本發(fā)明涉及一種高壓瞬時增強電路，特別是涉及一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路。

背景技術(shù)：

NOR閃存(閃存的一種型號)單元的讀需要芯片內(nèi)部產(chǎn)生高于電源的電壓。隨著大容量閃存芯片字線(word line)的變長，內(nèi)部高壓的電容負(fù)載也在迅速增長。在換行讀的過程中，由于電荷泵和字線的電荷共享，內(nèi)部高壓會有一個瞬間下跌再回升的過程。在高頻情況下，此過程會嚴(yán)重影響讀出電路的精確性。傳統(tǒng)的方法是增大電荷泵的輸出電容來減輕電荷分享引起的電壓落差。而大的輸出電容會帶來另一個問題，電荷泵需要更多時間來達(dá)到電壓設(shè)計值?，F(xiàn)代高頻讀頻率大都超過100MHz，相當(dāng)于要求電荷泵在100ns以內(nèi)穩(wěn)定。為同時解決上述兩個問題，需要設(shè)計大面積，高功耗的電荷泵。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是提供一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，本發(fā)明在傳統(tǒng)電荷泵電路的基礎(chǔ)上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。

本發(fā)明是通過下述技術(shù)方案來解決上述技術(shù)問題的：一種適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路，其特征在于，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關(guān)控制器、內(nèi)部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關(guān)控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內(nèi)部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產(chǎn)生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。

優(yōu)選地，所述內(nèi)部邏輯處理電路不僅可以通過耦合電容給高壓輸出一個抬升電壓，又可以在電路空閑時將耦合電容上多余的電量放掉。

優(yōu)選地，所述適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路僅在芯片工作需要的特定時間工作，而不影響電荷泵高壓的正常通路。

優(yōu)選地，所述耦合電容在電荷泵正常工作的同時作為高壓輸出的容性負(fù)載，以此減小高壓輸出的紋波。

本發(fā)明的積極進(jìn)步效果在于：相比傳統(tǒng)高壓電荷泵，本發(fā)明在傳統(tǒng)電荷泵電路的基礎(chǔ)上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。

附圖說明

圖1為本發(fā)明本發(fā)明適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路的電路圖。

圖2為本發(fā)明其中一種實現(xiàn)方案的電路圖。

具體實施方式

下面結(jié)合附圖給出本發(fā)明較佳實施例，以詳細(xì)說明本發(fā)明的技術(shù)方案。

如圖1所示，本發(fā)明適用NOR閃存芯片的高壓瞬時增強電路包括邏輯開關(guān)控制器、內(nèi)部邏輯處理電路、耦合電容及放電通路，邏輯開關(guān)控制器用來選擇芯片是否采用此瞬時增強電路，內(nèi)部邏輯處理電路用來智能判斷此增強電路開啟的時機以及控制放電通路，耦合電容用以產(chǎn)生瞬時增強電壓，放電通路在此增強電路空閑時瀉掉耦合電容上的多余電荷，防止電路漏電。

如圖2所示，本發(fā)明還可以包括使能引腳KICK_ENB、第一PMOS管M1、第一NMOS管M2、第二NMOS管M3、高壓輸出HV_OUT，邏輯開關(guān)控制器同時與第一PMOS管M1的柵極、第一NMOS管M2的柵極、第二NMOS管M3的柵極連接；第一PMOS管M1的源極同時與第一NMOS管M2的漏極、第二NMOS管M3的漏極、耦合電容C1、電源電壓控制器HV_OUT連接。第二NMOS管M3的漏極與耦合電容連接；第一NMOS管M2的源極與第二NMOS管M3的源極都接地。

本發(fā)明的工作原理如下：

非換行時，使能引腳KICK_ENB為高，第一PMOS管M1關(guān)斷，第一NMOS管M2與第二NMOS管M3導(dǎo)通，連接線a1接地，耦合電容作為高壓電荷泵的負(fù)載電容的一部分，起到穩(wěn)定高壓輸出，減小紋波的作用；換行的瞬間，使能引腳KICK_ENB跳低，第一PMOS管M1導(dǎo)通，第一NMOS管M2與第二NMOS管M3關(guān)斷，連接線a1被充電至電源電壓，電源電壓控制器HV_OUT隨之被耦合抬升約一個電源電壓，從而彌補了換行讀時，由于電荷共享導(dǎo)致的高壓瞬間降低。

綜上所述，相比傳統(tǒng)高壓電荷泵，本設(shè)計在傳統(tǒng)電荷泵電路的基礎(chǔ)上增加了一個小面積電路，在讀換行的瞬間給電荷泵輸出提供一個充電脈沖，不僅降低了電荷泵的平均功耗，又可以用相對較小的面積滿足高頻讀寫對高壓電荷泵的啟動時間要求。

以上所述的具體實施例，對本發(fā)明的解決的技術(shù)問題、技術(shù)方案和有益效果進(jìn)行了進(jìn)一步詳細(xì)說明，所應(yīng)理解的是，以上所述僅為本發(fā)明的具體實施例而已，并不用于限制本發(fā)明，凡在本發(fā)明的精神和原則之內(nèi)，所做的任何修改、等同替換、改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明的保護(hù)范圍之內(nèi)。