用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備和用于讀取存儲(chǔ)單元的方法
【專利摘要】公開一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備和用于讀取存儲(chǔ)單元的方法。公開的示例性方法包含：在存儲(chǔ)單元的讀周期期間，在該存儲(chǔ)單元上施加電流，來讀取該存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。在該存儲(chǔ)單元的后續(xù)讀周期期間，沿相反方向在該存儲(chǔ)單元上施加后續(xù)電流，來讀取該存儲(chǔ)單元的該內(nèi)容。
【專利說明】用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備和用于讀取存儲(chǔ)單元的方法
【背景技術(shù)】
[0001]絕緣或半導(dǎo)體基質(zhì)中摻雜劑的存在能夠提高基質(zhì)的導(dǎo)電率。摻雜劑能夠被引入到基質(zhì)中或在基質(zhì)中移動(dòng)，以動(dòng)態(tài)地更改電氣裝置的電氣操作。在一些情況下，通過在基質(zhì)上施加電流，能夠誘發(fā)摻雜劑移動(dòng)或運(yùn)動(dòng)。在施加電流之后，摻雜劑的位置和特性保持穩(wěn)定，直到另一電流的施加足以使摻雜劑移位。典型地，改變摻雜劑在基質(zhì)中的布局會(huì)導(dǎo)致裝置的電阻改變。通過基于摻雜劑的電阻改變而顯示歷史電氣條件的記憶的電氣裝置被稱為憶阻裝置。
【專利附圖】

【附圖說明】
[0002]圖1A和圖1B例示了現(xiàn)有技術(shù)的存儲(chǔ)單元。
[0003]圖2例示了示例性存儲(chǔ)器接口配置。
[0004]圖3例示了示例性存儲(chǔ)器模塊。
[0005]圖4例示了另一示例性存儲(chǔ)器模塊。
[0006]圖5A例示了在出現(xiàn)存儲(chǔ)單元的寫周期之前根據(jù)在此公開的教導(dǎo)操作的示例性存儲(chǔ)單元。
[0007]圖5B例示了在出現(xiàn)存儲(chǔ)單元的寫周期之后的圖5A的示例性存儲(chǔ)單元。
[0008]圖5C例示了在出現(xiàn)存儲(chǔ)單元的第一讀周期之后的圖5B的示例性存儲(chǔ)單元。
[0009]圖例示了在出現(xiàn)存儲(chǔ)單元的第二讀周期之后的圖5C的示例性存儲(chǔ)單元。
[0010]圖6A和圖6B例示了能夠用于對(duì)圖5A-?所示的示例性存儲(chǔ)單元提供電流的示例性電路。
[0011]圖7是例示能夠用于讀取存儲(chǔ)器內(nèi)容的示例性過程的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0012]憶阻裝置將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)為與該憶阻裝置內(nèi)的摻雜劑分布狀態(tài)相對(duì)應(yīng)的電阻。由于該憶阻裝置內(nèi)的摻雜劑分布是先前所施加的電流的反映，因此憶阻裝置承載已被施加至該憶阻裝置的歷史電流的記憶。
[0013]因而，憶阻裝置適合用作存儲(chǔ)單元。傳統(tǒng)上，用于將數(shù)據(jù)寫入(如，將位設(shè)置為“I”或?qū)⑽磺鍨椤癘”)憶阻存儲(chǔ)單元的技術(shù)包含在寫周期期間在憶阻存儲(chǔ)單元上施加寫入電流。憶阻存儲(chǔ)單元的傳統(tǒng)讀取包含在第一讀周期期間沿第一方向在憶阻存儲(chǔ)單元上施加讀電流，并且在后續(xù)讀周期期間沿相同(即，第一)方向施加讀電流。
[0014]然而，在用于讀取憶阻存儲(chǔ)單元的已知方法中，沿相同方向在憶阻存儲(chǔ)單元上反復(fù)施加讀電流會(huì)增加憶阻存儲(chǔ)單元中的摻雜劑。這種摻雜劑的增加可能需要越來越大安培數(shù)的讀電流來使檢測電路讀取存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)，可能需要更高的電壓源和/或電流源來產(chǎn)生更高的讀電流，和/或可能需要更長的時(shí)間來使檢測電路讀取存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元中的數(shù)據(jù)。反復(fù)地沿相同方向在憶阻存儲(chǔ)單元上施加讀電流最終將摻雜劑水平提高到會(huì)致使憶阻存儲(chǔ)單元在存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)上無效或不令人滿意的極高濃度或密度。即，摻雜劑再分布的積累將足以讀取憶阻存儲(chǔ)單元的檢測電流的量沿偏離標(biāo)定中心點(diǎn)的正方向或負(fù)方向遠(yuǎn)離該標(biāo)定中心點(diǎn)。因此，用于讀取存儲(chǔ)單元的內(nèi)容的檢測邏輯或檢測電路的靈敏度隨時(shí)間減小，最終致使存儲(chǔ)單元不能操作或不令人滿意。在一些情況下，施加過高的讀電流和/或過長時(shí)間施加讀電流會(huì)無意地更改或擾亂存儲(chǔ)在存儲(chǔ)單元中的信息。
[0015]與用于讀取存儲(chǔ)單元的已知方法不同，本文中公開的示例性方法、設(shè)備和制品能夠用于讀取諸如憶阻存儲(chǔ)單元的存儲(chǔ)單元，同時(shí)降低和在一些示例中消除存儲(chǔ)單元中摻雜劑濃度或分布的不期望增加。因此，實(shí)現(xiàn)了這種存儲(chǔ)單元使用壽命的延長。
[0016]在一些公開的示例性方法中，在存儲(chǔ)單元的第一讀周期期間，沿第一方向在存儲(chǔ)單元上施加第一電流，以讀取存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。在相同存儲(chǔ)單元的第二讀周期期間，沿與第一方向相反的第二方向在該存儲(chǔ)單元上施加第二電流，以減少對(duì)存儲(chǔ)單元壽命的影響的方式(如，不增加摻雜劑分布)讀取存儲(chǔ)單元的內(nèi)容。
[0017]在一些公開的示例性電路中，在存儲(chǔ)單元的第一讀周期期間，通過在該存儲(chǔ)單元上施加用于將該存儲(chǔ)單兀摻雜劑的第一分布改變?yōu)榈诙植嫉牡谝浑娏?，來讀取該存儲(chǔ)單兀的內(nèi)容。摻雜劑的第一分布和第二分布代表相同的存儲(chǔ)信息。然而，第二摻雜劑分布具有大于第一摻雜劑分布的摻雜劑濃度。在該存儲(chǔ)單元的第二讀周期期間，一些此類示例性電路通過在該存儲(chǔ)單元上施加用于將摻雜劑的第二分布改變?yōu)閾诫s劑的第一分布的第二電流，來讀取該存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，而不改變存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)單元中的信息。
[0018]圖1A和圖1B例示了已知存儲(chǔ)器100的操作。憶阻裝置基于諸如二氧化鈦的基質(zhì)材料內(nèi)的諸如氧(O2)的摻雜劑的運(yùn)動(dòng)來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。具體地，向這種憶阻裝置施加足夠大小的電流改變了基質(zhì)材料內(nèi)的摻雜劑水平。摻雜劑的變化更改該憶阻裝置的電阻。在施加電流之后，摻雜劑分布的變化產(chǎn)生了代表存儲(chǔ)信息(如，“O”或“ I ”)的電阻特性。摻雜劑材料長期保持該狀態(tài)，由此保存施加至該憶阻裝置的歷史電流的記憶。在向憶阻裝置施加強(qiáng)度或持續(xù)時(shí)間足以引起摻雜劑運(yùn)動(dòng)的另一電流之前，憶阻裝置的電阻特性保持穩(wěn)定，因此憶阻裝置繼續(xù)存儲(chǔ)相同的數(shù)據(jù)。
[0019]因而，已知憶阻裝置已被用作存儲(chǔ)單元。傳統(tǒng)上，用于將數(shù)據(jù)(如，一個(gè)或多個(gè)位)寫入憶阻存儲(chǔ)單元的技術(shù)包含在寫周期期間在該憶阻存儲(chǔ)單元上施加寫入電流。憶阻存儲(chǔ)單元的傳統(tǒng)讀取包含在讀周期期間在憶阻存儲(chǔ)單元上施加讀電流。在傳統(tǒng)的憶阻存儲(chǔ)單元中，在所有讀周期期間，將沿相同方向施加讀電流。
[0020]圖1A示出了傳統(tǒng)的憶阻存儲(chǔ)單元102。如圖1A所例示，憶阻存儲(chǔ)單元102與電流源104連接。詳細(xì)地，電流源104的正端與憶阻存儲(chǔ)單元102的第一端102a連接，并且電流源104的負(fù)端與憶阻存儲(chǔ)單元102的第二端102b連接。在憶阻存儲(chǔ)單元102中，憶阻基質(zhì)102c介于第一端102a與第二端102b之間。圖1A的憶阻基質(zhì)102c具有摻雜區(qū)域106和未摻雜區(qū)域108。為了使用憶阻基質(zhì)102c來存儲(chǔ)數(shù)據(jù)，其摻雜被設(shè)置成第一狀態(tài)。摻雜從第一狀態(tài)被操縱或改變至第二狀態(tài)，以存儲(chǔ)不同的數(shù)據(jù)。圖1A所例示的憶阻基質(zhì)102c處于第一狀態(tài)并存儲(chǔ)二進(jìn)制“O”?？梢酝ㄟ^向憶阻存儲(chǔ)單元102施加足夠安培數(shù)的寫入電流來引起足夠的摻雜劑移動(dòng)，從而改變憶阻存儲(chǔ)單元102的電阻并且將憶阻存儲(chǔ)單元102置于第二狀態(tài)，來改變存儲(chǔ)到憶阻存儲(chǔ)單元102的信息。
[0021]圖1B示出了在已施加寫入電流來引起足夠的摻雜劑移動(dòng)從而將憶阻存儲(chǔ)單元102置于第二狀態(tài)之后的圖1A的傳統(tǒng)憶阻存儲(chǔ)單元102。在圖1B中，寫入電流足以改變憶阻基質(zhì)102c的摻雜劑分布，使得存儲(chǔ)在憶阻基質(zhì)102c中的數(shù)據(jù)從二進(jìn)制“O”(如圖1A所示的第一狀態(tài))改變?yōu)槎M(jìn)制“I”(如圖1B所示的第二狀態(tài))。一旦信息被存儲(chǔ)到憶阻基質(zhì)102c，就可以通過施加足夠安培數(shù)的讀電流來引起憶阻基質(zhì)102c兩端的電壓降或電勢差，來讀取信息。根據(jù)歐姆定律，電壓(V)等于電流(I)乘以電阻(R) (S卩，V=IR)。因而，在將讀電流施加至憶阻存儲(chǔ)單元102之后，測量憶阻存儲(chǔ)單元102兩端產(chǎn)生的電壓降，確定該單元的電阻。由于圖1A的摻雜劑分布導(dǎo)致與圖1B的摻雜劑分布不同的電阻，因此確定憶阻存儲(chǔ)單元102兩端的電壓降和/或電阻足以確定存儲(chǔ)到憶阻存儲(chǔ)單元102的憶阻基質(zhì)102c的信息的狀態(tài)。換句話說，所測量的憶阻存儲(chǔ)單元102兩端的電壓降或電勢差代表存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元102中的信息。
[0022]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖2，公開了包括有效地聯(lián)接到存儲(chǔ)器204的存儲(chǔ)控制器202的示例性存儲(chǔ)器接口 200。存儲(chǔ)控制器202可以是獨(dú)立的存儲(chǔ)控制器集成電路(IC)或在處理器芯片中實(shí)現(xiàn)的嵌入式存儲(chǔ)控制器(如，與處理器在相同的模具上制造或位于相同的芯片封裝中)。在例示的示例中，存儲(chǔ)器204是憶阻存儲(chǔ)器。憶阻存儲(chǔ)器204可以是單個(gè)憶阻存儲(chǔ)器IC或包括多個(gè)憶阻存儲(chǔ)器IC的存儲(chǔ)器模塊。在一些示例中，憶阻存儲(chǔ)器204是在處理器芯片(如，處理器208)中實(shí)現(xiàn)的嵌入式存儲(chǔ)器。在例示的示例中，存儲(chǔ)器接口 200包括一條或多條總線206。提供一條或多條總線206，是為了在存儲(chǔ)器204和存儲(chǔ)控制器202之間交換諸如數(shù)據(jù)、控制信號(hào)和/或類似物的信息。
[0023]圖3和圖4例示了示例性存儲(chǔ)器模塊300和400。在圖3例示的示例中，PCB內(nèi)聯(lián)存儲(chǔ)器模塊300被實(shí)現(xiàn)為包括安裝在PCB304上的四個(gè)存儲(chǔ)器芯片302a-d的多芯片存儲(chǔ)器模塊。存儲(chǔ)器芯片302a-d中的每一個(gè)包括存儲(chǔ)單元陣列。詳細(xì)地，存儲(chǔ)器芯片302a包括存儲(chǔ)單元陣列306a，存儲(chǔ)器芯片302b包括存儲(chǔ)單元陣列306b，存儲(chǔ)器芯片302c包括存儲(chǔ)單元陣列306c，并且存儲(chǔ)器芯片302d包括存儲(chǔ)單元陣列306d。存儲(chǔ)器芯片302a_d中的每一個(gè)還包括各自的讀/寫電路308a-d，用于讀取陣列306a-d中對(duì)應(yīng)的陣列中的數(shù)據(jù)和/或?qū)?shù)據(jù)寫入陣列306a-d中對(duì)應(yīng)的陣列中。在例示的示例中，電路308a-d與各自對(duì)應(yīng)的存儲(chǔ)器芯片302a-d的存儲(chǔ)單元陣列306a-d并置。例如，存儲(chǔ)器芯片302a的電路308a有效地聯(lián)接到存儲(chǔ)單元陣列306a。在例示的示例中，電路308a-d中的每一個(gè)能夠?qū)⑦壿嬛祵懭氪鎯?chǔ)器芯片302a-d的對(duì)應(yīng)陣列306a-d中的一個(gè)或多個(gè)存儲(chǔ)單元，或從中讀取邏輯值。
[0024]圖3的例示存儲(chǔ)器模塊300包括與存儲(chǔ)器芯片302a_d的讀/寫電路308a_d連接的模塊控制器310。在一些示例中，施加至存儲(chǔ)器芯片302a-d的讀和/或?qū)懭腚娏饔赡K控制器310控制，由電路308a-d控制，或由兩者的結(jié)合控制。在一些示例中，模塊控制器310控制向存儲(chǔ)單元陣列306a-d中的一個(gè)或多個(gè)施加電流(如，寫入電流、讀電流或兩者)。在一些示例中，模塊控制器310與存儲(chǔ)器芯片302a-d的電路308a_d中的一個(gè)或多個(gè)協(xié)作，以控制向存儲(chǔ)單元陣列306a-d施加電流(如，寫入電流、讀電流或兩者)。在一些示例中，模塊控制器310使能流向電路308a的電流，并且電路308a將電流施加或沿特定路線傳送到存儲(chǔ)單元陣列306a。如本文中公開的，當(dāng)施加讀電流時(shí)，本示例的電路308a在沿第一方向施加電流與沿與第一方向相反的第二方向施加電流之間更替進(jìn)行。在一些示例中，模塊控制器310向電路308a傳送電流，并且電路308a放大或減弱該電流并將該電流傳送到存儲(chǔ)單元陣列306a。
[0025]圖4示出了示例性芯片堆疊存儲(chǔ)器模塊400。示例性芯片堆疊存儲(chǔ)器模塊400包括堆疊在第二 IC模具404上的第一 IC模具402。IC模具402和404承載于球柵陣列(BGA)芯片封裝406上。在例示的示例中，第一 IC模具402可以是憶阻存儲(chǔ)器，并且第二 IC模具404可以是另一個(gè)憶阻存儲(chǔ)器或任何其它類型的存儲(chǔ)器(如，SDRAM、SRAM或閃速存儲(chǔ)器)或IC (如，處理器、控制器，等等)。在一些示例中，模具被堆疊在處理器或控制器模具上，和/或模具的一個(gè)或多個(gè)地址線、控制線和/或數(shù)據(jù)線直接通到芯片堆疊封裝內(nèi)部的處理器或控制器模具。在這種示例中，可能不需要從芯片堆疊封裝外部的存儲(chǔ)器訪問?？商娲鼗虼送?，為了使能外部存儲(chǔ)器訪問，存儲(chǔ)器IC模具的地址線、控制線和/或數(shù)據(jù)線能夠通到外部芯片接口(如，BGA焊盤、表面安裝焊盤、芯片引線，等等)。盡管芯片堆疊存儲(chǔ)器模塊400被示出為BGA封裝，但也可使用其它類型的封裝。
[0026]圖5A-?是憶阻存儲(chǔ)單元502的示例性示意圖。將關(guān)于讀取存儲(chǔ)單元502，同時(shí)減少、消除或防止憶阻存儲(chǔ)單元502中不期望的摻雜劑分布或濃度的示例性方法，來引用圖5A-5D，其中不期望的摻雜劑分布或濃度會(huì)致使憶阻存儲(chǔ)單元502在存儲(chǔ)和讀取數(shù)據(jù)時(shí)無效或不令人滿意。即，使用用于讀取憶阻存儲(chǔ)單元的現(xiàn)有技術(shù)方法，沿相同方向在憶阻存儲(chǔ)單元上反復(fù)施加讀電流會(huì)不期望地增加憶阻存儲(chǔ)單元中的摻雜劑分布或濃度。這種摻雜齊U分布或濃度上的增加會(huì)達(dá)到使該單元的電阻減小的水平，因此，根據(jù)歐姆定律(V=IR),檢測電路為讀取存儲(chǔ)到憶阻存儲(chǔ)單元的數(shù)據(jù)所需的讀電流變得過高。即，隨著摻雜劑濃度在憶阻存儲(chǔ)單元中增加，存儲(chǔ)單元電阻減小。隨著存儲(chǔ)單元的電阻減小，為生成存儲(chǔ)單元兩端的足以讀取存儲(chǔ)單元的內(nèi)容的電壓降或電勢差所需的電流增加。最終，憶阻存儲(chǔ)單元中摻雜劑分布或濃度的反復(fù)增加會(huì)致使憶阻存儲(chǔ)單元無效或不令人滿意，這是因?yàn)椋缬糜谏勺銐螂妷航祷螂妱莶畹淖x電流安培數(shù)變得太高。
[0027]為了例示目的，圖5A-?例示了隨著兩端502a與502b之間摻雜劑材料的移動(dòng)摻雜劑水平的示例性變化。然而，在一些示例中，摻雜劑水平、濃度或分布的變化會(huì)隨著憶阻存儲(chǔ)單元502中均勻或基本上均勻分布的摻雜劑的密度的變化而發(fā)生。在這種示例中，向增加的摻雜劑濃度或分布的偏移導(dǎo)致相對(duì)密集的摻雜劑分布，反之向減小的摻雜劑分布或濃度的偏移導(dǎo)致相對(duì)稀疏的摻雜劑分布。
[0028]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖5A，在出現(xiàn)存儲(chǔ)單元502的寫周期之前示出了示例性憶阻存儲(chǔ)單元502和示例性電流源504。盡管圖5A-5D的示例僅示出了存儲(chǔ)單元502和電流源504，但是一個(gè)或多個(gè)附加裝置可聯(lián)接到憶阻存儲(chǔ)單元502、電流源504或兩者。例如，檢測電路(未示出)能夠有效地聯(lián)接到憶阻存儲(chǔ)單元502，以讀取存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元502中的數(shù)據(jù)。如圖5A所例示，電流源504的正端與憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a連接，并且電流源504的負(fù)端與憶阻存儲(chǔ)單元502的第二端502b連接。位于憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a和第二端502b之間的是憶阻基質(zhì)502c。例示的憶阻基質(zhì)502c是諸如二氧化鈦的基質(zhì)材料，其中影響基質(zhì)材料中的摻雜劑(如，氧(O2))再分布來存儲(chǔ)信息。如圖5A所例示，憶阻基質(zhì)502c具有表示為D0510a的摻雜劑分布或濃度。
[0029]圖5A-?所例示的憶阻基質(zhì)502c能夠?qū)⑿畔⒋鎯?chǔ)為二進(jìn)制“I”或二進(jìn)制“O”。然而，憶阻基質(zhì)502c不一定存儲(chǔ)二進(jìn)制信息，而可改為存儲(chǔ)不同類型的信息。例如，憶阻基質(zhì)502c能夠存儲(chǔ)三進(jìn)制(三電平)信息。如所示，閾值T1508A和T2508B在概念上分離憶阻基質(zhì)502c的區(qū)域506a、506b和506c。在例示的示例中，相對(duì)于移動(dòng)摻雜劑水平的示意圖，示意性地示出了閾值T1508A和T2508B。在一些示例中，閾值T1508a和T2508b是代表或量化在憶阻基質(zhì)502c中均勻或基本上均勻分布的摻雜劑的稀疏或密集的值。
[0030]在例示的示例中，憶阻基質(zhì)502c在憶阻基質(zhì)502c的摻雜劑分布或濃度位于區(qū)域506a中時(shí)存儲(chǔ)二進(jìn)制“0”，而在憶阻基質(zhì)502c的摻雜劑分布位于區(qū)域506c中時(shí)存儲(chǔ)二進(jìn)制“I”。在一些示例中，憶阻基質(zhì)502c能夠配有用于分離區(qū)域506a和506c的滯后區(qū)域506b。在例示的示例中，當(dāng)摻雜劑濃度或分布位于滯后區(qū)域506b中時(shí)，憶阻基質(zhì)502c不會(huì)確定性地存儲(chǔ)任何信息。在圖5A例示的憶阻基質(zhì)502c中，摻雜劑分布D0510a位于區(qū)域506a中，因此，在例示的示例中，憶阻基質(zhì)502c存儲(chǔ)二進(jìn)制“O”。
[0031]在圖5B例示的示例中，在出現(xiàn)憶阻存儲(chǔ)單元502的寫周期之后示出了憶阻存儲(chǔ)單元502。在圖5B例示的示例中，寫周期改變憶阻基質(zhì)502c中的摻雜劑水平，以將二進(jìn)制“I”存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元502中。如圖5B所例示，電流源504沿從憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a流向第二端502b的方向施加寫入電流1505a。示例性寫入電流1505a是可基于用于制造憶阻存儲(chǔ)單元502的制造工藝、模具技術(shù)、娃幾何大小(silicon geometry)、摻雜劑材料等選擇的直流電流。如圖5B所例示，示例性寫入電流IjOSa促使憶阻基質(zhì)502c中的摻雜劑從摻雜劑分布D0510a (如圖5A所示)移動(dòng)到摻雜劑分布D1510b。如圖5B所示，摻雜劑分布D1510b位于區(qū)域506c中，因此，在例示的示例中，憶阻基質(zhì)502c存儲(chǔ)二進(jìn)制“ I ”，其中二進(jìn)制“I”能夠在后續(xù)讀周期期間被讀取為二進(jìn)制“I”。在圖5B例示的示例中，例示的摻雜劑分布或濃度D1510b相對(duì)靠近閾值T2508B。
[0032]現(xiàn)在轉(zhuǎn)向圖5C，在一個(gè)或多個(gè)讀周期之后，示出了圖5B中例示的憶阻存儲(chǔ)單元502，其中示例性讀電流I2505b被施加至憶阻存儲(chǔ)單元502。如圖5C所例示，電流源504沿從憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a流向第二端502b的方向施加讀電流I2505b。示例性讀電流I2505b是可基于用于制造憶阻存儲(chǔ)單元502的制造工藝、模具技術(shù)、硅幾何大小、摻雜劑材料等選擇的直流電流。如圖5C所例示，并且如上所解釋，該讀電流導(dǎo)致憶阻基質(zhì)502c中的摻雜劑濃度或分布從摻雜劑分布或濃度D1510b (圖5B所示)到摻雜劑分布或濃度D2510C的不期望增加或移動(dòng)。在例示的示例中，摻雜劑分布D2510C相對(duì)于圖5B的摻雜劑分布D1510b進(jìn)一步從閾值T2508B延伸。
[0033]分析如圖5B和圖5C所示的憶阻基質(zhì)502c的摻雜劑狀態(tài)揭示了摻雜劑分布D1510b靠近圖5B中的閾值T2508B，而摻雜劑分布D2510C遠(yuǎn)離圖5C中的閾值T2508B。這樣，與圖5B中的憶阻基質(zhì)502c相比，圖5C中的憶阻基質(zhì)502c被摻雜的程度更高。通常，隨著憶阻基質(zhì)的摻雜增加，足以產(chǎn)生憶阻存儲(chǔ)單元兩端的可測量電壓降的讀電流的安培數(shù)也增加，但是存儲(chǔ)在其中的信息保持不變。因此，對(duì)于圖5B和5C所示的例示憶阻存儲(chǔ)單元502的摻雜狀態(tài)，摻雜分布D1510b和D2510c將存儲(chǔ)相同的信息(如，二進(jìn)制“ I”)。然而，相比于當(dāng)憶阻基質(zhì)502c具有如圖5B所示的摻雜劑分布D1510b時(shí)讀取憶阻基質(zhì)502c所需的安培數(shù)，為了讀取具有如圖5C所示的摻雜劑分布D2510C的例示憶阻基質(zhì)502c的內(nèi)容，摻雜劑分布D2510C要求足夠的更高讀電流。
[0034]讀取憶阻存儲(chǔ)單元的傳統(tǒng)方法在每個(gè)讀周期沿相同方向施加讀電流。然而，這樣做會(huì)過度地增加憶阻基質(zhì)的摻雜，并要求更大安培數(shù)的讀電流來在憶阻存儲(chǔ)單元兩端產(chǎn)生可測量的電壓降。例如，在圖5C所例示的憶阻存儲(chǔ)單元502中，如果與I2505b類似或相同的后續(xù)讀電流沿讀電流I2505b的方向被施加至憶阻存儲(chǔ)單元502，則憶阻基質(zhì)502c的摻雜劑分布將繼續(xù)增加，導(dǎo)致需要更大安培數(shù)的讀電流來讀取相同的存儲(chǔ)信息。[0035]轉(zhuǎn)向圖在出現(xiàn)第二讀周期之后，示出了圖5C的憶阻存儲(chǔ)單元502，其中讀電流I3505c被施加在憶阻存儲(chǔ)單元502上。與其中對(duì)于每個(gè)讀周期都沿相同方向施加讀電流的傳統(tǒng)方法不同，圖所例示的讀電流I3505c的方向與圖5C所例示的讀電流I2505b的方向相反。詳細(xì)地，電流源504被反向，使得電流源504沿從端502b流向端502a的方向傳送電流。以該方式，電流源504沿與圖5B和圖5C的讀電流1505a和I2505b相反的方向施加讀電流I3505c。如圖所例示，讀電流I3505c導(dǎo)致憶阻基質(zhì)502c中的摻雜劑從不期望的摻雜劑分布D2510C減小到相對(duì)更令人滿意的摻雜劑分布D1510b。明顯地，摻雜劑分布D1510b仍然位于區(qū)域506c中，因此，憶阻基質(zhì)502c存儲(chǔ)二進(jìn)制“I”(B卩，與存儲(chǔ)在圖5B和5C中的相同的信息)，該二進(jìn)制“ I ”可在后續(xù)讀周期期間被讀取為二進(jìn)制“ I ”。示例性讀電流I3505c是可基于用于制造憶阻存儲(chǔ)單元502的制造工藝、模具技術(shù)、硅幾何大小、摻雜劑材料等選擇的直流電流。在例示的示例中，選擇示例性讀電流I3505c的電流值,使得當(dāng)施加示例性讀電流I3505c時(shí)，存儲(chǔ)在憶阻存儲(chǔ)單元502中的信息或數(shù)據(jù)不會(huì)無意地被更改、改變或刪除。有利地，圖所示的憶阻基質(zhì)502c仍存儲(chǔ)二進(jìn)制“1”，同時(shí)要求較低安培數(shù)的讀電流，轉(zhuǎn)而在后續(xù)讀周期期間要求較少的功耗。這種較少的功耗能夠有利地用于維持電池供電裝置中的電力和/或使任意電子裝置更節(jié)能。
[0036]如圖5C和所例示，在以后的讀周期期間可以輪流更替讀電流，以最小化或消除在憶阻存儲(chǔ)單元502的例示憶阻基質(zhì)502c中摻雜劑分布或濃度不期望增加所導(dǎo)致的影響。例如，參考圖5D，如果摻雜劑分布D1510b變得太靠近滯后區(qū)域506b，則可以向憶阻存儲(chǔ)單元502施加后續(xù)讀電流，以增加摻雜劑分布D1510b來遠(yuǎn)離閾值T2508B。在一些示例中，可以在預(yù)定數(shù)量的讀周期內(nèi)沿第一方向在例示的憶阻存儲(chǔ)單元502上施加讀電流，然后可以在預(yù)定數(shù)量的讀周期內(nèi)沿與第一方向相反的第二方向在例示的憶阻存儲(chǔ)單元502上施加讀電流。即，能夠每隔N個(gè)讀周期切換讀電流的方向，其中間隔參數(shù)N大于或等于I。在一些示例中，間隔參數(shù)N的值可基于性能影響選擇，其中性能影響包含用于切換電流方向的時(shí)間損失與保持憶阻基質(zhì)502c中平衡的摻雜劑分布的益處之間的權(quán)衡。例如，如果每隔例如兩個(gè)讀周期(如，N=2)切換電流方向會(huì)招致過多的時(shí)間和/或資源使用，電流方向可改為以更大的間隔(如，N=3或更大)切換。而且，考慮摻雜劑分布，如果每隔例如20個(gè)讀周期切換電流方向?qū)?dǎo)致不期望的摻雜劑分布(如，將致使存儲(chǔ)單元502不可讀或要求向存儲(chǔ)單元502施加更高的電流或要求在不期望長的持續(xù)期間向存儲(chǔ)單元502施加電流以讀取存儲(chǔ)單元的分布)，則可以更頻繁地(如，N=19或更小)切換電流方向。以該方式，可以通過平衡用于切換讀電流方向所招致的時(shí)間/資源損失與保持更期望的摻雜劑分布的益處，選擇間隔參數(shù)N的值。
[0037]在一些示例中，可以監(jiān)控憶阻存儲(chǔ)單元502兩端的電壓降或電勢差，來確定何時(shí)更替電流。例如，當(dāng)電壓降或電勢差基于相應(yīng)的電壓閾值變得太低或太高時(shí)，可以沿相反方向提供讀電流。此外或可替代地，可以測量為產(chǎn)生憶阻存儲(chǔ)單元502兩端的足夠或可接受的電壓降或電勢差所需的電流量。例如，當(dāng)讀電流基于相應(yīng)的電流閾值變得太高或太低時(shí)，能夠沿相反方向提供讀電流。以該方式，當(dāng)足以生成存儲(chǔ)單元兩端適合的電壓降或電勢差的讀電流達(dá)到預(yù)定的安培數(shù)水平時(shí)，可以在一個(gè)或多個(gè)后續(xù)讀周期更替讀電流的方向。例如，可以在每個(gè)讀周期期間沿第一方向(如，圖5C的電流I2505b的方向)向例示的憶阻存儲(chǔ)單元502上施加讀電流,直到檢測電路(未示出)確定足以讀取例示的憶阻存儲(chǔ)單元502的內(nèi)容的讀電流位于預(yù)定的水平或之上(如，由在讀周期期間不期望的高摻雜劑分布或濃度而導(dǎo)致的)。根據(jù)該確定，可以沿相反的方向(如，圖的電流I3505c的方向)向例示的憶阻存儲(chǔ)單元502上施加讀電流。
[0038]圖6A和圖6B例示了可用于更替圖5A-5D的憶阻存儲(chǔ)單元502上的電流的電路600。例示的電路600能夠用于實(shí)現(xiàn)以上結(jié)合圖5A-?公開的技術(shù)，以減少、消除或防止憶阻存儲(chǔ)單元502中不期望的高摻雜水平。圖6A和圖6B所例示的電路600是H橋式電路，其中電流源504與憶阻存儲(chǔ)單元502連接。盡管在圖6A和圖6B的例示的示例中示出了 H橋式電路，但在其它示例中，可以使用任何其它適合的電路，包括例如運(yùn)算放大器電路。在圖6A和圖6B的示例中，電流源504和憶阻存儲(chǔ)單元502與諸如PNP雙極結(jié)型晶體管(BJT)、P溝道金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)和/或類似物的四個(gè)開關(guān)604a-d連接。開關(guān)604a-d中的每一個(gè)可操作地聯(lián)接到電流控制器602。電流控制器602可通過以上公開的控制器和/或電路(諸如存儲(chǔ)控制器202 (圖2)、模塊控制器310 (圖3)和/或電路308a-d(圖3)中的一個(gè)或多個(gè))中的任意一個(gè)來實(shí)現(xiàn)。在例示的示例中，電流控制器602選擇性地將信號(hào)施加到開關(guān)604a-d，以選擇性地閉合(如，置于通電狀態(tài))或斷開(如，置于不通電狀態(tài))開關(guān)604a-d。圖6A不出了處于第一配置的電路600,其中電流沿第一方向被施加到憶阻存儲(chǔ)單元502上。圖6B示出了處于第二配置的電路600，其中電流沿與第一方向相反的第二方向被施加到憶阻存儲(chǔ)單元502上。
[0039]在例示的示例中，電路600還包括檢測電路606,以通過檢測憶阻存儲(chǔ)單元502兩端的電壓降或電勢差來讀取憶阻存儲(chǔ)單元502的內(nèi)容，其中電壓降或電勢差是基于被施加到憶阻存儲(chǔ)單元502上的電流和憶阻存儲(chǔ)單元502的可歸因于其摻雜劑水平的電阻特性而產(chǎn)生的。以該方式，當(dāng)電流控制器602促使電流源504在憶阻存儲(chǔ)單元502上施加電流時(shí)，可以通過使用檢測電路606檢測憶阻存儲(chǔ)單元502兩端的電壓降或電勢差，來讀取憶阻存儲(chǔ)單元502的內(nèi)容。在例示的示例中，檢測電路606利用在集成電路制造工藝期間鄰近或靠近憶阻存儲(chǔ)單元502形成的電路裝置來實(shí)現(xiàn)。在其它示例中，其它電路或裝置可用于實(shí)現(xiàn)檢測電路606。
[0040]如圖6A所示，開關(guān)604a和604d閉合，并且開關(guān)604b和604c斷開。因而，當(dāng)電流源504將電流I2505b施加至憶阻存儲(chǔ)單元502時(shí)，電流I2505b將流過開關(guān)604a，沿第一方向(由附圖標(biāo)記606表示)流過憶阻存儲(chǔ)單元502，并且流過開關(guān)604d。在圖6A例示的示例中，通過從憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a流向憶阻存儲(chǔ)單元502的第二端502b，電流I2505b沿第一方向606流過憶阻存儲(chǔ)單元502。
[0041]如圖6B所示，開關(guān)604b和604c閉合，并且開關(guān)604a和604d斷開。因而，當(dāng)電流控制器602促使電流源504將電流I3505c施加至憶阻存儲(chǔ)單元502時(shí)，電流I3505c將流過開關(guān)604b,沿與第一方向606 (圖6A)相反的第二方向(由附圖標(biāo)記608表不)流過憶阻存儲(chǔ)單元502，并且流過開關(guān)604c。在圖6B例示的示例中，通過從憶阻存儲(chǔ)單元502的第二端502b流向憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a，電流I3505c沿第二方向608流過憶阻存儲(chǔ)單元502。
[0042]圖6A和圖6B的電流控制器602可通過采用硬件、固件和/或軟件的任意期望的結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。例如，可采用一個(gè)或多個(gè)集成電路、分立半導(dǎo)體部件和/或無源電子部件。因此，例如，電流控制器602或其部件能夠使用一個(gè)或多個(gè)電路、可編程處理器、專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)、現(xiàn)場可編程邏輯器件(FPLD)等來實(shí)現(xiàn)。在一些示例中，電流控制器602或其部件能夠使用存儲(chǔ)在機(jī)器可訪問介質(zhì)或計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)(如，隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、閃速存儲(chǔ)器、憶阻存儲(chǔ)器、光學(xué)存儲(chǔ)器等)上并且可由例如處理器(如，圖2的示例性處理器208)或控制器(如，圖2的示例性存儲(chǔ)控制器202和/或圖3的示例性模塊控制器310)執(zhí)行的指令、代碼和/或其它軟件和/或固件等來實(shí)現(xiàn)。當(dāng)任何隨附的權(quán)利要求在字面上涉及純粹的軟件實(shí)現(xiàn)時(shí)，至少電流控制器602以此方式清楚地被定義為包括電路或諸如固態(tài)存儲(chǔ)器、磁存儲(chǔ)器、數(shù)字化視頻光盤(DVD)、光盤(CD)的有形介質(zhì)。
[0043]轉(zhuǎn)向圖7，流程圖例示了能夠用于讀取存儲(chǔ)到如以上結(jié)合圖5A_5D、6A和6B公開的存儲(chǔ)單元(如，圖5A-5D、6A和6B的憶阻存儲(chǔ)單元502)的示例性過程。為清楚起見，圖7的示例性過程在下面被公開為由圖6A和圖6B的電流控制器602執(zhí)行。然而，相同的過程或類似的過程可由模塊控制器310 (圖3所示)、存儲(chǔ)控制器202 (圖2所示)、存儲(chǔ)器芯片302a-d的任何示例性電路308a-d (圖3所示)、示例性第一 IC模具402或第二 IC模具404(圖4所示)中的一個(gè)或多個(gè)單獨(dú)或結(jié)合實(shí)現(xiàn)，或由任何其它適合的設(shè)備實(shí)現(xiàn)。在一些示例中，電路308a-d中的一個(gè)或多個(gè)、存儲(chǔ)控制器202和/或模塊控制器310可單獨(dú)或結(jié)合提供圖6的電流控制器602，來執(zhí)行圖7的示例性過程。
[0044]圖7的示例性過程可使用一個(gè)或多個(gè)處理器、控制器和/或任何其它合適的處理裝置來執(zhí)行。例如，圖7的示例性過程可使用存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)諸如閃速存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)和/或隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)的有形計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的編碼指令(如，計(jì)算機(jī)可讀指令)來實(shí)現(xiàn)。如本文中使用的，術(shù)語“有形計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”被清楚地定義為包括任何類型的計(jì)算機(jī)可讀存儲(chǔ)器并且排除傳播信號(hào)。此外或可替代地，圖7的示例性過程可使用存儲(chǔ)在一個(gè)或多個(gè)諸如閃速存儲(chǔ)器、只讀存儲(chǔ)器(ROM)、隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(RAM)、緩存或任何其它存儲(chǔ)介質(zhì)的非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)上的編碼指令(如，計(jì)算機(jī)可讀指令)來實(shí)現(xiàn)，其中在非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)中信息被存儲(chǔ)任意持續(xù)期間(如，延長的時(shí)期、永久地、短期、臨時(shí)緩沖，和/或信息的緩沖)。如本文中使用的，術(shù)語“非暫時(shí)性計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)”被清楚地定義為包括任何類型的計(jì)算機(jī)可讀介質(zhì)并且排除傳播信號(hào)。
[0045]可替代地，圖7的示例性過程中的一些或全部可使用專用集成電路(ASIC)、可編程邏輯器件(PLD)、現(xiàn)場可編程邏輯器件(FPLD)、離散邏輯、硬件、固件等的任意結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。而且，圖7的示例性過程中的一些或全部可手動(dòng)或以任意前述的技術(shù)(例如，固件、軟件、離散邏輯和/或硬件的任意結(jié)合)的任意結(jié)合來實(shí)現(xiàn)。進(jìn)一步，盡管參考圖7的流程圖描述了圖7的示例性過程，但是可采用用于實(shí)現(xiàn)圖7的過程的其它方法。例如，可改變執(zhí)行框的順序，和/或可改變、消除、再分或結(jié)合一些框。此外，圖7的示例性過程中的任意或全部可由例如單獨(dú)的處理線程、處理器、裝置、離散邏輯、電路等依次和/或并行地執(zhí)行。
[0046]在圖7例示的示例中，示例性過程可在一個(gè)或多個(gè)寫周期期間對(duì)憶阻存儲(chǔ)單元502執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)寫操作。另外，圖7的示例性過程可在一個(gè)或多個(gè)讀周期期間對(duì)憶阻存儲(chǔ)單元502執(zhí)行一個(gè)或多個(gè)讀操作。在例示的示例中，寫周期和讀周期可通過一個(gè)或多個(gè)其它介于中間的讀和/或?qū)懼芷诒舜朔蛛x。例如，一個(gè)或多個(gè)讀和/或?qū)懼芷诳沙霈F(xiàn)在寫周期與后續(xù)讀和/或?qū)懼芷谥g，和/或一個(gè)或多個(gè)讀和/或?qū)懼芷诳沙霈F(xiàn)在讀周期與后續(xù)讀和/或?qū)懼芷谥g。[0047]首先，電流控制器602將寫入電流施加到存儲(chǔ)單元(如，圖5A_5D、6A和6B的憶阻存儲(chǔ)單元502)上，以將數(shù)據(jù)存儲(chǔ)在該存儲(chǔ)單元中(框702)。如上所解釋的，在存儲(chǔ)單元502上施加寫入電流會(huì)將存儲(chǔ)單元502中的摻雜劑分布或濃度改變?yōu)閷?duì)應(yīng)于寫信息的特定分布或濃度(如，圖5B的摻雜劑分布D1510b)。以該方式,摻雜劑分布能夠用于表不后續(xù)可以在存儲(chǔ)單元502的讀周期期間讀取的存儲(chǔ)數(shù)據(jù)。
[0048]然后，電流控制器602確定是否已接收到讀取請(qǐng)求(框704)。如果尚未接收到讀取請(qǐng)求，則控制前進(jìn)至框714。如果已接收到讀取請(qǐng)求(框704)，則電流控制器602在讀周期期間將讀電流(如，圖5C和6A的讀電流I2505b)施加到存儲(chǔ)單元502上(框706)。在例示的示例中，在相同的讀周期期間，檢測電路606執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元502的內(nèi)容的讀取(框708)。如上所解釋的，讀電流I2505b的施加能夠?qū)⒋鎯?chǔ)單元502中的摻雜劑分布或濃度從圖5B的第一分布D1510b改變?yōu)閳D5C的第二不期望分布D2510C。
[0049]然后，電流控制器602確定下一個(gè)讀周期是否是第N個(gè)讀周期(框710)。在例示的示例中，如結(jié)合圖5C和圖討論的，間隔參數(shù)N大于或等于I。在一些示例中，間隔參數(shù)N的值可基于性能影響來選擇，其中該性能影響包含用于切換電流方向的時(shí)間損失與保持憶阻基質(zhì)502c中平衡的摻雜劑分布的益處之間的權(quán)衡。
[0050]如果電流控制器602在框710確定下一個(gè)讀周期不是第N個(gè)讀周期，則控制前進(jìn)至框714。否則，如果下一個(gè)讀周期是第N個(gè)讀周期，則電流控制器602將電流源504設(shè)置或配置為在第N個(gè)讀周期期間沿相對(duì)于先前讀電流的反方向傳送后續(xù)讀電流(框712)。例如，如果先前在框706施加的讀電流是沿從憶阻存儲(chǔ)單元502的第一端502a到第二端502b的方向流動(dòng)的讀電流I2505b (圖5C)，則在框712，電流控制器602將電流源504設(shè)置或配置為在第N個(gè)讀周期期間沿從第二端502b流向第一端502a的方向傳送讀電流I3505c (圖5D)0在例示的示例中，圖7的過程在接收后續(xù)(如，第N個(gè))讀取請(qǐng)求之前，設(shè)置或配置電流源504的極性或方向，使得當(dāng)接收后續(xù)讀取請(qǐng)求時(shí)電流源504被預(yù)配置。以該方式，當(dāng)接收后續(xù)(如，第N個(gè))讀取請(qǐng)求時(shí)，不會(huì)因在接收讀取請(qǐng)求與執(zhí)行讀取訪問操作之間配置電流源504而招致延遲或時(shí)間損失。相反，由于電流控制器602在先前的讀周期之后已經(jīng)設(shè)置或配置電流源504，因此，與如果電流控制器602需要在接收后續(xù)讀取請(qǐng)求與執(zhí)行后續(xù)讀周期之間配置電流源504相比，電流源504能夠在接收到后續(xù)讀取請(qǐng)求之后在后續(xù)(如，第N個(gè))讀周期期間沿相反方向以相對(duì)少或沒有延遲的方式傳送讀電流。
[0051]電流控制器602確定是否已接收到另一個(gè)存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求(框714)。如果已接收到另一個(gè)存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求，則電流控制器602確定其是否是讀取請(qǐng)求(框716)。如果該存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求不是讀取請(qǐng)求，則控制返回至框702，以執(zhí)行寫操作。然而，如果該存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求是讀取請(qǐng)求，則控制返回至框706，在框706處，電流源504施加后續(xù)讀電流通過存儲(chǔ)單元502。例如，如果讀取請(qǐng)求對(duì)應(yīng)于第N個(gè)(如，后續(xù))讀周期，則電流源504沿與先前的讀周期期間由電流源504施加的讀電流(如，先前在框706施加的圖5C的讀電流I2505b)相反的方向施加讀電流I3505c (圖OT)。在例示的示例中，在框708處，在相同的后續(xù)(如，第N個(gè))讀周期期間，檢測電路606執(zhí)行對(duì)存儲(chǔ)單元502的內(nèi)容的隨后讀取。如上所解釋的，在后續(xù)(如，第N個(gè))讀周期施加讀電流I3505c會(huì)導(dǎo)致存儲(chǔ)單元502中摻雜劑分布或濃度從圖5C的第二不期望分布D2510C改變?yōu)閳D的第一分布D1510b。
[0052]如上所討論的，在一些示例中，在讀電流I2505b的方向與讀電流I3505c的方向之間輪流更替電流方向期間，存儲(chǔ)單元502被讀取一次或多次。即，在本文中公開的技術(shù)可通過在每個(gè)連續(xù)的讀周期期間輪流更替或切換讀電流方向來使用，或者以一定間隔輪流更替或切換讀電流方向來使用，其中讀電流沿第一方向被施加特定數(shù)量的連續(xù)讀周期，在第N個(gè)讀周期被切換，并且沿與第一方向相反的第二方向被施加后續(xù)數(shù)量的連續(xù)讀周期，直至到達(dá)下一個(gè)第N個(gè)讀周期。
[0053]返回至框714，如果沒有接收到另一個(gè)存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求(如，自先前的存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求后的持續(xù)期間)，則電流控制器602確定是否停止監(jiān)控存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求(框718)。例如，如果存儲(chǔ)單元502或存儲(chǔ)單元502所處的存儲(chǔ)裝置關(guān)閉或處于待機(jī)模式、睡眠模式或其它低功耗模式，則電流控制器602可確定其應(yīng)停止監(jiān)控存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求。如果電流控制器602應(yīng)繼續(xù)監(jiān)控存儲(chǔ)單元訪問請(qǐng)求，則控制返回至框714。否則，圖7的示例性過程結(jié)束。
[0054]盡管在本文中已公開了特定的方法、設(shè)備和制品，但是本專利的范圍不限于此。與之相反，本專利包含照字面地或在等同物的教導(dǎo)下清楚地落在權(quán)利要求的范圍內(nèi)的所有的方法、設(shè)備和制品。
【權(quán)利要求】
1.一種用于讀取存儲(chǔ)單元的方法，包括: 在所述存儲(chǔ)單元的讀周期期間，在所述存儲(chǔ)單元上施加電流，來讀取所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)容；并且 在所述存儲(chǔ)單元的后續(xù)讀周期期間，沿與所述電流相反的方向在所述存儲(chǔ)單元上施加后續(xù)電流，來讀取所述存儲(chǔ)單元的所述內(nèi)容。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中: 施加所述電流將所述存儲(chǔ)單元中摻雜劑的第一分布改變成所述摻雜劑的第二分布，所述摻雜劑的所述第一分布和第二分布表不相同的存儲(chǔ)信息；并且 施加所述后續(xù)電流將顯示所述摻雜劑的所述第一分布。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法,其中所述摻雜劑的所述第一分布和第二分布位于閾值之上，以表示相同的存儲(chǔ)信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的方法，進(jìn)一步包括:在所述讀周期之前出現(xiàn)的寫周期期間，在所述存儲(chǔ)單元上施加第三電流，以顯示所述存儲(chǔ)單元中所述摻雜劑的所述第一分布。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述存儲(chǔ)單元是憶阻存儲(chǔ)單元。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述電流和所述后續(xù)電流是直流。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:在所述讀周期與所述后續(xù)讀周期之間執(zhí)行所述存儲(chǔ)單元的至少一個(gè)介于中間的讀周期。
8.根據(jù)權(quán)利 要求1所述的方法，進(jìn)一步包括:在接收所述后續(xù)讀周期內(nèi)的請(qǐng)求之前，改變電流配置，以沿與所述電流相反的方向在所述存儲(chǔ)單元上施加所述后續(xù)電流。
9.一種用于存儲(chǔ)數(shù)據(jù)的設(shè)備，包括: 存儲(chǔ)單元；和 電路，用于: 在具有處于第一分布的摻雜劑的所述存儲(chǔ)單元的讀周期期間，通過在所述存儲(chǔ)單元上施加電流以將所述摻雜劑的所述第一分布改變成第二分布，來讀取所述存儲(chǔ)單元的內(nèi)容，所述摻雜劑的所述第一分布和第二分布表不相同的存儲(chǔ)信息；并且 在所述存儲(chǔ)單元的后續(xù)讀周期期間，通過在所述存儲(chǔ)單元上施加后續(xù)電流以將所述摻雜劑的所述第二分布改變成所述摻雜劑的所述第一分布，來讀取所述存儲(chǔ)單元的所述內(nèi)容。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備,其中所述摻雜劑的所述第一分布和第二分布位于閾值之上，以表示相同的存儲(chǔ)信息。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電路用于在所述讀周期之前的寫周期期間，在所述存儲(chǔ)單元上施加第三電流，以產(chǎn)生所述存儲(chǔ)單元中所述摻雜劑的所述第一分布。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述存儲(chǔ)單元是憶阻存儲(chǔ)單元。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電路用于沿與所述電流相反的方向施加所述后續(xù)電流。
14.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電流和所述后續(xù)電流是直流。
15.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電路用于在所述讀周期與所述后續(xù)讀周期之間執(zhí)行所述存儲(chǔ)單元的至少一個(gè)介于中間的讀周期。
16.根據(jù)權(quán)利要求9所述的設(shè)備，其中所述電路用于在接收所述后續(xù)讀周期內(nèi)的請(qǐng)求之前，改變電流配置，以沿與所述電流相反的方向在所述存儲(chǔ)單元上施加所述后續(xù)電流。
17.根據(jù)權(quán)利要求9 所述的設(shè)備，其中所述電路在模具上與所述存儲(chǔ)單元并置。
【文檔編號(hào)】G11C7/22GK103858168SQ201180074045
【公開日】2014年6月11日 申請(qǐng)日期:2011年9月2日 優(yōu)先權(quán)日:2011年9月2日
【發(fā)明者】賽厄馬克·塔瓦萊伊 申請(qǐng)人:惠普發(fā)展公司，有限責(zé)任合伙企業(yè)