專利名稱：在非易失性存儲元件的感測期間減小溝道耦合效應(yīng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開涉 及非易失性存儲器。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體存儲器已經(jīng)變得更普遍用在各種電子設(shè)備中。例如，非易失性半導(dǎo)體存儲器用在個人導(dǎo)航設(shè)備、蜂窩電話、數(shù)字相機(jī)、個人數(shù)字助理、移動計算設(shè)備、非移動計算設(shè)備和其他設(shè)備中。電可擦除可編程只讀存儲器(EEPROM)和閃存屬于最受歡迎的非易失性半導(dǎo)體存儲器之列。在EEPROM和閃存中，存儲器單元包括具有浮置柵極的晶體管，該浮置柵極位于半導(dǎo)體基板中的溝道區(qū)之上并與該溝道區(qū)絕緣。浮置柵極和溝道區(qū)位于源極區(qū)域和漏極區(qū)域之間。控制柵極被提供在浮置柵極以上并與該浮置柵極絕緣，晶體管的閾值電壓由浮置柵極上保留的電荷量控制。即，在晶體管導(dǎo)通之前必須施加到控制柵極以允許在其源極和漏極之間的電流傳導(dǎo)的最小電壓量由浮置柵極上的電荷水平控制。存儲器單元可以連接到位線以允許感測導(dǎo)電電流。當(dāng)編程EEPROM或者閃存器件、比如NAND閃存器件中的存儲器單元時，通常編程電壓被施加到控制柵極，位線接地。來自溝道區(qū)的電子被注入浮置柵極。當(dāng)電子在浮置柵極中累積時，浮置柵極變得負(fù)充電(negativelycharged)，并且存儲器單元的閾值電壓升高，以便存儲器單元處于經(jīng)編程狀態(tài)?？梢栽陬}為“Source Side Self Boosting Techniquefor Non-Volatile Memory” 的美國專利 6，859，397、題為 “Detecting Over ProgrammedMemory” 的美國專利 6，917, 542 以及題為 “Programming Non-Volatile Memory” 的美國專利6，888，758中找到關(guān)于編程的更多信息，所有這三個引用的專利提供全部引用被合并于此。在許多情況下，編程電壓作為一系列脈沖(稱為編程脈沖)被施加到控制柵極，脈沖的幅度在每個脈沖處增加。在編程脈沖之間，進(jìn)行一組一個或多個驗(yàn)證操作以確定正被編程的存儲器單元是否已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)電平。如果存儲器單元已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)電平，則對該存儲器單元的編程停止。如果存儲器單元未達(dá)到其目標(biāo)電平，則對該存儲器單元的編程將繼續(xù)。一些EEPROM和閃存器件中的存儲器單元具有用于存儲兩個范圍的電荷的浮置柵極，因此，可以在兩個狀態(tài)(被擦除狀態(tài)和經(jīng)編程狀態(tài))之間編程/擦除存儲器單元。多狀態(tài)存儲器單元通過識別多個不同的有效閾值電壓(Vt)分布(或數(shù)據(jù)狀態(tài))每個存儲器單元存儲多位數(shù)據(jù)。每個不同的Vt分布對應(yīng)于在存儲器器件中編碼的該組數(shù)據(jù)位的預(yù)定值。例如，存儲兩位數(shù)據(jù)的存儲器單元使用四個有效的Vt分布。存儲三位數(shù)據(jù)的存儲器單元使用八個有效的Vt分布。影響存儲器單元的Vt的讀取的一個因素是其相鄰存儲器單元(一個或多個)的溝道電勢。例如，如果相鄰者的漏極側(cè)溝道電勢是0. 4伏，則存儲器單元的表觀Vt可能與相鄰者的漏極側(cè)溝道電勢是OV的情況下不同。
一旦非易失性存儲元件已被編程，重要的就是可以以高可靠度讀回(readback)其經(jīng)編程狀態(tài)。但是，相鄰者的溝道電勢在存儲器單元被驗(yàn)證時和稍后被讀取時之間的差可能影響存儲器單元的表觀VU因此，可能不正確地讀取存儲器單元。用于減小編程驗(yàn)證和讀取條件之間的差、比如溝道電勢的差的一種技術(shù)是在編程驗(yàn)證和讀取期間僅感測每隔一條位線。這保持相鄰者的溝道電勢在編程驗(yàn)證期間和讀取期間兩者期間處于0V。但是，通過一次僅讀取每隔一條位線，用于驗(yàn)證和讀取的時間可能加倍。因?yàn)榭赡苄枰S多編程循環(huán)，每個編程循環(huán)具有其自己的驗(yàn)證操作，因此對于每個編程循環(huán)的驗(yàn)證操作的數(shù)量的加倍可能有損性能。


圖I是NAND串的俯視圖。圖2是NAND串的等效電路圖。
圖3是非易失性存儲器系統(tǒng)的框圖。圖4是繪出存儲器陣列的一個實(shí)施例的框圖。圖5是繪出感測模塊的一個實(shí)施例的框圖。圖6A繪出一組示例的Vt分布。圖6B繪出一組示例的Vt分布。圖6C繪出對于其中每個存儲元件存儲兩位數(shù)據(jù)的四狀態(tài)存儲器器件的一組示例的閾值電壓分布。圖6D繪出在編程操作期間施加到所選字線的一系列編程和驗(yàn)證脈沖。圖7A是描述包括一個或多個驗(yàn)證步驟的編程處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖7B提供描述進(jìn)行沒有粗略/精細(xì)編程的驗(yàn)證的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖7C提供其中使用了粗略/精細(xì)編程的驗(yàn)證的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖7D提供閾值電壓(Vt)相對時間以及位線電壓(V&)相對時間的圖以指示如何進(jìn)行粗略/精細(xì)編程處理的一個例子。圖8A是用于在編程處理期間驗(yàn)證存儲器單元的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖SB繪出用于讀取存儲器單元的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖9A繪出在編程期間的閾值電壓分布的例子。圖9B繪出在編程完成之后的閾值電壓分布的例子。圖IOA是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖IOB是用于進(jìn)行粗讀取的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖IOC是用于基于粗讀取建立第二位線偏壓條件的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖IlA是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖IlB是用于讀取存儲器單元的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖12A是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖12B是用于在讀取期間進(jìn)行粗讀取并建立第二位線條件的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖13是驗(yàn)證存儲器單元的處理的一個實(shí)施例的流程圖。圖14A、圖14C和圖14C繪出概括條件的表以例示可以如何使用來自鎖存器的數(shù)據(jù)來確定用于驗(yàn)證的位線偏壓條件的一個實(shí)施例。圖15例示感測模塊的例子。圖16繪出使用圖15的感測放大器在讀取或驗(yàn)證期間感測的一個實(shí)施例的時序圖。
具體實(shí)施例方式公開了用于操作非易失性存儲器件中的改進(jìn)的技術(shù)?？梢允咕唧w存儲器單元在讀取期間經(jīng)歷的來自一個或多個相鄰存儲器單元的溝道耦合的量匹配于在驗(yàn)證期間從一個或多個相鄰者產(chǎn)生的溝道耦合的量。因此，減小或消除編程驗(yàn)證和讀取之間的溝道耦合的差。注意，正被感測的目標(biāo)存儲器單元的閾值電壓可能依賴于相鄰存儲器單元的位線·偏壓。例如，如果相鄰者的位線接地，則目標(biāo)存儲器單元的閾值電壓可能比相鄰者的位線偏壓在Vbl的情況下高(其中Vbl可以是例如O. 4V)。另一方面，如果相鄰者的位線偏壓在Vbl，則目標(biāo)存儲器單元的閾值電壓可能比相鄰者的位線接地的情況下低。實(shí)施例包括將在目標(biāo)存儲器單元的讀取期間相鄰位線的位線偏壓條件與曾在目標(biāo)存儲器單元的驗(yàn)證期間使用的相鄰位線偏壓條件相匹配。這可以幫助減輕溝道耦合效應(yīng)。減小溝道耦合的這種差可以改進(jìn)在確定存儲器單元的閾值電壓時的準(zhǔn)確性。此夕卜，可以在驗(yàn)證和讀取兩者期間一起讀取所有位線。因此，驗(yàn)證和讀取是有效率的。注意，在編程期間，對每個編程脈沖可以進(jìn)行一個或多個驗(yàn)證操作。因此，通過在驗(yàn)證期間一起感測所有位線來減少在每個編程脈沖之后的驗(yàn)證操作的數(shù)量可能是非常有益的。此外，在至少一些驗(yàn)證和讀取操作期間，位線中的至少一些可以接地，這可以節(jié)省電力。而且，可以降低消耗的電流峰值量。在一些實(shí)施例中，非易失性存儲元件在閃存陣列內(nèi)。閃存系統(tǒng)的一個例子使用NAND結(jié)構(gòu)，其包括夾在兩個選擇柵極之間的串聯(lián)布置的多個晶體管。串聯(lián)的晶體管和選擇柵極被稱為NAND串。NAND結(jié)構(gòu)將被描述為一個示例的架構(gòu)；但是，在此所述的技術(shù)不限于NAND架構(gòu)。圖I是示出一個NAND串的俯視圖。圖2是其等效電路圖。圖I和2所示的NAND串包括串聯(lián)并夾在第一(或者漏極側(cè))選擇柵極120和第二 (或源極側(cè))選擇柵極122之間的四個晶體管100、102、104和106。選擇柵極120將NAND串經(jīng)由位線觸點(diǎn)126連接到位線。選擇柵極122將NAND串連接到源極線128。通過向選擇線SGD施加適當(dāng)?shù)碾妷簛砜刂七x擇柵極120。通過向選擇線SGS施加適當(dāng)?shù)碾妷簛砜刂七x擇柵極122。晶體管100、102、104和106的每個具有控制柵極和浮置柵極。例如，晶體管100具有控制柵極100CG和浮置柵極100FG。晶體管102包括控制柵極102CG和浮置柵極102FG。晶體管104包括控制柵極104CG和浮置柵極104FG。晶體管106包括控制柵極106CG和浮置柵極106FG?？刂茤艠O100CG連接到字線WL3，控制柵極102CG連接到字線WL2，控制柵極104CG連接到字線WLl，控制柵極106CG連接到字線WLO。注意，盡管圖I和2示出NAND串中的四個存儲器單元，但是四個晶體管的使用僅作為例子提供。NAND串可以具有少于四個存儲器單元或者多于四個存儲器單元。例如，一些NAND串將包括八個存儲器單元、16個存儲器單元、32個存儲器單元、64個存儲器單元、128個存儲器單元，等等。在此的討論不限于NAND串中的存儲器單元的任何具體數(shù)量。使用NAND結(jié)構(gòu)的閃存系統(tǒng)的典型架構(gòu)將包括許多NAND串。每個NAND串通過由選擇線SGS控制的其源極選擇柵極連接到源極線，并通過由選擇線S⑶控制的其漏極選擇柵極連接到其相關(guān)位線。每條位線和經(jīng)由位線觸點(diǎn)連接到該位線的各個NAND串構(gòu)成存儲器單元陣列的列。多個NAND串共享位線。通常，位線在與字線垂直的方向上在NAND串的頂部延伸，并且連接到一個或多個感測放大器。每個存儲器單元可以存儲數(shù)據(jù)(模擬的或者數(shù)字的)。當(dāng)存儲一位數(shù)據(jù)時，存儲器單元的可能的閾值電壓的范圍被劃分為分配有邏輯數(shù)據(jù)“I”和“O”的兩個范圍。在NAND型閃存的一個例子中，在存儲器單元被擦除之后閾值電壓是負(fù)的，并被定義為邏輯“I”。在編程之后的閾值電壓是正的，并被定義為“O”。當(dāng)閾值電壓是負(fù)的并且通過向控制柵極施加O伏而嘗試讀取時，存儲器單元將導(dǎo)通以指示正存儲邏輯I。當(dāng)閾值電壓是正的并且通過向控制柵極施加O伏而嘗試讀取操作時，存儲器單元將不導(dǎo)通，這指示存儲邏輯O。 在存儲多個水平的數(shù)據(jù)的情況下，可能的閾值電壓的范圍被劃分為數(shù)據(jù)的水平的數(shù)量。例如，如果存儲四個水平的信息(兩位數(shù)據(jù))，則將存在被分配給數(shù)據(jù)值“11”、“10”、“01”和“00”的四個閾值電壓范圍。在NAND型存儲器的一個例子中，在擦除操作之后的閾值電壓是負(fù)的并被定義為“11”。正的閾值電壓可以用于數(shù)據(jù)狀態(tài)“10”、“01”和“00”。如果存儲(例如對于三位數(shù)據(jù)的)八個水平的信息(或狀態(tài))，則將存在被分配給數(shù)據(jù)值“000”、“001”、“010”、“011”、“100”、“101”、“110”和 “111” 的八個閾值電壓范圍。被編程到存儲器單元中的數(shù)據(jù)和單元的閾值電壓水平之間的具體關(guān)系依賴于對單元采用的數(shù)據(jù)編碼方案。在一個實(shí)施例中，使用格雷碼分配方案將數(shù)據(jù)值分配給閾值電壓范圍，以便如果浮置柵極的閾值電壓錯誤地偏移(shift)到其相鄰物理狀態(tài)，則將僅影響一位。在一些實(shí)施例中，可以對不同的字線改變數(shù)據(jù)編碼方案，可以隨時間改變數(shù)據(jù)編碼方案，或者可以反轉(zhuǎn)對于隨機(jī)字線的數(shù)據(jù)位以降低數(shù)據(jù)樣式靈敏度以及平衡存儲器單元上的磨損。在以下美國專利/專利申請中提供了 NAND型閃存及其操作的相關(guān)例子，其所有通過引用合并于此美國專利號5，570，315 ;美國專利號5，774，397 ;美國專利號6，046，935 ；美國專利號6，456，528 ;以及美國專利公開號US2003/0002348。除了 NAND之外，在此的討論也可以應(yīng)用于其他類型的閃存以及其他類型的非易失性存儲器。除了 NAND閃存之外，也可以使用其他類型的非易失性存儲器件。例如，所謂的TANOS結(jié)構(gòu)(由在硅基板上的TaN-Al2O3-SiN-SiO2的對疊層構(gòu)成)也可以與實(shí)施例一起使用，其基本上是使用氮化物層(而不是浮置柵極)中的電荷的俘獲的存儲器單元?？捎迷诳扉WEEPROM系統(tǒng)中的另一類型的存儲器單元利用不導(dǎo)電的電介質(zhì)材料代替導(dǎo)電的浮置柵極來以非易失性的方式存儲電荷。在Chan等人的論文“A True S ingle-TransistorOxide-Nitride-OxideEEPROM Device”，IEEE Electron Device Letter，Vol. EDL-8，No. 3，1987年3月，93-95頁中描述了這樣的單元。由氧化硅、氮化硅和氧化硅(“0N0”)形成的三層電介質(zhì)在存儲器單元溝道以上被夾在導(dǎo)電的控制柵極和半導(dǎo)電的基板的表面之間。通過將來自單元溝道的電子注入到氮化物中來對單元編程，其中它們被俘獲并存儲在有限的區(qū)域中。然后此存儲的電荷以可檢測的方式改變單元的溝道的一部分的閾值電壓。通過將熱空穴注入氮化物中擦除存儲器單元。還參見Nozaki等人的“A I-MbEEPROM with MONOS Memory Cellfor Semiconductor Disk Application，，， IEEE Journalof Solid-State Circuits, Vol. 26，No. 4，1991 年 4 月，497-501 頁，其描述了分割柵極配置形式的類似的存儲器單元，其中摻雜的多晶硅在存儲器單元溝道的一部分之上延伸以形成分離的選擇晶體管。以上兩篇論文提供全部引用被合并于此。在通過引用合并于此的 William D. Brown 和 Joe Ε· Brewer 編寫的 “Nonvolatile SemiconductorMemoryTechnology”，IEEE Press, 1998的部分I. 2中提及的編程技術(shù)也在該部分中描述為可應(yīng)用于電介質(zhì)電荷-俘獲器件。也可以使用其他類型的存儲器器件。圖3例示了非易失性存儲器件210，其可以包括一個或多個存儲器晶片(die)或芯片212。存儲器晶片212包括存儲器單元的陣列(二維或三維)200、控制電路220和讀/寫電路230A和230B。在一個實(shí)施例中，各個外圍電路對存儲器陣列200的訪問在該陣列的相對兩側(cè)以對稱的方式實(shí)現(xiàn)，以便每側(cè)的訪問線和電路的密度減少一半。讀/寫電路230A和230B包括多個感測塊300，其允許并行讀取或編程存儲器單元頁。存儲器陣列100可經(jīng)由行解碼器240A和240B由字線以及經(jīng)由列解碼器242A和242B由位線尋址。在典型實(shí)施例中，控制器244與一個或多個存儲器晶片212被包括在相同的存儲器器件210(例如可移 除存儲卡或者封裝)中。經(jīng)由線232在主機(jī)和控制器244之間以及經(jīng)由線234在控制器和一個或多個存儲器晶片212之間傳輸命令和數(shù)據(jù)。一個實(shí)現(xiàn)方式可以包括多個芯片212?？刂齐娐?20與讀/寫電路230A和230B協(xié)作以對存儲器陣列200進(jìn)行存儲器操作?？刂齐娐?20包括狀態(tài)機(jī)222、芯片上地址解碼器224和電力控制模塊226。狀態(tài)機(jī)222提供對存儲器操作的芯片級控制。芯片上地址解碼器224提供地址接口以在由主機(jī)或存儲器控制器使用的地址與解碼器240A、240B、242A和242B使用的硬件地址之間進(jìn)行轉(zhuǎn)換。電力控制模塊226控制在存儲器操作期間提供給字線和位線的電力和電壓。在一個實(shí)施例中，電力控制模塊226包括一個或多個電荷泵,其可以建立大于供應(yīng)電壓的電壓。在一個實(shí)施例中，控制電路220、電力控制模塊226、解碼器電路224、狀態(tài)機(jī)電路222、解碼器電路242A、解碼器電路242B、解碼器電路240A、解碼器電路240B、讀/寫電路230A、讀/寫電路230B和/或控制器244的一個組合或任意組合可以稱為一個或多個管理電路。圖4繪出存儲器單元陣列200的示例結(jié)構(gòu)。在一個實(shí)施例中，存儲器單元的陣列被劃分為M塊存儲器單元。通常對于快閃EEPROM系統(tǒng)而言，塊是擦除的單位。S卩，每塊包含一起被擦除的最少數(shù)量的存儲器單元。每塊通常被劃分為多頁。頁是編程的單位。一頁或多頁數(shù)據(jù)通常被存儲在一行存儲器單元中。頁可以存儲一個或多個扇區(qū)。扇區(qū)包括用戶數(shù)據(jù)和開銷(overhead)數(shù)據(jù)。開銷數(shù)據(jù)通常包括已經(jīng)從扇區(qū)的用戶數(shù)據(jù)計算的錯誤校正碼(ECC)。當(dāng)數(shù)據(jù)正被編程到陣列中時，控制器(下文描述)的一部分計算ECC，并且當(dāng)正從陣列讀取數(shù)據(jù)時，該控制器的部分還檢驗(yàn)ECC?；蛘?，ECC和/或其他開銷數(shù)據(jù)存儲在與它們所屬于的用戶數(shù)據(jù)不同的頁中或甚至不同的塊中。用戶數(shù)據(jù)的扇區(qū)通常是512字節(jié)，對應(yīng)于磁盤驅(qū)動器中扇區(qū)的大小。大量頁形成塊，從例如8頁高達(dá)32、64、128或更多頁不等。也可以使用不同大小的塊和布置。在另一實(shí)施例中，位線被劃分為奇數(shù)位線和偶數(shù)位線。在奇數(shù)/偶數(shù)位線架構(gòu)中，沿著公共字線并且連接到奇數(shù)位線的存儲器單元在一次被編程，而沿著公共字線并且連接到偶數(shù)位線的存儲器單元在另一次被編程。
圖4示出存儲器陣列200的塊i的更多細(xì)節(jié)。塊i包括X+1條位線和X+1個NAND串。塊i還包括64條數(shù)據(jù)字線(WL0-WL63)、2條啞(dummy)字線(WL_dO和WL_dl)、漏極側(cè)選擇線(SGD)和源極側(cè)選擇線(SGS)。每個NAND串的一端經(jīng)由漏極選擇柵極(連接到選擇線S⑶)連接到相應(yīng)位線，并且另一端經(jīng)由源極選擇柵極(連接到選擇線SGS)連接到源極。因?yàn)榇嬖诹臈l數(shù)據(jù)字線以及兩條啞字線，所以每個NAND串包括六十四個數(shù)據(jù)存儲器單元和兩個啞存儲器單元。在其他實(shí)施例中，NAND串可以具有多于或者少于64個數(shù)據(jù)存儲器單元以及兩個啞存儲器單元。數(shù)據(jù)存儲區(qū)單元可以存儲用戶或系統(tǒng)數(shù)據(jù)。啞存儲器單元通常不用于存儲用戶或系統(tǒng)數(shù)據(jù)。一些實(shí)施例不包括啞存儲器單元。圖5是被劃分為稱為感測模塊480的核心部分以及公共部分490的個體感測塊300的框圖。在一個實(shí)施例中，將存在對于每條位線的單獨(dú)感測模塊480以及對于一組多個感測模塊480的一個公共部分490。在一個例子中，感測塊300將包括一個公共部分490和八個感測模塊480。組中的每個感測模塊將經(jīng)由數(shù)據(jù)總線472與相關(guān)聯(lián)的公共部分通信。對于更多細(xì)節(jié)，參考美國專利申請公開2006/0140007，其通過全部引用合并于此。
感測模塊480包括感測電路470，其確定在連接的位線中的導(dǎo)電電流是在預(yù)定閾值水平以上還是以下。在一些實(shí)施例中，感測模塊480包括通常被稱為感測放大器的電路。感測模塊480還包括用于設(shè)置連接的位線上的電壓條件的位線鎖存器482。例如，鎖存在位線鎖存器482中的預(yù)定狀態(tài)將導(dǎo)致連接的位線被拉到指定編程禁止的狀態(tài)(例如Vdd)。在一些實(shí)施例中，將在特定經(jīng)編程狀態(tài)的驗(yàn)證期間的每條位線上的電壓條件與在該特定經(jīng)編程狀態(tài)的讀取期間的每條位線上的電壓條件相匹配。公共部分490包括處理器492、一組數(shù)據(jù)鎖存器494以及耦接在該組數(shù)據(jù)鎖存器494和數(shù)據(jù)總線420之間的I/O接口 496。處理器492進(jìn)行計算。例如，其功能之一是確定在感測的存儲器單元中存儲的數(shù)據(jù)并將所確定的數(shù)據(jù)存儲在該組數(shù)據(jù)鎖存器中。在一些實(shí)施例中，處理器492確定在驗(yàn)證和讀取期間應(yīng)該向位線施加什么電壓。在驗(yàn)證期間，處理器492可以基于位線上的存儲器單元將(已經(jīng))被編程到的狀態(tài)來進(jìn)行此確定。在讀取期間，處理器492可以基于存儲器單元的粗略讀取以粗略確定已經(jīng)編程到什么狀態(tài)來進(jìn)行此確定。該組數(shù)據(jù)鎖存器494用于存儲在讀取操作期間由處理器492確定的數(shù)據(jù)位。其還用于存儲在編程操作期間從數(shù)據(jù)總線420輸入的數(shù)據(jù)位。輸入的數(shù)據(jù)位表示打算要編程到存儲器中的寫數(shù)據(jù)。I/O接口 496提供在數(shù)據(jù)鎖存器494和數(shù)據(jù)總線420之間的接口。在讀取或感測期間，系統(tǒng)的操作在狀態(tài)機(jī)222的控制下，該狀態(tài)機(jī)222控制向所尋址單元供應(yīng)不同的控制柵極電壓。隨著步進(jìn)穿過與存儲器單元支持的各個存儲器狀態(tài)對應(yīng)的各個預(yù)定控制柵極電壓，感測模塊480可以在這些電壓之一跳脫(trip)，并且輸出將從感測模塊480經(jīng)由總線472提供給處理器492。這時，處理器492通過考慮感測模塊的跳脫事件以及關(guān)于經(jīng)由輸入線493從狀態(tài)機(jī)施加的控制柵極電壓的信息而確定得到的存儲器狀態(tài)。然后其計算該存儲器狀態(tài)的二進(jìn)制編碼并將得到的數(shù)據(jù)位存儲到數(shù)據(jù)鎖存器494中。在核心部分的另一實(shí)施例中，位線鎖存器482起著雙重作用，作為用于鎖存感測模塊480的輸出的鎖存器以及還作為如上所述的位線鎖存器。 預(yù)期一些實(shí)現(xiàn)方式將包括多個處理器492。在一個實(shí)施例中，每個處理器492將包括輸出線(未在圖5中繪出)以便每條輸出線被線“或”(wire-OR)在一起。在一些實(shí)施例中，輸出線在連接到線“或”線之前被反轉(zhuǎn)。此配置使得能夠在編程驗(yàn)證處理期間迅速確定編程處理何時已經(jīng)完成，這是因?yàn)榻邮站€“或”線的狀態(tài)機(jī)可以確定被編程的所有位線何時達(dá)到期望的電平。例如，當(dāng)每條位已經(jīng)達(dá)到其期望的電平時，對于該位線的邏輯零(或者數(shù)據(jù)I被反轉(zhuǎn))將被發(fā)送到線或線。當(dāng)所有位線輸出數(shù)據(jù)O (或經(jīng)反轉(zhuǎn)，數(shù)據(jù)I)時，則狀態(tài)機(jī)知道要終止編程處理。在其中每個處理器與八個感測模塊通信的實(shí)施例中，狀態(tài)機(jī)可能(在一些實(shí)施例中)需要讀取線或線八次，或者邏輯被添加到處理器492以累積相關(guān)位線的結(jié)果以便狀態(tài)機(jī)僅需要讀取線或線一次。在編程或驗(yàn)證期間，要編程的數(shù)據(jù)從數(shù)據(jù)總線420存儲在該組數(shù)據(jù)鎖存器494中。在狀態(tài)機(jī)的控制下的編程操作包括將一系列(具有增加的幅度的)編程電壓脈沖施加到被尋址的存儲器單元的控制柵極。每個編程脈沖后跟隨著驗(yàn)證處理以確定存儲器單元是否已被編程到期望的狀態(tài)。處理器492相對于期望的存儲器狀態(tài)監(jiān)視驗(yàn)證的存儲器狀態(tài)。當(dāng)兩者一致時，處理器492設(shè)置位線鎖存器482以便致使位線被拉到指定編程禁止的狀態(tài)。這禁止耦合到該位線的單元進(jìn)一步編程，即使其經(jīng)受了在其控制柵極上的編程脈沖時也如此。在其他實(shí)施例中，處理器初始地加載位線鎖存器并且在驗(yàn)證處理期間感測電路將其設(shè)置到禁止值。在一些實(shí)施例中，即使存儲器單元被禁止進(jìn)一步編程，在驗(yàn)證操作期間位線也可以正常充電。換句話說，盡管該位線上的單元不再需要驗(yàn)證，但是以將允許進(jìn)行驗(yàn)證的方式對 該位線充電。這可以允許正被驗(yàn)證的目標(biāo)存儲器單元的相鄰者的溝道電勢匹配在該目標(biāo)存儲器單元的讀取期間的該相鄰者的溝道電勢。數(shù)據(jù)鎖存器堆疊494包含與感測模塊對應(yīng)的數(shù)據(jù)鎖存器的堆疊。在一個實(shí)施例中，每個感測模塊480存在3-5個(或另一數(shù)量的)數(shù)據(jù)鎖存器。在一個實(shí)施例中，鎖存器每個一位。在一些實(shí)現(xiàn)方式中(但不要求)，數(shù)據(jù)鎖存器被實(shí)現(xiàn)為移位寄存器以便其中存儲的并行數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換為用于數(shù)據(jù)總線420的串行數(shù)據(jù)，并反之亦然。在一個實(shí)施例中，對應(yīng)于m個存儲器單元的讀/寫塊的所有數(shù)據(jù)鎖存器可以鏈接在一起以形成塊移位寄存器以便可以通過串行傳輸來輸入或輸出數(shù)據(jù)塊。特別地，將讀/寫模塊的堆(bank)適配以便其數(shù)據(jù)鎖存器組的每個數(shù)據(jù)鎖存器將按順序?qū)?shù)據(jù)移入或移出數(shù)據(jù)總線，就像它們是用于整個讀/寫塊的移位寄存器的部分一樣?？梢栽谝韵轮姓业疥P(guān)于讀取操作和感測放大器的另外的信息(1)美國專利7, 196, 931,^Non-VolatiIe Memory And Method With Reduced Source LineBias Errors”；
(2)美國專利7，023，736, “Non-Volatile Memory And Methodffith Improved Sensing”;
(3)美國專利申請公開號2005/0169082 ；(4)美國專利 7，196，928, “Compensating forCoupling During Read Operations ofNon-Volatile Memory”;以及(5)美國專利申請公開號 2006/0158947,“Reference Sense Amplifier For Non-Volatile Memory，，;公開于 2006年7月20日。就在以上列出的所有五個專利文獻(xiàn)通過全部引用合并于此。在(具有驗(yàn)證的)成功編程處理結(jié)束時，視情況，存儲器單元的閾值電壓應(yīng)該在對于被編程的存儲器單元的閾值電壓的一個或多個分布內(nèi)或者在對于被擦除的存儲器單元的閾值電壓的分布內(nèi)。圖6A例示當(dāng)每個存儲器單元存儲四位數(shù)據(jù)時與存儲器單元陣列的數(shù)據(jù)狀態(tài)對應(yīng)的示例閾值電壓分布。但是，其他實(shí)施例可以使用每個存儲器單元多于或者少于四位數(shù)據(jù)。圖6A不出與數(shù)據(jù)狀態(tài)0-15對應(yīng)的16個閾值電壓分布。在一個實(shí)施例中，狀態(tài)O中的閾值電壓是負(fù)的并且狀態(tài)1-15中的閾值電壓是正的。但是，狀態(tài)1-15的一個或多個中的閾值電壓可以是負(fù)的。
在數(shù)據(jù)狀態(tài)01-15的每個之間是用于從存儲器單元讀取數(shù)據(jù)的讀取參考電壓。例如，圖6A示出了在數(shù)據(jù)狀態(tài)O和I之間的讀取參考電壓Vrl，在數(shù)據(jù)狀態(tài)I和2之間的Vr2。通過測試給定存儲器單元的閾值電壓是在各自的讀取參考電壓以上還是以下，系統(tǒng)可以確定存儲器單元處于何狀態(tài)。在每個數(shù)據(jù)狀態(tài)0-15的下邊緣處或其附近是驗(yàn)證參考電壓。例如，圖6A示出對于狀態(tài)I的Vvl以及對于狀態(tài)2的Vv2。當(dāng)將存儲器單元編程到給定狀態(tài)時，系統(tǒng)將測試那些存儲器單元是否具有大于或等于該驗(yàn)證參考電壓的閾值電壓。在一些實(shí)施例中，一個數(shù)據(jù)狀態(tài)(例如最低數(shù)據(jù)狀態(tài))被稱為被擦除狀態(tài)并且所有其它數(shù)據(jù)狀態(tài)被稱為“經(jīng)編程狀態(tài)”。圖6B例不與數(shù)據(jù)狀態(tài)0-15對應(yīng)的閾值電壓分布的另一實(shí)施例可以部分地重疊，這是因?yàn)樾Ｕ惴梢蕴幚砟硞€百分比的有錯誤的單元。同樣注意，在使用經(jīng)過源極的主體(body)效應(yīng)或者主體偏壓來將負(fù)的閾值電壓偏移到可測量的正范圍中時，閾值電壓軸可能與施加到控制柵極的實(shí)際電壓偏離。要注意·的另一點(diǎn)是，與所繪出的十六個狀態(tài)的相等間隔/寬度相反，各個狀態(tài)可能具有不同的寬度/間隔以便容納對于數(shù)據(jù)保持損失的各不相同的易受影響性。在一些實(shí)施例中，狀態(tài)O和/或狀態(tài)15比其他狀態(tài)寬。在圖6A和6B的示例實(shí)現(xiàn)方式中，非易失性存儲元件使用四個數(shù)據(jù)狀態(tài)從而每存儲元件存儲四位數(shù)據(jù)。圖6C繪出對于其中每個存儲元件存儲兩位數(shù)據(jù)的四狀態(tài)存儲器器件的閾值電壓分布的示例集合。第一閾值電壓分布401被提供用于被擦除(被擦除狀態(tài))的存儲元件。三個閾值電壓分布402、403和404分別表示經(jīng)編程狀態(tài)A、B和C。在一個實(shí)施例中，被擦除狀態(tài)中的閾值電壓是負(fù)的，并且A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)中的閾值電壓是正的。還提供讀取參考電壓Vra、Vrb和Vrc用于從存儲元件讀取數(shù)據(jù)。通過測試給定存儲元件的閾值電壓是在Vra、Vrb和Vrc以上還是以下，系統(tǒng)可以確定存儲器元件所處于的狀態(tài)，例如編程條件。此外，提供了驗(yàn)證參考電壓Vva、Vvb和Vvc。當(dāng)將存儲元件編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)或者C狀態(tài)時，系統(tǒng)將測試那些存儲元件是否分別具有大于或者等于Vva、Vvb和Vvc的閾值電壓。在一個實(shí)施例中，提供了“驗(yàn)證低”參考電壓VvaUVvbl和Vvcl。類似的“驗(yàn)證低”參考電壓也可以用在具有不同數(shù)量的狀態(tài)的實(shí)施例中。在“粗略驗(yàn)證”期間可以使用驗(yàn)證低電平，這將在以下描述。在全序列編程中，存儲元件可以從被擦除狀態(tài)直接編程到經(jīng)編程狀態(tài)A、B或C的任意一個。例如，要被編程的存儲元件群體(population)可以首先被擦除以便該群體中的所有存儲元件處于被擦除狀態(tài)。諸如圖6D所示的一系列編程脈沖可以用于將存儲元件直接編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)。在一些存儲元件正從被擦除狀態(tài)編程到A狀態(tài)時，其它存儲元件正從被擦除狀態(tài)編程到B狀態(tài)和/或從被擦除狀態(tài)編程到C狀態(tài)。注意，不要求使用全序列編程。慢編程模式的一個例子使用對于一個或多個經(jīng)編程狀態(tài)的低(偏移)和高(目標(biāo))驗(yàn)證電平。例如，VvaL和Vva分別是對于A狀態(tài)的偏移和目標(biāo)驗(yàn)證電平，VvbL和Vvb分別是對于B狀態(tài)的偏移和目標(biāo)驗(yàn)證電平。在編程期間，當(dāng)正被編程到A狀態(tài)作為目標(biāo)狀態(tài)的存儲元件(例如A狀態(tài)存儲元件)的閾值電壓超過VvaL時，將編程速度減慢，比如通過將位線電壓升高到在標(biāo)定編程或非禁止電平例如OV以及禁止電平例如2-3V之間的電平、例如0.6-0. 8V。這通過避免閾值電壓的大步幅增加而提供了更大的準(zhǔn)確度。當(dāng)閾值電壓達(dá)到Vva時，將存儲元件鎖定在進(jìn)一步編程之外。類似地，當(dāng)B狀態(tài)存儲元件的閾值電壓超過VvbL時，其編程速速減慢，并且當(dāng)閾值電壓達(dá)到Vvb時，將該存儲元件鎖定在進(jìn)一步編程之夕卜。在一種方法中，慢編程模式不用于最高狀態(tài)，因?yàn)橥ǔＲ恍┻^沖是可接受的。而是，慢編程模式可以用于在最高狀態(tài)以下的經(jīng)編程狀態(tài)。此外，在所討論的示例編程技術(shù)中，在存儲元件被編程到目標(biāo)編程狀態(tài)時，該存儲元件的閾值電壓升高。但是，可以使用其中存儲元件在被編程到目標(biāo)編程狀態(tài)時其閾值電壓降低的編程技術(shù)。也可以使用測量存儲元件電流的編程技術(shù)。在此的概念可適配用于不同的編程技術(shù)。圖6D繪出在編程操作期間施加到所選字線的一系列編程和驗(yàn)證脈沖。編程操作可以包括多個編程重復(fù)(iteration)，其中每個重復(fù)將一個或多個編程脈沖(電壓)(其后跟隨著一個或多個驗(yàn)證電壓)施加到所選字線。在一個可能的方法中，編程電壓在連續(xù)的重 復(fù)中逐步增加。此外，編程電壓可以包括具有例如6-8V的通過電壓(Vpass)電平的第一部分，其后跟隨著處于例如12-25V的編程電平的第二部分。例如，第一、第二、第三和第四編程脈沖410、412、414和416分別具有Vpgml、Vpgm2、Vpgm3和Vpgm4的編程電壓，等等?？梢栽诿總€編程脈沖后之后提供一個或多個驗(yàn)證電壓的集合。在圖6D中，在每個編程脈沖之間繪出了三個驗(yàn)證脈沖。例如，驗(yàn)證脈沖VvA可以用于驗(yàn)證目標(biāo)是A狀態(tài)的存儲器單元是否已經(jīng)達(dá)到Vva，VvB可以用于驗(yàn)證目標(biāo)是B狀態(tài)的存儲器單元是否已經(jīng)達(dá)到VvB，VvC可以用于驗(yàn)證目標(biāo)是C狀態(tài)的存儲器單元是否已經(jīng)達(dá)到VvC0在一些情況下，一個或多個初始編程脈沖后不跟隨驗(yàn)證脈沖，這是因?yàn)椴活A(yù)期任意存儲元件達(dá)到最低編程狀態(tài)(例如A狀態(tài))。隨后，例如，編程重復(fù)可以使用對于A狀態(tài)的驗(yàn)證脈沖，其后跟隨使用對于A狀態(tài)和B狀態(tài)的驗(yàn)證脈沖的編程重復(fù)，其后跟隨使用對于B狀態(tài)和C狀態(tài)的驗(yàn)證脈沖的編程重復(fù)。圖6D所繪出的電壓脈沖是對于最終驗(yàn)證電平。還可以存在對于低驗(yàn)證電平VvaL、VvbL和VvcL的脈沖。圖7A是描述編程處理700的一個實(shí)施例的流程圖，其包括一個或多個驗(yàn)證步驟。在步驟702，選擇要編程的存儲器的部分。在一個實(shí)施例中，這可以是適合于存儲器結(jié)構(gòu)的一個或多個寫單位。寫單位的一個例子被稱為頁。在其他實(shí)施例中，也可以使用其他單位和/或結(jié)構(gòu)。在步驟704，有時使用預(yù)編程處理，其中被尋址存儲器單元被給出不依賴于數(shù)據(jù)的編程以平衡存儲元件磨損并提供對于隨后的擦除的更均衡的開始點(diǎn)。在步驟706，視情況對于正使用的存儲元件的類型進(jìn)行擦除處理。適合的靈活擦除處理的一個例子在美國專利No. 5，095，344中描述，其通過全部引用合并于此。步驟708包括設(shè)計用于將被擦除的存儲器單元的閾值電壓放到更均衡的開始范圍中用于實(shí)際的寫階段的軟編程處理。在一個實(shí)施例中，如果任何存儲器單元在擦除期間(或者在軟編程期間)驗(yàn)證失敗，則可以將它們映射至邏輯地址空間之外。這時，存儲器準(zhǔn)備好用于數(shù)據(jù)有條件的編程階段。在步驟710，編程電壓(Vpgm)被設(shè)置到初始值。而且，在步驟710，編程計數(shù)器(PC)被初始化到零。在步驟720，施加編程脈沖。在步驟722，進(jìn)行驗(yàn)證處理。在一個實(shí)施例中，驗(yàn)證是同時的粗略/精細(xì)驗(yàn)證。在其中存儲器單元的閾值很好地在最終電平(Vva)以下的初始編程步驟中，應(yīng)用粗略編程。但是，在存儲器單元的閾值電壓達(dá)到VvaL后，使用精細(xì)編程。因此，一些存儲器單元正被驗(yàn)證用于粗略編程時，其他存儲器單元正被驗(yàn)證用于精細(xì)編程。注意，當(dāng)特定存儲器單元已經(jīng)被驗(yàn)證為被編程到其意圖的狀態(tài)時，可以將其鎖定在進(jìn)一步編程之外。以下描述步驟722的更多細(xì)節(jié)。在步驟724，確定是否所有存儲器單元已經(jīng)驗(yàn)證其閾值電壓處于該存儲器單元的最終目標(biāo)電壓。如果是，則在步驟726中編程處理成功完成(狀態(tài)=通過)。如果不是所有存儲器單元都被驗(yàn)證，則確定編程計數(shù)器(PC)是否小于最大值，比如20。如果編程計數(shù)器(PO不小于最大值(步驟728)，則編程處理已經(jīng)失敗(步驟730)。如果編程計數(shù)器(PC)小于20，則在步驟732中編程計數(shù)器(PC)遞增I并且編程電壓步進(jìn)到下一脈沖。在步驟732之后，處理循環(huán)回到步驟720并且下一編程脈沖被施加到存儲器單元。在一些實(shí)施例中，編程具有粗略模式和精細(xì)模式。通常，粗略編程模式可以嘗試在存儲器單元距離其目標(biāo)閾值電壓較遠(yuǎn)時更快編程存儲器單元。并且在存儲器單元更接近其目標(biāo)閾值電壓時較慢編程。但是，使用粗略編程模式和精細(xì)編程模式兩者不是要求的。也可以如圖7B中在一個編程序列中執(zhí)行粗略和精細(xì)編程?？梢赃M(jìn)行722中的驗(yàn)證處理以執(zhí)行粗略和精細(xì)驗(yàn)證兩者。還可以以對于粗略的快編程以及對于精細(xì)編程的慢編程的區(qū)別化而執(zhí)行編程脈沖步驟720。首先，將對于其中不使用粗略/精細(xì)編程的情況討論驗(yàn)證處理。圖7B提供了描述進(jìn)行驗(yàn)證而沒有粗略/精細(xì)編程(見圖7A的步驟722)的處理的一個實(shí)施例的流程圖。該處理描述了單個存儲器單元的驗(yàn)證?？梢酝瑫r對許多存儲器單元進(jìn)行該處理。在步驟740中應(yīng)用驗(yàn)證條件并進(jìn)行感測。例如，見圖6A，如果正在驗(yàn)證A狀態(tài)，則可以將存儲器單元的閾值電壓與A狀態(tài)的最終目標(biāo)閾值電壓VvA比較。以下討論步驟740的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。如果存儲器單元的閾值電壓大于目標(biāo)電壓VvA(步驟742)，則在步驟744，驗(yàn)證測試通過，并且存儲器單元將被禁止編程。用于禁止存儲器單元進(jìn)一步編程的一個實(shí)施例是將位線升高到Vdd，這致使NAND串溝道從位線偏壓切斷。當(dāng)施加編程脈沖時，由于耦合，隨著字線電壓升高到高電壓，可以在隔離的溝道中形成高電壓。也可以使用用于禁止存儲器單元進(jìn)一步編程的其他手段。如果在本步驟742中確定驗(yàn)證測試未通過(例如因?yàn)榇鎯ζ鲉卧拈撝惦妷盒∮谀繕?biāo)電壓VvA)，則存儲器單元將不被禁止進(jìn)一步編程(步驟746)。圖7C提供了描述其中使用粗略/精細(xì)編程的驗(yàn)證的處理的一個實(shí)施例的流程圖。該處理進(jìn)行粗略和精細(xì)驗(yàn)證。該處理描述單個存儲器單元的驗(yàn)證?？梢酝瑫r對許多存儲器單元進(jìn)行該處理。在步驟752，系統(tǒng)將檢查寄存器(或其他存儲器件)以確定特定存儲器單元是處于粗略編程模式還是精細(xì)編程模式。如果存儲器單元處于粗略編程模式(步驟754)，則在步驟756進(jìn)行粗略驗(yàn)證。例如，參考圖6C，如果A狀態(tài)正被驗(yàn)證，則存儲器單元可以將其閾值電壓與電壓VvaL相比較。以下討論步驟756的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。如果存儲器單元的閾值電壓在VvaL之上(步驟758)，則存儲器單元已經(jīng)通過粗略驗(yàn)證測試。如果存儲器單元的閾值電壓小于VvaL，則存儲器單元未通過驗(yàn)證測試。如果存儲器單元未通過粗略驗(yàn)證測試，則存儲器單元保持在粗略編程模式中(步驟760)。如果存儲器單元通過了粗略驗(yàn)證測試，則存儲器單元將改變編程模式到精細(xì)編程模式(步驟762)。注意，可以在不同的編程遍中改變編程模式或者在相同的編程遍中改變編程模式。在圖7A中描述了從步驟702到步驟726或者730的一遍編程。應(yīng)用粗略驗(yàn)證和精細(xì)驗(yàn)證可以一起進(jìn)行，而不管位通過了粗略Vt目標(biāo)VvaL還是精細(xì)Vt目標(biāo)VvA。如果在本步驟754中確定存儲器單元處于精細(xì)編程模式，則在步驟770中應(yīng)用精細(xì)驗(yàn)證條件，并且將進(jìn)行感測。例如，見圖6C，可以將存儲器單元的閾值電壓與最終目標(biāo)閾值電壓VvA比較。以下討論步驟754的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。如果存儲器單元的閾值電壓大于目標(biāo)電壓VvA (步驟722)，則已經(jīng)通過精細(xì)驗(yàn)證測試，并且在步驟774中，存儲器單元將被禁止編程。用于禁止存儲器單元進(jìn)一步編程的一個實(shí)施例是至少當(dāng)施加編程脈沖時將位線升高到Vdd。也可以使用用于禁止存儲器單元進(jìn)一步編程的其他手段。如果在本步驟772確定驗(yàn)證測試未通過(例如因?yàn)榇鎯ζ鲉卧拈撝惦妷盒∮谀繕?biāo)電壓VvA)，則存儲器單元將不被禁止進(jìn)一步編程(步驟776 )。在一些實(shí)施例中，甚至在存儲器單元被禁止進(jìn)一步編程之后，其位線也可以在步驟770的驗(yàn)證期間被充電。以下討論在驗(yàn)證期間偏壓位線的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。圖7D提供了用于指示如何進(jìn)行粗略/精細(xì)編程處理的一個例子的在編程脈沖中 閾值電壓(Vt)相對時間和位線電壓(V&)相對時間的圖。繪出了用于驗(yàn)證A狀態(tài)的閾值電壓電平(VvaL和VvA)。其他電平可以用于驗(yàn)證其他狀態(tài)。也可以使用粗略/精細(xì)編程方法的各種替換和實(shí)施例。圖中的信號以編程處理的粗略階段而開始。因此，存儲器單元的閾值電壓Vt相對低。當(dāng)存儲器單元的閾值電壓達(dá)到電壓VvaL時，則通過將單元的位線電壓升高到值VI以便減慢編程，存儲器單元進(jìn)入精細(xì)編程階段。在精細(xì)編程階段期間，與粗略編程階段相比，編程減慢。因此，在精細(xì)編程階段期間每個編程步驟的閾值電壓的改變很可能較小。存儲器單元將保持在精細(xì)編程階段直到存儲器單元的閾值電壓已經(jīng)達(dá)到目標(biāo)閾值電壓電平VvA。當(dāng)存儲器單元的閾值電壓達(dá)到VvA時，存儲器單元的位線電壓可以升高到Vdd以禁止該單元的進(jìn)一步編程。在一個實(shí)施例中，VvaL比VvA低一個Vpgm步長大小。在其他實(shí)施例中，VvaL和VvA之間的差更小或更大。注意，與驗(yàn)證期間的位線電壓相對，圖7D繪出當(dāng)施加編程脈沖時的位線電壓。以下進(jìn)一步討論在驗(yàn)證期間的位線電壓。圖8A是用于在編程處理期間驗(yàn)證存儲器單元的處理800的一個實(shí)施例的流程圖。當(dāng)驗(yàn)證存儲器單元時，向位線應(yīng)用某些偏壓條件。例如，一些位線被預(yù)充電，其他位線接地。在一個實(shí)施例中，位線的偏壓依賴于每個存儲器單元正要被編程到(或者已經(jīng)被編程到)的狀態(tài)。圖SB繪出用于讀取存儲器單元的處理820的一個實(shí)施例的流程圖。當(dāng)讀取特定狀態(tài)時，位線以基本匹配于在該狀態(tài)的驗(yàn)證期間所使用的位線偏壓的方式而被偏壓。因此，與正被讀取的存儲器單元相鄰的存儲器單元中的大多數(shù)存儲器單元的溝道電勢匹配于在該狀態(tài)的驗(yàn)證期間的相鄰存儲器單元的溝道電勢。這降低或者消除了溝道耦合效應(yīng)?？梢栽趫D7B的驗(yàn)證步驟740、圖7C的粗略驗(yàn)證步驟756或者圖7C的精細(xì)驗(yàn)證步驟770期間使用圖8A的處理800。注意，對于一些實(shí)施例，處理800被用于圖7C的精細(xì)驗(yàn)證步驟770，但是不用于圖7C的粗略驗(yàn)證步驟756。而且，注意，不要求對于編程處理的每次重復(fù)進(jìn)行處理800。因此，不需要對每個驗(yàn)證操作進(jìn)行處理800。例如，不要求對圖7B的步驟740的每次重復(fù)使用處理800。因此，在圖7A的編程處理700的每次重復(fù)的驗(yàn)證期間的相鄰者的溝道電勢匹配于在讀取期間的相鄰者的溝道電勢不是絕對的要求。在一個實(shí)施例中，至少在給定存儲器單元正被驗(yàn)證的最后一次使用處理800。注意，對于正驗(yàn)證的每個狀態(tài)，處理800重復(fù)一次。因此，對于每次重復(fù)，可以驗(yàn)證不同的狀態(tài)。例如，在某次重復(fù)期間，正被編程到狀態(tài)A的那些存儲器單元將其閾值電壓與VvA相比較。在步驟804，在位線上建立用于驗(yàn)證給定狀態(tài)的第一偏壓條件。在此使用術(shù)語“第一偏壓條件”來指代在驗(yàn)證期間使用的位線偏壓條件。在此將使用術(shù)語“第二偏壓條件”來指代在讀取期間使用的位線偏壓條件。當(dāng)驗(yàn)證每個編程狀態(tài)時可以建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件。對位線偏壓可以基于位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，第一電壓被施加到第一組位線，該第一組位線至少包含具有正被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)的存儲器單元的那些位線。該第一組可以包括具有未被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)的存儲器單元的位線。在一個實(shí)施例中，第一組非易失性存儲元件在驗(yàn)證操作期間具有第一溝道電勢。在一個實(shí)施例中，不在第一組中的存儲器單元的所有位線處于第二組中。第二組位線可以包括具有要被編程到不同于正被驗(yàn)證的狀態(tài)的經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的至少一些位線。第二組存儲器單元可以接地。通過接地，可以節(jié)省位線電力。而且，可以降低峰值電流。在步驟806，測試具有正被驗(yàn)證的存儲器單元的每條位線的條件以便驗(yàn)證每個存儲器單元是否被編程到給定的經(jīng)編程狀態(tài)。例如，感測放大器可以測量位線電流以便測量 在建立了第一偏壓條件之后在該位線上的所選存儲器單元的導(dǎo)電電流。注意，僅需要測試具有正被驗(yàn)證的存儲器單元的那些位線。第一偏壓條件可能影響與正被驗(yàn)證的存儲器單元相鄰的存儲器單元的溝道電勢。例如，相鄰者的位線可能被充電到某個電壓或者接地。在一個實(shí)施例中，相鄰者的位線可能被充電到0.4伏或者接地。但是，可以使用其他電壓。如已經(jīng)說明的，位線偏壓可以依賴于該位線上的存儲器單元正被(或者已經(jīng))編程到的狀態(tài)。作為一個例子，如果相鄰存儲器單元正被編程到(或者已經(jīng)被編程到)當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)或者在當(dāng)前被驗(yàn)證的狀態(tài)以下的狀態(tài)，則相鄰者的位線可以被預(yù)充電。否則，相鄰者的位線可以接地。因此，作為正被編程到給定狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的非易失性存儲元件在該給定狀態(tài)的驗(yàn)證期間可以具有依賴于相鄰的非易失性存儲元件被編程到的或者正被編程到的狀態(tài)的溝道電勢。許多其他的位線偏壓方案是可能的，包括但不限于以下討論的那些。如果存在更多狀態(tài)要驗(yàn)證(步驟808)，則可以再次進(jìn)行步驟804以建立另一組第一偏壓條件。但是，這次該第一偏壓條件用于正被驗(yàn)證的下一狀態(tài)。注意，這些位線偏壓條件可以不同與先前的偏壓條件。因此，第一偏壓條件可以依賴于正被驗(yàn)證的狀態(tài)。一旦已經(jīng)驗(yàn)證所有狀態(tài)，處理800結(jié)束。在編程處理800之后，可以基于個體存儲器單元對每條位線進(jìn)行用于確定驗(yàn)證是否通過的步驟。例如，可以進(jìn)行圖7B的步驟742、圖7C的步驟758或者770之一。在完成圖7B或者圖7C的處理之后，可以進(jìn)行圖7A的步驟724以確定是否所有存儲器單元都通過驗(yàn)證。如果不是，則可以在圖7A的步驟720中施加一個或多個另外的編程脈沖。最終，以存儲器單元被驗(yàn)證而完成編程。在某個稍后的時間點(diǎn)，可以讀取被編程的存儲器單元以訪問存儲的數(shù)據(jù)。可以進(jìn)行圖8B的處理820以讀取存儲器單元。如所述，將使用術(shù)語“第二偏壓條件”來指代在讀取期間的位線偏壓條件。處理820可以將第二位線偏壓條件基本匹配于第一位線偏壓條件。因此，相鄰存儲器單元中的大多數(shù)存儲器單元在目標(biāo)存儲器單元的讀取期間具有的溝道電勢可以匹配于該相鄰者在驗(yàn)證期間具有的溝道電勢。這降低或消除了在驗(yàn)證和讀取期間溝道耦合效應(yīng)上的差別。注意，不要求所有相鄰的存儲器單元在驗(yàn)證和讀取期間具有相同的溝道電勢。在步驟822，在讀取處理期間進(jìn)行與所選字線相關(guān)聯(lián)的非易失性存儲元件的至少一個粗讀取。注意，當(dāng)進(jìn)行粗讀取時，位線條件不一定要匹配于在驗(yàn)證期間使用的第一位線條件。例如，在一些實(shí)施例中，當(dāng)進(jìn)行粗讀取時，所有位線被充電到某個電壓。而且，注意，盡管為了方便說明將步驟822繪出為發(fā)生在其他步驟之前，但是一個或多個粗讀取可以發(fā)生在處理820中的其他點(diǎn)。以下討論進(jìn)行粗讀取的進(jìn)一步的細(xì)節(jié)。步驟824-828形成在讀取處理期間對每個正被讀取的狀態(tài)重復(fù)一次的循環(huán)。例如，參考圖6C，可以對每個讀取電壓VrA-VrC進(jìn)行一次重復(fù)。注意，在此使用術(shù)語“讀取狀態(tài)”來指代確定存儲器單元是否具有與該狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的至少一個電壓電平的閾值電壓匕如VrA)。為了最終確定存儲器單元是否實(shí)際處于A狀態(tài)，還應(yīng)該將存儲器單元的閾值電壓與VrB比較。在步驟824，在讀取處理期間對于正被讀取的當(dāng)前狀態(tài)建立第二偏壓條件?？梢栽谧x取處理期間對于正被讀取的每個狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件。對于給定狀態(tài) 的第二偏壓條件可以基本匹配于在該給定狀態(tài)的驗(yàn)證期間所使用的第一位線偏壓條件。例如，如果正讀取A狀態(tài)，則第二位線偏壓條件可以基本匹配于在驗(yàn)證A狀態(tài)時使用的第一位線偏壓條件。在一些實(shí)施例中，第二組偏壓條件是基于步驟822的一個或多個粗讀取。如已經(jīng)描述的，可以對給定的存儲器單元進(jìn)行多次驗(yàn)證。在一些實(shí)施例中，第二位線偏壓條件基本匹配于對于存儲器單元被驗(yàn)證的至少最后一次使用的第一位線偏壓條件。注意，當(dāng)讀取給定狀態(tài)時建立第二偏壓條件可以致使作為被編程到該給定狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的基本所有非易失性存儲元件具有匹配于在驗(yàn)證該給定狀態(tài)時該相鄰者的溝道電勢的溝道電勢。在一些實(shí)施例中，來自粗讀取的數(shù)據(jù)被用于確定應(yīng)該向每條位線施加何電壓。例如，第二偏壓條件可以基于粗讀取指示位線上的所選存儲器單元被編程到什么狀態(tài)。在一些實(shí)施例中，粗讀取本身可以幫助建立第二位線偏壓。例如，粗讀取可以使位線放電以建立處于期望水平的位線電勢。在一些實(shí)施例中，建立第二偏壓條件包括將第一組位線預(yù)充電到某個電壓并將第二組位線接地。在步驟826，在讀取處理期間在建立第二偏壓條件之后感測位線。注意，不是所有位線都需要被感測。在一個實(shí)施例中，感測被預(yù)充電的位線，并且不感測接地的位線。感測位線確定位線上的存儲器單元具有在對于正被讀取的狀態(tài)的電壓電平以上還是以下的閾值電壓。例如，當(dāng)讀取A狀態(tài)時，感測確定存儲器單元具有在VrA以上還是以下的Vt。注意，在當(dāng)前狀態(tài)的驗(yàn)證期間施加電壓的位線和在當(dāng)前狀態(tài)的讀取期間施加電壓的位線之間可能沒有確切的對應(yīng)性。而且，注意，在驗(yàn)證期間被接地的位線和在讀取期間被接地的位線之間可能沒有確切的對應(yīng)性。但是，不應(yīng)將具有正被驗(yàn)證或者正被讀取的存儲器單元的位線接地。即使在驗(yàn)證和讀取期間的位線電壓之間沒有確切的對應(yīng)性，對于大多數(shù)存儲器單元，相鄰位線在讀取和驗(yàn)證期間應(yīng)該處于相同的電勢。因此，正被讀取的目標(biāo)存儲器單元中的大多數(shù)目標(biāo)存儲器單元的相鄰者的溝道電勢在讀取和驗(yàn)證期間應(yīng)該相同。從而，驗(yàn)證和讀取期間的溝道耦合效應(yīng)的差別減小。將使用術(shù)語“第一組存儲器單元”來指代在驗(yàn)證的一個實(shí)施例期間使其位線被充電的存儲器單元。在一個實(shí)施例中，在驗(yàn)證期間的第一組存儲器單元是正被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)的存儲器單元以及正被編程到就在正被驗(yàn)證的狀態(tài)以下的狀態(tài)的那些存儲器單元。圖9A繪出在編程期間的閾值電壓分布的例子。圖9A中存在八個不同的閾值分布曲線。每個曲線對應(yīng)于數(shù)據(jù)狀態(tài)之一(例如被擦除狀態(tài)和經(jīng)編程狀態(tài)A-G)。驗(yàn)證電壓VvA-VvG繪出在Vt軸上。注意，對于較低的狀態(tài)中的一些狀態(tài)，編程是完成的。例如，被編程到A狀態(tài)的所有存儲器單元在VvA以上，并且被編程到B狀態(tài)的所有存儲器單元在VvB以上。但是，對于其他狀態(tài)，存儲器單元的至少一些仍在相應(yīng)的驗(yàn)證電平以下。圖9A示出虛線框以表示正被編程到D狀態(tài)或者E狀態(tài)的存儲器單元在E狀態(tài)的驗(yàn)證期間使其位線充電。但是，在此實(shí)施例中當(dāng)驗(yàn)證E狀態(tài)時，正被編程到任何其他狀態(tài)的存儲器單元的位線接地。注意，正被編程到C狀態(tài)或者F狀態(tài)的存儲器單元在E狀態(tài)的驗(yàn)證期間不使其位線充電。圖9B繪出在編程完成之后的閾值電壓分布的例子。讀取參考電壓Vra-VrG繪出在Vt軸上。當(dāng)讀取E狀態(tài)時，首先進(jìn)行粗讀取以粗略地確定哪些存儲器單元具有在VrD和VrF之間的Vt。該讀取粗略地確定哪些存儲器單元處于D狀態(tài)或者E狀態(tài)。然后，進(jìn)行精細(xì)讀取，其中將被粗略地確定為處于D狀態(tài)或者E狀態(tài)的那些存儲器單元的位線充電。但 是，其他存儲器單元的位線接地。因此，正被讀取的存儲器單元的相鄰者的溝道電勢應(yīng)該匹配于在驗(yàn)證期間的該相鄰者的溝道電勢。圖IOA是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理1000的一個實(shí)施例的流程圖。處理1000是驗(yàn)證處理800的步驟804的一個實(shí)施例。在處理1000中，將正被驗(yàn)證的存儲器單元以及就在其以下的狀態(tài)中的存儲器單元的位線被充電，并且不將其他位線充電。因此，處理1000可以使用圖9A中繪出的方案。在步驟1002，將正被驗(yàn)證的存儲器單元以及就在其以下的狀態(tài)中的存儲器單元的位線充電。例如，將正被編程到A狀態(tài)的存儲器單元以及保持被擦除的那些存儲器單元的位線充電?？梢詫⑦@些位線充電到適當(dāng)?shù)碾娖揭栽试S將存儲器單元的閾值電壓與VvA相比較。在步驟1004，將其他位線接地。在建立位線偏壓條件之后，感測正被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)的存儲器單元以確定其Vt是否處于驗(yàn)證電平，如處理800的步驟806中所述。例如，感測正被編程到狀態(tài)A的存儲器單元?？梢詫⑦_(dá)到驗(yàn)證電平的存儲器單元鎖定在進(jìn)一步編程之外。然后可以重復(fù)處理1000以驗(yàn)證另一狀態(tài)。例如，當(dāng)正驗(yàn)證B狀態(tài)時，將正被編程到B狀態(tài)的存儲器單元以及被編程到A狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。在步驟1004中，將其他位線接地。圖IOB是用于進(jìn)行粗讀取的處理1020的一個實(shí)施例的流程圖。在此實(shí)施例中，使用粗讀取來粗略地確定每個存儲器單元處于什么狀態(tài)。這可以被稱為粗讀取，因?yàn)樯院髮⒒趶拇肿x取得到的信息而細(xì)化讀取。例如，當(dāng)在每個狀態(tài)處讀取時將使用該信息來確定將哪些位線充電。處理1020描述了來自處理820的步驟822的一個實(shí)施例。圖IOC是用于基于粗讀取建立第二位線偏壓條件的處理1040的一個實(shí)施例的流程圖。處理1040描述了來自處理820的步驟824的一個實(shí)施例。當(dāng)讀取存儲器單元時處理1020和1040通常一起使用，并且如果在編程期間使用圖IOA的處理1000驗(yàn)證存儲器單元，則可以使用處理1020和 1040。在圖IOB的步驟1022，將所有位線預(yù)充電到適合于感測存儲器單元的電壓。例如，可以將O. 4伏施加到所有位線。在圖IOB的步驟1024中，以給定電平進(jìn)行存儲器單元的讀取。例如，進(jìn)行讀取以確定哪些存儲器單元具有在VrA以上的Vt。為了進(jìn)行讀取，可以將VrA的電壓施加到所選字線。然后，可以感測每條位線的導(dǎo)電電流?？梢詫⒏袦y操作的結(jié)果存儲在鎖存器中或者其他存儲單元中。在一個實(shí)施例中，讀取是“全位線”(“ABL”)讀取。在ABL讀取中，奇數(shù)和偶數(shù)位線兩者一起被感測。但是，ABL感測不是要求。例如，偶數(shù)和奇數(shù)位線可以分開被讀取。以下討論讀取存儲器單元的一個實(shí)施例的進(jìn)一步細(xì)節(jié)。如果存在更多狀態(tài)要讀取，則處理1020返回到步驟1022以讀取下一狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，讀取從A狀態(tài)向上前進(jìn)。在一些實(shí)施例中，讀取致使具有在讀取比較電平以下的Vt的存儲器單元的位線放電。例如，在VrA處讀取可能致使被擦除的存儲器單元的位線放電。但是，其他存儲器單元的位線可以不由于讀取而放電。因此，如果讀取從A狀態(tài)向上前進(jìn)，則不需要對位線再次充電。但是，不要求按任何具體順序進(jìn)行讀取。此外，不要求以阻止某些位線放電的方式進(jìn)行讀取。在所有狀態(tài)已被讀取之后，處理1020結(jié)束。在完成處理1020之后，可以進(jìn)行圖IOC的處理1040。如所述，處理1040在位線上建立用于讀取某個狀態(tài)的第二偏壓條件?；叵肟梢詫Ρ蛔x取的每個狀態(tài)建立不同的一組第二偏壓條件。在圖IOC的步驟1024，將對于正被讀取的狀態(tài)以及就在其以下的狀態(tài)的位線充電。例如，基于來自處理1020的粗讀取的信息，將粗略地確定為處于A狀態(tài)和擦除狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。在步驟1046中，可以將所有其他位線接地。以上假設(shè)當(dāng)前 正讀取A狀態(tài)。因此，位線偏壓條件可以密切匹配于當(dāng)驗(yàn)證A狀態(tài)時所施加的位線偏壓條件。在建立位線偏壓條件之后，可以針對正被讀取的當(dāng)前狀態(tài)進(jìn)行圖SB的步驟826。例如，可以將適當(dāng)?shù)淖x取電壓施加到所選字線以測試存儲器單元是否具有在VrA以上/以下的Vt。然后，可以重復(fù)處理1040以建立對于另一狀態(tài)的第二位線條件。例如，如果接下來要讀取B狀態(tài)，則可以將粗略確定為要被編程到B狀態(tài)的存儲器單元以及粗略確定為要被編程到A狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。注意，不需要再次進(jìn)行粗略讀取所有狀態(tài)的處理1020。而是，可以使用先前讀取的數(shù)據(jù)。圖IlA是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理1100的一個實(shí)施例的流程圖。處理1100是驗(yàn)證處理800的步驟804的一個實(shí)施例。在處理1100中，將正被驗(yàn)證的存儲器單元的位線充電，并且不將其他位線充電。在步驟1102，將正被驗(yàn)證的存儲器單元的位線充電。例如，將正被編程到A狀態(tài)的存儲器單元的位線充電?？梢詫⑽痪€充電到允許存儲器單元的閾值電壓與VvA相比較的適當(dāng)電平。在步驟1104，可以將所有其他位線接地。在處理1100中建立位線偏壓條件之后，感測正被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)的存儲器單元以確定其Vt是否處于驗(yàn)證電平，如處理800的步驟806中所述。例如，感測正被編程到A狀態(tài)的存儲器單元。可以將達(dá)到驗(yàn)證電平的存儲器單元鎖定在進(jìn)一步編程之外。因此，當(dāng)正驗(yàn)證B狀態(tài)時，可以將正被編程到B狀態(tài)的存儲器單元充電并且可以將所有其他位線接地。可以對被驗(yàn)證的每個狀態(tài)重復(fù)處理1100。圖IlB是用于讀取存儲器單元的處理1120的一個實(shí)施例的流程圖。處理1120描述了來自圖8的處理820的步驟822-828的一個實(shí)施例。可以在驗(yàn)證存儲器單元時在使用處理1100時使用處理1120以減小溝道耦合效應(yīng)。處理1120描述了具有四個狀態(tài)的實(shí)施例擦除、A、B和C。但是，處理1120可以擴(kuò)展到更多或更少狀態(tài)。通常，處理1120涉及按從最高狀態(tài)到最低狀態(tài)的順序讀取狀態(tài)。例如，讀取C狀態(tài)，然后B狀態(tài)，然后A狀態(tài)。在步驟1122中，將所有位線預(yù)充電。注意，不要求對所有位線充電。但是，對所有位線充電允許一起讀取所有位線(奇數(shù)和偶數(shù))，這節(jié)省時間。在步驟1124，進(jìn)行在C狀態(tài)處的粗讀取。進(jìn)行在C狀態(tài)處的粗讀取可以將處于C狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于C狀態(tài)的讀取電平(例如VrC)的閾值電平的存儲器單元可以傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrC的閾值電平的存儲器單元將僅傳導(dǎo)非常小的電流或者不傳導(dǎo)電流。大的導(dǎo)電電流可以將位線放電?；蛘?，可以檢測具有大的導(dǎo)電電流的位線并通過例如將那些位線接地來關(guān)閉(shut down)。但是，不應(yīng)將處于C狀態(tài)的存儲器單元的位線放電。因此，在粗讀取之后，僅被編程到C狀態(tài)的存儲器單元的位線保持被充電。在C狀態(tài)的粗讀取因此建立了第二位線條件。注意，第二位線條件匹配于在使用圖IlA的處理1100時在C狀態(tài)的驗(yàn)證期間所建立的第一位線條件。因此，步驟1122和1124是建立第二位線條件的步驟824的一個實(shí)施例。注意，不要求在C狀態(tài)下的粗讀取保存讀取的結(jié)果。因此，不要求確定哪些存儲器單元具有在VrC以上的Vt。在一個實(shí)施例中，粗讀取是兩選通(strobe)讀取的第一選通。兩選通讀取的一個實(shí)施例的更多細(xì)節(jié)在以下討論。在一個實(shí)施例中，粗讀取包括多選通讀 取中除了最終選通之外的所有選通。在步驟1124中，在C狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrC進(jìn)行讀取。例如，在建立第二位線條件之后，將電壓VrC施加到所選字線。步驟1124確定哪些存儲器單元具有至少VrC的閾值電壓，因?yàn)镃狀態(tài)是此例子中的最高狀態(tài)，因此確定處于C狀態(tài)中的存儲器單元。在一個實(shí)施例中，步驟1124的讀取是在步驟1122中使用的兩選通讀取中的第二選通。在一個實(shí)施例中，步驟1124的讀取是在步驟1122中使用的多選通讀取中的最后選通。在步驟1128中，可以再次將所有位線充電。在步驟1130中，進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取。進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取可以將處于B狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于B狀態(tài)的讀取電平(例如VrB )的閾值電平的存儲器單元將傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrB的閾值電平的存儲器單元將不傳導(dǎo)大電流。因此，在B狀態(tài)的粗讀取之后，僅被編程到B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元的位線保持被充電。在步驟1132，將被確定為處于C狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。因此通過進(jìn)行在B的粗讀取以及C狀態(tài)位線的放電而建立第二位線條件。再次，注意，第二位線條件匹配于當(dāng)使用圖IlA的處理1100時在B狀態(tài)的驗(yàn)證期間建立的第一位線條件。因此，步驟1128、1130和1132是建立第二位線條件的步驟824的一個實(shí)施例。在一個實(shí)施例中，將步驟1130和1132顛倒以便在進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取之前對將C狀態(tài)存儲器單元的位線放電。在一個實(shí)施例中，不是在1128中預(yù)充電所有位線，而是不將具有C狀態(tài)存儲器單元的位線放電，以便不需要步驟1132。在步驟1134，在B狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrB進(jìn)行讀取。例如，在建立了第二位線條件之后，將電壓VrB施加到所選字線。步驟1134確定哪些存儲器單元具有至少VrB的閾值電壓。因?yàn)镃狀態(tài)存儲器單元已經(jīng)確定，所以步驟1134確定哪些存儲器單元處于B狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，在B狀態(tài)的粗讀取以及第二讀取對應(yīng)于兩選通讀取的第一和第二選通。但是，不要求粗讀取和第二讀取是相同的兩選通讀取操作的部分。此外，兩選通讀取不是對任一讀取的要求。在步驟1136中，可以再次將所有位線充電。在步驟1138中，進(jìn)行在狀態(tài)A的粗讀取。進(jìn)行在狀態(tài)A的粗讀取可以將處于A狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于A狀態(tài)的讀取電平(例如VrA)的閾值電平的存儲器單元將傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrA的閾值電平的存儲器單元將不傳導(dǎo)大電流。因此，在A狀態(tài)的粗讀取之后，僅被編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元的位線保持充電。在步驟1140，將被確定為處于B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元的位線放電。因此通過進(jìn)行在A狀態(tài)的粗讀取以及B狀態(tài)和C狀態(tài)位線的放電而建立第二位線條件。再次，注意，第二位線條件匹配于當(dāng)使用圖IlA的處理1100時在A狀態(tài)的驗(yàn)證期間所建立的第一位線條件。因此，步驟1136、1138和1140是建立第二位線條件的步驟824的一個實(shí)施例。在一個實(shí)施例中，將步驟1138和1140顛倒以便在進(jìn)行A狀態(tài)的粗讀取之前將B狀態(tài)和C狀態(tài)存儲器單元的位線放電。在一個實(shí)施例中，不是在步驟1128中預(yù)充電所有位線，而是不將具有B狀態(tài)和C狀態(tài)存儲器單元的位線放電以便不需要步驟1140。在步驟1142，在A狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrA進(jìn)行讀取。例如，在建立了第二位線條件之后，將電壓VrA施加到所選字線。步驟1142確定哪些存儲器單元具有至少VrA的閾值電壓。因?yàn)锽狀態(tài)和C狀態(tài)存儲器單元已經(jīng)確定，所以步驟1142確定哪些存儲·器單元處于A狀態(tài)。因此確定其余的存儲器單元處于被擦除狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，在A狀態(tài)的粗讀取以及在A狀態(tài)的第二讀取對應(yīng)于兩選通讀取的第一和第二選通。但是，不要求粗讀取和第二讀取是相同的兩選通讀取操作的部分。此外，兩選通讀取不是對任一讀取的要求。在一些實(shí)施例中，不是在多位存儲器單元中存儲的所有位都被讀回(readback)。例如，如果每存儲器單元存儲兩位，則一個選項是僅讀回第一位或者僅讀回第二位。這可以稱為僅讀取較低頁或者僅讀取較高頁。在使用圖IlA和IlB的方案的一個實(shí)施例中，可以通過讀取B狀態(tài)來實(shí)現(xiàn)僅讀取較低頁。注意，當(dāng)讀取B狀態(tài)時，應(yīng)該僅將B狀態(tài)中的存儲器單元的位線充電，以便匹配于在圖IlA的驗(yàn)證期間使用的第一位線條件。因此，首先可以進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取以將處于擦除或者A狀態(tài)的存儲器單元的位線放電，并確定哪些位線具有在B狀態(tài)以下的存儲器單元。然后，可以進(jìn)行在C狀態(tài)的粗讀取以確定哪些位線具有處于C狀態(tài)的存儲器單元。然后，僅將已經(jīng)被粗略地確定處于B狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，并進(jìn)行B狀態(tài)的精細(xì)讀取。B狀態(tài)的精細(xì)讀取確定哪些存儲器單元處于B狀態(tài)或者C狀態(tài)，在一個實(shí)施例中這是較低數(shù)據(jù)頁。圖12A是用于在驗(yàn)證期間建立第一偏壓條件的處理1200的一個實(shí)施例的流程圖。處理1200是驗(yàn)證處理800的步驟804的一個實(shí)施例。在處理1200中，將正被編程到正被驗(yàn)證的狀態(tài)以及所有更高狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。不將所有其他位線充電。在步驟1202，將正被驗(yàn)證的和所有更高狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。例如，如果正驗(yàn)證A狀態(tài)，則將正被編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。這假設(shè)存在四個狀態(tài)擦除、A、B和C?？梢孕薷奶幚?200用于更多或更少狀態(tài)。在步驟1204，可以將所有其他位線接地。例如，將要保持被擦除的存儲器單元的位線接地。可以對要驗(yàn)證的每個狀態(tài)重復(fù)處理1200。例如，當(dāng)驗(yàn)證B狀態(tài)時，在步驟1202，將正被編程到B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電。在步驟1204，可以將要保持被擦除以及要被編程到A狀態(tài)的存儲器單元的位線接地。圖12B是用于進(jìn)行粗讀取以及在讀取期間建立第二位線條件的處理1220的一個實(shí)施例的流程圖。處理1220描述了來自處理820的步驟822和824的一個實(shí)施例。當(dāng)在驗(yàn)證存儲器單元時在使用處理1200時，可以使用處理1220。處理1220描述了具有四個狀態(tài)的實(shí)施例擦除、A、B和C。但是，處理1220可以擴(kuò)展到更多或過少狀態(tài)。通常，處理1120涉及按從最低狀態(tài)到最高狀態(tài)的順序讀取狀態(tài)。例如，讀取A狀態(tài)，然后B狀態(tài)，然后C狀態(tài)。在步驟1222，將所有位線預(yù)充電。在步驟1224，進(jìn)行在A狀態(tài)的粗讀取。進(jìn)行在A狀態(tài)的粗讀取可以將處于A狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于A狀態(tài)的讀取電平(例如VrA)的閾值電平的存儲器單元將傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrA的閾值電壓的存儲器單元將不傳導(dǎo)大電流。因此，在A狀態(tài)的粗讀取之后，將僅使被擦除的存儲器單元的位線放電。注意，在一些實(shí)施例中，傳導(dǎo)大電流的位線被標(biāo)識并通過例如將那些位線接地而關(guān)閉。而且注意，這些位線條件匹配于當(dāng)使用圖12A的處理1200時在A狀態(tài)的驗(yàn)證期間所建立的第一位線條件。即，將處于A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，而將所有其他位線放電。因此，在A狀態(tài)的粗讀取建立了第二位線條件。因此，步驟1222和1224是建立第二位線條件的步驟824的一個實(shí)施例。在一個實(shí)施例中，在A狀態(tài)的粗讀取是兩選通讀取的第一選通。
在步驟1226，在A狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrA進(jìn)行讀取。例如，在建立了第二位線條件之后，將電壓VrA施加到所選字線。步驟1，226確定哪些存儲器單元具有至少VrA的閾值電壓。注意，具有至少VrA的閾值電壓的存儲器單元的一些可以處于B狀態(tài)或者C狀態(tài)。因此，處于A狀態(tài)的存儲器單元還未確定。在一個實(shí)施例中，步驟1226的讀取是步驟1224的兩選通讀取的第二選通。在步驟1228，進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取。進(jìn)行在B狀態(tài)的粗讀取可以將處于B狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于B狀態(tài)的讀取電平(例如VrB)的閾值電平的存儲器單元將傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrB的閾值電平的存儲器單元將不傳導(dǎo)大電流。因此，在B狀態(tài)的粗讀取之后，僅被編程到B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元的位線保持充電。在一個實(shí)施例中，在B狀態(tài)的粗讀取是兩選通讀取的第一選通。注意，這些位線條件匹配于當(dāng)使用圖12A的處理1200時在B狀態(tài)的驗(yàn)證期間所建立的第一位線條件。即，將處于B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，而將所有其他位線放電。因此，在B狀態(tài)的粗讀取建立了第二位線條件。因此，步驟1222和1228是建立第二位線條件(對于B狀態(tài))的步驟824的一個實(shí)施例。在步驟1230，在B狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrB進(jìn)行讀取。例如，在建立了第二位線條件之后，將電壓VrB施加到所選字線。步驟1230確定哪些存儲器單元具有至少VrB的閾值電壓。注意，具有至少VrB的閾值電壓的存儲器單元可以處于B狀態(tài)或者C狀態(tài)。因此，處于B狀態(tài)的存儲器單元還未確定。但是，此次可以確定處于A狀態(tài)的存儲器單元。在一個實(shí)施例中，步驟1230的讀取是步驟1228的兩選通讀取的第二選通。在步驟1232，進(jìn)行在C狀態(tài)的粗讀取。進(jìn)行在C狀態(tài)的粗讀取可以將處于C狀態(tài)以下的任意狀態(tài)中的存儲器單元的位線放電。例如，具有小于C狀態(tài)的讀取電平(例如VrC)的閾值電平的存儲器單元將傳導(dǎo)大電流，而具有大于VrC的閾值電平的存儲器單元將不傳導(dǎo)大電流。因此，在C狀態(tài)的粗讀取之后，僅被編程到C狀態(tài)的存儲器單元的位線保持充電。在一個實(shí)施例中，在C狀態(tài)的粗讀取是兩選通讀取的第一選通。注意，這些位線條件匹配于當(dāng)使用圖12A的處理1200時在C狀態(tài)的驗(yàn)證期間所建立的第一位線條件。即，將處于C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，而將所有其他位線放電。因此，在C狀態(tài)的粗讀取(與步驟1222中的預(yù)充電一起)建立了第二位線條件。因此，步驟1222和1232是建立第二位線條件(對于C狀態(tài))的步驟824的一個實(shí)施例。在步驟1234，在C狀態(tài)進(jìn)行另一讀取。例如，以VrC進(jìn)行讀取。例如，在建立了第二位線條件之后，將電壓VrB施加到所選字線。步驟1234確定哪些存儲器單元具有至少VrC的閾值電壓?；谝愿鱾€電平的讀取，現(xiàn)在可以確定所有存儲器單元的當(dāng)前狀態(tài)。在一個實(shí)施例中，步驟1234的讀取是步驟1232的兩選通讀取的第二選通。在一個實(shí)施例中，存在在驗(yàn)證期間用于每條位線的至少四個鎖存器。例如，數(shù)據(jù)鎖存器(圖5，494)可以包括兩個數(shù)據(jù)鎖存器，用于存儲要編程到位線上的存儲器單元中的兩位數(shù)據(jù)。這假設(shè)存在四個數(shù)據(jù)狀態(tài)?？梢源嬖诙嘤诨蛘呱儆谒膫€數(shù)據(jù)狀態(tài)，在此情況下，可以使用多于或者少于兩個數(shù)據(jù)鎖存器。一個鎖存器記錄存儲器單元是否被禁止進(jìn)一步編程。例如，位線鎖存器(圖5，482)可以存儲將導(dǎo)致連接的位線被拉到指定編程禁止的狀態(tài)(例如Vdd)的值?？焖偻ㄟ^寫入(QPW)鎖存器可以記錄存儲器單元是否處于QPW模式。注 意，不要求一些鎖存器位于公共部分490中并且其它位于感測模塊480中，如圖5所示。在一些實(shí)施例中，沒有用于存儲是否應(yīng)該禁止編程的指示的位線鎖存器482。而是，在存儲器單元已被編程到其目標(biāo)閾值電壓之后，數(shù)據(jù)鎖存器494中的編程數(shù)據(jù)被蓋寫(overwrite)以指示編程完成。例如，在存儲器單元已被編程到其目標(biāo)閾值電壓之后，數(shù)據(jù)鎖存器中的編程數(shù)據(jù)被設(shè)置到對于擦除狀態(tài)的值。因?yàn)閷τ谔幱诓脸隣顟B(tài)的存儲器單元不需要進(jìn)行編程，所以這可以解釋為意味著存儲器單元不應(yīng)該接收任何進(jìn)一步的編程。但是，對于一些實(shí)施例，希望知道存儲器單元被編程到什么狀態(tài)以便在驗(yàn)證期間適當(dāng)?shù)仄珘何痪€使得可以在讀取期間減小溝道耦合效應(yīng)。即，即使存儲器單元在被鎖定在進(jìn)一步編程之外之后不需要被驗(yàn)證，但是其位線在其相鄰存儲器單元的位線仍需驗(yàn)證的情況下仍應(yīng)該被適當(dāng)偏壓。一些實(shí)施例能夠確定如何基于存儲器單元被編程到的狀態(tài)來偏壓位線，即使數(shù)據(jù)鎖存器494中的編程數(shù)據(jù)已經(jīng)被蓋寫也如此。在一個實(shí)施例中，將來自QPW鎖存器的信息與數(shù)據(jù)鎖存器494中的當(dāng)前信息組合以確定在驗(yàn)證期間如何偏壓位線。注意，對于要保持被擦除的存儲器單元，數(shù)據(jù)鎖存器494應(yīng)該包含貫穿編程處理的擦除狀態(tài)數(shù)據(jù)。但是，對于要被編程到非擦除狀態(tài)的存儲器單元，數(shù)據(jù)鎖存器494中的當(dāng)前信息可以依賴于存儲器單元是否已經(jīng)達(dá)到其意圖的編程狀態(tài)。例如，在存儲器單元達(dá)到意圖的編程狀態(tài)之前，數(shù)據(jù)鎖存器494應(yīng)該包含原始編程數(shù)據(jù)。但是，在達(dá)到意圖的編程之后，數(shù)據(jù)鎖存器494應(yīng)該包含擦除狀態(tài)數(shù)據(jù)以指示編程完成。因此，具有擦除狀態(tài)數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)鎖存器可以用于曾要保持被擦除的存儲器單元或者已經(jīng)完成編程到經(jīng)編程狀態(tài)的存儲器單元。圖13是驗(yàn)證存儲器單元的處理1300的一個實(shí)施例的流程圖。在處理1300中，將來自QPW鎖存器的數(shù)據(jù)與數(shù)據(jù)鎖存器494中的當(dāng)前數(shù)據(jù)組合以解碼原始編程數(shù)據(jù)，然后確定在驗(yàn)證期間如何偏壓位線。處理1300是針對具有四個狀態(tài)的實(shí)施例；但是，將認(rèn)識到，可以修改處理1300用于更多或更少狀態(tài)。處理1300使用粗略和精細(xì)驗(yàn)證兩者。因此，處理1300可以與粗略和精細(xì)編程一起使用。處理1300描述了處理一個存儲器單元。但是，將認(rèn)識到，可以同時驗(yàn)證許多存儲器單元。例如，可以將處理1300同時應(yīng)用于正被編程的所有存儲器單元。在步驟1302中，進(jìn)行A狀態(tài)的粗略驗(yàn)證。在粗略驗(yàn)證期間，可以將所有位線充電。注意，不要求在粗略驗(yàn)證期間使用的位線偏壓匹配于在該狀態(tài)的讀取期間使用的位線偏壓。步驟1302可以包括針對導(dǎo)電電流感測位線并基于位線是否傳導(dǎo)顯著電流而在QPW鎖存器中存儲值。例如，如果存儲器單元的閾值電壓大于VvaL，則QPW鎖存器可以被設(shè)置為“I”。步驟1302是圖7C的步驟756-762的一個實(shí)施例。注意在步驟1302之后，用于存儲器單元的數(shù)據(jù)鎖存器可以包含原始編程數(shù)據(jù)，或者編程數(shù)據(jù)可能已經(jīng)被設(shè)置到擦除狀態(tài)以指示對于該位線上的存儲器單元應(yīng)該禁止進(jìn)一步編程。因此，如果數(shù)據(jù)鎖存器指示除了擦除之外的數(shù)據(jù)狀態(tài)，則數(shù)據(jù)鎖存器指示存儲器單元要被編程到的狀態(tài)。但是，如果數(shù)據(jù)鎖存器指示擦除狀態(tài)，則不確定存儲器單元是，要保持擦除的存儲器單元還是已經(jīng)被編程到另一狀態(tài)并且現(xiàn)在被禁止進(jìn)一步編程的存儲器單
J Li ο在步驟1304，將來自QPW鎖存器的數(shù)據(jù)與來自數(shù)據(jù)鎖存器494的當(dāng)前數(shù)據(jù)組合以確定數(shù)據(jù)鎖存器494是包含實(shí)際擦除數(shù)據(jù)還是禁止數(shù)據(jù)。圖14A中的表1400概括了各條件以例示可以如何將QPW鎖存器與來自數(shù)據(jù)鎖存器494的當(dāng)前數(shù)據(jù)組合的一個實(shí)施例。圖 14A的表1400中的每列屬于給定存儲器單元的不同條件。列Er屬于要停留在被擦除狀態(tài)的存儲器單元(因此其Vt處于被擦除狀態(tài))。列A、B、C分別指代被編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的“未被編程”情況。未被編程的存儲器單元可以具有小于該狀態(tài)的目標(biāo)Vt的任意Vt。列Aq、Bq、Cq分別指代被編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的“快速通過寫入(quick pass write)”情況。處于快速通過寫入階段的存儲器單元可以具有在粗略驗(yàn)證和精細(xì)驗(yàn)證電平之間的任意Vt。例如，對于A狀態(tài)，存儲器單元可以在VvaL和VvA之間。列Ain、Bin、Cin分別指代被編程到A狀態(tài)、B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的“被禁止”情況。被禁止的存儲器單元已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)Vt并且已被鎖定在進(jìn)一步編程之外。注意，當(dāng)存儲器單元被鎖定在進(jìn)一步編程之外時，數(shù)據(jù)鎖存器可以被設(shè)置到擦除狀態(tài)以指示其應(yīng)該被鎖定在外面。對于其中數(shù)據(jù)鎖存器將指示擦除狀態(tài)的情況，表1400中的第一行包含“I”。如所述，這可能是由于存儲器單元是要保持被擦除的存儲器單元或者已經(jīng)達(dá)到其目標(biāo)電平并且已被禁止進(jìn)一步編程的存儲器單元。因此，“I”被示出在列Er (存儲器單元要保持被擦除)中以及列Ain (存儲器單元被禁止進(jìn)一步編程因?yàn)槠湟呀?jīng)達(dá)到其目標(biāo)A狀態(tài))、以及Bin和Cin列中的第一行中。表中的第二行示出當(dāng)進(jìn)行粗略驗(yàn)證時的可能值。例如，如果存儲器單元還未被編程，則其可能具有在VvaL以上或者以下的Vt。注意，這對被編程到任意狀態(tài)的存儲器單元是成立的。因此，該表指示對于未被編程情況的不確定值“0/1”。表1400具有對于Aq、Ain、Bq、Bin、Cq和Cin的“ I ”，這是因?yàn)閷τ谶@些情況，Vt將高于VvaL。表中的第三行具有對于如下情況的“ I ” 對于這些情況，當(dāng)進(jìn)行精細(xì)A狀態(tài)驗(yàn)證時，位線應(yīng)該被偏壓。在此例子中，這適用于除了要保持被擦除的存儲器單元之外的每種情況。第三行由QPW鎖存器和數(shù)據(jù)鎖存器494的組合形成。在此例子中，第三行由QPW ORNOTEr形成。換句話說，如果QPW鎖存器被設(shè)置為I或者如果數(shù)據(jù)鎖存器494包含除了擦除數(shù)據(jù)之外的任何數(shù)據(jù)，則第三行等于“ I ”。例如，對于情況A、Aq、B、Bq、C、Cq,數(shù)據(jù)鎖存器494不包含擦除數(shù)據(jù)。因此，對于這些值，第三行被設(shè)置到“I”。而且，如果QPW被設(shè)置為“1”，則設(shè)置第三行。例如，對于Aq、Ain、Bq、Bin、Cq和Cin，設(shè)置QPW。因此，設(shè)置第三行中的相應(yīng)格。注意，對于A、B和C，QPW的值不確定。但是，由于數(shù)據(jù)鎖存器494不包含擦除數(shù)據(jù)，第三行被設(shè)置為“ I ”。注意，可以按其他方式進(jìn)行組合QPW鎖存器與數(shù)據(jù)鎖存器。在步驟1306，將不欲保持被擦除的存儲器單元的位線充電，而不將欲保持被擦除的存儲器單元的位線充電。在步驟1304中確定了正確的位線，如之前所述。在步驟1308，以步驟1306中建立的位線條件進(jìn)行A狀態(tài)的精細(xì)驗(yàn)證。例如，電壓VvA可以施加到所選字線，然后可以感測位線。步驟1308是圖7C的步驟770的一個實(shí)施例。因此，在感測位線之后，可以確定驗(yàn)證是否通過(圖7C，步驟772)。如果驗(yàn)證通過并且位線要被禁止，則數(shù)據(jù)鎖存器494可以被設(shè)置到被擦除狀態(tài)以提供禁止指示符(圖7C，步驟774)。在步驟1310，進(jìn)行B狀態(tài)的粗略驗(yàn)證。在粗略驗(yàn)證期間，可以將所有位線充電。注意，不要求在粗略驗(yàn)證期間使用的位線偏壓匹配于在該狀態(tài)的讀取期間使用的位線偏壓。步驟1310可以包括針對導(dǎo)電電流感測位線并基于位線是否傳導(dǎo)顯著電流而在QPW鎖存器中存儲值。例如，如果存儲器單元的閾值電壓大于VvaL，則QPW鎖存器被設(shè)置為“I”。步驟1310是圖7C的步驟756-762的一個實(shí)施例。 注意，在步驟1310之后，用于存儲器單元的數(shù)據(jù)鎖存器可以包含原始編程數(shù)據(jù)，或者編程數(shù)據(jù)可能已經(jīng)被設(shè)置到擦除狀態(tài)以指示應(yīng)該禁止進(jìn)一步的編程。因此，如果數(shù)據(jù)鎖存器指示除了擦除之外的數(shù)據(jù)狀態(tài)，則該數(shù)據(jù)鎖存器指示存儲器單元要被編程到的狀態(tài)。但是，如果數(shù)據(jù)鎖存器指示擦除狀態(tài)，則不確定存儲器單元是要保持被擦除的存儲器單元還是已經(jīng)被編程到另一狀態(tài)并且現(xiàn)在被禁止進(jìn)一步編程的存儲器單元。在步驟1312，將來自QPQ鎖存器的數(shù)據(jù)與來自數(shù)據(jù)鎖存器494的當(dāng)前數(shù)據(jù)組合以確定數(shù)據(jù)鎖存器494是否包含實(shí)際擦除數(shù)據(jù)或者禁止數(shù)據(jù)。對于驗(yàn)證B情況，希望確定哪些位線具有要保持被擦除的存儲器單元或者要被編程到A狀態(tài)的存儲器單元。當(dāng)討論步驟1312時，將參考圖14B的表1420。對于其中數(shù)據(jù)鎖存器494將指示擦除狀態(tài)或者A狀態(tài)的情況，表1420中的第一行包含“I”。因此，“I”被示出在列Er (存儲器單元要保持被擦除)、列Ain、Bin、Cin以及列Q、Aq中的第一行，這表示其中數(shù)據(jù)鎖存器494仍包含A狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況，因?yàn)榇鎯ζ鲉卧€未被編程到A狀態(tài)。表1420中的第二行示出當(dāng)進(jìn)行對于B狀態(tài)的粗略驗(yàn)證時QPW鎖存器中的可能的值。例如，如果存儲器單元還未被編程，則其可能具有在VvbL以上或者以下的Vt。注意，這對被編程到B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元成立。因此，對于未被編程的B狀態(tài)和C狀態(tài)的情況，表1420指示不確定的值“0/1”。表1420具有對于Bq、Bin、Cq和Cin的“1”，因?yàn)閷τ谶@些情況Vt將高于VvbL電壓電平。對于如下情況，表1420中的第三行具有“I”:對于這些情況，當(dāng)進(jìn)行精細(xì)B狀態(tài)驗(yàn)證時，位線應(yīng)該被偏壓。在此例子中，這適用于除了要保持被擦除的存儲器單元以及已經(jīng)被編程到或者要被被編程到A狀態(tài)的存儲器單元之外的每種情況。換句話說，已被編程到B狀態(tài)和C狀態(tài)或者要被編程到B狀態(tài)和C狀態(tài)的存儲器單元的位線被偏壓。第三行由前兩行的組合形成。具體地，第三行由QPW OR NOT (Er OR A)形成。換句話說，如果QPW被設(shè)置為1，或者如果數(shù)據(jù)鎖存器494包含除了擦除數(shù)據(jù)或A狀態(tài)數(shù)據(jù)之外的任何數(shù)據(jù)，則第三行應(yīng)該是“I”。例如，對于B、Bq、C、Cq的情況，數(shù)據(jù)鎖存器494不包含擦除數(shù)據(jù)。因此，對于這些值，第三行被設(shè)置為“I”。而且，如果設(shè)置了 QPW，則設(shè)置第三行。例如，對于Bq、Bin、Cq和Cin，設(shè)置QPW。因此，設(shè)置第三行中的相應(yīng)格。注意，可以按其他方式進(jìn)行組合QPW鎖存器和數(shù)據(jù)鎖存器494。在步驟1314，將要被編程到B狀態(tài)或者C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，而不將所有其他位線充電。在步驟1312中確定了正確的位線，如之前所述。在步驟1316，以在步驟1314中建立的位線條件進(jìn)行B狀態(tài)的精細(xì)驗(yàn)證。例如，可以將電壓VvB到所選字線，然后可以感測位線。步驟1316是圖7C的步驟770的一個實(shí)施例。因此，在感測位線之后，可以確定驗(yàn)證是否通過(圖7C，步驟772)。如果驗(yàn)證通過并且位線要被禁止，則數(shù)據(jù)鎖存器494可以被設(shè)置為被擦除狀態(tài)以提供禁止指示符(圖7C，步驟774)。在步驟1318，進(jìn)行C狀態(tài)的粗略驗(yàn)證。在粗略驗(yàn)證期間，可以對所有位線充 電。注意，不要求在粗略驗(yàn)證期間使用的位線偏壓匹配于在該狀態(tài)的讀取期間使用的位線偏壓。步驟1318可以包括針對導(dǎo)電電流感測位線以及基于位線是否傳導(dǎo)顯著電流而在QPW鎖存器中存儲值。例如，如果存儲器單元的閾值電壓大于VvcL，則QPW鎖存器被設(shè)置為I。步驟1318是圖7C的步驟756-762的一個實(shí)施例。注意，在步驟1318之后，存儲器單元的數(shù)據(jù)鎖存器可以包含原始編程數(shù)據(jù)，或者編程數(shù)據(jù)可能已經(jīng)被設(shè)置到擦除狀態(tài)以指示應(yīng)該禁止進(jìn)一步的編程。因此，如果數(shù)據(jù)鎖存器494指示除了擦除之外的數(shù)據(jù)狀態(tài)，則數(shù)據(jù)鎖存器494指示存儲器單元要被編程到的狀態(tài)。但是，如果數(shù)據(jù)鎖存器494指示擦除狀態(tài)，則不確定存儲器單元是要保持擦除的存儲器單元還是已經(jīng)被編程到另一狀態(tài)并且現(xiàn)在被禁止進(jìn)一步編程的存儲器單元。在步驟1320中，將來自QPW鎖存器的數(shù)據(jù)與來自數(shù)據(jù)鎖存器494的當(dāng)前數(shù)據(jù)組合以確定數(shù)據(jù)鎖存器包含實(shí)際擦除數(shù)據(jù)還是禁止數(shù)據(jù)。對于驗(yàn)證C情況，希望確定哪些位線具有要保持被擦除的存儲器單元或者被編程到/要被編程到A狀態(tài)或者B狀態(tài)的存儲器單元。當(dāng)討論步驟1320時，將參考圖14C的表1440。對于其中數(shù)據(jù)鎖存器494將指示擦除狀態(tài)、A狀態(tài)或者B狀態(tài)的情況，表1440中的第一行包含“I”。因此，“I”被示出在列Er (存儲器單元要保持擦除)、列Ain、Bin、Cin以及列A、Aq、B、Bq中的第一行。注意，A、Aq、B、Bq表示其中數(shù)據(jù)鎖存器494仍包含A狀態(tài)或者B狀態(tài)數(shù)據(jù)的情況，這是因?yàn)榇鎯ζ鲉卧€未被編程到A狀態(tài)或者B狀態(tài)。表1440中的第二行示出當(dāng)進(jìn)行C狀態(tài)的粗略驗(yàn)證時QPW鎖存器中的可能值。例如，如果存儲器單元還未被編程，則其可能具有在VvcL以上或者以下的Vt。因此，對于未被編程的C狀態(tài)的情況，表1440指示不確定的值“0/1”。對于Cq和Cin，表1440具有“1”，因?yàn)閷τ谶@些情況Vt將高于VvcL電壓電平。表1440中的第三行具有對于如下情況的“I”對于這些情況，當(dāng)進(jìn)行精細(xì)C狀態(tài)驗(yàn)證時，位線應(yīng)該被偏壓。在此例子中，這僅適用于已經(jīng)被編程到或者要被被編程到C狀態(tài)的存儲器單元的位線。第三行由前兩行的組合形成。具體地，第三行由QPW OR NOT (Er OR A OR B)形成。換句話說，如果QPW被設(shè)置為1，或者如果數(shù)據(jù)鎖存器494包含除了擦除數(shù)據(jù)、A狀態(tài)數(shù)據(jù)或者B狀態(tài)數(shù)據(jù)之外的任何數(shù)據(jù)，則第三行應(yīng)該是“I”。例如，對于C、Cq的情況，數(shù)據(jù)鎖存器494不包含擦除數(shù)據(jù)。因此，對于這些值，設(shè)置第三行。而且，如果設(shè)置了 QPW，則設(shè)置第三行。例如，對于Cq和Cin，設(shè)置QPW鎖存器(或者對于C，可以設(shè)置或者可以不設(shè)置)。注意，可以按其他方式進(jìn)行組合QPW鎖存器和數(shù)據(jù)鎖存器494。在步驟1322，將要被編程到C狀態(tài)的存儲器單元的位線充電，而不將所有其他位線充電。在步驟1320中確定了正確的位線，如之前所述。在步驟1324，以在步驟1322中建立的位線條件進(jìn)行C狀態(tài)的精細(xì)驗(yàn)證。例如，可以將電壓VvC施加到所選字線，然后可以感測位線。步驟1324是圖7C的步驟770的一個實(shí)施例。因此，在感測位線之后，可以確定驗(yàn)證是否通過(圖7C，步驟772)。如果驗(yàn)證通過并且位線要被禁止，則數(shù)據(jù)鎖存器494可以被設(shè)置為擦除狀態(tài)以提供禁止指示符(圖7C，步驟774)。在C狀態(tài)的精細(xì)驗(yàn)證之后，可以進(jìn)行圖7A的步驟724以確定是否所有存儲器單元已經(jīng)通過驗(yàn)證。然后，圖7A的處理可以繼續(xù)以對存儲器單元編程直到所有存儲器單元被編程(步驟726)或者編程失敗(步驟730)。圖15例示感測模塊480的例子；但是，也可以使用其他實(shí)現(xiàn)方式。感測模塊480可以在驗(yàn)證和讀取處理兩者期間用在各種實(shí)施例中。圖16繪出在使用圖15的感測放大器的讀取或驗(yàn)證期間感測的一個實(shí)施例的時序圖。在圖16的時序圖中，進(jìn)行“多選通”感測操作。因此，圖15的感測放大器可以用在采用多選通讀取的實(shí)施例中。注意，不要求感測放大器進(jìn)行多選通感測操作。例如，可以進(jìn)行單個選通感測操作?！?br> 感測模塊480包括位線隔離晶體管512、位線下拉電路(晶體管522和550)、位線電壓箝位晶體管612、讀出總線傳輸門530、感測放大器470以及位線鎖存器482。位線隔離晶體管512的一側(cè)連接到位線BL和電容器510。位線隔離晶體管512的另一側(cè)連接到位線電壓箝位晶體管612以及位線下拉晶體管522。位線隔離晶體管512的柵極接收標(biāo)記為BLS的信號。位線電壓箝位晶體管512的柵極接收標(biāo)記為BLC的信號，位線電壓箝位晶體管512在節(jié)點(diǎn)SEN2處連接到讀出總線傳輸門530。讀出總線傳輸門530連接到讀出總線532。位線電壓箝位晶體管512在節(jié)點(diǎn)SEN2處連接到感測放大器470。在圖9的實(shí)施例中，感測放大器470包括晶體管613、634、641、642、643、654、654和658以及電容器Csa。位線鎖存器 482 包括晶體管 661、662、663、664、666 和 668。通常，可以并行操作沿著字線的存儲器單元。因此，相應(yīng)數(shù)量的感測模塊可以并行操作。在一個實(shí)施例中，控制器向并行操作的感測模塊提供控制和定時信號。在一些實(shí)施例中，沿著字線的數(shù)據(jù)被劃分為多頁，一次一頁或者一次多頁地讀取或者編程數(shù)據(jù)。當(dāng)位線隔離晶體管512被信號BLS使能時，感測模塊480可連接到存儲器單元的位線(例如位線BL)。感測模塊480通過感測放大器470感測存儲器單元的導(dǎo)電電流，并將讀取結(jié)果鎖存為感測節(jié)點(diǎn)SEN2處的數(shù)字電壓電平，并經(jīng)由門530將其輸出到讀出總線532。感測放大器470包括第二電壓箝(晶體管612和634)、預(yù)充電電路(晶體管541、642和643)以及鑒別器或者比較電路(晶體管654、656和658 ;以及電容器Csa)。在一個實(shí)施例中，將參考電壓施加到被讀取的存儲器單元的控制柵極。如果該參考電壓大于存儲器單元的閾值電壓，則該存儲器單元將導(dǎo)通，并且在其源極和漏極之間傳導(dǎo)電流。如果該參考電壓不大于該存儲器單元的閾值電壓，則該存儲器單元將不導(dǎo)通，并且將不在其源極和漏極之間傳導(dǎo)電流。在許多實(shí)施例中，導(dǎo)通/截止可以是連續(xù)的轉(zhuǎn)變以便存儲器單元將響應(yīng)于不同的控制柵極電壓而傳導(dǎo)不同的電流。如果存儲器單元導(dǎo)通并且傳導(dǎo)電流，則傳導(dǎo)的電流將致使節(jié)點(diǎn)SEN上的電壓降低，有效地充電或者增加另一端處于Vdd的電容器Csa的兩端間電壓。如果節(jié)點(diǎn)SEN上的電壓在預(yù)定的感測時段期間放電到預(yù)定水平，則感測放大器470報告存儲器單元響應(yīng)于控制柵極電壓而導(dǎo)通。感測模塊480的一個特征是在感測期間將恒壓源并入位線。這優(yōu)選通過位線電壓箝位晶體管612而實(shí)現(xiàn)，其類似于具有與位線BL串聯(lián)的晶體管612的二極管箝那樣操作。其柵極被偏壓到等于在其閾值電壓VT以上的期望的位線電壓VBL的恒定電壓BLC。以此方式，其將位線與節(jié)點(diǎn)SEN隔離，并在編程-驗(yàn)證或讀取期間設(shè)置對于位線的恒定電壓電平，比如期望的VBL=O. 5到O. 7伏。通常，位線電壓電平被設(shè)置到使得其足夠低以避免長預(yù)充電時間但仍足夠高以避免接地噪聲和其他因素的電平。感測放大器470感測經(jīng)過感測節(jié)點(diǎn)SEN的導(dǎo)電電流并確定該導(dǎo)電電流是在預(yù)定值以上還是以下。感測放大器將數(shù)字形式的感測結(jié)果作為信號SEN2輸出到讀出總線532。也輸出數(shù)字控制信號INV (其實(shí)質(zhì)上可以是處于SEN2的信號的反轉(zhuǎn)狀態(tài))以控制下拉電路。當(dāng)感測的導(dǎo)電電流高于預(yù)定值時，INV將是高，并且SEN2將是低。此結(jié)果被下拉電路加強(qiáng)。下拉電路包括由控制信號INV控制的η-晶體管522以及由控制信號GRS控制的另一 η-晶體管550。GRS信號在低時允許位線BL浮置，而無論INV信號的狀態(tài)如何。在編程期間，GRS信號變?yōu)楦咭栽试S位線BL被拉到地并由INV控制。當(dāng)需要使位線BL浮置時，GRS信號變?yōu)榈?。注意，也可以使用感測模塊、感測放大器以及鎖存器的其他設(shè)計。
在一些實(shí)施例中，使用多遍感測(例如兩選通感測)，每遍都幫助標(biāo)識和關(guān)閉具有高于給定界定電流值的導(dǎo)電電流的存儲器單元。這可以用于選擇在存儲器單元的最后感測時將哪些位線偏壓。因此，可以建立適當(dāng)?shù)奈痪€偏壓條件。例如，多遍感測可以實(shí)現(xiàn)為兩遍(j = O到I)。在第一遍之后，具有高于分界點(diǎn)的導(dǎo)電電流的存儲器單元被標(biāo)識，并且通過切斷其導(dǎo)電電流而將其去除。切斷其導(dǎo)電電流的一種方式是將其位線上的其漏極電壓設(shè)置為地。本發(fā)明也涵蓋多于兩遍。在一些實(shí)施例中，對于感測可以使用一遍(單選通)。圖16繪出使用圖15的感測放大器在讀取或驗(yàn)證期間的感測的一個實(shí)施例的時序圖。圖16 (A)-16 (K)繪出了說明在讀取/驗(yàn)證操作期間感測模塊480的一個實(shí)施例的時序圖。階段(O):設(shè)置感測模塊480 (見圖15)經(jīng)由使能信號BLS (圖16 (A))連接到相應(yīng)的位線。通過BLC (圖16 (B))使能電壓箝。通過控制信號FTL (圖16 (C))使能預(yù)充電晶體管642作為有限電流源(圖16 (C .階段(I):受控制的預(yù)充電藉由將信號INV (圖16 (H))經(jīng)由晶體管658拉到地的復(fù)位信號RST (圖16 (D))初始化感測放大器470。因此，在復(fù)位時，INV被設(shè)置到低。同時，P-晶體管633將互補(bǔ)(complementary)信號LAT拉到Vdd或者高(圖16 (H))。即，LAT是INV的互補(bǔ)信號。隔離晶體管634由信號LAT控制。因此，在復(fù)位之后，隔離晶體管634被使能以將感測節(jié)點(diǎn)SEN2連接到感測放大器內(nèi)部的感測節(jié)點(diǎn)SEN。預(yù)充電晶體管642通過內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN和感測節(jié)點(diǎn)SEN2對位線BL預(yù)充電達(dá)預(yù)定時間段。這將把位線帶到用于感測其中的導(dǎo)電的最佳電壓。預(yù)充電晶體管642由控制信號FLT (“FLOAT”)控制。將把該位線朝向由位線電壓箝612設(shè)置的期望位線電壓上拉。上拉的速率將依賴于位線中的導(dǎo)電電流。導(dǎo)電電流越小，上拉越快。通過提供預(yù)充電電路來實(shí)現(xiàn)D. C.感測，預(yù)充電電路像電流源那樣運(yùn)作用于向位線提供預(yù)定電流?？刂芇-晶體管642的信號FTL使得將預(yù)定電流“編程”為流動。作為例子，F(xiàn)LT信號可以由具有設(shè)置到500nA的參考電流的電流鏡產(chǎn)生。當(dāng)p_晶體管642形成電流鏡的鏡像分支(leg)時，P-晶體管642還將具有在其中流動的相同的500nA。圖16 (11)-16 (14)例示在分別連接到具有700nA、400nA、220nA和40nA的導(dǎo)電電流的存儲器單元的四條示例位線上的電壓。當(dāng)(包括晶體管642的)預(yù)充電電路是具有例如500nA的限制的電流源時，具有超過500nA的導(dǎo)電電流的存儲器單元將使得位線上的電荷泄漏得比其可以累積的更快。從而，對于具有700nA導(dǎo)電電流的位線，其在內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN處的電壓或者信號將保持接近OV (比如O. I伏；見圖16 (II))。另一方面，如果存儲器單元的導(dǎo)電電流在500nA以下，則(包括晶體管642的)預(yù)充電電路將開始對位線充電，并且其電壓將開始朝向箝位的位線電壓(例如有電壓箝612設(shè)置的O. 5V)升高(圖16 (12)-16(14))。相應(yīng)地，內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN將保持接近OV或者被上拉到Vdd (圖16 (G))。通常，導(dǎo)電電流越小，位線電壓將越快充電到箝位的位線電壓。因此，通過在受控制的預(yù)充電階段之后檢查位線上的電壓，能夠標(biāo)識連接的存儲器單元具有高于還是低于預(yù)定水平的導(dǎo)電電流。階段(2) D. C.鎖存&從隨后的選通去除高電流單元 在控制的預(yù)充電階段之后，初始D.C.高電流感測階段開始，其中通過鑒別器電路感測節(jié)點(diǎn)SEN。該感測標(biāo)識具有高于預(yù)定水平的導(dǎo)電電流的那些存儲器單元。鑒別器電路包括串聯(lián)的兩個P-晶體管654以及656，它們用作對用于寄存信號INV的節(jié)點(diǎn)的上拉。晶體管654由讀取選通信號變?yōu)榈蛠硎鼓?，并且晶體管656由內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN處的信號變?yōu)榈蛠硎鼓堋８唠娏鞔鎯ζ鲉卧獙⒕哂薪咏麿V或者至少不能將其位線預(yù)充電高到足以截止P-晶體管656的信號SEN，以。例如，如果弱上拉被限制為500nA的電流，則其將不能上拉具有700nA的導(dǎo)電電流的單元(圖16(G1))。當(dāng)STB選通低來鎖存時，INV被上拉到Vdd。這將把鎖存器電路660設(shè)置為INV是高和LAT是低(圖16 (Hl ))。當(dāng)INV是高并且LAT是低時，隔離門630被禁用，并且感測節(jié)點(diǎn)SEN2與內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN隔開。同時，位線被下拉晶體管522拉到地(圖16&圖16(11))。這將有效地切斷位線中的任何導(dǎo)電電流，排除其對源極線偏壓做貢獻(xiàn)。因此，在感測模塊480的一個實(shí)現(xiàn)方式中，采用有限電流源預(yù)充電電路。者提供了用于標(biāo)識攜帶高電流的位線并將其切斷的另外的或者替換的方式(D. C.感測)。 在另一實(shí)施例中，預(yù)充電電路未被特別配置為幫助識別高電流位線，而是被優(yōu)化為在存儲器系統(tǒng)可用的最大電流的容限內(nèi)盡可能快地上拉并預(yù)充電位線。階段(3):恢復(fù)/預(yù)充電在感測先前還未被下拉的位線中的導(dǎo)電電流之前，通過信號FLT變?yōu)榈蛠砑せ铑A(yù)充電電路以將內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN2預(yù)充電到Vdd (圖16 (C)和圖16 (12)-16 (14))以及由于相鄰位線上的電壓的降低而可能已經(jīng)部分向下耦合的位線。階段(4):第一 A.C.感測在一個實(shí)施例中，通過確定在浮置的內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN處的電壓降來進(jìn)行A.C.(交流或者瞬時)感測。這由鑒別器電路來實(shí)現(xiàn)，該鑒別器電路采用耦接到內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN的電容器Csa并考慮導(dǎo)電電流對其充電(降低節(jié)點(diǎn)SEN上的電壓)的速率。在集成電路環(huán)境中，電容器Csa通常用晶體管實(shí)現(xiàn)；但是，其他實(shí)現(xiàn)方式是適當(dāng)?shù)摹ｋ娙萜鰿sa具有可以針對最佳電流確定而選擇的預(yù)定電容，例如30fF?？梢酝ㄟ^充電時段的適當(dāng)調(diào)整來設(shè)置通常在IOO-IOOOnA范圍內(nèi)的界定電流值。
鑒別器電路感測內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN中的信號SEN。在每次感測之前，藉由預(yù)充電晶體管642將內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN處的信號上拉至Vdd。這將首先把跨電容器Csa的電壓設(shè)置為零。當(dāng)感測放大器準(zhǔn)備好感測時，該預(yù)充電電路因FLT變?yōu)楦叨煌Ｓ?圖16 (C))。通過對選通信號STB的賦值結(jié)束第一感測時段Tl。在感測時段期間，由傳導(dǎo)存儲器單元引起的導(dǎo)電電流將對電容器充電。隨著電容器Csa通過位線中的導(dǎo)電電流泄漏動作而被充電，SEN處的電壓將從Vdd降低。圖16 (G)(見曲線G2-G4)例示了對應(yīng)于三條剩余示例位線的SEN節(jié)點(diǎn)，該三條剩余示例位線分別連接到具有400nA、220nA和40nA的導(dǎo)電電流的存儲器單元對于具有更高導(dǎo)電電流的存儲器單元，降低更迅速。階段(5):第一 A.C.鎖存和從隨后的感測去除高電流單元在第一預(yù)定感測時段的結(jié)束時，SEN節(jié)點(diǎn)將已經(jīng)依賴于位線中的導(dǎo)電電流降低到某個電壓(見圖16G的曲線G2-G4)。作為例子，此第一階段中的界定電流被設(shè)置為處于300nA。電容器Csa、感測時段Tl和p-晶體管656的閾值電壓為使得與高于界定電流(例如300nA)的導(dǎo)電電流對應(yīng)的SEN處的信號將降低充分低以導(dǎo)通晶體管656。當(dāng)鎖存信號STB選通低時，輸出信號INV將被拉為高，并將被鎖存器482鎖存(圖16 (E)和16 (H)(曲線H2))。另一方面，與在界定電流以下的導(dǎo)電電流對應(yīng)的信號SEN將產(chǎn)生不能導(dǎo)通晶體管656的信號SEN。在此情況下，鎖存器482將保持不改變，在此情況下LAT保持高(圖16 (H3)和16 (H4))。因此，可以看出，鑒別器電路有效地確定位線中的導(dǎo)電電流相對于通過感測時段設(shè)置的參考電流的幅度。感測放大器470還包括第二電壓箝位晶體管612，其目的是維持晶體管612的漏極的電壓充分高以便位線電壓箝610恰當(dāng)?shù)仄鹱饔?。如之前所述，位線電壓箝610將位線電壓箝位到預(yù)定值V&，例如O. 5V。這將要求將晶體管612的柵極電壓BLC設(shè)置在VbJVt(其中VT是晶體管612的閾值電壓)，并且使連接到感測節(jié)點(diǎn)501的漏極大于源極，即，信號SEN2>V『具體地，給出電壓箝的配置，SEN2應(yīng)該不高于XXO-Vt或者BLX-Vt中的較小者，并且SEN不應(yīng)該更低。在感測期間，在內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)SEN處的信號具有從Vdd降低的電壓。第二電壓箝阻止SEN降低到XXO-Vt或者BLX-Vt以下中的較低者。這通過由信號BLX控制的η-晶體管612實(shí)現(xiàn)，其中BLX彡V+VT。因此，通過電壓箝的動作，位線電壓V在感測期間保持恒定，例如 0. 5V。電流確定的輸出被鎖存器電路482鎖存。鎖存器電路通過晶體管661、662、663和664與晶體管666和668 —起形成為設(shè)置/復(fù)位鎖存器。p_晶體管666由信號RST(RESET)控制并且η-晶體管668由信號STB控制。通常，可以存在由相應(yīng)數(shù)量的多遍感測模塊480操作的存儲器單元頁。對于具有高于第一界定電流電平的導(dǎo)電電流的那些存儲器單元，其LAT信號將被鎖存為低(INV被鎖存為高)。這又激活了位線下拉電路520以將相應(yīng)的位線拉到地，由此切斷其電流。在一些實(shí)施例中，這幫助建立用于驗(yàn)證的位線條件。例如,在圖12Β的步驟1224中，A狀態(tài)的粗讀取可以通過直到此點(diǎn)的感測來完成。注意，在整個感測處理期間，選通信號可以被賦值(assert)多于兩次。例如,在圖16中，選通信號被賦值三次,最后的選通是最后的讀取。在此例子中，在時段I和5期間的選通可以完成粗讀取。在一些實(shí)施例中，在時段I和5期間的選通的至少一個被認(rèn)為是兩選通讀取的第一選通。
階段(6):恢復(fù)/預(yù)充電在對先前未被下拉的位線中的導(dǎo)電電流的下一感測之前，通過信號FLT激活預(yù)充電電路以將內(nèi)部感測節(jié)點(diǎn)631預(yù)充電到Vdd (圖16 (C)以及圖16(13)-16 (14))。階段(7):第二感測當(dāng)感測放大器470準(zhǔn)備好感測時，通過FLT變?yōu)楦邅韺㈩A(yù)充電電路禁用(圖16(O)0通過對選通信號STB賦值來設(shè)置第二感測時段T2。在感測時段期間，感測電流(如果存在)將對電容器充電。隨著電容器Csa通過位線36中的導(dǎo)電電流的泄漏動作而被充電，在節(jié)點(diǎn)SEN處的信號將從Vdd降低。根據(jù)之前的例子，具有高于300nA的導(dǎo)電電流的存儲器單元已經(jīng)被標(biāo)識并且在較早的階段被關(guān)閉。圖16 (G)(曲線G3和G4)分別例示了與分別連接到具有220nA和40nA 的導(dǎo)電電流的存儲器單元的兩條示例位線對應(yīng)的SEN信號。在一個實(shí)施例中，具有與在當(dāng)前正被讀取的狀態(tài)以下的狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的導(dǎo)電電流的存儲器單元被關(guān)閉。階段(8):用于讀出的第二鎖存在第二預(yù)定感測時段T2結(jié)束時，SEN將已經(jīng)降低到依賴于位線中的導(dǎo)電電流的某個電壓(圖16 (G)(曲線G3和G4))。作為例子，此第二階段中的界定電流被設(shè)置為處于ΙΟΟηΑ。在此情況下，具有220nA導(dǎo)電電流的存儲器單元將具有被鎖存為高的其INV (圖16(H))，并且其位線隨后被拉到地(圖16(13))。另一方面，具有40nA導(dǎo)電電流的存儲器單元將對鎖存器的狀態(tài)沒有影響，其被預(yù)設(shè)為LAT高。階段(9):讀出到總線最后，在讀出階段，在傳輸門530處的控制信號NCO允許鎖存的信號SEN2被讀出到讀出總線532 (圖16 (J)和16 (K))。以上所述的感測模塊480是其中以三遍進(jìn)行感測的一個實(shí)施例，前兩遍被實(shí)現(xiàn)為標(biāo)識并關(guān)閉較高電流的存儲器單元。這可以用作粗讀取來幫助建立用于驗(yàn)證的適當(dāng)位線偏壓條件，這可以發(fā)生在最后一遍(例如T7)。在其他實(shí)施例中，以D. C.和A. C.遍的不同組合來實(shí)現(xiàn)感測操作，一些僅使用兩遍或多遍A. C.，或者僅一遍。對于不同遍，使用的界定電流值可以每次相同或者朝向在最終遍中使用的界定電流逐步收斂。另外，以上所述的感測實(shí)施例僅僅是適當(dāng)?shù)母袦y模塊的一個例子。也可以使用其他設(shè)計和技術(shù)來實(shí)現(xiàn)在此所述的實(shí)施例。對于在此所述的實(shí)施例，不要求或建議任何一個具體感測模塊。一個實(shí)施例包括用于操作非易失性存儲系統(tǒng)的方法，該非易失性存儲系統(tǒng)包括與字線相關(guān)聯(lián)的多條位線。多個非易失性存儲元件與該字線相關(guān)聯(lián)。該方法可以包括以下步驟。將一個或多個編程電壓施加到字線。當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，在多條位線上建立第一偏壓條件。當(dāng)驗(yàn)證每個經(jīng)編程狀態(tài)時，可以建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件。對位線偏壓可以基于該位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)。在建立第一偏壓條件之后，感測非易失性存儲元件的位線條件。在讀取處理期間在多條位線上建立第二偏壓條件。對于正被讀取的每個狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件。對于給定狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于該給定狀態(tài)的第一偏壓條件。在讀取處理期間感測非易失性存儲元件的位線。在一個實(shí)施例中，在前一段的方法中，作為正被編程到給定狀態(tài)的目標(biāo)非易失性存儲元件的相鄰者的非易失性存儲元件在該給定狀態(tài)的驗(yàn)證期間具有依賴于該目標(biāo)非易失性存儲元件的溝道電勢的溝道電勢。在一個實(shí)施例中，在前一段的方法中，當(dāng)讀取該給定狀態(tài)時在多條位線上建立第二偏壓條件致使作為曾編程到該給定狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的基本所有非易失性存儲元件具有匹配于當(dāng)驗(yàn)證該給定狀態(tài)時該相鄰者的溝道電勢的溝道電勢。一個實(shí)施例是操作非易失性存儲系統(tǒng)的方法，該非易失性存儲系統(tǒng)包括與字線相關(guān)聯(lián)的多條位線。多個非易失性存儲元件與該字線相關(guān)聯(lián)。該方法可以包括以下步驟。在該多條位線中的第一組位線上建立第一電壓電平。建立第一電壓電平是作為編程驗(yàn)證操作的一部分進(jìn)行的，該編程驗(yàn)證操作用于驗(yàn)證非易失性存儲元件的閾值電壓是否處于與多個經(jīng)編程狀態(tài)的第一經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的目標(biāo)電平。第一組位線至少包括具有該多個非易失性存儲元件中要被編程到該第一狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線。作為編程驗(yàn)證操作的一部分，在該多條位線中的第二組上建立地電壓。第二組位線包括該多條位線中除·了第一組位線之外的所有位線。第二組位線至少包括具有要被編程到除了第一經(jīng)編程狀態(tài)之外的經(jīng)編程狀態(tài)的、與第一字線相關(guān)聯(lián)的非易失性存儲元件的一些位線。進(jìn)行與該字線相關(guān)聯(lián)的非易失性存儲元件的至少一個讀取以粗略地確定在驗(yàn)證操作期間位線中的哪些處于第一組中以及位線中的哪些處于第二組中。在被粗略地確定處于第二組中的位線上建立地電壓。進(jìn)行與該字線相關(guān)聯(lián)的多個非易失性存儲元件的精細(xì)讀取以確定非易失性存儲元件中的哪些具有至少是目標(biāo)電平的閾值電壓。進(jìn)行精細(xì)讀取包括對粗略地被確定為處于第一組中的位線偏壓在第二電壓電平，同時將粗略地被確定為處于第二組中的位線保持在地。一個實(shí)施例包括系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括多個非易失性存儲元件、與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條位線、與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條字線以及與該多個非易失性存儲元件、多條位線和多條字線通信的一個或多個管理電路，該多條字線包括第一字線。該一個或多個管理電路將一個或多個編程電壓施加于字線。當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，該一個或多個管理電路在該多條位線上建立第一偏壓條件。當(dāng)驗(yàn)證每個經(jīng)編程狀態(tài)時建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件。對位線偏壓是基于該位線上的存儲器單元正被編程到的狀態(tài)。該一個或多個管理電路在建立第一偏壓條件之后感測非易失性存儲元件的位線條件。該一個或多個管理電路在讀取處理期間在該多條位線上建立第二偏壓條件。對于正被讀取的每個狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件。對于給定狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于該給定狀態(tài)的第一偏壓條件。該一個或多個管理電路在讀取處理期間感測非易失性存儲元件的位線。一個實(shí)施例包括系統(tǒng)，該系統(tǒng)包括多個非易失性存儲元件、與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條位線、與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條字線以及與該多個非易失性存儲元件、多條位線和多條字線通信的一個或多個管理電路，該多條字線包括第一字線。該一個或多個管理電路將一個或多個編程電壓應(yīng)用于字線。該一個或多個管理電路在第一組位線上建立第一電壓電平，進(jìn)行建立第一電壓電平作為用于驗(yàn)證閾值電壓是否處于與多個被經(jīng)編程狀態(tài)中的第一經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的目標(biāo)電平的編程驗(yàn)證操作的部分。第一組位線至少包括具有所述多個非易失性存儲元件中的要被編程到該第一狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線。該一個或多個管理電路在多條位線的第二組上建立地電壓，作為編程驗(yàn)證操作的部分。第二組位線包括所述多條位線中除了第一組位線之外的所有位線，第二組位線至少包括具有要被編程到除了第一經(jīng)編程狀態(tài)之外的保持狀態(tài)的、與第一字線相關(guān)聯(lián)的非易失性存儲元件的一些位線。該一個或多個管理電路進(jìn)行與第一字線相關(guān)聯(lián)的非易失性存儲元件的至少一個讀取以在驗(yàn)證操作期間粗略地確定位線中的哪些處于第一組中以及位線中的哪些處于第二組中。該一個或多個管理電路在被粗略地確定處于第二組中的位線上建立地電壓。該一個或多個管理電路進(jìn)行與該字線相關(guān)聯(lián)的多個非易失性存儲元件的精細(xì)讀取以確定非易失性存儲元件中的哪些具有至少是目標(biāo)電平的閾值電壓。進(jìn)行精細(xì)讀取包括將粗略地被確定為處于第一組中的位線偏壓在第二電壓電平，同時將粗略地被確定為處于第二組中的位線偏壓在地。為了例示和描述的目的已經(jīng)給出以上詳細(xì)描述。并非意圖窮盡或者將實(shí)施例限制到所公開的精確形式。鑒于上述教導(dǎo)，可以進(jìn)行許多更改和改變。選擇所述實(shí)施例以便最佳地說明本公開的原理及實(shí)際應(yīng)用，由此使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠最佳地以及通過適合于意欲的具體使用的各種修改來利用各個實(shí)施例。意圖本公開的范圍由附于此的權(quán)利要求書 限定。
權(quán)利要求
1.一種用于操作非易失性存儲系統(tǒng)的方法，該非易失性存儲系統(tǒng)包括與字線相關(guān)聯(lián)的多條位線，多個非易失性存儲元件與該字線相關(guān)聯(lián)，該方法包括 將一個或多個編程電壓施加到該字線(720)； 當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，在所述多條位線上建立第一偏壓條件，當(dāng)驗(yàn)證每個經(jīng)編程狀態(tài)時，建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件，對位線偏壓是基于該位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)(804)； 在建立第一偏壓條件之后，感測所述多條位線的位線條件(806)； 在讀取處理期間在所述多條位線上建立第二偏壓條件，對于正被讀取的每個經(jīng)編程狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件，對于給定經(jīng)編程狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于該給定經(jīng)編程狀態(tài)的第一偏壓條件(824);以及 在讀取處理期間感測非易失性存儲元件的位線(826)。
2.如權(quán)利要求I的方法，其中作為正被編程到給定經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的非易失性存儲元件在該給定經(jīng)編程狀態(tài)的驗(yàn)證期間具有依賴于目標(biāo)非易失性存儲元件的溝道電勢的溝道電勢。
3.如權(quán)利要求2的方法，其中當(dāng)讀取該給定狀態(tài)時在所述多條位線上建立第二偏壓條件致使作為曾編程到該給定狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的基本所有非易失性存儲元件具有匹配于在驗(yàn)證該給定狀態(tài)時所述相鄰者的溝道電勢的溝道電勢。
4.如權(quán)利要求I到3的任意一項的方法，其中所述建立第一偏壓條件包括 將所述多條位線中具有要被編程到當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線以及具有要被編程到就在當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)以下的經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電(1002);以及其中所述建立第二偏壓條件包括 將所述多條位線中的所有其他位線接地(1004)； 將所述多條位線中具有粗略地被確定為處于當(dāng)前正被讀取的狀態(tài)中的非易失性存儲元件的那些位線以及具有粗略地被確定為處于就在當(dāng)前正被讀取的狀態(tài)以下的經(jīng)編程狀態(tài)中的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電(1042)；以及將所述多條位線中的所有其他位線接地(1046 )。
5.如權(quán)利要求I到4的任意一項的方法，還包括以多個參考電壓電平進(jìn)行讀取以粗略地確定非易失性存儲元件的每個處于什么狀態(tài)(1020)，該第二偏壓條件是基于該讀取。
6.如權(quán)利要求I到3的任意一項的方法，其中所述建立第一偏壓條件包括 將具有要被編程到該當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電(1102);以及 將所述多條位線中的所有其他位線接地(1104);以及 其中所述建立第二偏壓條件包括 將所述多條位線中的所有位線預(yù)充電(1122)； 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第一組第二偏壓條件(1124)； 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取(1130)；在以與該次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平的粗讀取之后，將具有閾值電壓高于與該次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓的非易失性存儲元件的所有位線放電，以建立用于在該次最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第二組第二偏壓條件(1132)； 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取(1138);在以與最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平的粗讀取之后，將具有閾值電壓高于與在所述最低經(jīng)編程狀態(tài)以上的狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓的非易失性存儲元件的所有位線放電，以建立用于在最低經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第三組第二偏壓條件(1140)。
7.如權(quán)利要求I到3的任意一項的方法，其中所述建立第一偏壓條件包括 將具有要被編程到當(dāng)前正被驗(yàn)證的經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線以及具有要被編程到高于當(dāng)前正被驗(yàn)證的經(jīng)編程狀態(tài)的任意經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的位線預(yù)充電(1202);以及 將所述多條位線中的所有其他位線接地(1204);以及 其中所述建立第二偏壓條件包括 將所述多條位線中的所有位線預(yù)充電(1222)； 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最低經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第一組第二偏壓條件(1224)； 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在該次最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第二組第二偏壓條件(1228);以及 以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第三組第二偏壓條件(1232)。
8.如權(quán)利要求I到3的任意一項的方法，還包括 當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，對于各個存儲器單元存儲指示該各個存儲器單元已經(jīng)達(dá)到粗略驗(yàn)證電平的第一值； 當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，在各個存儲器單元達(dá)到精細(xì)驗(yàn)證電平時，蓋寫數(shù)據(jù)鎖存器中的指示要被編程到該各個存儲器單元中的狀態(tài)的值；以及 將對于給定存儲器單元的第一值與對于該給定存儲器單元的數(shù)據(jù)鎖存器中的當(dāng)前值組合，以確定如何建立對于該給定存儲器單元的位線的第一偏壓條件。
9.一種系統(tǒng),包括 多個非易失性存儲元件(100，102，104等等)； 與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條位線(BLO，BL1，等等)； 與該多個非易失性存儲元件相關(guān)聯(lián)的多條字線(WLO，WL1，等等)，該多條字線包括第一字線；以及 與該多個非易失性存儲元件、多條位線和多條字線通信的一個或多個管理電路(244，220，230，242，240)，該一個或多個管理電路將一個或多個編程電壓施加于字線，當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，該一個或多個管理電路在該多條位線上建立第一偏壓條件，當(dāng)驗(yàn)證每個經(jīng)編程狀態(tài)時建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件，對位線偏壓是基于該位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)，該一個或多個管理電路在建立第一偏壓條件之后感測非易失性存儲元件的位線條件，該一個或多個管理電路在讀取處理期間在該多條位線上建立第二偏壓條件，對于正被讀取的每個經(jīng)編程狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件，對于給定狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于該給定經(jīng)編程狀態(tài)的第一偏壓條件，該一個或多個管理電路在讀取處理期間感測非易失性存儲元件的位線。
10.如權(quán)利要求9的系統(tǒng)，其中作為正被編程到給定經(jīng)編程狀態(tài)的目標(biāo)非易失性存儲元件的相鄰者的非易失性存儲元件在該給定狀態(tài)的驗(yàn)證期間具有依賴于該目標(biāo)非易失性存儲元件的溝道電勢的溝道電勢。
11.如權(quán)利要求9或10的系統(tǒng)，其中當(dāng)讀取該給定狀態(tài)時在所述多條位線上建立第二偏壓條件致使作為曾編程到該給定狀態(tài)的非易失性存儲元件的相鄰者的基本所有非易失性存儲元件具有匹配于當(dāng)驗(yàn)證該給定狀態(tài)時該相鄰者的溝道電勢的溝道電勢。
12.如權(quán)利要求9到11的任意一項的系統(tǒng)，其中為了建立第一偏壓條件，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中具有要被編程到當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線以及具有要被編程到就在當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)以下的經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有其他位線接地以建立第一偏壓條件；其中為了建立第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中具有粗略地被確定為處于當(dāng)前正被讀取的經(jīng)編程狀態(tài)中的非易失性存儲元件的那些位線以及具有粗略地被確定為處于就在當(dāng)前正被讀取的狀態(tài)以下的經(jīng)編程狀態(tài)中的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有其他位線接地以建立第二偏壓條件。
13.如權(quán)利要求9到12的任意一項的系統(tǒng),其中該一個或多個管理電路以多個參考電壓電平來讀取以粗略地確定非易失性存儲元件的每個處于什么編程狀態(tài)，第二偏壓條件是基于該讀取。
14.如權(quán)利要求9到11的任意一項的系統(tǒng)，其中為了建立第一偏壓條件，所述一個或多個管理電路將具有要被編程到當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有其他位線接地以建立第一偏壓條件；其中為了建立第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第一組第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取，所述一個或多個管理電路在以與次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平的粗讀取之后，將具有閾值電壓高于與所述次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓的非易失性存儲元件的所有位線放電，以建立用于在次最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第二組第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取，所述一個或多個管理電路在以與最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平的粗讀取之后，將具有閾值電壓高于與最低經(jīng)編程狀態(tài)以上的狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓的非易失性存儲元件的所有位線放電，以建立用于在最低經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第三組第二偏壓條件。
15.如權(quán)利要求9到11的任意一項的系統(tǒng)，其中為了建立第一偏壓條件，所述一個或多個管理電路將具有要被編程到當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的非易失性存儲元件的那些位線以及具有要被編程到高于當(dāng)前正被驗(yàn)證的狀態(tài)的任意經(jīng)編程狀態(tài)的非易失性存儲元件的位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有其他位線接地以建立第一偏壓條件；其中為了建立第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路將所述多條位線中的所有位線預(yù)充電，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最低經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最低經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第一組第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的次最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在次最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第二組第二偏壓條件，所述一個或多個管理電路以與所述多個經(jīng)編程狀態(tài)中的最高經(jīng)編程狀態(tài)相關(guān)聯(lián)的電壓電平進(jìn)行粗讀取以建立用于在最高經(jīng)編程狀態(tài)下讀取的第三組第二偏壓條件。 一種非易失性存儲系統(tǒng)，包括與字線相關(guān)聯(lián)的多條位線，多個非易失性存儲元件與該字線相關(guān)聯(lián)，所述非易失性存儲系統(tǒng)包括 用于將一個或多個編程電壓施加到該字線的部件(244，220，242，230，240)； 用于以下的部件(244，220，242，230，240):當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時，在所述多條位線上建立第一偏壓條件，當(dāng)驗(yàn)證每個經(jīng)編程狀態(tài)時，建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件，對位線偏壓是基于該位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)； 用于在建立第一偏壓條件之后感測所述多條位線的位線條件的部件(244，220，242，230，240)； 用于以下的部件(244，220，242，230，240):在讀取處理期間在所述多條位線上建立第二偏壓條件，對于正被讀取的每個經(jīng)編程狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件，對于給定經(jīng)編程狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于該給定經(jīng)編程狀態(tài)的第一偏壓條件；以及 用于在讀取處理期間感測非易失性存儲元件的位線的部件(244，220，242，230，240)。
全文摘要
通過將在讀取期間發(fā)生的溝道耦合的量與在驗(yàn)證期間發(fā)生的溝道耦合的量相匹配來降低在非易失性存儲器的驗(yàn)證和讀取期間的溝道耦合效應(yīng)。在驗(yàn)證和讀取期間所有位線可以一起被讀取。在一個實(shí)施例中，當(dāng)驗(yàn)證多個經(jīng)編程狀態(tài)的每個時在位線上建立第一偏壓條件。當(dāng)驗(yàn)證每個狀態(tài)時可以建立一組單獨(dú)的第一偏壓條件。對位線偏壓可以基于該位線上的非易失性存儲元件正被編程到的狀態(tài)。對每個正被讀取的狀態(tài)建立一組單獨(dú)的第二偏壓條件。對于給定狀態(tài)的第二偏壓條件基本匹配于對于給定狀態(tài)的第一偏壓條件。
文檔編號G11C11/56GK102947888SQ201180022609
公開日2013年2月27日 申請日期2011年5月3日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月4日
發(fā)明者董穎達(dá), 李艷, C.許 申請人:桑迪士克科技股份有限公司