本發(fā)明涉及芯片存儲技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法和裝置。

背景技術(shù)：

根據(jù)實現(xiàn)的技術(shù)架構(gòu)的不同，閃存芯片可以分為norflash、nandflash和dinorflash等幾種類型。相比于其他幾種類型的閃存，nandflash能提供極高的單元密度，可以達(dá)到高存儲密度，并且寫入和擦除的速度也很快，因此，它是實現(xiàn)大容量數(shù)據(jù)存儲器的理想數(shù)據(jù)存儲介質(zhì)。nandflash作為一種非易失性存儲介質(zhì)，它以半導(dǎo)體作為記憶載體，比傳統(tǒng)的存儲設(shè)備更能承受溫度的變化、機(jī)械的振動和沖擊，可靠性更高，易于實現(xiàn)高速度、低功耗的存儲系，是解決大容量存儲技術(shù)的理想方案。

nandflash中是通過區(qū)分cell(存儲單元)導(dǎo)通的閾值電壓的差異來存儲不同的數(shù)據(jù)的，不同數(shù)據(jù)存儲在cell中所代表的就是cell導(dǎo)通的閾值電壓不同。因為工藝，操作等影響，相同的數(shù)據(jù)在不同的cell上存儲時，cell的閾值電壓可能會有一些差異，不可能完全相同，所以只能選定一個電壓范圍作為cell所代表的數(shù)據(jù)，這個電壓范圍越精確集中，cell上存儲數(shù)據(jù)的分辨率也就越好，能夠存儲的數(shù)據(jù)個數(shù)也越多。但是在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會隨著溫度的變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell的導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell中存儲的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取cell數(shù)據(jù)時，對cell的數(shù)據(jù)可能會出現(xiàn)錯誤的判斷。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

鑒于上述問題，提出了本發(fā)明以便提供一種克服上述問題或者至少部分地解決上述問題的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法和相應(yīng)的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置。

依據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供了一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法，包括：

檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；

根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；

根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量的步驟，包括：

計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；

對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓的步驟，包括：

針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓的步驟，包括：

針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓的步驟之后，還包括：

對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

根據(jù)本發(fā)明的另一方面，提供了一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置，包括：

溫度狀態(tài)電壓檢測模塊，用于檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；

調(diào)整量獲取模塊，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，用于根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊，包括：

第一差值獲取子模塊，用于計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；

模數(shù)變換子模塊，用于對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，包括：

第一調(diào)整子模塊，用于針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊，包括：

第二調(diào)整子模塊，用于針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，還包括：

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊，用于對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

根據(jù)本發(fā)明的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法和裝置，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此解決了在不同溫度條件下現(xiàn)有的nandflash中的各存儲單元所存儲的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取存儲單元中的數(shù)據(jù)時，容易會出現(xiàn)誤判的技術(shù)問題。取得了避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度的有益效果。

上述說明僅是本發(fā)明技術(shù)方案的概述，為了能夠更清楚了解本發(fā)明的技術(shù)手段，而可依照說明書的內(nèi)容予以實施，并且為了讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更明顯易懂，以下特舉本發(fā)明的具體實施方式。

附圖說明

通過閱讀下文優(yōu)選實施方式的詳細(xì)描述，各種其他的優(yōu)點(diǎn)和益處對于本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將變得清楚明了。附圖僅用于示出優(yōu)選實施方式的目的，而并不認(rèn)為是對本發(fā)明的限制。而且在整個附圖中，用相同的參考符號表示相同的部件。在附圖中：

圖1示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖；

圖1a示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1b示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash的存儲結(jié)構(gòu)示意圖；

圖1c示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種閾值電壓與判定電壓的分布示意圖；

圖1d示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種存儲單元的閾值電壓在不同溫度條件下的變化情況示意圖；

圖2示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖；

圖2a示出了根據(jù)本發(fā)明一種用于對目標(biāo)nandflash進(jìn)行電壓自動補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)示意圖；

圖3示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖；以及

圖4示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖

圖5示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；以及

圖6示出了根據(jù)本發(fā)明一個實施例的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實施方式

下面將參照附圖更詳細(xì)地描述本公開的示例性實施例。雖然附圖中顯示了本公開的示例性實施例，然而應(yīng)當(dāng)理解，可以以各種形式實現(xiàn)本公開而不應(yīng)被這里闡述的實施例所限制。相反，提供這些實施例是為了能夠更透徹地理解本公開，并且能夠?qū)⒈竟_的范圍完整的傳達(dá)給本領(lǐng)域的技術(shù)人員。

實施例一

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法。

參照圖1，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟110，檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

步驟120，根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

步驟130，根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

如圖1a為一種nandflash物理存儲單元的陣列組織結(jié)構(gòu)，其中的device為裝置，pageregister為頁寄存器。簡單解釋就是：

1、一個nandflash由很多個塊(block)組成，塊的大小一般是128kb(kilo-bytes，千字節(jié))、256kb或者是512kb。圖1a中所示的塊大小是128kb。而且block的基本單元是page(頁)。通常來說,每一個block由16、32或64個page組成。大多數(shù)的nandflash器件每一個page(頁)內(nèi)包含512個字節(jié)(或稱為256個字)的dataarea(數(shù)據(jù)存儲區(qū)域)。每一個page內(nèi)包含有一個擴(kuò)展的16字節(jié)的sparearea(備用區(qū)域)。nandflash的讀取和燒錄以頁為基礎(chǔ)。nandflash的擦除操作是基于block的。在nandflash上有三種基本的操作：讀取一個頁,燒錄一個頁和擦除一個塊。

其中，塊也是nandflash的擦除操作的基本/最小單位。本發(fā)明實施例中的存儲塊即為上述的塊。頁是nandflash的數(shù)據(jù)讀取和數(shù)據(jù)存儲的的基本/最小單位。本發(fā)明實施例中的存儲頁即為上述的頁。

2、每個塊里面又包含了很多頁(page)。每個頁的大?。?/p>

老的nandflash，頁大小是256b，512b，這類的nandflash被稱作smallblock，地址周期只有4個。對于現(xiàn)在常見的nandflash頁大小多數(shù)是2kb，被稱作bigblock，對應(yīng)的發(fā)讀寫命令地址，一共5個周期(cycle)，更新的nandflash是4kb。

3、每一個頁，對應(yīng)還有一塊區(qū)域，叫做空閑區(qū)域(sparearea)/冗余區(qū)域(redundantarea)，而linux系統(tǒng)中，一般叫做oob(outofband)，這個區(qū)域，是最初基于nandflash的硬件特性：數(shù)據(jù)在讀寫時候相對容易錯誤，所以為了保證數(shù)據(jù)的正確性，必須要有對應(yīng)的檢測和糾錯機(jī)制，此機(jī)制被叫做edc(errordetectioncode)/ecc(errorcodecorrection,或者errorcheckingandcorrecting)，所以設(shè)計了多余的區(qū)域，用于放置數(shù)據(jù)的校驗值。其中，頁是nandflash的寫入操作的基本/最小的單位。

nandflash的數(shù)據(jù)是以bit的方式保存在cell(存儲單元)，一般來說，一個cell中只能存儲一個bit。這些cell以8個或者16個為單位，連成bitline(位線，bl)，形成所謂的byte(字節(jié))或者word(字符)，這就是nanddevice(nand設(shè)備)的位寬。這些bitline會再組成page。

nandflash數(shù)據(jù)存儲單元的整體架構(gòu)：

簡單說就是，常見的nandflash，內(nèi)部只有一個芯片(chip)，每個chip只有一個plane(平面)。而有些復(fù)雜的，容量更大的nandflash，內(nèi)部有多個chip，每個chip有多個plane。這類的nandflash，往往也有更加高級的功能。

如圖1b所示，對于nandflash的存儲陣列，需要對應(yīng)的wl(wordline，字線)和bl(bitline，位線)去選擇相應(yīng)的cell，所以每條橫向的wl和縱向的bl都貫穿整個存儲陣列，這樣nandflash的存儲陣列中不同存儲區(qū)域上對應(yīng)的wl和bl的負(fù)載和驅(qū)動能力都是不一樣的，則進(jìn)一步會導(dǎo)致flash進(jìn)行讀寫擦的情況也會出現(xiàn)差別，速度有快有慢，效率有高有低；從而出現(xiàn)有些cell的編程太強(qiáng)，閾值電壓過大，有些cell的編程太弱，閾值電壓過低，有些cell的擦除太弱，閾值電壓太低，沒有達(dá)到完全擦除的狀態(tài)等等。所以編程擦除的能力太強(qiáng)和太弱都會影響最終cell的閾值電壓，這些cell的閾值電壓分布就如圖1c中的陰影區(qū)域，這些陰影區(qū)域的cell閾值電壓與判定電壓vcgrv之間的余量都不是最合適的，而閾值電壓分布在中間的區(qū)域與判定電壓vcgrv的余量才是最合適的，能夠保證更正確高效的讀寫擦其中的cell數(shù)據(jù)狀態(tài)。其中的，wordlinedriver可以理解為wl驅(qū)動，globalwordline可以理解為全局wl，senseamplifier可以理解為感測放大器，bestmargin為最合適的余量。

如前述，nandflash中是通過區(qū)分cell導(dǎo)通的閾值電壓的差異來存儲不同的數(shù)據(jù)的，不同數(shù)據(jù)存儲在cell中所代表的就是cell導(dǎo)通的閾值電壓不同。因為工藝，操作等影響，相同的數(shù)據(jù)在不同的cell上存儲時，cell的閾值電壓可能會有一些差異，不可能完全相同，所以只能選定一個電壓范圍以作為cell所代表的數(shù)據(jù)，這個電壓范圍越精確集中，cell上存儲數(shù)據(jù)的分辨率也就越好，能夠存儲的數(shù)據(jù)個數(shù)也越多。但是在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會隨著溫度的變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell的導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell中存儲的數(shù)據(jù)所代表的閾值電壓范圍出現(xiàn)偏移，使得讀取cell數(shù)據(jù)時，對cell的數(shù)據(jù)可能會出現(xiàn)錯誤的判斷。

本申請就是在不同溫度下，根據(jù)cell閾值電壓在不同溫度下分布的偏移量，自動調(diào)整讀取和編程擦除檢測的時候在cell所在的wl上所加的電壓，使得cell上的加的電壓也隨著cell導(dǎo)通的閾值電壓同步變化，這樣就可以保證更精確的讀寫cell中的數(shù)據(jù)。

那么首先需要檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

在實際應(yīng)用中，如果直接實時檢測目標(biāo)nandflash的溫度值，那么則需要利用溫度傳感器等設(shè)備進(jìn)行溫度檢測，但是相對于nandflash而言，溫度傳感器等設(shè)備的體積比較大，而且在nandflash使用過程中，需要實時檢測其溫度變化情況，那么則需要保持溫度傳感器等設(shè)備與目標(biāo)nandflash實時保持連接，從而導(dǎo)致目標(biāo)nandflash使用不便。因此，在本申請中可以利用設(shè)計專門的檢測電路用于自動感應(yīng)檢測環(huán)境溫度的變化量并且轉(zhuǎn)化為電路能夠識別的電壓偏移量。由于檢測電路不便于直接檢測溫度值，因此在本申請中，可以先檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

進(jìn)而可以根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。參考電壓是指芯片中設(shè)計的不隨溫度，工藝，工作環(huán)境等因素的變化而變化的一種近似于恒定的電壓，那么則可以參考電壓與溫度狀態(tài)電壓進(jìn)行比較，從而獲取對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。參考電壓可以理解為目標(biāo)nandflash中各存儲單元初始的閾值電壓在未發(fā)生偏移時對應(yīng)的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓，也可以為目標(biāo)nandflash中各存儲單元初始的閾值電壓在發(fā)生預(yù)設(shè)偏移范圍內(nèi)的偏移時對應(yīng)的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓，或者可以為目標(biāo)nandflash中各存儲單元在某一預(yù)設(shè)溫度(例如常溫/室溫)條件下對應(yīng)的溫度狀態(tài)電壓；等等。

在本申請中，可以根據(jù)需求或者是根據(jù)多次試驗在本步驟之前，或者是本步驟之前的任一步驟之前進(jìn)行設(shè)定參考電壓的具體取值，對此本申請不加以限定。

那么，則可以根據(jù)溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。具體的可以根據(jù)預(yù)設(shè)的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度值之間的對應(yīng)關(guān)系，計算檢測到的溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值，然后根據(jù)預(yù)先多次實驗獲取的目標(biāo)nandflash對應(yīng)的溫度與閾值電壓偏移量之間的對應(yīng)關(guān)系，獲取與當(dāng)前溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值對應(yīng)的偏移量，進(jìn)而以該偏移量作為對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。當(dāng)然，如果預(yù)設(shè)的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度值之間的對應(yīng)比例，和目標(biāo)nandflash對應(yīng)的溫度與閾值電壓偏移量之間的對應(yīng)比例是一致的，那么也可以直接取溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的差值作為對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量，對此本申請不加以限定。

以最簡單的情況為例，如圖1d為某一存儲單元的閾值電壓在不同溫度條件下的變化情況。其中兩個峰包表示了被擦除的cell(erasecell)和被編程的cell(pgmcell，programcell)的閾值電壓分布；vcgrv(判定電壓)就是芯片讀取和編程擦除檢測時加在cell上的電壓，用來區(qū)分cell所代表的數(shù)據(jù)在哪一個閾值電壓區(qū)域分布，若vcgrv小于這個閾值電壓區(qū)域，則cell不導(dǎo)通，表示cell為編程過的，即數(shù)據(jù)“0”；若vcgrv大于這個閾值電壓區(qū)域，則cell導(dǎo)通，表示cell為擦除過的，即數(shù)據(jù)“1”。而且vcgrv的電壓值還需要與兩個閾值電壓區(qū)域保持足夠的余量，保證讀取和檢測時能夠正確高效的判斷cell的數(shù)據(jù)狀態(tài)。

在不同的溫度下，半導(dǎo)體器件的特性會隨溫度變化而變化，進(jìn)而導(dǎo)致cell導(dǎo)通的閾值電壓發(fā)生變化，使得cell所代表狀態(tài)的閾值電壓區(qū)域出現(xiàn)偏移；其中(a)為在室溫(roomtemperature)條件下如圖1d中(b)和(c)所示在溫度升高(hightemperature)或溫度降低(lowtemperature)的情況下，cell原來在常溫下的閾值電壓會發(fā)生偏移，在高溫下會減小，在低溫下會增大。但是電路產(chǎn)生的vcgrv電壓基本不會隨溫度的變化而變化。而原先在常溫下用于檢測cell的電壓vcgrv已經(jīng)不太合適了，在高溫下與編程cell的閾值電壓區(qū)域的余量就會減小，在低溫下與擦除cell的閾值電壓區(qū)域的余量也會減小，不能再保證讀取和檢測的正確高效；甚至極端情況還會出現(xiàn)vcgrv電壓處于cell的閾值電壓分布的區(qū)域中，出現(xiàn)讀取和檢測錯誤。

因此，在本申請中，在獲取了調(diào)整量之后，則可以根據(jù)獲取的調(diào)整量對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各存儲單元的目標(biāo)判定電壓。具體的可以和目標(biāo)nandflash中各存儲單元初始設(shè)置的vcgrv的電壓量做運(yùn)算，在高溫下減小判定電壓，在低溫下增大判定電壓，從而調(diào)整補(bǔ)償vcgrv需要的偏移量dv，最終得到隨溫度偏移的vcgrv電壓；然后將最終的vcgrv電壓加到cell上用于讀取和檢測cell的狀態(tài)，此時得到的vcgrv又恢復(fù)保持了同擦除cell和編程cell之間的足夠余量，也就是適合cell閾值電壓變化后的讀取和檢測電壓，從而實現(xiàn)了在不同溫度下，讀取和檢測電壓實現(xiàn)自動補(bǔ)償調(diào)整，提高了芯片工作的準(zhǔn)確、高效和可靠性。

在本申請中，為了可以實時地根據(jù)溫度變化情況對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，可以預(yù)設(shè)時間段為間隔周期性的執(zhí)行上述的步驟110-130。例如可以每隔10秒依次執(zhí)行一次上述的步驟110-130，從而可以每隔10秒對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行實時調(diào)整。其中的預(yù)設(shè)時間段可以根據(jù)需求在本步驟之前，或者是本步驟之前的任一步驟之前進(jìn)行設(shè)定，對此本申請不加以限定。

需要說明的是，本申請中的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法不僅適用于對不同芯片在不同溫度狀態(tài)下工作時各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，也適用于補(bǔ)償由于芯片工藝，工作環(huán)境等因素的偏差造成的各個芯片的當(dāng)前判定電壓的偏差，此時的工作原理與前述的nandflash電壓自動補(bǔ)償方法類似，在此不加以贅述。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

實施例二

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法。

參照圖2，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟210，檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系。

步驟220，計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

步驟230，對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

在本申請中，可以直接以檢測得到的溫度狀態(tài)電壓與預(yù)設(shè)的參考電壓之間的第一差值作為調(diào)整量，但是為了方便進(jìn)行調(diào)整，還需要對第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，進(jìn)而得到對目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。在本申請中可以利用任何可用方法或設(shè)備對第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，對此本申請不加以限定。

步驟240，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的絕對值的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

如前述，在實際應(yīng)用中，目標(biāo)nandflash各存儲單元的閾值電壓在高溫下會減小，在低溫下會增大。那么相應(yīng)的需要將目標(biāo)nandflash各存儲單元的判定電壓在在高溫下會減小，在低溫下會增大。

因此，在本申請中，如果檢測到的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么溫度狀態(tài)電壓越高則說明目標(biāo)nandflash的溫度越高，則說明此時需要將目標(biāo)nandflash中各存儲單元對應(yīng)的判斷電壓調(diào)小，因此，在本申請中，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，則可以針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

步驟250，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

最終目標(biāo)nandflash中所需要的判定電壓需要模擬信號，而經(jīng)過前述步驟獲取的目標(biāo)判定電壓為數(shù)字信號，因此在本申請中在獲取到目標(biāo)判定電壓之后，還需要進(jìn)一步對各存儲單元的目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到相應(yīng)存儲單元的最終判定電壓。當(dāng)然，如果目標(biāo)nandflash中也可以直接利用數(shù)字信號，那么也可以不對目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，而是直接以目標(biāo)判定電壓作為最終判定電壓。對此本申請不加以限定。

如圖2a為一種用于對目標(biāo)nandflash進(jìn)行電壓自動補(bǔ)償?shù)慕Y(jié)構(gòu)示意圖。其中的register為目標(biāo)nandflash對應(yīng)的寄存器。vcgrv_ini為當(dāng)前判定電壓，vtemp為溫度狀態(tài)電壓，vref為參考電壓，r1、r2和r3分別為三個電阻，vcgrv_final為最終判定電壓，adc為模數(shù)轉(zhuǎn)換器(analog-to-digitalconverter)，dac為數(shù)模轉(zhuǎn)換器(digital-to-analogconverter)。其中的r1、r2和r3的電阻取值可以根據(jù)需求預(yù)先設(shè)置，對此本申請不加以限定。

可以看出，在獲取目標(biāo)nandflash各存儲單元的當(dāng)前判定電壓時，需要先將目標(biāo)nandflash各存儲單元的當(dāng)前判定電壓存放至目標(biāo)nandflash對應(yīng)的寄存器中，然后再從該寄存器中獲取目標(biāo)nandflash各存儲單元的當(dāng)前判定電壓。在檢測到目標(biāo)nandflash當(dāng)前的溫度狀態(tài)電壓之后，則可以溫度狀態(tài)電壓以及參考電壓作為輸入，經(jīng)溫度檢測模塊檢測電壓變化量(模擬量)以及模數(shù)轉(zhuǎn)化之后，可以獲得調(diào)整量，進(jìn)而可以根據(jù)調(diào)整量對從目標(biāo)nandflash對應(yīng)的寄存器獲取的各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整，然后對調(diào)整后的目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)化，最終得到相應(yīng)各存儲單元的最終判定電壓。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

另外，在本申請中，可以計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系時，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

實施例三

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法。

參照圖3，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償方法的步驟流程圖。

步驟310，檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系。

步驟320，計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

步驟330，對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

步驟340，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

如前述，在實際應(yīng)用中，目標(biāo)nandflash各存儲單元的閾值電壓在高溫下會減小，在低溫下會增大。那么相應(yīng)的需要將目標(biāo)nandflash各存儲單元的判定電壓在在高溫下會減小，在低溫下會增大。

因此，在本申請中，如果檢測到的目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓與目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么如果目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓越高，則說明此時目標(biāo)nandflash的溫度越低，那么則需要將目標(biāo)nandflash中各存儲單元對應(yīng)的判斷電壓調(diào)高，因此，在本申請中如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，則可以針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

步驟350，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

另外，在本申請中，可以計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系時，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

對于方法實施例，為了簡單描述，故將其都表述為一系列的動作組合，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該知悉，本發(fā)明實施例并不受所描述的動作順序的限制，因為依據(jù)本發(fā)明實施例，某些步驟可以采用其他順序或者同時進(jìn)行。其次，本領(lǐng)域技術(shù)人員也應(yīng)該知悉，說明書中所描述的實施例均屬于優(yōu)選實施例，所涉及的動作并不一定是本發(fā)明實施例所必須的。

實施例四

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置。

參照圖4，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測模塊410，用于檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊420，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊430，用于根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

實施例五

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置。

參照圖5，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測模塊510，用于檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊520，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊520，進(jìn)一步可以包括：

第一差值獲取子模塊521，用于計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

模數(shù)變換子模塊522，用于對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊530，用于根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊530，包括：

第一調(diào)整子模塊531，用于針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊540，用于對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

另外，在本申請中，可以計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成正比關(guān)系時，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量的差值，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

實施例六

詳細(xì)介紹本發(fā)明實施例提供的一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置。

參照圖6，示出了本發(fā)明實施例中一種nandflash電壓自動補(bǔ)償裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。

溫度狀態(tài)電壓檢測模塊610，用于檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)。

調(diào)整量獲取模塊620，用于根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

可選地，所述調(diào)整量獲取模塊620，進(jìn)一步可以包括：

第一差值獲取子模塊621，用于計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值。

模數(shù)變換子模塊622，用于對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。

電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊630，用于根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

可選地，如果所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系，那么所述電壓補(bǔ)償調(diào)整模塊630，進(jìn)一步可以包括：

第二調(diào)整子模塊631，用于針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。

數(shù)碼轉(zhuǎn)換模塊640，用于對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。

在本申請中，可以檢測目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)電壓；所述溫度狀態(tài)電壓用于表征所述目標(biāo)nandflash的溫度狀態(tài)；根據(jù)所述溫度狀態(tài)電壓以及預(yù)設(shè)的參考電壓獲取對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量；根據(jù)所述調(diào)整量對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行補(bǔ)償調(diào)整，得到各所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。由此可以避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

另外，在本申請中，可以計算所述溫度狀態(tài)電壓與所述參考電壓之間的第一差值；對所述第一差值進(jìn)行模數(shù)變換，得到對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元的當(dāng)前判定電壓進(jìn)行調(diào)整的調(diào)整量。并且在所述溫度狀態(tài)電壓與所述目標(biāo)nandflash的溫度成反比關(guān)系時，針對所述目標(biāo)nandflash中各存儲單元，分別計算各所述存儲單元的當(dāng)前判定電壓與所述調(diào)整量之和，得到所述存儲單元的目標(biāo)判定電壓。以及，對所述目標(biāo)判定電壓進(jìn)行數(shù)模轉(zhuǎn)換，得到所述存儲單元的最終判定電壓。從而可以進(jìn)一步避免因溫度變化導(dǎo)致的誤判，從而進(jìn)一步提高數(shù)據(jù)讀寫準(zhǔn)確度。

對于裝置實施例而言，由于其與方法實施例基本相似，所以描述的比較簡單，相關(guān)之處參見方法實施例的部分說明即可。

在此提供的算法和顯示不與任何特定計算機(jī)、虛擬系統(tǒng)或者其它設(shè)備固有相關(guān)。各種通用系統(tǒng)也可以與基于在此的示教一起使用。根據(jù)上面的描述，構(gòu)造這類系統(tǒng)所要求的結(jié)構(gòu)是顯而易見的。此外，本發(fā)明也不針對任何特定編程語言。應(yīng)當(dāng)明白，可以利用各種編程語言實現(xiàn)在此描述的本發(fā)明的內(nèi)容，并且上面對特定語言所做的描述是為了披露本發(fā)明的最佳實施方式。

在此處所提供的說明書中，說明了大量具體細(xì)節(jié)。然而，能夠理解，本發(fā)明的實施例可以在沒有這些具體細(xì)節(jié)的情況下實踐。在一些實例中，并未詳細(xì)示出公知的方法、結(jié)構(gòu)和技術(shù)，以便不模糊對本說明書的理解。

類似地，應(yīng)當(dāng)理解，為了精簡本公開并幫助理解各個發(fā)明方面中的一個或多個，在上面對本發(fā)明的示例性實施例的描述中，本發(fā)明的各個特征有時被一起分組到單個實施例、圖、或者對其的描述中。然而，并不應(yīng)將該公開的方法解釋成反映如下意圖：即所要求保護(hù)的本發(fā)明要求比在每個權(quán)利要求中所明確記載的特征更多的特征。更確切地說，如下面的權(quán)利要求書所反映的那樣，發(fā)明方面在于少于前面公開的單個實施例的所有特征。因此，遵循具體實施方式的權(quán)利要求書由此明確地并入該具體實施方式，其中每個權(quán)利要求本身都作為本發(fā)明的單獨(dú)實施例。

本領(lǐng)域那些技術(shù)人員可以理解，可以對實施例中的設(shè)備中的模塊進(jìn)行自適應(yīng)性地改變并且把它們設(shè)置在與該實施例不同的一個或多個設(shè)備中?？梢园褜嵤├械哪K或單元或組件組合成一個模塊或單元或組件，以及此外可以把它們分成多個子模塊或子單元或子組件。除了這樣的特征和/或過程或者單元中的至少一些是相互排斥之外，可以采用任何組合對本說明書(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的所有特征以及如此公開的任何方法或者設(shè)備的所有過程或單元進(jìn)行組合。除非另外明確陳述，本說明書(包括伴隨的權(quán)利要求、摘要和附圖)中公開的每個特征可以由提供相同、等同或相似目的的替代特征來代替。

此外，本領(lǐng)域的技術(shù)人員能夠理解，盡管在此所述的一些實施例包括其它實施例中所包括的某些特征而不是其它特征，但是不同實施例的特征的組合意味著處于本發(fā)明的范圍之內(nèi)并且形成不同的實施例。例如，在下面的權(quán)利要求書中，所要求保護(hù)的實施例的任意之一都可以以任意的組合方式來使用。

本發(fā)明的各個部件實施例可以以硬件實現(xiàn)，或者以在一個或者多個處理器上運(yùn)行的軟件模塊實現(xiàn)，或者以它們的組合實現(xiàn)。本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解，可以在實踐中使用微處理器或者數(shù)字信號處理器(dsp)來實現(xiàn)根據(jù)本發(fā)明實施例的nandflash電壓自動補(bǔ)償設(shè)備中的一些或者全部部件的一些或者全部功能。本發(fā)明還可以實現(xiàn)為用于執(zhí)行這里所描述的方法的一部分或者全部的設(shè)備或者裝置程序(例如，計算機(jī)程序和計算機(jī)程序產(chǎn)品)。這樣的實現(xiàn)本發(fā)明的程序可以存儲在計算機(jī)可讀介質(zhì)上，或者可以具有一個或者多個信號的形式。這樣的信號可以從因特網(wǎng)網(wǎng)站上下載得到，或者在載體信號上提供，或者以任何其他形式提供。

應(yīng)該注意的是上述實施例對本發(fā)明進(jìn)行說明而不是對本發(fā)明進(jìn)行限制，并且本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離所附權(quán)利要求的范圍的情況下可設(shè)計出替換實施例。在權(quán)利要求中，不應(yīng)將位于括號之間的任何參考符號構(gòu)造成對權(quán)利要求的限制。單詞“包含”不排除存在未列在權(quán)利要求中的元件或步驟。位于元件之前的單詞“一”或“一個”不排除存在多個這樣的元件。本發(fā)明可以借助于包括有若干不同元件的硬件以及借助于適當(dāng)編程的計算機(jī)來實現(xiàn)。在列舉了若干裝置的單元權(quán)利要求中，這些裝置中的若干個可以是通過同一個硬件項來具體體現(xiàn)。單詞第一、第二、以及第三等的使用不表示任何順序?？蓪⑦@些單詞解釋為名稱。