專利名稱：基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實用新型涉及一種閃存存儲裝置，尤其涉及一種基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置。
背景技術(shù)：
目前的電子產(chǎn)品越來越趨于小型化，超薄化，如便攜式通信設(shè)備，Netbook (上網(wǎng)本)，MID (移動互聯(lián)網(wǎng)設(shè)備Mobile Internet Device)的體積越來越小,傳統(tǒng)的SSD (固態(tài)硬盤Solid State Disk)無法滿足其體積小的要求，而傳統(tǒng)的閃存芯片存在著不能滿足其容量大，速度要求高的要求。目前常規(guī)的固態(tài)硬盤SSD采用的主控芯片和閃存芯片以及外圍的分立元件組成的，容量越大需要的閃存芯片越多。目前主流的SSD的電路基板最小的尺寸在30mmX50mm， 最多能放4顆閃存芯片。對于超薄型的產(chǎn)品來說，傳統(tǒng)SSD的尺寸嚴(yán)重制約了其小型化的、 輕薄化的發(fā)展。因此在超薄型產(chǎn)品上，通常使用的存儲裝置是普通的閃存芯片，但是目前單顆閃存芯片的容量都不大，如果要在產(chǎn)品上增大容量就需要更多的閃存芯片，每顆閃存芯片占用的面積是固定的，這樣就需要更大的面積來放置NAND FLASH,對于超小型產(chǎn)品來說， 增加了設(shè)計難度，同時不利于其小型化的發(fā)展。因此目前在超薄型MID上的存儲裝置的容量都不大，成為了發(fā)展的一個瓶頸。

實用新型內(nèi)容本實用新型解決的技術(shù)問題是構(gòu)建一種基于eSSD (enterprise Dsolid state disk，企業(yè)級的固態(tài)硬盤，簡稱“ESSD”)閃存芯片的閃存存儲裝置，克服現(xiàn)有技術(shù)在超薄型電子設(shè)備上要求存儲裝置體積小型化容量大型化導(dǎo)致發(fā)展瓶頸的技術(shù)問題。本實用新型的技術(shù)方案是構(gòu)建一種基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，包括主控芯片、eSSD閃存芯片、安裝所述主控芯片和eSSD閃存芯片的電路基板、輸入輸出端口、連接件，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD閃存芯片安裝在所述電路基板的第一主面，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層，所述主控制器芯片與所述eSSD閃存芯片通過SATA接口連接。本實用新型的進一步技術(shù)方案是還包括密封所述eSSD閃存芯片的密封樹脂。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述eSSD閃存芯片為多個，所述多個eSSD閃存芯片疊放。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個eSSD閃存芯片共用一個輸入輸出端□。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個eSSD閃存芯片疊放，所述主控制芯片與所述多個eSSD閃存芯片分開安裝在所述電路基板的第一主面。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個eSSD閃存芯片與所述主控制芯片疊放安裝在所述電路基板的第一主面。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個eSSD閃存芯片相同屬性的引腳連接后再連接所述電路基板的相應(yīng)引腳。本實用新型的進一步技術(shù)方案是所述多個eSSD閃存芯片的引腳分別連接所述電路基板的相應(yīng)引腳。本實用新型的進一步技術(shù)方案是還包括粘合膜，所述eSSD閃存芯片之間通過所述粘合膜粘合連接。本實用新型的技術(shù)效果是本實用新型基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD閃存芯片安裝在所述電路基板的第一主面，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層，所述主控制器芯片與所述eSSD閃存芯片通過SATA接口連接，所述主控制器芯片、所述eSSD閃存芯片和所述電路基板通過連接件電連接。本實用新型閃存存儲裝置可以構(gòu)建大容量存儲設(shè)備，同時，方便進行控制連接， 工藝簡單。

[0015]圖1為本實用新型的結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本實用新型的工作原理圖。圖3為本實用新型的一種堆疊方式結(jié)構(gòu)示意圖。圖4為本實用新型的一種連接方式結(jié)構(gòu)示意圖。圖5為本實用新型的另一種堆疊方式結(jié)構(gòu)示意圖。圖6為本實用新型的另一種連接方式結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實施方式下面結(jié)合具體實施例，對本實用新型技術(shù)方案進一步說明。如圖1所示，本實用新型的具體實施方式
是構(gòu)建一種基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，包括主控制器芯片9、eSSD閃存芯片3、安裝所述主控制器芯片9和eSSD閃存芯片3的電路基板2、輸入輸出端口 6，所述電路基板5包括第一主面2b和與所述第一主面2b 相對的第二主面2a，所述主控制芯片9和eSSD閃存芯片3安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面2a，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面2a，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層5， 所述主控制器芯片9與所述eSSD閃存芯片3通過SATA接口連接。如圖1、圖2所示，本實用新型具體實施過程如下每個存儲裝置采用一顆主控芯片裸片和多顆閃存裸片。一顆主控芯片具有2組I 口(數(shù)據(jù)輸入端口)，因此每顆主控至少可以控制2顆閃存芯片，所示存儲器裝置具有兼做輸入輸出端子和用于安裝存儲器裸片的電路基板2。電路基板2形成有具備數(shù)據(jù)輸入輸出功能的連接端子，這些端子表面具有裸露的金屬導(dǎo)體層，可以通過焊接的方式連接到外圍應(yīng)用端的電路基板上。電路基板2有兩個表面，分別是具有輸入輸出端子形成面的第一主面2a，和第一主面的相反側(cè)的第二主面2b，電路基板2在樹脂基板、陶瓷基板、和玻璃基板等的各種絕緣基板上設(shè)置有內(nèi)部布線、表面布線等構(gòu)成的線路網(wǎng)絡(luò)(未圖示)。具體講，電路基板是使用玻璃_環(huán)氧樹脂、BT樹脂(黏膠馬來酸酐縮亞胺.三嗪樹脂)等的印刷布線基板。電路基板2的第一主面2a形成有做為eSSD輸入輸出端口的導(dǎo)體層5，即在該存儲裝置eSSD中，通過利用電鍍法等在電路基板2的第一主面2a上形成導(dǎo)體層5，構(gòu)成輸入輸出端口 6。構(gòu)成輸入輸出端口 6的導(dǎo)體層5與電路基板2通過布線網(wǎng)絡(luò)連接。在電路基板2的第二主面2b上，安裝有閃存裸片3和主控芯片裸片，主控芯片裸片9和閃存裸片3被裸裝安裝在電路基板2的第二主面2b上，在裸裝狀態(tài)下，使用薄膜狀絕緣性粘合劑4粘接在電路基板2的第二主面2b上。另外，主控芯片裸片和閃存裸片通過金屬接合線7與電路基板2的連接焊盤電連接。圖四和圖五所示安裝了 4個閃存3的狀態(tài)，但是也可以堆疊更少數(shù)量或更多數(shù)量的閃存裸片在電路基板2的第二主面2b上。安裝在電路基板2上的閃存裸片3的數(shù)量，乘以各個閃存的存儲容量，可以得出整個閃存裝置eSSD的總體容量。多個閃存裸裝堆疊時，不同閃存中間需要使用薄膜狀絕緣性粘合劑4粘接。主控芯片裸片9和各閃存裸片3與電路基板2的第二主面2b通過金屬接合線7 連接后，使用絕緣性復(fù)合型樹脂材料在電路基板2的第二主面2b上部做密封，密封體的平面面積和電路基板的平面面積相同，高度要超過所有閃存裸片疊加后的總體高度，從而把所有閃存裸片封裝在一個長方體內(nèi)。封裝后的整個eSSD存儲裝置可以做為一個完整功能的閃存芯片。該閃存裝置通過電路基板2的第一主面2a的具備輸入輸出端口 6的導(dǎo)體層 5與應(yīng)用端電路相連接，實現(xiàn)存儲功能。電路基板2有兩個表面，分別是具有輸入輸出端口 6形成面的第一主面2a,和第一主面2a的相反側(cè)的第二主面2b，電路基板2可以是樹脂基板、陶瓷基板、和玻璃基板中任一種，在這些任一絕緣基板上設(shè)置有內(nèi)部布線、表面布線從而構(gòu)成的線路網(wǎng)絡(luò)。具體講，電路基板2是使用玻璃_環(huán)氧樹脂或BT樹脂印刷布線基板。另外，eSSD閃存芯片和主控制器芯片通過連接件7與電路基板2的連接焊盤電連接，所述連接件7為金屬接合線。圖2所示安裝了兩個芯片3和一個主控制芯片9，還可以堆疊更少數(shù)量或更多數(shù)量的eSSD閃存芯片3在電路基板2的第二主面2b上。安裝在電路基板2上的eSSD閃存芯片3的數(shù)量，乘以各個閃存的存儲容量，可以得出整個閃存裝置的總體容量。多個eSSD閃存芯片3堆疊和一個主控制芯片9貼裝時，不同eSSD閃存芯片3 中間和主控制芯片9貼裝需要使用薄膜狀絕緣性粘合劑4粘接。各eSSD閃存芯片3和主控制芯片9與電路基板2的第二主面2b通過金屬接合線 7連接后，使用絕緣性復(fù)合型樹脂材料在電路基板2的第二主面2b上部做密封，密封體的平面面積和電路基板的平面面積相同，高度要超過所有eSSD閃存芯片3 (若主控制芯片9疊加在eSSD閃存芯片3上時，高度要超過其疊加后的高度)疊加后的總體高度，從而把eSSD 閃存芯片3和主控制芯片9封裝在一個長方體8內(nèi)。封裝后的整個EMMC-LGA裝置不僅可以做為一個具有獨立儲存的存儲器件，還可具有閃存封裝的eSSD閃存芯片的功能。該裝置通過電路基板2的第一主面2a的具備輸入輸出端子的導(dǎo)體層與應(yīng)用端電路相連接，實現(xiàn)存儲功能。如圖3所示，本裝置在閃存堆疊方式上一個變形例，所述eSSD閃存芯片3為多個， 所述多個eSSD閃存芯片3疊放。所述多個eSSD閃存芯片3疊放，所述主控制芯片6與所述多個eSSD閃存芯片3分開安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述多個eSSD閃存芯片3相同屬性的引腳連接后再連接所述電路基板2的相應(yīng)引腳。如圖4所示，在引線連接方式上，還包括所述多個eSSD閃存芯片3的引腳分別連接所述電路基板2的相應(yīng)引腳。如圖5所示，本裝置在閃存堆疊方式上一個變形例，所述eSSD閃存芯片3為多個， 所述多個eSSD閃存芯片3疊放。所述多個eSSD閃存芯片3疊放，所述主控制芯片6與所述多個eSSD閃存芯片3疊放安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述多個eSSD閃存芯片3相同屬性的引腳連接后再連接所述電路基板2的相應(yīng)引腳。如圖6所示，在引線連接方式上，還包括所述多個eSSD閃存芯片3的引腳分別連接所述電路基板2的相應(yīng)引腳。還包括粘合膜4,所述eSSD閃存芯片3之間通過所述粘合膜4粘合連接。本實用新型的技術(shù)效果是本實用新型基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，所述電路基板5包括第一主面2b和與所述第一主面2b相對的第二主面2a，所述主控制芯片9 和eSSD閃存芯片3安裝在所述電路基板2的第一主面2b，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面2a，所述輸入輸出端口 6設(shè)置在所述電路基板2的第二主面2a，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層5，所述主控制器芯片9與所述eSSD閃存芯片3通過SATA接口連接。本實用新型固態(tài)存儲裝置可以構(gòu)建大容量存儲設(shè)備，同時，方便進行控制連接，工藝簡單。以上內(nèi)容是結(jié)合具體的優(yōu)選實施方式對本實用新型所作的進一步詳細說明，不能認定本實用新型的具體實施只局限于這些說明。對于本實用新型所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本實用新型構(gòu)思的前提下，還可以做出若干簡單推演或替換，都應(yīng)當(dāng)視為屬于本實用新型的保護范圍。
權(quán)利要求1.一種基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，包括主控芯片、eSSD閃存芯片、安裝所述主控芯片和eSSD閃存芯片的電路基板、輸入輸出端口、連接件，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD閃存芯片安裝在所述電路基板的第一主面，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層，所述主控制器芯片與所述eSSD閃存芯片通過SATA接口連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，還包括密封所述eSSD閃存芯片的密封樹脂。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述eSSD閃存芯片為多個，所述多個eSSD閃存芯片疊放。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述多個 eSSD閃存芯片共用一個輸入輸出端口。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述多個 eSSD閃存芯片疊放，所述主控制芯片與所述多個eSSD閃存芯片分開安裝在所述電路基板的第一主面。
6.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述多個 eSSD閃存芯片與所述主控制芯片疊放安裝在所述電路基板的第一主面。
7.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述多個eSSD閃存芯片相同屬性的引腳連接后再連接所述電路基板的相應(yīng)引腳。
8.根據(jù)權(quán)利要求5或6所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，所述多個eSSD閃存芯片的引腳分別連接所述電路基板的相應(yīng)引腳。
9.根據(jù)權(quán)利要求3所述基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，其特征在于，還包括粘合膜，所述eSSD閃存芯片之間通過所述粘合膜粘合連接。
專利摘要本實用新型涉及一種基于eSSD閃存芯片的閃存存儲裝置，所述電路基板包括第一主面和與所述第一主面相對的第二主面，所述主控制器芯片和eSSD閃存芯片安裝在所述電路基板的第一主面，所述輸入輸出端口設(shè)置在所述電路基板的第二主面，且具有成為eSSD對外輸入輸出功能的裸露導(dǎo)體層，所述主控制器芯片與所述eSSD閃存芯片通過SATA接口連接，所述主控制器芯片、所述eSSD閃存芯片和所述電路基板通過連接件電連接。本實用新型閃存存儲裝置可以構(gòu)建大容量存儲設(shè)備，同時，方便進行控制連接，工藝簡單。
文檔編號G11C7/10GK202352346SQ20112047726
公開日2012年7月25日 申請日期2011年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2011年11月26日
發(fā)明者盧偉, 李振華 申請人:深圳泰勝微科技有限公司