磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置。該制造方法是在被積層體上依次形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中，將由成膜裝置形成了保護(hù)層后的被積層體不與大氣接觸地封入移送容器單元內(nèi)；將移送容器單元搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置；將被封入了移送容器單元內(nèi)的被積層體不與大氣接觸地從移送容器單元內(nèi)取出，并在汽相潤(rùn)滑成膜裝置內(nèi)采用汽相潤(rùn)滑成膜方法在被積層體上形成潤(rùn)滑層。
【專利說(shuō)明】磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001 ] 本發(fā)明涉及一種磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置。
【背景技術(shù)】
[0002]近年，磁存儲(chǔ)裝置被安裝在個(gè)人計(jì)算機(jī)、錄像機(jī)、數(shù)據(jù)服務(wù)器等各種各樣的產(chǎn)品中，其重要性日益增加。磁存儲(chǔ)裝置是一種具有通過(guò)進(jìn)行磁記錄來(lái)保存電子數(shù)據(jù)的磁記錄介質(zhì)的裝置，例如，可包括磁盤(pán)裝置、可撓性(軟)盤(pán)裝置、磁帶裝置等。磁盤(pán)裝置例如可包括硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器(H D D:Hard Disk Drive)等。
[0003]一般的磁記錄介質(zhì)具有多層膜積層結(jié)構(gòu)，該多層膜積層結(jié)構(gòu)例如可通過(guò)在非磁性基板上按底層(或基層)、中間層、磁記錄層、及保護(hù)層的順序進(jìn)行成膜，然后在保護(hù)層的表面涂敷潤(rùn)滑層而形成。為了防止雜物(不純物)等混入磁記錄介質(zhì)的各層之間，在磁記錄介質(zhì)的制造中使用了一種可在減壓下連續(xù)地對(duì)各層進(jìn)行積層的串列式(Inline)真空成膜裝置(例如，參照專利文獻(xiàn)I)。
[0004]在串列式真空成膜裝置中，具有可在基板上進(jìn)行成膜的成膜單元的多個(gè)(本文指2個(gè)以上)成膜室、進(jìn)行加熱處理的加熱室、及預(yù)備室等一起介由閘閥(Gate Valve)連接,形成了一條成膜線。在搬運(yùn)單元上安裝(安放)基板并使其通過(guò)成膜線的過(guò)程中，基板上可形成預(yù)定層的膜，據(jù)此，可制成預(yù)期的磁記錄介質(zhì)。
[0005]一般而言，成膜線被配置為環(huán)狀，成膜線上具有基板裝卸室，用于將基板安裝至搬運(yùn)單元或從搬運(yùn)單元上進(jìn)行拆卸。在成膜室間繞了一圈的搬運(yùn)單元進(jìn)入基板裝卸室，從搬運(yùn)單元上拆下成膜后的基板，并在成膜后的基板被拆下了的搬運(yùn)單元內(nèi)再安裝新的基板。
[0006]另外，作為在磁記錄介質(zhì)的表面形成潤(rùn)滑層的方法，提出了一種在真空成膜容器內(nèi)載置磁記錄介質(zhì)，并在成膜容器內(nèi)導(dǎo)入氣化潤(rùn)滑劑的汽相潤(rùn)滑(Vapor-PhaseLubrication)成膜方法(例如,參照專利文獻(xiàn)2)。
[0007]如上所述，在串列式真空成膜裝置中制造具有多層膜積層結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的情況下，例如，形成磁記錄層時(shí)使用基于派射法(Sputtering Method)的真空成膜裝置；形成保護(hù)層時(shí)使用基于離子束法的真空成膜裝置；形成潤(rùn)滑層時(shí)使用基于汽相潤(rùn)滑成膜法的真空成膜裝置。據(jù)此，能夠以不使被積層體與大氣接觸的方式來(lái)進(jìn)行從磁記錄層至潤(rùn)滑層的形成過(guò)程(或稱“成膜步驟”)，這樣，就可以防止雜物從大氣混入各層之間。
[0008]但是，在被積層體上連續(xù)地形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤(rùn)滑層的串列式真空成膜裝置中，保護(hù)層的形成過(guò)程中所使用的處理氣體與潤(rùn)滑層的形成過(guò)程中所使用的處理氣體的物性之間存在著很大的差異，這些處理氣體混合后，會(huì)對(duì)這兩個(gè)形成過(guò)程中所形成的層產(chǎn)生很大的惡劣影響，導(dǎo)致所形成的層的質(zhì)量(或稱“膜質(zhì)”)下降。
[0009]因此，為了防止物性不同的處理氣體混合后所導(dǎo)致的層的質(zhì)量下降，例如，希望在保護(hù)層成膜后，可以充分地排出成膜容器內(nèi)的處理氣體。但是，為了充分地排出成膜容器內(nèi)的處理氣體，就要充分地增加排氣時(shí)間，這會(huì)使串列式真空成膜裝置的生產(chǎn)性顯著下降。
[0010][現(xiàn)有技術(shù)文獻(xiàn)][0011][專利文獻(xiàn)]
[0012][專利文獻(xiàn)I](日本)特開(kāi)平8- 274142號(hào)公報(bào)
[0013][專利文獻(xiàn)2](日本)特開(kāi)2004- 002971號(hào)公報(bào)

【發(fā)明內(nèi)容】

[0014][發(fā)明要解決的課題]
[0015]在基于現(xiàn)有的串列式真空成膜裝置的磁記錄介質(zhì)的制造方法中，所形成的層的質(zhì)量下降的防止和生產(chǎn)性的提高這兩方面難以同時(shí)進(jìn)行。
[0016]因此，本發(fā)明的目的在于，提供一種磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置，既可以防止所形成的層的質(zhì)量下降，又可以提高生產(chǎn)性。
[0017][用于解決課題的手段]
[0018]根據(jù)本發(fā)明的一方面，提供一種在被積層體上依次形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤(rùn)滑層的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中:將由成膜裝置形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸地封入移送容器單元內(nèi)；將所述移送容器單元搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置；及、將被封入了所述移送容器單元內(nèi)的所述積層體不與大氣接觸地從所述移送容器單元內(nèi)取出，在所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置內(nèi)采用汽相潤(rùn)滑成膜方法在所述被積層體上形成所述潤(rùn)滑層。
[0019][發(fā)明的效果]
[0020]根據(jù)所公開(kāi)的磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置，既可以防止所形成的層的質(zhì)量下降，又可以提高生產(chǎn)性。
【專利附圖】

【附圖說(shuō)明】
[0021][圖1]表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造裝置的一個(gè)例子的模式圖。
[0022][圖2]表示由圖1所示的制造裝置所制造的磁記錄介質(zhì)的一個(gè)例子的截面圖。
[0023][圖3]表示具有基于本實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的磁存儲(chǔ)裝置的結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的立體圖。
[0024][符號(hào)說(shuō)明]
[0025]I 磁記錄介質(zhì)
[0026]100 基板
[0027]101 成膜裝置
[0028]102 汽相潤(rùn)滑成膜裝置
[0029]110 密著層
[0030]111、112、940、942、946 機(jī)器人
[0031]120 軟磁性底層
[0032]130 配向控制層
[0033]140 非磁性底層
[0034]150 垂直記錄層
[0035]160 保護(hù)層[0036]170 潤(rùn)滑層
[0037]903 基板裝卸室(Chamber)
[0038]904、907、914、917 拐角(Corner)室
[0039]905、906、908 ?913、915、916、918 ?920 處理室
[0040]932 第I移送容器
[0041]933 第2移送容器
[0042]934,938 移送容器單元
[0043]935 輸送機(jī)(Conveyor)
[0044]G、G 1、G 2、G 6 ?G 16 閘閥
【具體實(shí)施方式】
[0045]以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的各實(shí)施方式的磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置進(jìn)行說(shuō)明。
[0046]在使用串列式真空成膜裝置對(duì)具有上述的多層膜積層結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行制造的情況下，在磁記錄層的形成中，作為處理氣體(或稱“濺射氣體”)，例如使用氬氣(Argon);在保護(hù)層的形成中，作為處理氣體，例如使用碳化氫、氫氣、氬氣等；在潤(rùn)滑層的形成中，作為處理氣體，例如使用高分子化合物。為此，在作為毗鄰處理過(guò)程的磁記錄層的形成過(guò)程和保護(hù)層的形成過(guò)程之間，由這兩個(gè)形成過(guò)程中所使用的處理氣體的混合所導(dǎo)致的影響較少。然而，在保護(hù)層的形成過(guò)程和潤(rùn)滑層的形成過(guò)程之間，這兩個(gè)形成過(guò)程中所使用的處理氣體的物性之間存在著很大差異，所以這兩個(gè)形成過(guò)程中所使用的處理氣體混合后，會(huì)對(duì)這兩個(gè)形成過(guò)程中所形成的層產(chǎn)生很大的惡劣影響，導(dǎo)致所形成的層的質(zhì)量(或稱“膜質(zhì)”)下降。這樣，為了防止毗鄰的形成過(guò)程中所使用的處理氣體的混合所引起的層的質(zhì)量下降，例如，希望在各形成過(guò)程結(jié)束后，對(duì)成膜容器內(nèi)殘留的處理氣體進(jìn)行充分的排氣。
[0047]所以，為了防止如上所述的層的質(zhì)量下降，可以考慮在兩個(gè)形成過(guò)程結(jié)束后，對(duì)成膜容器內(nèi)殘留的處理氣體進(jìn)行充分的排氣，然后，再打開(kāi)兩個(gè)成膜容器之間的閘閥以進(jìn)行基板的交換。但是，為了對(duì)成膜容器內(nèi)殘留的處理氣體進(jìn)行充分的排氣，需要充分地增加排氣時(shí)間，這樣就會(huì)使串列式真空成膜裝置的生產(chǎn)性顯著下降。
[0048]另外，也可以考慮在兩個(gè)成膜容器之間設(shè)置預(yù)備真空容器，以增加兩個(gè)成膜容器之間的距離。但是，經(jīng)過(guò)本發(fā)明的發(fā)明人的研究可知，即使增加了兩個(gè)成膜容器之間的距離，兩個(gè)成膜容器之間的處理氣體也會(huì)發(fā)生一些混合。另外，經(jīng)過(guò)本發(fā)明的發(fā)明人的研究可知，搬送基板的搬運(yùn)單元上會(huì)付著處理氣體，這樣，介由搬運(yùn)單元也會(huì)發(fā)生處理氣體的混
口 ο
[0049]另外，為了防止物性不同的處理氣體的混合所引起的層的質(zhì)量下降，還可以考慮在保護(hù)層的形成室和潤(rùn)滑層的形成室之間設(shè)置鎖氣(Airlock)室。但是，在設(shè)置了這樣的鎖氣室的情況下，鎖氣室內(nèi)會(huì)發(fā)生污染，所以需要頻繁地對(duì)鎖氣室內(nèi)進(jìn)行清掃，這樣也會(huì)使串列式真空成膜裝置的生產(chǎn)性顯著下降。
[0050]所以，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，在依次形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤(rùn)滑層的、具有多層膜積層結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置中，使?jié)櫥瑢拥某赡ぱb置與形成磁記錄層及保護(hù)層的串列式成膜裝置相互獨(dú)立，將形成了保護(hù)層后的被積層體不與大氣接觸地封入移送容器內(nèi)，并將封入了該被積層體的移送容器搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置。將移送容器搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置后，將被封入了移送容器內(nèi)的被積層體不與大氣接觸地從移送容器內(nèi)取出，再將其置入汽相潤(rùn)滑成膜裝置內(nèi)，并在汽相潤(rùn)滑成膜裝置內(nèi)的被積層體上采用汽相潤(rùn)滑成膜方法形成潤(rùn)滑層。
[0051]這樣，在被積層體上形成了保護(hù)層之后，通過(guò)采用汽相潤(rùn)滑成膜方法在該被積層體上不與大氣接觸地形成潤(rùn)滑層，可以防止雜物等混入保護(hù)層和潤(rùn)滑層之間。
[0052]另外，因?yàn)橥耆胤蛛x了保護(hù)層的形成室和潤(rùn)滑層的形成室，所以這兩個(gè)形成過(guò)程中所使用的處理氣體不會(huì)發(fā)生混合，這樣就可以防止所形成的層的質(zhì)量下降。
[0053]再有，搬送基板的搬運(yùn)單元也可以在保護(hù)層的形成步驟和潤(rùn)滑層的形成步驟中被完全分離，這樣，因?yàn)楸Ｗo(hù)層的形成步驟中不會(huì)混入潤(rùn)滑劑，所以能夠防止所形成的層的質(zhì)量下降。
[0054]通過(guò)準(zhǔn)備預(yù)備的移送容器，可以“不需要停止用于形成保護(hù)層等的串列式成膜裝置和汽相潤(rùn)滑成膜裝置地”在移送容器內(nèi)進(jìn)行清洗，以提高磁記錄介質(zhì)的生產(chǎn)性。
[0055]在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，優(yōu)選地，移送容器內(nèi)為真空。據(jù)此，在被積層體上形成保護(hù)層后，采用汽相潤(rùn)滑成膜方法，可以在該被積層體上不與大氣接觸地形成潤(rùn)滑層，這樣就可以防止雜物等混入保護(hù)層和潤(rùn)滑層之間。
[0056]另外，在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中，優(yōu)選地，移送容器內(nèi)為非活性氣體環(huán)境。據(jù)此，在被積層體上形成保護(hù)層后，采用汽相潤(rùn)滑成膜方法，可以在該被積層體上不與大氣接觸地形成潤(rùn)滑層，這樣就可以防止雜物等混入保護(hù)層和潤(rùn)滑層之間。另外，從提高潤(rùn)滑劑的向保護(hù)層表面進(jìn)行付著的付著力的觀點(diǎn)來(lái)看，移送容器內(nèi)的非活性氣體的氣壓優(yōu)選為例如10P a?200 P a的范圍內(nèi)。
[0057]圖1是表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式中的磁記錄介質(zhì)的制造裝置的一個(gè)例子的模式圖。圖1所示的磁記錄介質(zhì)的制造裝置具有:用于形成至磁記錄介質(zhì)的保護(hù)層的成膜裝置101 ;用于在保護(hù)層的表面上形成潤(rùn)滑層的汽相潤(rùn)滑成膜裝置102 ;及、設(shè)置在成膜裝置101、102之間，用于使封入了被積層體的移送容器單元934、938從成膜裝置101搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的輸送機(jī)935。輸送機(jī)935僅是使封入了被積層體的移送容器單元934、938從成膜裝置101搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的搬送手段的一個(gè)例子而已。
[0058]成膜裝置101具有介由室間閘閥G使基板裝卸室903、第I拐角室904、第I處理室905、第2處理室906、第2拐角室907、第3處理室908、第4處理室909、第5處理室910、第6處理室911、第7處理室912、第8處理室913、第3拐角室914、第9處理室915、第10處理室916、第4拐角室917、第11處理室918、第12處理室919、第13處理室920連接成環(huán)狀的構(gòu)成。各室903?920被多個(gè)間隔壁所包圍，具有可為減壓狀態(tài)的空間部。
[0059]互相毗鄰的室之間(例如，處理室905和906之間)設(shè)置有可高速自由開(kāi)閉的室間閘閥G。所有的閘閥G的開(kāi)閉動(dòng)作都在相同的時(shí)機(jī)(Timing)進(jìn)行。據(jù)此，搬送基板(圖中未示)的多個(gè)搬送單元925可以規(guī)則、正確地從互相毗鄰的兩個(gè)室的一方移動(dòng)至另一方。
[0060]第I?第13處理室905、906、908?913、915、916、918?920分別具有基板加熱單元(或稱“基板加熱器”)、成膜單元(或稱“成膜部”)、處理氣體供給單元(或稱“Freon Gas供給部”)、排氣單元(或稱“排氣部”)等。成膜單元例如可由濺射裝置、離子束成膜裝置等形成。通過(guò)氣體供給單元和排氣單元，根據(jù)需要，可進(jìn)行處理氣體的供排。例如，第I處理室905至第10處理室916用于進(jìn)行至磁記錄介質(zhì)的磁記錄層的成膜，第11及第12處理室918,919用于進(jìn)行保護(hù)層的成膜，第13處理室920則被用作為預(yù)備室。
[0061]這里需要說(shuō)明的是，第I?第13處理室905、906、908?913、915、916、918?920的基準(zhǔn)壓力(BasePressure ;到達(dá)壓力)被設(shè)定為例如IX ICT5 P a。
[0062]拐角室904、907、914、917被配置在磁記錄介質(zhì)的成膜裝置101的拐角，用于將搬運(yùn)單元925的方向變更為搬運(yùn)單元925的行進(jìn)方向。拐角室904、907、914、917內(nèi)被設(shè)定為高真空，在減壓環(huán)境下可對(duì)搬運(yùn)單元925進(jìn)行旋轉(zhuǎn)。
[0063]如圖1所示，第I拐角室904和處理室920之間配置有基板裝卸室903?；逖b卸室903的空間部大于其它室的空間部?；逖b卸室903內(nèi)配置有3臺(tái)可安裝或拆卸基板的搬運(yùn)單元925。I臺(tái)搬運(yùn)單元925進(jìn)行基板的安裝，另I臺(tái)搬運(yùn)單元925進(jìn)行基板的拆卸。這里需要說(shuō)明的是，中央的搬運(yùn)單元925為待機(jī)(Standby)狀態(tài)的搬運(yùn)單元。各搬運(yùn)單元925同時(shí)沿圖1的箭頭所示的方向被搬送?；逖b卸室903與基板搬入室902及基板搬出室922連接。
[0064]基板搬入室902內(nèi)配置有I臺(tái)真空機(jī)器人111，基板搬出室922內(nèi)配置有另I臺(tái)真空機(jī)器人112。真空機(jī)器人111、112僅是搬送裝置的一個(gè)例子而已?；灏崛胧?02使用真空機(jī)器人111將基板安裝至基板裝卸室903內(nèi)的搬運(yùn)單元925。另外，基板搬出室922使用真空機(jī)器人112將基板從基板裝卸室903內(nèi)的搬運(yùn)單元925上拆卸下來(lái)。
[0065]基板搬入室902介由室間閘閥G 2與鎖氣室12連接。基板搬出室922介由室間閘閥G 11與第I移送容器(或稱“搬送容器”)932連接，并介由室間閘閥G 13，與第2移送容器(或稱“搬送容器”)933連接。第I移送容器932的移送口處設(shè)置有閘閥G 12和預(yù)備室930。第2移送容器933的移送口處設(shè)置有閘閥G 14和預(yù)備室931。移送容器單元934由第I移送容器932、閘閥G 12、及預(yù)備室930所形成。移送容器單元938由第2移送容器933、閘閥G 14、及預(yù)備室931所形成。移送容器單元934、938可相對(duì)于成膜裝置101及汽相潤(rùn)滑成膜裝置102進(jìn)行裝卸，在從成膜裝置101搬出基板時(shí)交互地被使用，從成膜裝置101上被取下來(lái)的移送容器單元934、938被載置在輸送機(jī)935上，并被搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置102。
[0066]各移送容器932、933的內(nèi)部可在與大氣隔離(遮斷)的狀態(tài)下蓄積(放置)多個(gè)基板(例如，50枚)，移送容器單元934、938在預(yù)備室930、931處分別可從成膜裝置101上拆卸下來(lái)。鎖氣室12及第1、第2移送容器932、933的動(dòng)作是下面所說(shuō)明的處理的重復(fù)。
[0067](基板的向成膜裝置的搬入)
[0068]基板的向成膜裝置101的搬入可通過(guò)包含以下步驟S I?S 9的處理來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0069]步驟S 1:關(guān)閉間閩G 1、G 2。
[0070]步驟s 2:將鎖氣室12內(nèi)設(shè)為大氣壓。
[0071]步驟s 3:打開(kāi)閘閥G I。
[0072]步驟s 5:通過(guò)作為搬送裝置的一個(gè)例子的基板搬入機(jī)器人940，將多個(gè)基板(例如，50枚)搬入鎖氣室12內(nèi)。
[0073]步驟s 6:關(guān)閉閘閥G I。
[0074]步驟s 7:將鎖氣室12內(nèi)減壓至真空。
[0075]步驟s 8:打開(kāi)閘閥G 2。[0076]步驟s 9:使用真空機(jī)器人111將鎖氣室12內(nèi)的基板安裝在基板裝卸室903內(nèi)的搬運(yùn)單元925上。
[0077](被積層體的從成膜裝置的搬出及被積層體的向汽相潤(rùn)滑成膜裝置的搬入)
[0078]被積層體的從成膜裝置101的搬出及被積層體的向汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的搬入可通過(guò)包含以下步驟s 11?s 28的處理開(kāi)來(lái)實(shí)現(xiàn)。這里需要說(shuō)明的是，如上所述，在圖1中，來(lái)自成膜裝置102的被積層體的移送容器被設(shè)置了 2個(gè)系統(tǒng)，S卩，設(shè)置了第I及第2移送容器932、933。這是為了提高來(lái)自成膜裝置101的被積層體的搬出效率，I個(gè)系統(tǒng)在進(jìn)行被積層體的搬出處理時(shí)，另I個(gè)預(yù)備的系統(tǒng)可進(jìn)行搬出被積層體的準(zhǔn)備工作。這里需要說(shuō)明的是，移送容器及移送容器單元也可以分別為I個(gè)。以下，為了便于說(shuō)明，僅對(duì)第I移送容器932的操作進(jìn)行了說(shuō)明，然而，對(duì)第2移送容器933而言，也可以使用相同的步驟來(lái)進(jìn)行操作。
[0079]步驟s 11:在閘閥G 12關(guān)閉了的狀態(tài)下，將空的移送容器單元934與成膜裝置101的閘閥G 11連接。
[0080]步驟s 12:將預(yù)備室930及第I移送容器932內(nèi)減壓至真空。
[0081]步驟s 13:打開(kāi)閘閥G 11、G 12。
[0082]步驟s 14:使用真空機(jī)器人112從基板裝卸室903內(nèi)的搬運(yùn)單元925上拆下基板，并將其積置至第I移送容器932內(nèi)。
[0083]步驟s 15:第I移送容器932內(nèi)裝滿了基板(例如，50枚)之后，關(guān)閉閘閥G 11、G12。
[0084]步驟s 16:根據(jù)需要，將第I移送容器932內(nèi)充滿非活性氣體。
[0085]步驟s 17:將預(yù)備室930內(nèi)設(shè)為大氣壓。
[0086]步驟s 18:將移送容器單元934從成膜裝置101上取下，并如圖1中細(xì)實(shí)線的箭頭所不的那樣，將其載置在輸送機(jī)935上。
[0087]步驟s 19:將移送容器單元934搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的基板搬入口。這里需要說(shuō)明的是，在輸送機(jī)935的拐角部936的位置處，將移送容器單元934進(jìn)行了 90度的逆時(shí)針?lè)较虻男D(zhuǎn)。
[0088]步驟s 20:將移送容器單元934如圖1中細(xì)實(shí)線的箭頭所示的那樣與閘閥G 15連接。
[0089]步驟s 21:將預(yù)備室930及隔離室943減壓至真空。
[0090]步驟s 22:在第I移送容器932內(nèi)充滿了非活性氣體的情況下，將第I移送容器932減壓至真空。
[0091]步驟s 23:打開(kāi)閘閥G 12、G 15。
[0092]步驟s 24:將第I移送容器932內(nèi)的基板移送至隔離室943。
[0093]步驟s 25:關(guān)閉閘閥G 12、G 15。
[0094]步驟s 26:將預(yù)備室930內(nèi)設(shè)為大氣壓。
[0095]步驟s 27:將移送容器單元934從閘閥G 15上取下來(lái)。
[0096]步驟s 28:將空的移送容器單元934如圖1中細(xì)實(shí)線的箭頭所示的那樣移送至成膜裝置101，并與閘閥G 11連接。
[0097]移送容器單元934的從成膜裝置101至輸送機(jī)935的移送、從輸送機(jī)935至汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的移送、及從汽相潤(rùn)滑成膜裝置102至成膜裝置101的移送(或稱“搬送”)都可以采用圖中未示的現(xiàn)有的移送設(shè)備(或稱“移送手段”)來(lái)進(jìn)行。
[0098]返回圖1的說(shuō)明，汽相潤(rùn)滑成膜裝置102具有充填了非活性氣體的隔離室943、汽相潤(rùn)滑處理室944、鎖氣室945、及搬送盒(cassette)的返回路徑室947介由閘閥G 6、G 7、G 9、G 10連接的構(gòu)成。鎖氣室945還介由閘閥G 8與基板搬出機(jī)器人946連接，該基板搬出機(jī)器人946用于取出形成了潤(rùn)滑層的被積層體。基板搬出機(jī)器人946僅是搬送裝置的一個(gè)例子而已。用于搬送多個(gè)(例如，50枚)被積層體的搬送盒948可在各室943?945、947之間進(jìn)行移動(dòng)。
[0099]汽相潤(rùn)滑成膜裝置102內(nèi)的被積層體(以下也稱“基板”)等的動(dòng)作接著前述步驟s 20?s 25,是下面所說(shuō)明的處理的重復(fù),包含下述步驟s 31?s 43的處理被連續(xù)地執(zhí)行。
[0100]步驟s 20:將移送容器單元934與閘閥G 15連接。
[0101]步驟s 21:將預(yù)備室930及隔離室943減壓至真空。
[0102]步驟s 22:在第I移送容器932內(nèi)充滿了非活性氣體的情況下，減壓至真空。
[0103]步驟s 23:打開(kāi)閘閥G 12、G 15。
[0104]步驟s 24:將第I移送容器932內(nèi)的基板移送至隔離室943。
[0105]步驟s 25:關(guān)閉閘閥G 12、G 15。
[0106]步驟S 31:打開(kāi)閘閥G 6。
[0107]步驟s 32:將隔離室943內(nèi)的搬送盒948搬入汽相潤(rùn)滑處理室944內(nèi)。
[0108]步驟s 33:在汽相潤(rùn)滑處理室944內(nèi)，在搬送盒948內(nèi)的被積層體上形成潤(rùn)滑層。
[0109]步驟s 34:打開(kāi)閘閥G 7，將容納了形成有潤(rùn)滑層的被積層體的搬送盒948移動(dòng)至真空狀態(tài)的鎖氣室945內(nèi)。
[0110]步驟s 35:關(guān)閉閘閥G 7。
[0111]步驟s 36:將鎖氣室945設(shè)為大氣壓。
[0112]步驟s 37:打開(kāi)閘閥G 8。
[0113]步驟s 38:通過(guò)基板搬出機(jī)器人946，取出處理后(B卩，形成了潤(rùn)滑層)的被積層體。
[0114]步驟S 39:關(guān)閉間閩G 8。
[0115]步驟s 40:將鎖氣室945內(nèi)減壓至真空。
[0116]步驟s 41:打開(kāi)閘閥G 9。
[0117]步驟s 42:將空的搬送盒948經(jīng)由被減壓至真空的返回路徑室947移動(dòng)至隔離室943。
[0118]步驟s 43:在隔離室943為減壓狀態(tài)下，打開(kāi)閘閥G 10，將空的搬送盒948搬入隔離室943內(nèi)。
[0119]圖2是表示由圖1所示的制造裝置所制造的磁記錄介質(zhì)I的一個(gè)例子的截面圖。這里需要說(shuō)明的是，磁記錄介質(zhì)I的數(shù)據(jù)記錄方式中存在有面內(nèi)記錄方式和垂直記錄方式；然而，在本實(shí)施方式中，對(duì)采用垂直記錄方式的磁記錄介質(zhì)I進(jìn)行說(shuō)明。
[0120]磁記錄介質(zhì)I具有:基板100 ;基板100之上所形成的密著層110 ;密著層110之上所形成的軟磁性底層120 ;軟磁性底層120之上所形成的配向控制層130 ;配向控制層130之上所形成的非磁性底層140 ;非磁性底層140之上所形成的作為磁記錄層的一個(gè)例子的垂直記錄層150 ;垂直記錄層150之上所形成的保護(hù)層160 ;及、保護(hù)層160之上所形成的潤(rùn)滑層170。在本實(shí)施方式中，基板100的兩面分別具有形成了密著層110、軟磁性底層120、配向控制層130、非磁性底層140、垂直記錄層150、保護(hù)層160、及潤(rùn)滑層170的構(gòu)成。這里需要說(shuō)明的是，在以下的說(shuō)明中，根據(jù)需要，將基板100的兩面上所積層的從密著層110至保護(hù)層160的各層的積層結(jié)構(gòu)，換言之，將基板100上所形成的除了潤(rùn)滑層170以外的各層的積層結(jié)構(gòu)有時(shí)也稱為“積層基板180”。另外，在以下的說(shuō)明中，根據(jù)需要，將基板100的兩面所形成的從密著層110至垂直記錄層150的各層的積層結(jié)構(gòu)，換言之，將基板100上所形成的保護(hù)層160及潤(rùn)滑層170以外的各層的積層結(jié)構(gòu)有時(shí)也稱為“被積層體190”。
[0121]在本實(shí)施方式中，基板100由非磁性體所形成?；?00可以采用由例如鋁、鋁合金等金屬材料所形成的金屬基板，也可以采用由例如玻璃(Glass)、陶瓷(Ceramic)、娃(Silicon)、碳化娃(SiC)、碳(Carbon)等非金屬材料所形成的非金屬基板。另外，也可以將在這些金屬基板或非金屬基板的表面上采用例如電鍍(Plating)法或?yàn)R射法等形成了 N iP層或N i P合金層的基板作為基板100來(lái)使用。
[0122]玻璃基板可采用例如通常的玻璃或結(jié)晶化玻璃等。通常的玻璃可采用例如泛用的鈉隹丐(Soda Lime)玻璃、招娃(aluminosilicate)玻璃等。另外，結(jié)晶化玻璃可采用例如鋰系結(jié)晶化玻璃等。再有，陶瓷基板可采用例如以泛用的氧化鋁、氮化鋁、氮化硅等為主成分的燒結(jié)體、或這些成分的纖維強(qiáng)化物等。
[0123]就基板100而言，如后所述，由于其與主成分為C O或F e的軟磁性底層120相接觸，表面所吸附的氣體或水分的影響、基板成分的擴(kuò)散等可能會(huì)導(dǎo)致發(fā)生腐蝕。為此，基板100與軟磁性底層120之間優(yōu)選為設(shè)置密著層110。這里需要說(shuō)明的是，作為密著層110的材料，可適當(dāng)?shù)剡x擇例如C r、C r合金、T 1、T i合金等。另外，密著層110的厚度優(yōu)選為2 n m( 2 O A)以上。
[0124]軟磁性底層120是在采用了垂直記錄方式的情況下為了降低對(duì)記錄內(nèi)容進(jìn)行播放(Play)時(shí)的噪音而設(shè)置的。在本實(shí)施方式中，軟磁性底層120具有:密著層110之上所形成的第I軟磁性層121 ;第I軟磁性層121之上所形成的分隔層122 ;及、分隔層122之上所形成的第2軟磁性層123。換言之，軟磁性底層120具有由第I軟磁性層121和第2軟磁性層123對(duì)分隔層122進(jìn)行夾持的構(gòu)成。
[0125]第I軟磁性層121及第2軟磁性層123優(yōu)選為由含有F e: C ο (40:60?70:30(原子比)的范圍)的材料所形成；為了提高透磁率、耐腐蝕性，優(yōu)選為含有從T a,Nb,Zr、C r所組成的群中任選的I種(I a t m%?8 a t 111%的范圍)。另外,分隔層122可由R u、R e、C u等形成，尤其是，優(yōu)選為由R u形成。
[0126]設(shè)置配向控制層130的目的為，藉由對(duì)介由非磁性底層140而被積層的垂直記錄層150的結(jié)晶粒進(jìn)行微細(xì)化，以改善記錄(內(nèi)容)的播放特性。對(duì)形成配向控制層130的材料并無(wú)特別的限定；然而，優(yōu)選為具有h c P結(jié)構(gòu)、f c c結(jié)構(gòu)、非結(jié)晶(Amorphous)結(jié)構(gòu)的材料。尤其是，優(yōu)選為由R u系合金、N i系合金、C ο系合金、P t系合金、C u系合金來(lái)形成，也可由對(duì)這些合金進(jìn)行多層化后所得到的多層結(jié)構(gòu)來(lái)形成。例如，優(yōu)選為從基板100側(cè)開(kāi)始形成N i系合金和R u系合金的多層結(jié)構(gòu)、C ο系合金和R u系合金的多層結(jié)構(gòu)、P t系合金和R u系合金的多層結(jié)構(gòu)。[0127]設(shè)置非磁性底層140的目的為，藉由對(duì)非磁性底層140之上被積層的垂直記錄層150的初期積層部中的結(jié)晶成長(zhǎng)的紊亂進(jìn)行抑制，以對(duì)記錄內(nèi)容播放時(shí)的噪音的發(fā)生進(jìn)行抑制。然而，也可以省略非磁性底層140。
[0128]在本實(shí)施方式中，非磁性底層140優(yōu)選為由以C O為主成分的金屬再加上含有氧化物的材料來(lái)形成。非磁性底層140的C r含有量?jī)?yōu)選為25原子％~50原子％。作為非磁性底層140中所含有的氧化物，優(yōu)選為使用例如Cr、S1、Ta、Al、T1、Mg、Co等的氧化物，尤其是，優(yōu)選為使用T i O 2、C r 2 O 3、S i O 2等。非磁性底層140中所含有的氧化物含有量?jī)?yōu)選為，相對(duì)于“將構(gòu)成磁性粒子的、例如C ο、C r、P t等的合金作為I個(gè)化合物所算出的” m ο I總量的3 m ο I %以上且18 m ο I %以下。
[0129]本實(shí)施方式的垂直記錄層150具有:非磁性底層140之上所形成的第I磁性層151 ;第I磁性層151之上所形成的第I非磁性層152 ;第I非磁性層152之上所形成的第2磁性層153 ;第2磁性層153之上所形成的第2非磁性層154 ;及、第2非磁性層154之上所形成的第3磁性層155。即，垂直記錄層150中具有由第I磁性層151和第2磁性層153對(duì)第I非磁性層152進(jìn)行夾持、由第2磁性層153和第3磁性層155對(duì)第2非磁性層154進(jìn)行夾持的構(gòu)成。
[0130]設(shè)置第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155的目的為，藉由磁頭3所供給的磁能在垂直記錄層150的厚度方向上使磁化方向發(fā)生反轉(zhuǎn)，并通過(guò)維持該磁化狀態(tài)，以對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行保存。這里需要說(shuō)明的是，第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155與本實(shí)施方式的磁性層相對(duì)應(yīng)。
[0131]第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155包含以C O為主成分的金屬磁性粒子和非磁性氧化物，優(yōu)選為，具有由氧化物對(duì)磁性粒子進(jìn)行圍繞的顆粒型(GranularType)結(jié)構(gòu)。
[0132]形成第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155的氧化物優(yōu)選為例如Cr、S 1、Ta、Al、T 1、Mg、C O 等的氧化物，尤其是，優(yōu)選為 T i O 2、C r 2 O 3、S iO 2等。另外，作為垂直記錄層150中的最下層的第I磁性層151優(yōu)選為包含由2種以上的氧化物所形成的復(fù)合氧化物，尤其是，優(yōu)選為包含C F2O3-SiO ^Cr2O3-TiO 2、Cr2O3 — S i O2 — T i O2 等。
[0133]另外，適合形成第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155的磁性粒子的材料包含例如90 (C ο 14 C r 18 P t )- 10 (S i O 2) {C r含有量為14原子％，P t含有量為18原子％，將殘余部C O所構(gòu)成的磁性粒子作為I個(gè)化合物而算出的摩爾濃度為90 mo 1%，由S i O 2所構(gòu)成的氧化物組成為10 m ο I %},92 (C ο 10 C r 16 Pt )- 8 (S i O 2),94 (C ο 8 C r 14 Pt 4 N b ) - 6 (Cr20 3)、(CoCrPt) —(Ta2O 5), (CoCrPt)-CCr2O 3)- (TiO 2), (CoCrPt)-CCr2O3) — (S i O2), (CoCrPt)-CCr2O 3)- (S i O 2) - (T i O 2)、(CoCrPt M ο ) - (T i O )、(CoCrPt W) — (T i 02)、(CoCrPtB) — (Al 20 3)、(CoC r P t TaNd) — (MgO )、(CoC r P t BCu)—(Y20 3)、(CoC r P tR u) — (S i O 2)等的組成物。
[0134]設(shè)置第I非磁性層152及第2非磁性層154的目的為，通過(guò)使形成垂直記錄層150的第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155的各磁性層的磁化容易發(fā)生反轉(zhuǎn)，并使磁性粒子整體的磁化反轉(zhuǎn)的分散較小，以降低噪音。在本實(shí)施方式中，第I非磁性層152及第2非磁性層154優(yōu)選為包含例如R u及C ο。
[0135]這里需要說(shuō)明的是，在圖2所示例子中，形成垂直記錄層150的磁性層具有3層結(jié)構(gòu)(第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155);然而，垂直記錄層150并不限定于3層結(jié)構(gòu)，也可以具有4層以上的多層結(jié)構(gòu)。另外，在該例子中，形成垂直記錄層150的各磁性層(第I磁性層151、第2磁性層153、及第3磁性層155)之間設(shè)置有非磁性層(第I非磁性層152及第2非磁性層154);然而，形成垂直記錄層150的磁性層并不限定于這樣的構(gòu)成，也可以具有例如使組成不同的2個(gè)的磁性層相互重疊配置的構(gòu)成。
[0136]設(shè)置保護(hù)層160的目的為，不僅可以抑制垂直記錄層150的腐食，在磁頭3與磁記錄介質(zhì)I接觸時(shí)，還可以對(duì)磁記錄介質(zhì)I的表面進(jìn)行保護(hù)以防止損傷，另外，還可以提高磁記錄介質(zhì)I的耐腐蝕性。
[0137]保護(hù)層160可由周知的保護(hù)層材料來(lái)形成，優(yōu)選為，包含例如C、S i 02、Z r
O2。保護(hù)層160優(yōu)選為由C所形成，尤其是，從保持保護(hù)層160的硬度并實(shí)現(xiàn)薄層化的觀點(diǎn)來(lái)看，優(yōu)選為，由非結(jié)晶(Amorphous)狀的硬質(zhì)碳膜、類金剛石碳(D L C:Diamond LikeCarbon)來(lái)形成。另外,就保護(hù)層160的厚度而言,設(shè)定為I n m?10 n m這樣的厚度,在后面的基于圖3所述的磁存儲(chǔ)裝置中，可使磁頭3和磁記錄介質(zhì)I的距離縮短，從記錄密度較高這點(diǎn)來(lái)看是較優(yōu)的。
[0138]設(shè)置潤(rùn)滑層170的目的為，通過(guò)在磁頭3與磁記錄介質(zhì)I接觸時(shí)對(duì)磁頭3及磁記錄介質(zhì)I的表面的摩耗進(jìn)行抑制，以提高磁記錄介質(zhì)I的耐腐蝕性。潤(rùn)滑層170可由周知的潤(rùn)滑層材料來(lái)形成，優(yōu)選為，由例如全氟聚醚(perf luoropoIyether:PFPE)、氟醇(fluorinated alcohol)、氟化羧酸(fluorinated carboxylic acid)等的潤(rùn)滑劑來(lái)形成。就潤(rùn)滑層170的厚度而言，設(shè)定為I n m?2 n m這樣的厚度，在后面的基于圖3所述的磁存儲(chǔ)裝置中，可使磁頭3和磁記錄介質(zhì)I的距離縮短，從記錄密度較高這點(diǎn)來(lái)看是較優(yōu)的。
[0139]在基于汽相潤(rùn)滑處理的潤(rùn)滑層170的成膜中，對(duì)上述潤(rùn)滑劑在90°C?150°C下進(jìn)行加熱，并將潤(rùn)滑劑的蒸氣導(dǎo)入反應(yīng)容器內(nèi)，反應(yīng)容器內(nèi)的壓力被設(shè)定為10 P a左右，被積層體向該反應(yīng)容器內(nèi)的露出時(shí)間被設(shè)定為10秒左右，據(jù)此，可在保護(hù)層160的表面上形成I n m左右的潤(rùn)滑層170。
[0140]圖3是表示具有本實(shí)施方式中所制造的磁記錄介質(zhì)I的磁存儲(chǔ)裝置的構(gòu)成的一個(gè)例子的立體圖。
[0141]磁存儲(chǔ)裝置50具有:將數(shù)據(jù)以磁方式進(jìn)行記錄的磁記錄介質(zhì)I ;對(duì)磁記錄介質(zhì)I進(jìn)行旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)的旋轉(zhuǎn)驅(qū)動(dòng)部2 ;將數(shù)據(jù)寫(xiě)入磁記錄介質(zhì)1，并從磁記錄介質(zhì)I讀取所記錄了的數(shù)據(jù)的讀取磁頭3 ;安裝磁頭3的磁頭承載部(Carriage) 4 ;介由磁頭承載部4使磁頭3相對(duì)于磁記錄介質(zhì)I相對(duì)移動(dòng)的磁頭驅(qū)動(dòng)部5 ;及、信號(hào)處理部6，用于將通過(guò)對(duì)外部所輸入的信息進(jìn)行處理而得到的記錄信號(hào)輸出至磁頭3，并將通過(guò)對(duì)來(lái)自磁頭3的播放信號(hào)進(jìn)行處理而得到的信息輸出至外部。
[0142]在圖3所示的例子中，磁記錄介質(zhì)I是具有圓盤(pán)形狀的磁盤(pán)。磁盤(pán)的至少一個(gè)面上形成了用于對(duì)數(shù)據(jù)進(jìn)行記錄的磁記錄層；如圖2所示，也可以在兩個(gè)面上都形成磁記錄層。另外，在圖3所示的例子中，I臺(tái)磁存儲(chǔ)裝置50上安裝了多個(gè)(該例子中為3個(gè))磁記錄介質(zhì)I ;然而，磁記錄介質(zhì)I的個(gè)數(shù)只要為I以上即可。[0143]上面基于實(shí)施方式對(duì)磁記錄介質(zhì)的制造方法及裝置進(jìn)行了說(shuō)明，然而，本發(fā)明并不限定于上述的實(shí)施方式以及下述的實(shí)施例，在本發(fā)明的范圍內(nèi)，也可以進(jìn)行各種各樣的變形和改良。
[0144][實(shí)施例]
[0145]使用圖1的制造裝置對(duì)磁記錄介質(zhì)進(jìn)行了制造。首先，將清洗好了的玻璃基板(KONICA MINOLTA公司制，外形為2.5英寸)放入圖1所示的制造裝置的鎖氣室12內(nèi)；之后，使用基板搬入室902內(nèi)的真空機(jī)器人111將其載置在搬運(yùn)單元925上，并在該基板表面上形成被積層體。這里需要說(shuō)明的是，成膜室內(nèi)的基準(zhǔn)真空度(BasePressure)為1X10 —5P a ο
[0146]接下來(lái)，在該玻璃基板之上，在處理室905內(nèi)并在I P a的氬氣氣壓下，采用60 Cr 一 50 T i的對(duì)象(target),進(jìn)行膜厚為10 n m的密著層的成膜。然后,在該密著層之上，在處理室906內(nèi)并在I P a的氬氣氣壓下，采用46Fe — 46Co — 5Zr — 3B{Fe含有量為46原子％，C O含有量為46原子％，Z r含有量為5原子％，B含有量為3原子的對(duì)象(target)，在100°C以下的基板溫度下，進(jìn)行膜厚為34 nm的第I軟磁性層的成膜。之后，在該第I軟磁性層之上，在處理室908內(nèi)，進(jìn)行膜厚為0.76 n m的R u層的成膜。然后，在該R u層之上，在處理室909內(nèi)，進(jìn)行膜厚為34 n m的46 F e — 46 C ο — 5Z r 一 3 B的第2軟磁性層的成膜。據(jù)此，將夾持R u層的第I及第2軟磁性層形成為軟磁性底層。
[0147]接下來(lái)，在軟磁性底層之上，在處理室910內(nèi)并在I P a的氬氣氣壓下，采用N
i一 6 W{W含有量為6原子％，殘余部為N i }的對(duì)象(target)，進(jìn)行膜厚為5 nm的第I底層的成膜；在處理室911內(nèi)，采用R u的對(duì)象(target)，進(jìn)行膜厚為10 n m的第2底層的成膜；在處理室912內(nèi)，采用R u的對(duì)象(target)，在8 P a的氬氣氣壓下，進(jìn)行膜厚為10 nm的第3底層的成膜。據(jù)此，形成3層結(jié)構(gòu)的底層。
[0148]接下來(lái)，在3層結(jié)構(gòu)的底層之上，在I P a的氬氣氣壓下，在處理室913內(nèi)，進(jìn)行膜厚為 6 nm的 C 06Crl6Pt6Ru-4Si02-3Cr203-2Ti0 2 層的成膜；在處理室915內(nèi)，進(jìn)行膜厚為6 nm的C ο 11 - 5 C r 13 P t 10 R u - 4 S i O 2 -
3C r 2 O 3- 2 T i O 2層的成膜；在處理室916內(nèi)，進(jìn)行膜厚為3 n m的C ο 15 C r 16
P t 6 B層的成膜。據(jù)此，形成多層結(jié)構(gòu)的磁性層。
[0149]接下來(lái)，采用離子束法，在處理室918、919內(nèi)，進(jìn)行膜厚為2.5 n m的碳保護(hù)層的成膜，以得到被積層體(或稱“磁記錄介質(zhì)”)。這里需要說(shuō)明的是，處理室918、919的基準(zhǔn)壓力(Base Pressure)為I X 10 —5 P a ,處理氣體使用了在氫氣內(nèi)混入了 4%的甲燒(Methan)的混合氣體，氣壓為8 P a。室920被作為預(yù)備室來(lái)使用，不流入處理氣體，基準(zhǔn)壓力(BasePressure)為 I X 10 5 P a。
[0150]成膜后的被積層體被基板搬出室922內(nèi)的真空機(jī)器人112從搬運(yùn)單元925上取下來(lái)，并被搬入第I移送容器932內(nèi)。第I移送容器932內(nèi)充滿了氬氣，壓力為50 P a。之后，將搬送單元934從成膜裝置101上拆下，由輸送機(jī)935進(jìn)行大約15分鐘的搬送后，介由閘閥G 12與汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的隔離室943連接，并將被積層體搬送至隔離室943。
[0151]汽相潤(rùn)滑成膜裝置102的隔離室943、汽相潤(rùn)滑處理室944、鎖氣室945、及返回路徑室947的基準(zhǔn)壓力(Base Pressure)為1X10 —5 P a ;隔離室943內(nèi)為真空；汽相潤(rùn)滑處理室944內(nèi)流入PFPE氣體，壓力為20 P a ;隔離室943、鎖氣室945、及返回路徑室947內(nèi)不流入處理氣體。之后，通過(guò)汽相潤(rùn)滑成膜裝置102，在被積層體的表面上形成膜厚為15埃CA)的PFPE潤(rùn)滑層。
[0152]形成了潤(rùn)滑層的被積層體(或稱“磁記錄介質(zhì)”)被機(jī)器人946取出至制造裝置外的大氣中。
[0153]采用上述方法進(jìn)行了 I萬(wàn)枚的磁記錄介質(zhì)的制造，并針對(duì)第I萬(wàn)枚的磁記錄介質(zhì)進(jìn)行了潤(rùn)滑層的膜厚不均、記錄內(nèi)容播放特性(S /NK:Signal-to-Noise Ratio)、重寫(xiě)(OW =Over-Write)特性的評(píng)價(jià)。這里需要說(shuō)明的是，對(duì)于各移送容器932、933的內(nèi)部而言，每進(jìn)行50次的搬送，則對(duì)其進(jìn)行I次的清洗。
[0154]其結(jié)果為，潤(rùn)滑層的膜厚不均為±0.4 A，S / N比為25.1 d B，O W特性為
39.0 d B ;由此可知，潤(rùn)滑層的膜厚不均較小，電磁變換特性較佳。這里需要說(shuō)明的是，關(guān)于潤(rùn)滑層的膜厚不均的評(píng)價(jià)，是對(duì)磁記錄介質(zhì)表面的20處的潤(rùn)滑層的膜厚采用傅立葉變換紅外線分光光度計(jì)(F T — I R:Fourier Transform-1nfra-RedSpectrometer)進(jìn)行了測(cè)定，并對(duì)其平均值的位移(displacement)進(jìn)行的評(píng)價(jià)。關(guān)于記錄內(nèi)容播放特性的評(píng)價(jià)，是采用記錄部具有單極磁極、播放部具有G M R元件的磁頭,在記錄頻率條件為線記錄密度1000 k F C I的條件下進(jìn)行的測(cè)定。另外，關(guān)于重寫(xiě)特性(OW)的評(píng)價(jià)，是通過(guò)對(duì)在寫(xiě)入了 500 k F C I的信號(hào)的磁記錄介質(zhì)內(nèi)再寫(xiě)入67 k F C I的信號(hào)后的、最初寫(xiě)入的信號(hào)(即，500 k F C I的信號(hào))的殘留成分進(jìn)行測(cè)定而進(jìn)行評(píng)價(jià)的。
[0155]以上對(duì)本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說(shuō)明，但是，上述內(nèi)容并不是用于對(duì)本發(fā)明的內(nèi)容進(jìn)行限定的內(nèi)容。
【權(quán)利要求】
1.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，在被積層體上依次形成磁記錄層、保護(hù)層、及潤(rùn)滑層，其中: 將由成膜裝置形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體不與大氣接觸地封入移送容器單元內(nèi)； 將所述移送容器單元搬送至汽相潤(rùn)滑成膜裝置；及 將被封入了所述移送容器單元內(nèi)的所述被積層體不與大氣接觸地從所述移送容器單元內(nèi)取出，并在所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置內(nèi)采用汽相潤(rùn)滑成膜方法在所述被積層體上形成所述潤(rùn)滑層。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中: 所述移送容器單元具有預(yù)備室和閘閥， 所述預(yù)備室可裝卸地與用于封入所述被積層體的所述移送容器、所述成膜裝置、及所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置連接， 所述閘閥連接所述移送容器和所述預(yù)備室。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中: 所述移送容器單元內(nèi)為真空。
4.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中: 所述移送容器單元內(nèi)為非活性氣體。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其中: 所述移送容器單元內(nèi)的所述非活性氣體的氣壓在10 P a~200 P a的范圍內(nèi)。
6.一種磁記錄介質(zhì)的制造裝置，具有: 成膜裝置，用于在被積層體上依次形成磁記錄層及保護(hù)層； 移送容器單元，用于不與大氣接觸地封入由所述成膜裝置形成了所述保護(hù)層后的所述被積層體 '及 汽相潤(rùn)滑成膜裝置，用于不與大氣接觸地在從所述成膜裝置搬送來(lái)的、被封入了所述移送容器單元內(nèi)的所述被積層體上采用汽相潤(rùn)滑成膜方法形成潤(rùn)滑層， 其中， 所述移送容器單元可相對(duì)于所述成膜裝置及所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置進(jìn)行裝卸。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其中: 所述移送容器單元具有預(yù)備室和閘閥， 所述預(yù)備室可裝卸地與用于封入所述被積層體的所述移送容器、所述成膜裝置、及所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置連接， 所述閘閥連接所述移送容器和所述預(yù)備室。
8.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其中: 還具有搬送手段，該搬送手段將所述移送容器單元從所述成膜裝置搬送至所述汽相潤(rùn)滑成膜裝置。
9.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其中: 所述移送容器單元內(nèi)為真空。
10.根據(jù)權(quán)利要求6或7所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其中: 所述移送容器單元內(nèi)為非活性氣體。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁記錄介質(zhì)的制造裝置，其中:所述移送容器單元內(nèi)的所述非活性氣體`的氣壓在10 P a~200 P a的范圍內(nèi)。
【文檔編號(hào)】G11B5/84GK103714831SQ201310438547
【公開(kāi)日】2014年4月9日 申請(qǐng)日期:2013年9月24日 優(yōu)先權(quán)日:2012年10月4日
【發(fā)明者】蔦谷泰之, 鹽見(jiàn)大介, 上野諭 申請(qǐng)人:昭和電工株式會(huì)社