專利名稱：光盤,光盤的錄入/重放裝置和光盤的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光盤，光盤錄入/重放裝置，且特別涉及具有用于重放的預(yù)先錄入?yún)^(qū)域，一個(gè)所謂一次寫入可以多次重放的區(qū)域，和一個(gè)用于多次錄入和重放的區(qū)域的光盤，以及制造光盤的方法和用于光盤的錄入/重放裝置。
現(xiàn)有幾種類型的光盤，如信息預(yù)先錄制的ROM(只讀儲(chǔ)存器)光盤，信息一次錄入可重復(fù)重放的WO(一次性只寫)光盤，和信息可以重復(fù)錄上并重放的RAM(隨機(jī)存取儲(chǔ)存器)光盤。
現(xiàn)有許多類型的ROM光盤，如CD(高密度光盤)，CD-ROM，和LD(激光光盤)。這些都用作存儲(chǔ)媒體，而這些存儲(chǔ)媒體承載著大量以適中價(jià)格生產(chǎn)的諸如音頻、視頻或計(jì)算機(jī)程序的軟件或信息程序。然而，使用者不能在這種ROM盤上錄入信息。
另一方面，眾所周知的還有WO盤和RAM盤。在這些盤上可以錄入信息(這些盤下面稱之為“RAM盤”)。RAM盤不僅僅具有能重放信息的優(yōu)點(diǎn)，而且還能錄入信息。相比之下，RAM盤不適合于大量生產(chǎn)，因?yàn)殡y于生產(chǎn)其復(fù)制品。
兼?zhèn)銻OM盤和RAM盤兩者長(zhǎng)處的光盤，具有一個(gè)的專用于重放的區(qū)域(ROM區(qū)域)，還有一個(gè)專用于WO或RAM功能的區(qū)域(用于WO或RAM功能的區(qū)域以下稱為“RAM區(qū)域”)，這種光盤在以下的先有技術(shù)中已經(jīng)
公開日本專利申請(qǐng)No.1-286135/1989，2-42652/1990，2-235227/1990，4-167238/1992和4-310655/1992。
日本專利申請(qǐng)No.1-286135/1989，2-42652/1990，2-235227/1990和4-167238/1992公開了一種具有一個(gè)專用于重放區(qū)域的信息凹痕和用于在RAM區(qū)域中引導(dǎo)拾取的引導(dǎo)槽的光盤，這些凹痕和槽都是在光盤的同一平面上用某種方法(例如，注模形成的。RAM區(qū)域可以通過在其光盤表面選擇地沉積錄入材料，或在通過其整個(gè)表面上沉積錄入材料并通過蝕刻有選擇地去掉錄入材料形成在光盤表面上。日本專利申請(qǐng)No.4-310655/1992公開了一種光盤，它包括被粘附的兩塊板，一個(gè)是ROM板，另一個(gè)是RAM板。為使用粘附兩塊板的光盤，光束必須照射其每一塊板。
前述的已有技術(shù)具有如下所述的缺點(diǎn)。
滿足要求的ROM區(qū)域凹痕深度和寬度值和這些RAM區(qū)域的槽實(shí)際上是彼此不同的，通常，滿足要求的ROM凹痕的深度比RAM區(qū)域的槽深，而凹痕的寬度卻比槽的要窄。因此，難于用日本專利申請(qǐng)1-286135/1989，2-42652/1990，2-235227/1990和4-167238/1992公開的技術(shù)在高密度的和高質(zhì)量的光盤的同一平面上，獲得良好的光盤的重復(fù)性和互換性提供ROM區(qū)域和RAM區(qū)域。
日本專利申請(qǐng)No.1-286135/1989公開了一種通過注模形成凹痕和槽后用濺射或真空蒸發(fā)沉積錄入材料的方法。按這種方法，控制激光束對(duì)在玻璃盤上形成的光刻膠的曝光情況，以便形成具有預(yù)定深度和寬度值的凹痕和槽。然而，由于光刻膠的光感性的擴(kuò)散，特別難于形成具有良好重復(fù)性的槽。
日本專利申請(qǐng)No.2-42652/1990和4-167238/1992公開了在通過噴鑄形成凹痕和槽之后采用旋涂沉積錄入材料的方法。然而，在旋涂過程中試圖用錄入材料充填槽時(shí)，難于控制槽的深度和寬度，以及槽的重復(fù)性。
日本專利申請(qǐng)No.2-235337/1990公開了這樣一種盤，即首先在整個(gè)光盤表面上形成ROM區(qū)域，然后沉積相變材料來復(fù)蓋其整個(gè)表面。下面的ROM區(qū)域以這樣一種方式通過選擇地去掉相變材料而暴露出來，所述的方式是為曝露ROM區(qū)域而欲去掉的區(qū)域用弱光進(jìn)行(如1.5mwin的激光功率)照射，然后再用濺射蝕刻處理去掉之。其他的相變材料區(qū)域用強(qiáng)光照射，如5mwin的激光功率；以便保留作為RAM區(qū)域的區(qū)域，這是由于由強(qiáng)光照射的區(qū)域能抗濺射蝕刻處理。這種光盤相變材料通常用絕緣材料覆蓋。然而，難于在蝕刻處理過程中合適地去掉相變材料，這是因?yàn)樽鳛檎丈涔怆y于把下面的ROM區(qū)域與相變材料區(qū)分，造成在刻蝕處理過程中不能清晰地曝露ROM區(qū)域，從而形成其粗糙的表面。
日本專利申請(qǐng)4-310655/1992公開了一種具有兩塊板的光盤，即一是ROM區(qū)域，另一個(gè)是RAM區(qū)域，當(dāng)光盤錄入/重放設(shè)備只具有一個(gè)光拾取時(shí)，為了運(yùn)行其整個(gè)盤的內(nèi)容必須把光盤翻過來，導(dǎo)致使用者的不方便。當(dāng)提供多個(gè)光拾取時(shí)，光盤錄入/重放裝置不僅在結(jié)構(gòu)上十分復(fù)雜，且也價(jià)格昂貴。
如前所述，當(dāng)信息信號(hào)從槽或棱邊上重放或錄入在其上時(shí)，難于制造已有技術(shù)的具有良好重復(fù)性和相互交換性的光盤，但或許有可能通過控射照射在玻璃盤上的光刻膠的光拾取激光束的強(qiáng)度而按照各個(gè)預(yù)定值形成槽的深度和寬度，對(duì)于現(xiàn)在標(biāo)準(zhǔn)化階段的DVD(數(shù)字視盤)，信號(hào)是錄在槽中和棱邊上，然而，這種要求是難于用已有技術(shù)的工藝所能達(dá)到的。DVD-RAM槽的截面形狀必須是矩形的或者是梯形的，這是由光刻膠的厚度決定。DVD-RAM具有的ROM區(qū)域適宜具有比只有ROM區(qū)域的DVD-ROM更低的記錄密度。
因此，本發(fā)明的總的目的在于改進(jìn)高密度光盤的ROM區(qū)域和RAM區(qū)域的生產(chǎn)過程。
本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種具有良好的光盤生產(chǎn)重復(fù)性的生產(chǎn)方法。
本發(fā)明的又一個(gè)目的在于提供一種用于本發(fā)明的光盤的錄入/重放裝置。
本發(fā)明的又一個(gè)目的在于通過把ROM(只讀存儲(chǔ)器)光盤粘附到RAM(包括只寫的隨機(jī)存取儲(chǔ)存器)光盤上提供一種高密度光盤，其上分別具有ROM區(qū)域和RAM區(qū)域，且各個(gè)區(qū)域是圓環(huán)形的或者扇形的，而且在位置上是彼此獨(dú)立地形成。
本發(fā)明還有一個(gè)目的在于提供一種把ROM盤粘到RAM盤上的光盤，其中粘結(jié)劑的厚度被限在比光拾取的象差的公差還低，更優(yōu)選的是小于光拾取的焦深。
本發(fā)明的光盤的特征在于光盤是通過把ROM盤和RAM盤粘在一起制造的，且至少一個(gè)凹痕，一個(gè)引導(dǎo)槽，一個(gè)反射層和錄入介質(zhì)層是在被粘結(jié)的盤的盤后側(cè)整個(gè)區(qū)域上形成的。
本發(fā)明的光盤的另一個(gè)特征在于，當(dāng)ROM盤的RAM區(qū)域，和ROM區(qū)域是扇形時(shí)，RAM盤的RAM區(qū)域在其上沒有軌跡信息。
本發(fā)明的光盤的又一個(gè)特征在于被粘結(jié)盤的RAM盤面向光拾取器。
本發(fā)明的光盤制造方法的特征包括在其優(yōu)選的條件下制造ROM盤的ROM區(qū)域的步驟，在優(yōu)選的條件下制造RAM盤的RAM區(qū)域的步驟；和把ROM盤粘結(jié)到RAM盤上的步驟。
本發(fā)明的其它目的和進(jìn)一步的優(yōu)點(diǎn)通過下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的各個(gè)優(yōu)選實(shí)施例的詳細(xì)說明將會(huì)更加清楚。


圖1(A)是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的平面圖1(B)是從箭頭所示方向沿圖1(A)所示的剖面線T#剖視光盤的剖視圖；圖1(C)是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的分解圖；圖2所示是本發(fā)明另一個(gè)實(shí)施例光盤的生產(chǎn)過程；圖3所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的生產(chǎn)過程；圖4是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的光盤錄取/重放裝置；圖5(A)到5(C)是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的另一種光盤的平面圖；圖6(A)對(duì)6(C)是本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例光盤的剖視圖；圖7是本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例光盤的剖視圖；和圖8(A)到8(C)是本發(fā)明第四個(gè)實(shí)施例光盤的平面圖。
現(xiàn)在參照附圖對(duì)本發(fā)明作詳細(xì)的說明。
首先，參照附圖2和3說明本發(fā)明的光盤和光盤的生產(chǎn)方法。
圖2所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的光盤的一個(gè)生產(chǎn)過程。
圖3所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的光盤的另一個(gè)生產(chǎn)過程。
參照?qǐng)D2說明起始于玻璃盤100到錄制模122的光盤生產(chǎn)過程。提供玻璃盤100(步驟S10)。將玻璃盤100磨光(步驟S21)。檢查被磨光的玻璃盤100(未示出)(步驟S16)。將檢查過的磨光玻璃盤102清理(步驟S16)。在干凈的經(jīng)過檢查的磨光玻璃盤103上沉積光刻膠104(步驟S18)。檢查沉積在干凈的經(jīng)過檢查的磨光玻璃盤上的光刻膠104(步驟S20)。光刻膠104的厚度與光盤的凹痕深度或?qū)虿塾嘘P(guān)。
與光盤是一個(gè)ROM(只讀存儲(chǔ)器)光盤時(shí)，編輯裝置109編輯一個(gè)源信號(hào)，然后調(diào)制裝置110調(diào)制所編輯的源信號(hào)。所調(diào)制的編輯源信號(hào)調(diào)制一個(gè)激光束，所調(diào)制的激光束照射干凈的檢查過的磨光的玻璃盤103上的檢查過的光刻膠104，并在其上記錄經(jīng)調(diào)制編輯的源信號(hào)(步驟S22)。當(dāng)光盤是一個(gè)RAM光盤，微光束的照射落在在經(jīng)過檢查的光刻膠上導(dǎo)向槽。通過顯影在記錄信號(hào)的光刻膠105上形成凹痕或引導(dǎo)槽，由此，生產(chǎn)所顯影的光刻膠106。一種導(dǎo)電材料107沉積在經(jīng)顯影的記錄信號(hào)的光刻膠106上(步驟S26)。檢查在顯影后檢查過的刻光膠106上的導(dǎo)電材料107(步驟S28)。金屬層111電鍍?cè)诮?jīng)檢查的導(dǎo)電材料108(步驟S30)。將金屬111從顯影檢查過的光刻膠106上剝?nèi)ィ援a(chǎn)生錄制模112(步驟S32)。檢查錄制模112，在此，去掉有缺陷的錄制模，而留下可接受的產(chǎn)品加以使用(步驟S34)。
下面將參照?qǐng)D3說明利用錄制模112生產(chǎn)本發(fā)明的光盤的步驟。
下面將說明ROM盤10的生產(chǎn)過程。
多個(gè)在其表面上具有凹痕的ROM盤基片的復(fù)制件(10A)可以通過注模的方法或者基于光聚合過程，如眾所周知的2P過程的方法，借助于錄制模112生產(chǎn)出來(步驟SA)。
在ROM盤基片的有凹痕表面區(qū)域上(10A)沉積反射層14，而在沒有凹痕的其它區(qū)域則不沉積反射層，這些也可以通過類似的方法(例如，隔離)實(shí)現(xiàn)(步驟SB)。
在反射層14上沉積保護(hù)層16(步驟SC)。
雖然如前所述的反射層14沉積在ROM區(qū)域12上，但就本發(fā)明的目的而言，反射層14覆蓋的區(qū)域可以以不同的方式形成，這在下面將要說明的第二個(gè)實(shí)施例中說明。
如需要的話，含符號(hào)和/或圖(未示出)的標(biāo)簽信息可以印在保護(hù)層16上。由此，生產(chǎn)出ROM盤10。
下面將說明RAM盤20的生產(chǎn)過程。
多個(gè)其上具有引導(dǎo)槽的RAM盤基片20(A)的復(fù)制品利用錄入盤112通過注?；?P處理過程的方法制造(步驟SA)。
錄入層23生產(chǎn)過程的一個(gè)例子是，將具有錄入和反射兩者功能的錄入層23沉積在形成于RAM盤基片表面上(20A)的全部引導(dǎo)槽上；而錄入層23生產(chǎn)過程的另一個(gè)例子是錄入層23具有一個(gè)錄入層和一個(gè)反射層，這兩層都沉積在其引導(dǎo)槽上(步驟SD)。
保護(hù)層24沉積在錄入層23上(步驟SE)。由此，生產(chǎn)出RAM盤。
RAM盤20，如相變錄入光盤和磁光錄入光盤具有四分層的錄入層，包括一個(gè)絕緣層，一個(gè)錄入層，一個(gè)絕緣層和一個(gè)保護(hù)層。
雖然，錄入層23如圖3所示在RAM區(qū)域22上形成，但就本發(fā)明的目的而言，錄入層23復(fù)蓋的區(qū)域?qū)⑹亲兓?，如在下面即將說明的第二個(gè)實(shí)施例所說明。
ROM盤10和RAM盤20用夾在它們之間薄的透明粘結(jié)層130粘在一起(步驟SF)。如圖3下面部份所示，ROM區(qū)域12和RAM區(qū)域22彼此水平地位移，由此，ROM區(qū)域和RAM區(qū)域在垂直方向無堆積，且水平的形狀在光盤上是園環(huán)形的或扇形的。在圖3中，它示出ROM區(qū)域12是在左側(cè)，而RAM區(qū)域22則在右側(cè)。這種結(jié)構(gòu)有利于從光盤的一側(cè)通過光束照射讀或?qū)懺赗OM區(qū)域和RAM區(qū)域上的信號(hào)。因此，簡(jiǎn)化了對(duì)這種光盤的讀和寫裝置的結(jié)構(gòu)，且改進(jìn)了如上所述的其上具有ROM和RAM區(qū)域12和22的光盤的制造再現(xiàn)性。保護(hù)層16和24之一或兩者可以省去。
薄而透明的粘結(jié)劑層130的厚度可以是幾十微米。但是，只要薄而透明的粘結(jié)劑層130的強(qiáng)度是足夠的，越薄的粘結(jié)劑層厚度使光盤的光學(xué)特性越好。粘結(jié)劑層的厚度優(yōu)選的是小于光拾取器的光學(xué)鏡頭容許的象差，特別是小于光學(xué)鏡頭的焦深。當(dāng)粘結(jié)劑層的厚度小于光學(xué)鏡頭的焦深時(shí)，由光字拾取器發(fā)生的光束可以聚焦在ROM和RAM區(qū)域12和22兩者的表面上。DVD光盤基本上包括多個(gè)粘結(jié)的盤，其每個(gè)約0.6mm厚。因此，這種具有把ROM區(qū)域12和22粘在一起的光盤造價(jià)遠(yuǎn)低于DVD光盤。圖1(A)表示本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的平面圖；圖1(B)所示是從箭頭所指示方向看去沿圖1(A)中所示的剖面線#1剖視光盤的剖面圖；圖1(C)所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的分解圖；圖2所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的生產(chǎn)過程；圖3所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例光盤的另一個(gè)生產(chǎn)過程。
圖4所示是本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的光盤錄入/重放裝置。
圖5(A)至5(C)表示本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的另一種光盤的平面圖。
如圖1(A)至圖1(C)所示，光盤(30)在其外圓環(huán)區(qū)域中具有一個(gè)ROM區(qū)域12，而在內(nèi)園環(huán)區(qū)域內(nèi)具有一個(gè)RAM區(qū)域22。光盤30是通過把ROM盤10粘結(jié)到RAM盤20上而制造出來。
圖4所示是光盤30的錄入/重放裝置的一個(gè)例子，編號(hào)32表示一個(gè)光拾取器。錄入/重放裝置錄入和/或重放在RAM區(qū)域22的棱邊和引導(dǎo)槽上的信號(hào)。為了能同時(shí)操作在其每一側(cè)上具有的ROM和RAM區(qū)域12和22的光盤，得設(shè)置兩個(gè)分別向其上發(fā)射光束的光拾取器32。當(dāng)從其一側(cè)上讀和/或?qū)懝獗P的兩側(cè)時(shí)，一個(gè)光拾取器32可以用于重放在其上所記錄的信號(hào)和/或在其上錄入。
在圖4中，由激光器34發(fā)射的激光束通過一個(gè)誰直透鏡36折射成平行光線，然后光線時(shí)入光束分束器38。通過光束分束器38的激光束平行光線通過物40聚焦在光盤30上。當(dāng)這個(gè)激光束照射用于錄入和/或重放其上的信號(hào)的RAM區(qū)域22時(shí)，物鏡40的位置由用于把激光束聚焦在RAM區(qū)域22上的執(zhí)行器42控制。相類似地，當(dāng)激光束照射用于重放其上信號(hào)的ROM區(qū)域12時(shí)，執(zhí)行器42控制物鏡40的位置，以便把激光束聚焦在ROM區(qū)域12上。
由光盤30反射的激光束由物鏡40折射并照射光束分光器38，該分光器朝補(bǔ)償透鏡44反射入射光束，由此，將其聚焦在光檢測(cè)器46上，如光電二極管。
當(dāng)ROM區(qū)域12或RAM區(qū)域22的信號(hào)重放時(shí)，檢測(cè)器46輸出一個(gè)檢測(cè)信號(hào)，然后把該信號(hào)送到解調(diào)器48，該解調(diào)解調(diào)上述的信號(hào)并作為解調(diào)信號(hào)輸出。一個(gè)誤差檢測(cè)器50從檢測(cè)器46和解調(diào)器48的輸出檢測(cè)并產(chǎn)生聚焦和跟蹤誤差信號(hào)。這些誤差信號(hào)反饋到執(zhí)行控制裝置52。執(zhí)行控制裝置52響應(yīng)于這些誤差信號(hào)來控制執(zhí)行器42。然后，執(zhí)行器42控制物鏡40的位置，所述的物鏡位置受控制落在ROM區(qū)域12或RAM區(qū)域22上的激光束的聚焦和跟蹤。
另一方面，當(dāng)信號(hào)錄在RAM區(qū)域22上時(shí)，可以使用相同的光拾取器32，亦即，由激光器34發(fā)射的激光束被所記錄的信號(hào)執(zhí)行制(未示出)，由此，所調(diào)制的激光束將信號(hào)按照錄入的程式(如相變錄入)錄入在RAM區(qū)域22的錄入層內(nèi)。如前所述的誤差檢測(cè)器50從檢測(cè)器46的輸出和解調(diào)器48的輸出中檢測(cè)并產(chǎn)生誤差和跟蹤誤差信號(hào)。這些誤差信號(hào)饋送到執(zhí)行控制裝置52。執(zhí)行控制裝置52響應(yīng)于這些誤差信號(hào)驅(qū)動(dòng)執(zhí)行器42。之后，執(zhí)行器42控制物鏡位置40，該物鏡位置控制落在RAM區(qū)域22上的激光束的聚焦和跟蹤。
在該實(shí)施例中，如圖1(B)和圖4所示，在光盤30的RAM盤20的一側(cè)有一個(gè)光拾取器32。然而，可在所要求的側(cè)面設(shè)置光拾取器32。一般地，光拾取器32優(yōu)選設(shè)置在RAM盤20的側(cè)面，理由將在下面敘述。當(dāng)從激光器34發(fā)射的激光束進(jìn)入RAM盤20時(shí)，激光束可能受到包括在盤制造過程或在其之后產(chǎn)生的氣泡的缺陷的干擾。另一方面，當(dāng)ROM盤的ROM區(qū)域重放時(shí)，激光束穿過RAM盤20經(jīng)薄的透明的粘結(jié)劑層130(圖4)照射ROM區(qū)域12。因此，激光束受到屬于RAM盤20的缺陷的干擾，此外，它還受到包括在薄的透明的粘結(jié)劑層130中含有的氣溝的缺陷的干擾。在這種情況下，重放ROM區(qū)域12的激光束受到的上述于擾比重放ROM區(qū)域22所受到的干擾更多。通常，RAM盤20的操作優(yōu)選地比ROM盤10的更精確，因?yàn)樵赗AM區(qū)域22上的錄入信號(hào)的操作比ROM區(qū)域12的重放操作更容易受到缺陷的干擾。因此，最好的是激光束從RAM盤20的側(cè)面照射光盤30。
圖5(A)到圖5(C)示出了在光盤30的ROM區(qū)域和RAM區(qū)域22的配置例。在圖5(A)中，ROM區(qū)域12和RAM區(qū)域22的配置與圖1中所示的例子相反，其中RAM區(qū)域22是在光盤30的處環(huán)區(qū)域，而RAM區(qū)域12是在其內(nèi)環(huán)區(qū)域。在圖5(B)中，光盤30具有三個(gè)區(qū)域兩個(gè)RAM區(qū)域在外、內(nèi)園環(huán)區(qū)域22C和22B，而ROM區(qū)域在中間的園環(huán)區(qū)域12B內(nèi)。在圖5(C)中，光盤30具有四個(gè)區(qū)域RAM區(qū)域22，ROM區(qū)域12，RAM區(qū)域22和ROM區(qū)域12在各自的園環(huán)形區(qū)域22E，12E，22D和12D內(nèi)。在上述的例子中，每個(gè)區(qū)域可以用任何另一個(gè)區(qū)域替代。
如前所述，ROM盤10和RAM盤20粘在一起，以便使ROM區(qū)域和RAM區(qū)域彼此不會(huì)重疊。ROM盤10和RAM盤20各自的它們的優(yōu)選條件制造，因?yàn)樗鼈兛梢元?dú)立制造的。因此實(shí)現(xiàn)了光盤30的高密度的錄入/重放。所以，本發(fā)明第一個(gè)實(shí)施例的光盤30具有RAM區(qū)域和ROM區(qū)域22和12的位置可以彼此不會(huì)重疊的在其上自由地選擇的優(yōu)點(diǎn)。其另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是光拾取器32可以在光盤30的一側(cè)上提供。圖6(A)至圖6(C)示出了本發(fā)明第二個(gè)實(shí)施例的光盤的剖視圖。
下面將參照?qǐng)D6(A)至6(C)進(jìn)行說明。
在圖6(A)中，ROM盤10相對(duì)于光拾取器32的入射光處于光盤30的前側(cè)，RAM盤32處于其后側(cè)，錄入層23在RAM區(qū)域22形成并延伸到整個(gè)ROM區(qū)域12的背面，如圖6(A)所示。在這種情況下，錄入層23的存在并不妨礙ROM區(qū)域12的重放過程。錄入層23沉積在所有的RAM盤20的區(qū)域，但除去其外緣和內(nèi)緣。因此，當(dāng)沉積錄入層23時(shí)，就無需考慮入層23是否通過諸如掩膜工藝被覆蓋了。
在圖6(B)，RAM盤20相對(duì)于光拾取器32處于光盤30的前側(cè)，而ROM盤10在其后側(cè)，ROM區(qū)域12在光盤30的外環(huán)形區(qū)域內(nèi)，RAM區(qū)域22在其內(nèi)環(huán)形區(qū)域內(nèi)。反射層14從ROM區(qū)域12到RAM區(qū)域22的背面沉積在ROM盤10上。在這種情況下，盡管RAM區(qū)域22沒有反射層而是由需要反射層的材料制成，但反射層14還是對(duì)RAM區(qū)域22起到反射層的作用。由此，制造RAM區(qū)域22的反射層的過程可以省去，這改進(jìn)了光盤生產(chǎn)率。
在RAM區(qū)域22上具有凹痕或?qū)虿?，RAM區(qū)域22在包括光盤30的后側(cè)的整個(gè)區(qū)域內(nèi)都存在。但就凹痕和槽而言不會(huì)干擾ROM區(qū)域12的重放。在圖6(C)中，ROM盤10相對(duì)于光拾取器32的入射光位于光盤30的前側(cè)，RAM盤22位于其后側(cè)。包括引導(dǎo)槽(未示出)，錄入層23(未示出)和反射層(未示出)的RAM區(qū)域22都設(shè)置在RAM盤20的整個(gè)表面上。既使ROM區(qū)域12沒有其本身的反射層14，光拾取器32的入射光照射ROM區(qū)域12，然后由RAM區(qū)域22反射。圖7示出了本發(fā)明的第三個(gè)實(shí)施例的光盤的剖視圖。
在圖7中，光盤300包括粘結(jié)的兩個(gè)光盤30，亦即，第一RAM盤302，第一ROM盤306，第二ROM盤308和第二RAM盤304，它們都粘結(jié)在一起。兩個(gè)RAM盤，即第一和第二RAM盤302和304是在光盤300的外側(cè)。
光拾取器320重放和/或錄入在第一RAM盤302和第一ROM盤306上的信號(hào)。另一個(gè)光拾取器322重放和/或錄入在第二RAM盤304和第二ROM盤308上的信號(hào)。
光盤300的ROM區(qū)域316，318和RAM區(qū)域312，314按圖7所示是對(duì)稱配置的，它具有其彎曲最小的優(yōu)點(diǎn)。而且無需遵循那種方式配置它們。再之，粘結(jié)盤的數(shù)目并不限制為4個(gè)，可以是3個(gè)或者多于4個(gè)。圖8(A)至8(C)是本發(fā)明的第四個(gè)實(shí)施例的光盤平面圖。
在這個(gè)實(shí)施例中，光盤400(410，420)是一個(gè)粘結(jié)的光盤，它由ROM盤401和RAM盤403組成，且ROM和RAM區(qū)域是按扇形排列的。在圖8(A)中，具有內(nèi)角θA的扇形部份是ROM區(qū)域402，具有內(nèi)角θB的扇形部份是RAM區(qū)域404。在這種情況下，ROM盤401是在光拾取器(未示出)的前側(cè)。當(dāng)內(nèi)角θB小于θA時(shí)，RAM區(qū)域404的引導(dǎo)槽將不再需要，且其跟蹤由保持ROM區(qū)域402的跟蹤信息完成。它省去了光盤400的部分制造過程。當(dāng)優(yōu)選地提供RAM區(qū)域404的扇形數(shù)目時(shí)，扇形數(shù)可以在ROM區(qū)域402的邊界邊緣上提供。用這種結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)對(duì)錄入和重放的快速進(jìn)入響應(yīng)，因?yàn)镽OM區(qū)域402和RAM區(qū)域404可以彼此關(guān)閉。當(dāng)RAM區(qū)域404設(shè)置在光盤400的全部區(qū)域上時(shí)，或者設(shè)置有大于θB的內(nèi)角時(shí)，把兩個(gè)盤粘在一起不是需要很精確的，換言之，在光盤400的制造過程中將減輕嚴(yán)格的角度配合工作。
在圖8(B)中，ROM區(qū)域412，414是分別具有內(nèi)角θC和θD的扇形，而且RAM區(qū)域416，418分別具有內(nèi)角θE和θF的扇形。
在圖8(C)中，光盤420具有多個(gè)園環(huán)形帶422，424，426和428，且其額定的轉(zhuǎn)速隨其半徑變化，如MCAV(改進(jìn)的恒定角速度)光盤和MCLV(改進(jìn)的恒線速度)光盤。ROM區(qū)域430，432，434和436的扇形和RAM區(qū)域438，440，442和444的扇形如圖中所示的在多個(gè)園環(huán)形帶422，424，426和428上提供。如上所示的，ROM和RAM區(qū)域的扇形是在園環(huán)形帶上提供的，因?yàn)檗D(zhuǎn)速在MCAV或MCLV光盤中將隨環(huán)帶變化。
雖然本發(fā)明已經(jīng)對(duì)各個(gè)特定的實(shí)施例作出說明，本發(fā)明不限于上述實(shí)施例，也適合于對(duì)本發(fā)明的發(fā)明主題的不同改進(jìn)。ROM區(qū)域和RAM區(qū)域可以有不同的結(jié)構(gòu)，例如，在ROM區(qū)域和基片之間，或者在錄入介質(zhì)層和反射層之間可以有一個(gè)附加層。對(duì)于基片，錄入介質(zhì)，反射層，保護(hù)層和粘結(jié)劑可以使用不同的材料。可以有不同的錄入和重放技術(shù)，如相變錄入和磁-光錄入/重放。上述的實(shí)施例可以有不同的組合，例如，ROM區(qū)域和RAM區(qū)域在光盤中可以的一部份是環(huán)形的，而在其另一部份是扇形的。
本發(fā)明的光盤的應(yīng)用可以是，具有用于在其上存儲(chǔ)不同程序，如游戲程序，或統(tǒng)計(jì)表程序的ROM區(qū)域，和用于記錄游戲的中途和最終結(jié)果或統(tǒng)計(jì)表格的RAM區(qū)域的光盤。
如前所述，本發(fā)明的實(shí)施例具有以下優(yōu)點(diǎn)本發(fā)明的光盤制造方法的優(yōu)點(diǎn)在于能通過把ROM盤和RAM盤粘結(jié)一起制造具有良好重復(fù)性的高密度光盤，因?yàn)镽OM盤和RAM盤在各自優(yōu)選的條件下獨(dú)立制造。
本發(fā)明的光盤錄入/重放裝置的優(yōu)點(diǎn)在于提供其一個(gè)簡(jiǎn)單的結(jié)構(gòu)，因?yàn)橹挥幸粋€(gè)光拾取器錄入和/或重放光盤的信息信號(hào)。
本發(fā)明的光盤錄入/重放裝置的另一個(gè)優(yōu)點(diǎn)在于通過使RAM盤面向接近于光拾取器來減少光盤上缺陷的干擾。
本發(fā)明的光盤的優(yōu)點(diǎn)在于通過將粘結(jié)層的厚度減小到比光拾取器的焦深更薄而減少光拾取器的聚焦控制過程。
本發(fā)明光盤的優(yōu)點(diǎn)在于當(dāng)ROM區(qū)域和RAM區(qū)域或扇形時(shí)，通過降低拾取時(shí)間實(shí)現(xiàn)高速的錄入或錄入/重放。
權(quán)利要求
1.一種光盤，包括一個(gè)在其上具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)區(qū)域的第一盤；一個(gè)在其上具有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)區(qū)域的第二盤；每個(gè)所說ROM區(qū)域和所說的RAM區(qū)域是從一組分成園環(huán)形區(qū)域和分成扇形區(qū)域中選取出的；用于把所說第一盤和第二盤彼此粘結(jié)的粘結(jié)裝置；所說ROM區(qū)域和RAM區(qū)域在所說光盤中在位置上是彼此不同的。
2.按照權(quán)利要求1所述的光盤，其中所說粘結(jié)裝置的厚度小于從用于錄入/重放所說光盤信息的光拾取器發(fā)出的光束的焦深。
3.一沖光盤錄入/重放裝置，包括一個(gè)在其上具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)區(qū)域的第一盤；一個(gè)在其上具有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)區(qū)域的第二盤；每個(gè)所說ROM區(qū)域和RAM區(qū)域是從一組分成園環(huán)形區(qū)域和分成扇形區(qū)域中選?。挥糜诎阉f的第一盤和第二盤彼此粘結(jié)的粘結(jié)裝置；所說的ROM區(qū)域和所說的RAM區(qū)域在所說光盤中在位置上彼此不同；一個(gè)用于重放所說ROM盤和用于錄入和重放所說RAM盤的光拾取器，其中至少一個(gè)凹痕、引導(dǎo)槽、一個(gè)反射層和一個(gè)錄入層是在所說第一盤和所說第二盤之一提供，它接收所說光拾取器經(jīng)所說第一盤和所說的第二盤彼此之一的入射光。
4.按照權(quán)利要求3所述的光盤錄入/重放裝置，其中所說粘結(jié)裝置的厚度小于所說入射光的焦深。
5.按照權(quán)利要求1所述的光盤，其中所說RAM區(qū)域是扇形的且沒有跟蹤信息。
6.按照權(quán)利要求3所述的光盤錄入/重放裝置，其中所說第一盤接收通過所說第二盤的入射光。
7.一種制造光盤的方法，它包括一個(gè)其上具有只讀存儲(chǔ)器(ROM)區(qū)域的第一盤，一個(gè)其上具有隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)區(qū)域的第二盤，每個(gè)所說ROM區(qū)域和所說RAM區(qū)域是從一組分成園環(huán)形區(qū)域和扇形區(qū)域中選取出的，用于把所說的第一盤和所說的第二盤彼此粘結(jié)的粘結(jié)裝置，和所說的ROM區(qū)域和所說的RAM區(qū)域在所說的光盤中在位置上彼此不同，所說的方法包括在優(yōu)選的條件下并在與所說的第二盤分開的條件下制造所說的第一盤的步驟；在優(yōu)選的條件下并在與所說的第一盤分開的條件下制造所說的第二盤的步驟；把所說的第一盤和第二盤粘結(jié)在一起的步驟。
8.按照權(quán)利要求3所述的光盤的錄入/重放裝置，其中用于重放所說的ROM盤和用于錄入和重放所說RAM盤的光拾取器設(shè)置在所說的光盤的一側(cè)處。
全文摘要
一個(gè)只讀存儲(chǔ)器(ROM)盤10在其外部區(qū)域具有圓環(huán)形的ROM區(qū)域12,而一個(gè)隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)盤20在其內(nèi)部區(qū)域具有圓環(huán)形的RAM區(qū)域22。ROM盤和RAM盤分別在各自優(yōu)選的條件下單獨(dú)地制造。光盤30是通過把ROM盤和RAM盤彼此粘結(jié)而制造出的。一個(gè)光拾取器32借助從其一側(cè)照射的光,重放該光盤或在其上錄入。
文檔編號(hào)G11B7/26GK1194435SQ9712973
公開日1998年9月30日 申請(qǐng)日期1997年11月12日 優(yōu)先權(quán)日1996年11月12日
發(fā)明者上野一郎 申請(qǐng)人:日本勝利株式會(huì)社