磁頭、磁記錄再現(xiàn)裝置及磁頭的制造方法
【專利摘要】本發(fā)明難以因再現(xiàn)的盤半徑位置的不同而使再現(xiàn)信號(hào)的軌道間干擾量變化。根據(jù)實(shí)施方式，一種磁頭，具備：第一再現(xiàn)元件；第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成；第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成；第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。
【專利說明】磁頭、磁記錄再現(xiàn)裝置及磁頭的制造方法
[0001]本申請(qǐng)基于日本在先申請(qǐng)N0.2013-130909 (申請(qǐng)日2013年6月21日)并要求其優(yōu)先權(quán)。該在先申請(qǐng)的全部?jī)?nèi)容通過引用并入此處。

【技術(shù)領(lǐng)域】
[0002]本發(fā)明涉及具有多個(gè)再現(xiàn)元件的磁頭、磁記錄再現(xiàn)裝置及磁頭的制造方法。

【背景技術(shù)】
[0003]在數(shù)據(jù)儲(chǔ)存中使用的硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)由于其位成本低廉而作為大容量記錄裝置正在個(gè)人計(jì)算機(jī)的數(shù)據(jù)保存用器件以及視頻錄像用的HDD記錄器、網(wǎng)絡(luò)連接型的儲(chǔ)存裝置(NAS:網(wǎng)絡(luò)存儲(chǔ))和/或文件服務(wù)器用途等各種情況下廣泛普及。在逐漸產(chǎn)生大量信息的現(xiàn)代信息化社會(huì)中，總是要求成為其載體的HDD也大容量化、高密度化。近年來，在作為HDD的高密度化技術(shù)而受到注目的技術(shù)之一中，有被稱為相鄰軌道間干擾取消信號(hào)處理技術(shù)(ITI(軌道間干擾)取消技術(shù))和/或二維記錄技術(shù)(TDMR:二維磁記錄)的技術(shù)。該技術(shù)的概念是:不僅利用作為目標(biāo)的再現(xiàn)軌道的再現(xiàn)信號(hào)信息，同時(shí)也利用目標(biāo)軌道的相鄰軌道的再現(xiàn)信號(hào)信息來取消目標(biāo)軌道中所含的來自相鄰軌道的噪音信號(hào)，從而能進(jìn)一步提高目標(biāo)軌道的記錄再現(xiàn)信號(hào)的解密精度。
[0004]為得到多個(gè)軌道的再現(xiàn)信號(hào)，而提出了在磁頭設(shè)置具有多個(gè)再現(xiàn)元件的再現(xiàn)頭的方案。
[0005]作為具有多個(gè)再現(xiàn)元件的再現(xiàn)頭的結(jié)構(gòu)，可以考慮對(duì)于多個(gè)再現(xiàn)元件的每個(gè)各設(shè)置一組再現(xiàn)屏蔽件，且在各再現(xiàn)元件中通電的信號(hào)檢測(cè)路徑互相獨(dú)立。然而，在本構(gòu)成中，需要使各再現(xiàn)元件間的行走方向距離Gd足夠?qū)?。由于行走方向距離Gd大，因此對(duì)于微小的歪斜(skew)角的變化而使軌道寬度方向的再現(xiàn)元件間距離Rp的變化量ARp增大，因再現(xiàn)的盤半徑位置的不同而使再現(xiàn)信號(hào)的軌道間干擾量大不相同。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0006]本發(fā)明的目的是提供在設(shè)置多個(gè)再現(xiàn)元件的情況下難以因再現(xiàn)的盤半徑位置的不同而使再現(xiàn)信號(hào)的軌道間干擾量變化的磁頭、磁記錄再現(xiàn)裝置及磁頭的制造方法。
[0007]根據(jù)實(shí)施方式，一種磁頭，具備:第一再現(xiàn)元件；第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成；第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成；第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成；第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0008]圖1是表示實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的構(gòu)成的一例的立體圖。
[0009]圖2是表不實(shí)施方式的磁頭及懸架的一例的側(cè)視圖。
[0010]圖3是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的概況的一例的圖。
[0011]圖4是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的構(gòu)成的一例的圖。
[0012]圖5是表示圖4的再現(xiàn)元件的構(gòu)成的一例的圖。
[0013]圖6是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的構(gòu)成的一例的圖。
[0014]圖7是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0015]圖8是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0016]圖9是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0017]圖10是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0018]圖11是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0019]圖12是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0020]圖13是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0021]圖14是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。
[0022]圖15是表示實(shí)施方式的再現(xiàn)頭的制造工序的工序剖視圖。

【具體實(shí)施方式】
[0023]下面參照附圖來說明實(shí)施方式。
[0024]參照?qǐng)D1及圖2來說明本實(shí)施方式的磁記錄再現(xiàn)裝置的構(gòu)成。該磁記錄再現(xiàn)裝置能作為硬盤驅(qū)動(dòng)器(HDD)而實(shí)現(xiàn)。
[0025]圖1是表示將實(shí)施方式涉及的HDD的頂蓋取下的內(nèi)部結(jié)構(gòu)，圖2表示浮起狀態(tài)的磁頭。在本實(shí)施方式中，如圖1所示，磁記錄再現(xiàn)裝置HDD具備殼體10。該殼體10具備上表面開口的矩形箱狀的基體1A和未圖示的矩形板狀的頂蓋。頂蓋通過多個(gè)螺釘而螺釘緊固于基體10A，并將基體1A的上端開口封閉。這樣，殼體10內(nèi)部保持氣密，僅通過呼吸過濾器26而能與外部通氣。
[0026]在基體1A上，設(shè)有作為記錄介質(zhì)的磁盤12及機(jī)構(gòu)部。機(jī)構(gòu)部具備:支撐磁盤12并使該磁盤旋轉(zhuǎn)的主軸電機(jī)13 ;對(duì)磁盤進(jìn)行信息的記錄、再現(xiàn)的多個(gè)、例如兩個(gè)磁頭33 ;將該磁頭33相對(duì)于磁盤12的表面移動(dòng)自如地支撐的磁頭促動(dòng)器14 ;和使磁頭促動(dòng)器轉(zhuǎn)動(dòng)并定位的音圈電機(jī)(以下稱為VCM)。此外，在基體1A上，設(shè)有:在磁頭33向磁盤12的最外周移動(dòng)時(shí)將磁頭33保持于從磁盤12遠(yuǎn)離的位置的電燈負(fù)載(” > 7° 口一 F)機(jī)構(gòu)18 ;在碰撞等作用于HDD時(shí)將磁頭促動(dòng)器14保持于后退位置的閂鎖機(jī)構(gòu)20 ;和安裝有前置放大器、磁頭IC等電子部件的基板單元17。
[0027]在基體1A的外表面，螺釘固定控制電路基板25，且與基體1A的底壁相對(duì)地定位?？刂齐娐坊?5經(jīng)基板單元17來控制主軸電機(jī)13、VCM16及磁頭33的動(dòng)作。
[0028]如圖1所示，磁盤12由在主軸電機(jī)13的輪轂(〃 7')互相同軸地嵌合并且在輪轂的上端螺釘固定的夾緊彈簧7 >7° ft) 15來夾緊，并固定于輪轂。磁盤12通過作為驅(qū)動(dòng)電機(jī)的主軸電機(jī)13而以預(yù)定的速度在箭頭B方向上旋轉(zhuǎn)。
[0029]磁頭促動(dòng)器14具備在基體1A的底壁固定的軸承部21和從軸承部21伸出的多個(gè)臂27。這些臂27與磁盤12的表面平行且互相之間隔著預(yù)定間隔地定位，并且從軸承部21向同一方向伸出。磁頭促動(dòng)器14具備能彈性變形的細(xì)長板狀的懸架30。懸架30由板彈簧構(gòu)成，且其基端通過點(diǎn)焊或粘接而固定于臂27的前端，并從臂27伸出。各懸架30也可與對(duì)應(yīng)的臂27 —體形成。在各懸架30的伸出端支撐有磁頭33。由臂27及懸架30構(gòu)成磁頭懸架，且由該磁頭懸架和磁頭33構(gòu)成磁頭懸架組件。
[0030]如圖2所示，各磁頭33具有:大體長方體形狀的滑動(dòng)體42 ;和在該滑動(dòng)體的流出端(后緣端)設(shè)置的記錄再現(xiàn)用的磁頭部44。磁頭33固定于在懸架30的前端部設(shè)置的萬向彈簧(^ ^ ^ & ) 41。各磁頭33通過懸架30的彈性而被施加朝向磁盤12表面的磁頭載荷L。兩個(gè)臂27隔著預(yù)定的間隔而互相平行地定位，安裝于該臂的懸架30及磁頭33在兩者間隔著磁盤12地互相相對(duì)。
[0031]各磁頭33經(jīng)在懸架30及臂27上固定的中繼撓性電路基板(以下稱為中繼FPC)35而與后述的主FPC38電連接。
[0032]如圖1所示，基板單元17具有由撓性印刷電路基板形成的FPC主體36和從該FPC主體伸出的主FPC38。FPC主體36固定于基體1A的底面上。在FPC主體36上，安裝有包括前置放大器37、磁頭IC在內(nèi)的電子部件。主FPC38的伸出端與磁頭促動(dòng)器14連接，且經(jīng)各中繼FPC35而與磁頭33連接。
[0033]VCM16具有從軸承部21向與臂27相反方向伸出的未圖示的支撐框及由支撐框支撐的音圈。在將磁頭促動(dòng)器14組裝到基體1A的狀態(tài)下，音圈位于在基體1A上固定的一對(duì)磁軛34間，與該磁軛及固定于磁軛的磁鐵一同構(gòu)成VCM16。
[0034]通過在磁盤12旋轉(zhuǎn)的狀態(tài)下向VCM16的音圈通電，而使磁頭促動(dòng)器14轉(zhuǎn)動(dòng)，磁頭33在磁盤12的期望的軌道上移動(dòng)并定位。此時(shí)，磁頭33沿磁盤12的徑向在磁盤的內(nèi)周緣部和外周緣部之間移動(dòng)。
[0035]磁頭部44在滑動(dòng)體42的后緣端42B具有通過薄膜處理形成的再現(xiàn)頭和記錄頭(磁記錄頭)。磁頭部44的再現(xiàn)頭和記錄頭形成為分離型的磁頭。
[0036]再現(xiàn)頭具有多個(gè)再現(xiàn)元件，能同時(shí)再現(xiàn)來自目標(biāo)軌道的信號(hào)和來自相鄰的軌道的干涉信號(hào)。例如，如圖3所示，再現(xiàn)頭HR具有三個(gè)再現(xiàn)元件E1、E2、E3，且能同時(shí)讀取來自目標(biāo)軌道T2的軌道和來自相鄰的兩個(gè)軌道Tl、T3的信號(hào)。此外，為了讀取再現(xiàn)元件El、E2、E3的各自的磁阻變化，HDD具有與再現(xiàn)元件El、E2、E3分別對(duì)應(yīng)的電壓計(jì)H VM3。
[0037]圖4是表示從ABS (空氣軸承表面(air bearing surface))面=磁盤相對(duì)面觀察的再現(xiàn)頭的構(gòu)成的圖。
[0038]在第一磁屏蔽件301上設(shè)有第一再現(xiàn)元件311。在第一再現(xiàn)元件311的相對(duì)的側(cè)面的每個(gè)上形成有第一側(cè)壁絕緣膜321及第二側(cè)壁絕緣膜322。第一側(cè)壁絕緣膜321及第二側(cè)壁絕緣膜322與第一磁屏蔽件301連接。在第一磁屏蔽件301上形成有第一絕緣膜331。第一絕緣膜331與第一側(cè)壁絕緣膜321連接。在第一絕緣膜331上形成有屏蔽用或偏壓用的第一磁性薄膜341。第一磁性薄膜341隔著第一側(cè)壁絕緣膜321而形成于第一再現(xiàn)元件311的側(cè)面。在第一磁屏蔽件301上形成有屏蔽用或偏壓用的第二磁性薄膜342。第二磁性薄膜342隔著第二側(cè)壁絕緣膜322而形成于第一再現(xiàn)元件311的側(cè)面。
[0039]在第一磁性薄膜341上形成有第二絕緣膜332。在第一側(cè)壁絕緣膜321上且在第一再現(xiàn)元件311的上表面的一部分上形成有第三絕緣膜333。第一磁性薄膜341在第二絕緣膜332和第三絕緣膜333之間露出。在第二側(cè)壁絕緣膜322上且在第二再現(xiàn)元件342上形成有第四絕緣膜334。第一再現(xiàn)元件311在第三絕緣膜333和第四絕緣膜334之間露出。
[0040]在第二絕緣膜332和第三絕緣膜333之間的第一磁性薄膜341上且第三絕緣膜333的一部分上形成有第二再現(xiàn)元件312。在第二再現(xiàn)元件312的相對(duì)的各側(cè)面形成有第三側(cè)壁絕緣膜323及第四側(cè)壁絕緣膜324。在第二絕緣膜332上形成有第三磁性薄膜343。第三磁性薄膜343隔著第三側(cè)壁絕緣膜323而形成于第二再現(xiàn)元件312的側(cè)面。
[0041]在第三絕緣膜333和第四絕緣膜334之間的第一再現(xiàn)元件311上且第四絕緣膜334上形成有屏蔽用或偏壓用的第四磁性薄膜344。第四磁性薄膜344隔著第四側(cè)壁絕緣膜324而形成于第二再現(xiàn)元件312的側(cè)面。
[0042]在第三磁性薄膜343上形成有第五絕緣膜335。在第三側(cè)壁絕緣膜323上且第二再現(xiàn)元件312的上表面的一部分上形成有第六絕緣膜336。第三磁性薄膜343在第五絕緣膜335和第六絕緣膜336之間露出。在第四磁性薄膜344上形成有第七絕緣膜337。第二再現(xiàn)元件312在第六絕緣膜336和第七絕緣膜337之間露出。
[0043]在第五絕緣膜335和第六絕緣膜336之間的第三磁性薄膜343上且第六絕緣膜336的一部分上形成有第三再現(xiàn)元件313。在第三再現(xiàn)元件313的相對(duì)的各側(cè)面形成有第五側(cè)壁絕緣膜325及第六側(cè)壁絕緣膜326。在第五絕緣膜335上形成有第五磁性薄膜345。第五磁性薄膜345隔著第五側(cè)壁絕緣膜325而形成于第三再現(xiàn)元件313的側(cè)面。
[0044]在第五磁性薄膜345及第五側(cè)壁絕緣膜上形成第八絕緣膜338。在第六絕緣膜336和第七絕緣膜337之間的第二再現(xiàn)元件312上且第七絕緣膜337上形成有屏蔽用或偏壓用的第六磁性薄膜346。第六磁性薄膜346隔著第六側(cè)壁絕緣膜326而形成于第三再現(xiàn)元件313的側(cè)面。在第六磁性薄膜346上形成有第九絕緣膜339。在第八絕緣膜338、第三再現(xiàn)元件313及第九絕緣膜339上形成有第二磁屏蔽件302。
[0045]在下面以其他表現(xiàn)來說明圖4所示的結(jié)構(gòu)。再現(xiàn)頭在由一對(duì)磁屏蔽件間夾持的區(qū)域具有多個(gè)再現(xiàn)元件311、312、313。再現(xiàn)頭具有與第一磁屏蔽件301電連接的第一再現(xiàn)元件311、在第一磁屏蔽件311兩側(cè)與再現(xiàn)元件311電絕緣地設(shè)置的屏蔽用或偏壓用的第一及第二磁性薄膜341、342。
[0046]在第一磁性薄膜341上，設(shè)有與第一磁性薄膜341電接合且與第一再現(xiàn)元件311電絕緣的第二再現(xiàn)元件312。在第二再現(xiàn)元件312的兩側(cè)，與再現(xiàn)元件312電絕緣地設(shè)有屏蔽用或偏壓用的第三及第四磁性薄膜343、344。這里，屏蔽用或偏壓用的第三及第四磁性薄膜為軟磁性體或較低頑磁力(比來自介質(zhì)的信號(hào)磁場(chǎng)強(qiáng)度弱，例如IkOe以下的頑磁力)的硬磁性體。此外，第三磁性薄膜343和第一再現(xiàn)元件311電連接。再有，在第四磁性薄膜344上，設(shè)有與第四磁性薄膜344電連接的第三再現(xiàn)元件313。在第三再現(xiàn)元件313的兩側(cè)，設(shè)有與再現(xiàn)元件313電絕緣的屏蔽用或偏壓用的第五及第六磁性薄膜345、346。這里，第三再現(xiàn)元件313和第二磁屏蔽件302及第二再現(xiàn)元件312和第三磁性薄膜343電連接。在各再現(xiàn)元件的電流路徑互相獨(dú)立且電絕緣。
[0047]根據(jù)本構(gòu)成，對(duì)于第一再現(xiàn)元件311，第一磁屏蔽件301及第四磁性薄膜344成為在起到提高再現(xiàn)分解能的一對(duì)屏蔽(屏蔽件)功能的同時(shí)用于檢測(cè)來自介質(zhì)的信號(hào)所導(dǎo)致的第一再現(xiàn)元件311的電阻變化的電流路徑。
[0048]其次，對(duì)于第二再現(xiàn)元件312，第一磁性薄膜341及第五磁性薄膜345成為一對(duì)屏蔽功能及元件電阻變化檢測(cè)電路路徑。此外，第三及第四磁性薄膜343、344具有對(duì)于第二再現(xiàn)元件312的偏壓功能。即、第四磁性薄膜344是兼作對(duì)于第一再現(xiàn)元件311的磁屏蔽件及導(dǎo)體和對(duì)于第二再現(xiàn)元件312的偏壓膜的構(gòu)成。
[0049]再有，對(duì)于第三再現(xiàn)元件，第三磁性薄膜343及第二磁屏蔽件301成為一對(duì)屏蔽功能及元件電阻變化檢測(cè)電路路徑。這里，第三磁性薄膜343是兼作對(duì)于第三再現(xiàn)元件313的磁屏蔽件及導(dǎo)體和對(duì)于第二再現(xiàn)元件312的偏壓膜的構(gòu)成。
[0050]在本結(jié)構(gòu)的情況下，再現(xiàn)頭的行走方向的再現(xiàn)元件間距離Gd相當(dāng)于絕緣薄膜厚度，可以是幾rim以下。由于再現(xiàn)元件間距離Gd變薄，因此軌道寬度方向的再現(xiàn)元件間距離Rp的變化量ARp幾乎沒有變化，不會(huì)因再現(xiàn)的磁盤半徑位置的不同而使再現(xiàn)信號(hào)的軌道間干擾量大不相同。
[0051]再有，雖然這里描述了再現(xiàn)元件為三個(gè)的情況，但是，可以知道:如果是再現(xiàn)元件為兩個(gè)的構(gòu)成，則省略圖4中的第二再現(xiàn)元件312結(jié)構(gòu)，此外，如果是再現(xiàn)元件為四個(gè)以上的構(gòu)成，則可通過將與圖4中的第二再現(xiàn)元件312的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)層疊來實(shí)現(xiàn)類似的構(gòu)成。
[0052]在本實(shí)施方式中，除了目標(biāo)再現(xiàn)信號(hào)以外，將從其他再現(xiàn)元件再現(xiàn)的信號(hào)的延遲信號(hào)也組合，從而從多個(gè)干擾再現(xiàn)信號(hào)進(jìn)行再現(xiàn)信號(hào)的解密。這樣，高軌道密度的信號(hào)再現(xiàn)成為可能。通過使用本發(fā)明的磁頭而將再現(xiàn)元件間的行走方向距離Gd與比較例那樣的現(xiàn)有構(gòu)成相比大幅縮短，因此，由于也能大幅縮短將相鄰再現(xiàn)元件間的信號(hào)組合時(shí)的延遲時(shí)間偏差，因而能期待將實(shí)時(shí)的信號(hào)處理的延遲時(shí)間電路量大幅簡(jiǎn)化。
[0053](再現(xiàn)元件的結(jié)構(gòu))
[0054]說明再現(xiàn)元件的結(jié)構(gòu)的例子。本實(shí)施方式使用的再現(xiàn)元件當(dāng)然可使用在一般的硬盤驅(qū)動(dòng)器中采用的自旋閥C > KA7'')型TMR磁頭等，但是，使用不需要再現(xiàn)元件側(cè)部的偏壓結(jié)構(gòu)的豎偏壓型三層結(jié)構(gòu)磁頭更好。圖5是表示具有三層結(jié)構(gòu)的再現(xiàn)元件的結(jié)構(gòu)的例子的圖。
[0055]如圖5所示，結(jié)構(gòu)包括夾持非磁性金屬薄膜410的兩個(gè)磁化自由層401、402。對(duì)于磁化自由層401、402從ABS面在進(jìn)深方向上設(shè)有磁化起磁偏壓膜420。
[0056]通過磁化起磁偏壓膜420，而使磁化自由層401的磁化方向Dl和磁化自由層402的磁化方向D2正交。通過用來自介質(zhì)的外部磁場(chǎng)使兩個(gè)磁化自由層401、402的磁化方向所成的角變化，而使元件的磁阻變化。在該再現(xiàn)元件構(gòu)成中，在再現(xiàn)元件的側(cè)面不需要偏壓膜，因此圖4的第一?第六磁性薄膜可以是簡(jiǎn)單的軟磁性屏蔽薄膜。由于在該情況下不需要將對(duì)于再現(xiàn)元件的偏壓設(shè)計(jì)對(duì)第一?第六磁性薄膜進(jìn)行，因此能提供與第一?第六磁性薄膜的磁特性波動(dòng)無關(guān)地保證穩(wěn)定的再現(xiàn)元件動(dòng)作的磁頭。
[0057](兩個(gè)再現(xiàn)元件的例子)
[0058]設(shè)有圖6來描述作為實(shí)施例而將一個(gè)磁頭內(nèi)的再現(xiàn)元件的個(gè)數(shù)限定為兩個(gè)時(shí)的磁頭構(gòu)成例，并包括其制法的簡(jiǎn)單說明。
[0059]形成有在第一磁屏蔽件501上形成的第一再現(xiàn)元件502。第一再現(xiàn)元件502兩側(cè)面?zhèn)鹊牡谝淮牌帘渭?01在再現(xiàn)元件膜形成后進(jìn)行深切削，并設(shè)有凹部511A、511B。在凹部51IA上，隔著第一絕緣層503A而形成有第一磁性薄膜504A。在凹部51IB上，隔著第二絕緣層503B而形成有第二磁性薄膜504B。第一再現(xiàn)元件502、第一絕緣層503A、第二絕緣層503B、第一磁性薄膜504A及第二磁性薄膜504B的上表面位置大體相等。
[0060]在從第一再現(xiàn)元件502在軌道寬度方向上偏離的位置的第一磁性薄膜504A上形成有第二再現(xiàn)元件505。在第二再現(xiàn)元件505的側(cè)面形成有絕緣層506。在第一磁性薄膜504A上形成有第三磁性薄膜507A。在第二磁性薄膜504B上形成有第四磁性薄膜507B。第一磁性薄膜504A和第三磁性薄膜507A之間以及第二磁性薄膜504B和第四磁性薄膜507B之間電接合。在第三及第四磁性薄膜507A、507B上形成有絕緣層。
[0061]本結(jié)構(gòu)的情況下，能使再現(xiàn)元件側(cè)部的各磁性薄膜厚度變厚，因此具有使電阻下降且對(duì)再現(xiàn)元件流過更大的檢測(cè)電流的優(yōu)點(diǎn)。
[0062]圖7?圖15是表示圖6所示的再現(xiàn)頭的制造方法的工序剖視圖。參照?qǐng)D7?圖15來說明圖6所示的再現(xiàn)頭的具體制作步驟。
[0063]首先，如圖7所示，在第一磁屏蔽件501上形成第一再現(xiàn)元件膜601。在第一再現(xiàn)元件膜601上形成用于將第一再現(xiàn)元件加工為規(guī)定的尺寸的抗蝕劑等第一掩模材料602。其次,如圖8所示，通過用研磨($ U >々'')等加工工序來蝕刻第一掩模材料602下以外的多余第一再現(xiàn)元件膜601，而形成第一再現(xiàn)元件502。在該蝕刻時(shí)，通過挖入第一磁屏蔽件501，而在第一磁屏蔽件501形成凹部603。
[0064]如圖9所示，在凹部603的表面上，依次沉積絕緣層503A、503B及成為屏蔽件或偏壓件的磁性薄膜504A、504B。如圖10所示，在除去第一掩模材料602后，通過CMP (化學(xué)機(jī)械拋光)等平坦化技術(shù)，來使絕緣層503及磁性薄膜504A、504B的表面后退，并使絕緣層503、磁性薄膜504A、504B、第一再現(xiàn)元件502的表面平坦化。在平坦化的面上形成成為第二再現(xiàn)元件505的再現(xiàn)元件膜。如圖11所示，在形成用于在與第一再現(xiàn)元件偏離的位置的再現(xiàn)元件膜上形成第二再現(xiàn)元件的第二掩模材料604后將第二掩模材料604下以外的多余第二再現(xiàn)元件膜蝕刻，從而形成第二再現(xiàn)元件505。如圖12所示，在殘留第二再現(xiàn)元件505上的第二掩模材料604的狀態(tài)下，在第二再現(xiàn)元件505的側(cè)面及第二掩模材料604的側(cè)面沉積絕緣膜506A、506B后，在平坦化的面上形成成為屏蔽件或偏壓件的磁性薄膜507A、507B。這里，磁性薄膜504A和磁性薄膜507A電連接，且磁性薄膜504B和磁性薄膜507B電連接。如圖13所示,通過對(duì)磁性薄膜507A、507B的最外側(cè)表面進(jìn)行氧化處理或沉積絕緣物,而在磁性薄膜507A、507B上形成絕緣層508A、508B。如圖14所示，在除去第二掩模材料604后，將表面平坦化。如圖15所示，在整個(gè)面沉積第二磁屏蔽件509。在以上的工序中，能形成圖6所示的結(jié)構(gòu)。
[0065]再有，如果各再現(xiàn)元件是自旋閥型TMR (隧道磁阻:TunnelMagneto_Resistance)和/或CPP-GMR元件，則各磁性薄膜與在一個(gè)方向上起磁的軟偏壓膜或硬偏壓膜組合是適當(dāng)?shù)摹４送?，可使用圖5所示的由兩個(gè)自由層構(gòu)成的三層結(jié)構(gòu)的再現(xiàn)元件來作為各再現(xiàn)元件。該情況下，各磁性薄膜與簡(jiǎn)單的軟磁性材料的屏蔽膜組合是適當(dāng)?shù)摹?br> [0066]通過具備在第一再現(xiàn)元件311的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜321而形成的第一磁性薄膜341、在與第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件311的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜322而形成的第二磁性薄膜342、與第一再現(xiàn)元件311電絕緣且在第一磁性薄膜341上形成的第二再現(xiàn)元件312、在第一磁性薄膜341上形成的第三磁性薄膜343、與第二再現(xiàn)元件312電絕緣且在第一再現(xiàn)元件311上形成的第四磁性薄膜344，而可縮短第一再現(xiàn)元件311和第二再現(xiàn)元件312的距離，且通過再現(xiàn)的盤半徑位置的不同來使再現(xiàn)信號(hào)的軌道間干擾量難以變化。
[0067]雖然說明了本發(fā)明的幾個(gè)實(shí)施方式，但是，這些實(shí)施方式僅是例示，并不意在限定本發(fā)明的范圍。上述新穎實(shí)施方式能以其他各種方式來實(shí)施，在不脫離本發(fā)明主旨的范圍內(nèi)，能進(jìn)行各種省略、替換、改變。這些實(shí)施方式和變形例包含于本發(fā)明的范圍和主旨中，同樣地，也包含于與記載于請(qǐng)求保護(hù)的范圍記載的發(fā)明等同的范圍中。
【權(quán)利要求】
1.一種磁頭，其特征在于，具備: 第一再現(xiàn)元件； 第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成； 第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成； 第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成； 第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和 第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于， 所述第一再現(xiàn)元件及所述第二再現(xiàn)元件是自旋閥型的隧道磁阻效果式的再現(xiàn)元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜是偏壓膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜被起磁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于， 所述第一再現(xiàn)元件及所述第二再現(xiàn)元件的每個(gè)都具備:將第一磁化自由層、非磁性金屬層和與所述第一磁化自由層磁結(jié)合的第二磁化自由層層疊的層疊結(jié)構(gòu)；和對(duì)于所述層疊結(jié)構(gòu)從介質(zhì)相對(duì)面在進(jìn)深方向上設(shè)置的磁化起磁偏壓膜， 所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜及所述第四磁性膜包括軟磁性體。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其特征在于， 還具備: 第三再現(xiàn)元件，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第三磁性膜上形成； 第五磁性膜，其在所述第三磁性膜上形成；和 第六磁性膜，其與所述第三再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第二再現(xiàn)元件上形成。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于， 所述第一再現(xiàn)元件、所述第二再現(xiàn)元件及所述第三再現(xiàn)元件是自旋閥型的隧道磁阻效果式的再現(xiàn)元件，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜是偏壓膜，所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜被起磁。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁頭，其特征在于， 所述第一再現(xiàn)元件、所述第二再現(xiàn)元件及所述第三再現(xiàn)元件的每個(gè)都具備:將第一磁化自由層、非磁性金屬層和與所述第一磁化自由層磁結(jié)合的第二磁化自由層層疊的層疊結(jié)構(gòu)；和對(duì)于所述層疊結(jié)構(gòu)從介質(zhì)相對(duì)面在進(jìn)深方向上設(shè)置的磁化起磁偏壓膜， 所述第一磁性膜、所述第二磁性膜、所述第三磁性膜、所述第四磁性膜、所述第五磁性膜及所述第六磁性膜包括軟磁性體。
7.—種磁記錄再現(xiàn)裝置，具備磁頭，其特征在于， 所述磁頭具備: 第一再現(xiàn)元件； 第一磁性膜，其在所述第一再現(xiàn)元件的第一側(cè)壁隔著第一側(cè)壁絕緣膜而形成； 第二磁性膜，其在與所述第一側(cè)壁相對(duì)的第一再現(xiàn)元件的第二側(cè)壁隔著第二側(cè)壁絕緣膜而形成； 第二再現(xiàn)元件，其與所述第一再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一磁性膜上形成； 第三磁性膜，其在所述第一磁性膜上形成；和 第四磁性膜，其與所述第二再現(xiàn)元件電絕緣且在所述第一再現(xiàn)元件上形成。
8.一種磁頭的制造方法，其特征在于， 在第一磁屏蔽件上形成第一再現(xiàn)元件層， 在所述第一再現(xiàn)元件膜上，有選擇地形成用于將所述第一再現(xiàn)元件膜加工為規(guī)定的尺寸的第一掩模材料， 通過使用所述第一掩模材料來作為掩模將所述第一再現(xiàn)元件層及所述第一磁屏蔽件蝕刻，而形成由所述第一再現(xiàn)元件層構(gòu)成的第一再現(xiàn)元件，并在所述第一再現(xiàn)元件的兩側(cè)部的所述第一磁屏蔽件形成凹部， 在所述凹部上及所述第一再現(xiàn)元件的側(cè)部上形成第一絕緣層， 在所述第一絕緣層上形成第一磁性膜， 有選擇地除去所述第一掩模材料， 在所述第一絕緣層、所述第一磁性膜及所述第一再現(xiàn)元件上形成第二再現(xiàn)元件層，在所述第二再現(xiàn)元件層上且不與所述第一再現(xiàn)元件重疊的位置處有選擇地形成第二掩模材料， 通過使用所述第二掩模材料來作為掩模將所述第二再現(xiàn)元件層蝕刻，而形成第二再現(xiàn)元件， 在所述第二再現(xiàn)元件的側(cè)面形成第二絕緣層， 在所述第一磁性膜、所述第一絕緣層及所述第一再現(xiàn)元件上形成第二磁性膜， 在所述第二磁性膜上形成第三絕緣層， 有選擇地除去所述第二掩模材料， 在所述第三絕緣層及所述第二再現(xiàn)元件上形成第三磁性膜。
【文檔編號(hào)】G11B5/31GK104240722SQ201310461793
【公開日】2014年12月24日 申請(qǐng)日期:2013年9月30日 優(yōu)先權(quán)日:2013年6月21日
【發(fā)明者】竹尾　昭彥, 一仁 柏木, 山田　健一郎, 克彥 鴻井, 知己 船山 申請(qǐng)人:株式會(huì)社 東芝