專利名稱：用于磁盤記錄/再生設(shè)備的磁頭滑動(dòng)器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明通常涉及一種用于一個(gè)磁盤記錄/再生設(shè)備的磁頭滑動(dòng)器裝置，本發(fā)明尤其涉及一種有益地適用于實(shí)現(xiàn)在磁頭和磁盤之間具有小間隙(浮動(dòng)高度)的一種高密度記錄或具有接觸記錄的一種高密度記錄的磁頭滑動(dòng)器裝置。另外，本發(fā)明還涉及一種制造該磁頭滑動(dòng)器裝置和內(nèi)裝該裝置的磁盤記錄/再生設(shè)備的方法。
如上述的這種類型的磁頭滑動(dòng)器裝置，已知有一種在磁頭滑動(dòng)器裝置的一個(gè)表面提供若干個(gè)襯墊的結(jié)構(gòu)。例如，在JP-A-6-36488號(hào)出版物中已記載了這樣的磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)，在該裝置中，在滑動(dòng)器機(jī)身上提供了一對(duì)補(bǔ)墊或?qū)к?在以上出版物中稱做浮動(dòng)表面(8))，其目的是為了產(chǎn)生一種浮力。這個(gè)浮動(dòng)表面(8)是這樣形成的，以致于能連續(xù)地覆蓋在該浮動(dòng)表面(8)的一個(gè)背面尾部所提供的一個(gè)磁傳感器和一個(gè)薄膜層。另一方面，一種氣動(dòng)支撐型磁頭滑動(dòng)器，裝置在JP-A-6-52645中已記載，該裝置提供一對(duì)分別配置在對(duì)立兩側(cè)的襯墊和配置在背后尾部的一個(gè)襯墊，這些襯墊是通過凹口間隔被分隔或定界，基本上是為了減小磁頭滑動(dòng)器裝置的尺寸和重量。在該磁頭滑動(dòng)器裝置的背后尾部所提供的這個(gè)襯墊是這些襯墊中的一個(gè)，它是這樣構(gòu)成的，以便形成覆蓋該滑動(dòng)機(jī)身、一個(gè)磁傳感器(磁頭)和一個(gè)薄膜(磁)頭，并且作為一個(gè)滑動(dòng)器的主要部分該襯墊是用同一材料構(gòu)成的。詳細(xì)情況，在JP-A-6-52645中的第6列、第15-21行和24-27行中應(yīng)涉及到。
另外，就在JP-A-6-68632中所公開的磁頭滑動(dòng)器裝置而論，采用了這樣的一種側(cè)導(dǎo)軌結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)包括配置在靠近該薄膜(磁)頭的突出部分(51)和(52)以及從磁介質(zhì)相對(duì)于該磁頭滑動(dòng)器裝置進(jìn)行移動(dòng)或旋轉(zhuǎn)的方向來看配置在該磁頭滑動(dòng)器裝置的一個(gè)前導(dǎo)側(cè)面或入口側(cè)面的一種延伸的導(dǎo)軌部分，其目的是側(cè)面導(dǎo)軌的頂部表面以免劃傷，這里，該延伸的導(dǎo)軌部分通過一種被插入的凹槽與突出部分(51)和(52)相隔離。作為該磁頭滑動(dòng)器裝置的滑動(dòng)器機(jī)身的材料，突出部分(51)和(52)是由相同的材料構(gòu)成。更詳細(xì)情況，應(yīng)在JP-A-6-68632的第3列，第21-24和45-49行中涉及到。


圖13是迄今人們已知的一種常規(guī)磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖，圖14是一個(gè)從概念上來說明常規(guī)磁頭滑動(dòng)器裝置的一種浮動(dòng)狀態(tài)的視圖，而圖15是一個(gè)用園圈表示的D部分的圖14的局部放大(拉伸)視圖。在這些圖形中，參考號(hào)200通常是表示常規(guī)磁頭滑動(dòng)器裝置，210表示滑動(dòng)器機(jī)身，220表示磁傳感器或磁頭，221表示浮動(dòng)襯墊，而223表示該磁傳感器220的磁心。參照這些圖形，用230表示的浮動(dòng)襯墊通常被拋光以便將其加工成光滑的浮動(dòng)表面。在這種連接中，要注意，在滑動(dòng)器機(jī)身210中提供的浮動(dòng)襯墊211和磁傳感器220(包括它的薄膜)所提供的浮動(dòng)襯墊231在構(gòu)成這些襯墊的材料硬度方面是彼此不相同的。因此，當(dāng)這兩種浮動(dòng)襯墊230為了拋光而進(jìn)行機(jī)加工時(shí)，由于它們的材料硬度不同，在浮動(dòng)襯墊211和231之間出現(xiàn)了一種高度偏差Hd(參照?qǐng)D15)。這個(gè)高度偏差Hd在下文將稱作加工偏差。之所以出現(xiàn)這種加工偏差可以用這樣的事實(shí)來解釋，即與滑動(dòng)器機(jī)身210的浮動(dòng)襯墊221比較，磁傳感器220所提供的浮動(dòng)襯墊231是由一種軟材料構(gòu)成的，因此，與后者相比，在拋光時(shí)，它以較高的速率被磨掉。若是這種情況，不管該滑動(dòng)器機(jī)身的襯墊是用來產(chǎn)生浮力或用來作為浮動(dòng)表面或作為配置在靠近該薄膜磁頭元件的突出部分，在該襯墊中不可避免地會(huì)產(chǎn)生該加工偏差。
另外，為了獲得一種高記錄密度，要求將相對(duì)于磁盤的磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)高度盡可能減小到最小值。
在這種連接中，要注意，如上所述，當(dāng)浮動(dòng)高度減小時(shí)，滑動(dòng)器機(jī)身所提供的浮動(dòng)襯墊的浮動(dòng)高度Hs要低于磁頭的磁芯元件223的浮動(dòng)高度Hm，因?yàn)榇嬖诩庸て睢?br> 由于以上原因，當(dāng)浮動(dòng)高度進(jìn)一步減小時(shí)，在磁頭傳感器(磁頭)的磁芯(元件)與磁盤表面接觸之前就可能產(chǎn)生這樣不希望的情況，即滑動(dòng)中機(jī)身的襯墊與磁盤接觸。更具體地說，在現(xiàn)有技術(shù)磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，如上所述，磁頭的浮動(dòng)襯墊231繼續(xù)被提供或焊接到滑動(dòng)器機(jī)身210的襯墊211上。由于這樣的結(jié)果，滑動(dòng)器機(jī)身210的浮動(dòng)襯墊211的一個(gè)末端表面開始優(yōu)先于磁頭部分的浮動(dòng)襯墊221與磁盤表面5(圖14和15)接觸、因此，不可能使浮動(dòng)高度減小到大于加工偏差Hd。此外，由于在磁傳感器或磁頭和磁盤之間基本上實(shí)現(xiàn)了無物理接觸，因而接觸記錄不可能再生。當(dāng)接觸記錄準(zhǔn)備進(jìn)行時(shí)，由于磁盤在旋轉(zhuǎn)期間，磁頭和磁盤接觸，同樣也會(huì)產(chǎn)生這樣的問題。現(xiàn)在已經(jīng)懂得該加工偏差對(duì)實(shí)現(xiàn)一種高密度記錄產(chǎn)生一個(gè)很大的障礙。
根據(jù)上述技術(shù)狀況，本發(fā)明的一個(gè)目的就是提供一種磁頭滑動(dòng)器裝置，該裝置可以避免加工偏差以及制造該裝置的方法的影響。
本發(fā)明的另一個(gè)目的是打算提供一種磁盤記錄/再生裝置，該裝置能夠通過減小磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)高度進(jìn)行高密度記錄或通過基本上抵消加工偏差的影響解決對(duì)接觸記錄產(chǎn)生一種障礙的問題。
本發(fā)明還有一個(gè)目的是準(zhǔn)備提供一種新奇的磁頭滑動(dòng)器裝置，并改進(jìn)只具有內(nèi)裝磁頭的磁芯的突出部分的結(jié)構(gòu)，該磁頭是用滑動(dòng)器的主要部分薄膜和制造磁頭滑動(dòng)器裝置的方法構(gòu)成的。
鑒于上述或其他目的，這些目的隨著該說明繼續(xù)進(jìn)行將變得更加明顯，本發(fā)明是指向一種磁頭滑動(dòng)器裝置，該裝置包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身和一個(gè)磁頭(也稱做磁傳感器)，該磁頭是用在滑動(dòng)器主體一側(cè)所提供的一個(gè)薄膜層構(gòu)成的，在該滑動(dòng)器主體中的一個(gè)適合于磁盤的表面相接觸的浮動(dòng)導(dǎo)軌或一個(gè)襯墊是以從該滑動(dòng)器主體的泄放表面向磁盤表面的方向伸長(zhǎng)的突出部分的形式在該滑動(dòng)器主體(機(jī)身)中提供的，目的是為了使用磁頭滑動(dòng)器裝置進(jìn)行磁盤記錄/再生操作。
根據(jù)本發(fā)明的一般狀況，提供了一種包括一個(gè)突出部分的磁頭滑動(dòng)器裝置，該突出部分內(nèi)裝或嵌入用一種薄膜結(jié)構(gòu)形成的磁頭磁芯，并且該突出部分是向面對(duì)正在進(jìn)行記錄/再生操作的磁盤表面的方向突出。為說明方便的緣故，上述的突出部分將稱做磁芯襯墊突出部分。這個(gè)磁芯襯墊突出部分包括用一個(gè)預(yù)定的薄膜層區(qū)域單獨(dú)形成的磁頭磁芯。在這樣的連接中，要注意對(duì)這種作用的表現(xiàn)，即該磁芯襯墊突出部分是單獨(dú)提供的，并且是向著該磁盤設(shè)備突出的，使該磁芯襯墊突出部分不再繼續(xù)向滑動(dòng)器機(jī)身所提供的突出部分或襯墊延伸。因此，根據(jù)本發(fā)明，在裝備了磁頭滑動(dòng)器裝置的磁盤記錄/再生裝置中，該面對(duì)著與磁盤表面相反方向的滑動(dòng)器機(jī)身的泄放表面是這樣定位的，以便通過相應(yīng)于該磁芯襯墊的高度的某一距離能沿著離開磁盤表面的方向縮回。
根據(jù)本發(fā)明該磁頭滑動(dòng)器裝置可以在構(gòu)成滑動(dòng)器機(jī)身的一塊基片上用薄膜層裝配磁頭的方法來制造。其中，該磁芯襯墊突出部分(S)可以通過在一個(gè)構(gòu)成磁頭的預(yù)定位置形成一個(gè)蝕刻掩模來實(shí)現(xiàn)，在這個(gè)位置上的材料通過一種合適的工藝，例如離子蝕刻工藝來清除，在該區(qū)域原來滑有用蝕刻掩模覆蓋因而不能形成磁芯襯墊突出部分(S)。
根據(jù)本發(fā)明，磁頭的磁芯襯墊突出部分比滑動(dòng)器機(jī)身中所構(gòu)成的襯墊或在記錄/再生操作時(shí)交替地與該磁盤接觸時(shí)形成的襯墊的突出部分被定位更接近磁盤。因此，即使在滑動(dòng)器機(jī)身提供的襯墊和磁頭的磁芯襯墊突出部分之間存在著一種加工偏差時(shí)，磁頭滑動(dòng)器裝置也能穩(wěn)定地在磁盤上面以某一預(yù)定的入射角進(jìn)行浮動(dòng)或穩(wěn)定地放置與磁盤接觸。此外，通過將滑動(dòng)器機(jī)身提供的襯墊與磁頭的磁芯襯墊突出部分間隔某一預(yù)定距離，磁頭的磁芯襯墊突出部分的高度就可盡可能減小到比加工偏差更小的最小值。換句話說，磁頭的浮動(dòng)高度可以減小比所謂加工偏差更短。另外，接觸記錄從理論上講是可以達(dá)到的。
因此，根據(jù)本發(fā)明，由于對(duì)浮動(dòng)表面拋光產(chǎn)生的加工偏差對(duì)實(shí)現(xiàn)最低的浮動(dòng)高度的障礙基本上可以抵消。
通過閱讀本發(fā)明所采納的、連同附圖一起舉例說明的優(yōu)選實(shí)施例的下面的說明。就更容易理解本發(fā)明的以上和其他目的、特征及其附帶的優(yōu)點(diǎn)。
在下面的說明過程中，涉及到這些附圖。其中圖1是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例示意地表示一種磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖2是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例用來從概念上說明一種磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)機(jī)構(gòu)的視圖；圖3是一個(gè)在圖2中表示的并在同一圖中用圓圈標(biāo)明的該磁頭滑動(dòng)器裝置的局部放大視圖；圖4是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例圖解表示該磁頭滑動(dòng)裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖5是一個(gè)說明磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)機(jī)構(gòu)的概念性視圖；圖6是一個(gè)用來說明圖4所示的磁頭滑動(dòng)裝置的浮動(dòng)狀態(tài)的末端視圖；圖7是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的圖解表示磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖8是根據(jù)本發(fā)明第四實(shí)施例的僅用圖解表示磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖9是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第五實(shí)施例表示磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)圖；圖10是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第六實(shí)施例表示磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖11是一個(gè)磁頭滑動(dòng)器的示意側(cè)面剖視圖；圖12是圖11的局部放大視圖，并用封閉的圓圈表示該磁頭滑動(dòng)器裝置的一部分；圖13是一個(gè)表示一種現(xiàn)有技術(shù)磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)的透視圖；圖14是一個(gè)用來從概念上說明該現(xiàn)有技術(shù)磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)狀態(tài)的視圖；圖15是一個(gè)在圖14中用圓圈標(biāo)明表示該現(xiàn)有技術(shù)磁頭滑動(dòng)器裝置的一部分的局部放大視圖；圖16是在一個(gè)設(shè)計(jì)圖中表示根據(jù)本發(fā)明磁頭滑動(dòng)器裝置能有益地應(yīng)用于其中的磁盤記錄/再生設(shè)備的外貌；圖17是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明表示磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖18是一個(gè)表示與磁盤一起的磁頭滑動(dòng)器裝置的側(cè)面部視圖；圖19是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例表示該磁頭滑動(dòng)器裝置結(jié)構(gòu)的透視圖；圖20是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第九實(shí)施例表示通過某種制造方法在一個(gè)晶片上形成的薄膜磁頭陣列的透視圖；圖21是表示一個(gè)在圖20中以伸長(zhǎng)的方塊方式表示的該陣列段產(chǎn)生的薄膜磁頭的方塊視圖；圖22是一個(gè)用來說明在磁頭滑動(dòng)器裝置加工方法中采用的蝕刻工藝的透視圖；圖23是一個(gè)根據(jù)第九實(shí)施例表示包括按該方法加工的磁頭的磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖；圖24是一個(gè)在該蝕刻工藝中所應(yīng)用的一種掩模設(shè)計(jì)圖；以及圖25是一個(gè)在圖24所示的掩模的放大設(shè)計(jì)圖。
現(xiàn)在，將通過參照附圖，連同當(dāng)前認(rèn)為是本發(fā)明的優(yōu)選的或代表性的實(shí)施例一起來詳細(xì)說明本發(fā)明。在下面的說明中，相同的參考符號(hào)在全部幾個(gè)視圖中表示相同的部分。同樣在下面說明中，應(yīng)理解，像“左”“右”“較高的”、“較低的”、“背面”、“前面”、“橫著”、“橫向的”等等術(shù)語是方便的單詞，并且不構(gòu)成限定的術(shù)語。
實(shí)施例1根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施例，一個(gè)磁頭滑動(dòng)器裝置將通過參考圖1和圖16進(jìn)行說明，其中圖1是以透視圖形式表示該磁頭滑動(dòng)器裝置，而圖16是表示根據(jù)本發(fā)明裝有該磁頭滑動(dòng)器裝置的磁盤記錄/再生設(shè)備的外貌。在這種連接方式中，應(yīng)該記載，該磁盤記錄/再生設(shè)備在內(nèi)部基本上是密封結(jié)構(gòu)，并裝配一個(gè)蓋，但是，從圖16的說明中被省略。首先，參照?qǐng)D16，磁盤162安裝在一個(gè)主軸163上，該主軸通過一個(gè)驅(qū)動(dòng)馬達(dá)(未示出)以預(yù)定的轉(zhuǎn)數(shù)(rpm)旋轉(zhuǎn)。一個(gè)磁頭滑動(dòng)器裝置161牢固地固定在一個(gè)杠桿167上，該杠桿安裝在一個(gè)臂164上，該臂依次有效地連接到一個(gè)激勵(lì)器165。該臂適合于借助激勵(lì)器165圍繞主軸166進(jìn)行擺動(dòng)或回轉(zhuǎn)，這樣在磁盤162上就能索引到所希望的位置。
一種浮動(dòng)型磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)如圖1所示。參照此圖，通常用參考號(hào)1表示的磁頭滑動(dòng)裝置是由一個(gè)磁頭或磁傳感器20組成，該傳感器20是通過從磁盤(圖16的162以及其他的圖中的5)旋轉(zhuǎn)方向看在滑動(dòng)器機(jī)身的背后尾部所提供的薄膜層獲得的。該滑動(dòng)器機(jī)身(殼體)安裝一對(duì)從滑動(dòng)器部分或滑動(dòng)器機(jī)身13伸出的浮動(dòng)襯墊11。薄膜磁頭20包括一個(gè)磁芯(也稱做元件)23。包括該薄膜磁頭20的磁頭磁芯23的一對(duì)襯墊21的每一個(gè)沿著面朝該磁盤表面(即該磁頭滑動(dòng)器裝置產(chǎn)生浮動(dòng)的方向)的方向伸出滑動(dòng)器機(jī)身10的泄流表面13以外。這些襯墊21在后面將稱做磁芯襯墊突出部分。
每一個(gè)浮動(dòng)襯墊11的形式是一個(gè)伸長(zhǎng)的矩形導(dǎo)軌，該導(dǎo)軌裝有一個(gè)斜削部分111和一個(gè)平展部分112。另外，每一個(gè)浮動(dòng)襯墊11在末端平面113處終止不與磁芯襯墊突出部分21相連，而是單獨(dú)構(gòu)成，并在對(duì)著該滑動(dòng)器機(jī)身即朝著斜削部分111的前面邊沿的方向與磁芯襯墊突出部分21有一預(yù)定距離l。換句話說，在與薄膜磁頭20相結(jié)合所提供的磁芯襯墊突出部分21與滑動(dòng)器機(jī)身20所提供的浮動(dòng)襯墊11的末端平面113之間有一間隔。間隔12的底部與泄流部分13的表面是同一個(gè)平面。更具體地說，雖然磁芯襯墊突出部分21和浮動(dòng)襯墊(導(dǎo)軌)11是這樣構(gòu)成以致于伸出到泄流表面13的底表面以外，但它們?cè)诮Y(jié)構(gòu)并不彼此連續(xù)，因?yàn)樵谒鼈冎g有間隔插入。
由圖2和圖3中可知，圖2是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明直接實(shí)施例的用來從概念上說明該磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)機(jī)構(gòu)的視圖，而圖3是如圖2中用圓圈表示的那一部分的局部放大視圖，該滑動(dòng)器機(jī)身10的泄流表面和面對(duì)與磁盤表面相對(duì)立的磁芯襯墊突出部分21的表面的磁盤之間的高度Hh近似地等于泄流表面13和浮動(dòng)襯墊11的平展部分112之間的高度Hr。
每一個(gè)磁盤20是由一個(gè)線圈24，一個(gè)連接襯墊25、一個(gè)基片薄層27和一個(gè)保護(hù)薄膜28所組成。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，該磁芯襯墊突出部分21是用一個(gè)尺寸大約為40μm×20μm的矩形形式來實(shí)現(xiàn)的，并具有大約20μm的高度。通過按照如上所述的一個(gè)小尺寸矩形塊實(shí)現(xiàn)磁芯襯墊突出部分21，該磁芯襯墊突出部分21可能實(shí)質(zhì)上無助于產(chǎn)生一種浮力。因此，該磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)特性主要是通過成對(duì)浮動(dòng)襯墊11的浮動(dòng)特性來確定。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置情況下，該磁頭的薄膜層20的厚度大約為50μm，因而本發(fā)明不難提供尺寸為40μm×20μm的磁芯襯墊突出部分21的構(gòu)造。順便地說，根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置的滑動(dòng)器機(jī)身具有長(zhǎng)2mm，寬1.6mm和高0.4mm的尺寸。然而不言而喻，該滑動(dòng)器機(jī)身的尺寸、形式和幾何形狀從不受上述的限定。當(dāng)然，該磁芯襯墊突出部分21的尺寸從來不受40μm×20μm的尺寸限制，但只要它的厚度小于該薄膜磁頭20的厚度就可以以任何尺寸和形式來實(shí)現(xiàn)，以便使前者(磁芯襯墊突出部分21)能夠在該薄膜區(qū)內(nèi)形成而不與該薄膜區(qū)脫離。在這種連接方式中，應(yīng)注意，由圖3可知，薄膜磁頭20的磁頭磁芯23是在基片薄層27和保護(hù)薄膜28之間的夾層。因此，產(chǎn)生不必要為了努力使磁芯形狀與磁芯襯墊突出部分21的幾何形狀一致而修改該磁芯形狀。
此外，當(dāng)在本發(fā)明的直接實(shí)施例的情況下，通過選取從滑動(dòng)器機(jī)身的泄流表面13到浮動(dòng)襯墊11的平展部分112的浮動(dòng)襯墊的高度Hr等于磁芯襯墊突出部分21的高度Hh，如果兩個(gè)高度都為20μm，則有可能防止浮力在泄流表面13產(chǎn)生。由于該磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)正在研究中，通過只相應(yīng)地設(shè)計(jì)成對(duì)浮動(dòng)襯墊11就能實(shí)現(xiàn)所希望的浮動(dòng)特性。
參照?qǐng)D2，由于在磁頭滑動(dòng)器裝置1和旋轉(zhuǎn)磁盤5之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)，通過浮動(dòng)襯墊11在磁盤5上面產(chǎn)生一種氣動(dòng)壓力，結(jié)果，該浮動(dòng)襯墊11被導(dǎo)致以一個(gè)預(yù)定的入射角在磁盤5上面浮動(dòng)，因?yàn)樾毕鞑糠?11的構(gòu)造分別在該浮動(dòng)襯墊11的前面一側(cè)。另外，滑動(dòng)器機(jī)身10所提供的每個(gè)浮動(dòng)襯墊11的末端平面113以預(yù)定的距離或間隔位于從磁芯襯墊突出部分21到磁頭滑動(dòng)器裝置的前面邊緣(斜削部分)之間。
此外，因?yàn)閺拇疟P表面到磁頭滑動(dòng)器裝置的磁頭磁芯23的距離Hm小于從磁盤表面到浮動(dòng)襯墊11的平展部分112的邊緣112a的距離Hs，因而磁頭磁芯23的浮動(dòng)高度Hm就可減小到一個(gè)可能最小值。
更具體地說，即使在浮動(dòng)襯墊111和磁芯襯墊突出部分21之間通過拋光加工除去的材料數(shù)量不同，但由于材料的硬度不同，結(jié)果，磁芯襯墊突出部分的高度Hh變得比從泄流表面13到浮動(dòng)襯墊(即，即使Hr＞Hh)的浮動(dòng)襯墊11的高度Hr，則該磁頭滑動(dòng)器裝置可以假定為具有某一入射角的浮動(dòng)狀態(tài)。此外，因?yàn)楦?dòng)襯墊11的末端平面113和磁芯襯墊突出部分21彼此相隔一段距離，則磁頭的磁頭磁芯23可以假定有最小的浮動(dòng)高度Hm。
由上述的說明可知，在根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例的磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)的情況下，以前所具有的加工偏差的不利影響為企圖減小磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)高度帶來障礙，現(xiàn)在這種不利的影響基本上可以消除，使得有可能以一種減小的磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)高度實(shí)現(xiàn)一種高密度記錄。
因?yàn)楦?dòng)襯墊11和磁芯襯墊突出部分21的每一個(gè)都是矩形形狀，它們可以通過機(jī)加工制造。當(dāng)然，它們同樣也可以通過離子研磨、蝕刻或薄膜蒸發(fā)沉積工藝很容易制造。機(jī)加工工藝的優(yōu)點(diǎn)在于它的成本低廉，而離子研磨、蝕刻或薄膜蒸發(fā)沉積工藝的優(yōu)點(diǎn)在于，浮動(dòng)襯墊11和磁芯襯墊突出部分21可以任意精加工到所希望的形狀，雖然與前者(機(jī)加工)比較，后者要求大量時(shí)間。
還應(yīng)補(bǔ)充的是，具體體現(xiàn)在直接實(shí)施例中的本發(fā)明的基本原理可以有效地應(yīng)用于實(shí)現(xiàn)在這種磁頭滑動(dòng)器裝置狀態(tài)下的數(shù)據(jù)讀/寫操作，在這種狀態(tài)中，離磁盤表面的磁頭的浮動(dòng)高度被進(jìn)一步減小，因?yàn)楦?dòng)襯墊11的浮動(dòng)不接觸磁盤表面，而面朝磁盤的磁芯襯墊突出部分21的一部分，即保護(hù)膜28的一部分28a與磁盤與表面產(chǎn)生連續(xù)接觸。通過以這種方式使磁芯襯墊突出部分21連續(xù)地在磁盤表面滑動(dòng)，該磁盤的磁薄層(未示出)和磁頭磁芯23之間的間隙可以減小到一個(gè)可能的最小值，從而記錄密度可以大大地增加。
在這種連接方式中，與磁盤表面接觸的保護(hù)膜28的拐角部分28a可以成斜削形狀。于是磁頭磁芯23和磁盤5的表面的位置彼此可以靠得更近，而避免在接觸時(shí)可能發(fā)生擦傷。因此，磁頭操作可靠性可以進(jìn)一步增強(qiáng)。
實(shí)施例2圖4是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明第2實(shí)施例，概略表示磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖。根據(jù)該實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置與第一實(shí)施例的不同之處在于當(dāng)從該磁頭滑動(dòng)器裝置橫向看前者在該薄膜磁頭20的中心具有單個(gè)磁芯襯墊突出部分。
根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例，對(duì)于磁頭滑動(dòng)器裝置來說，當(dāng)從磁芯襯墊突出部分40向前面一側(cè)(邊緣)(斜削形的末端)移動(dòng)一預(yù)定距離時(shí)，浮動(dòng)襯墊41的末端平面413就這樣形成使得在浮動(dòng)襯墊的末端平面413和磁芯襯墊突出部分40之間插入一個(gè)間隔42。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例對(duì)于磁頭滑動(dòng)器裝置的這種結(jié)構(gòu)來說，給實(shí)現(xiàn)該磁頭滑動(dòng)器裝置的較低浮動(dòng)高度帶來障礙的所謂加工偏差的不利影響可以成功地減緩或消除。
根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在該磁頭滑動(dòng)器裝置中，該滑動(dòng)器機(jī)身從總體來說，具有長(zhǎng)1.0mm，寬0.8mm和高0.3mm的尺寸，此處浮動(dòng)襯墊(41)的長(zhǎng)度為0.8mm(大約是滑動(dòng)器總長(zhǎng)度1.0mm的80％)。從泄流表面43到每個(gè)浮動(dòng)襯墊41的浮動(dòng)表面的高度Hr和距離面向磁盤的表面的磁芯襯墊突出部40的高度Hh的每一個(gè)都約為20μm。當(dāng)然，滑動(dòng)器的幾何尺寸不受上述尺寸的限制。但是，當(dāng)從滑動(dòng)器的前端計(jì)量時(shí)最好選擇該浮動(dòng)襯墊的長(zhǎng)度大約為滑動(dòng)器的整個(gè)長(zhǎng)度的80％。換句話說，該浮動(dòng)襯墊的末端平面413最好是這樣構(gòu)成，即該浮動(dòng)襯墊的末端平面413與磁芯襯墊突出部分40相距大約是滑動(dòng)器總長(zhǎng)度的20％。其原因?qū)⒃谙旅娼忉尅?br> 由于為保證浮動(dòng)表面的平面度而進(jìn)行一種拋光加工，現(xiàn)在假定，在浮動(dòng)襯墊41和磁芯襯墊突出部分40之間在高度方面出現(xiàn)10nm的差異。如圖5所示，根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，磁頭滑動(dòng)器裝置的浮動(dòng)襯墊是由一個(gè)斜削部分411和一個(gè)平展部分412組成，在這里，該磁頭滑動(dòng)裝置是這樣設(shè)計(jì)的，即在磁頭磁芯的浮動(dòng)高度Hm和在斜削部分411和浮動(dòng)襯墊41的平展部分412之間的邊界部分的浮動(dòng)高度Hi之間的比率(Hi/Hm)大約為“2”。通常，這個(gè)浮動(dòng)高度比率(Hi/Hm)叫做間隙比率，并且在許多情況下，該滑動(dòng)器機(jī)身是這樣設(shè)計(jì)使得這個(gè)比率假定在“2”-“3”范圍內(nèi)。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，假定磁芯襯墊突出部分的浮動(dòng)高度Hm為50nm。為使磁頭的磁芯襯墊部分的浮動(dòng)高度Hm小于在上述條件下浮動(dòng)襯墊的最小浮動(dòng)高度Hs，設(shè)浮動(dòng)襯墊的末端平面413最好設(shè)置在距離該滑動(dòng)器機(jī)身的前端或入口端大約為滑動(dòng)器總長(zhǎng)度80％的位置。為此，根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置情況下，該浮動(dòng)襯墊的長(zhǎng)度被選擇為0.8mm。換句話說，該浮動(dòng)襯墊的末端平面413與該磁芯襯墊突出部分21之間的間隔距離約為滑動(dòng)器總長(zhǎng)度20％。但顯而易見，在上述間隙比率被設(shè)計(jì)為大于“2”的情況下，該浮動(dòng)襯墊的末端平面413可以設(shè)置更接近于磁芯襯墊突出部分40。
此外，如在該磁頭滑動(dòng)器裝置的橫方向看去那樣，(即，該磁頭滑動(dòng)器裝置的橫向)，通過將磁芯襯墊突出部分40配置在該薄膜磁頭20的中心，就可以獲得這樣優(yōu)點(diǎn)，即使該磁頭滑動(dòng)器裝置是以如圖6虛線所示的這樣方式傾斜，由于某些原因，(例如在尋找操作相位中的加速度作用下)根據(jù)圖6可知，該磁頭磁芯的浮動(dòng)高度Hm將幾乎不變化。換句話說，該磁頭滑動(dòng)器裝置可以實(shí)現(xiàn)穩(wěn)定的浮動(dòng)。因此，可實(shí)現(xiàn)高可靠性的磁盤記錄/再生設(shè)備，從而避免在數(shù)據(jù)讀/寫操作中出錯(cuò)。
實(shí)施例3根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例，圖7是示意地表示磁頭滑動(dòng)器裝置的一種結(jié)構(gòu)透視圖。根據(jù)本發(fā)明的目前實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，該滑動(dòng)器裝置機(jī)身10的浮動(dòng)襯墊71和72被配置與磁芯襯墊突出部分70相距一個(gè)預(yù)定距離，當(dāng)從橫方向看，(即，在該磁頭滑動(dòng)器裝置的橫方向)，該磁芯襯墊突出部分70是配置在由一個(gè)薄膜層構(gòu)成的磁頭中心，類似于以前所說明的根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的磁頭滑動(dòng)器裝置的情況。由圖7可知，當(dāng)在滑動(dòng)器機(jī)身上提供多元襯墊(71；72)時(shí)，足以使該襯墊(例如中心襯墊或?qū)к?2)被設(shè)置與磁芯襯墊突出部分70相距一個(gè)預(yù)定距離又最接近它、由于這樣配置，就能實(shí)現(xiàn)磁頭的低浮動(dòng)高度而不受所謂加工偏差的不利影響。
更具體地說，在如圖7所示的磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，提供了一對(duì)浮動(dòng)襯墊71和一個(gè)中心襯墊72。每一個(gè)浮動(dòng)襯墊71是以某種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)的特征如下(1)為了在泄流表面形成產(chǎn)生凹槽的負(fù)壓，提供了一個(gè)頸部或縮頸71a。
(2)位于靠近該磁頭滑動(dòng)器裝置的中心線C的浮動(dòng)襯墊71的一側(cè)是這樣傾斜，即隨著與該浮動(dòng)襯墊71的末端平面711的距離增加(即朝著滑動(dòng)器機(jī)身前端的方向)，該浮動(dòng)襯墊71的寬度逐漸減小。
另一方面，該中心襯墊72是以某種結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)的，該結(jié)構(gòu)特征如下(1)該中心襯墊72具有一個(gè)背面末端部分，其寬度隨著與磁芯襯墊突出部分70的距離的減小而逐漸增加。
(2)產(chǎn)生凹槽(泄流深度)的負(fù)壓深度被減小到大約為6μm。
根據(jù)本發(fā)明的目前實(shí)施例，對(duì)該磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)而言，可獲得下面所述的有利作用。即，當(dāng)與相應(yīng)的第一實(shí)施例的浮動(dòng)表面的深度比較時(shí)，通過使大約為6μm的產(chǎn)生凹槽的負(fù)壓深度變窄并在浮動(dòng)襯墊71形成縮頸71a以便在其間形成凹槽，才可能產(chǎn)生一個(gè)負(fù)壓。在這種連接方式中，有關(guān)短語“負(fù)壓”，被認(rèn)為意味著一種低于大氣壓并提供一種吸引該磁頭滑動(dòng)器裝置朝著磁盤表面方向的力的壓力。
根據(jù)上述該磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)，通過消除由于磁盤徑向位置的差異(即與圓周速度和偏轉(zhuǎn)角有關(guān))所引起的浮動(dòng)高度偏差，就能在從磁盤的內(nèi)圓到磁盤外圓的整個(gè)范圍實(shí)現(xiàn)一種磁頭的均勻高度。更具體地說，當(dāng)圓周速度隨著磁頭滑動(dòng)器裝置向內(nèi)作徑向移動(dòng)而增加時(shí)，為抵消作用于浮動(dòng)襯墊71上的浮力的增加，產(chǎn)生凹槽71b的負(fù)壓(結(jié)構(gòu))就產(chǎn)生負(fù)壓或真空。用這種方法，就能在磁盤的整個(gè)區(qū)域(即在磁頭滑動(dòng)器裝置的全部徑向位置)實(shí)現(xiàn)恒定的浮動(dòng)高度，因此，在整個(gè)磁盤的徑向位置就能實(shí)現(xiàn)具有一種恒定線性記錄密度(每英寸位數(shù))的恒定密度記錄。此外，如以前所述，通過在每個(gè)浮動(dòng)襯墊71中提供縮頸71a以及使后者這樣成型，即隨著相對(duì)于中心線的傾斜，它的寬度朝著末端平面711逐漸增加，不管在尋找操作期間，是否對(duì)于浮動(dòng)襯墊易傾斜地產(chǎn)生空氣流，因?yàn)闅鈩?dòng)壓力生成效率能保護(hù)浮動(dòng)高度不下降，因而能保證一種預(yù)定的或所希望的浮動(dòng)高度。此外，通過提供該中心襯墊72，即使在尋找操作期間(或產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)角時(shí))也能穩(wěn)定地產(chǎn)生負(fù)壓，因?yàn)榇嬖谥行囊r墊72，由產(chǎn)生凹槽的負(fù)壓所施加的并通過橫向浮動(dòng)襯墊71和中心襯墊72的協(xié)作所產(chǎn)生的吸引力可以防止互相干擾。最后，還應(yīng)提及，通過使中心襯墊這樣成形，即朝著磁芯襯墊突出部分70的方向其寬度逐漸增加，在磁頭周圍所產(chǎn)生的氣流層的剛性增強(qiáng)，因而磁頭滑動(dòng)器裝置的磁盤跟蹤特征得到改善。由于上述的有利特征，就可實(shí)現(xiàn)磁頭滑動(dòng)器裝置的一種穩(wěn)定的浮動(dòng)狀態(tài)。
實(shí)施例4根據(jù)本發(fā)明的第四實(shí)施例，圖8是一個(gè)僅概略地表示一種磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖。根據(jù)本發(fā)明的目前實(shí)施例，在該磁頭滑動(dòng)器裝置情況下，在磁芯襯墊突出部分80的兩側(cè)設(shè)置了都不包括磁頭磁芯的抗磨損襯墊81，目的是為了保護(hù)磁芯襯墊突出部分80不受磨損。這些抗磨損襯墊81是用類似于磁芯襯墊突出部分80的磁薄膜層20構(gòu)成，其高度與后者相同。雖然假定每一個(gè)抗磨損襯墊81如磁芯襯墊突出部分80，一樣是用相同尺寸的相同矩形構(gòu)成的，但應(yīng)明白，這種抗磨損襯墊81可以用不同于磁芯襯墊突出部分80的形狀和尺寸構(gòu)成，只要前者是在薄膜磁頭區(qū)域范圍內(nèi)構(gòu)成就行。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在該磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，雖然有抗磨損襯墊81的防備，但仍能保證連同前面的實(shí)施例一起的在上文所述的最小浮動(dòng)高度Hm。根據(jù)本發(fā)明的該實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置可以在CSS(接觸起動(dòng)/停止)型磁盤記錄/再生設(shè)備中找到有益的應(yīng)用，在該設(shè)備中，在磁盤旋轉(zhuǎn)起動(dòng)時(shí)磁頭滑動(dòng)器裝置在磁盤上連續(xù)地滑動(dòng)，并且當(dāng)它的旋轉(zhuǎn)速度(rpm)到達(dá)某一預(yù)定值時(shí)，前者將在磁盤上面產(chǎn)生浮動(dòng)。在這種情況下，抗磨損襯墊81與磁芯襯墊突出部分80共享該接觸力。由于這一特點(diǎn)，磁芯襯墊突出部分80因與磁盤連續(xù)接觸受到磨損的問題可以成功地解決。因此，根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例提供了一種具有高可靠性的磁頭滑動(dòng)器裝置。
在現(xiàn)在正在研究中的磁頭滑動(dòng)器裝置中，磁芯襯墊突出部件80和抗磨損的襯墊81都是用一矩形形狀來構(gòu)成。它們可以用可保證起防塵作用的三角形形狀來實(shí)現(xiàn)或用優(yōu)于抗磨損的圓形形狀來實(shí)現(xiàn)。
另外，為了改進(jìn)這些襯墊的抗磨損特性，保護(hù)膜可以沉積在面對(duì)磁盤的襯墊80，81的表面以及浮動(dòng)襯墊的浮動(dòng)表面。作為一種保護(hù)膜，可能講到碳(C)膜、硅(Si)膜，氧化硅(SiO2)膜等等。該保護(hù)膜可以以單層形式提供或以疊層形式交替提供，從而構(gòu)成多層薄膜，目的是為了實(shí)現(xiàn)一種能表現(xiàn)出優(yōu)良的抗磨損特性和高操作可靠性的磁頭滑動(dòng)器裝置。
實(shí)施例5根據(jù)本發(fā)明的第五實(shí)施例，圖9是一個(gè)表當(dāng)從面對(duì)磁盤的方向觀察時(shí)磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)圖。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，在磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，當(dāng)從該薄膜磁頭20的橫向觀察時(shí)，設(shè)置在中心位置的中心襯墊92與浮動(dòng)襯墊91相比更接近磁芯襯墊突出部分90。在這種連接方式中，提及到，在滑動(dòng)器機(jī)身10除了設(shè)置襯墊911和912之外還設(shè)置中心襯墊92，該襯墊92最接近磁芯襯墊突出部分90，與突出部分90相距一預(yù)定距離，這樣在磁芯襯墊突出部分90和中心襯墊92之間插入一個(gè)間隔93，因而可成功地消除所謂加工偏差的影響。
根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置有下述幾方面優(yōu)點(diǎn)。
(1)在讀/寫操作時(shí)磁頭周圍所產(chǎn)生的氣流層的剛性可以增強(qiáng)，從而能改善磁頭的磁盤跟蹤能力。
(2)由于某些原因，當(dāng)磁頭滑動(dòng)器裝置與磁盤產(chǎn)生接觸時(shí)，磁芯襯墊突出部分90可能遭受的損壞可以積極地得到緩解。因此，該磁頭滑動(dòng)器裝置的可靠性能顯著提高。
實(shí)施例6根據(jù)本發(fā)明的第六實(shí)施例，圖10是一個(gè)表示磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖。而圖11是該裝置的示意的側(cè)面剖視圖。該磁頭滑動(dòng)器裝置根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例被設(shè)計(jì)為可實(shí)現(xiàn)一種接觸的記錄/再生操作。
在面對(duì)磁盤的滑動(dòng)器機(jī)身10的泄流表面所提供的是滑動(dòng)的突出部分130，其中每一個(gè)都是高度Hs大約為30μm和直徑DPs大約為30μm的圓柱形式。通過選取每一個(gè)滑動(dòng)突出部分130的高度Hs至少為10μm，伴隨磁盤5旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的氣流影響就能消除。此外，假如，每個(gè)滑動(dòng)突出部分130的高度Hs被選擇大于20μm，包括20μm在內(nèi)，則氣流的影響能基本上消除。換句話說，通過該氣流有可能防止在滑動(dòng)器機(jī)身10的泄流表面131上面產(chǎn)生一種浮力。另外，通過選取每個(gè)滑動(dòng)突出部分130的直徑Ds大約為30μm，由滑動(dòng)突出部分130所產(chǎn)生的浮力能基本上消除。按照這種方式，該滑動(dòng)器機(jī)身10能將伴隨磁盤旋轉(zhuǎn)時(shí)所產(chǎn)生的氣流的影響禁閉起來，而磁盤意味著該滑動(dòng)器機(jī)身可放置到與磁盤表面有一穩(wěn)定的接觸。此外，通過以不呈現(xiàn)邊緣的圓柱形式實(shí)現(xiàn)該滑動(dòng)突出部分130，因?yàn)榕c磁盤接觸，從而如磁頭可能受到的磨損之類的損壞可以緩解。這種有益的作用對(duì)尋找操作(即，使磁頭滑動(dòng)器裝置相對(duì)于磁盤作徑向運(yùn)動(dòng)的操作)特別主要。當(dāng)該滑動(dòng)突出部分130是以有邊緣的四邊形棱柱體的形式構(gòu)成時(shí)，不可能期望有這樣的作用。
另外磁芯襯墊突出部分100是與該薄膜磁頭20構(gòu)成一個(gè)整體。因此，總起來這些突出部分100和130與磁盤5的表面產(chǎn)生一種穩(wěn)定接觸。因?yàn)橐环N下壓力或下按力W是加在磁頭滑動(dòng)器裝置1上，即使在滑動(dòng)突出部分130產(chǎn)生一種浮力或由于某些其它原因磁頭滑動(dòng)器裝置有離開磁盤表面運(yùn)動(dòng)傾向，磁芯襯墊突出部分100仍可以穩(wěn)定地維持在與磁盤接觸的狀態(tài)。用這種方法，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置可同樣地享有高一種可靠性，而在寫/讀(記錄/再生)操作中不會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤。
由于上述原因，即使由于所謂加工偏差，磁芯襯墊突出部分100和滑動(dòng)突出部分130的高度分別為Hh和Hs彼此不同，但該磁芯襯墊突出100和磁盤可以放置到一種穩(wěn)定的和可滑動(dòng)接觸狀態(tài)。
圖12是一個(gè)表示用圓圈封閉起來的某一部分的圖11的局部放大視圖。如在本發(fā)明的前面的實(shí)施例的情況那樣，磁芯襯墊突出部分是獨(dú)單用構(gòu)成薄膜磁頭20的薄膜組成。換句話說，磁芯襯墊突出部分100絲毫不包括滑動(dòng)器機(jī)身10，而是由后者單獨(dú)提供。更具體地說，磁芯襯墊突出部分100是由一個(gè)基片薄層102、一個(gè)較高的磁芯元件101a，和一個(gè)較低的磁芯元件101b以及一個(gè)保護(hù)薄膜103組成。為了制造該磁芯襯墊突出部分100，基片薄層102和保護(hù)薄膜103的材料被清除掉到這樣程度，即磁芯(元件)101不露出，因此，磁芯101在基片薄層102和保護(hù)膜103之間仍然是夾層的或被遮蓋，因?yàn)椋駝t在該磁芯101中可能出現(xiàn)腐蝕現(xiàn)象。
另外，如像在磁芯襯墊突出部分100的情況那樣，通過在滑動(dòng)突出部分130上沉積一層保護(hù)膜(未示出)，大體上磁頭滑動(dòng)器裝置的滑動(dòng)特性以及它的操作可靠性將可增強(qiáng)。因此，碳(C)膜、硅(Si)膜、氧化硅(SiO2)膜等等可以用來作為保護(hù)膜。
由以上說明顯而易見，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，就該磁頭滑動(dòng)器裝置來說，在磁頭滑動(dòng)器裝置1的滑動(dòng)器機(jī)身10中提供一對(duì)滑動(dòng)突出部分130，該突出部分適合于沿著與單個(gè)磁芯，襯墊突出部分100相結(jié)合的磁盤表面向前滑動(dòng)，該突出部分100是由薄膜磁頭20的薄膜層構(gòu)成。在這里，該磁芯襯墊突出部分100僅僅是由組成薄膜磁頭20的薄膜構(gòu)成，以便具有大體上等于滑動(dòng)突出部分130的突出部分高度。根據(jù)這種結(jié)構(gòu)，該薄膜磁頭20的磁芯101可放置在與磁盤5可滑動(dòng)并穩(wěn)定地接觸的狀態(tài)，以便有助于實(shí)現(xiàn)一種增加的線性記錄密度。此外，磁頭滑動(dòng)器裝置的接觸的寫/讀操作的可靠性能同樣得到改善，因?yàn)樵谶@里可積極地排除由于某些原因磁芯101和磁盤5之間的分離所產(chǎn)生的錯(cuò)誤。
實(shí)施例7本發(fā)明的第七實(shí)施例將參照?qǐng)D17和18進(jìn)行說明，圖17是一個(gè)根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例、表示一種磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖，而圖18是一個(gè)表示與磁盤一起的磁頭滑動(dòng)器裝置的側(cè)面剖視圖。在目前有關(guān)的磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，只有一個(gè)磁芯襯墊突出部分100是在薄膜磁頭20上構(gòu)成，而安裝在磁頭滑動(dòng)器裝置的滑動(dòng)器機(jī)身上的其它浮動(dòng)襯墊或滑動(dòng)突出部分如上文所說明的連同以前的實(shí)施例，這些發(fā)明全都是備用的。根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，該磁頭滑動(dòng)器裝置是安裝在一個(gè)薄板杠桿或臂167上，該杠桿或臂167是由具有一種三角形截面的薄板材料或薄板組成。
正在研究中的磁頭滑動(dòng)器裝置的特點(diǎn)可以從磁頭滑動(dòng)器裝置與磁盤之間接觸點(diǎn)數(shù)(即磁頭磁芯滑動(dòng)器裝置的突出部分的總數(shù)目)從三減少到一的情況看出，因此，磁頭滑動(dòng)器裝置的整個(gè)結(jié)構(gòu)可以用一種相應(yīng)地減小尺寸和一種輕重量方式來實(shí)現(xiàn)。這種結(jié)構(gòu)的優(yōu)點(diǎn)在于，在與磁頭滑動(dòng)器裝置滑動(dòng)接觸時(shí)，磁盤可能受到的損傷能夠減緩。另外，磁頭滑動(dòng)器裝置的跟蹤特性得到改善，因此，即使磁盤受到振動(dòng)時(shí)，在磁盤和磁頭滑動(dòng)器裝置之間也能保證穩(wěn)定的接觸。此外，通過只對(duì)磁芯襯墊突出部分100限定接觸點(diǎn)，就能以高精密度完成磁盤的跟蹤，而不管磁盤表面是否有波紋(或凹凸不平)。
用于這種類型應(yīng)用的杠桿(臂)通常是安裝一個(gè)樞軸或方向接頭。對(duì)比起來，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，對(duì)于在磁頭滑動(dòng)器裝置中所使用的一種三角形形狀的薄板杠桿來說，既不要求該樞軸也不要求萬向接頭。更具體地說，在滑動(dòng)器準(zhǔn)備安裝在其上面的杠桿167的表面所設(shè)置的是一個(gè)用絕緣薄膜181涂敷的印刷配線173，在這里，印制線173的終端是經(jīng)由銅線172與薄膜磁頭的磁芯襯墊171連接。因?yàn)樵撚≈凭€173是用絕緣膜181涂敷的，該滑動(dòng)器通過使用一種適當(dāng)?shù)恼辰Y(jié)劑可以直接與杠桿167粘接。若那樣，該磁頭支撐設(shè)備可用一種薄結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，從而，基本上有利于用一種薄結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)磁頭/滑動(dòng)器裝置。
由上述說明顯而易見，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種保證高可靠性和適用于小尺寸和薄結(jié)構(gòu)的磁盤記錄/再生設(shè)備的磁頭滑動(dòng)器裝置。當(dāng)然，磁芯襯墊突出部分可以只通過構(gòu)成薄膜磁頭20的薄膜來構(gòu)成。另外，由于在滑動(dòng)器機(jī)體上缺少任何突出部分，因而在薄膜磁頭和滑動(dòng)器機(jī)體之間不出現(xiàn)加工偏差。因此，在磁盤和磁頭滑動(dòng)器裝置之間可實(shí)現(xiàn)一種穩(wěn)定的滑動(dòng)接觸。
實(shí)施例8根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例，圖19表示一種磁頭滑動(dòng)器裝置的透視圖。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例該磁頭滑動(dòng)器裝置與第六實(shí)施例(圖10)的差別在于，在面對(duì)磁盤的薄膜磁頭20的表面設(shè)置了一個(gè)臺(tái)階190。除這種差別外，根據(jù)該實(shí)施例，磁頭滑動(dòng)器裝置的結(jié)構(gòu)基本上與第六實(shí)施例(圖10)的相同。磁盤沿著從滑動(dòng)器機(jī)身20向薄膜磁頭20延伸的方向旋轉(zhuǎn)。因此，伴隨磁盤旋轉(zhuǎn)所產(chǎn)生的氣流流經(jīng)在磁盤和面向滑動(dòng)器機(jī)身10的表面131的磁盤之間所定義的空氣通路因而指向臺(tái)階或偏差部分190。因?yàn)榭諝馔返臋M截面區(qū)域通過設(shè)置該臺(tái)階或偏差部分190而被放大，在那里克服了在臺(tái)階或偏差區(qū)190處的負(fù)壓。臺(tái)階或偏差部分190的高度Hr大約等于5μm。在這種連接方式中，應(yīng)提及的是，偏差區(qū)190的高度Hr應(yīng)選擇大約小于18μm。因?yàn)椋绻闷渌绞?，?fù)壓可能下降得很低。如前所述，“負(fù)壓”短語意味著是低于大氣壓的壓力，并且施加一一個(gè)力為了朝著磁盤表面的方向壓下磁頭20。因此，由于某種原因，即使在旋轉(zhuǎn)過程中磁盤產(chǎn)生振動(dòng)或即使施加一種外力，使磁芯襯墊突出部分100有離開磁盤運(yùn)動(dòng)的傾向，磁芯襯墊突出部分1 00仍然能夠維持在與磁盤表面穩(wěn)定接觸的狀態(tài)。因此，根據(jù)本發(fā)明第八實(shí)施例提供一種磁頭滑動(dòng)器裝置，該裝置享有高可靠性而在讀/寫操作時(shí)不出現(xiàn)錯(cuò)誤。
在這個(gè)時(shí)候，應(yīng)該講到，只要偏差高度Hr小于大約15μm(即Hr≤大約15μm)，負(fù)壓Fn隨著偏差高度Hr的減小而增加。因此，高度Hr最好應(yīng)這樣選擇，從保證可靠性的觀點(diǎn)出發(fā)，接觸表面壓力P(此處P＝按下的力W＋負(fù)壓Fn/接觸表面面積S)應(yīng)小于200KPA。還應(yīng)補(bǔ)充的是，根據(jù)本發(fā)明的直接實(shí)施例，在該磁頭滑動(dòng)器裝置的情況下，即使在磁盤旋轉(zhuǎn)期間接觸表面壓力P仍恒定在某一相同的值時(shí)，在磁盤處于穩(wěn)定的狀態(tài)，負(fù)壓變成零。因此，當(dāng)與不用負(fù)壓的磁頭滑動(dòng)器裝置比較時(shí)，該接觸表面壓力可以減小。
臺(tái)階或偏差區(qū)190可通過機(jī)加工形成?；瑒?dòng)突出部分130和磁芯襯墊突出部分(間隙定義突出部分100可以通過離子研磨、蝕刻等工藝來形成。在這種情況下，由于在滑動(dòng)器機(jī)身10和薄膜磁頭20之間的材料中存在差異，因此，通過利用研磨率(蝕刻率)中的差異就可以實(shí)現(xiàn)該臺(tái)階或偏差區(qū)190。一般說來，當(dāng)和使碳化鋁鈦或氧化銑用于形成滑動(dòng)器機(jī)身10的研磨速率(或蝕刻速率)比較時(shí)，用于形成薄膜磁頭20的基片和保護(hù)膜的氧化鋁能以一種較高的速率進(jìn)行研磨或蝕刻。因此，當(dāng)滑動(dòng)器機(jī)身10和薄膜磁頭20同時(shí)研磨時(shí)，由于在它們之間的研磨速率存在差異，因而在滑動(dòng)器機(jī)身10和薄膜磁頭20之間出現(xiàn)偏差(臺(tái)階)。因此，將很容易理解，通過利用在滑動(dòng)器機(jī)身10和薄膜磁頭20之間的研磨率(蝕刻率)方面的差異就能形成臺(tái)階或偏差區(qū)190。
實(shí)施例9本發(fā)明第九實(shí)施例是指向上述的制造磁頭滑動(dòng)器裝置的方法，它將在下面通過參照?qǐng)D20-25進(jìn)行說明。
如圖20所示，多元薄膜磁頭20是在陶瓷基片(晶片)200上以復(fù)數(shù)行和列的形式構(gòu)成的，該陶瓷基片200是通過一種濺射等工藝由碳化鋁鈦(AlTiC)或氧化鋯(ZrOz)組成的。該薄膜磁頭40可以通過依靠類似于常規(guī)IC(集成電路)制造工藝的工藝來形成，并且由一個(gè)下層磁膜、一個(gè)間隙定義膜、一個(gè)上層磁膜、一個(gè)線圈膜、一個(gè)內(nèi)相位絕緣膜、一個(gè)保護(hù)膜以及其他部分組成。
如圖21所示，具有在其上形成薄膜磁頭40的晶片200被分段成拉長(zhǎng)的方塊210。在這種連接方式中，應(yīng)注意，在一行中形成四個(gè)磁頭滑動(dòng)器裝置，其中，方塊210的晶片部分230構(gòu)成滑動(dòng)器機(jī)身，而薄膜220構(gòu)成磁頭。另外，在其中形成磁間隙47的薄膜層的切割表面被設(shè)計(jì)作為磁盤的接觸面，而位于如上述的接觸表面的同一平面的晶片的切割表面分別用來構(gòu)成突出的接觸表面320和310(見圖22)。薄膜磁頭的接觸表面320和滑動(dòng)器機(jī)身230的接觸表面310通過研磨等工藝進(jìn)行拋光，直到達(dá)到一個(gè)預(yù)定的表面粗糙度和獲得一個(gè)預(yù)定的間隙深度，以便使上述的接觸表面光滑到這樣的程度，即可獲得與磁盤表面有一個(gè)滿意的接觸以及達(dá)到調(diào)節(jié)該間隙深度之目的。
這時(shí)，要講到，當(dāng)與組成滑動(dòng)器機(jī)身230的陶瓷晶片相比較，因?yàn)榻M成薄膜磁頭的薄膜層220具有的硬度較小(即較軟)，按照這樣方式，即相對(duì)于滑動(dòng)器機(jī)身的接觸表面310，薄膜磁頭220的接觸表面320是縮回的，因而在滑動(dòng)器機(jī)身230的接觸表面310和薄膜磁頭220的接觸表面320之間就出現(xiàn)所謂加工偏差。
為了形成滑動(dòng)突出部分310和磁芯襯墊突出部分(或間隙定義突出部分)320，準(zhǔn)備了一種如圖24所示的(光刻)掩模300。作為掩模300，可以使用一種通常在IC(集成電路)制造過程中使用的保護(hù)層掩模。掩模300裝配有分別與滑動(dòng)突出部分330和磁芯襯墊突出部分(或間隙定義突出部分)320相對(duì)應(yīng)的掩模圖案310a和320a。更具體地說，對(duì)于滑動(dòng)突出部分的每一個(gè)掩模圖案具有直徑為大約300μm的圓環(huán)形式，該圓形直徑等于在滑動(dòng)器機(jī)身230中形成的滑動(dòng)器突出部分310的圓環(huán)直徑。同樣，磁芯襯墊突出部分320的掩模圖案320a具有尺寸為400μm×20μm的一種矩形形式，該矩形形式與在組成薄膜磁頭的薄膜中所形成的磁芯襯墊突出部分320的情況基本相同。磁芯襯墊突出部分的掩模是這樣準(zhǔn)備的，以便能遮蓋磁芯或間隙、上下磁膜、基片和保護(hù)膜的部分，而且只為磁芯接觸表面提供。
由圖24可知，磁芯襯墊突出部分的掩模320是被設(shè)置在薄膜磁頭的接觸表面220。并且定位在滑動(dòng)襯墊突出部分310的成對(duì)掩模310之間的一條中心線410上，與滑動(dòng)器機(jī)身的接觸表面230相距一個(gè)預(yù)定距離lg。掩模圖案320a設(shè)置在包括基片薄膜44、下層磁膜42a、間隙膜47、上層磁膜42b和保護(hù)膜的區(qū)域以便包圍下層磁膜42a、間了隙膜47和上層磁膜42b。
接下來，通過使用上述的掩模300實(shí)行蝕刻加工從而將那些不用掩模覆蓋的區(qū)域的材料消除掉。在根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的制造方法中，該蝕刻處理是通過使用氬(Ar)離子進(jìn)行的。但顯然其他離子也可用于這一目的。在消除不用掩模覆蓋的區(qū)域的材料之后，那些用掩模覆蓋的區(qū)域仍保持原有的狀態(tài)，從而形成突出部分。
經(jīng)蝕刻處理以后，掩模被分層，然后該產(chǎn)品沿著邊界線400被切割，從而可獲得如圖23所示的一個(gè)磁頭滑動(dòng)器裝置。
雖然該蝕刻處理被采用來作為形成滑動(dòng)器突出部分和磁芯襯墊突出部分，但不言而喻，機(jī)加工處理也同樣被應(yīng)用以代替蝕刻處理。即，經(jīng)過掩模圖案暴露的材料可以通過使用磨床之類的機(jī)加工工具來清除。雖然機(jī)加工處理的優(yōu)點(diǎn)在于制造成本低，但它不適于精加工諸如曲面等復(fù)雜而精密的幾何形狀的產(chǎn)品。相比之下，蝕刻工藝適于復(fù)雜形狀產(chǎn)品的高精密精加工。但是，蝕刻速度比較低，因而在該加工過程中要花費(fèi)大量時(shí)間。舉例來說，蝕刻率通常是在每小時(shí)幾微米到幾十微米的范圍內(nèi)。因此，蝕刻處理不適于清除大量的材料。若是這樣，就應(yīng)通過考慮滑動(dòng)襯墊突出部分和磁芯襯墊突出部分的形狀來選擇最優(yōu)加工方法。當(dāng)然，上文所述的浮動(dòng)襯墊也可經(jīng)過上述處理來形成。
從以上說明可以看出，根據(jù)本發(fā)明中所述，在滑動(dòng)器機(jī)身和磁頭磁芯部分之間的所謂的加工效應(yīng)實(shí)際上可以消除。根據(jù)這一特點(diǎn)，磁頭的低浮動(dòng)高度能夠?qū)崿F(xiàn)。另一方面，磁頭和磁盤能彼此產(chǎn)生穩(wěn)定的接觸，從而有利于實(shí)現(xiàn)高記錄密度并在磁頭的寫/讀操作中不發(fā)生錯(cuò)誤。
根據(jù)以上技術(shù)，本發(fā)明可能有許多修改或變動(dòng)。因此，很顯然，只要不脫離本發(fā)明的精神和范圍，本發(fā)明可以用不同于已特殊說明的方法進(jìn)行實(shí)施。
權(quán)利要求
1.一種磁頭滑動(dòng)器裝置，包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身；一個(gè)配置在所述的滑動(dòng)器機(jī)身的一個(gè)末端的薄膜層；一個(gè)由作為其上的組成部分的所述薄膜層組成的磁頭；以及一個(gè)磁芯襯墊突出部分設(shè)置在所述的薄膜層上面，所述的磁頭結(jié)合在所述的磁芯襯墊突出部分，而所述滑動(dòng)器機(jī)身不包括所述的磁芯襯墊突出部分，所述的磁芯襯墊突出部分是這樣構(gòu)成的，以致該突出部分伸出到面對(duì)所述滑動(dòng)器機(jī)身的表面的一個(gè)相鄰磁盤之外，所述的滑動(dòng)器機(jī)身與磁盤相對(duì)立。
2.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭滑動(dòng)器裝置，還包括一個(gè)設(shè)置在所述滑動(dòng)器機(jī)身的某一區(qū)域的浮動(dòng)襯墊，目的是通過使用所述滑動(dòng)器機(jī)身和所述磁盤之間的相對(duì)運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生一種浮力；此處，所述的浮動(dòng)襯墊如此構(gòu)成，以致伸出到面對(duì)所述滑動(dòng)器機(jī)身的其他區(qū)域的表面的磁盤之外；并且此處所述的磁芯襯墊突出部分和所述浮動(dòng)襯墊通過它們之間插入凹槽彼此分隔一個(gè)預(yù)定距離。
3.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述的滑動(dòng)器機(jī)身是一個(gè)矩形形狀，從滑動(dòng)器機(jī)身的橫方向觀察，所述的磁芯襯墊是配置在所述滑動(dòng)器機(jī)身的中心線上。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述滑動(dòng)器機(jī)身是矩形形狀，從滑動(dòng)器機(jī)身的橫方向觀察，所述磁芯襯墊突出部分是配置在滑動(dòng)器機(jī)身的中心線上。
5.根據(jù)權(quán)利要求2的磁頭滑動(dòng)器裝置，還包括保護(hù)襯墊配置在所述薄膜層上，目的是為了保護(hù)所述磁芯襯墊的磁頭，所述的保護(hù)襯墊通過一個(gè)凹槽與磁芯襯墊突出部分分開并具有像所述磁芯襯墊突出部分的大體相同的高度；所述保護(hù)襯墊不包括在滑動(dòng)器機(jī)身中，并至少伸出到面對(duì)所述最接近保護(hù)襯墊的滑動(dòng)器機(jī)身的表面的磁盤之外。
6.根據(jù)權(quán)利要求2的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述浮動(dòng)襯墊產(chǎn)生高于大氣壓的壓力(正壓力)，而所述滑動(dòng)器機(jī)身比所述浮動(dòng)襯墊產(chǎn)生一種低于大氣壓的較低壓力(負(fù)壓)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述的磁芯襯墊突出部分離面對(duì)所述滑動(dòng)器機(jī)身的磁盤具有不低于20μm的高度。
8.一種磁頭滑動(dòng)器裝置，包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身；一個(gè)配置在所述滑動(dòng)器機(jī)身的一端的薄膜層；一個(gè)用于在/從磁盤記錄/再生數(shù)據(jù)的磁頭是由作為它的組成部分的所述薄膜層構(gòu)成；一個(gè)設(shè)置(提供)在所述薄膜層上的磁芯襯墊突出部分，所述的磁頭包括在所述磁芯襯墊突出部分之中，而所述滑動(dòng)器機(jī)身不包括所述磁芯襯墊突出部分，所述磁芯襯墊突出部分如此構(gòu)成，以致于伸出面對(duì)與磁盤對(duì)立的所述滑動(dòng)器機(jī)身的表面相鄰磁盤之外；并且一個(gè)滑動(dòng)突出部分設(shè)置在所述滑動(dòng)器機(jī)身的某一個(gè)區(qū)域，在記錄/再生操作時(shí)，所述滑動(dòng)突出部分在所述磁盤上滑動(dòng)；此處，所述滑動(dòng)突出部分如此構(gòu)成，以致伸出到面對(duì)所述滑動(dòng)器機(jī)身其他區(qū)域表面的磁盤以外，并且此處，所述磁芯襯墊突出部分和所述滑動(dòng)突出部分通過插入其間的凹槽彼此分隔一個(gè)預(yù)定距離。
9.根據(jù)權(quán)利要求8的磁頭滑動(dòng)器裝置，一對(duì)滑動(dòng)突出部分連同一個(gè)單獨(dú)磁芯襯墊突出部分一起構(gòu)成，所述磁芯襯墊突出部分大體上配置在所述一對(duì)滑動(dòng)突出部分之間的中心線上。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述磁芯襯墊突出部分從面向滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤伸出某一距離，該距離短于或基本上等于滑動(dòng)突出部分從面向滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤伸出的距離。
11.根據(jù)權(quán)利要求8的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述滑動(dòng)突出部分具有基本上等于所述磁芯襯墊突出部分的高度，并且此處，所述滑動(dòng)突出部分和所述磁芯襯墊突出部分被配置在基本上垂直于磁盤驅(qū)動(dòng)方向的一條線上。
12.用于磁盤記錄/再生的磁頭滑動(dòng)器裝置，包括一個(gè)由給定材料構(gòu)成的滑動(dòng)器機(jī)身；一個(gè)由不同于所述滑動(dòng)器機(jī)身的材料而又與所述滑動(dòng)器機(jī)身整體地構(gòu)成的磁頭區(qū)并且該磁頭區(qū)包括磁頭；并且，一個(gè)磁芯襯墊突出部分通過包含用來記錄/再生的所述磁頭元件(磁芯)的一個(gè)預(yù)定區(qū)定義在所述磁頭區(qū)域中；此處，所述磁芯襯墊突出部分伸出到與所述滑動(dòng)器機(jī)身的磁頭區(qū)相鄰區(qū)域表面以外。
13.根據(jù)權(quán)利要求12的磁頭滑動(dòng)器裝置，分別構(gòu)成所述的磁芯襯墊突出部分的第一區(qū)和沒有構(gòu)成所述磁芯襯墊突出部分的第二區(qū)被定義在所述磁頭區(qū)；并且此處，所述第二區(qū)具有大體上等于面向所述滑動(dòng)器機(jī)身的表面的相鄰磁盤的高度。
14.根據(jù)權(quán)利要求12的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述的面向滑動(dòng)器表面的磁盤至少具有在其上構(gòu)成的一個(gè)突出部分，所述滑動(dòng)器機(jī)身的突出部分具有大體上等于所述磁芯襯墊突出部分的高度，并且在此處，構(gòu)成的滑動(dòng)器機(jī)身的突出部分與所述磁芯襯墊突出部分有一間隙。
15.一種磁頭滑動(dòng)器裝置，包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身；一個(gè)配置在所述滑動(dòng)器機(jī)身一端的薄膜層；一個(gè)由作為它的組成部分的薄膜層構(gòu)成的磁頭；并且一個(gè)磁芯襯墊突出部分設(shè)置在所述薄膜層上并與所述磁頭元件結(jié)合在一起，而所述滑動(dòng)器機(jī)身的構(gòu)成不包括所述磁芯襯墊突出部分的這一部分，所述磁芯襯墊突出部分如此構(gòu)成，以致于伸出到所述磁頭滑動(dòng)器裝置的任何其他部件之外。
16.一種制造包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身、一個(gè)配置在所述滑動(dòng)器機(jī)身一端的薄膜層和由作為它的組成的薄膜層組成的磁頭的磁頭滑動(dòng)器裝置的方法，包括以下步驟在某個(gè)預(yù)定位置上形成一種蝕刻掩模，在該位置在面對(duì)所述薄膜層表面的磁盤中形成所述的磁頭，面對(duì)磁盤的所述薄膜層被蝕刻掩模覆蓋，因此，不覆蓋滑動(dòng)器機(jī)身部分；并且從所述滑動(dòng)器機(jī)身和面對(duì)所述薄膜層表面的磁盤一個(gè)區(qū)域清除掉經(jīng)過蝕刻處理的材料，所述薄膜層經(jīng)過蝕刻掩模被暴光從而在所述的薄膜層中形成一個(gè)突出部分。
17.制造包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身、一個(gè)配置在所述滑動(dòng)器機(jī)身一端的薄膜層和由一個(gè)作為它的組成部分的所述薄膜層組成的磁頭的磁頭滑動(dòng)器裝置的方法，包括以下步驟在面對(duì)所述薄膜層表面的磁盤中形成所述磁頭的預(yù)定位置構(gòu)成獨(dú)立的蝕刻掩模，面對(duì)磁盤的所述薄膜層由所述蝕刻掩模所覆蓋，而在附近的所述滑動(dòng)器機(jī)身部分不覆蓋，并且在面向所述滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤的預(yù)定位置處所述薄膜層不覆。從所述滑動(dòng)器機(jī)身和面向所述薄膜層表面的磁盤某個(gè)區(qū)域清除掉經(jīng)過蝕刻處理的材料，該薄膜層經(jīng)過所述蝕刻掩模暴光，從而分別在所述滑動(dòng)器機(jī)身和薄膜層中形成突出部分。
18.制造具有一個(gè)磁頭的磁頭滑動(dòng)器裝置的方法，該磁頭是通過在組成一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身的基片上形成一個(gè)薄膜的方法實(shí)現(xiàn)的。在所述的制造磁頭滑動(dòng)器裝置的方法中包括以下步驟形成一種掩模，是為了掩模一個(gè)所述薄膜層的預(yù)定區(qū)域，所述的薄膜層包括同時(shí)在滑動(dòng)器機(jī)身和薄膜層上的磁頭，并且從除所述預(yù)定區(qū)域以外的所述薄膜導(dǎo)層的其他區(qū)域和所述滑動(dòng)器機(jī)身同時(shí)清除掉經(jīng)過蝕刻處理的材料，從而形成在那里嵌入的所述磁頭元件的突出部分。
19.一種磁頭裝置，包括用來執(zhí)行在磁盤上記錄/再生操作的磁頭滑動(dòng)器裝置，所述磁頭滑動(dòng)器裝置包括由與滑動(dòng)器機(jī)身構(gòu)成整體的薄膜組成的磁頭，該裝置包括一個(gè)與用來記錄/再生的磁頭元件結(jié)合在一起的磁芯襯墊突出部分，所述磁芯襯墊突出部分是定義在包括所述磁頭元件的磁頭滑動(dòng)器裝置的特定區(qū)域；所述磁芯襯墊突出部分伸出到面向接近所述磁頭區(qū)域的滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤以外，這樣一來，所述記錄/再生操作是在這一狀態(tài)中被執(zhí)行，在該狀態(tài)中，所述的磁芯襯墊突出部分位于靠近所述磁盤而不是所述磁芯襯墊突出部分的外圍區(qū)域。
20.根據(jù)權(quán)利要求19的磁盤記錄/再生設(shè)備，至少還包括一個(gè)滑動(dòng)器突出部分，該突出部分配置在面向所述滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤上并具有大體上等于所述磁芯襯墊突出部分所具有的高度，從而允許在某一狀態(tài)通過所述磁頭滑動(dòng)器裝置來執(zhí)行所述的記錄/再生操作，在該狀態(tài)，所述磁頭滑動(dòng)器裝置在所述磁盤上面浮動(dòng)，并且在該狀態(tài)，所述磁芯襯墊突出部分位于更接近磁盤而不是滑動(dòng)器突出部分。
21.根據(jù)權(quán)利要求19的磁記錄/再生設(shè)備，至少還包括一個(gè)滑動(dòng)器突出部分，該突出部分設(shè)置在所述面向滑動(dòng)器機(jī)身表面的磁盤上，并且有大體上等于所述磁芯襯墊突出部分所具有的高度，從而允許在某一狀態(tài)通過所述磁頭滑動(dòng)器裝置來執(zhí)行所述記錄/再生操作，在該狀態(tài)，所述磁芯襯墊突出部分和所述滑動(dòng)器突出部分可與磁盤進(jìn)行滑動(dòng)接觸。
全文摘要
用于磁盤類型的記錄/再生設(shè)備的磁頭滑動(dòng)器裝置包括一個(gè)滑動(dòng)器機(jī)身、一個(gè)配置在該滑動(dòng)器機(jī)身一端的薄膜層、一個(gè)由作為它的組成部分的薄膜層組成的磁頭，以及一個(gè)在那里與磁頭的磁芯結(jié)合在一起的磁芯襯墊突出部分。該磁芯襯墊突出部分這樣構(gòu)成以致在面向磁盤的方向伸出。該磁芯襯墊突出部分沒有被形成與滑動(dòng)機(jī)身相連接。在制造加工期間，在滑動(dòng)器機(jī)身和磁頭之間產(chǎn)生的偏差影響能夠消除。磁頭滑動(dòng)器裝置的磁頭的磁芯可以配置最接近磁盤。因而可到達(dá)一種高密度記錄。
文檔編號(hào)G11B21/02GK1143248SQ9511731
公開日1997年2月19日 申請(qǐng)日期1995年9月19日 優(yōu)先權(quán)日1994年9月19日
發(fā)明者德山干夫, 東谷輝義, 竹內(nèi)芳德, 長(zhǎng)池完訓(xùn), 名手和男, 東島哲二, 樋口晉介, 中村滋男, 森健次 申請(qǐng)人:株式會(huì)社日立制作所