專利名稱：主信息載體及其制造方法、以及使用主信息載體的主信息信號向磁記錄媒體的記錄方法 ...的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及將信息信號記錄到大容量、高記錄密度的磁記錄再生裝置中用的磁記錄媒體上的記錄方法和記錄裝置，以及該記錄中用的主信息載體及其制造方法。
背景技術：
現(xiàn)在，為了實現(xiàn)磁記錄再生裝置的小型且大容量化，存在著提高記錄密度的趨向。在具有代表性的磁存儲裝置的硬盤驅動器的領域中，面記錄密度超過1千兆位/英寸2的裝置已經(jīng)商品化，輿論上認為數(shù)年后10千兆位/英寸2的實用化將是技術的極大進步。
作為使這樣的高記錄密度成為可能的技術背景，很重要的原因在于媒體性能、磁頭·磁盤接口性能的提高和局部頻率響應等新的信號處理方式的出現(xiàn)促成的線記錄密度的提高。但是，近年來，磁道密度增加的傾向超過了線記錄密度增加的傾向，已成為面記錄密度增加的主要因素。其中，與現(xiàn)有的感應型磁頭相比，再生輸出性能好得多的磁阻元件型磁頭的實用化更為有用?，F(xiàn)在，由于磁阻元件型磁頭的實用化，可使僅數(shù)微米磁道寬度的信號以良好的信噪比再生。另一方面，伴隨磁頭性能的進一步提高，可以預料在最近的將來磁道寬度將達到亞微米的區(qū)域。
為了使磁頭準確地跟蹤這樣窄的磁道，以良好的信噪比再生信號，磁頭的跟蹤伺服技術起著重要的作用。例如在用現(xiàn)在的硬盤驅動器使盤旋轉1周即轉360度的角度中，設有以一定的角度間隔記錄跟蹤用的伺服信號或地址信息信號、再生時鐘信號等的區(qū)域。在以下的說明中，將預先記錄這樣的信息信號稱為預先格式記錄。通過再生這些信號，能一邊確認、修正磁頭的位置，一邊使磁頭以一定的間隔準確地在目標磁道上跟蹤。
上述的跟蹤用的伺服信號或地址信息信號、再生時鐘信號等都是磁頭準確地在磁道上跟蹤用的基準信號，所以在其記錄時，要求記錄磁道的準確定位精度?，F(xiàn)在的硬盤驅動器的預先格式記錄是在將磁盤及磁頭裝入驅動器后，用專用的伺服磁道記錄裝置(servo trackwriter)通過裝入驅動器內的磁頭進行的。這時，利用為伺服磁道記錄裝置裝配的外部執(zhí)行機構一邊嚴格地控制裝入驅動器內的磁頭的位置，一邊進行記錄，能實現(xiàn)所需的磁道定位精度。
另外，近年來在已商品化了的大容量軟盤、或磁盤盒可裝卸的可換硬盤用媒體中，也同樣能進行伺服信號或地址信息信號、再生時鐘信號的預先格式記錄。由于這些媒體是可裝卸媒體，所以基本上有機器互換性。因此，不一定象通常的硬盤那樣被裝入驅動器后用各驅動器固有的磁頭進行預先格式記錄?？墒牵脤Ｓ玫乃欧诺烙涗浹b置，通過為其裝配的外部執(zhí)行機構，由嚴格地進行了位置控制的磁頭進行預先格式記錄這一點，與通常的硬盤驅動的情況是相同的。
在用上述那種現(xiàn)有的方法進行的伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等的預先格式記錄中存在以下課題。
作為第一個課題，由磁頭進行的記錄基本上是以磁頭和媒體的相對移動為依據(jù)的動態(tài)線記錄。因此，在利用專用的伺服記錄裝置一邊嚴格地控制磁頭的位置一邊進行記錄的上述的方法中，預先格式記錄需要較長的時間。其結果，預先格式記錄所需要的成本高。
越是提高磁記錄裝置的面記錄密度，該課題就越發(fā)突出。這不僅僅是由于在盤的徑向進行預先格式記錄的磁道數(shù)增加引起的。因為越是提高磁道密度，就越要求磁頭定位的精度高，所以在盤的一周即360度中，必須縮小設置記錄跟蹤用伺服信號等的伺服區(qū)的角度間隔。另外，與記錄密度提高的同時，應進行預先格式記錄的地址信息信號的量也增加。這樣，越是具有高記錄密度的裝置，應進行預先格式記錄的信號量就增加得越多，越是需要更多的時間和更高的成本。
另外，在磁盤媒體呈小直徑趨向的情況下，依然是對3.5英寸和5英寸的大直徑盤的需求多。盤的記錄面積越大，應進行預先格式記錄的信號量就變得越多。預先格式記錄所需要的時間對這樣的大直徑盤驅動器的性能價格比的影響很大。
作為第二個課題，磁頭·媒體之間的間隔或記錄磁頭的磁極形狀產生的記錄磁場面積大，所以進行了預先格式記錄的磁道端部存在磁化轉變缺乏尖銳性的問題。由磁頭進行的記錄基本上是由磁頭和媒體的相對移動進行的動態(tài)線記錄，所以從磁頭·媒體之間的接口性能的觀點來看，在磁頭·媒體之間不得不設一定量的間隔。另外，現(xiàn)在的磁頭通常有分別擔當記錄和再生的兩個組成部分，這樣的結構使用記錄間隙的后緣側磁極寬度相當于記錄磁道寬度，與此不同，前緣側磁極寬度變大，達到記錄磁道寬度的數(shù)倍以上。
上述的兩個現(xiàn)象都成為使記錄磁道端部的記錄磁場變寬的主要原因，結果造成進行了預先格式記錄的磁道端部缺乏磁化轉變的尖銳性、或者在磁道端部兩側產生消失區(qū)域。在現(xiàn)在的跟蹤伺服技術中，根據(jù)磁頭離開磁道時再生輸出的變化量，檢測磁頭的位置。因此象使記錄在伺服區(qū)域的數(shù)據(jù)信號再生時那樣，不僅要求磁頭在磁道上準確地進行跟蹤時的信噪比好，而且磁頭離開磁道時再生輸出的變化量即脫離磁道特性要尖銳。如上所述，如果進行了預先格式記錄的磁道端部的磁化轉變缺乏尖銳性，則今后在亞微米級的磁道記錄中就難以實現(xiàn)準確的跟蹤伺服技術。
在上述的兩個課題中，作為第一個課題的解決對策，例如在特開昭63-183623號公報中公開了采用磁復制技術的跟蹤伺服信號等的復制記錄技術。采用磁復制技術的磁化圖形信號的復制記錄技術本來是作為錄象帶的復制方法開發(fā)的。關于該技術，在“C.D.Mee andE.D.Daniel:Magnetic Recording,Vol.3,Chapter 2,p94-105”中做了詳細說明。特開昭63-183623號公報中公開的方法是將上述錄象帶的復制技術應用于軟盤媒體的跟蹤伺服信號等的預先格式記錄中的方法。
如果采用這樣的磁復制技術，預先格式記錄時的生產效率得到改善是個事實。可是，該技術雖然在象軟盤這樣的頑磁力較低、面記錄密度小的磁盤媒體的情況下是有效的，但對于象現(xiàn)在的硬盤媒體這種備有擔負從數(shù)百兆位到千兆位級的面記錄密度的分辨率的高頑磁力媒體來說，是不可能使用的。
在磁復制技術中，為了確保復制效率，需要施加具有被復制盤的頑磁力的1.5倍左右的振幅的交流偏置磁場。由于記錄在主盤上的主信息是磁化圖形，所以利用該交流偏置磁場不能使主信息去磁，故要求主盤的頑磁力是被復制盤的頑磁力的3倍左右以上。為了擔負高面記錄密度，現(xiàn)在的高密度硬盤媒體的頑磁力也有120～200kA/m。為了擔負將來的10千兆位級的面記錄密度，該值預料將達到250～350kA/m。就是說，主盤的頑磁力現(xiàn)在是360～600kA/m，而將來則要求750～1050kA/m。
在主盤中要實現(xiàn)這樣的頑磁力，從磁性材料的選擇方面來說是困難的。另外，在現(xiàn)在的磁記錄技術中，還不能將主信息記錄在具有這么高的頑磁力的主盤中。因此，在磁復制技術中如果考慮到主盤中可能實現(xiàn)的頑磁力值，那么在被復制盤的頑磁力方面必然會受到制約。
另一方面，在上述的磁復制技術中，也可以將被復制盤加熱到居里點附近，在使自發(fā)去磁消失的狀態(tài)下進行復制記錄，利用這樣的熱磁復制的方法來代替施加交流偏置磁場的方法?？墒?，在此情況下，被復制盤的居里點要求比主盤的居里點低很多。一般來說，高密度磁記錄媒體中使用的Co基的高頑磁力磁性膜由于其居里點相當高，所以實現(xiàn)為了進行熱磁復制所要求的主盤及被復制盤的特性是困難的。因此，利用磁復制技術的預先格式記錄不可能成為實質性地解決上述課題的對策。
作為另一種解決上述課題的對策，是例如在特開平7-153060號公報(USP-5585989、EP-655734(公開編號))中公開的一種預先壓紋盤技術，該技術是利用模子形成具有與跟蹤用伺服信號或地址信息信號、再生時鐘信號等對應的凹凸形狀的盤媒體用基板，在該基板上形成磁性層。該技術成為對已說明過的兩個課題都有效的解決對策。可是，盤表面上的凹凸形狀對記錄再生時磁頭的起浮特性(接觸記錄時與媒體的接觸狀態(tài))有影響，預料會在磁頭·媒體之間的接口性能上出現(xiàn)問題。另外，用模子制造的基板基本上都是高分子材料(塑料)基板，所以不能進行為了確保媒體性能所必要的磁性層成膜時對基板的加熱。存在不能確保媒體所需的信噪比的問題。
根據(jù)以上的技術背景，關于上述的兩個課題，現(xiàn)在還沒有找到不降低媒體的信噪比和磁頭·媒體之間的接口性能等其它重要性能的真正有效的解決對策。
發(fā)明的公開鑒于上述的課題，本發(fā)明提供一種不降低媒體的信噪比、磁頭·媒體之間的接口性能等其它重要性能，而能提高預先格式記錄時的生產效率、以及進行了預先格式記錄的磁道端部的磁化轉變的尖銳性的方法及裝置。
本發(fā)明的將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的記錄方法是使用這樣一種主信息載體，即在其基體的表面上有形成了與主信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域、至少該凹凸形狀的凸部表面由強磁性材料形成。而且，通過使該主信息載體的表面與形成了強磁性薄膜或強磁性粉涂敷層的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸，將與主信息載體表面上的凹凸形狀對應的磁化圖形記錄在磁記錄媒體上。
構成主信息載體的凸部表面的強磁性材料最好是軟質磁性材料或者沿基體表面方向或垂直于基體的方向的頑磁力在40kA/m以下的硬質或半硬質磁性材料。
另外最好在使主信息載體表面與磁記錄媒體表面接觸時，施加使構成主信息載體的凸部表面的強磁性材料磁化用的直流磁場或協(xié)助磁化圖形的記錄用的交流偏置磁場。
在上述本發(fā)明的記錄方法中，利用從被單向磁化的主信息載體表面凸部的強磁性材料發(fā)生的漏磁通，將與主信息載體的凹凸形狀對應的磁化圖形記錄在磁記錄媒體上。即，通過在主信息載體的表面上形成與跟蹤用伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等對應的凹凸形狀，能在磁記錄媒體上進行與這些信息信號對應的預先格式記錄。
本發(fā)明利用由凹凸形狀產生的磁阻變化引起的從凸部的強磁性材料發(fā)生的漏磁場進行記錄。因此記錄機理與利用從磁頭的記錄間隙發(fā)生的漏磁場進行記錄的現(xiàn)有的磁記錄相同?？墒?，現(xiàn)有的用磁頭進行的記錄基本上是以磁頭和媒體的相對移動為依據(jù)的動態(tài)線記錄，與此不同，本發(fā)明的記錄方法是伴隨主信息載體和媒體的相對移動的靜態(tài)面記錄。由于該特征，且由于下述理由，本發(fā)明成為解決上述的兩個課題的有效對策。
第一，由于是面記錄，所以與以往用磁頭進行的記錄方法相比，預先格式記錄所需要的時間非常短。另外，不需要一邊嚴格地控制磁頭的位置一邊進行記錄用的高價伺服磁道記錄裝置。因此，如果采用本發(fā)明，則能大幅度提高與預先格式記錄有關的生產率，能降低生產成本。
第二，由于是伴隨主信息載體和媒體的相對移動的靜態(tài)記錄，所以通過使主信息載體表面和磁記錄媒體表面緊密接觸，能在記錄時使兩者之間的間隔達到最小限度。另外，不會象用磁頭進行的記錄那樣產生由記錄磁頭的磁極形狀決定的記錄磁場的擴大。因此，與以往用磁頭進行的記錄相比，進行了預先格式記錄的磁道端部的磁化轉變具有良好的尖銳性，能更準確地跟蹤。
另外，如果采用本發(fā)明，則不會產生特開昭63-183623號公報中公開的磁復制技術或特開平7-153060號公報中公開的預先壓紋盤技術中的問題，即不會產生進行預先格式記錄的磁記錄媒體的結構和磁特性受制約的問題。
例如，在特開昭63-183623號公報中公開的磁復制技術中，備有利用磁化圖形記錄的主信息的主盤需要有相當高的磁記錄分辨率。因此，不能充分地增大主盤磁性層的磁通密度及膜厚，所發(fā)生的復制磁場的大小變得非常小。另外用磁化圖形記錄主信息時，產生由雙“二進”位的匹配磁化造成的去磁，磁化轉變區(qū)中的復制磁場梯度變緩。在由這樣弱的復制磁場進行磁復制記錄中，為了確保足夠的復制效率，需要施加具有被復制盤的頑磁力的1.5倍左右的振幅的交流偏置磁場。其結果，如上所述，被復制盤的頑磁力受到制約，該磁復制技術只能適用于記錄密度較低的軟盤等。
與此不同，本發(fā)明的主信息載體具有作為凹凸形狀圖形的主信息，利用由該凹凸形狀產生的磁阻變化引起的從凸部的強磁性材料發(fā)生的漏磁場進行記錄。不需要磁復制技術中的作為主盤這樣的磁記錄媒體的分辨率，所以能使構成主信息載體表面的凸部的強磁性材料的磁通密度或體積與磁頭同樣的大小，其結果，能發(fā)生平行于磁頭的尖銳的大記錄磁場。因此，對于從通常的軟盤或硬盤直至將來的擔負千兆位記錄的高頑磁力媒體的所有的磁記錄媒體都能發(fā)揮充分的記錄能力。
另外，在特開平7-153060號公報中公開的預先壓紋盤技術中，如上所述，由于進行預先格式記錄的磁盤媒體的基板材料和形狀受到制約，所以損害了與媒體成膜時的基板溫度相關的媒體信噪比及與磁頭的起浮特性(接觸記錄時與媒體的接觸狀態(tài))相關的磁頭·媒體接口性能。與此相反，在本發(fā)明的記錄方法中，如上所述，進行預先格式記錄的磁記錄媒體的基板材料和形狀不受任何制約。
如上所述，如果采用本發(fā)明的記錄方法，不管進行預先格式記錄的磁記錄媒體的結構和磁特性如何，都能進行靜態(tài)面記錄，能提供不會損害媒體的信噪比、接口性能等重要性能的對上述的兩個課題真正有效的解決對策。
另外，在用本發(fā)明的方法進行的記錄過程中，施加與時間的推移同時衰減的交流偏置磁場是進一步提高記錄效率的有效方法。這時，與用磁化圖形記錄主信息的磁復制技術不同，因為本發(fā)明的主信息是由凹凸形狀構成的圖形，所以即使在施加了這樣的交流偏置磁場等外部磁場的情況下，主信息本身也不會消失。根據(jù)這樣的觀點，在本發(fā)明中構成主信息載體表面凸部的強磁性材料的頑磁力值不受制約。因此，只要能在磁記錄媒體上發(fā)生記錄主信息用的足夠的記錄磁場，作為構成主信息載體的表面凸部的強磁性材料，不限于高頑磁力材料，可以從具有半硬質磁性或軟質磁性的許多材料中選擇合適的材料。
另外，在本發(fā)明的記錄方法中，構成主信息載體表面凸部的強磁性材料在記錄過程中被單向磁化，需要發(fā)生記錄磁場。因此，由于使用半硬質磁性材料或軟質磁性材料而不能得到穩(wěn)定的單向磁化時，或在施加振幅較大的交流偏置磁場時，需要施加使強磁性材料磁化、發(fā)生適當?shù)挠涗洿艌鲇玫闹绷鲃畲糯艌?。該直流勵磁磁場相當于在磁頭中由線圈電流供給的勵磁磁場。
如上所述，如果采用本發(fā)明，則能在短時間內高效地、且廉價地在磁記錄媒體、特別是固定硬盤媒體、可換硬盤媒體、大容量軟盤媒體等盤狀媒體上進行跟蹤用伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等的預先格式記錄。
另外，如果采用本發(fā)明的記錄方法，則與現(xiàn)有的方法相比，能在更高的磁道密度區(qū)進行高精度的跟蹤。
為了實現(xiàn)上述效果，本發(fā)明能提供一點也不會損害磁記錄媒體的信噪比和磁頭·媒體接口性能等其它重要性能的對現(xiàn)有技術的課題真正有效的解決對策。即本發(fā)明是在磁記錄再生裝置領域中，擔負將來的千兆位級以上的面記錄密度用的有效技術。
附圖的簡單說明

圖1是表示本發(fā)明的主信息載體的表面結構例的放大平面圖。
圖2是表示本發(fā)明的主信息載體的實施例的沿磁道方向的剖面圖。
圖3是表示本發(fā)明的主信息載體的另一實施例的沿磁道方向的剖面圖。
圖4是表示本發(fā)明的主信息載體的又一實施例的沿磁道方向的剖面圖。
圖5是表示本發(fā)明的主信息載體的再一個實施例的沿磁道方向的剖面圖。
圖6(a)是表示用本發(fā)明的主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的方法的示意圖。
圖6(b)是表示記錄在磁記錄媒體上的記錄磁化圖形之一例圖。
圖6(c)是表示來自記錄在磁記錄媒體上的記錄磁化圖形的磁頭再生波形之一例圖。
圖7是表示用本發(fā)明的主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的另一方法的示意圖。
圖8是表示用本發(fā)明的主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的又一方法的示意圖。
圖9(a)是表示用本發(fā)明的主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的再一個方法的示意圖。
圖9(b)是表示記錄在磁記錄媒體上的記錄磁化圖形之一例圖。
圖9(c)是表示來自記錄在磁記錄媒體上的記錄磁化圖形的磁頭再生波形之一例圖。
圖10是表示沿本發(fā)明的主信息載體凸部的位長方向的剖面例圖。
圖11是表示沿本發(fā)明的主信息載體凸部的位長方向的另一剖面例圖。
圖12是表示本發(fā)明的主信息載體的制造工序的例圖。
圖13是表示本發(fā)明的主信息載體的制造工序的另一例圖。
圖14是表示本發(fā)明的主信息載體的制造工序的又一例圖。
圖15是表示本發(fā)明的主信息載體例的平面圖。
圖16是表示將圖15中的主信息載體的信息信號記錄在磁記錄媒體上的主信息的磁記錄裝置的局部剖面圖。
圖17(a)是表示用圖16中的磁記錄裝置將主信息載體的信息信號記錄在磁記錄媒體上的方法的透視圖。
圖17(b)是表示用圖16中的磁記錄裝置將主信息載體的信息信號記錄在磁記錄媒體上的另一方法的透視圖。
圖18是表示對磁記錄媒體進行預初始磁化的方法之一例圖。
圖19(a)是表示本發(fā)明的主信息載體的平面結構圖。
圖19(b)是表示沿圖19(a)中的主信息載體的C-C’線的表面輪廓圖。
圖20是表示將圖19中的主信息載體的信息信號記錄在磁記錄媒體上的主信息的磁記錄裝置的局部剖面圖。
圖21是表示用圖20中的磁記錄裝置將主信息載體的信息信號記錄在磁記錄媒體上的方法的透視圖。
優(yōu)選實施形態(tài)的說明以下，根據(jù)附圖詳細說明本發(fā)明的優(yōu)選實施形態(tài)。
(實施形態(tài)1)首先，說明本發(fā)明的主信息載體的基本結構例，以及用該主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的方法例。
圖1示出了本發(fā)明的主信息載體的表面之一例。圖1是表示例如將沿盤狀磁記錄媒體的周向(即沿磁道方向)每隔一定角度設的預先格式區(qū)中記錄的主信息圖形沿盤媒體的徑向(即橫切磁道的方向)示出10條磁道部分的圖形。在圖1中，用虛線表示的區(qū)對應于記錄了主信息信號的磁記錄媒體上成為數(shù)據(jù)區(qū)的磁道部分。實際的主信息載體表面與記錄主信息的磁盤媒體的記錄區(qū)對應地在盤的周向上每隔一定角度且沿盤媒體的徑向形成全部記錄磁道部分的如圖1所示的主信息圖形。
主信息圖形例如如圖1所示，它由時鐘信號、跟蹤用伺服信號、地址信息信號的各個區(qū)沿磁道方向依次排列構成。在本發(fā)明的主信息載體表面上形成與該主信息圖形對應的凹凸形狀。例如在圖1中，帶陰影線的部分是凸部，其表面由強磁性材料形成。另外，作為強磁性材料一般使用采用氣相淀積法或電鍍法制作的強磁性薄膜，但也可以使用將磁性微粒分散的有機粘合劑中涂敷而成的磁性涂敷膜、或燒結體之類的松密度材料。
利用形成光盤用的主模的形成工序及半導體工序等中采用的各種微細加工技術，能容易地形成與圖1所示的信息信號對應的微細的凹凸形狀圖形。例如，利用光刻法、或者使用激光束或電子束的刻蝕技術，在強磁性薄膜的表面上形成抗蝕劑膜，通過曝光及顯影進行圖形刻蝕后，通過干刻蝕在強磁性薄膜上形成微細的凹凸形狀圖形?；蛘咴诨w表面上對抗蝕劑膜進行圖形刻蝕后，也可以形成強磁性薄膜，除去抗蝕劑膜，利用所謂的剝離法，在強磁性薄膜上形成微細的凹凸形狀圖形。當然，只要能形成與信息信號對應的微細的凹凸形狀圖形，也可以不用抗蝕劑膜，而利用激光、電子束、離子束或其它的機械加工方法直接進行微細加工。另外，在實施形態(tài)2中將詳細說明適合于本發(fā)明的主信息載體的制造的微細加工工序例。
其次，在圖2至圖4中示出了沿圖1中的點劃線AA’的主信息載體的剖面結構例。圖2及圖3是在平面狀的基體21、31的表面上形成強磁性薄膜22、32后形成了與主信息信號對應的凹凸形狀的例。在形成凹凸形狀時，如圖2所示，也可以將強磁性薄膜22留在凹部，如圖3所示，也可以使凹部一直到達基體31內，只在凸部留下強磁性薄膜32。
圖4的例是在基體41的表面上形成了凹凸形狀后，再在凹凸形狀上形成強磁性薄膜42的例。圖4的結構使得凸部的強磁性薄膜42的表面邊緣容易呈圓形，很難獲得尖銳的臺階。這時要注意，在將主信息記錄在磁盤媒體上時，凸部和凹部的邊界處的記錄磁場的梯度小，會使記錄性能劣化。
另一方面，圖2及圖3的結構在凸部和凹部的邊界處容易獲得具有足夠大的梯度的尖銳的記錄磁場，所以一般比圖4的結構好。可是在形成凹凸形狀時，必須注意不要在強磁性薄膜表面上留下變質層或抗蝕劑膜。如果有這些殘留物，則在將主信息記錄在磁盤媒體上時，會產生記錄間隔損失。
關于基體材料，只要能在基體上形成強磁性薄膜、能以良好的精度形成與主信息信號對應的凹凸形狀，就沒有特別限制，但最好能使形成凹凸形狀的面的表面粗糙度小，盡可能地具有好的平坦性。在表面粗糙度大的情況下，在基體上形成的強磁性薄膜的表面粗糙度也大，使得將主信息記錄在磁盤媒體上時的記錄間隔損失增大。因此，作為能實現(xiàn)平坦性好的材料，例如有作為磁盤或光盤用的基板使用的各種玻璃基板、聚碳酸酯等高分子材料基板、鋁等金屬基板，除此之外還適合采用硅基板或碳基板等。
另外，就上述記錄間隔損失而言，在將主信息記錄在磁盤媒體上時，最好使主信息載體表面和磁盤媒體表面緊貼著而呈良好的接觸狀態(tài)。特別是在記錄主信息的磁盤是硬盤媒體的情況下，最好使主信息載體表面隨著磁盤媒體表面的微小彎曲或撓曲，而在盤的全部表面上實現(xiàn)良好的接觸狀態(tài)。為此，作為主信息載體的基體材料最好多少具有可撓性，例如采用片狀或盤狀的高分子材料的基體或金屬薄片等。根據(jù)這樣的觀點，具有特別好的基體的主信息載體的例作為第三實施形態(tài)將在后面詳細說明。
從圖2至圖4的結構例中的凹凸形狀的凹部深度即凸部表面和凹部底面的高度差由記錄主信息的磁盤媒體的表面平坦性和主信息的位數(shù)的大小決定，但一般為0.05μm以上，最好在1μm以上。如圖2和圖4的結構所示，在凹部底面上留有強磁性材料的情況下，如果凹部深度在1μm以下的話，在凸部和凹部的邊界處就難以獲得具有足夠大的梯度的尖銳的記錄磁場。另外，為了在將主信息記錄在磁盤媒體上時，使主信息載體表面和磁盤媒體表面呈良好的接觸狀態(tài)，凹部深度最好在0.1μm以上。
在形成強磁性材料時可以采用濺射法、真空蒸鍍法、電鍍法、CVD法等一般采用的形成薄膜的方法。
已經(jīng)說明過，不管是硬質磁性材料、半硬質磁性材料、還是軟質磁性材料，可以使用多種材料作為強磁性薄膜材料，但不管記錄主信息的磁盤媒體的種類如何，為了產生足夠的記錄磁場，其飽和磁通密度越大越好。特別是對于超過150kA/m的高頑磁力媒體或磁性層厚度大的軟盤媒體來說，如果飽和磁通密度在0.8T以下，往往不能進行充分的記錄，所以一般是使用具有0.8T以上、最好是1.0T以上的飽和磁通密度的材料。
另外，強磁性薄膜的厚度也對磁盤媒體的記錄能力有影響。不管磁盤媒體的種類如何，為了產生足夠的記錄磁場，強磁性薄膜必須有一定以上的厚度，但另一方面，還必須兼顧主信息的位的形狀，考慮反磁場的影響。在本發(fā)明的結構中，磁盤媒體是垂直磁記錄媒體的特殊情況除外，一般是使主信息載體凸部的強磁性薄膜在膜的平面內沿磁道方向磁化，產生記錄磁場。可是，在膜的厚度過厚的情況下，由于反磁場的影響，漏磁通減少，結果是記錄能力反而不好。因此，關于強磁性薄膜的厚度，必須根據(jù)主信息的位的長度設定適當?shù)闹怠＠缭谥餍畔⒌淖疃涛坏拈L度為1～2μm左右的情況下，膜厚的適當范圍為0.1μm至1μm左右。
另外，這些強磁性材料的好的磁特性與將主信息記錄到磁盤媒體上的記錄方法有關，關于這個問題將在后文說明。
圖5表示圖1中的點劃線AA’處的主信息載體的另一剖面結構例。圖5的結構例與從圖2至圖4的結構例不同，其基體本身是用強磁性材料制作的。即，在圖5的結構中，通過在由強磁性材料制作的基體51的表面上形成與主信息信號對應的凹凸形狀，能節(jié)省形成強磁性薄膜的工序，所以與從圖2至圖4的結構相比，能提高主信息載體本身的生產率。
如果使用燒結體這樣的松密度材料作為強磁性材料基體51，則在多半情況下主信息載體的表面的粗糙度較大。這時，在將主信息記錄到磁盤媒體上時，將增大記錄間隔損失，所以有必要盡可能地選擇具有平坦表面的基體材料。另外一般情況下，象燒結體這樣的松密度材料不能實現(xiàn)可撓性。因此圖5的結構例與向硬盤媒體的記錄相比，更適合于向軟盤媒體的記錄。
其次，說明用上述的主信息載體將主信息信號記錄到磁記錄媒體上的方法。圖6(a)表示將主信息信號記錄到使用主信息載體的面內的磁記錄媒體上的方法，圖6(b)表示記錄在磁記錄媒體上的記錄磁化圖形，圖6(c)表示用磁阻型磁頭(MR)使上述的記錄磁化圖形再生后的信號波形之一例。另外，圖6(a)、(b)都表示磁記錄媒體沿磁道方向的剖面結構例。
如圖6(a)所示，在面內磁記錄媒體上進行記錄時，在構成主信息載體61的凸部的強磁性材料上平行于磁記錄媒體62的表面沿磁道方向產生磁化63。在構成凸部的強磁性材料是由高頑磁力材料構成的情況下，利用使其沿磁道方向預先進行直流飽和而產生的殘留磁化產生該磁化63。另外，作為適合于上述這樣的強磁性材料的高頑磁力材料，適合采用例如以Sm-Co、Ne-Fe-B為主的稀土類-過渡性金屬系列材料等，其頑磁力及飽和磁通密度都很大。
由于在主信息載體61的表面上產生由凹凸形狀造成的磁阻變化，所以由凸部強磁性材料的磁化63產生記錄磁場64。該記錄磁場64在主信息載體61的凸部表面和凹部上極性相反，所以其結果，在磁記錄媒體62上能記錄如圖6(b)所示的與凹凸形狀對應的記錄磁化65的圖形。
根據(jù)用本發(fā)明的記錄方法產生的記錄磁化65，由磁頭再生的信號波形如圖6(c)所示，基本上與用現(xiàn)有的磁頭記錄的記錄磁化的再生波形相同。因此，在信號處理上也不會產生特別的不妥的問題。當然用本發(fā)明的記錄方法與用磁頭進行的記錄相比，記錄磁場的對稱性好，另外由于是伴隨主信息載體和磁記錄媒體的相對移動的靜態(tài)記錄，所以可以認為再生波形的對稱性也呈好的趨向。
在本發(fā)明的記錄工序中，如上所述，通過施加與時間推移的同時進行衰減的交流偏置磁場，能進一步提高記錄效率。如果考慮適用本發(fā)明的技術領域，則最好用本發(fā)明的記錄方法基本上進行數(shù)字飽和記錄。可是隨著應記錄的信息信號圖形或磁記錄媒體的磁特性的不同，有時記錄能力也會有若干不足。在這種情況下，上述與時間推移的同時進行衰減的交流偏置磁場的施加是協(xié)助進行充分的飽和記錄的有效方法。
通過施加交流偏置磁場進行記錄的機構基本上與現(xiàn)有的模擬交流偏置記錄的機構相同。但是本發(fā)明的記錄方法是伴隨主信息載體和磁記錄媒體的相對移動的靜態(tài)記錄，所以與交流偏置磁場的頻率有關的制約與現(xiàn)有的模擬交流偏置記錄相比要少得多。因此，在本發(fā)明的記錄方法中所施加的交流偏置磁場的頻率采用例如家庭用交流電源使用的50Hz或60Hz的頻率就足夠了。
交流偏置磁場的衰減時間與交流偏置周期相比足夠長，最好設定為交流偏置5個周期以上。例如，交流偏置磁場的頻率為50Hz或60Hz時，使其衰減時間在100ms以上就足夠了。
另一方面，在圖6(a)所示的方法中，需要使交流偏置磁場的最大振幅比構成主信息載體61的凸部的強磁性材料的頑磁力小。在圖6(a)所示的方法中，在給出比強磁性材料的頑磁力大的交流偏置磁場的情況下，即使凸部強磁性材料的磁化63減少，也能獲得足夠大的記錄磁場64。
上述的說明是構成主信息載體的凸部的強磁性材料由高頑磁力材料構成的情況?？墒牵诓捎酶哳B磁力材料的情況下，隨著主信息載體表面的凹凸圖形形狀的不同，使強磁性材料的易磁化軸沿磁記錄媒體的磁道方向有時難以獲得充分的磁化。
例如，由主信息載體的凸部供給的主信息信號的位形狀在沿橫切磁記錄媒體的磁道方向比沿磁道方向還細長的情況下，在構成凸部的強磁性材料中在橫切磁道的方向上產生形狀的各向異性，橫切磁道的方向容易成為易磁化軸。這時，使強磁性材料沿磁道方向直流飽和所產生的殘留磁化小，沿磁道方向的記錄磁場分量不能充分獲得。另外，具有硬質磁性的高頑磁力材料一般難以進行磁各向異性的控制，且沿磁道方向感應能補償上述這樣的位形狀的貢獻的各向異性也困難。
在構成主信息載體的凸部的強磁性材料是由軟質磁性材料或具有較低的頑磁力的硬質或半硬質磁性材料構成的情況下，能比較容易地解決上述問題。另外，硬質磁性材料或半硬質磁性材料的區(qū)別模糊，故以下在說明書中將具有比磁記錄媒體的頑磁力(通常為120～200kA/m)低一半以下的十分小的頑磁力(例如60kA/m以下)的硬質或半硬質磁性材料統(tǒng)稱為半硬質磁性材料。
用這些軟質磁性材料或半硬質磁性材料，在材料的形成工序中，通過有意地供給各種能量，或在材料形成后在磁場中退火等，與具有高頑磁力的硬質磁性材料相比，能容易地感應適當?shù)拇鸥飨虍愋?。因此，在大多情況下能比較容易地補償由上述那樣的位形狀的貢獻造成的形狀的各向異性。另外，在軟質磁性材料或半硬質磁性材料中，作為構成主信息載體的凸部的強磁性材料，具有適當?shù)娘柡痛磐芏鹊牟牧弦埠茇S富。作為適合于構成本發(fā)明的主信息載體的凸部的強磁性材料的軟質磁性材料，有例如一般作為磁頭鐵心材料用的Ni-Fe、Fe-Al-Si等晶體材料、Co-Zr-Nb等Co基的非晶形材料、Fe-Ta-N等Fe系微晶材料。另外，作為具有較低的頑磁力的半硬質磁性材料，例如適合采用Fe、Co、Fe-Co等。
在本發(fā)明的結構中，構成凸部的強磁性材料在記錄過程中必須產生單向磁化記錄磁場，但在軟質磁性材料或半硬質磁性材料中，在原來殘留磁化狀態(tài)下多半不能獲得穩(wěn)定的單向磁化。因此在采用軟質磁性材料或半硬質磁性材料的結構中，在多數(shù)情況下可以另外施加使它們勵磁而發(fā)生適當?shù)挠涗洿艌鲇玫闹绷鲃畲糯艌?。已?jīng)說明過，可以認為該直流勵磁磁場與在磁頭中由線圈電流供給的勵磁磁場相當。
在圖7中示出了用上述那樣的直流勵磁磁場記錄主信息信號的方法的結構例。圖7也與圖6(A)一樣，示出了沿磁記錄媒體的磁道方向的剖面。
構成主信息載體的凸部的軟質磁性材料或半硬質磁性材料由直流勵磁磁場75沿磁記錄媒體72的磁道方向被穩(wěn)定地磁化，產生記錄磁場74。由于直流勵磁磁場75還加在磁記錄媒體72上，所以不太可能達到較大的值。在多半情況下，最好達到與磁記錄媒體的頑磁力同等以下的大小。如果直流勵磁磁場75的大小達到與磁記錄媒體的頑磁力同等以下，則從構成凸部的軟質磁性材料或半硬質磁性材料產生的記錄磁場74就足夠大了，所以與圖6的結構相同，能記錄與凹凸形狀對應的記錄磁化圖形。實際上，適當?shù)闹绷鲃畲糯艌?5的大小隨著構成主信息載體的凸部的軟質磁性材料或半硬質磁性材料的磁特性、磁記錄媒體的磁特性、凹凸圖形形狀等因素而發(fā)生各種變化。因此有必要將磁記錄媒體的頑磁力值作為目標，根據(jù)各種情況通過實驗達到最佳化，以獲得最合適的記錄特性。
根據(jù)以上的觀點，構成主信息載體的凸部的軟質磁性材料或半硬質磁性材料最好利用與磁記錄媒體的頑磁力同等以下的直流勵磁磁場75，大體上達到磁飽和。在軟質磁性材料的情況下，在弱磁場中呈現(xiàn)出良好的飽和特性的情況多?？墒?，在半硬質磁性材料中往往需要較大的飽和磁場，所以要注意選擇材料。在具有一般的頑磁力值的硬盤媒體或大容量的軟盤媒體上進行記錄時，最大半硬質磁性材料最好具有40kA/m以下的頑磁力。頑磁力比40kA/m大時，使半硬質磁性材料沿磁記錄媒體72的磁道方向穩(wěn)定地磁化所需求的直流勵磁磁場75變得比媒體的頑磁力大，所以難以進行分辨率好的記錄。
在構成主信息載體的凸部的強磁性材料是由高頑磁力材料構成的結構中，特別是在供給比其頑磁力大的交流偏置磁場的情況下，給出圖7所示的直流勵磁磁場的記錄方法是有效的。已經(jīng)說明過，在圖6所示的結構中，在供給比強磁性材料的頑磁力大的交流偏置磁場的情況下，形成凸部的強磁性材料的磁化63減少，不能獲得足夠大的記錄磁場64。這時，通過重疊地供給直流勵磁磁場，使與強磁性材料的磁化63的極性相反施加的總的外部磁場減弱，能產生與不供給交流偏置磁場的情況同樣穩(wěn)定的記錄磁場。如上所述，在構成主信息載體的凸部的強磁性材料是由半硬質磁性材料或軟質磁性材料構成的情況下，將隨著時間衰減的交流偏置磁場重疊地加在直流勵磁磁場上的結構當然是有效的。
如圖8所示，利用主信息載體表面上的凹凸形狀圖形，使磁記錄媒體預先消去直流飽和，產生沿單向的初始磁化86，通過這樣構成，有時能進行更好的記錄。
凹凸形狀圖形隨著各種應用例中所需要的信息信號的不同而有各種形態(tài)。因此隨著凹凸形狀圖形的不同，凸部表面的記錄磁場及凹部的記錄磁場中的一方比另一方顯著地小，在小的一方的極性處很難充分地飽和記錄，或者發(fā)生記錄的線性受到損害的現(xiàn)象。在圖8所示的結構中，通過預先對磁記錄媒體82進行直流飽和消去，以便在凸部表面上的記錄磁場84a及凹部表面上的記錄磁場84b中與小的一方的記錄磁場的極性相同，能有助于該極性方向的飽和記錄。
另外在圖8中示出了使磁記錄媒體82與凸部強磁性材料的磁化83極性相反地消去直流飽和的例，但由上述可知，使磁記錄媒體應消去直流飽和的極性隨各種情況的不同而異。即，由于有時使磁記錄媒體82消去與凸部強磁性材料的磁化83相同的極性的方法能獲得好的記錄分辨率，所以需要注意。另外與圖7一樣，在圖8中示出了供給直流勵磁磁場85的情況，但與不供給直流勵磁磁場85的情況一樣，也能獲得消去直流飽和的效果。
以上的說明是在面內磁記錄媒體上進行記錄的情況。可是，本發(fā)明的記錄方法能根據(jù)磁記錄媒體的種類，進行各種變更后實施，這時也能獲得與上述同樣的效果。
作為典型的變形例，將磁記錄媒體是垂直磁記錄媒體的情況的本發(fā)明的記錄方法的結構示于圖9。圖9(a)表示用主信息載體將主信息信號記錄在垂直磁記錄媒體上的方法，圖9(b)表示記錄在垂直磁記錄媒體上的記錄磁化圖形，圖9(c)表示用磁阻型(MR)磁頭使上述的記錄磁化再生時的信號波形之一例。另外，圖9(a)及圖9(b)與從圖6(a)至圖8相同，都表示沿磁記錄媒體的磁道方向的剖面。
在垂直磁記錄媒體上記錄時，如圖6(a)所示，使構成主信息載體91的凸部的強磁性材料沿與磁記錄媒體92的表面垂直的方向產生磁化93。因此，例如在構成凸部的強磁性材料為強磁性薄膜的情況下，為了降低垂直方向上的反磁場，最好使強磁性薄膜的厚度足夠大。
另外在供給直流勵磁電流95的情況下，也與在面內磁記錄媒體上進行記錄的情況不同，對磁記錄媒體92的表面沿垂直方向施加。另外，預先對磁記錄媒體92進行直流飽和消去，產生沿單向的初始磁化96時，也是沿垂直方向進行直流飽和消去，留下垂直方向的初始磁化96。
(實施形態(tài)2)作為本發(fā)明的實施形態(tài)2，說明在大面積上均勻地記錄分辨率好的主信息載體的結構例，以及廉價且高效率地生產該主信息載體用的制造工序例。
在上述的實施形態(tài)1中，圖1～圖5所示的主信息載體的表面需要這樣形成，即用光刻技術等，高精度地加工與進行預先格式記錄的信號圖形對應的凹凸圖形?？墒?，在形成與位長在數(shù)微米以下的記錄密度大的信號對應的凹凸圖形時，隨著主信息載體的形成工序的不同，有時難以形成分辨率足夠高的凹凸圖形。特別是在3.5英寸和5英寸的大直徑盤上進行記錄用的主信息載體的情況下，用通常的光刻工序在這么大的面積上實現(xiàn)均勻的加工精度是困難的，隨著場所的不同，凹凸圖形的微細剖面形狀有所不同。
例如在圖3所示的例中，在平面狀的基體31的表面上首先形成強磁性薄膜32，使在其表面上涂敷的抗蝕劑膜曝光、顯影，對與磁盤信息信號對應的凹凸形狀進行圖形刻蝕后，利用離子刻蝕等的干刻蝕技術，在強磁性薄膜32上形成了微細的凹凸形狀圖形。
在圖3中將凸部的剖面形狀簡單地描繪成矩形，但在用通常的光刻工序作成的實際的主信息載體中很難在大面積上均勻地形成這樣的矩形剖面。即，正確地說，凸部的剖面形狀不是矩形，而是呈上底長度和下底長度不同的近似于梯形的形狀。而且，上底兩端肩部的角一般被去掉而程圓形。
上述這樣的梯形剖面形狀主要是由于抗蝕劑膜在曝光及顯影過程中分辨率與數(shù)字信息信號的位長相比不夠充分所引起的。就是說，對抗蝕劑膜進行圖形刻蝕得到的抗蝕劑的凸部剖面形狀已經(jīng)呈梯形，而且上底兩端肩部的角呈圓形。承接這樣的抗蝕劑膜的圖形刻蝕形狀，在以后利用離子刻蝕等干刻蝕技術形成的強磁性薄膜的凹凸形狀圖形的凸部剖面形狀也就呈同樣的梯形剖面了。
另外，上述的圖形刻蝕形狀在大面積上欠缺均勻性，即使在形成了同一個凹凸圖形時，也常常發(fā)現(xiàn)在不同的地方上述微細的剖面形狀有所差異。這樣的凹凸圖形的微細的剖面形狀的差異對于進行了預先格式記錄的信號的信噪比會造成不良影響。
通過采用可在大面積上實現(xiàn)足夠高的精度和分辨率的先進的光刻技術，上述課題還是有可能解決的。可是在此情況下，假定即使解決了上述課題，但由于必須使用高價的曝光裝置、抗蝕劑、以及顯影液等，所以主信息載體的生產率下降，成本上升。
與此相反，如果采用本實施形態(tài)，由于在凹凸圖形形狀上下功夫，所以即使在使用價格較便宜的光刻工序的情況下，也能將伴隨微細的剖面形狀的差異的信噪比的變化限制在允許值以下。
本發(fā)明者們刻意地研究了不易影響信號的信噪比的好的凹凸圖形的剖面形狀。其結果弄清了通過使主信息載體的凸部剖面形狀呈下述的第一或第二種結構，就能將伴隨微細的剖面形狀的差異的信噪比的變化限制在允許值以下。
圖10表示凸部剖面形狀的第一種結構例。在該結構中，沿數(shù)字信息信號的位長方向的凸部剖面形狀大致呈表面?zhèn)葹樯系?、基體側為下底的梯形。上底長度a比下底長度b小，而且兩底的長度差(b-a)是梯形高度h的2倍以下。通過使凸部呈這樣的剖面形狀，在對位長達數(shù)微米左右的數(shù)字信息信號進行預先格式記錄時，也能將伴隨微細的剖面形狀的差異的信噪比的變化限制在允許范圍以內。
再生信號的信噪比不用說對為了主信息載體凸部的強磁性薄膜102進行預先格式記錄而發(fā)生的記錄磁場的大小有影響，就是對凸部和凹部的邊界部分、即凸部表面一側的上底兩端附近的磁場梯度的大小也有影響。研究的結果表明，由于有呈梯形剖面的凸部的上底長度a和下底長度b之差在梯形高度h的2倍以下的范圍內，磁場梯度比較陡，所以再生信號的信噪比能獲得所需的足夠的值，而且在該范圍內與微細剖面形狀的差異相伴隨的信噪比的變化也小。
反之，在凸部的剖面形狀中，上底長度a和下底長度b的差在比梯形高度h的2倍大的范圍內，由于由梯形剖面的傾斜部分發(fā)生的漏磁場的作用，使得上底兩端附近的磁場梯度急劇下降。因此，在該范圍內與剖面形狀的差異相伴隨的再生信號的信噪比的變化超過允許范圍而變大，難以在大面積內獲得均勻且充分的再生信號的信噪比。
另外，使位長進一步變小，在記錄1微米以下的數(shù)字信息信號時，與上底兩端部的形狀相伴隨的磁場梯度的變化對再生信號的信噪比有影響。在這樣的情況下，最好使上底兩端部的曲率半徑r、r’小于上底長度的一半。因此，在記錄位長在1微米以下的數(shù)字信息信號時，也能將與剖面形狀的差異相伴隨的信噪比的變化限制在允許范圍內。
這樣，如果采用上述的第一種結構，由于允許凸部剖面呈梯形，所以不需要采用特別高級的光刻工序，采用一般廣泛使用的通常的光刻工序就是制作凹凸形狀。因此，能以好的生產率且廉價地生產具有第一種結構的主信息載體。
如在實施形態(tài)1中所述，在用上述的主信息載體進行預先格式記錄時，強磁性薄膜的厚度會影響再生信號的信噪比。在圖10所示結構例中的強磁性薄膜102的厚度太薄時，不能產生足夠大的記錄磁場，而且由于在凸部和凹部的邊界處的磁場梯度也變小，所以難以進行充分的記錄。
另一方面，在面內磁記錄媒體上進行預先格式記錄時，如果強磁性薄膜102的厚度太厚，則由于與凸部形狀相伴隨的反磁場的作用，還是不能產生足夠大的記錄磁場。例如，在面內磁盤媒體上進行預先格式記錄時，將直流勵磁磁場沿周向加在盤面內，使主信息載體凸部的強磁性薄膜102磁化，記錄與凹凸形狀圖形對應的數(shù)字信息信號?？墒?，在與信號的位長對應的凸部上底長度a不比強磁性薄膜102的厚度大很多的情況下，與強磁性薄膜102的磁化極性相反的反磁場變大，使得凸部上產生的記錄磁場下降。
在強磁性薄膜102的厚度比凸部的上底長度a的二分之一大的情況下，上述的反磁場產生的影響會引起信噪比下降，但如果強磁性薄膜102的厚度比凸部的上底長度a的二分之一小，則信噪比的下降會小到可以忽略的程度，這一點已經(jīng)清楚了。因此，特別是在面內磁記錄媒體上進行預先格式記錄時使用的主信息載體中，最好在凸部剖面上的上底長度a的二分之一以下的范圍內確保能產生足夠的記錄磁場的強磁性薄膜102的厚度。
反之，在垂直磁記錄媒體上進行預先格式記錄時，將直流勵磁磁場加在強磁性薄膜102的厚度方向上，使其磁化，記錄與凹凸形狀圖形對應的數(shù)字信息信號。這時，與在面內記錄媒體上進行信號記錄時相反，強磁性薄膜102的厚度越小，由反磁場引起的記錄磁場的下降就越顯著。因此，在垂直磁記錄媒體上進行預先格式記錄時使用的主信息載體有必要使強磁性薄膜102的厚度比凸部剖面上的上底長度a大很多，最好達到上底長度a的2倍以上。
其次，在圖11中示出了凸部剖面形狀的第二種結構例。在該第二種結構中，在數(shù)字信息信號的位長方向上的凸部的剖面形狀大致呈表面?zhèn)葹樯系住⒒w側為下底的梯形，而且上底長度a比下底長度b大。這樣，由于就凸部的剖面而言呈倒立的梯形，所以在對位長在1微米以下的數(shù)字信息信號進行預先格式記錄時，也能獲得足夠的再生信號的信噪比，而且能將與微細剖面形狀的差異相伴隨的信噪比的變化限制在允許值以下。
如上所述，再生信號的信噪比對為了主信息載體凸部的強磁性薄膜進行預先格式記錄而發(fā)生的記錄磁場的大小、以及凸部和凹部的邊界部分、即凸部表面一側的上底兩端附近的磁場梯度的大小有影響。在第二種結構中，由于凸部剖面形狀的梯形的上底長度a比下底長度b大，所以上底和它兩側的斜邊構成的角呈銳角。利用這樣的結構能減小由斜邊部分發(fā)生的漏磁場的影響，在上底兩端附近能獲得陡的磁場梯度，其結果，能獲得再生信號的足夠的信噪比。
另外，在上述第二種結構中，凸部剖面形狀的梯形的上底長度a和下底長度b之差及上底兩端部的磁場梯度的變化在結構上變小。因此，與微細的剖面形狀的變化相伴隨的再生信號的信噪比的變化量能為允許值以下的小的值。因此，與第一種結構相同，能在大面積內獲得均勻且充分的再生信號的信噪比。
在上述第二種結構中，強磁性薄膜112的厚度對再生信號的信噪比有影響。關于強磁性薄膜112的厚度的設計方針與第一種結構相同。即，最好在面內磁記錄媒體上進行預先格式記錄用的主信息載體中，使強磁性薄膜112的厚度為凸部上底長度a的一半以下，另一方面，在垂直磁記錄媒體上進行預先格式記錄用的主信息載體中，使強磁性薄膜112的厚度為凸部上底長度a的2倍以上。
具有第二種結構的主信息載體可以利用例如采用剝離工序等的光刻技術來制造。以下，說明適合于具有第二種結構的主信息載體的制造的制造工序例。
圖12表示具有第二種結構的主信息載體的制造工序之一例。
首先，如圖12(a)所示，在基體121的表面上由光敏抗蝕劑膜123形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀。這時，在數(shù)字信息信號的位長度方向上的由光敏抗蝕劑膜123形成的凸部的剖面形狀如圖12(a)所示，呈表面?zhèn)葹樯系?、基體側為下底的大致的梯形，而且使下底長度比上底長度大。
其次，如圖12(b)所示，在含有由光敏抗蝕劑膜123形成的凸部的基體121上形成強磁性薄膜122。在形成強磁性薄膜122時可以采用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法等一般采用的各種薄膜形成方法。
其次，如圖12(c)所示，在通過離子刻蝕等在強磁性薄膜122的表面上進行了若干刻蝕后，通過剝離將光敏抗蝕劑膜123及在光敏抗蝕劑膜123上形成的強磁性薄膜122除去。其結果，如圖12(d)所示，制成了在基體121上形成了強磁性薄膜122的凸部的主信息載體，上述強磁性薄膜122具有表面?zhèn)鹊纳系妆然w側的下底長的梯形剖面。另外，剝離工序是通過利用一種稱為脫膜劑的特別的溶劑來溶解光敏抗蝕劑膜123，而將光敏抗蝕劑膜123及在光敏抗蝕劑膜123上形成的強磁性薄膜122除去。
圖12(c)所示的強磁性薄膜表面的刻蝕工序的目的是將在由光敏抗蝕劑膜形成的凸部的斜面上淀積的強磁性薄膜122除去，而使以后的剝離工序容易進行。在強磁性薄膜122的厚度小的情況下，將該工序省略也能進行剝離。可是這時，剝離后的強磁性薄膜122的圖形刻蝕精度容易下降，有可能在局部殘留強磁性薄膜屑或光敏抗蝕劑膜123。因此，最好可靠地進行圖12(c)所示的刻蝕工序。
在圖12(c)中，示出了通過離子刻蝕進行強磁性薄膜的刻蝕的例，但在該工序中除了濺射刻蝕等真空干法工藝外，還可以采用由化學刻蝕進行的濕法工藝。
另外，由于該刻蝕工藝的目的是將在由光敏抗蝕劑膜123形成的凸部的斜面上淀積的強磁性薄膜122除去，所以在采用濺射刻蝕或離子刻蝕等真空干法工藝的情況下，最好使離子相對于基體121的表面傾斜入射。如果采用本發(fā)明者們的研究結果，則由于使離子124相對于基體表面的法線以20度以上的入射角入射到基體121上，可知能有效地將淀積在上述斜邊上的強磁性薄膜122除去。
在圖13中示出了具有第二種結構的主信息載體的制造工序的另一例。
首先，如圖13(a)所示，在基體131的表面上形成導電性薄膜134后，如圖13(b)所示，由光敏抗蝕劑膜133在導電性薄膜134上形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀。這時，在數(shù)字信息信號的位長度方向上的由光敏抗蝕劑膜133形成的凸部的剖面形狀如圖13(b)所示，呈表面?zhèn)葹樯系?、基體側為下底的大致的梯形，使下底長度比上底長度大。
接著，如圖13(c)所示，在含有由光敏抗蝕劑膜133形成的凸部的導電性薄膜134上，利用電解電鍍法形成強磁性薄膜132。
最后，如圖13(d)所示，通過將光敏抗蝕劑膜133除去，便制成了在導電性薄膜134上形成了強磁性薄膜132的凸部的主信息載體，上述強磁性薄膜132具有表面?zhèn)鹊纳系妆然w側的下底長的梯形剖面。光敏抗蝕劑膜133的除去方法，與圖12(d)所示的剝離工藝相同，通過利用一種稱為脫膜劑的特別的溶劑溶解光敏抗蝕劑膜133來進行。
與圖12所示的制造方法不同，在圖13所示的制造方法中，強磁性薄膜132的形成是利用電解電鍍法進行的，所以在由光敏抗蝕劑膜133形成的凸部表面上不淀積強磁性薄膜。因此與圖12所示的制造方法相比，容易除去光敏抗蝕劑膜133，同時不需要進行強磁性薄膜132的刻蝕工藝。通過利用導電性基體131，在圖13所示的制造方法中形成所需的導電性薄膜134的工序可以不要。
導電性薄膜134的材料及厚度沒有特別限制，但最好獲得表面粗糙度小的薄膜。在導電性薄膜134的表面粗糙度大的情況下，在它上面形成的強磁性薄膜133的表面粗糙度也大，所以可能會影響預先格式記錄時的記錄磁場分布。因此，只要能獲得可進行電解電鍍的導電性，最好使用表面粗糙度小的連續(xù)的薄膜材料，而且使厚度盡可能地薄。
另外，在使光敏抗蝕劑膜曝光的光源波長區(qū)域內，在導電性薄膜134的表面光的反射率大的情況下，由于反射光產生的影響，有時會使曝光時的分辨率下降。因此，作為導電性薄膜材料，最好使用在使光敏抗蝕劑膜133曝光的光源波長區(qū)域內表面的光的反射率較小的材料，最好使反射率在50％以下的材料。
如上所述，通過使導電性薄膜134同時具有反射防止膜的功能，與在基體131上直接進行抗蝕劑膜的圖形刻蝕的情況相比，能提高分辨率。作為適合于這種同時具有反射防止膜的功能的導電性薄膜134的材料，例如有導電性的碳膜、或以碳為主要成分的含有若干雜質的膜。
作為選擇導電性薄膜材料時的標準，除了上述的條件以外，最好還要考慮與在導電性薄膜134上淀積的強磁性薄膜材料的相關性。由于導電性薄膜材料的不同，用電解電鍍法在它上面淀積的強磁性薄膜132的膜淀積速度、結構或磁特性往往有所差異。因此，最好考慮所使用的強磁性薄膜材料，選擇最佳的導電性材料。
另外，在使用導電性基體的情況下，其材料的選擇也應注意與上述導電性薄膜材料的選擇同樣的問題。
如上所述，在特別適合于具有第二種結構的主信息載體的制造的工序例中，由于允許由光敏抗蝕劑膜133形成的凸部剖面呈梯形，所以不需要采用特別高級的光刻工藝，可以采用一般廣泛使用的通常的光刻工藝。因此，與具有第一種結構的主信息載體一樣，能進行生產率好、而且廉價的生產。
(實施形態(tài)3)在主信息信號的記錄過程中，在主信息載體表面和磁記錄媒體表面之間必須保持均勻且良好的接觸狀態(tài)。在不能保持均勻且良好的接觸狀態(tài)的情況下，由于間隔損失，有時不能正確地記錄主信息信號。這時會發(fā)生來自磁記錄媒體的再生信號中一部分信息丟失或信噪比下降。
在本實施形態(tài)中，說明主信息載體表面和磁記錄媒體表面之間保持均勻且良好的接觸狀態(tài)，能進行可靠性高的預先格式記錄的主信息載體及使用它的記錄方法的例。
進行預先格式記錄的磁記錄媒體是硬盤時，其基板是金屬、玻璃、硅或稱為碳的高硬度的剛體。因此，為了使主信息載體表面跟蹤硬盤基板表面的微小的扭曲或變形，與硬盤表面之間保持良好的接觸狀態(tài)，主信息載體的基體最好多少有些可撓性。作為這樣的基體材料的候選，可以舉出高分子材料。
本發(fā)明的主信息載體由于采用由高分子材料構成的基體，所以在與具有在高硬度的剛體基板上形成的磁性層的硬盤媒體表面之間容易實現(xiàn)均勻且良好的接觸狀態(tài)。因此，能提高預先格式記錄的可靠性。
可是，在將來的具有10千兆位級的面記錄密度的硬盤的預先格式記錄中，為了將與硬盤基板相比而具有柔軟物性的高分子材料作為主信息載體的基體用，可知有必要極大地改善耐環(huán)境特性及處理性能。具體地說，有必要提高與由于溫度、濕度的變化而引起的膨脹、收縮對應的尺寸的穩(wěn)定性、主信息載體的制作工序中的物理性的及化學性的穩(wěn)定性的問題、以及可加工性。另外，在記錄過程中，為了在主信息載體表面和磁記錄媒體表面之間確保均勻且良好的接觸狀態(tài)，還有必要使其難以產生由靜電引起的吸附塵埃的現(xiàn)象。
為了解決上述課題，研究了具有將高分子材料作為結構要素的基體的主信息載體的結構。其結果，弄明白了通過使主信息載體采用以下說明的結構，就能解決上述的課題。
首先，說明耐環(huán)境性的問題。為了進行將來的具有10千兆位級的面記錄密度的硬盤的預先格式記錄，要求主信息載體的基體具有相當高的尺寸精度。而且，該高尺寸精度必須在主信息載體的制造工序、預先格式記錄工序、以及在主信息載體的保存狀態(tài)下的各種環(huán)境中都能實現(xiàn)?？墒牵哂心軡M足上述要求的耐環(huán)境性能的高分子材料目前作為單獨的材料還不存在。
例如，聚酰亞胺系列、聚酰胺系列樹脂都是具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和化學穩(wěn)定性的材料，可是又具有在高濕環(huán)境下吸收水分而膨脹的性質。另外，聚對苯二甲酸乙二醇酯系列樹脂由吸水而引起的膨脹比較小，但在熱穩(wěn)定性上有問題。
聚丙烯系列、特氟隆(商品名為聚四氟乙烯)系列樹脂在不同的環(huán)境下尺寸的穩(wěn)定性較好?？墒牵@些材料存在難以確保與強磁性薄膜粘接的問題。
本發(fā)明的主信息載體是由上述特性不同的兩種以上的高分子材料重疊而成的多層結構構成基體。因此，能充分發(fā)揮各種材料的特性而彌補缺點。
作為優(yōu)選例，具有將聚酰亞胺系列或聚酰胺系列樹脂重疊在聚丙烯系列或特氟隆系列樹脂上而成的多層結構的基體。使用該基體的主信息載體利用聚丙烯系列或特氟隆系列樹脂的特性，能在多種環(huán)境下保持良好的尺寸精度。而且，由于在聚酰亞胺系列或聚酰胺系列樹脂表面上形成強磁性薄膜，所以關于強磁性薄膜和基體的粘接性可以確保充分的性能。
這樣的多層結構基體中的高分子材料的最佳組合或層厚的分配隨下述條件的不同而異制造主信息載體時的熱經(jīng)歷或進行預先格式記錄時的溫濕度環(huán)境、保存主信息載體時的溫濕度環(huán)境等。因此，有必要根據(jù)各種實施條件，選擇最佳組合及層厚分配。
其次，說明可加工性的問題。在與主信息對應的凹凸形狀的圖形刻蝕后，根據(jù)進行預先格式記錄的磁記錄媒體的形態(tài)，有時需要進行適當?shù)男螤罴庸?。例如，在硬盤上進行預先格式記錄的主信息載體的情況下，為了預先格式記錄時容易進行處理，最好具有與硬盤的直徑對應的適當?shù)拇笮　?br> 可是，具有由高分子材料構成的基體的主信息載體一般來說可加工性不好。特別是加工時容易產生塑性變形，所以有時產生與其相伴隨的尺寸精度的下降。
本發(fā)明的主信息載體的基體備有金屬、合金或陶瓷材料的母材，以及在其表面上形成的高分子材料層，所以能解決有關上述的可加工性的問題。即，反映有較高硬度的母材的良好的可加工性，能改善主信息載體全體的可加工性，同時設在母材表面上的高分子材料層很難產生塑性變形。另外，由有較高硬度的母材來提高主信息載體的宏觀形狀的穩(wěn)定性及處理性能。
固體母材本身很難與磁記錄媒體的變形充分對應。可是，由于設在基體表面上的可撓性的高分子材料層有彈性，所以由主信息載體的強磁性薄膜構成的各個凸部能個別地且充分地跟蹤磁記錄媒體的變形和表面的微小的扭曲。因此，與磁記錄媒體表面之間能確保均勻且良好的緊密接觸性。
另外，在用由金屬、合金或陶瓷材料構成的母材和在它表面上形成的高分子材料層構成主信息載體的基體的情況下，還能獲得改善與高分子材料的耐環(huán)境特性有關的尺寸精度的效果。
作為在母材表面上形成高分子材料層的方法，可以采用粘貼高分子材料膜、涂敷或流延單體或聚合物先驅體然后進行聚合、高分子材料的真空蒸鍍等各種方法。
用簡略的剖面圖將具有上述結構的主信息載體的制造工序示于圖14。
首先，用環(huán)乙醇將聚酰亞胺溶液(トレニ-ス東レ制)稀釋到規(guī)定的濃度，用旋轉涂膠機將它涂敷在玻璃母材141上。通過在高溫下使其固化，如圖14(a)所示，制成在玻璃母材141上淀積了聚酰亞胺層142的基體。聚酰亞胺層142的厚度需要根據(jù)實施條件取最合適的值。在一實施例中，固化后約為1微米。
其次，在聚酰亞胺層142上形成光敏抗蝕劑膜144后，經(jīng)過曝光、顯影工序，如圖14(b)所示，形成與主信息信號對應的凹凸形狀。
其次，在含有由光敏抗蝕劑膜144形成的凸部的聚酰亞胺層142上形成強磁性薄膜143。在形成強磁性薄膜143時，可以采用真空蒸鍍法、濺射法、電鍍法等一般采用的各種形成薄膜的方法。
最后，通過剝離將光敏抗蝕劑膜144及在它上面形成的強磁性薄膜143除去。其結果，如圖14(c)所示，制成了在基體上形成了強磁性薄膜143的凸部的主信息載體，上述基體將玻璃材料作為母材141、并在其表面上設有由聚酰亞胺層構成的高分子材料層142。
高分子材料層不限于單一的材料，也可以考慮到高分子材料的彈性、耐藥品性等之后，淀積多種高分子材料。使光敏抗蝕劑膜顯影的顯影液、剝離用的脫膜劑、以及濕法工藝中的刻蝕用的刻蝕極等溶液多半具有較強的堿性或酸性。聚酰亞胺或聚酰胺等高分子材料對酸或堿的耐藥性好，所以適合于作為形成基體的最外層表面的材料。
其次，說明在預先格式記錄過程中，能防止由靜電引起的附著塵埃的主信息載體的結構。在預先格式記錄過程中，為了確保主信息載體表面和磁記錄媒體表面之間均勻且良好的接觸狀態(tài)，有必要防止由靜電引起的塵埃的附著。因為在發(fā)生附著塵埃的地方會發(fā)生由間隔損失引起的再生信號的信噪比的下降或再生信號的丟失。
在本發(fā)明的主信息載體中至少構成基體表面的高分子材料具有防止帶電程度的導電性。因此，能抑制塵埃附著在主信息載體上，能進行可靠性高的預先格式記錄。
通過將以導電物質為主要成分的微粒至少分散在形成基體表面的高分子材料中，能使該高分子材料具有不帶電程度的導電性。作為這樣的微粒最好是例如以碳為主要成分的微粒。這種以碳為主要成分的微粒容易配合分散在高分子材料中，而且價格便宜。
另外，作為另一種防止由靜電引起的附著塵埃的結構，可以在母材表面上形成的高分子材料層的表面上形成其厚度不妨礙高分子材料層的彈性程度的導電性薄膜(例如金屬膜)。即，在由高分子材料構成的基體表面上形成導電性薄膜，在該導電性薄膜上形成強磁性薄膜的凹凸形狀圖形。在這樣的結構中，由于主信息載體表面只由導電性材料構成，所以能更可靠地防止帶電，能更可靠地抑制塵埃的附著。
(實施形態(tài)4)為了最大限度地體現(xiàn)本發(fā)明的記錄方法的效果，如上所述，在主信息信號的記錄過程中，有必要在主信息載體表面和磁記錄媒體表面之間保持均勻且良好的接觸狀態(tài)。在兩者之間不能實現(xiàn)均勻且良好的緊密接觸狀態(tài)的情況下，起因于間隔損失而產生再生信號的丟失，或者不能獲得充分的記錄信號強度，有可能不能確保良好的信噪比。另外，由于記錄磁場寬，所以磁道端部的磁化轉變缺乏尖銳性，有可能不能獲得充分的偏離磁場特性。
本實施形態(tài)的主信息載體采用與實施形態(tài)3不同的結構，確保主信息載體表面和磁記錄媒體表面的均勻且良好的緊密接觸狀態(tài)。另外，提供一種用該主信息載體進行可靠性高的預先格式記錄用的磁記錄裝置。
首先，本實施形態(tài)的第一種結構的主信息載體在基體表面上備有形成了與信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域、以及不形成凹凸形狀的區(qū)域，至少在凹凸形狀的凸部表面上形成強磁性薄膜，在不形成凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分上設有通孔。
另外，本實施形態(tài)的第二種結構的主信息載體在基體表面上備有形成了與信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域、以及不形成凹凸形狀的區(qū)域，至少在凹凸形狀的凸部表面上形成強磁性薄膜，不形成凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分表面高度比形成了凹凸形狀的區(qū)域的表面高度低。
用上述這樣的主信息載體在磁記錄媒體上記錄信息信號用的磁記錄裝置備有使主信息載體和磁記錄媒體緊密接觸的部件；進行主信息載體和磁記錄媒體的定位的部件；以及施加使在主信息載體的凸部表面上形成的強磁性薄膜磁化的磁場的部件。
具有上述特征的磁記錄裝置的第一種具體結構使用在不形成凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分上設有通孔的第一種結構的主信息載體。而且，使主信息載體和磁記錄媒體緊密接觸的部件是這樣構成的，即在使主信息載體和磁記錄媒體相接觸的狀態(tài)下，通過主信息載體上的通孔排出存在于主信息載體和磁記錄媒體之間的氣體，以便使主信息載體上的凹凸形狀和磁記錄媒體緊密接觸。
磁記錄裝置的第二種具體結構使用使不形成凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分表面高度比形成了凹凸形狀的區(qū)域的表面高度低的主信息載體，作為主信息載體和磁記錄媒體的緊密接觸部件，在使主信息載體和磁記錄媒體相接觸的狀態(tài)下，使存在于主信息載體的不形成凹凸形狀的區(qū)域和磁記錄媒體之間的氣體排出，以便使主信息載體上的凹凸形狀和磁記錄媒體緊密接觸。
使用上述這樣的本發(fā)明的主信息載體及磁記錄裝置，能使磁記錄媒體對主信息載體進行均勻且良好地緊密接觸，能進行可靠性高的預先格式記錄。
作為主信息載體和磁記錄媒體的緊密接觸部件，最好備有夾持主信息載體及磁記錄媒體的一對法蘭、以及使該一對法蘭的周邊部分互相緊固的部件。上述排出氣體的緊密接觸部件也備有該機械的緊固部件，所以在主信息載體和磁記錄媒體之間更能獲得均勻且良好的緊密接觸。在將排出氣體用的排氣管道連接在主信息載體或磁記錄媒體面的中央部分時，由排出氣體所產生的吸引力容易集中在中央部分，所以有時在主信息載體或磁記錄媒體上產生變形。因此通過將周邊部分機械地緊固，以便補償上述集中在中央部分的吸引力(大氣壓力)，能抑制主信息載體或磁記錄媒體的變形，使兩者更均勻且良好地緊密接觸。另外最好在上述一對法蘭和主信息載體及磁記錄媒體之間的至少一者上安裝彈性構件，能使主信息載體及磁記錄媒體更加均勻且良好地緊密接觸。
另外，作為進行主信息載體和磁記錄媒體的定位用的部件最好這樣構成，即配置使磁記錄媒體的內周或外周重合在主信息載體的內周部分或外周部分上進行定位用的記號。
以下，參照圖15至圖21，說明本實施形態(tài)的詳細結構。
圖16是表示將在主信息載體上形成的信息信號記錄在磁記錄媒體上用的磁記錄裝置的一結構例的剖面圖。圖中，161a、161b是主信息載體，162是硬盤，163是上法蘭，164是下法蘭，165a、165b是永久磁鐵，166a、166b是排氣裝置，167a、167b是三通閥，168a、168b是排氣管道，160是O形環(huán)。由永久磁鐵165a、165b進行的磁化方向從圖紙的背面指向表面。
例如，如圖15所示，在主信息載體161a、161b的表面上每隔規(guī)定的角度設有形成與信息信號對應的微細的凹凸形狀的區(qū)域152。如果將該區(qū)域152的一部分(圖15中的區(qū)域B)放大，例如具有圖1所示的結構。如在實施形態(tài)1中所述，在形成了凹凸形狀的區(qū)域152中，沿磁場方向依次排列著跟蹤用伺服信號、時鐘信號、以及地址信息信號等各種信號。圖1中帶陰影線的部分是凸部，凸部表面由Co、Ni-Fe等強磁性材料形成。
如在實施形態(tài)1中所述，與信息信號對應的微細的凹凸形狀的凸部表面和凹部底面之間的臺階的高低根據(jù)記錄主信息的磁記錄媒體的平面性及主信息的位尺寸的大小來定，但一般在0.05微米以上，最好在0.1微米以上。如果在一實施例中為0.5微米。
如圖15所示，在形成了與主信息載體151的信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域152以外的區(qū)域設有通孔153。在主信息載體的基板是玻璃基板的情況下，可以用超聲波加工、激光加工、濕法刻蝕等眾所周知的加工方法形成通孔153。最好使通孔的孔徑盡可能地小、使通孔數(shù)盡可能地多。例如在一實施例中，用超聲波加工方法按照每3毫米見方形成一個直徑為1毫米的通孔的比例來形成通孔。
將在主信息載體上形成的信息信號記錄在作為磁記錄媒體的硬盤上時，需要使主信息圖形的中心與硬盤中心一致后進行緊密接觸。為了容易進行該定位，如圖15所示，在主信息載體151的內周部分形成記號154。記號154與對應于信息信號的凹凸形狀同時形成。在主信息載體151的內周部分形成的該記號154是為了使硬盤的內周定位而形成的，但也可以在主信息載體151的外周附近形成記號，以便使硬盤的外周定位。例如，磁記錄媒體不是象硬盤那樣呈有內周的盤狀，而是象磁卡那樣的片狀媒體，在這種情況下，使磁記錄媒體的外周位置一致地形成主信息載體151的記號。這樣，記號的位置、形狀、個數(shù)根據(jù)各個磁記錄媒體的形狀適當?shù)卮_定即可。
參照圖17說明用圖16所示的磁記錄裝置將在主信息載體上形成的信息信號記錄在硬盤上的順序。圖16所示的磁記錄裝置利用大氣壓，使主信息載體161a、161b和硬盤162全面地而且均勻地緊密接觸。通過設在主信息載體161a、161b上的通孔169進行排氣，從而將硬盤162壓附在主信息載體161a、161b上，使得在主信息載體161a、161b上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面和硬盤162緊密接觸。此后，用永久磁鐵165a、165b使在主信息載體161a、161b上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜磁化，從而將與凹凸形狀對應的信息信號記錄在硬盤162上。以下詳細說明這一順序。
首先如圖18所示，用永久磁鐵182按照箭頭181的方向使硬盤162沿圓周方向進行預磁化。另外，也可以用電磁鐵代替永久磁鐵。其次如圖16所示，將O形環(huán)160裝在下法蘭164的槽中，再將主信息載體161b及硬盤162重疊在它上面。這時，如上所述，因為在主信息載體161b上設有使主信息圖形的中心和硬盤162的中心重合用的記號(圖15中的154)，所以使該記號與硬盤162的內周重合。再將主信息載體161a、然后是將O形環(huán)160裝入了槽內的上法蘭163重疊在硬盤162上。這時也與上述一樣，使設在主信息載體161a的內周部分上的記號與硬盤162的內周一致。
操作上側的三通閥167a，利用排氣裝置166a吸引上法蘭163和主信息載體161a之間的空氣。切換下側的三通閥167b，使下法蘭164和主信息載體161b之間的空間呈大氣壓狀態(tài)。主信息載體161a和硬盤162之間的空氣通過設在主信息載體161a上的通孔169排出，硬盤162被壓附在主信息載體161a上，兩者全面地緊密接觸。其次如圖17(a)所示，使永久磁鐵165a平行于上法蘭163、而且以排氣管道168a為中心旋轉，施加直流勵磁磁場171a。通過該操作，在主信息載體161a上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜被磁化，與凹凸形狀對應的信息信號被記錄在硬盤162上。如上所述，硬盤162預先用永久磁鐵沿圓周方向被初始磁化。在多半情況下其初始磁化的極性和記錄信息信號時由永久磁鐵165a施加的磁場的極性相反?？墒?，如在實施形態(tài)1中所述，根據(jù)在主信息載體上形成的凹凸形狀圖形的不同，有時使這些極性相同為好，所以應根據(jù)各種實施條件，選擇能獲得良好的再生信號信噪比的一方。在一實施例中為逆極性。
其次，操作下側的三通閥167b利用排氣裝置166b吸引下法蘭164和主信息載體161b之間的空氣。切換上側的三通閥167a，使上法蘭163和主信息載體161a之間的空間呈大氣壓狀態(tài)。主信息載體161b和硬盤162之間的空氣通過設在主信息載體161b上的通孔169排出，硬盤162被壓附在主信息載體161b上，兩者全面地緊密接觸。
如圖17(b)所示，使永久磁鐵165b平行于下法蘭164、而且以排氣管道168b為中心旋轉，施加直流勵磁磁場171b。通過該操作，在主信息載體161b上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜被磁化，與凹凸形狀對應的信息信號被記錄在硬盤162上。在一實施例中，硬盤162初始磁化的極性和記錄信息信號時由永久磁鐵165b施加的磁場的極性相反。
按照以上的順序能在短時間內在硬盤162的兩面進行預先格式記錄。也可以用電磁鐵代替永久磁鐵使在主信息載體上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜磁化。另外，由于在上法蘭163或下法蘭164介于永久磁鐵和主信息載體之間的狀態(tài)下，使主信息載體表面的強磁性薄膜磁化，所以上法蘭163及下法蘭164的材料最好是黃銅鋼等非磁性材料。
在圖16所示的磁記錄裝置的結構中，磁記錄媒體不是硬盤，而是象軟盤那樣的具有可撓性的媒體，在這種情況下，如果設在主信息載體上的通孔較大，則軟盤會被吸入通孔中而變形，有時不能在正確的位置上進行預先格式記錄，或者應記錄的信號被丟失。因此，如上所述，通孔的大小最好盡量小些，而且盡量設較多的通孔。通過這樣處理，不僅在硬盤、而且在軟盤上也能進行可靠性高的預先格式記錄。另外，圖16所示的結構由于將主信息載體配置在磁記錄媒體的兩側，所以能在短時間內在磁記錄媒體的兩面有效地進行預先格式記錄，還能有助于提高生產率。
圖20是表示將在主信息載體上形成的信息信號記錄在磁記錄媒體上用的磁記錄裝置的另一結構例的剖面圖。圖中，201是主信息載體，202是硬盤，203是上法蘭，204是下法蘭，205是永久磁鐵，200a、200b是彈性板。另外206是排氣裝置，207是三通閥，208是排氣管道，209是固定上法蘭203和下法蘭204用的螺栓。
例如，如圖19(a)所示，在主信息載體201的表面上以規(guī)定的角度間隔設有形成了與信息信號對應的微細的凹凸形狀的區(qū)域192。與圖15所示的結構例相同，如果將該區(qū)域192放大，則有例如圖1所示的結構。
在圖19(a)所示的主信息載體191上，與形成對應于信息信號的凹凸形狀的區(qū)域192及外周部分(圖19(a)中的空白部分)的表面高度相比，使其它區(qū)域193(圖19(a)中的劃陰影線的部分)的表面高度低。以下，將該區(qū)域193稱為凹部區(qū)域。圖19(b)表示沿圖19(a)中的圓周方向的點劃線C-C’的剖面的表面輪廓。在區(qū)域192中，例如形成圖1所示的與信息信號對應的凹凸形狀。利用光刻工藝等形成了該凹凸形狀后，用機械加工或超聲波加工、激光加工等眾所周知的加工方法，形成凹部區(qū)域193。形成了凹凸形狀的區(qū)域192和凹部區(qū)域193之間的臺階雖然與主信息載體191的基板厚度有關，但應在10微米以上，最好在100微米以上。
將在主信息載體191上形成的信息信號記錄在作為磁記錄媒體的硬盤上時，需要使主信息圖形的中心與硬盤中心一致后進行緊密接觸。如圖19(a)所示，在主信息載體191的內周部分上形成記號194，使它與硬盤的內周位置一致。記號的形成位置不限于主信息載體191的內周部分，也可以在外周部分形成，以便與硬盤的外周位置一致。
圖21表示用圖20所示的磁記錄裝置將在主信息載體上形成的信息信號記錄在硬盤上的方法。圖20所示的磁記錄裝置利用大氣壓使形成與主信息載體201上的信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和硬盤202均勻地緊密接觸，再機械地將主信息載體201和硬盤202壓緊。在主信息載體201的凹部區(qū)域193和硬盤202之間有空隙。通過將存在于該空隙的空氣排出，形成與主信息載體201上的信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和硬盤202便緊密接觸。此后，用永久磁鐵205使在主信息載體201上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜磁化，將與凹凸形狀對應的信息信號記錄在硬盤202上。以下詳細說明這一順序。
首先如圖18所示，用永久磁鐵182按照箭頭181的方向使硬盤202沿圓周方向進行預磁化。其次，如圖20所示，按順序將彈性板200b、硬盤202、主信息載體201重疊在下法蘭204上。在彈性板200b的中央形成與硬盤202的中央孔大小相同的通孔。在將主信息載體201重疊在硬盤202上時，使上述的記號(圖19中的194)與硬盤202的內周一致。最后將彈性板200a及法蘭203重疊在主信息載體201上?？蓪⒐柘鹉z等有彈性的各種材料用于彈性板200a、200b。
操作三通閥207，由排氣裝置206將主信息載體201的凹部區(qū)域193和硬盤202之間的空氣排出。于是形成與信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和硬盤202緊密接觸。如圖20所示，由于排氣管道208配置在裝置的中央部分，所以排氣傳導率在主信息載體201的中央部分大。因此，從硬盤202的中央孔排氣產生的負壓在主信息載體201的中央部分附近的作用大，另一方面在外周部分附近的作用不怎么強，其結果，主信息載體201的外周部分和硬盤202的緊密接觸性有可能變壞。
為了解決上述的問題，如圖20所示，將彈性板200a、200b分別設在上法蘭203和主信息載體201之間、以及下法蘭204和硬盤202之間，再用螺栓209將上法蘭203和下法蘭204的周邊部分連接起來。然后，將螺栓擰緊，通過調整扭矩，適當且均勻地將主信息載體201和硬盤202壓緊。這樣一來，形成與主信息載體201上的信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和硬盤202便均勻地緊密接觸。
最后如圖21所示，使永久磁鐵205平行于上法蘭203、而且沿圓周方向旋轉，施加直流勵磁磁場211。通過該操作，在主信息載體201上形成的凹凸形狀圖形的凸部表面的強磁性薄膜被磁化，與凹凸形狀對應的信息信號被記錄在硬盤202上。硬盤202預先用永久磁鐵等沿圓周方向被初始磁化。其初始磁化的極性通常與記錄信息信號時由永久磁鐵205施加的磁場的極性相反，可是，根據(jù)在主信息載體上形成的凹凸形狀圖形的不同，有時使這些極性相同為好。可以根據(jù)各個實施條件，選擇能使再生信號的信噪比好的一方。在一實施例中極性相反。
另外，由于上法蘭203介于永久磁鐵205和主信息載體201之間，所以上法蘭203的材料最好是黃銅鋼等非磁性材料。
如上所述，在圖20所示的結構中，通過將主信息載體的凹部區(qū)域和硬盤之間的空氣排出，使主信息載體和硬盤緊密接觸，再利用螺栓將周邊部分緊固，能進一步提高預先格式記錄的可靠性。
以上，說明了本發(fā)明的優(yōu)選實施形態(tài)，但本發(fā)明不限于上述實施形態(tài)，可以用各種形態(tài)實施。例如2實施形態(tài)是關于磁盤的預先格式記錄的實施形態(tài)，但本發(fā)明不限于磁盤，也能適用于在磁卡、磁帶等磁記錄媒體上進行預先格式記錄的情況。
另外，本發(fā)明還能適用于象磁光記錄媒體那樣，作為信號的再生方法利用各種光學效應的磁記錄媒體的信號記錄。用本發(fā)明的記錄方法，在磁光記錄媒體上進行記錄時，可以采用將磁光記錄媒體加熱到居里點或補償點附近，在使自發(fā)磁化消失后的狀態(tài)下進行記錄的熱磁記錄方法，能獲得很好的效果。
另外，在磁記錄媒體上記錄的信息信號不必限定于跟蹤用伺服信號、地址信息信號、再生時鐘信號等預先格式信號。例如，從原理上說，也可以用本發(fā)明的結構進行各種數(shù)據(jù)信號或音頻、視頻信號的記錄。這時，利用本發(fā)明能進行軟盤媒體的大量復制生產，能廉價地提供軟件。
權利要求
1．一種將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的主信息載體，其特征在于在基體上形成與上述信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成。
2．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于上述強磁性材料是軟質磁性材料。
3．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于上述強磁性材料是一種在基體面內方向的頑磁力或在垂直于基體方向的頑磁力在40kA/m以下的硬質或半硬質磁性材料。
4．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于上述強磁性材料的飽和磁通密度在0.8T以上。
5．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于上述基體的至少一部分具有可撓性。
6．根據(jù)權利要求5所述的主信息載體，其特征在于上述基體由高分子材料構成。
7．根據(jù)權利要求6所述的主信息載體，其特征在于上述基體是將多種高分子材料重疊而成的多層結構。
8．根據(jù)權利要求6所述的主信息載體，其特征在于構成上述基體的高分子材料具有導電性。
9．根據(jù)權利要求6所述的主信息載體，其特征在于以導電物質為主要成分的微粒被分散在構成上述基體的高分子材料中。
10．根據(jù)權利要求9所述的主信息載體，其特征在于上述導電物質以碳為主要成分。
11．根據(jù)權利要求6所述的主信息載體，其特征在于在由上述高分子材料構成的基體上形成導電性薄膜，在上述導電性薄膜上形成與信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成。
12．根據(jù)權利要求5所述的主信息載體，其特征在于上述基體有由金屬、合金或陶瓷材料構成的母材和在上述母材上形成的高分子材料層。
13．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于上述基體是將由高分子材料構成的薄膜粘貼在上述母材的表面上的結構。
14．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于上述基體具有將單體或聚合物先驅體涂敷或流延在上述母材的表面上后聚合而成的高分子材料層。
15．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于上述基體具有在上述母材的表面上由通過真空蒸鍍形成的高分子材料構成的表面層。
16．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于在上述母材的表面上形成的表面層是將多種高分子材料重疊而成的多層結構。
17．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于構成上述基體表面的高分子材料具有導電性。
18．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于以導電物質為主要成分的微粒被分散在構成上述基體表面的高分子材料中。
19．根據(jù)權利要求18所述的主信息載體，其特征在于上述導電物質以碳為主要成分。
20．根據(jù)權利要求12所述的主信息載體，其特征在于在由上述高分子材料構成的基體表面上還形成導電性薄膜，在上述導電性薄膜上形成與信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成。
21．一種將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的主信息載體，其特征在于在由強磁性材料構成的基體表面上形成與上述信息信號對應的凹凸形狀。
22．根據(jù)權利要求21所述的主信息載體，其特征在于構成上述基體的強磁性材料是軟質磁性材料。
23．根據(jù)權利要求21所述的主信息載體，其特征在于構成上述基體的強磁性材料是一種在基體面內方向的頑磁力或在垂直于基體方向的頑磁力都具有40kA/m以下的值的硬質或半硬質磁性材料。
24．根據(jù)權利要求21所述的主信息載體，其特征在于構成上述基體的強磁性材料的飽和磁通密度在0.8T以上。
25．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于在上述基體表面上形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成，在上述數(shù)字信息信號的位長度方向的上述凸部的剖面形狀實際上是以表面?zhèn)葹樯系?、以基體側為下底、上底長度比下底長度短的梯形，而且兩底的長度差為上述梯形高度的2倍以下。
26．根據(jù)權利要求25所述的主信息載體，其特征在于上述梯形的上底的兩端部分的曲率半徑為上底長度的二分之一以下。
27．根據(jù)權利要求25所述的主信息載體，其特征在于上述凸部上的強磁性材料層的厚度用來在以上底長度的二分之一以下為特征的面內磁記錄媒體上進行信息記錄。
28．根據(jù)權利要求25所述的主信息載體，其特征在于上述凸部上的強磁性材料層的厚度用來在以上底長度的2倍以上為特征的垂直磁記錄媒體上進行信息記錄。
29．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于在上述基體表面上形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部由強磁性材料構成，在上述數(shù)字信息信號的位長度方向的上述凸部的剖面形狀實際上是以表面?zhèn)葹樯系住⒁曰w側為下底的梯形，而且上底長度比下底長度大。
30．根據(jù)權利要求29所述的主信息載體，其特征在于上述凸部上的強磁性材料層的厚度用來在以上底長度的二分之一以下為特征的面內磁記錄媒體上進行信息記錄。
31．根據(jù)權利要求29所述的主信息載體，其特征在于上述凸部上的強磁性材料層的厚度用來在以上底長度的2倍以上為特征的垂直磁記錄媒體上進行信息記錄。
32．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于在上述基體表面上設有形成了與信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域、以及不形成上述凹凸形狀的區(qū)域，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成，在上述不形成凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分上設有通孔。
33．根據(jù)權利要求1所述的主信息載體，其特征在于它是在上述基體表面上設有形成了與信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域、以及不形成上述凹凸形狀的區(qū)域，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成的主信息載體，使不形成上述凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分的表面高度比形成了上述凹凸形狀的區(qū)域的表面高度低。
34．一種將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的主信息載體的制造方法，其特征在于包括以下工序利用光敏抗蝕劑膜在基體的表面上形成與信息信號對應的凹凸形狀的工序；在上述凹凸形狀上形成強磁性薄膜的工序；刻蝕上述強磁性薄膜表面的工序；以及用剝離法將上述光敏抗蝕劑膜及光敏抗蝕剝膜上的強磁性薄膜去除的工序。
35．根據(jù)權利要求34所述的主信息載體的制造方法，其特征在于在用上述光敏抗蝕劑膜形成凹凸形狀的工序中，使在上述數(shù)字信息信號的位長度方向的上述凸部的剖面形狀實際上呈以表面?zhèn)葹樯系住⒁曰w側為下底的梯形，而且使下底長度比上底長度大。
36．根據(jù)權利要求34所述的主信息載體的制造方法，其特征在于刻蝕上述強磁性薄膜表面的工序利用濺射刻蝕或離子刻蝕進行。
37．根據(jù)權利要求36所述的主信息載體的制造方法，其特征在于使離子對基體表面的入射角相對于基體面的法線為20度以上。
38．根據(jù)權利要求34所述的主信息載體的制造方法，其特征在于刻蝕上述強磁性薄膜表面的工序利用化學刻蝕進行。
39．一種將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的主信息載體的制造方法，其特征在于包括以下工序在基體表面上形成導電性薄膜的工序；利用光敏抗蝕劑膜在上述導電性薄膜上形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀的工序；用電解電鍍法在形成了上述凹凸形狀的上述導電性薄膜上形成強磁性薄膜的工序；以及去除上述光敏抗蝕劑膜的工序。
40．根據(jù)權利要求39所述的主信息載體的制造方法，其特征在于在用上述光敏抗蝕劑膜形成凹凸形狀的工序中，使在上述數(shù)字信息信號的位長度方向的上述凸部的剖面形狀實際上呈以表面?zhèn)葹樯系?、以基體側為下底的梯形，而且使下底長度比上底長度大。
41．根據(jù)權利要求39所述的主信息載體的制造方法，其特征在于上述導電性薄膜表面的光反射率在使光敏抗蝕劑膜曝光的光源的波長區(qū)域中為50％以下。
42．根據(jù)權利要求41所述的主信息載體的制造方法，其特征在于上述導電性薄膜以碳為主要成分。
43．一種將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的主信息載體的制造方法，其特征在于包括以下工序利用光敏抗蝕劑膜在導電性基體表面上形成與數(shù)字信息信號對應的凹凸形狀的工序；用電解電鍍法在形成了上述凹凸形狀的上述導電性基體表面上形成強磁性薄膜的工序；以及去除上述光敏抗蝕劑膜的工序。
44．根據(jù)權利要求43所述的主信息載體的制造方法，其特征在于在用上述光敏抗蝕劑膜形成凹凸形狀的工序中，使在數(shù)字信息信號的位長度方向的凸部的剖面形狀實際上呈以表面?zhèn)葹樯系住⒁曰w側為下底的梯形，而且使下底長度比上底長度大。
45．根據(jù)權利要求43所述的主信息載體的制造方法，其特征在于上述導電性基體表面的光反射率在使光敏抗蝕劑膜曝光的光源的波長區(qū)域中為50％以下。
46．根據(jù)權利要求45所述的主信息載體的制造方法，其特征在于上述導電性基體以碳為主要成分。
47．一種用主信息載體將信息信號記錄到磁記錄媒體上用的方法，其特征在于準備好主信息載體，所述主信息載體在其表面上形成與上述信息信號對應的凹凸形狀、用強磁性材料構成上述凹凸形狀的至少凸部表面，通過使上述主信息載體的表面與形成了強磁性薄膜或強磁性粉涂敷層的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸，將與上述凹凸形狀對應的磁化圖形記錄在磁記錄媒體上。
48．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于在使上述主信息載體的表面與上述磁記錄媒體的表面接觸時，施加交流偏置磁場。
49．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于在使上述主信息載體的表面與上述磁記錄媒體的表面接觸時，施加使構成主信息載體的凸部表面的強磁性材料磁化用的直流磁場。
50．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于在使上述主信息載體的表面與上述磁記錄媒體的表面接觸時，施加交流偏置磁場，而且施加使構成主信息載體的凸部表面的強磁性材料磁化用的直流磁場。
51．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于在使上述主信息載體的表面與上述磁記錄媒體的表面接觸時，加熱上述磁記錄媒體。
52．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于在使上述主信息載體的表面與上述磁記錄媒體的表面接觸之前，預先將上述磁記錄媒體消去直流磁場。
53．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于構成上述主信息載體的凸部表面的強磁性材料具有軟質磁性。
54．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于構成上述主信息載體的凸部表面的強磁性材料在基體面內的頑磁力具有40kA/m以下的硬質或半硬質磁性。
55．根據(jù)權利要求47所述的記錄方法，其特征在于構成上述主信息載體的凸部表面的強磁性材料的飽和磁通密度在0.8T以上。
56．一種利用主信息載體將上述信息信號記錄到有強磁性層的磁記錄媒體上用的裝置，上述主信息載體上形成了與信息信號對應的凹凸形狀，上述凹凸形狀的至少凸部表面由強磁性材料構成，其特征在于，備有使上述主信息載體和上述磁記錄媒體緊密接觸的部件；進行上述主信息載體和上述磁記錄媒體的定位的部件；以及施加使構成上述主信息載體的凸部表面的強磁性材料磁化用的磁場的磁場施加部件。
57．根據(jù)權利要求56所述的磁記錄裝置，其特征在于它是這樣構成的，即使用主信息載體，該主信息載體在表面上備有形成了與上述信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和不形成上述凹凸形狀的區(qū)域，在不形成上述凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分上設有通孔，進行上述緊密接觸的部件在使上述主信息載體和上述磁記錄媒體接觸的狀態(tài)下，通過上述主信息載體上的通孔，排出存在于上述主信息載體和上述磁記錄媒體之間的氣體，使上述主信息載體的凹凸形狀和上述磁記錄媒體緊密接觸。
58．根據(jù)權利要求56所述的主信息的磁記錄裝置，其特征在于它是這樣構成的，即使用主信息載體，該主信息載體在表面上備有形成了與上述信息信號對應的凹凸形狀的區(qū)域和不形成上述凹凸形狀的區(qū)域，使不形成上述凹凸形狀的區(qū)域的至少一部分的表面高度比形成了上述凹凸形狀的區(qū)域的表面高度低，進行上述緊密接觸的部件在使上述主信息載體和上述磁記錄媒體接觸的狀態(tài)下，通過排出存在于上述主信息載體的不形成凹凸形狀的區(qū)域和上述磁記錄媒體之間的氣體，使上述主信息載體的凹凸形狀和上述磁記錄媒體緊密接觸。
59．根據(jù)權利要求56所述的主信息的磁記錄裝置，其特征在于進行上述緊密接觸的部件備有夾持上述主信息載體及上述磁記錄媒體的一對法蘭、以及使上述一對法蘭的周邊部分互相緊固的部件。
60．根據(jù)權利要求59所述的主信息的磁記錄裝置，其特征在于還備有安裝在上述一對法蘭和上述主信息載體及上述磁記錄媒體之間的至少一方的彈性構件。
61．根據(jù)權利要求56所述的主信息的磁記錄裝置，其特征在于進行上述定位的部件是與上述磁記錄媒體的內周一致、配置在上述主信息載體的內周部分的記號。
62．根據(jù)權利要求56所述的主信息的磁記錄裝置，其特征在于進行上述定位的部件是與上述磁記錄媒體的外周一致、配置在上述主信息載體的外周部分的記號。
全文摘要
主信息載體的特征在于在其基體表面上形成與信息信號對應的凹凸形狀、用強磁性材料構成該凹凸形狀的至少凸部表面,通過使該主信息載體的表面與形成了強磁性薄膜或強磁性粉涂敷層的片狀或盤狀磁記錄媒體的表面接觸,將與主信息載體表面的凹凸形狀對應的磁化圖形記錄在磁記錄媒體上。
文檔編號G11B5/86GK1216624SQ97193995
公開日1999年5月12日 申請日期1997年7月18日 優(yōu)先權日1996年7月22日
發(fā)明者石田達朗, 杉田龍二, 東間清和, 吉本和也, 宮田敬三, 領內博 申請人:松下電器產業(yè)株式會社