專利名稱：數(shù)據(jù)讀寫方法和非易失性存儲介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及存儲技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及數(shù)據(jù)讀寫方法和非易失性存儲介質(zhì)。
背景技術(shù)：
參照圖l所示，當(dāng)前非易失性存儲介質(zhì)，如基于閃存(FLASH)的固態(tài)硬 盤(Solid State Disk, SSD)等，包括控制器、中央處理器(CPU)及FLASH 陣列，其中控制器主要采用現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)或?qū)Ｓ眉呻娐?ASIC) 實(shí)現(xiàn)，控制器分別與CPU和FLASH陣列相連接，接受CPU的控制，采用固定 的頻率向FLASH陣列進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作，并將數(shù)據(jù)輸出。
在對上述現(xiàn)有技術(shù)進(jìn)行實(shí)踐和研究的過程中，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn) 在控制器對FLASH陣列以相同頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的時候，非易失性 存儲介質(zhì)的功率消耗會增大，溫度也會隨之上升，而這樣會導(dǎo)致數(shù)據(jù)讀寫錯 誤率增加，從而使得整個非易失性存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明實(shí)施例提供數(shù)據(jù)讀寫方法和非易失性存儲介質(zhì)，減少了數(shù)據(jù)讀寫 錯誤率。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種非易失性存儲介質(zhì)，包括 溫度獲取模塊，用于獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度； 頻率確定模塊，用于根據(jù)所述溫度獲取模塊獲取的溫度，確定進(jìn)行數(shù)據(jù) 讀寫操作的頻率；
數(shù)據(jù)讀寫模塊，用于按照所述頻率確定模塊確定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫 操作。
本發(fā)明實(shí)施例提供一種數(shù)據(jù)讀寫方法，包括 獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度；
根據(jù)所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，確定進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的 頻率；
按照所述頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。
本發(fā)明實(shí)施例中非易失性存儲介質(zhì)通過溫度獲取模塊獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，頻率確定模塊根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫操作頻 率，由數(shù)據(jù)讀寫模塊根據(jù)該頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn)有技術(shù)中非易失 性存儲介質(zhì)通過固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施例的非易 失性存儲介質(zhì)會隨著溫度的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣使得數(shù)據(jù) 讀寫錯誤率減少，從而提高了整個非易失性存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性。


為了更清楚地說明本發(fā)明實(shí)施例或現(xiàn)有技術(shù)中的技術(shù)方案，下面將對實(shí) 施例或現(xiàn)有技術(shù)描述中所需要使用的附圖作簡單地介紹，顯而易見地，下面 描述中的附圖僅僅是本發(fā)明的 一些實(shí)施例，對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員來講， 在不付出創(chuàng)造性勞動性的前提下，還可以根據(jù)這些附圖獲得其他的附圖。
圖l是現(xiàn)有技術(shù)中非易失性存儲介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖2是本發(fā)明實(shí)施例提供的非易失性存儲介質(zhì)的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖3是本發(fā)明設(shè)備實(shí)施例一提供的固態(tài)硬盤的結(jié)構(gòu)示意圖； 圖4是本發(fā)明設(shè)備實(shí)施例 一提供的固態(tài)硬盤中中央處理器和溫度傳感器 之間的結(jié)構(gòu)示意圖5是本發(fā)明設(shè)備實(shí)施例一提供的固態(tài)硬盤中中央處理器的結(jié)構(gòu)示意圖6是本發(fā)明設(shè)備實(shí)施例二提供的固態(tài)硬盤的結(jié)構(gòu)示意圖7是本發(fā)明設(shè)備實(shí)施例二提供的固態(tài)硬盤中溫度獲取模塊的結(jié)構(gòu)示意
圖8是本發(fā)明方法實(shí)施例提供的數(shù)據(jù)讀寫方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式
下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行 清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例僅僅是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而 不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作 出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。 參照圖2，本發(fā)明實(shí)施例提供的一種非易失性存儲介質(zhì)，包括 溫度獲取模塊IO,用于獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度； 頻率確定模塊ll,用于根據(jù)所述溫度獲取模塊10獲取的溫度，確定進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率；數(shù)據(jù)讀寫模塊12,用于按照所述頻率確定模塊ll確定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的 讀寫操作。
可以理解的是，本發(fā)明實(shí)施例所述非易失性存儲介質(zhì)包括固態(tài)硬盤等基
于閃存(FLASH)的存儲設(shè)備。
本發(fā)明實(shí)施例中的非易失性存儲介質(zhì)通過溫度獲取模塊10獲取非易失性 存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，頻率確定模塊1 l根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫 操作頻率，由數(shù)據(jù)讀寫模塊12根據(jù)該頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn)有技術(shù) 中非易失性存儲介質(zhì)通過固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施 例的非易失性存儲介質(zhì)會隨著溫度的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣 使得數(shù)據(jù)讀寫錯誤率減少，從而提高了整個非易失性存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性。
下面通過具體的實(shí)施例來說明本發(fā)明的實(shí)現(xiàn)
設(shè)備實(shí)施例一
一種非易失性存儲介質(zhì)，本實(shí)施例中非易失性存儲介質(zhì)具體為固態(tài)硬盤， 溫度獲取模塊10具體為溫度傳感器100,頻率確定模塊ll具體為中央處理器 110,數(shù)據(jù)讀寫模塊12具體包括控制器120和FLASH陣列130,結(jié)構(gòu)示意圖如圖 3所示，包括
溫度傳感器100的輸出端與中央處理器110連接，溫度傳感器100可以周期 性地，直接檢測到固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度，中央處理器110可通過集成線路 總線(I2C)的接口來讀取溫度數(shù)值，這樣可以直接地，精確地獲得固態(tài)硬盤 當(dāng)前的溫度；
中央處理器IIO,用于根據(jù)溫度傳感器100檢測的溫度，來確定控制器120 進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率；
中央處理器110在確定頻率時，可以在從溫度傳感器100的輸出端獲取溫 度后，可以查找預(yù)置的溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息，即可確定控制器120進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率。并通過與控制器120之間的通信連接配置控制器120的 數(shù)據(jù)讀寫操作頻率，如配置控制器120相應(yīng)的寄存器。
這里溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息可以是溫度區(qū)間與頻率的對應(yīng)信息，也 可以是單獨(dú)的一個溫度和頻率的對應(yīng)信息，可以在固態(tài)硬盤出廠時預(yù)置到固 態(tài)硬盤中，溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息可以通過改變固態(tài)硬盤所處的外部環(huán)境溫度，測試在各典型溫度點(diǎn)上(典型情況可以以5攝氏度為間隔)固態(tài)硬盤 中控制器的最佳工作頻率，得出溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息。
控制器120按照中央處理器110查找到的頻率對Flash陣列130進(jìn)行數(shù)據(jù)的 讀寫操作。
參照圖4所示，在其它具體的實(shí)施例中，上述溫度傳感器100與中央處理 器110的連接還可以通過同步外設(shè)總線(SPI)的主器件數(shù)據(jù)輸出接口MOSI、 從器件數(shù)據(jù)輸出接口 MISO、使能信號接口 SS及始終信號接口 SCK進(jìn)行連接； 溫度傳感器100還可以由通用輸入輸出(GPIO)的模擬接口將溫度數(shù)值傳輸給 中央處理器IIO。還可以通過其他的方法，這并不構(gòu)成對本發(fā)明的限制。
可以理解，參照圖5所示，在另一個具體的實(shí)施例中，頻率確定才莫塊ll(即 中央處理器IIO)可以包括
溫度區(qū)間比較子模塊lll,用于將所述固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度，與所述 控制器當(dāng)前進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率對應(yīng)的溫度區(qū)間進(jìn)行比較；溫度區(qū)間比 較子模塊111可以從溫度傳感器100獲取固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度；
當(dāng)所述溫度區(qū)間比較子模塊111比較的結(jié)果為所述固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的 溫度在所述溫度區(qū)間內(nèi)，數(shù)據(jù)讀寫模塊12中的控制器120按照當(dāng)前的頻率進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀寫操作。
查找子模塊112,用于當(dāng)所述溫度區(qū)間比較子模塊lll比較的結(jié)果為所述 固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度不在所述溫度區(qū)間內(nèi)，查找預(yù)置的溫度與頻率的關(guān) 系信息，獲取所述固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度對應(yīng)的頻率。
本實(shí)施例中的固態(tài)硬盤通過溫度傳感器IOO獲取固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫 度，中央處理器110根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫操作頻率，由控制器120 根據(jù)該頻率對Flash陣列130進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn)有技術(shù)中固態(tài)硬盤通過 固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施例的固態(tài)硬盤會隨著溫度 的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣使得數(shù)據(jù)讀寫錯誤率減少，從而提 高了整個固態(tài)硬盤的系統(tǒng)穩(wěn)定性。
設(shè)備實(shí)施例二
一種非易失性存儲介質(zhì)，本實(shí)施例中非易失性存儲介質(zhì)具體為固態(tài)硬盤， 溫度獲取模塊10具體包括模數(shù)轉(zhuǎn)化器200、溫敏電阻J^和其他電阻(本實(shí)施例中以電阻i 為例說明)、第一中央處理模塊210,頻率確定模塊ll通過第二
中央處理模塊220來實(shí)現(xiàn)，數(shù)據(jù)讀寫模塊12具體包括控制器230和FLASH陣列 240,結(jié)構(gòu)示意圖如圖6所示，包括
溫敏電阻j^與電阻i (電阻值是已知的)串聯(lián)于電源線和接地線之間； 模數(shù)轉(zhuǎn)化器200與溫敏電阻非接地線的一端連接，且模數(shù)轉(zhuǎn)化器200的輸出 端與第一中央處理模塊210連接，模數(shù)轉(zhuǎn)化器200用于檢測所述溫敏電阻一端
的電壓值f/訂；
第一中央處理模塊210，用于根據(jù)模數(shù)轉(zhuǎn)化器200檢測的電壓值f/^,計 算溫敏電阻Af當(dāng)前的電阻值，并根據(jù)溫敏電阻當(dāng)前的電阻值獲取固態(tài)硬 盤當(dāng)前運(yùn)4亍的溫度；
需要il明的是，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以知道，對于溫敏電阻來i兌，在溫度 變化時，阻值的變化比較明顯，溫敏電阻阻值的變化也會帶來溫壽文電阻兩端 電壓的變化，因此本實(shí)施例中的溫度獲取模塊10是根據(jù)溫敏電阻的該特性， 可以通過檢測溫敏電阻兩端的電壓值，計算得到溫敏電阻當(dāng)前的電阻值，進(jìn) 而可以得知固態(tài)硬盤的溫度。
第 一 中央處理模塊210在計算溫敏電阻當(dāng)前的電阻時，根據(jù)
^^Fcc-(7wr計算得到電阻值A(chǔ)廣V燈x^ ,并查找預(yù)置的溫敏電阻與
溫度的對應(yīng)關(guān)系信息，即可得到固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度，這里預(yù)置的溫敏 電阻與溫度的對應(yīng)關(guān)系信息可以在固態(tài)硬盤出廠時，預(yù)置在固態(tài)硬盤中的。
第一中央處理模塊210在獲取固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度后，由第二中央處 理模塊220通過查找預(yù)置的溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息，得到控制器230進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率；其中第二中央處理模塊220和第一中央處理器210可以 是一個實(shí)體中如中央處理器中的兩個邏輯單元，也可以是獨(dú)立于中央處理器 的兩個邏輯單元，本實(shí)施例中以前者為例說明，且模數(shù)轉(zhuǎn)化器200外置于中央 處理器外；
控制器230按照第二中央處理器210得到的頻率，對Flash陣列240進(jìn)行凄史據(jù) 的讀寫操作。
參照圖7所示，在其他的具體實(shí)施例中，溫敏電阻J^與其他電阻i 串聯(lián)
8于電源線和接地線之間；模數(shù)轉(zhuǎn)化器200與溫敏電阻7^非電源線的一端連接， 且內(nèi)置于中央處理器，用于檢測所述溫敏電阻兩端的電壓值^/盯；中央處理 器中第 一中央處理模塊210根據(jù)模數(shù)轉(zhuǎn)化器200檢測的電壓值(/^ ,根據(jù)
Fee-計算得到電阻值J^ = (「cc一^/燈)x A ,并查找預(yù)置的溫敏電 阻與溫度的對應(yīng)關(guān)系信息，即可得到固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度。
本實(shí)施例中的固態(tài)硬盤通過模數(shù)轉(zhuǎn)化器200獲取溫敏電阻AT —端的電壓 值，由中央處理器210根據(jù)該電壓值計算溫敏電阻當(dāng)前的電阻，并獲取該電阻 對應(yīng)的固態(tài)硬盤當(dāng)前運(yùn)行的溫度值，然后根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫操 作頻率，由控制器220根據(jù)該頻率對Flash陣列230進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn) 有技術(shù)中固態(tài)硬盤通過固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施例 的固態(tài)硬盤會隨著溫度的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣使得數(shù)據(jù)讀 寫錯誤率減少，從而提高了整個固態(tài)硬盤的系統(tǒng)穩(wěn)定性。
上述兩個具體的固態(tài)硬盤的實(shí)施例相比較，設(shè)備實(shí)施例一的固態(tài)硬盤的 結(jié)構(gòu)比較簡單，可以直接獲得溫度值，能相應(yīng)地減少中央處理器的負(fù)擔(dān)，減 少中央處理器的消耗。
方法實(shí)施例
一種數(shù)據(jù)讀寫方法，運(yùn)行本實(shí)施例的方法的非易失性存儲介質(zhì)包括溫度 獲取模塊、頻率確定模塊和數(shù)據(jù)讀寫模塊，其中數(shù)據(jù)讀寫模塊包括控制器和 Flash陣列，可以理解的是，本發(fā)明實(shí)施例所述非易失性存儲介質(zhì)包括固態(tài)硬 盤等基于閃存(FLASH)的存儲設(shè)備。該方法的流程圖如圖8所示，包括
步驟IOI、溫度獲取模塊獲取非易失性存儲介質(zhì)自己當(dāng)前運(yùn)行的溫度；
可以理解，非易失性存儲介質(zhì)可以按照系統(tǒng)的設(shè)定，周期性地獲取非易 失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，該溫度可以通過溫度傳感器直接獲取，或根 據(jù)溫敏電阻的電阻值與溫度的對應(yīng)關(guān)系獲取。
步驟102、頻率確定模塊根據(jù)所述溫度，確定數(shù)據(jù)讀寫模塊中控制器進(jìn)行 數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率；
可以理解，頻率確定模塊可以通過查找非易失性存儲介質(zhì)中預(yù)置的溫度 與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息，來確定非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度對應(yīng)的頻率。這里溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息可以是溫度區(qū)間與頻率的對應(yīng)信息，也 可以是單獨(dú)的一個溫度和頻率的對應(yīng)信息，可以在非易失性存儲介質(zhì)出廠時 預(yù)置到非易失性存儲介質(zhì)中，溫度與頻率的對應(yīng)關(guān)系信息可以通過改變非易 失性存儲介質(zhì)所處的外部環(huán)境溫度，測試在各典型溫度點(diǎn)上(典型情況以5攝 氏度為間隔)非易失性存儲介質(zhì)中控制器的最佳工作頻率，得出溫度與頻率 的對應(yīng)關(guān)系信息。
頻率確定模塊還可以通過如下的方法來確定控制器進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的
頻率將非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，與控制器當(dāng)前進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操 作的頻率對應(yīng)的溫度區(qū)間進(jìn)行比較；當(dāng)非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度在 溫度區(qū)間內(nèi)時，控制器按照當(dāng)前進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作； 當(dāng)非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度不在溫度區(qū)間內(nèi)時，查找預(yù)置的溫度與 頻率的關(guān)系信息，獲取所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度對應(yīng)的頻率。
步驟103、數(shù)據(jù)讀寫模塊中的控制器按照所述頻率對Flash陣列進(jìn)行數(shù)據(jù)的 讀寫操作。
本發(fā)明實(shí)施例中非易失性存儲介質(zhì)通過溫度獲取模塊獲取非易失性存儲 介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，頻率確定模塊根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫操作頻 率，由數(shù)據(jù)讀寫模塊根據(jù)該頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn)有技術(shù)中非易失 性存儲介質(zhì)通過固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施例的非易 失性存儲介質(zhì)會隨著溫度的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣使得數(shù)據(jù) 讀寫錯誤率減少，從而提高了整個非易失性存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性。
驟是可以i過程序來指二;目關(guān)的硬件來2成，該程序可以存儲于二;十i機(jī)可
讀存儲介質(zhì)中，存儲介質(zhì)可以包括只讀存儲器(ROM)、隨機(jī)存取存儲器 (RAM)、磁盤或光盤等。
以上對本發(fā)明實(shí)施例所提供的數(shù)據(jù)讀寫方法和非易失性存儲介質(zhì)，其中 網(wǎng)絡(luò)節(jié)點(diǎn)包括用戶設(shè)備和服務(wù)器，進(jìn)行了詳細(xì)介紹，本文中應(yīng)用了具體個例 對本發(fā)明的原理及實(shí)施方式進(jìn)行了闡述，以上實(shí)施例的說明只是用于幫助理 解本發(fā)明的方法及其核心思想；同時，對于本領(lǐng)域的一般技術(shù)人員，依據(jù)本 發(fā)明的思想，在具體實(shí)施方式
及應(yīng)用范圍上均會有改變之處，綜上所述，本 說明書內(nèi)容不應(yīng)理解為對本發(fā)明的限制。
權(quán)利要求
1、一種非易失性存儲介質(zhì)，其特征在于，包括溫度獲取模塊，用于獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度；頻率確定模塊，用于根據(jù)所述溫度獲取模塊獲取的溫度，確定進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率；數(shù)據(jù)讀寫模塊，用于按照所述頻率確定模塊確定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。
2、 如權(quán)利要求l所述的非易失性存儲介質(zhì)，其特征在于，所述頻率確定 模塊包括溫度區(qū)間比較子模塊，用于將所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度， 與所述數(shù)據(jù)讀寫模塊當(dāng)前進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率對應(yīng)的溫度區(qū)間進(jìn)行比 較；當(dāng)所述溫度區(qū)間比較子模塊比較的結(jié)果為所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn) 行的溫度在所述溫度區(qū)間內(nèi)時，所述數(shù)據(jù)讀寫模塊按照當(dāng)前的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù) 讀寫操作。
3、 如權(quán)利要求2所述的非易失性存儲介質(zhì)，其特征在于，所述頻率確定 模塊還包括查找子模塊，用于當(dāng)所述溫度區(qū)間比較子模塊比較的結(jié)果為所 述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度不在所述溫度區(qū)間內(nèi)時，查找預(yù)置的溫 度與頻率的關(guān)系信息，獲取所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度對應(yīng)的頻率。
4、 如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的非易失性存儲介質(zhì)，其特征在于，所述 溫度獲取模塊包括第一中央處理模塊、模數(shù)轉(zhuǎn)化器、溫敏電阻和其他電阻；所述溫敏電阻與其他電阻串聯(lián)于電源線和接地線之間；所述模數(shù)轉(zhuǎn)化器 與所述溫敏電阻非接地線或非接電源線的一端連接，用于檢測所述溫敏電阻 該端的電壓值；所述模數(shù)轉(zhuǎn)化器的輸出端與所述第一中央處理模塊連接；所述第一中央處理模塊，用于根據(jù)所述模數(shù)轉(zhuǎn)化器檢測的電壓值，計算 溫敏電阻當(dāng)前的電阻值，并根據(jù)所述溫敏電阻當(dāng)前的電阻值獲取非易失性存 儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度。
5、 如權(quán)利要求1至3任一項(xiàng)所述的非易失性存儲介質(zhì)，其特征在于，所述 溫度獲取模塊包括溫度傳感器；所述頻率確定模塊包括中央處理器，所述溫度傳感器的輸出端連接所述中央處理器。
6、 一種數(shù)據(jù)讀寫方法，其特征在于，包括 獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度；根據(jù)所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，確定進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的 頻率；按照所述頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作。
7、 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，所述確定進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作 的頻率包括將所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，與所述控制器當(dāng)前進(jìn)行數(shù)據(jù) 讀寫操作的頻率對應(yīng)的溫度區(qū)間進(jìn)行比較；當(dāng)所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度在所述溫度區(qū)間內(nèi)，按照當(dāng)前 進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率進(jìn)行讀寫操作。
8、 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述確定進(jìn)行數(shù)據(jù)讀寫操作 的頻率還包括當(dāng)所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度不在所述溫度區(qū)間內(nèi)，查找預(yù) 置的溫度與頻率的關(guān)系信息，獲取所述非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度對 應(yīng)的頻率。
全文摘要
本發(fā)明實(shí)施例公開了數(shù)據(jù)讀寫方法和非易失性存儲介質(zhì)，應(yīng)用于存儲技術(shù)領(lǐng)域。本發(fā)明實(shí)施例中非易失性存儲介質(zhì)通過溫度獲取模塊獲取非易失性存儲介質(zhì)當(dāng)前運(yùn)行的溫度，頻率確定模塊根據(jù)該溫度確定對應(yīng)的數(shù)據(jù)讀寫操作頻率，由數(shù)據(jù)讀寫模塊根據(jù)該頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作，和現(xiàn)有技術(shù)中非易失性存儲介質(zhì)通過固定的頻率進(jìn)行數(shù)據(jù)的讀寫操作相比，本發(fā)明實(shí)施例的非易失性存儲介質(zhì)會隨著溫度的變化，調(diào)整數(shù)據(jù)讀寫操作的頻率，這樣使得數(shù)據(jù)讀寫錯誤率減少，從而提高了整個非易失性存儲介質(zhì)的穩(wěn)定性。
文檔編號G11C16/06GK101587745SQ20091014222
公開日2009年11月25日 申請日期2009年6月23日 優(yōu)先權(quán)日2009年6月23日
發(fā)明者丹 周 申請人:成都市華為賽門鐵克科技有限公司