技術(shù)總結(jié)
存儲(chǔ)器元件的三維陣列形成在位于半導(dǎo)體基板之上的不同距離處的平面的多個(gè)層之上。存儲(chǔ)器元件的每一個(gè)可由在平面中的字線(WL)和局部位線訪問。三維陣列包括通過多個(gè)層的平面的柱線(331,332)的二維陣列。柱線為用作局部位線的第一類型(331)，以及通過將各個(gè)存儲(chǔ)器元件(348)預(yù)置到永久的低電阻狀態(tài)以用于連接專門訪問各個(gè)字線的第二?類型的柱線而提供對(duì)字線的訪問的第二類型(332)。在基板上的金屬線的陣列可切換地連接到垂直位線以提供對(duì)局部位線和字線的訪問。

技術(shù)研發(fā)人員：T.彥;R.E.朔伊爾萊茵
受保護(hù)的技術(shù)使用者：桑迪士克科技有限責(zé)任公司
文檔號(hào)碼：201580003589
技術(shù)研發(fā)日：2015.03.23
技術(shù)公布日：2016.11.30