專(zhuān)利名稱(chēng)：多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種有關(guān)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器，特別是涉及一種使用新順序以二次寫(xiě)入多位元單元(multi-bit per cell)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的方法。
背景技術(shù)：
快閃存儲(chǔ)器為一種非揮發(fā)性存儲(chǔ)器元件，其可以電氣方式進(jìn)行抹除及寫(xiě)入。傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器可于每一記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存單一位元的資訊，因而每一記憶單元具有二種可能狀態(tài)。此種傳統(tǒng)快閃存儲(chǔ)器因此稱(chēng)為單位元單元(single-bit per cell)快閃存儲(chǔ)器?，F(xiàn)今快閃存儲(chǔ)器可于每一記憶單元內(nèi)儲(chǔ)存二或多位元的資訊，因而每一記憶單元具有二個(gè)以上的可能狀態(tài)。此種快閃存儲(chǔ)器因此稱(chēng)為多位元單元(multi-bit per cell)快閃存儲(chǔ)器。在多位元單元快閃存儲(chǔ)器中，借由儲(chǔ)存電荷在浮接?xùn)艠O(floating gate)中， 因而得以寫(xiě)入不同狀態(tài)數(shù)據(jù)至快閃記體中。由于浮接?xùn)艠O的電荷即決定相對(duì)應(yīng)的臨界 (threshold)電壓，因此數(shù)據(jù)可根據(jù)其相異的臨界電壓而自多位元單元快閃存儲(chǔ)器讀取出來(lái)。由于記憶單元間具有工藝、操作或其他方面的差異性，因此每一狀態(tài)的臨界電壓并非是固定值，而是由一電壓范圍來(lái)定義。然而，傳統(tǒng)多位元單元快閃存儲(chǔ)器，特別是三(或更多)位元單元快閃存儲(chǔ)器，極易受到浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及滯留(retention)效應(yīng)的影響。由于容易因狹窄的讀取邊限 (read margin)而造成讀取錯(cuò)誤，因此，亟需提出一些新穎的機(jī)制，以改善浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及滯留效應(yīng)。由此可見(jiàn)，上述現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器在方法與使用上，顯然仍存在有不便與缺陷，而亟待加以進(jìn)一步改進(jìn)。因此如何能創(chuàng)設(shè)一種新的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，實(shí)屬當(dāng)前重要研發(fā)課題之一，亦成為當(dāng)前業(yè)界極需改進(jìn)的目標(biāo)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于，克服現(xiàn)有的快閃存儲(chǔ)器存在的缺陷，而提供一種新的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其用以改善浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及滯留效應(yīng)。本發(fā)明的另一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其使用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入。再以控制器對(duì)該至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以相同寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。本發(fā)明的還一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其寫(xiě)入多個(gè)較低有效位元頁(yè)。再以連續(xù)方式，一頁(yè)接著一頁(yè)地寫(xiě)入多個(gè)連續(xù)的最高有效位元頁(yè)。本發(fā)明的再一目的在于，提供一種新的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，所要解決的技術(shù)問(wèn)題是使其使用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)一特定字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入。再以控制器對(duì)該特定字元線(xiàn)的前的至少一頁(yè)， 以相同寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題是采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位元單元(multi-bit per cell)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，包含使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器控制器，對(duì)至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入；及以該控制器對(duì)該至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以該寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其中所述的至少一頁(yè)為一高位元頁(yè)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其中所述的一次寫(xiě)入步驟包含一次寫(xiě)入較低有效(less-significant)位元頁(yè)；決定第一最高有效 (most-significant)位元預(yù)驗(yàn)證(pre-verify)電壓；及使用該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第一最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證(pass-verify)電壓，一次寫(xiě)入一最高有效位元頁(yè)；及上述二次寫(xiě)入步驟包含決定第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓；及使用該第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第二最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓，二次寫(xiě)入該最高有效位元頁(yè)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其中所述的第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓分別具有相同的讀取結(jié)果。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其中所述的第二最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓大于或等于該第一最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，包含寫(xiě)入多個(gè)較低有效位元頁(yè)； 及以連續(xù)方式，一頁(yè)接著一頁(yè)地寫(xiě)入多個(gè)連續(xù)的最高有效位元頁(yè)。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題還可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的寫(xiě)入該較低有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行低位元頁(yè)的寫(xiě)入；及在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行該低位元頁(yè)以外的較低有效位元頁(yè)的寫(xiě)入。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的寫(xiě)入連續(xù)最高有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行高位元頁(yè)的寫(xiě)入。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的寫(xiě)入該較低有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于多個(gè)低位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入；及在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于該低位元頁(yè)以外的較低有效位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的寫(xiě)入連續(xù)最高有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)多個(gè)高位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。前述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，于寫(xiě)入所有字元線(xiàn)較低有效位元頁(yè)之后，才對(duì)所有字元線(xiàn)的最高有效位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題另外還采用以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)。依據(jù)本發(fā)明提出的一種多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，包含使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器控制器，對(duì)一特定字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入；及以該控制器對(duì)該特定字元線(xiàn)之前的至少一頁(yè)，以該寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。本發(fā)明的目的及解決其技術(shù)問(wèn)題再可采用以下技術(shù)措施進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)
ο前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，其中所述的至少一頁(yè)為一高位元頁(yè)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于該一次寫(xiě)入步驟之后，其中所述的更包含檢視該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器是否存在有一不良的字元線(xiàn)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值；其中，如果經(jīng)檢視存在有該不良的字元線(xiàn)，該控制器則讀取并暫存位于該不良的字元線(xiàn)的頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，接著二次寫(xiě)入該不良的字元線(xiàn)的頁(yè)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于該一次寫(xiě)入步驟之后，其中所述的更包含檢視該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器是否存在有一不良的字元線(xiàn)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值；其中，如果經(jīng)檢視存在有該不良的字元線(xiàn)，該控制器則讀取并暫存該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的多個(gè)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)，接著二次寫(xiě)入該多個(gè)字元線(xiàn)的頁(yè)。前述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于二次寫(xiě)入該至少一頁(yè)之前，其中所述的更包含以該控制器讀取并暫存相應(yīng)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)。
本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比具有明顯的優(yōu)點(diǎn)和有益效果。由以上技術(shù)方案可知，本發(fā)明的主要技術(shù)內(nèi)容如下使用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入。再以控制器對(duì)該至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以相同寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。寫(xiě)入多個(gè)較低有效位元頁(yè)。再以連續(xù)方式，一頁(yè)接著一頁(yè)地寫(xiě)入多個(gè)連續(xù)的最高有效位元頁(yè)。使用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)一特定字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入。再以控制器對(duì)該特定字元線(xiàn)之前的至少一頁(yè)，以相同寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。借由上述技術(shù)方案，本發(fā)明多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法，至少具有下列優(yōu)點(diǎn)及有益效果相較于使用傳統(tǒng)寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入，上述實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入較能避免滯留效應(yīng)；使用新順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入的效能大于使用傳統(tǒng)順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入的效能。上述說(shuō)明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，
6而可依照說(shuō)明書(shū)的內(nèi)容予以實(shí)施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖IA顯示本發(fā)明實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器系統(tǒng)的簡(jiǎn)化方框圖。圖IB顯示以控制器寫(xiě)入快閃存儲(chǔ)器的一般流程圖。圖2A至圖2D例示三位元單元快閃存儲(chǔ)器相關(guān)于通過(guò)驗(yàn)證(PV)電壓的臨界電壓分布。圖3A至圖3D例示三位元單元快閃存儲(chǔ)器相關(guān)于預(yù)驗(yàn)證(PreV)電壓的臨界電壓分布。圖4A至圖4D例示本發(fā)明實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的臨界電壓分布。圖5A顯示三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的傳統(tǒng)頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序。圖5B顯示本發(fā)明實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序。圖5C顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的另一種頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序，如箭號(hào)所示。圖5D顯示本發(fā)明又一實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的又一種頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序，如箭號(hào)所示。圖6A至圖6F顯示一些傳統(tǒng)寫(xiě)入/讀取順序及新寫(xiě)入/讀取順序之間的比較例子， 以顯現(xiàn)其對(duì)于浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)的改善效果。圖7顯示三位元單元晶片的讀/寫(xiě)測(cè)試的流程圖。圖8A至圖8E顯示本發(fā)明實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖。圖9A顯示使用傳統(tǒng)順序的寫(xiě)入例子。圖9B顯示使用新順序的寫(xiě)入例子。10 快閃存儲(chǔ)器 12 控制器 100-107 步驟71-73 步驟801-807 步驟 810-820 步驟 821-830 步驟
具體實(shí)施例方式為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合附圖及較佳實(shí)施例，對(duì)依據(jù)本發(fā)明提出的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法其具體實(shí)施方式
、方法、步驟、特征及其功效，詳細(xì)說(shuō)明如后。圖IA顯示本發(fā)明實(shí)施例的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器系統(tǒng)(例如快閃存儲(chǔ)器系統(tǒng))的簡(jiǎn)化方框圖。除了快閃存儲(chǔ)器，其他的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器可以為相位改變存儲(chǔ)器(phase change memory, PCM)或電子可抹除可程式唯讀存儲(chǔ)器(EEPROM)。在本實(shí)施例中，快閃存儲(chǔ)器系統(tǒng)包含有快閃存儲(chǔ)器10，特別是多位元單元反及閘(NAND)快閃存儲(chǔ)器。快閃存儲(chǔ)器系統(tǒng)還包含有控制器12，其用以二次寫(xiě)入快閃存儲(chǔ)器10?？刂破?2可以使用硬體電路、軟體或其組合來(lái)實(shí)施。雖然以下所述實(shí)施例是以三位元單元快閃存儲(chǔ)器作為例示，然而本實(shí)施例也可適用于其他的多位元單元快閃存儲(chǔ)器，例如二位元單元快閃存儲(chǔ)器或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。圖IB顯示以控制器12寫(xiě)入快閃存儲(chǔ)器10的一般流程圖。首先，設(shè)定寫(xiě)入預(yù)驗(yàn)證(pre-verify,PreV)電壓指令(方塊100)，接著設(shè)定寫(xiě)入通過(guò)驗(yàn)證(pass-verify，PV)電壓指令(方塊101)。接下來(lái)，設(shè)定數(shù)據(jù)載入指令(方塊10 、設(shè)定位址數(shù)據(jù)(方塊10 及輸入寫(xiě)入數(shù)據(jù)(方塊104)。在設(shè)定寫(xiě)入指令(步驟10 之后，快閃存儲(chǔ)器10開(kāi)始寫(xiě)入數(shù)據(jù) (方塊106)，直到快閃存儲(chǔ)器10完成數(shù)據(jù)的寫(xiě)入(方塊107)。圖2A至圖2D例示三位元單元快閃存儲(chǔ)器相關(guān)于通過(guò)驗(yàn)證(PV)電壓的臨界電壓分布。三位元單元快閃存儲(chǔ)器的每一單元可儲(chǔ)存三位元，亦即，高位元、中位元及低位元，其分別相應(yīng)于高位元頁(yè)、中位元頁(yè)及低位元頁(yè)。其中，圖2A顯示字元線(xiàn)(WL)于抹除(erase) 之后的分布。圖2B顯示字元線(xiàn)于使用低位元通過(guò)驗(yàn)證電壓L-PVl進(jìn)行低位元頁(yè)(一次) 寫(xiě)入之后的分布，其中L-PVl為狀態(tài)"0"的下限。圖2C顯示字元線(xiàn)于使用中位元通過(guò)驗(yàn)證電壓M-PV1-1、M-PV1-2、M-PV1_3進(jìn)行中位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之后的分布，其中M-PV1-1、 M-PV1-2、M-PV1_3分別為狀態(tài)"10"、“ 00"、“ 01"的下限。圖2D顯示字元線(xiàn)在使用高位元通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PVl-I至H-PV1-7進(jìn)行高位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之后的分布，其中 H-PVl-I至H-PV1-7分別為狀態(tài)"110〃至〃 011"的下限。圖3A至圖3D例示三位元單元快閃存儲(chǔ)器相關(guān)于預(yù)驗(yàn)證(PreV)電壓的臨界電壓分布。其中，圖3A顯示字元線(xiàn)(WL)在抹除(erase)之后的分布。圖顯示字元線(xiàn)在進(jìn)行低位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之后的分布。在進(jìn)行中位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之前，使用中位元預(yù)驗(yàn)證電壓M-PreVl以檢查目前狀態(tài)。圖3C顯示字元線(xiàn)在進(jìn)行(一次)中位元頁(yè)寫(xiě)入之后的分布。在進(jìn)行高位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之，使用中位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreVl-l、H-PreVl-2、 H-PreVl-3以檢查目前狀態(tài)。圖3D顯示字元線(xiàn)于進(jìn)行高位元頁(yè)(一次)寫(xiě)入之后的分布。根據(jù)本實(shí)施例特征之一，快閃存儲(chǔ)器10的至少一字元線(xiàn)(WL)的至少一頁(yè)(例如高位元頁(yè))受到控制器12的二次寫(xiě)入，因而得以改善浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)及/或滯留效應(yīng)。圖4A至圖4D例示本發(fā)明實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的臨界電壓分布。其中， 圖4A顯示字元線(xiàn)在進(jìn)行較低有效(less-significant)位元頁(yè)(例如低位元頁(yè)及中位元頁(yè))的一次寫(xiě)入后的分布。在進(jìn)行高位元頁(yè)一次寫(xiě)入之前，先決定第一高位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreVl-1、H-PreV 1-2, H-PreVl_3。圖4B顯示字元線(xiàn)在使用第一高位元預(yù)驗(yàn)證電壓 H-PreVl (亦即 H-PreVl-l、H-PreVl-2、H-PreVl_3)及第一高位元通過(guò)驗(yàn)證電壓 H-PV1-1 至 H-PV1-7進(jìn)行最高有效(most-significant)位元頁(yè)(例如高位元頁(yè))的一次寫(xiě)入后的分布。接著，如圖4C所示，決定第二高位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreV2 (亦即H-PreV2-l、H-PreV2_2、 H-PreV2-3)，其將于后續(xù)使用到。值得注意的是，所決定的第一高位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreVl 及第二高位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreV2大致上會(huì)產(chǎn)生相同的讀取結(jié)果。圖4D顯示字元線(xiàn)在使用第二高位元預(yù)驗(yàn)證電壓H-PreV2(亦即H-PreV2-l、H-PreV2-2、H-PreV2-;3)及第二高位元通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV2-1至H-PV2-7進(jìn)行高位元頁(yè)的二次寫(xiě)入后的分布。值得注意的是，二次寫(xiě)入數(shù)據(jù)必須同于一次寫(xiě)入數(shù)據(jù)。根據(jù)觀察，第二通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV2大于或等于第一通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV1。例如，在本實(shí)施例中，狀態(tài)〃 110〃的第二通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV2-1即大于同狀態(tài)的第一通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV1-1。借此，分布的寬度(或視窗)會(huì)變小，相鄰分布之間的距離(或邊限(margin))則變大，因而增大快閃存儲(chǔ)器的讀取邊限。一般來(lái)說(shuō)，第二通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV2會(huì)大于或等于第一通過(guò)驗(yàn)證電壓H-PV1，但小于同狀態(tài)的上限電壓。本實(shí)施例另一特征揭露一種新穎的頁(yè)寫(xiě)入或讀取順序。圖5A顯示三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的傳統(tǒng)頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序，其依以下所示順序進(jìn)行頁(yè)寫(xiě)入/讀取
OOh- > Olh- > 02h_ > 03h_ > 04h_ > 05h_ > 06h_ > 07h_ >...-> BDh- > BEh- > BFh。上述的頁(yè)為快閃存儲(chǔ)器的寫(xiě)入單位，而區(qū)塊則為抹除單位。圖5B顯示本發(fā)明實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序。三位元單元快閃存儲(chǔ)器依以下所示新順序進(jìn)行頁(yè)寫(xiě)入/讀取OOh- > Olh- > 03h_ > 06h_ > · · · B7h_ > Bah- > 02h_ > 04h_ >.··-> BCh- > BEh- > BFh。首先，三位元單元快閃存儲(chǔ)器對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)塊的所有字元線(xiàn)(例如mi)至札63)寫(xiě)入/讀取低位元頁(yè)，接著對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)塊的所有字元線(xiàn)(例如mi)至札63)寫(xiě)入/讀取中位元頁(yè)。最后，三位元單元快閃存儲(chǔ)器對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)塊的所有字元線(xiàn)(例如札0至札63)寫(xiě)入 /讀取高位元頁(yè)。圖5C顯示本發(fā)明另一實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的另一種頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序，如箭號(hào)所示。首先，寫(xiě)入/讀取多個(gè)(例如八頁(yè))低位元頁(yè)，接著寫(xiě)入/ 讀取多個(gè)中位元頁(yè)，最后寫(xiě)入/讀取多個(gè)高位元頁(yè)。圖5D顯示本發(fā)明又一實(shí)施例的三位元單元快閃存儲(chǔ)器的存儲(chǔ)器區(qū)塊的又一種頁(yè)寫(xiě)入/讀取順序，如箭號(hào)所示。首先，以傳統(tǒng)順序(如圖5A)對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)塊的所有字元線(xiàn)(例如札0至札63)寫(xiě)入/讀取低位元頁(yè)及中位元頁(yè)，接著對(duì)存儲(chǔ)器區(qū)塊的所有字元線(xiàn)(例如札0至札63)寫(xiě)入/讀取高位元頁(yè)。一般來(lái)說(shuō)，在寫(xiě)入/讀取一些較低有效 (less-significant)位元頁(yè)(例如低位元頁(yè)及中位元頁(yè))之后，接著寫(xiě)入/讀取一些連續(xù)的高位元頁(yè)。換句話(huà)說(shuō)，快閃存儲(chǔ)器以連續(xù)順序?qū)χ辽僖恍└呶辉?yè)進(jìn)行寫(xiě)入/讀取，借此，高位元頁(yè)是一頁(yè)接一頁(yè)地進(jìn)行寫(xiě)入/讀取。圖6A至圖6F顯示一些傳統(tǒng)寫(xiě)入/讀取順序及新寫(xiě)入/讀取順序之間的比較例子， 以顯現(xiàn)其對(duì)于浮接?xùn)艠O耦合效應(yīng)的改善效果。圖6A顯示一種傳統(tǒng)順序，其中，位于字元線(xiàn) WLl的低位元頁(yè)Olh會(huì)受到字元線(xiàn)札0的中位元頁(yè)0 !及字元線(xiàn)札2的低位元頁(yè)03h的影響。另一方面，如圖6B所示的新順序，其中，位于字元線(xiàn)WLl的低位元頁(yè)Olh也是受到相同的影響，亦即，受到字元線(xiàn)Wi)的中位元頁(yè)Oa1及字元線(xiàn)WL2的低位元頁(yè)03h的影響。圖6C顯示一種傳統(tǒng)順序，其中，位于字元線(xiàn)WLl的低位元頁(yè)04h會(huì)受到字元線(xiàn)Wi) 的中位元頁(yè)0 及字元線(xiàn)WL2的低位元頁(yè)07h的影響。另一方面，如圖6D所示的新順序， 其中，位于字元線(xiàn)WLl的低位元頁(yè)04h也是受到相同的影響，亦即，受到字元線(xiàn)Wi)的中位元頁(yè)0 及字元線(xiàn)札2的低位元頁(yè)07h的影響。圖6E顯示一種傳統(tǒng)順序，其中，位于字元線(xiàn)WLl的低位元頁(yè)0 會(huì)受到字元線(xiàn)WL2 的中位元頁(yè)OM1的影響。另一方面，如圖6F所示的新順序，其中，位于字元線(xiàn)WLl的低位元頁(yè)08h也是受到相同的影響，亦即，受到字元線(xiàn)WL2的中位元頁(yè)OBh的影響。根據(jù)本實(shí)施例的新寫(xiě)入/讀取順序，相鄰字元線(xiàn)的相鄰高位元頁(yè)可同時(shí)進(jìn)行寫(xiě)入。借此，相鄰寫(xiě)入頁(yè)之間的變異即可大量地降低。上述寫(xiě)入/讀取順序可適用于多位元單元快閃存儲(chǔ)器的讀/寫(xiě)測(cè)試。圖7顯示三位元單元(快閃存儲(chǔ)器)晶片的讀/寫(xiě)測(cè)試的流程圖。首先步驟71，測(cè)試低位元頁(yè)。如果晶片測(cè)試失敗，則將晶片歸于測(cè)試失敗槽(槽4，Bin 4)；否則，流程進(jìn)入下一步驟。步驟 72，測(cè)試中位元頁(yè)。如果晶片測(cè)試失敗，則將晶片歸于單位元單元槽(槽3，Bin 3)；否則，流程進(jìn)入下一步驟。步驟73，測(cè)試高位元頁(yè)。如果晶片測(cè)試失敗，則將晶片歸于二位元單元槽(槽2，Bin2)；否則，將晶片歸于三位元單元槽(槽l，Bin 1)。相較于傳統(tǒng)順序，本實(shí)施例的新順序可加快且簡(jiǎn)化測(cè)試，特別是當(dāng)所測(cè)試晶片屬于槽4、槽3或槽2。上述揭露的新寫(xiě)入/讀取順序也可適用于快閃存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入(圖4A至圖 4D)。圖8A顯示本發(fā)明實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖。步驟801，一次寫(xiě)入位于字元線(xiàn)Wi)的頁(yè)(例如高位元頁(yè))，接著步驟802，一次寫(xiě)入下一字元線(xiàn)WLl的頁(yè)。接下來(lái)，于步驟803，二次寫(xiě)入前一字元線(xiàn)WLO的頁(yè)。于一次寫(xiě)入字元線(xiàn)WL2的頁(yè)之后(步驟 804)，則二次寫(xiě)入前一字元線(xiàn)WLl的頁(yè)(步驟80 。持續(xù)上述流程，直到一次寫(xiě)入最后字元線(xiàn)WLn的頁(yè)(步驟806)，且接著二次寫(xiě)入前一字元線(xiàn)WLn-I的頁(yè)(步驟807)。一般來(lái)說(shuō)， 當(dāng)一次寫(xiě)入某一字元線(xiàn)(例如WLn)的頁(yè)之后，接著則二次寫(xiě)入先前字元線(xiàn)(例如WLn-I) 的頁(yè)。圖8B顯示本發(fā)明另一實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖。步驟810， 一次寫(xiě)入最后字元線(xiàn)WLn的頁(yè)(例如高位元頁(yè))。接著，對(duì)WLn之前的所有字元線(xiàn)的頁(yè)進(jìn)行二次寫(xiě)入(步驟812、814、816)。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)一次寫(xiě)入某一字元線(xiàn)(例如WLn)的頁(yè)之后， 接著對(duì)該字元線(xiàn)WLn之前一些字元線(xiàn)的頁(yè)進(jìn)行二次寫(xiě)入。由于二次寫(xiě)入的寫(xiě)入數(shù)據(jù)必須同于一次寫(xiě)入的寫(xiě)入數(shù)據(jù)，因此在進(jìn)行二次寫(xiě)入之前，本實(shí)施例的控制器12 (圖1A)需讀取并保持相應(yīng)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)(步驟811、813、815)。圖8C顯示使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖，其為圖8B的變化實(shí)施例。圖 8C的流程圖類(lèi)似于圖8B的流程圖，不同的是，在進(jìn)行二次寫(xiě)入之前，一部分相應(yīng)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)(例如WjO-WLz的數(shù)據(jù)頁(yè))是一次讀取且保持的(步驟817、819)。圖8D顯示本發(fā)明又一實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖。步驟 821-823，一次寫(xiě)入字元線(xiàn)mi)-WLn的頁(yè)(例如高位元頁(yè))。在經(jīng)過(guò)一預(yù)設(shè)時(shí)間后，檢視快閃存儲(chǔ)器中是否有哪一字元線(xiàn)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值(步驟824)。如果存在有這樣的字元線(xiàn)(例如WLm)，則控制器12讀取并保持字元線(xiàn)WLm的頁(yè)數(shù)據(jù)(步驟82 ，決定第二預(yù)驗(yàn)證電壓ft~eV2(步驟826)，且二次寫(xiě)入字元線(xiàn)札驟8m的頁(yè)(步 27)。一般來(lái)說(shuō)，當(dāng)一次寫(xiě)入某一字元線(xiàn)的頁(yè)之后，檢視快閃存儲(chǔ)器是否存在有不良的位元線(xiàn)(Failed word Line)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值。如果經(jīng)檢視存在有這樣的不良的字元線(xiàn)，則控制器12將讀取并暫存該不良的字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)，接著以新決定的第二預(yù)驗(yàn)證電壓ft~eV2進(jìn)行二次寫(xiě)入。該第二預(yù)驗(yàn)證電壓的決定方法可根據(jù)本案申請(qǐng)人一件美國(guó)發(fā)明專(zhuān)利申請(qǐng)案所揭露方法，申請(qǐng)?zhí)?2/464，240,于西元2009年5月12 臼申請(qǐng)，題為"Method and System for Adaptively Finding Reference Voltages for Reading Data from a MLC Flash Memory"。例如，該決定的第二預(yù)驗(yàn)證電壓相應(yīng)于一正規(guī)化(normalized)記憶單元數(shù)目，其近似于第一預(yù)驗(yàn)證電壓所相應(yīng)的正規(guī)化記憶單元數(shù)目。圖8E顯示使用新寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入方法流程圖，其為圖8D的變化實(shí)施例。圖 8E的流程圖類(lèi)似于圖8D的流程圖，不同的是，如果步驟擬4經(jīng)檢視存在有不良的字元線(xiàn)，則控制器12讀取并暫存位于字元線(xiàn)WLn之前的所有字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)(步驟828)，接著決定第二預(yù)驗(yàn)證電壓PreV2 (步驟829)并依次進(jìn)行二次寫(xiě)入(步驟830)。相較于使用傳統(tǒng)寫(xiě)入順序的二次寫(xiě)入，上述實(shí)施例使用新寫(xiě)入順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入較能避免滯留效應(yīng)。圖9A顯示使用傳統(tǒng)順序的寫(xiě)入例子，其每一次寫(xiě)入八頁(yè)。圖9B顯示使用新順序的寫(xiě)入例子，其每一次寫(xiě)入八頁(yè)。值得注意的是，每一次寫(xiě)入的最后一高位元頁(yè)尚無(wú)法進(jìn)行二次寫(xiě)入，必須等到下一高位元頁(yè)完成一次寫(xiě)入，因而造成滯留效應(yīng)。例如， 高位元頁(yè)0 必須等到下一高位元頁(yè)08h已完成一次寫(xiě)入后，才能進(jìn)行二次寫(xiě)入。根據(jù)觀察，傳統(tǒng)寫(xiě)入(圖9A)中最后高位元頁(yè)的數(shù)目多于新順序?qū)懭?圖9B)中最后高位元頁(yè)的數(shù)目。因此，使用新順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入的效能大于使用傳統(tǒng)順序以進(jìn)行二次寫(xiě)入的效能。
以上所述，僅是本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并非對(duì)本發(fā)明作任何形式上的限制，雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，然而并非用以限定本發(fā)明，任何熟悉本專(zhuān)業(yè)的技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍內(nèi)，當(dāng)可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容作出些許更動(dòng)或修飾為等同變化的等效實(shí)施例，但凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所作的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化與修飾，均仍屬于本發(fā)明技術(shù)方案的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其包含使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入；及以該控制器對(duì)該至少一字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以該寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。
2.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。
3.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的至少一頁(yè)為一高位元頁(yè)。
4.如權(quán)利要求1所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的一次寫(xiě)入步驟包含一次寫(xiě)入較低有效位元頁(yè)；決定第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓；及使用該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第一最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓，一次寫(xiě)入一最高有效位元頁(yè)；及上述二次寫(xiě)入步驟包含決定第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓；及使用該第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及第二最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓，二次寫(xiě)入該最高有效位元頁(yè)。
5.如權(quán)利要求4所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的第二最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓及該第一最高有效位元預(yù)驗(yàn)證電壓分別具有相同的讀取結(jié)果。
6.如權(quán)利要求4所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的第二最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓大于或等于該第一最高有效位元通過(guò)驗(yàn)證電壓。
7.一種多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其包含寫(xiě)入多個(gè)較低有效位元頁(yè)；及以連續(xù)方式，一頁(yè)接著一頁(yè)地寫(xiě)入多個(gè)連續(xù)最高有效位元頁(yè)。
8.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。
9.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的寫(xiě)入該較低有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行低位元頁(yè)的寫(xiě)入；及在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行該低位元頁(yè)以外的較低有效位元頁(yè)的寫(xiě)入。
10.如權(quán)利要求9所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的寫(xiě)入連續(xù)最高有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于所有字元線(xiàn)進(jìn)行高位元頁(yè)的寫(xiě)入。
11.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的寫(xiě)入該較低有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于多個(gè)低位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入；及在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)于該低位元頁(yè)以外的較低有效位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。
12.如權(quán)利要求11所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的寫(xiě)入連續(xù)最高有效位元頁(yè)的步驟包含在該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的該存儲(chǔ)器區(qū)塊中，對(duì)多個(gè)高位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。
13.如權(quán)利要求7所述的多位元單元非揮發(fā)存儲(chǔ)器使用新順序的寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的至少一存儲(chǔ)器區(qū)塊中，在寫(xiě)入所有字元線(xiàn)的較低有效位元頁(yè)之后，才對(duì)所有字元線(xiàn)的最高有效位元頁(yè)進(jìn)行寫(xiě)入。
14.一種多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其包含使用該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)一特定字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入；及以該控制器對(duì)該特定字元線(xiàn)之前的至少一頁(yè)，以該寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。
15.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的非揮發(fā)性存儲(chǔ)器為二位元單元快閃存儲(chǔ)器、三位元單元快閃存儲(chǔ)器、 或四位元單元快閃存儲(chǔ)器。
16.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，其特征在于其中所述的至少一頁(yè)為一高位元頁(yè)。
17.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于該一次寫(xiě)入步驟之后，其特征在于其更包含檢視該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器是否存在有一不良的字元線(xiàn)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值；其中，如果經(jīng)檢視存在有該不良的字元線(xiàn)，該控制器則讀取并暫存位于該不良的字元線(xiàn)的頁(yè)所儲(chǔ)存的數(shù)據(jù)，接著二次寫(xiě)入該不良的字元線(xiàn)的頁(yè)。
18.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于該一次寫(xiě)入步驟之后，其特征在于其更包含檢視該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器是否存在有一不良的字元線(xiàn)，其相關(guān)錯(cuò)誤位元數(shù)量大于或等于一預(yù)設(shè)值；其中，如果經(jīng)檢視存在有該不良的字元線(xiàn)，該控制器則讀取并暫存該非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的多個(gè)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)，接著二次寫(xiě)入該多個(gè)字元線(xiàn)的頁(yè)。
19.如權(quán)利要求14所述的多位元單元非揮發(fā)性存儲(chǔ)器使用新順序的二次寫(xiě)入方法，于二次寫(xiě)入該至少一頁(yè)之前，其特征在于其更包含以該控制器讀取并暫存相應(yīng)字元線(xiàn)的頁(yè)數(shù)據(jù)。
全文摘要
本發(fā)明是有關(guān)于一種多位元單元(multi-bit per cell)非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的使用新順序的二次寫(xiě)入方法。使用非揮發(fā)性存儲(chǔ)器的控制器，對(duì)一特定字元線(xiàn)的至少一頁(yè)，以寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行一次寫(xiě)入。再以控制器對(duì)該特定字元線(xiàn)前的至少一頁(yè)，以相同寫(xiě)入數(shù)據(jù)進(jìn)行二次寫(xiě)入。
文檔編號(hào)G11C16/10GK102314947SQ20101023660
公開(kāi)日2012年1月11日 申請(qǐng)日期2010年7月23日 優(yōu)先權(quán)日2010年7月7日
發(fā)明者卓世耿, 周銘宏, 黃建福, 黃漢龍 申請(qǐng)人:擎泰科技股份有限公司