸收由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力，因為通過減少由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的鉛垂方向的翹曲引起的反作用力從而能夠抑制不需要的共振并且能夠有效地傳遞驅(qū)動元件的變形，所以能夠放大磁頭元件7的位移量。另外，因為第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b能夠在形成磁頭配線25a(磁頭元件配線部)以及驅(qū)動配線37a(驅(qū)動元件配線部)的時候一起加工形成，所以不需要追加新的工序，能夠抑制不需要的共振并且能夠放大磁頭元件7的位移量。
[0074]再有，在本實施方式所涉及的磁頭組件2中，第I緩沖部55a的第I增強部51a與由第I鏈桿部39a構(gòu)成的第I位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于第2緩沖部56a的第2增強部52a與撓性件的主體部15a的連結(jié)方向上的長度，第3緩沖部55b的第3增強部51b與由第2鏈桿部39b構(gòu)成的第2位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于第4緩沖部56b的第4增強部52b與撓性件的主體部15a的連結(jié)方向上的長度。因此，第I緩沖部55a、第2緩沖部56a、第3緩沖部55b以及第4緩沖部56b的彎曲剛性相等。由此，能夠減少由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力。因此，能夠進一步抑制不需要的共振并且能夠更進一步放大磁頭元件7的位移量。
[0075]另外，在本實施方式所涉及的磁頭組件2中，第I緩沖部55a和第2緩沖部56a具有相對于第I驅(qū)動構(gòu)件16a的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)，第3緩沖部55b和第4緩沖部56b具有相對于第2驅(qū)動構(gòu)件16b的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)。因此，由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的翹曲引起的鉛垂方向的反作用力均等地加到了由第I以及第2鏈桿部39a，39b構(gòu)成的第I以及第2位移傳遞部和撓性件的主體部15a，并且能夠有效地減少反作用力。因此，能夠進一步抑制不需要的共振并且能夠進一步放大磁頭元件7的位移量。
[0076]以下，根據(jù)本實施方式，由實施例1和比較例I來具體地表示減少由動作時的薄膜壓電元件的彎曲引起的翹曲的反作用力并抑制不需要的共振從而能夠有效地獲得磁頭元件的位移量。作為實施例1，使用本實施方式所涉及的磁頭組件2ο在實施例1中，將第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b的薄膜壓電體26的長邊方向(圖9中Y軸方向)的長度LI設(shè)定為0.145mm。第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b由絕緣層41、導(dǎo)體箔25以及配線蓋構(gòu)成，第I?第4增強部51a，52a，51b，52b、第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a、第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b、以及撓性件的主體部15a由撓性基板24、絕緣層41、導(dǎo)體箔25以及配線蓋構(gòu)成。第I以及第2緩沖部55a，56a和第I以及第2增強部51a，52a的絕緣層41的寬度(圖9中X軸方向)以成為與粘結(jié)維持第I驅(qū)動構(gòu)件16a的第I驅(qū)動元件支撐部23a的主體支撐部231相同的寬度的形式進行構(gòu)成，導(dǎo)體箔25的寬度以與構(gòu)成第I驅(qū)動構(gòu)件16a的薄膜壓電體26相同的寬度來構(gòu)成。同樣的，第3以及第4緩沖部55b，56b和第3以及第4增強部51b，52b的絕緣層41的寬度(圖9中X軸方向)以與粘結(jié)維持第2驅(qū)動構(gòu)件16b的第2驅(qū)動元件支撐部23b的主體支撐部232相同的寬度來構(gòu)成，導(dǎo)體箔25的寬度以與第2驅(qū)動構(gòu)件16b的薄膜壓電體26相同的寬度來構(gòu)成。另夕卜，第I?第4增強部51a，52a，51b，52b的撓性基板24的寬度以構(gòu)成各個增強部的絕緣層41相同的寬度來構(gòu)成。還有，構(gòu)成第I緩沖部55a和第3緩沖部55b的導(dǎo)體箔25通過延伸磁頭元件配線25a(磁頭元件配線部)的一部分來構(gòu)成，但是不與薄膜壓電體26相電連接。另外，構(gòu)成第2緩沖部56a和第4緩沖部56b的導(dǎo)體箔25由驅(qū)動配線37a以及接地配線37b(驅(qū)動元件配線部)構(gòu)成。
[0077]作為比較例I，為了與實施例1進行特性比較而使用在本實施方式所涉及的磁頭組件2中沒有由蝕刻工藝來除去第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b的下面?zhèn)鹊膿闲曰?4而殘留的磁頭組件。即，第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b由撓性基板24、導(dǎo)體箔25、絕緣層41以及配線蓋構(gòu)成。換言之，第I位移傳遞部即第I鏈桿部39a、第I緩沖部55a以及第I增強部51a具有相同的截面結(jié)構(gòu)并一體化，不設(shè)置第I緩沖部55a和第I增強部51a，并能夠看作為延伸第I鏈桿部39a的一部分來支撐第I驅(qū)動構(gòu)件16a。第2增強部52a、第2緩沖部56a以及撓性件的主體部15a的結(jié)構(gòu)為具有相同的截面結(jié)構(gòu)并一體化，不設(shè)置第2增強部52a和第2緩沖部56a，并能夠看作為延伸撓性件的主體部15a來支撐第I驅(qū)動構(gòu)件16a。同樣的，第2位移傳遞部即第2鏈桿部39b、第3緩沖部55b以及第3增強部51b具有相同的截面結(jié)構(gòu)并一體化，不設(shè)置第3緩沖部55b和第3增強部51b，并能夠看作為延伸第2鏈桿部39b的一部分來支撐第2驅(qū)動構(gòu)件16b，第4增強部52b、第4緩沖部56b以及撓性件的主體部15a的結(jié)構(gòu)為具有相同的截面結(jié)構(gòu)并一體化，不設(shè)置第4增強部52b和第4緩沖部56b，并能夠看作為延伸撓性件的主體部15a來支撐第2驅(qū)動構(gòu)件16b。
[0078]圖11是表示實施例1的磁頭組件以及比較例I的磁頭組件的第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件的動作時的頻率響應(yīng)特性的圖。由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b使滑塊3進行微小位移的時候的反作用力會激發(fā)負載梁14的共振頻率下的共振，并且會出現(xiàn)如圖11中所示那樣的由負載梁14的橫蕩(sway搖擺)模式?jīng)Q定的共振點fr I。另外，圖11中的fr2為滑塊3的偏航方向(Yaw direct1n)的共振點中的I個。在此，在利用由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a, 16b旋轉(zhuǎn)驅(qū)動滑塊3的機構(gòu)來對磁頭元件7的位置進行微小調(diào)整的情況下，優(yōu)選其共振的峰值增益小。比較例I的情況下，由搖擺模式?jīng)Q定的共振點的frl的峰值在24.2kHz附近大約為13dB，滑塊3的偏航方向的共振點中的I個的fr2的峰值在27.3kHz附近大約為13dB，但是，在實施例1中，可知沒有frl以及fr2的峰值而被抑制。即，在實施例1中能夠確認，第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的動作時的由負載梁14激發(fā)的搖擺模式所引起的共振振動、包含滑塊3和滑塊支撐板20的旋轉(zhuǎn)部被構(gòu)成的撓性件15的前端部的共振振動，被第I?第4緩沖部55a，56a，55b，56b大幅抑制。
[0079]此時，作為驅(qū)動信號，施加了± 1.0V的電壓的時候的實施例1中的垂直于磁頭元件7的磁頭組件2的中心軸的方向(圖2中的X軸方向)的磁頭位移量xl為5.9[nm/V]，比較例I中的磁頭位移量為5.4[nm/V]。該狀況能夠確認，第I以及第3緩沖部55a，55b是彎曲剛性低于第I以及第2位移傳遞部即第I以及2鏈桿部39a，39b和第I以及第3增強部51a，51b的結(jié)構(gòu)，所以通過第I以及第2緩沖部55a，55b發(fā)生變形來吸收由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的彎曲引起的反作用力，并且由第I以及第2驅(qū)動構(gòu)件16a，16b的伸縮產(chǎn)生的力有效地作用于磁頭組件2的平面方向，從而能夠放大磁頭位移量。
[0080]符號的說明[0081 ] I磁盤裝置
[0082]2磁頭組件
[0083]3 滑塊
[0084]4 機殼
[0085]5主軸馬達的軸
[0086]6 磁盤
[0087]7磁頭元件
[0088]8支撐臂
[0089]9 VCM的水平旋轉(zhuǎn)軸
[0090]10磁鐵部
[0091]11斜坡機構(gòu)
[0092]12 突片
[0093]13 底板
[0094]14負載梁
[0095]15撓性件
[0096]15a撓性件的主體部
[0097]16a第I驅(qū)動構(gòu)件(薄膜壓電體元件)
[0098]16b第2驅(qū)動構(gòu)件(薄膜壓電體元件)
[0099]17a第一束焊接點
[0100]17b第二束焊接點
[0101]18 板簧
[0102]19折彎加工部
[0103]20滑塊支撐板
[0104]21支點突起
[0105]22a第I突出支架
[0106]22b第2突出支架
[0107]23a第I驅(qū)動元件支撐部
[0108]23b第2驅(qū)動元件支撐部
[0109]231主體支撐部(第I驅(qū)動構(gòu)件)
[0110]232主體支撐部(第2驅(qū)動構(gòu)件)
[0111]24撓性基板
[0112]25導(dǎo)體箔
[0113]25a磁頭元件配線
[0114]26薄膜壓電體
[0115]27a上部電極
[0116]27b下部電極
[0117]28 基臺
[0118]29a第I電極焊墊
[0119]29b第2電極焊墊
[0120]29c第3電極焊墊
[0121]29d第4電極焊墊
[0122]30絕緣蓋
[0123]31磁頭電極端子
[0124]32a第I折彎部
[0125]32b第2折彎部
[0126]33平衡配重
[0127]34 T型限制部
[0128]35負載梁的孔部
[0129]36a第I驅(qū)動肋
[0130]36b第2驅(qū)動肋
[0131]37a驅(qū)動配線
[0132]37b接地配線
[0133]39a第I鏈桿
[0134]39b第2鏈桿
[0135]40a第I接頭
[0136]40b第2接頭
[0137]40c第3接頭
[0138]40 d 第4接頭
[0139]41絕緣層
[0140]42配線覆蓋層
[0141]44a第I分離溝槽
[0142]44b第2分離溝槽
[0143]51a第I增強部
[0144]51b第3增強部
[0145]52a第2增強部
[0146]52b第4增強部
[0147]55a第I緩沖部
[0148]55b第3緩沖部
[0149]56a第2緩沖部
[0150]56b第4緩沖部
【主權(quán)項】
1.一種磁頭組件，其特征在于: 具備: 滑塊支撐板，在設(shè)置于負載梁的前端部的支點突起周圍旋轉(zhuǎn)自如地支撐具有磁頭元件的滑塊并且被形成于撓性件； 第I以及第2驅(qū)動元件，對所述滑塊支撐板賦予沿著其平面的旋轉(zhuǎn)力； 第I位移傳遞部，將所述第I驅(qū)動元件的驅(qū)動力傳遞到所述滑塊支撐板； 第2位移傳遞部，將所述第2驅(qū)動元件的驅(qū)動力傳遞到所述滑塊支撐板； 第I驅(qū)動元件支撐部，支撐所述第I驅(qū)動元件； 第2驅(qū)動元件支撐部，支撐所述第2驅(qū)動元件， 所述第I驅(qū)動元件支撐部具有:第I以及第2增強部，位于所述第I驅(qū)動元件的兩端;第I緩沖部，連結(jié)所述第I增強部和所述第I位移傳遞部且彎曲剛性低于所述第I增強部以及所述第I位移傳遞部;第2緩沖部，連結(jié)所述第2增強部和所述撓性件的主體部且彎曲剛性低于所述第2增強部以及所述撓性件的主體部， 所述第2驅(qū)動元件支撐部具有:第3以及第4增強部，位于所述第2驅(qū)動元件的兩端;第3緩沖部，連結(jié)所述第3增強部和所述第2位移傳遞部且彎曲剛性低于所述第3增強部以及所述第2位移傳遞部;第4緩沖部，連結(jié)所述第4增強部和所述撓性件的主體部且彎曲剛性低于所述第4增強部以及所述撓性件的主體部。2.如權(quán)利要求1所述的磁頭組件，其特征在于: 所述第I緩沖部和所述第3緩沖部由將信號傳遞給所述磁頭元件的磁頭元件配線部構(gòu)成， 所述第2緩沖部和所述第4緩沖部由將信號傳遞給所述第I驅(qū)動元件和所述第2驅(qū)動元件的驅(qū)動元件配線部構(gòu)成， 所述第I位移傳遞部以及所述第I增強部、所述第2位移傳遞部以及所述第3增強部具有部分性地增強所述磁頭元件配線部的增強板， 所述第2增強部和所述第4增強部具有部分性地增強所述驅(qū)動元件配線部的增強板。3.如權(quán)利要求1或者2所述的磁頭組件，其特征在于: 所述第I緩沖部的所述第I增強部與所述第I位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于所述第2緩沖部的所述第2增強部與所述撓性件的主體部的連結(jié)方向上的長度， 所述第3緩沖部的所述第3增強部與所述第2位移傳遞部的連結(jié)方向上的長度等于所述第4緩沖部的所述第4增強部與所述撓性件的主體部的連結(jié)方向上的長度。4.如權(quán)利要求1?3中的任意一項所述的磁頭組件，其特征在于: 所述第I緩沖部和所述第2緩沖部具有相對于所述第I驅(qū)動元件的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)， 所述第3緩沖部和所述第4緩沖部具有相對于所述第2驅(qū)動元件的中心為點對稱或者相對于中心線為線對稱的形狀以及相同的結(jié)構(gòu)。5.一種磁盤裝置，其特征在于: 具備權(quán)利要求1?4中的任意一項所述的磁頭組件。
【文檔編號】G11B5/48GK105976837SQ201610144803
【公開日】2016年9月28日
【申請日】2016年3月14日
【發(fā)明人】染谷拓, 桑島秀樹
【申請人】Tdk株式會社