一種存儲器擦除的方法和裝置制造方法
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種存儲器擦除的方法和裝置，所述方法包括：對目標擦除塊進行預編程操作；施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作；對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作；對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作；判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作；對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作；對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作；判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。本發(fā)明不僅極大降低了過擦除風險，而且縮短了過擦除修復所需的大量時間，提高了存儲器的擦除可靠性和速度。
【專利說明】一種存儲器擦除的方法和裝置

【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及半導體存儲器【技術領域】，特別是涉及一種存儲器擦除的方法和裝置。

【背景技術】
[0002]在存儲器中存在著兩種基本存儲單元cell, erase (擦除)cell和program(編程)cell，也即“T’cell和“0”cell，因此對應也就存在著擦除和編程這兩種存儲器單元的基本操作。其中，將“0”cell變?yōu)椤癟’cell的過程，稱為擦除；反之稱為編程。
[0003]參照圖1，所示為一種傳統(tǒng)的存儲器擦除驗證機制流程圖，其原理如下:首先對需要進行擦除操作的目標擦除塊block進行Pre_PGM(預編程)操作，目的是將所有的cell都編程為同樣的“0”cell，也即使cell處于高閾值狀態(tài)。然后，第一個erase pulse (擦除脈沖)到來，對已經(jīng)進行了 Pre_PGM的cell進行擦除。緊接著進行OEVl (過擦除驗證)操作，目的是對可能存在的被過擦除的閾值電壓低于OV的“T’cell進行一次較弱的編程(“較弱的”是指相對于通常的program (編程)電壓約9V而言，這里較弱的program電壓大概在OV?2V左右)，將其閾值電壓推到OV以上，比如IV左右，以消除可能造成的漏電流。下一步是EV(擦除驗證)操作，如果不過，則再次進行擦除，第二個擦除脈沖到來，如此循環(huán)往復，直到EV通過或者erase counter (擦除脈沖次數(shù))達到最大數(shù)，而后跳出循環(huán)，進行0EV2操作。0EV2和OEVl相似，目的是進一步推高“l(fā)”cell的閾值電壓以消除可能的亞閾值電壓導通漏電流。至此，完成了對目標擦除塊block的擦除操作。
[0004]參照圖2，所示為一種傳統(tǒng)的存儲器擦除原理示意圖，上述傳統(tǒng)存儲器擦除機制存在著很大的缺點。首先，Erase過程會造成Over Erased Cell (過擦除存儲單元)，如上斜線部分所示，從而帶來漏電流；其次，對Over Erased Cell進行的OEV修復又會耗費大量的時間，從而降低整個擦除速度。
[0005]因此，本領域技術人員迫切需要解決的問題之一在于，提出了一種降低過擦除風險的擦除驗證機制，不僅極大降低了過擦除風險，而且縮短了過擦除修復所需的大量時間，提高了存儲器的擦除可靠性和速度。


【發(fā)明內容】

[0006]本發(fā)明所要解決的技術問題是提供一種存儲器擦除的方法和裝置，不僅極大降低了過擦除風險，而且縮短了過擦除修復所需的大量時間，提高了存儲器的擦除可靠性和速度。
[0007]為了解決上述問題，本發(fā)明公開了一種存儲器擦除的方法，包括:
[0008]步驟101，對目標擦除塊進行預編程操作；
[0009]步驟102，施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作；
[0010]步驟103，對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作；
[0011]步驟104，判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟105 ；
[0012]步驟105，對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作；
[0013]步驟106，判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟107，若否，則返回步驟102 ；
[0014]步驟107，施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作；
[0015]步驟108，對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作；
[0016]步驟109，判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟110 ；
[0017]步驟110，對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作；
[0018]步驟111，判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則返回步驟107 ；
[0019]步驟112，對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
[0020]優(yōu)選地，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度；
[0021]和/ 或，
[0022]所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
[0023]優(yōu)選地，所述判斷第一擦除驗證操作是否成功的步驟包括:
[0024]對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流；
[0025]判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值；
[0026]若是，則判定所述第一擦除驗證操作成功；
[0027]若否，則判定所述第一擦除驗證操作失敗。
[0028]優(yōu)選地，所述判斷第二擦除驗證操作是否成功的步驟包括:
[0029]對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流；
[0030]判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值；
[0031]若是，則判定所述第二擦除驗證操作成功；
[0032]若否，則判定所述第二擦除驗證操作失敗。
[0033]優(yōu)選地，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0034]優(yōu)選地，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0035]優(yōu)選地，所述預編程操作為將目標擦除塊中的存儲單元編程為O值；所述過擦除驗證操作為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值為0V，所述預設的編程電壓為0V-2V中的任一值。
[0036]本發(fā)明實施例還公開了一種存儲器擦除的裝置，包括:
[0037]預編程模塊，用于對目標擦除塊進行預編程操作；
[0038]第一擦除模塊，用于施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作；
[0039]第一過擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作；
[0040]第一次數(shù)判斷模塊，用于判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則調用第一擦除驗證模塊；
[0041]第一擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作；
[0042]第一擦除判斷模塊，用于判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第二擦除，若否，則調用第一擦除模塊；
[0043]第二擦除模塊，用于施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作；
[0044]第二過擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作；
[0045]第二次數(shù)判模塊，用于判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則調用第二擦除驗證模塊；
[0046]第二擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作；
[0047]第二擦除判斷模塊，用于判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則返回第二擦除模塊；
[0048]第三過擦除模塊，用于對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
[0049]優(yōu)選地，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度；
[0050]和/ 或，
[0051]所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
[0052]優(yōu)選地，所述第一擦除判斷模塊包括:
[0053]第一電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流；
[0054]第一電流判斷子模塊，用于判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值；若是，則調用第一驗證成功子模塊，若否，則調用第一驗證失敗子模塊；
[0055]第一驗證成功子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作成功；
[0056]第一驗證失敗子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作失敗。
[0057]優(yōu)選地，所述第二擦除判斷模塊包括:
[0058]第二電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流；
[0059]第二電流判斷子模塊，用于判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值；若是，則調用第二驗證成功子模塊，若否，則調用第二驗證失敗子模塊；
[0060]第二驗證成功子模塊，用于判定所述第二擦除驗證操作成功；
[0061]第二驗證失敗子模塊判定所述第二擦除驗證操作失敗。
[0062]優(yōu)選地，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0063]優(yōu)選地，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0064]優(yōu)選地，所述預編程操作為將目標擦除塊中的存儲單元編程為O值；所述過擦除驗證操作為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值為0V，所述預設的編程電壓為0V-2V中的任一值。
[0065]與現(xiàn)有技術相比，本發(fā)明包括以下優(yōu)點:
[0066]在實際中擦除速度是存儲器的重要性能指標之一，為了提高存儲器擦除速度，本發(fā)明提出了一種降低過擦除風險的擦除驗證機制，通過在擦除過程中引入兩次擦除操作的循環(huán)，不僅極大降低了過擦除風險，而且縮短了過擦除驗證修復所需的大量時間，從而極大的提高了存儲器的擦除可靠性和速度，大大提高了存儲器性能。

【專利附圖】

【附圖說明】
[0067]圖1是一種傳統(tǒng)的存儲器擦除驗證機制流程圖；
[0068]圖2是一種傳統(tǒng)的存儲器擦除原理示意圖；
[0069]圖3是本發(fā)明的一種存儲器擦除的方法實施例的步驟流程圖；
[0070]圖4是本發(fā)明的一種Erase Pulse擦除脈沖示意圖；
[0071]圖5是本發(fā)明的一種降低過擦除風險的擦除驗證機制原理示意圖；
[0072]圖6是本發(fā)明的一種存儲器擦除的裝置實施例的結構框圖。

【具體實施方式】
[0073]為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更加明顯易懂，下面結合附圖和【具體實施方式】對本發(fā)明作進一步詳細的說明。
[0074]本發(fā)明的核心構思之一在于，通過在擦除過程中引入兩次擦除操作的循環(huán)，不僅極大降低了過擦除風險，而且縮短了過擦除驗證修復所需的大量時間，從而極大的提高了存儲器的擦除可靠性和速度，大大提高了存儲器性能。
[0075]參照圖3，示出了本發(fā)明的一種存儲器擦除的方法實施例的步驟流程圖，所述的方法具體可以包括如下步驟:
[0076]步驟101，對目標擦除塊進行預編程操作；
[0077]在本發(fā)明實施例中，所述預編程操作(Pre_PGM)為將目標擦除塊中的存儲單元編程可以為O值；在具體實現(xiàn)中，預編程操作是針對目標擦除塊(block)中的cell寫入0，也即是使cell處于高閾值電壓狀態(tài)，以提高擦除操作的穩(wěn)定性。
[0078]可以理解的是，在實際中，對于目標擦除塊(block)中的cell而言，并不是每一個都必須執(zhí)行預編程步驟，即一些cell中的數(shù)據(jù)本來就是“0”，那么對于這部分cell就可以不必要執(zhí)行預編程操作；而只對需要執(zhí)行預編程操作的cell，如數(shù)據(jù)為“I”的cell進行預編程操作即可。
[0079]步驟102，施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作；
[0080]當對目標擦除塊完成預編程操作后，然后開始Erasel (第一次擦除)循環(huán)，施加第一次循環(huán)的erase pulse (擦除脈沖)對已經(jīng)進行了預編程操作的cell進行擦除。
[0081]步驟103，對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作；
[0082]在本發(fā)明實施例中，所述過擦除驗證操作為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值可以為0V，所述預設的編程電壓可以為0V-2V中的任一值。
[0083]對于施加了第一次循環(huán)的擦除脈沖的目標擦除塊接著進行OEVl (第一過擦除驗證)操作，目的是對可能存在的過擦除的閾值電壓低于OV的“r’cell進行一次較弱的編程(“較弱的”是相對于通常的program(編程)電壓約9V而言，這里較弱的pr0gram(編程)電壓大概在0V-2V左右)，將cell的閾值電壓推到OV以上，比如IV左右，以消除可能造成的漏電流。
[0084]步驟104，判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟105 ；
[0085]在具體實現(xiàn)中，可能經(jīng)過過擦除驗證操作后的cell —直不能到達正常的狀態(tài)，為了避免造成擦除操作的陷入死循環(huán)，可以設置最大施加擦除脈沖次數(shù)，當施加擦除脈沖的次數(shù)達到最大脈沖次數(shù)時，可跳出第一次擦除操作的循環(huán)。
[0086]步驟105，對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作；
[0087]所述第一擦除驗證操作通過在cell柵極施加第一擦除驗證電壓，從而讀取cell電流，并將其與第一擦除驗證參考電流值進行比較，進而用來判斷第一擦除是否成功。
[0088]步驟106，判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟107，若否，則返回步驟102 ；
[0089]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述步驟106具體可以包括如下子步驟:
[0090]子步驟S11，對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流；
[0091]子步驟S12，判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值；若是，則執(zhí)行子步驟S13，若否，則執(zhí)行子步驟S14 ；
[0092]子步驟S13，判定所述第一擦除驗證操作成功；
[0093]子步驟S14，判定所述第一擦除驗證操作失敗。
[0094]在實際中，校驗是否第一擦除操作成功的方法是使用第一擦除驗證電壓去讀cell中所存儲的數(shù)據(jù)。當把第一擦除驗證電壓加到cell柵極時，cell會產生相應的電流，同預設的參考電流值進行比較，判斷是“ I”還是“O”，由此判斷結果即可驗證擦除成功還是失敗。
[0095]步驟107，施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作；
[0096]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，可以大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度；
[0097]和/ 或，
[0098]所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，可以大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
[0099]參照圖4，所示為本發(fā)明的一種Erase Pulse擦除脈沖示意圖，對于施加的第一擦除脈沖以及第二擦除脈沖的具體條件如下:
[0100]條件1:在本發(fā)明實施例中所用到的第一次擦除循環(huán)中的擦除脈沖Erase Pulsel比第二次擦除循環(huán)中的擦除脈沖Erase Pulse2的時間要長，比如8ms、IOms等,但并不限于此，即在本發(fā)明實施例中所用到的Erase Pulse2比Erase Pulsel的時間要短，比如Ims>2ms等,但并不限于此。
[0101]條件2:—般情況下，第一次擦除循環(huán)中Erase施加的擦除電壓強度Vl要大于或至少等于第二次擦除循環(huán)中Erase2循環(huán)中用到的Erase擦除電壓強度V2，但并不限于此。
[0102]需要說明的是，上述的兩個條件不管是單獨滿足還是同時滿足，均屬于本發(fā)明的保護范圍，本發(fā)明不對此做限制。
[0103]步驟108，對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作；
[0104]對于施加了第二次循環(huán)的擦除脈沖的目標擦除塊接著進行0EV2 (過擦除驗證)操作，目的同樣是對可能存在的被過擦除的閾值電壓低于OV的“r’cell進行一次較弱的編程將cell的閾值電壓推到OV以上，0EV2的實現(xiàn)條件可以與OEVl中條件相同，可以進一步消除可能造成的漏電流。
[0105]步驟109，判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟110 ；
[0106]較佳地，對于在第二次擦除循環(huán)中的擦除操作同樣可以設置最大施加擦除脈沖次數(shù)，當施加擦除脈沖的次數(shù)達到最大脈沖次數(shù)時，可跳出第一次擦除操作的循環(huán)，避免造成第二次的擦除操作的陷入死循環(huán)。
[0107]步驟110，對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作；
[0108]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓可以高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0109]所述第二擦除驗證操作可以通過在cell柵極施加第二擦除驗證電壓，從而讀取cell電流，并將其與第二擦除驗證參考電流值進行比較，進而用來判斷第二擦除是否成功。為了避免將cell的閾值電壓過分減低，可以設置第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0110]步驟111，判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則返回步驟107 ；
[0111]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述步驟111具體可以包括如下子步驟:
[0112]子步驟S21，對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流；
[0113]子步驟S22，判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值；若是，則執(zhí)行子步驟S23，若否，則執(zhí)行子步驟S24 ；
[0114]子步驟S23，判定所述第二擦除驗證操作成功；
[0115]子步驟S24，判定所述第二擦除驗證操作失敗。
[0116]在實際中，校驗是否第二擦除成功的方法與校驗第一擦除成功的方法相同，是使用第二擦除驗證電壓去讀cell中所存儲的數(shù)據(jù)。當把第二擦除驗證電壓加到cell柵極時，cell會產生相應的電流，同預設的參考電流值進行比較，判斷是“I”還是“0”，由此判斷結果即可驗證擦除成功還是失敗。
[0117]步驟112，對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
[0118]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓可以高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0119]具體地，在本發(fā)明實施例中，所述的第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓可以為0.8V，所述的第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓可以為0.3V-0.4V，第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓大于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓，可以進一步使cell的閾值電壓上推。
[0120]以下進一步結合圖5所示的本發(fā)明的一種降低過擦除風險的擦除驗證機制原理示意圖來說明本實施例，其中，X軸表示Threshold Voltage (閾值電壓VT), Y軸表示cell的個數(shù)，具體實現(xiàn)步驟如下:
[0121]Stepl:對目標擦除塊施加編程電壓(PV)進行預編程操作，使得使cell處于高閾值電壓狀態(tài)；
[0122]Step2:對目標擦除塊進行第一次擦除操作，使得cell的處于低閾值電壓狀態(tài)，接著對于進行擦除的cell進行第一擦除校驗EVl，避免cell的閾值電壓過低，出現(xiàn)漏電流。
[0123]Step3:對目標擦除塊進行第二次擦除操作，使得cell的閾值電壓進一步降低，接著同樣對于進行擦除的cell進行第二擦除校驗EV2，避免cell的閾值電壓過低，出現(xiàn)漏電流。在本發(fā)明實施例中，EVl針對存儲單元施加的電壓可以高于EV2針對存儲單元施加的電壓。
[0124]通過上述步驟，使得cell的閾值電壓處于正常狀態(tài)，這樣在使用讀取(read)電壓讀取cell中的數(shù)據(jù)時不會錯誤。
[0125]需要說明的是，對于方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領域技術人員應該知悉，本申請并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本申請，某些步驟可以采用其他順序或者同時進行。其次，本領域技術人員也應該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作并不一定是本申請所必須的。
[0126]參照圖6，所示為本發(fā)明一種存儲器擦除的裝置實施例的結構框圖，具體可以包括如下模塊:
[0127]預編程模塊201，用于對目標擦除塊進行預編程操作；
[0128]第一擦除模塊202，用于施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作；
[0129]第一過擦除驗證模塊203，用于對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作；
[0130]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓可以高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0131]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述預編程操作為將目標擦除塊中的存儲單元編程可以為O值；所述過擦除驗證操作可以為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值可以為0V，所述預設的編程電壓可以為0V-2V中的任一值。
[0132]第一次數(shù)判斷模塊204，用于判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊212，若否，則調用第一擦除驗證模塊205 ；
[0133]第一擦除驗證模塊205，用于對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作；
[0134]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第一擦除判斷模塊可以包括如下子模塊:
[0135]第一電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流；
[0136]第一電流判斷子模塊，用于判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值；若是，則調用第一驗證成功子模塊，若否，則調用第一驗證失敗子模塊；
[0137]第一驗證成功子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作成功；
[0138]第一驗證失敗子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作失敗。
[0139]第一擦除判斷模塊206，用于判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第二擦除207，若否，則調用第一擦除模塊202 ；
[0140]第二擦除模塊207，用于施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作；
[0141]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，可以大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度；
[0142]和/ 或，
[0143]所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，可以大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
[0144]第二過擦除驗證模塊208，用于對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作；
[0145]第二次數(shù)判模塊209，用于判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊212，若否，則調用第二擦除驗證模塊210 ；
[0146]第二擦除驗證模塊210，用于對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作；
[0147]第二擦除判斷模塊211，用于判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第三過擦除模塊212，若否，則返回第二擦除模塊207 ；
[0148]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第二擦除判斷模塊可以包括如下子模塊:
[0149]第二電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流；
[0150]第二電流判斷子模塊，用于判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值；若是，則調用第二驗證成功子模塊，若否，則調用第二驗證失敗子模塊；
[0151]第二驗證成功子模塊，用于判定所述第二擦除驗證操作成功；
[0152]第二驗證失敗子模塊判定所述第二擦除驗證操作失敗。
[0153]第三過擦除模塊212，用于對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
[0154]在本發(fā)明的一種優(yōu)選實施例中，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
[0155]對于裝置實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關之處參見方法實施例的部分說明即可。
[0156]本說明書中的各個實施例均采用遞進的方式描述，每個實施例重點說明的都是與其他實施例的不同之處，各個實施例之間相同相似的部分互相參見即可。
[0157]以上對本發(fā)明所提供的一種存儲器擦除的方法和裝置，進行了詳細介紹，本文中應用了具體個例對本發(fā)明的原理及實施方式進行了闡述，以上實施例的說明只是用于幫助理解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領域的一般技術人員，依據(jù)本發(fā)明的思想，在【具體實施方式】及應用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本說明書內容不應理解為對本發(fā)明的限制。
【權利要求】
1.一種存儲器擦除的方法，其特征在于，包括: 步驟101，對目標擦除塊進行預編程操作； 步驟102，施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作； 步驟103，對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作； 步驟104，判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟105 ； 步驟105，對所述目標擦除塊進行第一擦除驗證操作； 步驟106，判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟107，若否，則返回步驟102 ； 步驟107，施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作； 步驟108，對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作； 步驟109，判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則執(zhí)行步驟110 ； 步驟110，對所述目標擦 除塊進行第二擦除驗證操作； 步驟111，判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則執(zhí)行步驟112，若否，則返回步驟107 ； 步驟112，對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
2.根據(jù)權利要求1所述的方法，其特征在于，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度； 和/或， 所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
3.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷第一擦除驗證操作是否成功的步驟包括: 對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流； 判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值； 若是，則判定所述第一擦除驗證操作成功； 若否，則判定所述第一擦除驗證操作失敗。
4.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述判斷第二擦除驗證操作是否成功的步驟包括: 對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流； 判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值； 若是，則判定所述第二擦除驗證操作成功； 若否，則判定所述第二擦除驗證操作失敗。
5.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
6.如權利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
7.如權利要求1或5所述的方法，其特征在于，所述預編程操作為將目標擦除塊中的存儲單元編程為O值；所述過擦除驗證操作為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值為0V，所述預設的編程電壓為0V-2V中的任一值。
8.一種存儲器擦除的裝置，其特征在于，包括: 預編程模塊，用于對目標擦除塊進行預編程操作； 第一擦除模塊，用于施加第一擦除脈沖對經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第一擦除操作； 第一過擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第一過擦除驗證操作； 第一次數(shù)判斷模塊，用于判斷所述施加第一擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第一擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則調用第一擦除驗證模塊； 第一擦除驗證模塊，用于對所述目 標擦除塊進行第一擦除驗證操作； 第一擦除判斷模塊，用于判斷所述第一擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第二擦除，若否，則調用第一擦除模塊； 第二擦除模塊，用于施加第二擦除脈沖對所述經(jīng)過預編程操作的目標擦除塊進行第二擦除操作； 第二過擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第二過擦除驗證操作； 第二次數(shù)判模塊，用于判斷施加第二擦除脈沖的次數(shù)是否達到最大預設的第二擦除次數(shù)；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則調用第二擦除驗證模塊； 第二擦除驗證模塊，用于對所述目標擦除塊進行第二擦除驗證操作； 第二擦除判斷模塊，用于判斷所述第二擦除驗證操作是否成功；若是，則調用第三過擦除模塊，若否，則返回第二擦除模塊； 第三過擦除模塊，用于對所述目標擦除塊進行第三過擦除驗證操作。
9.根據(jù)權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述在第一擦除操作中施加的第一擦除脈沖的強度，大于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的強度； 和/或， 所述在第一擦除操作中施加第一擦除脈沖的時間，大于或等于在所述第二擦除操作中施加的第二擦除脈沖的時間。
10.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一擦除判斷模塊包括: 第一電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第一擦除驗證電壓并生成第一閾值電流； 第一電流判斷子模塊，用于判斷所述第一閾值電流是否高于第一預設電流值；若是，則調用第一驗證成功子模塊，若否，則調用第一驗證失敗子模塊； 第一驗證成功子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作成功； 第一驗證失敗子模塊，用于判定所述第一擦除驗證操作失敗。
11.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第二擦除判斷模塊包括: 第二電壓子模塊，用于對所述目標擦除塊中存儲單元施加第二擦除驗證電壓并生成第二閾值電流； 第二電流判斷子模塊，用于判斷所述第二閾值電流是否高于第二預設電流值；若是，則調用第二驗證成功子模塊，若否，則調用第二驗證失敗子模塊； 第二驗證成功子模塊，用于判定所述第二擦除驗證操作成功； 第二驗證失敗子模塊判定所述第二擦除驗證操作失敗。
12.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第三過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第一過擦除驗證操作和第二過擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
13.如權利要求8所述的裝置，其特征在于，所述第一擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓高于第二擦除驗證操作針對存儲單元施加的電壓。
14.如權利要求8或12所述的裝置，其特征在于，所述預編程操作為將目標擦除塊中的存儲單元編程為O值；所述過擦除驗證操作為采用預設的編程電壓針對閾值電壓低于特定電壓值，并且值為I的存儲單元進行編程；其中，所述特定電壓值為0V，所述預設的編程電壓為0V-2V中的任 一值。
【文檔編號】G11C16/14GK104051012SQ201310084243
【公開日】2014年9月17日 申請日期:2013年3月15日 優(yōu)先權日:2013年3月15日
【發(fā)明者】張現(xiàn)聚, 丁沖, 蘇志強, 程瑩 申請人:北京兆易創(chuàng)新科技股份有限公司