專利名稱：可用共擠出法制造的磁頭壓墊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明總的說來涉及照相機(jī)，更具體地說，涉及一種照相機(jī)，該照相機(jī)所使用的膠片可以膠片上狹磁條層的取向區(qū)的形式儲(chǔ)存信息。
在照相技術(shù)領(lǐng)域中，公開過一種所使用的膠片具有一般呈磁性材料層形式的磁存儲(chǔ)器的照相機(jī)。這種照相機(jī)有一個(gè)讀/寫磁頭，供將信息寫到(以取向區(qū)的形式)膠片上，并/或?qū)I(yè)已存在膠片上的信息讀入照相機(jī)中。
1992年3月17日頒發(fā)給Tamamura等人的美國專利5,097,278中就有一種所使用的膠片具有有關(guān)的磁存儲(chǔ)器的照相機(jī)的一個(gè)例子。該參考文獻(xiàn)公開了一種與膠片表面接觸的磁頭。參看

圖1，膠片10在磁頭12與壓墊14之間傳送。磁頭12的結(jié)構(gòu)取決于在膠片10上與磁頭12相互作用的各項(xiàng)要求。
至于壓墊14，過去曾經(jīng)使用過覆有聚四氟乙烯層(Teflon)的橡膠構(gòu)件。壓墊14的結(jié)構(gòu)之所以如此復(fù)雜是由于各項(xiàng)要求之間相互矛盾造成的，其中壓墊14必須具有延展性，就是說，其目的是為了推動(dòng)膠片10使其接觸到的磁頭12的面積盡量廣闊，同時(shí)還可以最大限度地減小膠片10在磁頭12與壓墊14之間通過時(shí)的摩擦力。壓墊具延展性時(shí)可以增大容差，從而給磁頭的制造帶來方便。
因此，須要使壓墊14具有延展性和較小的摩擦力，這樣就可以低成本將其制造出來。此外，壓墊14必須用不與膠片10產(chǎn)生化學(xué)反應(yīng)的材料制成。
本發(fā)明的目的是解決上述的其中一個(gè)或多個(gè)問題。簡單說來，按照本發(fā)明的一個(gè)方面，壓墊14是用共擠出法制造的。壓墊14的芯部由Santoprene熱塑性彈性體或Kraton熱塑性彈性體組成，表面覆上一層聚乙烯。這些材料都適用于擠出工藝。聚乙烯會(huì)與Santoprene或Kraton材料接合。此外，這些材料與膠片本身不起化學(xué)反應(yīng)。為進(jìn)一步減小被覆層的摩擦力，可以往聚乙烯被覆層中加入諸如硅酮之類的添加劑。
本發(fā)明提供與磁頭12一起使用的壓墊14，這種壓墊的好處是具有延展性，其表面的摩擦系數(shù)較小，而且對(duì)磁頭12與壓墊14之間通過的膠片10的影響不大，還可以用成本較低的擠出法制造。
參照附圖閱讀下面最佳實(shí)施例的詳細(xì)說明和所附的權(quán)利要求書可以更清楚地了解和理解本發(fā)明的上述和其它各方面、目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)。
圖1A是膠片10、磁頭12和壓墊14三者不接觸時(shí)彼此之間相互關(guān)系的剖視圖，圖1B是磁頭12、壓墊14和膠片10三者的剖視圖。
參看上述圖1，可以看到壓墊14有兩個(gè)組成部分壓墊芯14A和壓墊被覆層14B。芯14A由周知較易變形(例如硬度計(jì)讀數(shù)為44-55肖氏A硬度)的材料制成。被覆層14B由高密度聚乙烯(例如Solvay公司的T60-1500聚乙烯)制成，這是摩擦系數(shù)較低的材料。由于壓墊芯14A是可變形的，因而膠片10與磁頭12的接觸程度比起芯14A由不可變形材料制成時(shí)(如果可能的話)的大。與圖1A比較，可以看到圖1B的這種較大的接觸程度。壓墊14上通常制出溝槽，以增加膠片10與磁頭12接合的面積。
之所以選用Santoprene(例如201—55)或Kraton(例如G7705)材料，不僅是因?yàn)榭春盟鼈兊臋C(jī)械性能，而且還因?yàn)檫@些材料適合擠出工藝。經(jīng)加熱的Santoprene或Kraton材料，經(jīng)擠壓使其通過經(jīng)加熱的模板，形成合乎要求的輪廓。接著，經(jīng)擠壓的原料再擠入第二模板中，在其中加上0.003英寸的聚乙烯被覆層。該工序形成了可切成所要求大小的連續(xù)狹條。同樣，之所以選用聚乙烯材料，不僅是因?yàn)榭春闷錂C(jī)械性能，還因?yàn)檫@種材料適合擠塑工藝，而且這種材料會(huì)與Santoprene或Kraton材料接合。此外，所選用的這些材料不會(huì)與膠片相互反應(yīng)。與膠片相互反應(yīng)可能是由于冒出的蒸汽或接觸引起的。選用這些材料最大限度地減小了膠片在照相機(jī)中通過壓墊時(shí)的相互反應(yīng)。
現(xiàn)在我們知道，這里提供的是制造用于照相機(jī)中的高級(jí)壓墊的方法和材料，所述的這種照相機(jī)裝有與膠片的磁存儲(chǔ)器相互作用的裝置。選用這些材料不僅是因?yàn)檫@些材料提供壓墊所要求的機(jī)械性能，而且這些材料還使壓墊可用共擠出法來制造。共擠出法使壓墊可以較低的成本大量制造出來。此外，選用上述被覆層材料不僅是因?yàn)樗芴峁┖线m的機(jī)械性能，而且還因?yàn)檫@種材料(聚乙烯)能粘附到芯部材料上，確保不致發(fā)生脫層現(xiàn)象。
到此為止雖然已參照最佳實(shí)施例說明了本發(fā)明的內(nèi)容，但本技術(shù)領(lǐng)域的行家們都知道，在不脫離本發(fā)明實(shí)質(zhì)的前提下，可以對(duì)上述最佳實(shí)施例進(jìn)行種種修改，用等效件替換上述實(shí)施例中的元件。舉具體的實(shí)例說，這里所公開的壓墊并不局限于對(duì)著照相機(jī)中的磁頭推動(dòng)膠片，也可以在任何位置往膠片上施力，但必須最大限度地減小與膠片表面的相互作用。此外，在不脫離本發(fā)明基本教導(dǎo)的前提下，在采用特殊位置和材料方面是可以對(duì)上述實(shí)施例進(jìn)行種種修改的。舉例說，為進(jìn)一步減小摩擦系數(shù)，可以往被覆層材料中加入諸如硅酮油(例如Don公司的Corning200流體)或其它潤滑劑之類的添加劑。
從以上的說明可知，本發(fā)明的某些方面并不局限于所舉實(shí)例的具體細(xì)節(jié)，因而預(yù)料本技術(shù)領(lǐng)域的行家們是會(huì)提出其它修改和應(yīng)用方案的。所有這些修改和應(yīng)用方案由于并不脫離本發(fā)明的精神實(shí)質(zhì)和范圍，所以必然都包括在所附權(quán)利要求書的范圍中。
權(quán)利要求
1.一種壓墊，用以推動(dòng)膠片使之與照相機(jī)中的磁頭接觸，其特征在于該壓墊包括可變形的芯部材料；和敷到所述芯部材料上的材料層，所述材料層與膠片的摩擦系數(shù)較小，且所述材料層由能與所述芯部材料共擠出的材料制成。
2.如權(quán)利要求1所述的壓墊，其特征在于，所述芯部材料和所述被覆層材料與所述膠片的化學(xué)反應(yīng)程度極小。
3.如權(quán)利要求2所述的壓墊，其特征在于，所述被覆層材料和所述芯部材料用共擠出法制成。
4.如權(quán)利要求1所述的壓墊，其特征在于，所述芯部材料選自由Santoprene和Kraton組成的一組材料。
5.如權(quán)利要求4所述的壓墊，其特征在于，所述被覆層材料為聚乙烯。
6.如權(quán)利要求5所述的壓墊，其特征在于，所述被覆層材料含有硅酮添加劑。
7.如權(quán)利要求5所述的壓墊，其特征在于，所述壓墊用共擠出法制造。
8.一種壓墊構(gòu)件，用以推動(dòng)膠片使其與第二構(gòu)件接觸，其特征在于，所述壓墊構(gòu)件包括芯部材料，結(jié)構(gòu)細(xì)長，其上制有長的溝槽，所述芯部材料可變形，且用擠出法制成；和被覆層材料，敷在所述芯部材料表面，其與所述膠片的摩擦系數(shù)相當(dāng)小，所述被覆材料是用共擠出法被覆到所述芯部材料上的。
9.如權(quán)利要求8所述的壓墊，其特征在于，所述芯部材料選自由Santoprene材料和Kraton材料組成的一組材料。
10.如權(quán)利要求9所述的壓墊，其特征在于，所述被覆層材料為聚乙烯。
11.如權(quán)利要求10所述的壓墊，其特征在于，所述被覆層材料中還含有硅酮添加劑。
12.如權(quán)利要求11所述的壓墊，其特征在于，所述第二構(gòu)件是照相機(jī)中的磁頭。
13.用以推動(dòng)膠片使其壓在第二構(gòu)件上的一種壓墊的制造方法，其特征在于，它包括下列步驟擠壓由可變形材料制成的其上有溝槽的細(xì)長構(gòu)件；共擠壓所述細(xì)長構(gòu)件上由摩擦系數(shù)小的材料制成的被覆層；且其中所述細(xì)長構(gòu)件材料與所述膠片的相互作用程度小。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，它還包括從Santoprene材料和Kraton材料組成的一組材料中選取所述細(xì)長構(gòu)件材料的步驟。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，它還包括選用聚乙烯作為所述被覆層材料的步驟。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，它還包括往所述被覆層材料中加硅酮材料的步驟。
17.如權(quán)利要求1所述的壓墊，其特征在于，它設(shè)有溝槽供將所述膠片壓在所述磁頭上之用。
全文摘要
一種壓墊，用以推動(dòng)膠片使其與照相機(jī)中的磁頭接觸，具有與膠片上的磁性存儲(chǔ)器相互作用的裝置。這種壓墊用Santoprene
文檔編號(hào)G11B23/087GK1114428SQ9411377
公開日1996年1月3日 申請(qǐng)日期1994年10月28日 優(yōu)先權(quán)日1993年10月29日
發(fā)明者R·D·韋格納, S·T·福爾肯伯里, J·R·哈門尼 申請(qǐng)人:伊斯曼柯達(dá)公司