專利名稱：吊起干燥裝置、使用其的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在一邊將具有中心孔的圓盤狀的基板浸漬在清洗槽內(nèi)的清洗液中一邊進行基板的清洗之后、將該基板吊起并干燥的吊起干燥裝置以及使用該吊起干燥裝置的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法。本申請要求基于2010年8月18日提出申請的日本專利申請第2010-183211號的優(yōu)先權(quán)，在此援引其內(nèi)容。
背景技術(shù)：
例如，在搭載于信息設(shè)備等的硬盤驅(qū)動器等中，使用具有中心孔的圓盤狀的磁記錄介質(zhì)用基板。這樣的磁記錄介質(zhì)用基板，通過使用由鋁合金和/或玻璃等形成的基板，經(jīng)由切削工序或磨削工序、研磨工序、濺射工序(sputtering process)、鍍敷工序等的各種處理工序來制造，另外，在進行了這些處理工序之后，進行清洗基板表面并使其干燥的工序。然而，近年，出于對記錄介質(zhì)的大容量化和信息設(shè)備等的小型化的要求，磁記錄介質(zhì)的記錄密度變得越來越高。另外，對于這樣的磁記錄介質(zhì)用基板和/或使用其的磁記錄介質(zhì)來說，要求能夠應(yīng)對在其記錄面上懸浮運行的磁頭的低懸浮化的高平坦度。因此，對于磁記錄介質(zhì)用基板和磁記錄介質(zhì)而言，要求下述高級別的清洗方法和干燥方法，所述高級別的清洗方法，在施加了研磨加工、濺射成膜等的各種各樣的表面處理之后，能夠?qū)⒏街诨灞砻娴膲m埃等去除，所述干燥方法用于清潔地干燥已清洗的基板。以往，作為基板的清洗和干燥方法，在大直徑的基板的情況下，將許多塊基板收置在被稱為載體的容器中，一邊在清洗液中運送，一邊通過多個清洗刷進行刷洗(scrub)清洗之后，使基板旋轉(zhuǎn)以使其進行旋轉(zhuǎn)式干燥。另外，提出了如下清洗裝置以磁盤基板等作為工件，在其表面進行研磨加工等的表面處理之后，為了去除附著在工件的表面的異物等，使用多個清洗槽，一邊通過運送設(shè)備 (conveyor)運送工件一邊使用液體進行清洗(參照專利文獻1。)。另外，提出如下晶片(wafer)干燥裝置以半導(dǎo)體基板作為晶片，將收置有多塊晶片的盒子收置于吊架(cradle)，為了防止水滴和/或塵埃滯留在晶片上，一邊用具有V字槽的部件保持晶片使其平行地分開，一邊使吊架旋轉(zhuǎn)(參照專利文獻2。)。另外，提出了如下技術(shù)方案在將附著在中央具有開口部的圓盤狀磁盤(盤、 disk)的清洗液通過使該磁盤旋轉(zhuǎn)來去除的旋轉(zhuǎn)式干燥裝置中，將夾卡外周部的卡盤部件和被夾卡的磁盤接觸的接觸部的一部分設(shè)為卡盤部件和磁盤不接觸的非接觸部，有效地去除滯留在卡盤部件的清洗液(參照專利文獻3。)。另外，提出了如下技術(shù)方案在將附著在中央具有開口部的圓盤狀磁盤(盤、 disk)的清洗液通過使該磁盤旋轉(zhuǎn)來去除的旋轉(zhuǎn)式干燥裝置中，通過夾卡內(nèi)周部的卡盤部件以磁盤立起的狀態(tài)卡夾磁盤，設(shè)置朝向卡盤部件和磁盤的抵接部的旋轉(zhuǎn)方向上的后方側(cè)供給空氣的供給部，有效地去除滯留在卡盤部件的清洗液(參照專利文獻4。)。
另外，作為晶片狀的基板的干燥方法，已知有吊起干燥法(參照專利文獻5。)。所謂吊起干燥法是如下的方法將清洗后的晶片保持在夾卡裝置并浸漬在純水中，其后，一邊使夾卡裝置上升使晶片的上方部從純水中懸浮，一邊去除懸浮的部分的純水，其后，將晶片整個表面從純水中吊起從而使晶片干燥的方法。專利文獻1 日本特開2001-96245號公報專利文獻2 日本特開平8-45894號公報專利文獻3 日本特開2003-257017號公報專利文獻4 日本專利第2782838號公報專利文獻5 日本特開平10-189529號公報

發(fā)明內(nèi)容
上述的吊起干燥法，裝置的構(gòu)造簡單，能夠同時處理許多的基板，因此，作為晶片狀的基板的干燥方法被廣為使用。但是，吊起干燥法，在磁記錄介質(zhì)用基板和/或磁記錄介質(zhì)的干燥中用得并不多。即，在使用該吊起干燥法的情況下，例如像圖3A 3C示意地所示那樣，在基板D從純水W離開的瞬間由于表面張力而隆起的純水W飛濺，該飛濺起的液滴P 再度附著在基板D。另外，污垢凝聚于再度附著在基板D的液滴P的情況多，該污垢在基板 D上形成干燥污點。而且，形成該干燥污點的部位為磁記錄介質(zhì)的記錄面，因此，這成為磁記錄介質(zhì)的不良扇區(qū)(sector)。本發(fā)明是鑒于這樣的以往的情況而提出的，其目的是提供在一邊將具有中心孔的圓盤狀的基板浸漬在清洗槽內(nèi)的清洗液中一邊進行基板的清洗之后，在將該基板吊起并干燥時防止產(chǎn)生干燥污點的吊起干燥裝置以及使用其的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法。為了解決上述問題，本發(fā)明提供以下的方案。(1) 一種吊起干燥裝置，為在一邊將具有中心孔的圓盤狀的基板浸漬在清洗槽內(nèi)的清洗液中一邊進行基板的清洗之后、將該基板吊起并干燥的吊起干燥裝置，其特征在于， 具備懸吊機構(gòu)，其插通于上述基板的中心孔，以懸吊狀態(tài)支撐多個基板；升降機構(gòu)，其在將基板浸漬于上述清洗槽內(nèi)的清洗液的位置和在上述清洗槽上取出基板的位置之間升降操作上述懸吊機構(gòu)；和噴出機構(gòu)，其配置在上述清洗槽內(nèi)，從上述懸吊機構(gòu)的下方向基板噴出上述清洗液。(2)根據(jù)上述(1)所述的吊起干燥裝置，其特征在于，具備對從上述清洗液的液面吊起了的基板從上方噴射干燥氣氛氣體的噴射機構(gòu)。(3)根據(jù)上述(1)或( 所述的吊起干燥裝置，其特征在于，上述基板的吊起速度為 0. 01 30mm/ 秒。(4)根據(jù)上述(1) (3)中任一項所述的吊起干燥裝置，其特征在于，從上述噴出機構(gòu)噴出的清洗液的流速為0. 1 IOOcm/秒。(5)根據(jù)上述( 中任一項所述的吊起干燥裝置，其特征在于，從上述噴射機構(gòu)噴出的干燥氣氛氣體的流速為0. 1 50cm/秒。
(6)根據(jù)上述⑴ (5)中任一項所述的吊起干燥裝置，其特征在于，上述清洗液含有含S/K (hydrogen water)。(7)根據(jù)上述(1) (6)中任一項所述的吊起干燥裝置，其特征在于，上述基板為磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)。(8) 一種磁記錄介質(zhì)用基板的制造方法，包括使用(1) (6)中任一項所述的吊起干燥裝置清洗磁記錄介質(zhì)用基板的工序。(9) 一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括使用(1) (6)中任一項所述的吊起干燥裝置清洗磁記錄介質(zhì)的工序。


圖1是表示應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置的一例子的俯視圖。圖2是表示圖1所示的吊起干燥裝置的構(gòu)成的剖視圖。圖3A是說明在從清洗液的液面吊起了的基板的表面附著清洗液的液滴的情況的示意圖。圖;3B是說明在從清洗液的液面吊起了的基板的表面附著清洗液的液滴的情況的示意圖。圖3C是說明在從清洗液的液面吊起了的基板的表面附著清洗液的液滴的情況的示意圖。附圖標(biāo)記說明1 基板；la 中心孔；2 清洗槽；2a:底壁Jb、2C、2d、2e 側(cè)壁；2f 上面的開口部；11 懸吊機構(gòu)；12 升降機構(gòu)；13 噴出機構(gòu)；14 被懸吊著的許多塊基板；15 箱 (tank) ；16 排出口 ；17 支撐桿；18 噴出管；18a 孔部；A 清洗液的流動；B 干燥氣氛氣體的流動；D 基板；G 干燥氣氛氣體；L 清洗液；P 再度附著在基板上的液滴；S 浸漬空間；W 純水。
具體實施例方式以下，參照附圖，對應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置、使用其的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法進行詳細(xì)說明。本發(fā)明所涉及的吊起干燥裝置，能夠防止清洗液的液滴附著在從清洗液的液面吊起了的基板的表面，另外，具有簡便的構(gòu)成，并且能夠?qū)Χ鄠€基板進行防止了干燥污點的發(fā)生的吊起干燥。因此，本發(fā)明所涉及的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法中，通過使用上述吊起干燥裝置，在去除了附著在磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的表面的塵埃等之后進行吊起并干燥，可以高成品率地制造具有沒有干燥污點的清潔的表面的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)。應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置，例如像圖1和圖2所示，為在一邊將具有中心孔Ia 的圓盤狀的基板1浸漬在清洗槽2內(nèi)的清洗液L中一邊進行基板1的清洗之后吊起并干燥該基板1的裝置，適于在對作為磁記錄介質(zhì)用基板的基板1或使用其的磁記錄介質(zhì)進行吊起并干燥時使用。
具體來說，該吊起干燥裝置，如圖1和圖2所示，具備懸吊機構(gòu)11、升降機構(gòu)12、噴出機構(gòu)13和噴射機構(gòu)，該懸吊機構(gòu)11插通于基板1的中心孔Ia以懸吊狀態(tài)支持多個基板 1，該升降機構(gòu)12在將基板1浸漬在清洗槽2內(nèi)的清洗液L的位置和將基板1取出到清洗槽2上的位置之間對升懸吊機構(gòu)11進行降操作，該噴出機構(gòu)13配置在清洗槽2內(nèi)并從懸吊機構(gòu)11的下方向基板1噴出清洗液L，該噴射機構(gòu)對從清洗液L的液面吊起了的基板噴射干燥氣氛氣體G(未圖示。)。另外，可以任意設(shè)定將基板1浸漬在清洗槽2內(nèi)的清洗液L的位置和將基板1取出到清洗槽2上的位置。例如，所述浸漬的位置為基板1完全浸在清洗液L中的位置，所述取出位置為基板1從清洗液L完全分離的位置。另外，升降方法可以根據(jù)需要進行選擇，但優(yōu)選是相對于液面垂直地上升下降的構(gòu)成。清洗槽2，具有形成為長方形的底壁2a、從底壁加的四周立起的4個側(cè)壁2b、2c、 2d、2e、和與底壁加相對向的上面的開口部2f，整體形成為大致長方體狀，并且在其內(nèi)側(cè)形成有浸漬上述基板1的大致長方體狀的浸漬空間S。另外，清洗槽2內(nèi)的清洗液L，從清洗槽2的上部溢出，并且由沿短邊方向的兩側(cè)面 2c,2e設(shè)置的箱15回收，從設(shè)置在該箱15的底面的排出口 16排出。另外，在該吊起干燥裝置1中，雖然圖示省略，但設(shè)置有吸引從排出口 16排出的清洗液L而將其向噴出機構(gòu)13壓送的泵和凈化通過該泵壓送的清洗液L的過濾器，作為用于循環(huán)得再次使用清洗槽2內(nèi)的清洗液的機構(gòu)。懸吊機構(gòu)11，具有插通于基板1的中心孔Ia的長形狀的支撐桿17，該支撐桿17 沿水平方向延長設(shè)置，配置成與清洗槽2的長度方向平行。因此，浸漬，以基板1的表面相對于清洗液L的表面大致垂直的方式進行。另外，在支撐桿17的外周面，在整個周向的范圍內(nèi)設(shè)置有基板1的內(nèi)周部所接合的槽部。另外，在支撐桿17的長度方向上以一定的間隔排列設(shè)置有多個槽部。由此，能夠以與長度方向平行地排列的狀態(tài)支撐多個基板1。另外， 通過使基板1的中心孔的內(nèi)周部與這樣的槽部抵接，可以穩(wěn)定地保持基板1。升降機構(gòu)12，只要是可以將基板1浸漬在放入有清洗液的浸漬槽2且從該浸漬槽 2中吊起基板1的機構(gòu)，沒有特別限定。例如，可以采用下述機構(gòu)等，所述機構(gòu)雖然省略圖示，但具有懸臂支撐上述支撐桿17的基端側(cè)的支撐柱、安裝在該支撐柱的螺母部、與該螺母部嚙合的絲杠、和旋轉(zhuǎn)驅(qū)動該絲杠的驅(qū)動馬達(dá)，通過驅(qū)動馬達(dá)一邊旋轉(zhuǎn)驅(qū)動絲杠一邊使支撐柱與跟該絲杠嚙合的螺母部一起在上下方向進行移動操作，相對于浸漬槽2升降操作上述支撐桿17。噴出機構(gòu)13，具有并列設(shè)置有噴出清洗液L的多個孔部18a的長條狀的噴出管 18，該噴出管18，沿清洗槽2的底壁加配置，并且在支撐桿17的下方(正下方)，配置成與該支撐桿17平行(與清洗槽2的長邊方向平行)。在此，在作為上述基板1對磁記錄介質(zhì)進行清洗的情況下，優(yōu)選，使用含有含氫水的清洗液L。含有含氫水的清洗液L的使用，其目的是去除在磁記錄介質(zhì)的表面僅稍有殘留的在輥光(burnish)處理、擦拭、旋轉(zhuǎn)式清洗等的其他清洗處理中不能去除的級別的量的污染物質(zhì)、特別是以金屬腐蝕物為代表的離子性的雜質(zhì)等。通過使用含氫水，降低含有狗和 /或Co等的磁性層的腐蝕，另外，可以通過高的清洗力去除這些污染物質(zhì)。
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所謂含氫水，在超純水或純水中溶解有高純度的氫氣的物質(zhì)，減小水的分子簇 (water cluster)以提高清洗能力。如上述那樣，在磁記錄介質(zhì)中含有!^e和/或Co等的容易腐蝕的元素，因此，到目前為止磁記錄介質(zhì)的清洗限于通過使用氟化合物等的非水系清洗液進行的清洗。在本發(fā)明中，由于使用含有含氫水的清洗液L，因此由該清洗液所L導(dǎo)致的磁記錄介質(zhì)的腐蝕難以發(fā)生，可以通過高的清洗力去除附著在磁記錄介質(zhì)的表面的污染物質(zhì)。特別是，在本發(fā)明中，通過將含氫水中的溶存氫濃度設(shè)為0. Ippm 5ppm的范圍，而且將含氫水的氧化還原電位設(shè)為_200mV -SOOmV的范圍，從而可以提高其效果。 另外，含氫水中的溶存氫濃度更加優(yōu)選是Ippm 3ppm。含氫水的氧化還原電位更加優(yōu)選是-300mV -500mV。噴射機構(gòu)，只要是對從清洗液L的液面吊起了的基板1噴射干燥氣氛氣體G的機構(gòu)，沒有特別限定。例如，可以采用下述機構(gòu)等，所述機構(gòu)具備具有與上述支撐桿17對應(yīng)的長度并且設(shè)置有格柵的整流部件(block)，從該整流部件經(jīng)由過濾器以層流的狀態(tài)從清洗槽2的上方向清洗液L的液面噴射露點為-80°C以下的干燥空氣。作為干燥氣氛氣體G，可以使用干燥空氣。另外，在吊起干燥磁記錄介質(zhì)的情況下， 優(yōu)選，使用作為惰性氣體而含有氮氣的干燥氣氛氣體G。在具有以上那樣的結(jié)構(gòu)的吊起干燥裝置中，在一邊將保持在懸吊機構(gòu)11的多個基板1浸漬在清洗槽2內(nèi)的清洗液L 一邊進行這些基板1的清洗之后，吊起干燥基板1。具體來說，在將已浸漬在浸漬槽2內(nèi)的清洗液L的多個基板1從浸漬槽2吊起時， 優(yōu)選，使支撐桿17以恒定的速度向上方移動，使得清洗液L的液面不產(chǎn)生搖晃。另外，基板 1的吊起速度優(yōu)選設(shè)為0. 01 30mm/秒的范圍。在應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置中，通過從在支撐桿17的下方(正下方)被配置成與該支撐桿17平行的噴出管18的各孔管18a噴出清洗液L，產(chǎn)生如圖2中的箭頭A所示的清洗液L的流動。S卩，從噴出管18的各孔部18a噴出的清洗液L向各基板1從下方向上方流動，在液面附近產(chǎn)生向清洗槽2的兩側(cè)面2cJe分流的清洗液L的流動。由此，抑制在基板1從清洗液L的液面離開的瞬間清洗液L的液面因表面張力而隆起這樣的現(xiàn)象。這是因為清洗液L的分流的流動使通常由于表面張力而隆起的液面向橫向分散而緩和。因此，在本發(fā)明中，可以防止隆起了的清洗液L飛濺而該飛濺的液滴再度附著于基板1的表面這樣的情況。另外，為了得到這樣的效果，從噴出管18的各孔部18噴出的清洗液L的流速優(yōu)選設(shè)為0. 1 IOOcm/秒的范圍。流速更加優(yōu)選為1 IOcm/秒。此外，在應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置中，上述噴射機構(gòu)對從清洗液L的液面吊起了的各基板1噴射干燥氣氛氣體G。通過這樣，產(chǎn)生例如像圖2中箭頭B所示的干燥氣氛氣體G的流動，即，從噴射機構(gòu)噴出的干燥氣氛氣體G向清洗液L的液面從上方向下方流動、在液面上產(chǎn)生向清洗槽2的兩側(cè)面2cJe分流的干燥氣氛氣體G的流動。從干燥裝置的截面觀察，通過噴射機構(gòu)進行的噴射的徑直向下的流動和清洗液的噴出的徑直向上流動，優(yōu)選，相互并行或者是處于一條直線上，但只要能得到本發(fā)明的效果，不限于此。由此，干燥氣氛氣體G的流動向下按壓通常在基板1離開的瞬間由表面張力而隆起的液面而使其緩和。另外，即使在假定在基板1從清洗液L的液面離開的瞬間產(chǎn)生了液滴的情況下，也在附著之前壓下該液滴，能夠防止清洗液L的液滴附著在各基板1的表面。另外，為了得到這樣的效果，從噴射機構(gòu)噴出的干燥氣氛氣體G的流速優(yōu)選設(shè)為0. 1 50cm/秒的范圍。流速更加優(yōu)選為1 20cm/秒。如以上那樣做應(yīng)用了本發(fā)明的吊起干燥裝置中，能夠防止清洗液L的液滴再度附著在從清洗液L的液面吊起的各基板1的表面，另外，具有簡單的構(gòu)成，并且可以對多個基板1進行防止了干燥污點的發(fā)生的吊起干燥。磁記錄介質(zhì)用基板的制造方法應(yīng)用了本發(fā)明而制造的磁記錄介質(zhì)用基板，為具有中心孔的圓盤狀的基板，磁記錄介質(zhì)由在該基板的面上依次層疊有磁性層、保護層和潤滑膜等的部件構(gòu)成。另外，就磁記錄再生裝置(HDD)而言，將該磁記錄介質(zhì)的中心部安裝在主軸馬達(dá)的旋轉(zhuǎn)軸，磁頭一邊在通過主軸馬達(dá)旋轉(zhuǎn)驅(qū)動的磁記錄介質(zhì)的面上懸浮運行，一邊對磁記錄介質(zhì)進行信息的寫入或讀取。作為磁記錄介質(zhì)用基板，可以舉出鋁合金基板或玻璃基板等。其中，玻璃基板，就其硬度、表面平滑性、剛性、耐沖擊性而言，一般比鋁合金基板優(yōu)異。就磁記錄介質(zhì)用玻璃基板而言，例如，可以使用SiO2-Al2O3-Ii2O (R表示從堿金屬元素中選出的至少1種以上。)系化學(xué)強化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O系玻璃陶瓷、 SiO2-Al2O3-MgO-TiO2 系玻璃陶瓷等。其中，特別，可以適用 SiO2-Al2O3-MgO-CaO-Li2O-Na2O-ZrO2-Y2O3-TiO2-As2O3 系化學(xué)強化玻璃、SiO2-Al2O3-Li2O-Na2O-ZrO2-As2O3 系化學(xué)強化玻璃、S IO2-Al2O3-MgO-ZnO-Li2O-P2O5-ZrO2-K2O-Sb2O3 系玻璃陶瓷、SiO2-Al2O3-MgO-CaO-BaO-TiO2-P 205-As203 系玻璃陶瓷、SiO2-A1203-Mg0-Ca0-SrO-BaO-TiO2-ZrO2-BI2O3-Sb2O3 系玻璃陶瓷等。 此外，例如，含有二硅酸鋰、SiO2系結(jié)晶(石英、方石英、鱗石英等)、堇青石、頑(火)輝石、 鈦酸鋁鎂、尖晶石系結(jié)晶([Mg和/或Zn]Al2O4> [Mg和/或ZnJ2TiO4,以及這些2結(jié)晶間的固溶體)、鎂橄欖石、鋰輝石以及這些結(jié)晶的固溶體等作為結(jié)晶相的玻璃陶瓷適于作為磁記錄介質(zhì)用玻璃基板。而且，在制造該磁記錄介質(zhì)用玻璃基板時，首先，通過從大的板狀的玻璃板切出玻璃基板或使用成形模從熔融玻璃直接擠壓成形玻璃基板，得到具有中心孔的圓盤狀的玻璃基板。接著，對得到的玻璃基板施加拋光(lap)(磨削)加工和磨光(polish)(研磨)加工。而且，施加了拋光加工、磨削加工和磨光加工的玻璃基板被送到最終清洗工序和檢查工序。而且，在最終清洗工序，使用上述本發(fā)明的清洗裝置(吊起干燥裝置)，清洗玻璃基板，進行在上述工序中使用了的研磨劑等的去除。另外，在檢查工序中，通過例如使用激光的光學(xué)式檢查器，進行玻璃基板的表面(主面、端面和倒角面)的傷痕和/或變形的有無等的檢查。磁記錄介質(zhì)的制造方法另外，本發(fā)明，可以對在該磁記錄介質(zhì)用基板的面上依次層疊有磁性層、保護層等的磁記錄介質(zhì)，實施使用上述本發(fā)明的清洗裝置(吊起干燥裝置)的清洗工序。作為應(yīng)用了本發(fā)明而制造的磁記錄介質(zhì)，就形成在磁記錄介質(zhì)用基板的表面的磁性層而言，既可以是面內(nèi)磁性層也可以是垂直磁性層。這些磁性層優(yōu)選是由主要以Co為主成分的合金形成。另外，磁性層通常通過濺鍍法形成為薄膜。作為面內(nèi)磁記錄介質(zhì)用的磁性層，例如，可以使用包括非磁性的CrMo基體層和強磁性的CoCrPtTa磁性層的層疊結(jié)構(gòu)。另一方面，作為垂直磁記錄介質(zhì)用的磁性層，例如，可以使用層疊有由軟磁性的 I^eCo 合金 O^eCoB、FeCoSiB, FeCoZr, FeCoZrB, FeCoZrBCu 等)、 FeTa 合金(FeTaN、FeTaC 等)、Co 合金(CoTaZr、CoZrNB、CoB 等)等形成的襯里層(lining layer)、Ni合金等的取向控制膜、根據(jù)需要的Ru等的中間膜、和由60Co-15Cr_15Pt合金或 70Co-5Cr-15Pt-10Si02合金形成的磁性層的垂直磁記錄介質(zhì)用的磁性層。就形成在磁性層上的保護層而言，一般來說，使用通過P-CVD等形成Diamond Like Carb0n(類金剛石鍍膜)的薄膜的方法，但并非特別限定于此。本發(fā)明中，使用上述本發(fā)明的清洗裝置(吊起干燥裝置)，去除附著在上述的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的表面的塵埃等之后，進行吊起并干燥，由此，可以高成品率地制造具有無干燥污點的清潔的表面的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)。實施例以下，通過實施例使本發(fā)明的效果更加明確。另外，本發(fā)明不限于以下的實施例， 可以在不變更其要旨的范圍內(nèi)進行適當(dāng)變更來實施。實施例1-1作為本發(fā)明的清洗裝置，使用具有與上述圖1、2所示的清洗槽2相同的結(jié)構(gòu)的長度35cm、寬度25cm、高度25cm的不銹鋼制的清洗槽。在該清洗槽的底部配置直徑15mm、長度30cm的噴出管，該噴出管設(shè)置有向上方噴出清洗液的20處直徑3mm的噴嘴孔，一邊從該噴出管的各噴嘴孔以3cm/秒的流速噴出清洗液，一邊產(chǎn)生上述圖2中箭頭A所示那樣的清洗液L的流動。就清洗液而言，使用溶存氫濃度1. 5ppm、氧化還原電位-550mV的含氫水。而且，使用該清洗裝置進行了基板的清洗。就基板而言，使用外徑65mm、厚度 1. 27mm、中心孔的口徑20mm的實施了鎳磷鍍敷的鋁合金基板，在將25塊該基板懸吊在支撐桿的狀態(tài)下將該基板浸漬到清洗槽內(nèi)的清洗液中之后，一邊對清洗液施加500W的超聲波振動，一邊進行30秒鐘的基板的清洗。其后，停止超聲波振動，一邊以3mm/秒的速度吊起支撐桿，一邊進行基板的吊起及干燥。在對基板進行吊起及干燥時，一邊吊起支撐桿，一邊從整流部件經(jīng)由過濾器以層流的狀態(tài)從清洗槽的上方向清洗液的液面以8cm/秒的流速噴射露點為-80°C左右的干燥空氣，該整流部件被設(shè)置成5mm格柵為必要面積量即、在懸吊 25塊基板的方向為寬度20mm、長度30cm。然后，通過微分干涉光學(xué)顯微鏡(600倍)觀察干燥后的各基板的表面，其結(jié)果，任何基板其表面都沒有觀察到干燥斑或水污垢等的附著物。比較例1-1在比較例中，與實施例同樣地進行基板的清洗，但沒有如實施例那樣控制清洗槽內(nèi)的清洗液的流動，僅是從設(shè)置在底部的3處供給口供給與實施例相同量的清洗液。具體來說，在圖1、2所示的附圖標(biāo)記18的噴出管，在底部的中央和自該底部的中央等間隔且對稱的兩側(cè)IOcm的位置設(shè)置附圖標(biāo)記18a的孔，供給口的直徑設(shè)為15mm。在比較例的清洗槽中，供給口大且其數(shù)量也少，因此，在清洗槽內(nèi)產(chǎn)生朝向基板以外的方向的清洗液的流動， 在清洗槽內(nèi)的清洗液中產(chǎn)生了不定的對流。另外，也不產(chǎn)生在清洗液的液面附近的干燥空氣的對流。即，將位于浸漬空間上部的清洗裝置的整個空間設(shè)置在干燥空氣的氣氛下，不進行如實施例那樣的特別的吊起及干燥，僅是通過吊起使其干燥。然后，通過微分干涉光學(xué)顯微鏡(600倍)觀察干燥后的各基板的表面，其結(jié)果，在5塊基板的外周端部觀察到直徑0. 2mm左右的干燥污垢。實施例2-1在實施例2-1中，準(zhǔn)備1000塊使用上述實施例1-1的清洗方法清洗后的磁記錄介質(zhì)用基板(以下稱為清洗完畢基板。)，使用該清洗完畢基板進行磁記錄介質(zhì)的制造。具體來說，首先，將清洗完畢基板收置在DC磁控濺射裝置(7彳、AK社制C-3040) 的成膜室內(nèi)，對成膜室內(nèi)進行減壓排氣，直到變?yōu)闃O限真空度1X10_5!^。其后，在該基板上使用60Cr-40Ti的對象(target、對象材料)形成層厚IOnm的緊密附著層。另外，在該緊密附著層上，使用46i^-46Co-Mr-;3B{Fe含有量46原子％、Co含有量46原子％、&含有量5 原子％、B含有量3原子％ }的對象，以00°C以下的基板溫度，形成層厚34nm的軟磁性層。 在其上形成層厚0. 76nm的Ru層之后，再使用46i^-46Co-4Zr-;3B的對象，形成層厚34nm的軟磁性層，將其設(shè)為軟磁性基體層。接著，在該軟磁性基體層上使用Ni-IOW {W含有量6原子％、余部為Ni}的對象和 Ru對象分別依次形成層厚5nm的NiW層和層厚20nm的Ru層，將其設(shè)為取向控制層。接著，在該取向控制層上，依次層疊92 (70Col5Crl5Pt) _8Si02 (平均膜厚3nm)、 93(75Col0Crl5Pt)-5Si02-2Ti02 (平均膜厚 3nm)、Ru (平均膜厚0. 3nm)、65Col5Crl5Pt5B (平均膜厚3nm)的各層，作為多層結(jié)構(gòu)的磁性層。接著，在該磁性層上通過CVD法形成層厚2. 5nm的碳保護層。實施例2-2在實施例2-2中，對在實施例2-1中制造出的1000塊磁記錄介質(zhì)中的500塊，使用與上述實施例1-1同樣的方法進行了清洗。另外，各磁記錄介質(zhì)的清洗時間設(shè)為15秒鐘。實施例2-3在實施例2-3中，對在實施例2-1中制造出的1000塊磁記錄介質(zhì)中的未進行上述實施例2-1的清洗的余下的500塊，使用與上述比較例1-1同樣的方法進行了清洗。另外， 各磁記錄介質(zhì)的清洗時間設(shè)為15秒鐘。實施例2-4在實施例2-4中，準(zhǔn)備500塊使用上述比較例1_1的清洗方法清洗了的清洗完畢基板，使用該清洗完畢基板，以與上述實施例2-1同樣的方法進行磁記錄介質(zhì)的制造。然后，對制造出的磁記錄介質(zhì)，使用與實施例1-1同樣的方法進行清洗。另外，各磁記錄介質(zhì)的清洗時間設(shè)為15秒鐘。比較例2-1準(zhǔn)備500塊使用上述比較例1-1的清洗方法清洗了的清洗完畢基板，使用該清洗完畢基板，以與上述實施例2-1同樣的方法進行磁記錄介質(zhì)的制造。然后，對制造出的磁記錄介質(zhì)，使用與比較例1-1相同的方法進行清洗。另外，各磁記錄介質(zhì)的清洗時間設(shè)為15 秒鐘。磁記錄介質(zhì)的制造和評價然后，對這些實施例2-2、2-3、2-4和比較例2_1的各磁記錄介質(zhì)，通過浸漬法在保護層的表面以15埃的厚度形成由全氟聚醚形成的潤滑劑膜。接著，對形成有潤滑劑膜的磁記錄介質(zhì)，施加擦拭處理。此時，作為擦拭帶，使用由通過尼龍樹脂和聚酯樹脂形成的線徑2 μ m的剝離型復(fù)合纖維形成的擦拭帶。另外，擦拭處理，將磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)速設(shè)為300rpm、擦拭帶的移動速度設(shè)為IOmm/秒、將擦拭帶按壓于磁記錄介質(zhì)時的擠壓力設(shè)為98mN、處理時間設(shè)為5秒鐘來進行。接著，對施加了擦拭處理的磁記錄介質(zhì)，施加輥光處理。此時，作為輥光帶，使用在聚對苯二甲酸乙二醇酯制的膜上用環(huán)氧樹脂固定附著有平均粒徑0. 5 μ m的結(jié)晶成長型的鋁粒子的輥光帶。另外，輥光處理，將磁記錄介質(zhì)的轉(zhuǎn)速設(shè)為300rpm、研磨帶的移動速度設(shè)為IOmm/秒、將研磨帶按壓于磁記錄介質(zhì)時的擠壓力設(shè)為98mN、處理時間設(shè)為5秒鐘來進行。接著，對各磁記錄介質(zhì)進行滑動(glide)檢查，在滑動檢查中，將在檢查頭和磁記錄介質(zhì)的表面之間的機械間距設(shè)為0. 25微英寸，在從檢查頭輸出由與磁記錄介質(zhì)表面的突起物的沖撞所引起的信號的情況下，將該磁記錄介質(zhì)判斷為不合格品，將其以外的判斷為合格品。接著，對在滑動檢查中合格了的磁記錄介質(zhì)，進行認(rèn)證(certify)檢查。在該認(rèn)證檢測中，使用TuMR頭作為磁頭。而且，一邊以6000rpm的轉(zhuǎn)速使被檢查介質(zhì)旋轉(zhuǎn)，一邊使用該磁頭在被檢查介質(zhì)從數(shù)據(jù)區(qū)的最外周到最內(nèi)周，以6 μ m的磁道間距寫入320kFCI的高頻信號，其后，分析來自被檢查介質(zhì)的輸出信號。輸出信號的分析，通過對檢測出的周向?qū)挾缺?5μπι長的遺漏(missing)處(不輸出寫入的信號的地方)、15 μ m 0. 8 μ m的遺漏處、小于0. 8 μ m的遺漏處的個數(shù)進行調(diào)查來進行。在表1中示出匯總了該評價結(jié)果的內(nèi)容。表 權(quán)利要求
1.一種吊起干燥裝置，為在一邊將具有中心孔的圓盤狀的基板浸漬在清洗槽內(nèi)的清洗液中一邊進行基板的清洗之后吊起并干燥該基板的吊起干燥裝置，其特征在于，具備懸吊機構(gòu)，其插通于所述基板的中心孔，以懸吊狀態(tài)支撐多個基板；升降機構(gòu)，其在將基板浸漬于所述清洗槽內(nèi)的清洗液的位置和將基板取出到所述清洗槽上的位置之間對所述懸吊機構(gòu)進行升降操作；和噴出機構(gòu)，其配置在所述清洗槽內(nèi)，從所述懸吊機構(gòu)的下方向基板噴出所述清洗液。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置，其特征在于，具備對從所述清洗液的液面吊起了的基板從上方噴射干燥氣氛氣體的噴射機構(gòu)。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置，其特征在于，所述基板的吊起速度為0.01 30mm/ 秒。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置，其特征在于，從所述噴出機構(gòu)噴出的清洗液的流速為0. 1 IOOcm/秒。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的吊起干燥裝置，其特征在于，從所述噴射機構(gòu)噴出的干燥氣氛氣體的流速為0. 1 50cm/秒。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置，其特征在于，所述清洗液含有含氫水。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置，其特征在于，所述基板為磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)。
8.—種磁記錄介質(zhì)用基板的制造方法，包括使用權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置清洗磁記錄介質(zhì)用基板的工序。
9.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，包括使用權(quán)利要求1所述的吊起干燥裝置清洗磁記錄介質(zhì)的工序。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種吊起干燥裝置、使用其的磁記錄介質(zhì)用基板或磁記錄介質(zhì)的制造方法。該吊起干燥裝置，在一邊將具有中心孔(1a)的圓盤狀的基板(1)浸漬在清洗槽(2)內(nèi)的清洗液(L)中一邊進行基板(1)的清洗之后吊起并干燥該基板(1)，其具備插通于基板(1)的中心孔(1a)以懸吊狀態(tài)支撐多個基板(1)的懸吊機構(gòu)；升降機構(gòu)，其在將基板(1)浸漬在清洗槽(2)內(nèi)的清洗液(L)的位置和將基板(1)取出到清洗槽(2)上的位置之間升降操作懸吊機構(gòu)；和噴出機構(gòu)，其配置在清洗槽(2)內(nèi)從懸吊機構(gòu)的下方向基板(1)噴出清洗液(L)，該噴射機構(gòu)對從清洗液(L)的液面吊起了的基板(1)噴射干燥氣氛氣體(G)。
文檔編號G11B5/667GK102376315SQ20111023551
公開日2012年3月14日 申請日期2011年8月16日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月18日
發(fā)明者坂口龍二, 大島德夫, 田中良 申請人:昭和電工株式會社