本技術(shù)涉及存儲控制裝置。更具體地，本技術(shù)涉及用于非易失性存儲器的存儲控制裝置、存儲裝置和信息處理系統(tǒng)，用于存儲控制裝置、存儲裝置和信息處理系統(tǒng)的處理方法，以及用于使得計算機執(zhí)行所述處理方法的程序。

背景技術(shù)：
在信息處理系統(tǒng)中，DRAM(動態(tài)隨機存取存儲器)等器件用作工作存儲器。DRAM通常是易失性存儲器，并且如果對其停止供電，則其存儲的內(nèi)容丟失。一方面，近年來，已經(jīng)使用非易失性存儲器(NVM)。這樣的非易失性存儲器大致劃分為準備用于以大尺寸為單位進行數(shù)據(jù)存取的閃存和允許以小單位對其進行高速隨機存取的非易失性隨機存取存儲器(NVRAM：非易失性RAM)。閃存的一個代表是NAND型閃存。同時，非易失性隨機存取存儲器包括ReRAM(電阻RAM)和PCRAM(相變RAM)和MRAM(磁阻RAM)等。在非易失性隨機存取存儲器中，ReRAM是使用可變電阻元件的電阻變化存儲器。ReRAM的可變電阻元件可以以兩種狀態(tài)記錄一位信息，包括高阻狀態(tài)(HRS)和低阻狀態(tài)(LRS)。取決于可變電阻元件要變?yōu)楦咦锠顟B(tài)或可變電阻元件要變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，必須施加不同電勢的驅(qū)動電壓到ReRAM。例如，這在日本專利申請公開No.2010-140526中描述。

技術(shù)實現(xiàn)要素：
如上所述，為了改變ReRAM的可變電阻元件的狀態(tài)，必須響應于電阻狀態(tài)施加不同電勢的驅(qū)動電壓。此外，因為ReRAM具有這樣的結(jié)構(gòu)，其中大量存儲器單元連接到共同的基板，它具有非常大的存儲容量。因此，ReRAM的問題在于，如果分別對其施加不同電勢的驅(qū)動電壓，則在這樣的電壓施加而充電和放電時，消耗高電功率。因此，期望抑制阻變存儲器中充電和放電的產(chǎn)生以減少功耗。根據(jù)本技術(shù)的第一實施例，提供了一種存儲控制裝置，包括：命令譯碼器，配置為判斷命令串中包括的不同命令的多個存取目標地址是否對應于具有共同基板的存儲器單元陣列的各塊中的同一塊中相互不同的字；以及命令處理部分，配置為當判斷命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，集中地和連續(xù)地執(zhí)行命令的處理中的那些操作，其中在基板和位線之間施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。根據(jù)本技術(shù)的第一實施例，還提供了一種存儲控制方法，包括：判斷命令串中包括的不同命令的多個存取目標地址是否對應于具有共同基板的存儲器單元陣列的各塊中的同一塊中相互不同的字；以及當判斷命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，集中地和連續(xù)地執(zhí)行命令的處理中的那些操作，其中在基板和位線之間施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置和存儲控制方法中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行多個命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為兩個讀取命令，以及當判斷兩個讀取命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個讀取命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個讀取命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為兩個寫入命令，以及當判斷兩個寫入命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個寫入命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓，集中地和連續(xù)地執(zhí)行那些操作，其中施加設(shè)置驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓，并且集中地和連續(xù)地執(zhí)行那些操作，其中施加重置驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個寫入命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為一條讀取命令和一條寫入命令的組合，以及當判斷讀取命令和寫入命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行讀取命令和寫入命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行寫入命令和讀取命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為兩個擦除命令，以及當判斷兩個擦除命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩條擦除命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓，并且集中地和連續(xù)地執(zhí)行那些操作，其中施加設(shè)置驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩條擦除命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為兩個程序命令，以及當判斷兩個程序命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個程序命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓，并且集中地和連續(xù)地執(zhí)行那些操作，其中施加重置驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行兩個程序命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為一條讀取命令和一條擦除命令的組合，以及當判斷讀取命令和擦除命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行讀取命令和擦除命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行讀取命令和擦除命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為一條讀取命令和一條程序命令的組合，以及當判斷讀取命令和程序命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行讀取命令和程序命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行讀取命令和程序命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。所述存儲控制裝置可以配置為使得所述命令譯碼器進一步判斷命令是否為一條擦除命令和一條程序命令的組合，以及當判斷擦除命令和程序命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，所述命令處理部分集中地和連續(xù)地執(zhí)行擦除命令和程序命令的處理中的那些操作，其中施加讀取驅(qū)動電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲控制裝置中，集中地和連續(xù)地執(zhí)行擦除命令和程序命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。根據(jù)本發(fā)明第二實施例，提供了一種存儲裝置，包括：存儲器單元陣列，由具有共同基板的多個劃分塊配置；驅(qū)動器，配置為在基板和位線之間施加驅(qū)動電壓；命令譯碼器，配置為判斷命令串中包括的不同命令的多個存取目標地址是否對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字；以及命令處理部分，配置為當判斷命令的存取目標地址對應于存儲器單元陣列的相同塊中相互不同的字時，集中地和連續(xù)地執(zhí)行命令的處理中的那些操作，其中施加相等電壓作為驅(qū)動電壓。在所述存儲裝置中，在對于存儲器單元陣列的多個命令的處理中集中地和連續(xù)地執(zhí)行那些操作，其中從驅(qū)動器施加相等電壓。所述存儲裝置可以配置使得所述存儲器單元陣列是阻變存儲器。利用本技術(shù)的存儲控制裝置和存儲控制方法以及存儲裝置，可以抑制阻變存儲器中的充電和放電的發(fā)生，從而有利地減少功耗。結(jié)合附圖，從下面的描述和所附權(quán)利要求中，本技術(shù)的上述和其他目的、特征和優(yōu)點將變得明顯，附圖中相似部分或元件用相似參考符號表示。附圖說明圖1是示出根據(jù)本技術(shù)第一實施例的信息處理系統(tǒng)的配置示例的框圖；圖2是示出圖1的信息處理系統(tǒng)的存儲器單元陣列的結(jié)構(gòu)示例的示意圖；圖3是圖示用于圖2所示的存儲器單元陣列的驅(qū)動電壓的示意圖；圖4是示出圖1的信息處理系統(tǒng)的存儲器的功能配置示例的框圖；圖5A和5B是圖示處理圖1的信息處理系統(tǒng)中的寫入命令所需的驅(qū)動電壓的時序圖；圖6是圖示圖4的存儲器的處理過程示例的流程圖；圖7是圖示圖1的信息處理系統(tǒng)中的一條讀取命令的處理過程示例的流程圖；圖8是圖示圖1的信息處理系統(tǒng)中的一條寫入命令的處理過程示例的流程圖；圖9是圖示圖8所示的處理過程中的一次設(shè)置操作的處理過程示例的流程圖；圖10是圖示圖8所示的處理過程中的一次重置操作的處理過程示例的流程圖；圖11是圖示圖6所示的處理過程中的兩次讀取操作的處理過程示例的流程圖；圖12是圖示圖6所示的處理過程中的兩次寫入操作的處理過程示例的流程圖；圖13是圖示圖12所示的處理過程中的兩次設(shè)置操作的處理過程示例的流程圖；圖14是圖示圖12所示的處理過程中的兩次重置操作的處理過程示例的流程圖；圖15是圖示圖6所示的處理過程中的一次讀取操作和一次寫入操作的處理過程示例的流程圖；圖16是圖示根據(jù)本技術(shù)第一實施例的修改的存儲器的處理過程示例的流程圖；圖17是圖示根據(jù)本技術(shù)第二實施例的存儲器的處理過程的流程圖；圖18是圖示本技術(shù)第二實施例中一條擦除命令的處理過程示例的流程圖；圖19是圖示本技術(shù)第二實施例中一條程序命令的處理過程示例的流程圖；圖20是圖示圖17所示的處理過程中的兩次擦除操作的處理過程的流程圖；圖21是圖示圖17所示的處理過程中的兩次程序操作的處理過程的流程圖；圖22是圖示圖17所示的處理過程中的一次讀取操作和一次擦除操作的處理過程的流程圖；圖23是圖示圖17所示的處理過程中的一次讀取操作和一次程序操作的處理過程的流程圖；以及圖24是圖示圖17所示的處理過程中的一次擦除操作和一次程序操作的處理過程的流程圖。具體實施方式下文中，描述本技術(shù)的實施例。將按照以下順序給出描述。1.第一實施例(使用讀取命令和寫入命令的示例)2.第二實施例(使用讀取命令、擦除命令和程序命令的示例)<1.第一實施例>信息處理系統(tǒng)的配置圖1示出根據(jù)本技術(shù)第一實施例的信息處理系統(tǒng)的配置示例。參考圖1，所示的信息處理系統(tǒng)包括存儲器100、存儲器控制器200和主機300。存儲器100假設(shè)是阻變存儲器(ReRAM)，其包括由可變電阻元件形成的存儲器單元陣列110。主機300發(fā)出讀取命令或?qū)懭朊畹酱鎯ζ?00以存取存儲器100。存儲器控制器200連接在存儲器100和主機300之間以執(zhí)行對存儲器100的存取控制。要注意，有時候基于存儲器控制器200自身的判斷發(fā)出讀取命令或?qū)懭朊?。存儲?00包括由多個塊101、102等配置的存儲部分、控制接口120、控制部分130和命令隊列131。控制接口120管理與存儲器控制器200的通信?？刂撇糠?30控制對存儲部分的各塊的存取。命令隊列131保持要由存儲器100處理的命令。盡管命令隊列131與控制部分130分開配置，但是它另外可以內(nèi)置在控制部分130中或者可以內(nèi)置在控制接口120中。存儲部分的每個塊(例如塊101)包括存儲器單元陣列110、字線譯碼器140、位線選擇器150和驅(qū)動器160。存儲器單元陣列110包括在多個字線WL和多個位線BL之間的每個交叉點處的存取晶體管和可變電阻元件。這里，為了簡化描述，例示了具有8條字線×8條位線之間的64個交叉點的存儲器單元陣列。在該示例中，存儲器單元陣列110包括8條字線WL_0到WL_7和8條位線BL_0到BL_7以及基板端子。8條字線WL_0到WL_7連接到字線譯碼器140。8條位線BL_0到BL_7連接到位線選擇器150。基板端子連接到驅(qū)動器160的基板電壓輸出。存儲器單元陣列110的每個可變電阻元件以兩種狀態(tài)記錄1位的信息，包括高阻狀態(tài)(HRS)和低阻狀態(tài)(LRS)。盡管狀態(tài)和邏輯值之間的關(guān)聯(lián)可以任意地確定，但是在下面描述中，定義邏輯值，使得低阻狀態(tài)用于表示邏輯值“0”，并且高阻狀態(tài)用于表示邏輯值“1”。此外，兩個狀態(tài)之間的改變稱為位反轉(zhuǎn)操作。作為位反轉(zhuǎn)操作，兩個操作是可用的，包括設(shè)置操作和重置操作。在下面描述中，設(shè)置操作將位狀態(tài)從高阻狀態(tài)變?yōu)榈妥锠顟B(tài)，并且重置操作將位狀態(tài)從低阻狀態(tài)變?yōu)楦咦锠顟B(tài)。換句話說，設(shè)置操作將邏輯值“1”的位狀態(tài)變?yōu)檫壿嬛怠?”的狀態(tài)，并且重置操作將邏輯值“0”的位狀態(tài)變?yōu)檫壿嬛怠?”的狀態(tài)。在寫入操作中，設(shè)置操作和重置操作按順序執(zhí)行。然而，作為執(zhí)行設(shè)置操作和重置操作的順序，可以先執(zhí)行各操作的任何一個。字線譯碼器140從控制部分130接收字線指定，并且控制存儲器單元陣列110的8條字線。具體地，字線譯碼器140具有以邏輯值“H”驅(qū)動控制部分130指定的字線和以邏輯值“L”驅(qū)動其他字線的功能。如果沒有指定字線或如果取消字線指定，則字線譯碼器140以邏輯值“L”驅(qū)動所有字線。位線選擇器150在控制部分130和控制接口120之間傳送從存儲器單元陣列110讀出的讀取數(shù)據(jù)或用于寫入的寫入數(shù)據(jù)。此外，位線選擇器150從驅(qū)動器160接收用于驅(qū)動位線的電壓。位線選擇器150大致具有兩個功能。具體地，在從存儲器單元陣列110讀出時，位線選擇器150具有作為讀出放大器的功能。具體地，位線選擇器150測量流過位線的電流量以判斷選擇的可變電阻元件具有低阻狀態(tài)和高阻狀態(tài)的哪一個，從而對于每條位線確定邏輯值“0”或“1”。確定的邏輯值輸出到控制部分130或控制接口120。此外，在寫入存儲器單元陣列110時，位線選擇器150具有基于控制部分130的指定選擇用于每條位線的驅(qū)動電壓的功能。具體地，位線選擇器150將從驅(qū)動器160對其提供的基板電壓或位線電壓選擇性地提供到每條位線。驅(qū)動器160提供位線電壓給位線選擇器150，并且提供基板電壓給位線選擇器150和存儲器單元陣列110。換句話說，驅(qū)動器160在基板和位線之間提供驅(qū)動電壓。存儲器單元陣列的結(jié)構(gòu)圖2示出本技術(shù)第一實施例中的存儲器單元陣列110的結(jié)構(gòu)示例。盡管在圖2中示意性示出沿著一條字線WL_0的截面，但是其他字線也具有類似結(jié)構(gòu)。在字線WL_0和8條位線BL_0到BL_7之間的每個交叉點處，連接作為存取晶體管的FET(場效應晶體管)112和可變電阻元件111。字線WL_0連接到8個FET112的柵極端，并且8條位線BL_0到BL_7連接到各自對應的FET112的漏極端。8個FET112在其源極端各自通過可變電阻元件111連接到基板113。配置相同塊中的存儲器單元陣列110的所有的FET112(這里為64個FET112)，在其源極端通過各自對應的可變電阻元件111連接到基板113。圖3圖示本技術(shù)第一實施例中的存儲器單元陣列110的驅(qū)動電壓。作為對于存儲器單元陣列110的每個可變電阻元件111的操作，除了上述設(shè)置操作和重置操作之外，用于讀出可變電阻元件111的狀態(tài)的讀取操作也是可用的。在三種操作中，即，在讀取操作、設(shè)置操作和重置操作中，基板113和位線BL_0之間的驅(qū)動電壓不同。在設(shè)置操作的情況下，設(shè)置電壓偏置使得基板113相對于位線具有“+Vset”的電勢。在重置操作的情況下，設(shè)置電壓偏置使得位線相對于基板113具有“+Vreset”的電勢。在讀取操作的情況下，設(shè)置電壓偏置使得位線相對于基板113具有“+Vread”的電勢。存儲器的功能配置圖4示出本技術(shù)第一實施例中的存儲器100的功能配置示例。參考圖4，除了上述命令隊列131、字線譯碼器140、位線選擇器150、驅(qū)動器160和存儲器單元陣列110之外，存儲器100還包括命令譯碼器132和命令處理部分133。命令隊列131按順序保持從主機300等發(fā)出的讀取命令、寫入命令等。命令隊列131由FIFO(先入先出)存儲器、RAM等配置。盡管命令隊列131在上述存儲器100中的任何地點提供，但是需要配置使得它保持多個命令，從而可以從命令譯碼器132和命令處理部分133參考命令。命令譯碼器132通過信號線135參考命令隊列131中保持的命令，并且命令處理部分133通過信號線136參考命令隊列131中保持的命令。命令譯碼器132解碼命令隊列131中保持的多個命令以提取每個命令的類型信息、存儲器單元陣列110的存取目標地址等。例如，命令譯碼器132判斷命令隊列131中保持的多個命令的每個對應于寫入命令和讀取命令的哪一個。此外，例如命令譯碼器132判斷命令隊列131中保持的多個命令的每個的存取目標地址對應于存儲器單元陣列110的哪一個字以及哪個塊。讀取命令由表示相關(guān)命令是讀取命令的信息、代表塊的信息和在指定塊的存儲器單元陣列110中要從其執(zhí)行讀出的字線號配置。寫入命令由表示相關(guān)命令是寫入命令的信息、代表塊的信息、在指定塊的存儲器單元陣列110中要對其執(zhí)行寫入的字線號、和要寫入的寫入數(shù)據(jù)配置。在下面的描述中，作為用于指定寫入目標的字線的信息，組合使用代表塊的信息和在指定塊的存儲器單元陣列110中要對其執(zhí)行寫入的字線號。取決于存儲器的安裝，有時候引入諸如頁號的機制，使得執(zhí)行從頁號到塊號和字線號或者相反的逐個轉(zhuǎn)換。然而，沒有本質(zhì)差別。要注意的是，可以在使用表等的情況下或者在頁號的高階位或多個高階位用作庫號(banknumber)同時低階位用作字線號的情況下執(zhí)行逐個轉(zhuǎn)換。此外，取決于存儲器的不同安裝，通過將由一個字線選擇的多個位劃分為兩個或更多頁，有時候多個頁號對應于單個字線。然而，沒有本質(zhì)差別。命令處理部分133關(guān)于命令隊列131中保持的多個命令的每個，執(zhí)行用于實現(xiàn)處理的內(nèi)容的控制。命令處理部分133通過信號線137連接到字線譯碼器140，通過信號線138連接到位線選擇器150，并且通過信號線139連接到驅(qū)動器160。命令處理部分133根據(jù)命令譯碼器132解碼的信息，控制字線譯碼器140、位線選擇器150和驅(qū)動器160。例如，當命令譯碼器132解碼命令為命令是讀取命令時，命令處理部分133控制驅(qū)動器160，使得“+Vread”的驅(qū)動電壓施加到基板113以便執(zhí)行讀取操作。此外，例如如果命令譯碼器132解碼命令為命令是寫入命令時，連續(xù)地執(zhí)行用于預讀取的讀取操作、設(shè)置操作、用于預讀取的讀取操作、重置操作和用于驗證的讀取操作。因此，命令處理部分133控制驅(qū)動器160，使得在位線和基板113之間施加各操作所需的驅(qū)動電壓。要注意，盡管在這里假設(shè)各功能配置布置在存儲器100中，但是看起來將例如命令隊列131、命令譯碼器132和命令處理部分133布置在存儲器控制器200中也是可能的構(gòu)思。圖5A和5B圖示處理寫入命令所需的驅(qū)動電壓。在圖5A和5B中，圖示在固定位線上的電勢的情況下的基板電勢。如上所述，當要處理寫入命令時，連續(xù)地讀取操作、設(shè)置操作、另一讀取操作、重置操作和另一讀取操作。在該情況下，在讀取操作、設(shè)置操作和重置操作中，在位線和基板113之間施加的驅(qū)動電壓指示不同的電勢。當連續(xù)地發(fā)出兩條寫入命令時，如果它們按照命令的順序執(zhí)行，則驅(qū)動電壓經(jīng)常變化，如從圖5A看到的，因此通過充電和放電消耗高電功率。因此，在本技術(shù)的第一實施例中，集中地執(zhí)行對應于對不同字的兩個寫入命令的操作，如從圖5B看到的，以便抑制驅(qū)動電壓的變化。結(jié)果，抑制了驅(qū)動電壓的變化導致的充電和放電以實現(xiàn)功率節(jié)省。存儲器的操作圖6圖示本技術(shù)第一實施例中的存儲器100的處理過程示例。存儲器控制器200根據(jù)來自主機300的指令，形成由讀取命令、寫入命令或讀取命令和寫入命令配置的命令組，并且將命令組寫入存儲器100的控制接口120中。要注意，存儲器控制器200可以基于存儲器控制器200自身的判斷發(fā)出命令等。在步驟S811，存儲器100的控制部分130讀出控制接口120中保持的多個命令。然后，在步驟S812，控制部分130判斷讀出命令數(shù)。然后，如果命令的數(shù)量為0，即，如果控制接口120沒有保持任何命令并且在步驟S812的判斷為否，則處理返回步驟S811。以此方式，步驟S811和S812形成輪詢循環(huán)，并且在控制部分130在輪詢循環(huán)中等待時，它希望從存儲器控制器200寫入命令。在步驟S813，控制部分130進一步判斷讀出命令數(shù)。如果命令數(shù)是兩條或更多，即，如果在步驟S813的判斷為是，則在步驟S814，控制部分130將控制接口120中保持的命令的最上兩條命令移動到命令隊列131。另一方面，如果在步驟S813命令數(shù)為一條，即，如果在步驟S813的判斷為否，則在步驟S821，控制部分130執(zhí)行控制接口120中保持的單個命令，其為讀取命令或?qū)懭朊睢Ｒ韵聟⒖紙D7和8描述讀取命令和寫入命令的執(zhí)行處理過程。在執(zhí)行命令之后，放棄控制接口120中保持的已處理的命令，然后處理返回步驟S811。在步驟S814之后，處理進行到步驟S815，在步驟S815控制部分130判斷命令隊列131中放置的兩條命令是否涉及相同塊。如果兩條命令涉及不同塊，即，如果在步驟S815的判斷為否，則在步驟S822，在不同塊中并行執(zhí)行兩條命令，其為讀取命令和寫入命令。以下參考圖7和8描述讀取命令和寫入命令的執(zhí)行處理過程。在執(zhí)行命令之后，放棄命令隊列131中保持的兩條已處理的命令，然后處理返回步驟S811。要注意，使用這樣的方法看起來也是可能的構(gòu)思，其中在步驟S822執(zhí)行命令隊列131中保持的兩條命令之前判斷控制接口120中保持的命令。換句話說，當存在涉及相同塊但是涉及不同字線號的多個命令時，組合該多個命令和命令隊列131中保持的命令以執(zhí)行從步驟S817開始的過程也是可能的構(gòu)思。當在步驟S815兩條命令涉及相同塊時...