專利名稱：用于半導(dǎo)體存儲器件的刷新控制電路及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明的示例性實施例涉及一種半導(dǎo)體存儲器件，更具體而言，涉及一種用于半導(dǎo)體存儲器件的刷新控制電路及方法。
背景技術(shù)：
例如動態(tài)隨機(jī)存取存儲器(DRAM)器件的半導(dǎo)體器件包括多個單位單元，每個單位單元具有一個晶體管和一個電容器，數(shù)據(jù)被預(yù)先儲存在電容器中。然而，由于在存儲器件中形成于半導(dǎo)體襯底之上的電容器未完全與其周圍斷開電連接， 因此儲存在電容器中的數(shù)據(jù)可能被放電，由此不能保持?jǐn)?shù)據(jù)。簡言之，產(chǎn)生了泄漏電流并且可能損壞存儲器單元的數(shù)據(jù)。為了解決此問題，存儲器件定期執(zhí)行刷新操作以保持儲存在電容器中的電荷。具有刷新操作模式的存儲器件基于外部命令在順序地改變內(nèi)部地址的同時執(zhí)行刷新操作。換言之，當(dāng)存儲器件基于外部命令進(jìn)入刷新操作模式時，被選中作為行地址的存儲器單元的字線在預(yù)定時間段順序地增加。儲存在與選中字線相對應(yīng)的電容器中的電荷由感測放大器放大，然后被再次儲存在電容器中。經(jīng)過一系列刷新操作，儲存的數(shù)據(jù)在未受損的情況下被保持。圖I是說明常見的用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件的框圖。如圖所示，常見的用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件100包括命令發(fā)生器110、刷新計數(shù)器120、行地址譯碼器130和單元陣列140。命令發(fā)生器110響應(yīng)于時鐘CLK而將從半導(dǎo)體存儲器件外部輸入的外部命令CSB、RASB, CASB和WEB譯碼，以產(chǎn)生內(nèi)部命令REF和ACTMD。在此，外部命令“CSB”表示芯片選擇信號，外部命令“RASB”表示行地址選通信號。外部命令“CASB”表示列地址選通信號，夕卜部命令“WEB”表示寫入使能信號。此外，內(nèi)部命令“REF”表示刷新信號，內(nèi)部命令“ACTMD”
表不激活模式信號。刷新計數(shù)器120響應(yīng)于從命令發(fā)生器110輸出的激活模式信號ACTMD而對刷新信號REF計數(shù)，并輸出刷新地址RA〈0:N>以使單元陣列140中所有的字線被順序地訪問。行地址譯碼器130將在刷新操作模式期間由刷新計數(shù)器120產(chǎn)生的刷新地址RA<0:N>譯碼，并產(chǎn)生用于選擇行地址的行地址選擇信號BX_ADD以執(zhí)行刷新操作。單元陣列140通過基于行地址選擇信號BX_ADD執(zhí)行刷新操作來保持儲存的電荷，由此防止數(shù)據(jù)丟失。在下文中，結(jié)合圖I來描述常見的用于控制半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作的方法。首先，命令發(fā)生器110將激活模式信號ACTMD使能。在此，刷新計數(shù)器120響應(yīng)于從命令發(fā)生器110輸出的激活模式信號ACTMD而對刷新信號REF計數(shù)，并輸出刷新地址RA〈0:N>。行地址譯碼器130將從刷新計數(shù)器120輸出的刷新地址RA〈0:N>譯碼，并產(chǎn)生用于選擇行地址的行地址選擇信號BX_ADD以執(zhí)行刷新操作。因此，單元陣列140通過響應(yīng)于行地址選擇信號BX_ADD執(zhí)行刷新操作來保持儲存的電荷，并防止數(shù)據(jù)丟失。在此，以一個刷新行周期時間tRFC來執(zhí)行刷新操作。
然而，常見的刷新方法所具有的缺點在于其不能改變所產(chǎn)生的噪聲量，這是因為刷新地址的順序難以改變。具體地，由于刷新操作是在基于測試模式期間所有單元都具有相同的保留時間這一假設(shè)下的平均保留時間所確定的時間段執(zhí)行的，因此保留時間不夠的單元會損失其中儲存的數(shù)據(jù)。這是因為，保 留時間不夠的單元需要以更短的刷新時間段來執(zhí)行刷新操作，但常見的刷新方法是根據(jù)基于所述平均保留時間所確定的時間段來執(zhí)行刷新操作。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的示例性實施例針對一種用于半導(dǎo)體存儲器件的刷新控制電路及方法，其能夠在測試模式下通過基于外部地址執(zhí)行刷新操作并改變刷新地址的順序來改變所產(chǎn)生的噪聲量。刷新控制電路及方法對于單元篩選是有幫助的。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，一種半導(dǎo)體存儲器件包括刷新計數(shù)器，所述刷新計數(shù)器被配置為響應(yīng)于在激活模式下被使能的激活模式信號而對刷新信號計數(shù)并輸出刷新地址；外部地址輸入緩沖器，所述外部地址輸入緩沖器被配置為響應(yīng)于在外部地址刷新模式下被使能的模式選擇信號來緩沖外部地址并輸出內(nèi)部地址；地址選擇器，所述地址選擇器被配置為響應(yīng)于刷新信號和模式選擇信號，在正常刷新模式下輸出從刷新計數(shù)器傳送來的刷新地址作為選擇行地址、并在外部地址刷新模式下輸出從外部地址輸入緩沖器傳送來的內(nèi)部地址作為選擇行地址；以及行地址譯碼器，所述行地址譯碼器被配置為通過將選擇行地址譯碼來產(chǎn)生用于在單元陣列中順序地訪問字線的行地址選擇信號。根據(jù)本發(fā)明的另一個示例性實施例，一種在半導(dǎo)體存儲器件中控制刷新操作的方法；包括以下步驟響應(yīng)于在激活模式下被使能的激活模式信號而對刷新信號進(jìn)行計數(shù)并輸出刷新地址；響應(yīng)于在外部地址刷新模式下被使能的模式選擇信號來緩沖外部地址并輸出內(nèi)部地址；響應(yīng)于刷新信號和模式選擇信號，在正常刷新模式下輸出刷新地址作為選擇行地址，而在外部地址刷新模式下輸出內(nèi)部地址作為選擇行地址；以及通過將選擇行地址譯碼來產(chǎn)生用于在單元陣列中順序地訪問字線的行地址選擇信號。


圖I是說明常見的用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件的框圖。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件的框圖。圖3A是圖2所示的地址選擇器260的框圖，圖3B是圖2所示的地址選擇器260的詳細(xì)電路圖。圖4是圖2所示的模式選擇信號發(fā)生器230的詳細(xì)電路圖。圖5是圖2所示的地址緩沖器控制器240的詳細(xì)電路圖。圖6是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作控制方法的時序圖。
具體實施例方式下面將參照附圖更加詳細(xì)地描述本發(fā)明的示例性實施例。然而，本發(fā)明可以用不同的方式來實施，并且不應(yīng)當(dāng)被理解為限于本文所提出的實施例。確切地說，提供這些實施例是為了使本說明書清楚且完整，并且將會向本領(lǐng)域技術(shù)人員完全傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在本說明書中，相同的附圖標(biāo)記在本發(fā)明的各個附圖和實施例中表示相同的部件。圖2是說明根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件的框圖如圖所示，用于控制刷新操作的半導(dǎo)體存儲器件200包括命令發(fā)生器210、刷新計數(shù)器220、模式選擇信號發(fā)生器230、地址緩沖器控制器240、外部地址輸入緩沖器250、地址選擇器260、行地址譯碼器270和單元陣列280。命令發(fā)生器210響應(yīng)于時鐘CLK而將從半導(dǎo)體存儲器件外部輸入的外部命令CSB、RASB、CASB和WEB譯碼，以產(chǎn)生內(nèi)部命令REF、ACTMD、ACT和TREFADD。在此，外部命令“CSB”表示存儲器半導(dǎo)體芯片選擇信號，外部命令“RASB”表示行地址選通信號，并且外部命令“RASB”用作將DRAM器件的操作初始化的芯片使能信號。外部命令“CASB”表示列地址選通信號，并且外部命令“CASB”指示列地址是否被施加給DRAM器件。外部命令“WEB”表示寫入使能信號，并且外部命令“WEB”決定是否寫入或讀取數(shù)據(jù)。此外，在內(nèi)部命令之中，內(nèi)部命令“REF”表示刷新信號，內(nèi)部命令“ ACTMD ”表示激活模式信號。內(nèi)部命令“ACT”表示使能持續(xù)時間建立信號。內(nèi)部命令“TREFADD”表示測試模式信號。刷新信號REF是在刷新操作期間被使能的信號，激活模式信號ACTMD是在半導(dǎo)體存儲器件的激活模式期間被使能的信號。測試模式信號TREFADD是在測試模式期間被使能的信號。使能持續(xù)時間建立信號ACT是在半導(dǎo)體存儲器件的激活模式中輸入激活命令時被使能至邏輯低電平預(yù)定持續(xù)時間的脈沖信號。刷新計數(shù)器220響應(yīng)于從命令發(fā)生器210輸出的激活模式信號ACTMD而對刷新信號REF計數(shù)，并輸出刷新地址R0W〈0:N>以使單元陣列280中所有的字線被順序地訪問。模式選擇信號發(fā)生器230基于命令發(fā)生器210所提供的測試模式信號TREFADD，以及從外部地址EXT_ADDR〈0: N〉產(chǎn)生的內(nèi)部地址A〈0:N〉的特定比特、例如第一內(nèi)部地址A〈0>，來產(chǎn)生用于確定是否進(jìn)入外部地址刷新模式的模式選擇信號SEL。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例，可以利用半導(dǎo)體存儲器件的模式寄存器組(MRS)來形成模式選擇信號發(fā)生器230。在此，外部地址刷新模式是在進(jìn)入測試模式之后通過接收外部地址來執(zhí)行刷新操作的模式。地址緩沖器控制器240響應(yīng)于緩沖器控制信號BF_CTRL以及由模式選擇信號發(fā)生器230提供的模式選擇信號SEL來輸出用于將外部地址輸入緩沖器250使能的緩沖器使能信號BF_EN。在此，緩沖器使能信號BF_EN在正常刷新模式下將外部地址輸入緩沖器250禁止。外部地址輸入緩沖器250根據(jù)從地址緩沖器控制器240輸出的緩沖器使能信號BF_EN的接收而被使能，并且通過收外部地址EXT_ADDR〈0:N>來輸出內(nèi)部地址A〈0:N>。地址選擇器260響應(yīng)于從模式選擇信號發(fā)生器230輸出的模式選擇信號SEL、從命令發(fā)生器210輸出的刷新信號REF和使能持續(xù)時間建立信號ACT，在正常刷新模式下輸出從刷新計數(shù)器220傳送來的刷新地址R0W〈0:N>作為選擇行地址RA〈0:N>，并在測試模式下輸出從外部地址輸入緩沖器250傳送來的內(nèi)部地址A〈0:N>作為選擇行地址RA〈0:N>。行地址譯碼器270將從地址選擇器260輸出的選擇行地址RA〈0:N〉譯碼，并產(chǎn)生行地址選擇信號BX_ADD。單元陣列280通過基于行地址選擇信號BX_ADD執(zhí)行刷新操作來保留儲存的電荷，由此防止數(shù)據(jù)丟失。圖3A是圖2所示的地址選擇器260的框圖。參見圖3A，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的地址選擇器260包括第一選擇信號發(fā)生單元320、第二選擇信號發(fā)生單元340和選擇行地址輸出單元360。第一選擇信號發(fā)生單兀320接收模式選擇信號SEL、使能持續(xù)時間建立信號ACT和刷新信號REF，并產(chǎn)生第一選擇信號ACTREF。第一選擇信號ACTREF是用于輸出從外部地址輸入緩沖器250輸出的內(nèi)部地址A〈0:N>作為選擇行地址RA〈0:N>的信號。
第二選擇信號發(fā)生單元340接收模式選擇信號SEL和刷新信號REF，并產(chǎn)生第二選擇信號REFT。第二選擇信號REFT是用于輸出從刷新計數(shù)器220輸出的刷新地址R0W〈0:N>作為選擇行地址RA〈0:N>的信號。選擇行地址輸出單元360包括第一選擇元件362、第二選擇元件364和鎖存元件366。第一選擇元件362響應(yīng)于第一選擇信號ACTREF的使能而輸出內(nèi)部地址A〈0:N>。第二選擇元件364響應(yīng)于第二選擇信號REFT的使能而輸出刷新地址R0W〈0:N>。鎖存元件366鎖存第一選擇元件362的輸出或第二選擇元件364的輸出，并將其輸出作為選擇行地址RA〈0:N>。圖3B是圖2所示的地址選擇器260的具體電路圖。參見圖3B，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的第一選擇信號發(fā)生單元320包括第一反相器INVl、第二反相器INV2、第三反相器INV3、第一或非門NORl、第二或非門N0R2、第一與非門NANDl、第二與非門NAND2和反相器鏈INV_CH。第一反相器INVl將模式選擇信號SEL反相并將反相的模式選擇信號輸出至節(jié)點B。第一或非門NORl對節(jié)點B的信號和刷新信號REF執(zhí)行邏輯操作，并輸出結(jié)果。反相器鏈INV_CH將第一或非門NORl的輸出延遲預(yù)定的時間。第二或非門N0R2對節(jié)點B的信號和反相器鏈INV_CH的輸出執(zhí)行邏輯操作，并輸出結(jié)果。第一與非門NANDl對第二或非門N0R2的輸出和刷新信號REF執(zhí)行邏輯操作，并輸出結(jié)果。第二與非門NAND2對第一與非門NANDl的輸出和使能持續(xù)時間建立信號ACT執(zhí)行邏輯操作。第二反相器INV2和第三反相器INV3對第二與非門NAND2的輸出進(jìn)行緩沖，并最終輸出第一選擇信號ACTREF。根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的第一選擇信號發(fā)生單元320響應(yīng)于使能持續(xù)時間建立信號ACT而將第一選擇信號ACTREF使能，所述使能持續(xù)時間建立信號ACT是在半導(dǎo)體存儲器件的激活模式下輸入激活命令時以預(yù)定的持續(xù)時間被使能至邏輯低電平的脈沖信號。因此，半導(dǎo)體存儲器件可以在激活模式的初期利用內(nèi)部地址A〈0:N>來執(zhí)行外部地址刷新操作。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的第一選擇信號發(fā)生單元320響應(yīng)于被禁止為邏輯高電平的使能持續(xù)時間建立信號ACT以及被禁止至邏輯低電平的模式選擇信號SEL而將第一選擇信號ACTREF禁止。此外，當(dāng)模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平、即處在外部地址刷新模式下時，第一選擇信號發(fā)生單元320響應(yīng)于刷新信號REF而選擇性地將第一選擇信號ACTREF使能。因此，在外部地址刷新模式下，第一選擇信號發(fā)生單元320可以利用內(nèi)部地址A〈0:N>來執(zhí)行外部地址刷新操作。
第二選擇信號發(fā)生單元340包括第三與非門NAND3和第四反相器INV4。第三與非門NAND3和第四反相器INV4對模式選擇信號SEL的反相信號即節(jié)點B的信號以及刷新信號REF執(zhí)行“與”操作，并最終輸出第二選擇信號REFT。根據(jù)本發(fā)明的一個不例性實施例的第二選擇信號發(fā)生單兀340在模式選擇信號SEL被禁止至邏輯低電平的正常刷新模式下響應(yīng)于刷新信號REF選擇性地將第二選擇信號REFT使能。另外，在模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平的外部地址刷新模式下，不管刷新信號REF的邏輯電平如何，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的第二選擇信號發(fā)生單元340響應(yīng)于節(jié)點B的信號——為邏輯低電平并被輸出至第三與非門NAND3——而始終將第二選擇信號REFT禁止為邏輯低電平并輸出被禁止的第二選擇信號REFT。因此，可以利用從刷新計數(shù)器220輸出的刷新地址R0W〈0:N>在正常刷新模式下執(zhí)行正常刷新操作。選擇行地址輸出單元360的第一選擇元件362包括根據(jù)第一選擇信號ACTREF而被導(dǎo)通/關(guān)斷的第一傳輸門TG1。選擇行地址 輸出單元360的第二選擇元件364包括根據(jù)第二選擇信號REFT而被導(dǎo)通/關(guān)斷的第二傳輸門TG2。選擇行地址輸出單元360的鎖存元件366包括第一反相器鎖存器INV_LAT1和第五反相器INV5,并鎖存第一選擇兀件362的輸出和第二選擇兀件364的輸出。圖4是圖2所示的模式選擇信號發(fā)生器230的詳細(xì)電路圖。參見附圖，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的模式選擇信號發(fā)生器230包括第三傳輸門TG3、第二反相器鎖存器INV_LAT2和第六反相器INV6。第三傳輸門TG3響應(yīng)于測試模式信號TREFADD來傳送從外部地址輸入緩沖器250輸出的第一內(nèi)部地址A〈0>。第二反相器鎖存器INV_LAT2和第六反相器INV6鎖存第三傳輸門TG3的輸出信號，并輸出模式選擇信號SEL。此外，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的模式選擇信號發(fā)生器230還可以包括晶體管匪，所述晶體管NM響應(yīng)于復(fù)位信號RESETB而將模式選擇信號SEL初始化。如上所述，當(dāng)測試模式信號TREFADD被使能至邏輯高電平時，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的模式選擇信號發(fā)生器230輸出所接收的內(nèi)部地址<A:0>作為模式選擇信號SEL。圖5是圖2所示的地址緩沖器控制器240的詳細(xì)電路圖。參見圖5，根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的地址緩沖器控制器240包括第三或非門N0R3和第七反相器INV7，并對緩沖器控制信號BF_CTRL以及從模式選擇信號發(fā)生器230輸出的模式選擇信號SEL執(zhí)行“或”操作。緩沖器控制信號BF_CTRL在正常刷新模式下被禁止至邏輯低電平，并將外部地址輸入緩沖器250禁止。因此，當(dāng)在正常刷新模式下緩沖器控制信號BF_CTRL和模式選擇信號SEL都被禁止為邏輯低電平時，地址緩沖器控制器240輸出邏輯低電平的緩沖器使能信號BF_EN。另一方面，當(dāng)模式不為激活模式時，緩沖器控制信號BF_CTRL被使能至邏輯高電平。因此，地址緩沖器控制器240輸出邏輯高電平的緩沖器使能信號BF_EN，而無論模式選擇信號SEL如何。此外，在外部地址刷新模式下，因為模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平，因此無論緩沖器控制信號BF_CTRL的邏輯電平如何，地址緩沖器控制器240都輸出邏輯高電平的緩沖器使能信號BF_EN。圖6是根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例的半導(dǎo)體存儲器件的刷新操作控制方法的時序圖。在下文中，將結(jié)合圖2至圖6來描述在根據(jù)本發(fā)明的一個示例性實施例制造的半導(dǎo)體存儲器件中控制刷新操作的方法。首先，在正常刷新模式下，命令發(fā)生器210將從外部輸入的外部命令CSB、RASB,CASB和WEB譯碼，并將測試模式信號TREFADD禁止為邏輯低電平，以及將模式選擇信號SEL禁止為邏輯低電平。第一選擇信號發(fā)生單元320響應(yīng)于邏輯高電平的使能持續(xù)時間建立信號ACT以及邏輯低電平的模式選擇信號SEL而將第一選擇信號ACTREF禁止為邏輯低電平并輸出被禁止的第一選擇信號。同時，當(dāng)模式選擇信號SEL處于邏輯低電平時，第二選擇信號發(fā)生單元340響應(yīng)于刷新信號REF而選擇性地將第二選擇信號REFT使能并輸出被使能的第二選擇信 號。隨后，當(dāng)用于刷新操作的刷新信號REF被使能至邏輯高電平時，第二選擇信號REFT也被使能至邏輯高電平。因此，選擇行地址輸出單元360的第二選擇元件364被使能，并選擇從刷新計數(shù)器220輸出的刷新地址R0W〈0:N>且將其輸出作為選擇行地址RA〈0:N>。行地址譯碼器270通過將選擇行地址RA〈0:N>譯碼來產(chǎn)生行地址選擇信號BX_ADD，單元陣列280響應(yīng)于行地址選擇信號BX_ADD來執(zhí)行正常刷新操作。然后，命令發(fā)生器210通過響應(yīng)于時鐘CLK將從外部輸入的外部命令CSB、RASB,CASB和WEB譯碼而將測試模式信號TREFADD使能到邏輯高電平。在接收到邏輯高電平的測試模式信號TREFADD時，通過將接收到的第一內(nèi)部地址A〈0>鎖存而傳送模式選擇信號SEL。在此，由于模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平，因此單位單元進(jìn)入外部地址刷新模式。由于模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平，因此地址緩沖器控制器240將緩沖器使能信號BF_EN使能并輸出，無論緩沖器控制信號BF_CTRL的邏輯電平如何。此外，第二選擇信號發(fā)生單元340將第二選擇信號REFT禁止為邏輯低電平并始終輸出被禁止的第二選擇信號，無論刷新操作如何。同時，當(dāng)模式選擇信號SEL被使能至邏輯高電平時，第一選擇信號發(fā)生單元320響應(yīng)于刷新信號REF而選擇性地將第一選擇信號ACTREF使能。隨后，當(dāng)用于刷新操作的刷新信號REF被使能至邏輯高電平時，第一選擇信號發(fā)生單元320將第一選擇信號ACTREF使能至邏輯高電平預(yù)定持續(xù)時間。因此，選擇行地址輸出單元360的第一選擇元件362被使能，因此其選擇經(jīng)由外部地址輸入緩沖器250從外部輸入的內(nèi)部地址A〈0:N>，并輸出選擇行地址RA〈0:N>。行地址譯碼器270通過將選擇行地址RA〈0:N>譯碼來產(chǎn)生行地址選擇信號BX_ADD，并且響應(yīng)于行地址選擇信號BX_ADD來執(zhí)行外部地址刷新操作。根據(jù)上述的本發(fā)明的技術(shù)，半導(dǎo)體存儲器件利用從刷新計數(shù)器220輸出的刷新地址R0W〈0:N>在正常刷新模式下執(zhí)行刷新操作，并且通過不接收從刷新計數(shù)器輸出的外部地址而是使用從外部輸入的外部地址在外部地址刷新模式下執(zhí)行刷新操作。上述的本發(fā)明的技術(shù)能夠通過在測試模式下基于外部地址執(zhí)行刷新操作并改變刷新地址的順序來改變所產(chǎn)生的噪聲量。因此，本發(fā)明的技術(shù)對于單元篩選是有幫助的。雖然已經(jīng)結(jié)合具體的實施例描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解的是，在不脫離本發(fā)明的主旨和范圍的情況下可以進(jìn)行各種改變和修改。
權(quán)利要求
1.一種半導(dǎo)體存儲器件，包括 刷新計數(shù)器，所述刷新計數(shù)器被配置為響應(yīng)于在激活模式下被使能的激活模式信號而對刷新信號計數(shù)并輸出刷新地址； 外部地址輸入緩沖器，所述外部地址輸入緩沖器被配置為響應(yīng)于在外部地址刷新模式下被使能的模式選擇信號而緩沖外部地址并輸出內(nèi)部地址； 地址選擇器，所述地址選擇器被配置為響應(yīng)于所述刷新信號和所述模式選擇信號，在正常刷新模式下輸出從所述刷新計數(shù)器傳送來的所述刷新地址作為選擇行地址，在所述外部地址刷新模式下輸出從所述外部地址輸入緩沖器傳送來的所述內(nèi)部地址作為所述選擇行地址；以及 行地址譯碼器，所述行地址譯碼器被配置為通過將所述選擇行地址譯碼來產(chǎn)生用于在單元陣列中順序地訪問字線的行地址選擇信號。
2.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括 命令發(fā)生器，所述命令發(fā)生器被配置為通過響應(yīng)于時鐘將外部命令譯碼來產(chǎn)生所述刷新信號、所述激活模式信號和測試模式信號；以及 模式選擇信號發(fā)生器，所述模式選擇信號發(fā)生器被配置為響應(yīng)于由所述命令發(fā)生器提供的所述測試模式信號而輸出所述內(nèi)部地址的特定比特作為所述模式選擇信號。
3.如權(quán)利要求2所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述模式選擇信號發(fā)生器包括 傳輸門單元，所述傳輸門單元響應(yīng)于所述測試模式信號來傳送從所述外部地址輸入緩沖器輸出的所述內(nèi)部地址的預(yù)定比特；以及 鎖存單元，所述鎖存單元鎖存所述傳輸門單元的輸出信號，并輸出被鎖存的輸出信號作為所述模式選擇信號。
4.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲器件，還包括 地址緩沖器控制器，所述地址緩沖器控制器被配置為響應(yīng)于所述模式選擇信號和緩沖器控制信號而輸出用于將所述外部地址輸入緩沖器使能或禁止的緩沖器使能信號， 其中，所述緩沖器使能信號在所述正常刷新模式下將所述外部地址輸入緩沖器禁止。
5.如權(quán)利要求4所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述地址緩沖器控制器包括 邏輯門單元，所述邏輯門單元對所述模式選擇信號和所述緩沖器控制信號執(zhí)行“與”操作。
6.如權(quán)利要求I所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述地址選擇器包括 第一選擇信號發(fā)生單元，所述第一選擇信號發(fā)生單元響應(yīng)于所述模式選擇信號、作為在激活模式下被使能的脈沖信號的使能持續(xù)時間建立信號、以及所述刷新信號而產(chǎn)生第一選擇信號，所述第一選擇信號用于將從所述外部地址輸入緩沖器輸出的所述內(nèi)部地址輸出作為所述選擇行地址； 第二選擇信號發(fā)生單元，所述第二選擇信號發(fā)生單元響應(yīng)于所述模式選擇信號和所述刷新信號而產(chǎn)生第二選擇信號，所述第二選擇信號用于將從所述刷新計數(shù)器輸出的所述刷新地址輸出作為所述選擇行地址；以及 選擇行地址輸出單元，所述選擇行地址輸出單元響應(yīng)于所述第一選擇信號和所述第二選擇信號而輸出所述內(nèi)部地址或所述刷新地址作為所述選擇行地址。
7.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，在所述模式選擇信號被使能的所述外部地址刷新模式下， 所述第一選擇信號發(fā)生單元響應(yīng)于所述刷新信號和所述使能持續(xù)時間建立信號而選擇性地將所述第一選擇信號使能；并且 所述第二選擇信號發(fā)生單元將所述第二選擇信號禁止。
8.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，在所述模式選擇信號被禁止的所述正常刷新模式下， 所述第一選擇信號發(fā)生單元將所述第一選擇信號禁止，并且 所述第二選擇信號發(fā)生單元響應(yīng)于所述刷新信號而選擇性地將所述第二選擇信號使倉泛。
9.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述第一選擇信號發(fā)生單元包括 第一邏輯門，所述第一邏輯門用于將所述模式選擇信號反相并將被反相的模式選擇信號輸出至節(jié)點； 第二邏輯門，所述第二邏輯門對所述節(jié)點的信號和所述刷新信號執(zhí)行“或非”操作； 反相器鏈，所述反相器鏈用于將所述第二邏輯門的輸出延遲預(yù)定的時間； 第三邏輯門，所述第三邏輯門用于對所述節(jié)點的信號和所述反相器鏈的輸出執(zhí)行“或非”操作； 第四邏輯門，所述第四邏輯門用于對所述第三邏輯門的輸出和所述刷新信號執(zhí)行“與非”操作； 第五邏輯門，所述第五邏輯門用于對所述第四邏輯門的輸出和所述使能持續(xù)時間建立信號執(zhí)行“與非”操作；以及 第六邏輯門，所述第六邏輯門用于緩沖所述第五邏輯門的輸出并輸出操作結(jié)果值作為所述第一選擇信號。
10.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述第二選擇信號發(fā)生器包括 邏輯門，所述邏輯門用于對所述刷新信號和被反相的所述模式選擇信號執(zhí)行“與操作”。
11.如權(quán)利要求6所述的半導(dǎo)體存儲器件，其中，所述選擇行地址輸出單元包括 第一選擇元件，所述第一選擇元件響應(yīng)于所述第一選擇信號的使能而輸出所述內(nèi)部地址； 第二選擇元件，所述第二選擇元件響應(yīng)于所述第二選擇信號的使能而輸出所述刷新地址；以及 鎖存元件，所述鎖存元件用于鎖存所述第一選擇元件的輸出或所述第二選擇元件的輸出，并輸出被鎖存的輸出作為所述選擇行地址。
12.—種在半導(dǎo)體存儲器件中控制刷新操作的方法，包括以下步驟 響應(yīng)于在激活模式下被使能的激活模式信號而對刷新信號進(jìn)行計數(shù)并輸出刷新地址； 響應(yīng)于在外部地址刷新模式下被使能的模式選擇信號而緩沖外部地址并輸出內(nèi)部地址； 響應(yīng)于所述刷新信號和所述模式選擇信號，在正常刷新模式下輸出所述刷新地址作為選擇行地址，而在所述外部地址刷新模式下輸出所述內(nèi)部地址作為所述選擇行地址；以及通過將所述選擇行地址譯碼來產(chǎn)生用于在單元陣列中順序地訪問字線的行地址選擇信號。
13.如權(quán)利要求12所述的方法，還包括以下步驟 通過響應(yīng)于時鐘將外部命令譯碼來產(chǎn)生所述刷新信號、所述激活模式信號和測試模式信號；以及 響應(yīng)于所述測試模式信號而輸出所述模式選擇信號。
14.如權(quán)利要求12所述的方法，其中，響應(yīng)于所述刷新信號和所述模式選擇信號在正常刷新模式下輸出所述刷新地址作為選擇行地址而在所述外部地址刷新模式下輸出所述內(nèi)部地址作為所述選擇行地址的步驟包括以下步驟 響應(yīng)于所述模式選擇信號、作為在激活模式下被使能的脈沖信號的使能持續(xù)時間建立信號、以及所述刷新信號而產(chǎn)生第一選擇信號，所述第一選擇信號用于輸出所述內(nèi)部地址作為所述選擇行地址； 響應(yīng)于所述模式選擇信號和所述刷新信號而產(chǎn)生第二選擇信號，所述第二選擇信號用于輸出所述刷新地址作為所述行地址；以及 響應(yīng)于所述第一選擇信號和所述第二選擇信號而輸出所述內(nèi)部地址或所述刷新地址作為所述選擇行地址。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述模式選擇信號被使能的所述外部地址刷新模式下， 響應(yīng)于所述刷新信號和所述使能持續(xù)時間建立信號而選擇性地將所述第一選擇信號使能并輸出；以及 將所述第二選擇信號禁止并輸出。
16.如權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述模式選擇信號被禁止的所述正常刷新模式下， 將所述第一選擇信號禁止并輸出，以及 響應(yīng)于所述刷新信號而選擇性地將所述第二選擇信號使能并輸出。
全文摘要
本發(fā)明提供了用于半導(dǎo)體存儲器件的刷新控制電路及方法。本發(fā)明提供一種半導(dǎo)體存儲器件，包括刷新計數(shù)器，其響應(yīng)于在激活模式下被使能的激活模式信號而對刷新信號計數(shù)和輸出刷新地址；外部地址輸入緩沖器，其響應(yīng)于在外部地址刷新模式下被使能的模式選擇信號而緩沖外部地址以輸出內(nèi)部地址；地址選擇器，其響應(yīng)于刷新信號和模式選擇信號，在正常刷新模式下輸出來自刷新計數(shù)器的刷新地址作為選擇行地址，而在外部地址刷新模式下輸出來自外部地址輸入緩沖器的內(nèi)部地址作為選擇行地址；以及行地址譯碼器，其通過將選擇行地址譯碼來產(chǎn)生用于順序地訪問字線的行地址選擇信號。
文檔編號G11C11/4063GK102655023SQ201110446500
公開日2012年9月5日 申請日期2011年12月28日 優(yōu)先權(quán)日2010年12月28日
發(fā)明者沈榮輔 申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司