本發(fā)明的多種實施例涉及一種半導體存儲器裝置，更具體地，涉及一種有效執(zhí)行位線預(yù)充電操作的存儲器裝置及操作存儲器裝置的方法。

背景技術(shù)：

1、存儲器系統(tǒng)是使用例如硅(si)、鍺(ge)、砷化鎵(gaas)、磷化銦(inp)等半導體實現(xiàn)的存儲裝置。存儲器系統(tǒng)被分類為易失性存儲器裝置和非易失性存儲器裝置。易失性存儲器裝置是當電源中斷時丟失所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器裝置。易失性存儲器裝置的代表性示例包括靜態(tài)ram(sram)、動態(tài)ram(dram)、同步dram(sdram)等。非易失性存儲器裝置是即使電源中斷也可以保留所存儲的數(shù)據(jù)的存儲器裝置。非易失性存儲器裝置的代表性示例包括只讀存儲器(rom)、可編程rom(prom)、電可編程rom(eprom)、電可擦除可編程rom(eeprom)、閃速存儲器、相變隨機存取存儲器(pram)、磁性ram(mram)、電阻式ram(rram)、鐵電ram(fram)等。閃速存儲器主要被分類為nor型存儲器和nand型存儲器。

2、可以通過重復(fù)包括電壓施加操作和驗證操作的編程循環(huán)來對非易失性存儲器裝置中包括的多個存儲器單元執(zhí)行編程操作。這里，電壓施加操作可以是在將具有逐步增加的電壓的編程脈沖施加到所選擇為編程目標的存儲器單元所連接的字線時改變所選擇為編程目標的存儲器單元的閾值電壓的操作。

3、此外，驗證操作可以是檢查所選擇為編程目標的存儲器單元的閾值電壓電平是否達到目標電壓電平的操作。

4、此外，對非易失性存儲器裝置中包括的多個存儲器單元的讀取操作可以是感測被選擇為讀取目標的存儲器單元的閾值電壓電平是否達到讀取電壓電平的操作。

技術(shù)實現(xiàn)思路

1、本發(fā)明的實施例涉及一種能夠根據(jù)所請求的操作是編程操作中包括的驗證操作還是讀取操作來改變位線預(yù)充電電平的存儲器裝置，以及操作存儲器裝置的方法。

2、本發(fā)明的實施例所希望解決的技術(shù)問題不限于上述技術(shù)問題，本發(fā)明所屬領(lǐng)域的技術(shù)人員可以通過以下描述清楚地理解上述未提及的其他技術(shù)問題。

3、根據(jù)本發(fā)明的實施例，一種存儲器裝置可以包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元串并聯(lián)接在多個位線和多個字線之間，多個位線共同聯(lián)接到公共源極線；以及控制部，適于：在針對聯(lián)接到多個字線中的所選擇字線的所選擇存儲器單元的讀取操作期間，將位線預(yù)充電至第一電平；并且在針對所選擇存儲器單元的編程操作的驗證操作期間，將位線預(yù)充電至第二電平，其中第二電平比第一電平低設(shè)定電平。

4、根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種操作存儲器裝置的方法，該存儲器裝置包括存儲器單元陣列，存儲器單元陣列包括多個存儲器單元串并聯(lián)接在多個位線和多個字線之間，該方法可以包括：在針對聯(lián)接到多個字線中的所選擇字線的單元串中包括的所選擇存儲器單元的讀取操作期間，將位線預(yù)充電至第一電平；以及在針對所選擇存儲器單元的編程操作的驗證操作期間，將位線預(yù)充電至第二電平，其中第二電平比第一電平低設(shè)定電平。

5、根據(jù)本發(fā)明的另一實施例，一種存儲器裝置的操作方法，該操作方法可以包括：在針對一行存儲器單元的編程操作中的驗證操作期間，將位線的預(yù)充電電平從對該行存儲器單元的讀取操作的預(yù)充電電平降低一定量；在編程操作期間，在該行被設(shè)置為更靠近公共源極線和/或在編程循環(huán)的次數(shù)增加時，增加該量；以及與該量成比例地增加施加到該行的驗證電壓的電平。

技術(shù)特征：

1.一種存儲器裝置，包括：

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述控制部進一步在所述驗證操作期間根據(jù)所述所選擇字線的物理位置來調(diào)整所述設(shè)定電平。

3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中，在所述所選擇字線位于更靠近所述公共源極線的位置時，所述控制部通過增加所述設(shè)定電平來調(diào)整所述設(shè)定電平。

4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的存儲器裝置，其中，

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中，所述控制部通過與所述重復(fù)次數(shù)成比例地增加所述設(shè)定電平來調(diào)整所述設(shè)定電平。

6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的存儲器裝置，其中，所述控制部進一步與所述設(shè)定電平的增加成比例地增加在所述驗證操作期間施加到所述所選擇字線的驗證電壓的電平。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的存儲器裝置，其中，所述控制部包括預(yù)充電控制單元，所述預(yù)充電控制單元將所述位線預(yù)充電至所述第一電平和所述第二電平之中的一個電平。

8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的存儲器裝置，其中，所述預(yù)充電控制單元在所述讀取操作期間將所述位線預(yù)充電至所述第一電平，并且在所述驗證操作期間將所述位線預(yù)充電至所述第二電平。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的存儲器裝置，其中，

10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，在所述所選擇字線位于更靠近所述公共源極線的位置時，所述預(yù)充電控制單元通過增加所述設(shè)定電平來調(diào)整所述設(shè)定電平。

11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的存儲器裝置，其中，

12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器裝置，其中，所述預(yù)充電控制單元通過與所述重復(fù)次數(shù)成比例地增加所述設(shè)定電平來調(diào)整所述設(shè)定電平。

13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的存儲器裝置，其中，所述編程操作單元進一步與所述設(shè)定電平的增加成比例地增加在所述驗證操作期間施加到所述所選擇字線的驗證電壓的電平。

14.一種操作存儲器裝置的方法，所述存儲器裝置包括存儲器單元陣列，所述存儲器單元陣列包括多個存儲器單元串并且聯(lián)接在多個位線和多個字線之間，所述多個位線共同聯(lián)接到公共源極線，所述方法包括：

15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，進一步包括：在所述驗證操作期間，根據(jù)所述所選擇字線的物理位置來調(diào)整所述設(shè)定電平。

16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中，所述調(diào)整包括：在所述所選擇字線位于更靠近所述公共源極線的位置時，增加所述設(shè)定電平。

17.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，進一步：

18.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，其中，所述調(diào)整包括：與所述重復(fù)次數(shù)成比例地增加所述設(shè)定電平。

19.根據(jù)權(quán)利要求17所述的方法，進一步包括：與所述設(shè)定電平的增加成比例地增加在所述驗證操作期間施加到所述所選擇字線的驗證電壓的電平。

20.一種存儲器裝置的操作方法，包括：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明涉及一種存儲器裝置及操作存儲器裝置的方法。該存儲器裝置包括：存儲器單元陣列，包括多個存儲器單元串并且聯(lián)接在多個位線和多個字線之間，多個位線共同聯(lián)接到公共源極線；以及控制部，適于：在針對聯(lián)接到多個字線中的所選擇字線的所選擇存儲器單元的讀取操作期間將位線預(yù)充電至第一電平，并且在針對所選擇存儲器單元的編程操作的驗證操作期間將位線預(yù)充電至第二電平，其中第二電平比第一電平低設(shè)定電平。

技術(shù)研發(fā)人員：鄭載燁,郭東勛,樸世泉
受保護的技術(shù)使用者：愛思開海力士有限公司
技術(shù)研發(fā)日：
技術(shù)公布日：2024/12/26