用于歐幾里得檢測(cè)器的改進(jìn)的閾值自適應(yīng)的方法和裝置制造方法
【專利摘要】為數(shù)據(jù)中的預(yù)定模式提供改進(jìn)的閾值自適應(yīng)。通過(guò)在數(shù)據(jù)的給定部分中聲明模式之前確定最小歐幾里得距離度量Dp自適應(yīng)由歐幾里得檢測(cè)器用來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)中的模式（例如伺服地址標(biāo)記）的檢測(cè)閾值；當(dāng)在給定部分中找到模式時(shí)確定歐幾里得距離度量Ds，其中使用漢明檢測(cè)器找到模式中的至少一個(gè)；為多個(gè)部分確定最小Dp值，Dpmin（多個(gè)部分的基本上最小的Dp值）以及最大Ds值，Dsmax（多個(gè)部分的基本上最大的Ds值）；以及基于最小Dp值，Dpmin和最大Ds值，Dsmax確定檢測(cè)閾值。檢測(cè)閾值可選擇地基于可配置的裕度增益值。
【專利說(shuō)明】用于歐幾里得檢測(cè)器的改進(jìn)的閾值自適應(yīng)的方法和裝置

【背景技術(shù)】
[0001]在磁記錄系統(tǒng)中，磁記錄盤上的磁道包括“讀取”扇區(qū)，其中“伺服”扇區(qū)嵌在讀取扇區(qū)之間。伺服扇區(qū)通常以已知的前導(dǎo)碼模式開始，接著是伺服地址標(biāo)記(SAM)和各種伺服數(shù)據(jù)。伺服地址標(biāo)記被用于將磁記錄頭定位到磁記錄磁盤上，從而可以正確地檢索存儲(chǔ)在讀取扇區(qū)中的用戶信息。通常使用漢明(Hamming)檢測(cè)器或者歐幾里得(Euclidean)檢測(cè)器來(lái)檢測(cè)伺服地址標(biāo)記。漢明檢測(cè)器分析漢明距離度量以檢測(cè)伺服地址標(biāo)記，而歐幾里得檢測(cè)器分析歐幾里得距離以檢測(cè)伺服地址標(biāo)記。
[0002]由于適應(yīng)于獲得最佳值的檢測(cè)閾值Dtto，通常認(rèn)為歐幾里得檢測(cè)器提供了比漢明檢測(cè)器更好的性能。然而，檢測(cè)閾值Dtto的自適應(yīng)需要找到伺服地址標(biāo)記。如果不正確地設(shè)置了檢測(cè)閾值Dthr以至于沒有找到伺服地址標(biāo)記，那么自適應(yīng)將永遠(yuǎn)不會(huì)收斂。
[0003]因此，需要自適應(yīng)歐幾里得SAM檢測(cè)器中的檢測(cè)閾值Dtto的改進(jìn)技術(shù)。


【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)施例提供用于數(shù)據(jù)中預(yù)定模式的歐幾里得檢測(cè)的改進(jìn)的閾值自適應(yīng)的方法和裝置。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例，通過(guò)在數(shù)據(jù)的給定部分中聲明模式之前確定最小歐幾里得距離度量Dp，使由歐幾里得檢測(cè)器用來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)中的模式的檢測(cè)閾值適應(yīng)；當(dāng)在給定部分中找到模式時(shí)確定歐幾里得距離度量Ds，其中使用漢明檢測(cè)器找到模式中的至少一個(gè)；為多個(gè)部分確定最小Dp值,Dpmin (多個(gè)部分的基本上最小的Dp值)以及最大Ds值，Dsmax (多個(gè)部分的基本上最大的Ds值);以及基于最小Dp值，Dpmin和最大Ds值，Dsmax確定檢測(cè)閾值。
[0005]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，如果所接收碼字的軟度量與模式的理想軟度量之間的歐幾里得距離度量小于或者等于檢測(cè)閾值就檢測(cè)模式。模式包括，例如伺服地址標(biāo)記(SAM)、可重復(fù)結(jié)束數(shù)據(jù)(RRO)地址標(biāo)記(RR0AM)、圖像模式和/或天線信號(hào)模式。當(dāng)所檢測(cè)的模式包括伺服地址標(biāo)記(SAM)時(shí)，部分對(duì)應(yīng)于磁盤的給定伺服扇區(qū)并且多個(gè)部分包括磁盤本身。
[0006]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，檢測(cè)閾值基于可配置裕度增益值。
[0007]通過(guò)參照下列詳細(xì)描述和附圖將獲得本發(fā)明實(shí)施例更完整的理解。
[0008]附圖簡(jiǎn)述
[0009]圖1示出了用于記錄磁介質(zhì)上的伺服扇區(qū)信息和讀取扇區(qū)信息的典型磁道格式；
[0010]圖2示出了用于圖1的伺服扇區(qū)的格式；
[0011]圖3示出了說(shuō)明現(xiàn)有SAM檢測(cè)器的框圖；以及
[0012]圖4示出了用于結(jié)合本發(fā)明各方面的歐幾里得SAM檢測(cè)器的檢測(cè)閾值適配器400的框圖。

【具體實(shí)施方式】
[0013]這里將結(jié)合示例性磁記錄設(shè)備、控制器和相關(guān)讀取信道技術(shù)對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行說(shuō)明。然而，應(yīng)當(dāng)理解，本發(fā)明的這個(gè)和其它實(shí)施例更普遍地適用于需要改進(jìn)的伺服地址標(biāo)記檢測(cè)的任何磁記錄系統(tǒng)，并且可以使用除結(jié)合本發(fā)明的任何實(shí)施例特別顯示和描述的那些以外的組件來(lái)實(shí)現(xiàn)。
[0014]本發(fā)明的示例性實(shí)施例提供用于磁記錄系統(tǒng)中的歐幾里得檢測(cè)器的閾值自適應(yīng)的技術(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，使用漢明SAM檢測(cè)器(例如，與歐幾里得SAM檢測(cè)器并聯(lián))以輔助歐幾里得檢測(cè)器的檢測(cè)閾值的自適應(yīng)。根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，檢測(cè)閾值的裕度增益可以在不同應(yīng)用場(chǎng)景中變化。
[0015]盡管此處在檢測(cè)伺服地址標(biāo)記模式的背景下對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說(shuō)明，但是本發(fā)明可以通過(guò)歐幾里得檢測(cè)器更廣泛地應(yīng)用于任何模式的檢測(cè)以及在圖像檢測(cè)和天線檢測(cè)，在模式檢測(cè)中，檢測(cè)閾值的自適應(yīng)取決于模式本身的檢測(cè)(例如可重復(fù)結(jié)束(RRO)數(shù)據(jù)地址標(biāo)記(RR0AM))，這對(duì)于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的。
[0016]圖1示出了用于記錄磁盤驅(qū)動(dòng)器中的伺服扇區(qū)信息200 (如下面結(jié)合圖2進(jìn)一步討論的)和讀取扇區(qū)信息150的典型磁道格式100。在嵌入式伺服系統(tǒng)中，例如，通常每個(gè)磁道有大約60至100個(gè)伺服扇區(qū)200，它們消耗表面面積的大約10%。表面面積的剩余90%被讀取扇區(qū)150用于存儲(chǔ)用戶數(shù)據(jù)信息。如在圖1中所示，伺服扇區(qū)200和讀取扇區(qū)150通常在給定磁道上交替，從而通常每個(gè)伺服扇區(qū)200前面是讀取扇區(qū)150并且后面接著讀取扇區(qū)150。
[0017]圖2示出了包括本發(fā)明實(shí)施例的伺服扇區(qū)信息200的格式。如在圖2中所示，伺服扇區(qū)信息200包括前導(dǎo)碼210，例如2T前導(dǎo)碼模式，其允許記錄系統(tǒng)恢復(fù)所寫入的伺服數(shù)據(jù)的時(shí)序和增益。前導(dǎo)碼210之后通常接著伺服地址標(biāo)記(SAM)220 (其對(duì)于所有伺服扇區(qū)通常都是相同的)并且可以接著后面是編碼的格雷數(shù)據(jù)230。格雷數(shù)據(jù)230之后接著是一個(gè)或者多個(gè)突發(fā)解調(diào)字段240。突發(fā)解調(diào)字段240之后接著是RRO數(shù)據(jù)字段250。SAM220包括一些固定數(shù)目的比特。格雷數(shù)據(jù)230表示磁道數(shù)量/柱面信息并且用作對(duì)磁記錄頭的粗定位。一個(gè)或者多個(gè)突發(fā)解調(diào)字段240用于使磁頭位于磁道上的精定位系統(tǒng)。RRO數(shù)據(jù)字段250提供了磁頭定位信息，該磁頭定位信息比格雷數(shù)據(jù)230提供的更精細(xì)并且比一個(gè)或者多個(gè)突發(fā)解調(diào)字段240提供的更粗略。
[0018]圖3示出了說(shuō)明現(xiàn)有SAM檢測(cè)器300的框圖。如在圖3中所示，SAM檢測(cè)器300處理伺服扇區(qū)信息200并且當(dāng)檢測(cè)到SAM時(shí)產(chǎn)生SAM檢測(cè)標(biāo)志310。如前所述，SAM檢測(cè)器300通常實(shí)現(xiàn)為漢明檢測(cè)器或者歐幾里得檢測(cè)器，下文將對(duì)每一個(gè)進(jìn)行討論。
[0019]漢明SAM檢測(cè)器
[0020]相同長(zhǎng)度的兩個(gè)碼字之間的漢明距離是對(duì)應(yīng)符號(hào)不同的各位置的數(shù)量。例如，碼字“000101001”與碼字“100101001”之間的漢明距離是1，這是由于對(duì)應(yīng)符號(hào)在一個(gè)位置處不同的。一旦所接收的碼字與SAM模式之間的距離小于或者等于預(yù)定容差，漢明檢測(cè)器就聲明SAM。例如，如果SAM模式是“000101001”，所接收的碼字是“100101001”以及預(yù)定容差是1，那么將由漢明SAM檢測(cè)器聲明SAM。可以從硬判決解碼器或者軟判決解碼器獲得對(duì)于漢明SAM檢測(cè)器所接收的碼字，例如以已知方式處理所接收的軟度量采樣的Viterbi解碼器。
[0021]歐JL単得SAM檢測(cè)器
[0022]N維中的兩點(diǎn)(Pl，p2，…，Pn)與(q1; q2，…，qn)之間的歐幾里得距離可以表示如下:
?
[0023]d(p,q) = Yiq1-P )2
r=1(I)
[0024]例如，軟度量(20，-20,20)與軟度量(21，-19，19)之間的歐幾里得距離，d (p, q)可以表示如下:
[0025](21 - ZO)2 + (?19 - 20)^ + (19 - 20)? = \β,
[0026]硬件實(shí)現(xiàn)通常計(jì)算歐幾里得距離d (p，q)的平方，d2 (p，q)以避免平方根運(yùn)算。歐幾里得距離的平方的度量被標(biāo)記為D (p，q)。因此，歐幾里得距離還可以表示如下:

N
[0027]D(p,q) = ?2(ρ,η) = ) (q, - p,-)2
Γ?(2)
[0028]一旦所接收碼字的軟度量與SAM模式的理想軟度量之間的歐幾里得距離D (p，q)小于或者等于預(yù)定閾值，歐幾里得檢測(cè)器就聲明SAM。因此，如果滿足以下表達(dá)式，就可以聲明找到了 SAM:
[0029]D (P，q) ( Dthr
[0030]其中P包括針對(duì)理想SAM模式的度量，q包括針對(duì)所接收的碼字的度量以及檢測(cè)閾值是Dthr。
[0031]例如，如果理想SAM模式的理想軟度量P為(20，-20，20)以及所接收的碼字的軟度量q為(21，-19，19)并且閾值Dtto為4，那么將由歐幾里得SAM檢測(cè)器聲明SAM。歐幾里得SAM檢測(cè)器是具有提供P和q度量的軟度量解碼的檢測(cè)器。
[0032]在針對(duì)磁盤上每個(gè)伺服扇區(qū)的檢測(cè)閾值自適應(yīng)期間，當(dāng)在磁盤的給定伺服扇區(qū)中找到SAM時(shí)，根據(jù)公式(2)，Ds為歐幾里得SAM距離的平方度量。同樣地，在磁盤的給定伺服扇區(qū)中聲明SAM之前，根據(jù)公式(2)，Dp為最小歐幾里得距離的平方度量。因此，為每個(gè)磁盤伺服扇區(qū)獲得并且記錄Ds和Dp。
[0033]針對(duì)給定磁盤區(qū)的示例性最佳閾值Dtto可以由下列公式表示:
[0034]Dmr:^smax + ; X i ρτη?η 一(3)
[0035]其中Dpmin是針對(duì)磁盤上所有伺服扇區(qū)的最小Dp值以及Dsmax是針對(duì)磁盤上所有伺服扇區(qū)的最大Ds值。在給定磁盤區(qū)中，所有伺服扇區(qū)都是相同的，其具有相同的數(shù)據(jù)格式、信道比特密度等。如此處使用的，基本最小值或者基本最大值應(yīng)當(dāng)分別包括例如底部N個(gè)或者頂部N個(gè)值內(nèi)的任何值，其中N是較小的數(shù)。
[0036]檢測(cè)閾值Dthr對(duì)于歐幾里得檢測(cè)器是重要的，并且它在不同磁盤區(qū)中可以不同。檢測(cè)閾值Dtto被適應(yīng)以獲得最佳值。然而，如上所述，自適應(yīng)需要找到SAM。換句話說(shuō)，如果檢測(cè)閾值Dthr被不正確地設(shè)置使得SAM未被找到，那么自適應(yīng)將不會(huì)收斂。另外，公式(3)的閾值裕度增益，1/2，不是針對(duì)所有應(yīng)用場(chǎng)景的最佳值。
[0037]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，漢明SAM檢測(cè)器與歐幾里得SAM檢測(cè)器并聯(lián)使用，以輔助歐幾里得SAM檢測(cè)器的檢測(cè)閾值的自適應(yīng)。
[0038]圖4示出了用于歐幾里得SAM檢測(cè)器410的檢測(cè)閾值適配器400的框圖。如在圖4中所示，檢測(cè)閾值適配器400包括歐幾里得SAM檢測(cè)器410和漢明SAM檢測(cè)器420，二者并行操作。歐幾里得SAM檢測(cè)器410和漢明SAM檢測(cè)器420以與上面結(jié)合圖2所討論的SAM檢測(cè)器類似的方式操作以分別產(chǎn)生SAM聲明425、415。如上所述，漢明SAM檢測(cè)器420可以是硬判決解碼器或者軟判決解碼器(例如Viterbi檢測(cè)器)并且歐幾里得SAM檢測(cè)器410是軟判決解碼器(例如Viterbi檢測(cè)器)。
[0039]如在圖4中所示，歐幾里得SAM檢測(cè)器410以上述方式產(chǎn)生針對(duì)每個(gè)磁盤伺服扇區(qū)的Ds和Dp值。將Ds和Dp值提供給存儲(chǔ)和比較塊440，該存儲(chǔ)和比較塊440存儲(chǔ)針對(duì)每個(gè)磁盤伺服扇區(qū)的Ds和Dp值。另外，存儲(chǔ)和比較塊440在聲明找到SAM之前將針對(duì)磁盤上所有伺服扇區(qū)的最小Dp值存儲(chǔ)為Dpmin并且在聲明找到SAM之前【此處好像漏掉了 before】將針對(duì)磁盤上所有伺服扇區(qū)的最大Ds值存儲(chǔ)為Ds_。
[0040]自適應(yīng)模式信號(hào)430可選擇地控制存儲(chǔ)和比較塊440是采用來(lái)自漢明SAM檢測(cè)器420的漢明SAM檢測(cè)結(jié)果415還是采用來(lái)自歐幾里得SAM檢測(cè)器410的歐幾里得SAM檢測(cè)結(jié)果425，以用于自適應(yīng)。在一個(gè)示例性實(shí)施方式中，漢明SAM檢測(cè)器420被用于最初獲得粗略的檢測(cè)閾值Dthr,然后歐幾里得SAM檢測(cè)器410被用于精細(xì)調(diào)節(jié)檢測(cè)閾值Dtto。
[0041 ] 存儲(chǔ)和比較塊440將Dpmin和Dsmax值提供給閾值計(jì)算塊450，該閾值計(jì)算塊450根據(jù)下列公式(4)計(jì)算檢測(cè)閾值。然后將計(jì)算的檢測(cè)閾值反饋至歐幾里得SAM檢測(cè)器410。
[0042]根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)方面，閾值裕度增益8111是可選配置的。以這種方式，針對(duì)檢測(cè)閾值的裕度增益gm對(duì)于不同應(yīng)用可以是不同的。裕度增益gm確定自適應(yīng)閾值偏離Dsmax和Dpmin的平均值多少。因此，閾值自適應(yīng)公式可以表示如下:
[0043]Dthr=Dsmax+gmX (Dpmin-Dsmax)
[0044]其中裕度增益gn是O與I之間的可配置的值。
[0045]在一個(gè)示例性實(shí)施例中，為了簡(jiǎn)化硬件實(shí)現(xiàn)，裕度增益gn可以包括1/8，1/4，1/2和3/4的選項(xiàng)。
[0046]如前所述，磁記錄系統(tǒng)和讀取信道的布置如此處所述為傳統(tǒng)布置提供許多優(yōu)點(diǎn)。此外，應(yīng)該強(qiáng)調(diào)的是本發(fā)明的上述實(shí)施例意圖僅是說(shuō)明性的。一般來(lái)說(shuō)，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來(lái)說(shuō)是顯而易見的是，示例性磁記錄系統(tǒng)可以被修改為包括使用單比特錯(cuò)誤檢測(cè)的改進(jìn)的伺服數(shù)據(jù)檢測(cè)。此外，所公開的伺服數(shù)據(jù)檢測(cè)技術(shù)可以用于任何磁記錄系統(tǒng)中。已經(jīng)提出了許多示例性單比特錯(cuò)誤檢測(cè)技術(shù)?；诒疚牡墓_內(nèi)容，對(duì)本領(lǐng)域普通技術(shù)人員非常顯而易見的是可以采用可選的單比特錯(cuò)誤檢測(cè)機(jī)制。
[0047]盡管已經(jīng)就數(shù)字邏輯塊描述了本發(fā)明的示例性實(shí)施例，然而本領(lǐng)域技術(shù)人員將理解，可以在數(shù)字域中實(shí)現(xiàn)不同的功能作為軟件程序中的處理步驟，通過(guò)電路元件或者狀態(tài)機(jī)以硬件實(shí)現(xiàn)不同的功能或者可以以軟件和硬件二者的組合實(shí)現(xiàn)不同的功能。例如，可以在數(shù)字信號(hào)處理器、專用集成電路微控制器或者通用計(jì)算機(jī)中實(shí)現(xiàn)上述軟件?？梢栽诩呻娐穬?nèi)實(shí)現(xiàn)的電路內(nèi)實(shí)施上述硬件和軟件。
[0048]在本發(fā)明的實(shí)施例的集成電路實(shí)施方式中，可以以晶片表面上的重復(fù)圖案形成多個(gè)集成電路管芯。每一個(gè)上述管芯可以包括如此處描述的裝置，并且可以包括其他結(jié)構(gòu)或電路。從晶片切割或者劃片管芯，隨后封裝作為集成電路。本領(lǐng)域技術(shù)人員將知道如何對(duì)晶片進(jìn)行劃片并且如何封裝管芯以生產(chǎn)封裝的集成電路。如此制造的集成電路被認(rèn)為是本發(fā)明的實(shí)施例。如此制造的集成電路被認(rèn)為是本發(fā)明的一部分。
[0049]因此，可以以用于實(shí)現(xiàn)那些方法的裝置和方法的形式來(lái)實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的實(shí)施例功能。本發(fā)明的一個(gè)或更多實(shí)施例可以以程序代碼的形式實(shí)現(xiàn)，例如無(wú)論是否存儲(chǔ)在存儲(chǔ)介質(zhì)中，由機(jī)器載入和/或執(zhí)行或者在某些傳輸介質(zhì)上傳輸，其中當(dāng)程序代碼通過(guò)機(jī)器(例如計(jì)算機(jī))被載入和執(zhí)行時(shí)，該機(jī)器就變?yōu)榱擞糜趯?shí)踐本發(fā)明的裝置。當(dāng)在通用處理器上實(shí)現(xiàn)時(shí)，程序代碼段與處理器結(jié)合以提供與特定邏輯電路類似地操作的裝置。實(shí)施例還可以以集成電路、數(shù)字信號(hào)處理器、微處理器和微控制器中的一個(gè)或更多個(gè)來(lái)實(shí)現(xiàn)本實(shí)施例。
[0050]將要理解，此處描述和示出了的實(shí)施例和變化僅僅說(shuō)明了本發(fā)明的原理，而在不背離本發(fā)明的保護(hù)范圍和精神的情況下本領(lǐng)域技術(shù)人員可以實(shí)現(xiàn)各種改型。
【權(quán)利要求】
1.一種用于對(duì)由歐幾里得檢測(cè)器用來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)中的模式的檢測(cè)閾值自適應(yīng)的方法，包括: 在所述數(shù)據(jù)的給定部分中聲明所述模式之前確定基本上最小的歐幾里得距離度量Dp ；當(dāng)在所述給定部分中找到所述模式時(shí)確定歐幾里得距離度量Ds，其中使用漢明檢測(cè)器找到所述模式中的至少一個(gè)； 為多個(gè)所述部分確定最小Dp值Dpniin以及最大Ds值Dsniax,所述Dpniin是所述多個(gè)部分的基本上最小的Dp值，以及所述Dsmax是所述多個(gè)部分的基本上最大的Ds值；以及基于所述最小Dp值Dpmin和所述最大Ds值Dsmax確定所述檢測(cè)閾值。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模式包括伺服地址標(biāo)記SAM、可重復(fù)結(jié)束數(shù)據(jù)RRO地址標(biāo)記RROAM、圖像模式和天線信號(hào)模式中的一個(gè)或者多個(gè)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述模式包括一個(gè)或者多個(gè)伺服地址標(biāo)記SAM，并且其中所述部分包括磁盤的給定伺服扇區(qū)并且所述多個(gè)所述部分包括所述磁盤。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述檢測(cè)閾值Dtto按照以下進(jìn)行計(jì)算:
Dthr Dsmax+gm X (Dpmin Dsmas) 其中^是裕度增益值。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中可以從基本上由1/8，1/4，1/2和3/4組成的值選擇所述裕度增益值gm。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述裕度增益值gm是可配置的值。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述歐幾里得距離度量按照以下進(jìn)行計(jì)算:

N
D(pfq) = dz(p§ q) - / ?% — Pi)2


■I i
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括如果所接收碼字的軟度量與所述模式的理想軟度量之間的所述歐幾里得距離度量小于或者等于所述檢測(cè)閾值，則檢測(cè)所述模式的步驟。
9.一種用于對(duì)由歐幾里得檢測(cè)器用來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)中的模式的檢測(cè)閾值自適應(yīng)的有形的機(jī)器可讀可記錄存儲(chǔ)介質(zhì)，其中當(dāng)由一個(gè)或者多個(gè)處理設(shè)備執(zhí)行時(shí)，一個(gè)或者多個(gè)軟件程序?qū)崿F(xiàn)根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法的步驟。
10.一種用于對(duì)由歐幾里得檢測(cè)器用來(lái)檢測(cè)數(shù)據(jù)中的模式的檢測(cè)閾值自適應(yīng)的裝置，包括: 存儲(chǔ)器；以及 至少一個(gè)硬件設(shè)備，被耦合至所述存儲(chǔ)器，操作用于: 在所述數(shù)據(jù)的給定部分中聲明所述模式之前確定基本上最小的歐幾里得距離度量Dp ；當(dāng)在所述給定部分中找到所述模式時(shí)確定歐幾里得距離度量Ds，其中使用漢明檢測(cè)器找到所述模式中的至少一個(gè)； 為多個(gè)所述部分確定最小Dp值Dpniin以及最大Ds值Dsniax,所述Dpniin是所述多個(gè)部分的基本上最小的Dp值，以及所述Dsmax是所述多個(gè)部分的基本上最大的Ds值；以及基于所述最小Dp值Dpmin和所述最大Ds值Dsmax確定所述檢測(cè)閾值。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述模式包括伺服地址標(biāo)記SAM、可重復(fù)結(jié)束數(shù)據(jù)RRO地址標(biāo)記RR0AM、圖像模式和天線信號(hào)模式中的一個(gè)或者多個(gè)。
12.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述模式包括一個(gè)或者多個(gè)伺服地址標(biāo)記SAM，并且其中所述部分包括磁盤的給定伺服扇區(qū)并且所述多個(gè)所述部分包括所述磁盤。
13.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述檢測(cè)閾值Dtto按照以下進(jìn)行計(jì)算:
Dthr Dsmax+gm X (Dpmin Dsmas) 其中^是裕度增益值。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的裝置，其中所述裕度增益值gm是可配置的值。
15.根據(jù)權(quán)利要求10所述的裝置，其中所述至少一個(gè)硬件設(shè)備進(jìn)一步被配置為如果所接收碼字的軟度量與所述模式的理想軟度量之間的所述歐幾里得距離度量小于或者等于所述檢測(cè)閾值，則檢測(cè)所述模式。
16.一種用于自適應(yīng)用于數(shù)據(jù)中的模式的檢測(cè)閾值的裝置，包括: 歐幾里得檢測(cè)器，用于為所述數(shù)據(jù)的多個(gè)部分中的每一個(gè)確定(i)在所述數(shù)據(jù)的給定部分中聲明所述模式之前基本上最小的歐幾里得距離度量Dp以及(ii)當(dāng)在所述數(shù)據(jù)的所述給定部分中找到所述模式時(shí)的歐幾里得距離度量Ds ； 漢明檢測(cè)器，用于檢測(cè)所述模式中的至少一個(gè)； 比較器，用于為多個(gè)所述部分確定最小Dp值Dpmin以及最大Ds值Dsmax,所述Dpmin是所述多個(gè)部分的基本上最小的Dp值，以及所述Dsmax是所述多個(gè)部分的基本上最大的Ds值；以及 閾值計(jì)算器，用于基于所述最小Dp值Dpmin和所述最大Ds值Dsmax確定所述檢測(cè)閾值。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述模式包括伺服地址標(biāo)記SAM、可重復(fù)結(jié)束數(shù)據(jù)RRO地址標(biāo)記RR0AM、圖像模式和天線信號(hào)模式中的一個(gè)或者多個(gè)。
18.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述模式包括一個(gè)或者多個(gè)伺服地址標(biāo)記SAM，并且其中所述部分包括磁盤的給定伺服扇區(qū)并且所述多個(gè)所述部分包括所述磁盤。
19.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中所述檢測(cè)閾值基于可配置的裕度增益值。
20.根據(jù)權(quán)利要求16所述的裝置，其中如果所接收碼字的軟度量與所述模式的理想軟度量之間的所述歐幾里得距離度量小于或者等于所述檢測(cè)閾值，則檢測(cè)所述模式。
【文檔編號(hào)】G11B5/596GK104282317SQ201310284484
【公開日】2015年1月14日 申請(qǐng)日期:2013年7月9日 優(yōu)先權(quán)日:2013年7月9日
【發(fā)明者】郭林江, 李志斌, 趙瑤, 秦達(dá)華 申請(qǐng)人:Lsi公司