專利名稱：用于制造只讀光盤介質(zhì)的方法和只讀光盤介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種只讀光盤介質(zhì)及其制造方法。更具體地說，本發(fā)明涉及一種允許將唯一的信息等獨立地加入到通過凹坑轉(zhuǎn)印(pit
transfer)批量生產(chǎn)的只讀光盤介質(zhì)的技術(shù)。
背景技術(shù)：
專利文獻1:日本未審專利申請公開No. 2001-135021
專利文獻2:國際7>開小冊子No. 01/008145
專利文獻3:國際乂>開小冊子No. 02/101733
例如，在諸如CD (致密盤)、DVD (數(shù)字通用盤)、BD (藍光盤(Blu-ray-disc ):商標(biāo))以及HD-DVD (高清晰度DVD)的只讀，即，ROM (只讀存儲器)類型光盤介質(zhì)中，音樂、圖片、游戲、應(yīng)用程序以及其它數(shù)據(jù)用預(yù)定的記錄調(diào)制方法被記錄在稱為內(nèi)容區(qū)域的區(qū)域中。
例如，由于因良好的批量生產(chǎn)性而導(dǎo)致的低生產(chǎn)成本，許多內(nèi)容持有人使用這些只讀光盤介質(zhì)作為提供內(nèi)容的部件。
用于制造例如DVD的只讀光盤介質(zhì)的工序大致包括母盤制作工序，用于使用激光束生產(chǎn)光盤母盤(optical disc master);成形和沉積工序，用于使用從光盤母盤生產(chǎn)的壓模生產(chǎn)多個光盤基底，并在光盤基底上形成膜；以及粘結(jié)工序，用于使用具有預(yù)定厚度的粘合劑將一對具有0.6mm厚度的兩個光盤粘結(jié)在一起，以便形成具有1.2mm厚度的DVD光盤介質(zhì)。
在壓模上設(shè)置的凹凸圖案在成形和沉積工序中被轉(zhuǎn)印到使用壓模批量生產(chǎn)的光盤基底上。換句話說，充當(dāng)凹凸圖案的凹坑和平臺(land)的記錄數(shù)據(jù)序列形成在要作為信息記錄表面的部分上，并且該記錄數(shù)據(jù)序列形成螺旋的、或同心圓的記錄軌道。其上設(shè)置有凹坑和平臺的信息記錄表面的凹凸形狀被金屬合金反射膜覆蓋。
在完成光盤后，從再現(xiàn)設(shè)備發(fā)射的激光被凹坑和平臺反射。在凹坑序列中，凹坑之間的平臺也稱為"間隔"。

發(fā)明內(nèi)容
并沒有假定在制造后將附加信息記錄在只讀光盤上。此外，雖然如上所述在信息記錄表面上設(shè)置反射膜，但是并沒有假定該反射膜被用作用于記錄的膜。
但是，近年來，為了管理記錄有預(yù)定信息數(shù)據(jù)的只讀光盤，存在對在每一張制造的只讀光盤上記錄諸如標(biāo)識碼的唯一的附加信息的
方法的需求。
但是，因為只讀光盤是用上述制造工序制造的，所以很難在這樣
的只讀光盤上記錄附加信息該只讀光盤已經(jīng)經(jīng)過成形和沉積工序，并且，在該只讀光盤上，已經(jīng)將預(yù)定信息記錄為凹坑，而對凹坑的信息數(shù)據(jù)沒有任何影響。
也就是說，很難在信息數(shù)據(jù)已經(jīng)作為凹坑存在的信息記錄區(qū)域(內(nèi)容區(qū)域等)中記錄附加信息。
由于這個原因，以往提出的大多數(shù)的在只讀光盤上記錄諸如標(biāo)識碼的附加信息的方法，都是基于記錄是在內(nèi)容區(qū)域以外的區(qū)域進行的前提，或者采用以不同于用于主信號(使用從壓模轉(zhuǎn)印的凹坑和平臺記錄的信號)的記錄調(diào)制方法的方式記錄附加信息的方法。
但是，只讀光盤是基于下述前提從內(nèi)容區(qū)域以外的區(qū)域執(zhí)行讀取，附加信息數(shù)據(jù)具有信號輸出或者與主信號的調(diào)制模式不同的調(diào)制模式。因此，只能使用具有專用讀取功能的再現(xiàn)設(shè)備執(zhí)行讀取。這導(dǎo)致附加信息不能使用現(xiàn)有的再現(xiàn)設(shè)備進行讀取的情形，并且在這點上兼容性很差。
例如，由DVD-ROM標(biāo)準(zhǔn)定義的BCA (燒錄區(qū))記錄在與信息記錄區(qū)域不同的區(qū)域中,并且以與用于主信號的記錄調(diào)制方法不同的記錄調(diào)制方法記錄。為了這個目的，具有專用讀取功能的再現(xiàn)設(shè)備是必需的。
此外，上述專利文獻1描述了當(dāng)記錄附加信息時選擇不同于信息記錄區(qū)域的區(qū)域。
此夕卜，上述專利文獻2公開了來自現(xiàn)有的信息記錄區(qū)域的反射率
的差#:用來讀取記錄的附加信息的信號。在這種情況下，具有專用讀取功能的再現(xiàn)設(shè)備是必需的。
因此，本發(fā)明的目的在于讀取只讀光盤介質(zhì)中的這樣的信息而不
需要特殊的讀取設(shè)備在具有相同的記錄內(nèi)容的光盤基底在上述成形和沉積工序中被生產(chǎn)之后，該信息被附加地記錄在每個光盤上。本發(fā)明的目標(biāo)還在于更穩(wěn)定地、可靠地實現(xiàn)讀取。
#^據(jù)本發(fā)明的只讀光盤介質(zhì)的制造方法包括成形工序，用于根據(jù)第一調(diào)制信號在信息記錄表面上形成凹凸圖案；以及沉積工序，用于使用反射膜覆蓋該信息記錄表面，并且，該方法形成記錄軌道，在該記錄軌道中，凹凸形狀作為由凹坑和平臺(land)形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列設(shè)置。該制造方法包括用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序、以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序，其中，在附加信息記錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第一記錄數(shù)據(jù)序列在成形工序中由凹坑和平臺形成，上述標(biāo)記通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜來形成。第 一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上時，第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本上相等。
形成第一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法和形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
在用于形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本上相等。
在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本上相等。
此外，根據(jù)本發(fā)明的只讀光盤介質(zhì)的制造方法包括與上述工序相似的成形工序和沉積工序，并且形成記錄軌道，在該記錄軌道中，凹凸形狀作為由凹坑和平臺形成的第 一記錄數(shù)據(jù)序列設(shè)置。該制造方法包括用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序、以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序，其中，在附加信息記錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第一記錄數(shù)據(jù)序列在成形工序中由凹坑和平臺形成，上述標(biāo)記通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜來形成。第 一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上時，對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列
中最短凹坑或間隔(space)的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平基本上相等。
形成第一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法和形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
在形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本上相等。
在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將對應(yīng)于第一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本上相等。
此外，根椐本發(fā)明的只讀光盤介質(zhì)的制造方法包括與上述工序相似的成形工序和沉積工序，并且形成記錄軌道，在該記錄軌道中，凹
10凸形狀作為由凹坑和平臺形成的第 一記錄數(shù)據(jù)序列設(shè)置。該制造方法包括用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序、以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序，其中，在附加信息記錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第 一記錄數(shù)據(jù)序列在成形工序中由凹坑和平臺形成，上述標(biāo)記通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜來形成。第 一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上時，第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本上相等，并且對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平基本上相等。
形成第一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法和形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
在形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本上相等，并且將對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本上相等。
在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本上相等，并且將對應(yīng)于第一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本上相等。
根據(jù)本發(fā)明的只讀光盤介質(zhì)包括具有根據(jù)第 一調(diào)制信號形成的凹凸形狀的信息記錄表面、以及用于覆蓋信息記錄表面的反射膜，并且記錄軌道這樣被形成，使得凹凸形狀是由凹坑和平臺形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列。在其中設(shè)置由凹坑和平臺形成的第 一記錄數(shù)據(jù)序列的記錄軌道中，設(shè)置附加信息記錄區(qū)域，在該附加信息記錄區(qū)域中信息記
錄表面是平坦的。在該附加信息記錄區(qū)域中，第二記錄數(shù)據(jù)序列由通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜形成的標(biāo)記形成。在這種情況
下，當(dāng)激光被施加到第一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上時，第
一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列
中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本相等。
或者，當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上
時，對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中
間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振
幅的中間電平基本相等。
或者，當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上
時，第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本相等，并且對應(yīng)于第一記錄數(shù)據(jù)序列中最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平基本相等。
也就是說，在本發(fā)明中，在使用壓模批量生產(chǎn)光盤基底的階段中，在記錄軌道中將沒有形成凹坑和平臺的區(qū)域事先形成為附加信息記錄區(qū)域，在該記錄軌道中記錄數(shù)據(jù)序列由凹坑和平臺形成。金屬合金反射膜被設(shè)置在包括該附加信息記錄區(qū)域的信息記錄表面上。
隨后，通過形成通過擦除或減少金屬合金反射膜來形成標(biāo)記(在下文中稱為穿孔標(biāo)記)，在附加信息記錄區(qū)域中將附加信息記錄為第二記錄數(shù)據(jù)序列。
也就是說，附加信息被記錄在信息記錄區(qū)域中的記錄軌道的區(qū)域中(這樣的區(qū)域，其中，信息被記錄為凹坑和平臺的第一記錄數(shù)據(jù)序
列，并且該區(qū)域包含諸如內(nèi)容區(qū)域和導(dǎo)入?yún)^(qū)域(lead-in )的管理區(qū)域)。多種信息項可以被i人為是要被記錄為具有穿孔標(biāo)記的第二記錄數(shù)據(jù)序列的附加信息。例如，附加信息可以是每一個只讀光盤介質(zhì)的
12唯一的標(biāo)識碼，或者要被記錄在只讀光盤介質(zhì)上的主數(shù)據(jù)的一部分。 這里，當(dāng)凹坑和平臺的第一記錄數(shù)據(jù)序列(在下文中也稱為預(yù)制
凹坑(prepit)信號序列)和穿孔標(biāo)記的第二記錄數(shù)據(jù)序列(在下文 中也稱為穿孔標(biāo)記信號序列)以這種方式形成時，要求從預(yù)制凹坑信 號序列和穿孔標(biāo)記信號序列中都穩(wěn)定地讀出再現(xiàn)信號。
在對來自只讀光盤介質(zhì)的再現(xiàn)信號的檢測中，當(dāng)來自光電檢測器 的信號輸入到波形等化電路(waveform equalization circuit)以便處 理時，如果從預(yù)制凹坑序列讀出的預(yù)制凹坑信號的輸入電平和從穿孔 標(biāo)記信號序列讀出的穿孔標(biāo)記信號的輸入電平不同，那么輸出信號的 波形在信號之間的切換部分發(fā)生變形。
對輸出信號進行二值化的限制電平(slice level)被對應(yīng)于預(yù)制凹 坑信號序列中的最短的凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平(Isp ) 大大地影響。
在預(yù)制凹坑信號和穿孔標(biāo)記信號的信號電平中，由于兩種信號都 對應(yīng)于透鏡部分，所以再現(xiàn)信號振幅的最大電平可以被視為相等。但 是，根據(jù)形成凹坑和穿孔標(biāo)記的狀態(tài)，最小電平可以不同。也就是說， 假定作為預(yù)制凹坑信號的再現(xiàn)信號振幅的最小電平表示為Ibp并且作 為穿孔標(biāo)記信號的再現(xiàn)信號振幅的最小電平表示為Ibh，那么根據(jù)形 成預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記信號序列的狀態(tài)，Ibp和Ibh可以不 同。
因此，根據(jù)形成預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記信號序列的狀態(tài)， 對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中 間電平(Ish )和對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn) 信號振幅的中間電平(Isp)同樣地可以不同。
簡單來說，如果最小電平Ibp和Ibh非常不同，并且中間電平 Isp和Ish非常不同，那么在再現(xiàn)中不可能穩(wěn)定地實現(xiàn)信號處理。
因此，在本發(fā)明中，當(dāng)預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記信號序列使 用相同的讀取激光再現(xiàn)時，使得在預(yù)制凹坑信號序列中的再現(xiàn)信號振 幅的最小電平(Ibp)和在穿孔標(biāo)記信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平(Ibh)基本相等。
或者，當(dāng)預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記信號序列使用相同的讀取 激光再現(xiàn)時，使得對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再 現(xiàn)信號振幅的中間電平(Isp )和對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo) 記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平(Ish)基本相等。
或者，上述兩者都滿足。
根據(jù)本發(fā)明，附加信息數(shù)據(jù)作為穿孔標(biāo)記的第二記錄數(shù)據(jù)序列記 錄在信息記錄區(qū)域中的記錄軌道的一部分中。穿孔標(biāo)記的第二記錄數(shù) 據(jù)序列和預(yù)制凹坑的第 一記錄數(shù)據(jù)序列基于以相同的調(diào)制方法調(diào)制 的調(diào)制信號形成。此外，形成預(yù)制凹坑信號序列(第一記錄數(shù)據(jù)序列) 和穿孔標(biāo)記信號序列(第二記錄數(shù)據(jù)序列)，使得當(dāng)再現(xiàn)預(yù)制凹坑信 號序列和穿孔標(biāo)記信號序列時，在預(yù)制凹坑信號序列中的再現(xiàn)信號振 幅的最小電平(Ibp)和在穿孔標(biāo)記信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的最 小電平(Ibh)基本相等，或者使得對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最
短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平(Isp )和對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信 號序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平(Ish )基本相等。
從以上這些可以得出，本發(fā)明有以下優(yōu)點附加信息可以獨立地 記錄在只讀光盤介質(zhì)中；即使當(dāng)將信號從光電檢測器輸入到波形等化 電路時，在預(yù)制凹坑信號和穿孔標(biāo)記信號之間的切換部分處也不會產(chǎn) 生波形變形；即使當(dāng)穿孔標(biāo)記信號通過由預(yù)制凹坑信號確定的限制電 平進行二值化時，也可以實現(xiàn)良好的信號檢測；以及，從而可以在沒 有具有特殊讀取功能的再現(xiàn)設(shè)備的情況下，也可以穩(wěn)定并可靠地再現(xiàn) 包含附加信息的信息。


，\
圖1圖1是示出根據(jù)本發(fā)^"W施例的光盤制造工序的說明圖。
圖2圖2是根據(jù)該實施例的只讀光盤的平面圖。
圖3圖3包括該實施例的只讀光盤的局部放大圖和示例性橫
14截面圖。
圖4圖4包括該實施例的只讀光盤的局部放大圖和示例性橫 截面圖。
圖5圖5包括在記錄附加信息之前該實施例的只讀光盤的局
部放大圖和示例性橫截面圖。
圖6圖6是在該實施例的只讀光盤中使用附加信息記錄區(qū)域
的SEM照片的"^兌明圖。
圖7圖7是再現(xiàn)信號的眼睛模式的說明圖。
圖8圖8是示出在該實施例中的再現(xiàn)信號的波形的說明圖。
圖9圖9是示出凹坑深度和調(diào)制度之間關(guān)系的說明圖。
圖10圖IO是示出與凹坑寬度相應(yīng)的調(diào)制度的變化的說明圖。
圖11圖11是示出在該實施例中穿孔標(biāo)記長度和記錄激光功
率之間關(guān)系的說明圖。
圖12圖12是示出在該實施例中穿孔標(biāo)記寬度和記錄激光功
率之間關(guān)系的說明圖。
圖13圖13是示出在根據(jù)該實施例的一個實驗中記錄激光脈
沖的說明圖。
圖14圖14是示出在該實施例中的穿孔標(biāo)記的長度和寬度的 說明圖。
具體實施例方式
下面將描述本發(fā)明的一個實施例。在本實施例中，將給出一個例 子，其中根據(jù)本發(fā)明的只讀光盤介質(zhì)是DVD型只讀光盤。
首先，將參考圖l描述根據(jù)本實施例的用于制造只讀光盤90的工序。
圖1示出根據(jù)本實施例的用于制造充當(dāng)DVD的只讀光盤的工 序。如圖所示，本實施例的光盤制造工序大致包括母盤制作工序， 用于使用激光束生產(chǎn)光盤母盤；成形和沉積工序，用于使用從光盤母 盤生產(chǎn)的壓模生產(chǎn)多個光盤基底并在光盤基底上形成膜；粘結(jié)工序，用于使用具有預(yù)定厚度的粘合劑將一對具有0.6mm厚度的兩個光盤 粘結(jié)在一起以便形成具有1.2mm厚度的光盤；以及附加寫入工序，用 于將諸如標(biāo)識信息的附加信息記錄在每個粘結(jié)光盤上。 將描述這些工序。
母盤制作工序是基于記錄在主盤(master disc) 91上的信息生 產(chǎn)光盤母盤92的工序。在本工序中，使用包含記錄調(diào)制信號產(chǎn)生單 元100和激光束記錄器110的母盤裝置。
記錄調(diào)制信號產(chǎn)生單元100讀取要通過再現(xiàn)主盤91記錄的信息 數(shù)據(jù)，對讀取的信息數(shù)據(jù)的信號進行EFM+ (八到十四調(diào)制脈沖)調(diào) 制，并將產(chǎn)生的EFM+信號輸出到激光束記錄器110。
光盤母盤92是涂敷有充當(dāng)光敏材料的光致抗蝕劑的玻璃板。光 致抗蝕劑的涂敷厚度對應(yīng)于凹坑的深度。為了改變凹坑的深度，只需 要改變光致抗蝕劑的涂敷厚度即可。激光束記錄器110根據(jù)提供的 EFM+信號在光盤母盤92上施加激光，并且基于EFM+信號使用凹坑 圖案執(zhí)行曝光。凹坑的寬度和長度可以通過曝光期間的激光束的強度 和曝光時間來調(diào)整。其后，當(dāng)光致抗蝕劑膜顯影并且光致抗蝕劑是正 抗蝕劑時，曝光部分被熔化并使凹凸圖案成形在光致抗蝕劑膜中，并 且在光盤母盤92的表面上形成符合預(yù)定格式的凹坑圖案(具有凹坑 和平臺的凹凸圖案)。
當(dāng)記錄調(diào)制信號產(chǎn)生單元100基于從主盤91讀出的信號產(chǎn)生 EFM+信號的時候，如上所述，其根據(jù)來自附加寫入管理單元160的 指令將未調(diào)制的信號插入到EFM+信號的特定期間。
在未調(diào)制信號的定時期間中，在激光束記錄器110中激光處于關(guān) 閉(off)狀態(tài)。換句話說，未調(diào)制的信號被插入到EFM+信號中，由 此在光盤母盤92上形成未曝光部分。所有這些部分都充當(dāng)作為沒有 凹凸形狀的區(qū)域的平臺，這些區(qū)域成為將在下面描述的附加信息記錄 區(qū)域。
基于該光盤母盤92生產(chǎn)稱為壓模93的模子，光盤母盤92的凹 坑圖案被反轉(zhuǎn)印在壓模93上。當(dāng)然，壓模93也設(shè)置有附加信息記錄區(qū)域。
接著，在成形和沉積工序中，首先，成形裝置120使用壓模93 生產(chǎn)光盤基底94。在光盤母盤92上形成的凹凸圖案被轉(zhuǎn)印到光盤基 底94上，以便形成凹坑圖案(預(yù)制凹坑信號序列)。
作為用于生產(chǎn)光盤基底94的方法，已知有壓縮模制、注入模制、 光固化等方法。
隨后，諸如反射膜的涂層膜被沉積于沉積裝置130中的光盤基底 94上，由此生產(chǎn)出具有反射膜的光盤基底95，其中，凹坑圖案從壓 模93轉(zhuǎn)印在光盤基底94上。
接著，在粘結(jié)工序中，具有反射膜的光盤基底95與粘結(jié)基底96 被粘結(jié)在一起。
作為粘結(jié)基底96，使用在與上述工序相似的工序中生產(chǎn)的具有 反射膜的光盤基底、具有半透射反射膜(transflective film )的光盤基 底或者沒有涂敷反射膜的偽光盤基底(dummy optical disc substate )。
基底粘結(jié)裝置140將上述任何粘結(jié)基底96粘結(jié)到具有反射膜的 光盤基底95以便生產(chǎn)粘結(jié)的光盤97。
作為粘結(jié)中的附著方法，已知有使用紫外線固化樹脂的方法、使 用具有粘合劑的薄片的方法等。
在常規(guī)DVD的情況下，上述粘結(jié)的光盤97是作為成品的DVD。 但是，在本實施例中，如上所述，在記錄軌道的一部分中設(shè)置附加信 息記錄區(qū)域，在附加信息記錄區(qū)域中沒有設(shè)置凹坑圖案，在記錄軌道 上設(shè)置有凹坑圖案。
因此，附加寫入工序是在粘結(jié)的光盤97上進行的。在附加寫入 工序中，附加信息記錄裝置150將附加信息寫入粘結(jié)的光盤97上的 附加信息記錄區(qū)域中。例如，在光盤之中不同的標(biāo)識信息被作為附加 信息寫入。
附加信息記錄裝置150由附加寫入管理單元160指示關(guān)于附加信 息記錄區(qū)域的位置信息(地址)，也被提供有要寫入的附加信息，并 且寫入該附加信息。
17在這種情況下，附加信息記錄裝置150通過對附加信息進行 EFM+調(diào)制、根據(jù)EFM+信號施加用于記錄的高功率激光脈沖、并擦 除或減少在附加信息記錄區(qū)域中的反射膜以形成穿孔標(biāo)記，來執(zhí)行寫 入。
穿孔標(biāo)記的寬度和長度可以通過改變記錄激光的輸出和發(fā)光時 間來調(diào)整。例如，在記錄前，事先測量預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號 振幅的最小電平Ibp和對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔 的再現(xiàn)信號振幅的中間電平Isp。然后，可以調(diào)整記錄激光的輸出和 發(fā)光時間，從而使得穿孔標(biāo)記信號序列的再現(xiàn)信號振幅的最小電平 Ibh與上述最小電平Ibp基本相等，或者可以調(diào)整記錄激光的輸出或 發(fā)光時間，從而使得對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo)記或間隔的 再現(xiàn)信號振幅的中間電平Ish與上述中間電平Isp基本相等。
當(dāng)這一附加寫入工序完成時，只讀光盤90的制造完成。在上述 工序中批量生產(chǎn)的只讀光盤卯可以是其上記錄有相同內(nèi)容(音樂、 圖片、游戲、應(yīng)用程序等)的光盤，并且每一張光盤都具有對其唯一 的附加信息。
下面將描述以上述方式制造的本實施例的只讀光盤90 ( DVD )。
圖2是只讀光盤90的平面圖。只讀光盤90是直徑為12cm的光 盤，并且其在箭頭示出的半徑范圍內(nèi)的區(qū)域充當(dāng)信息記錄區(qū)域1。這 一信息記錄區(qū)域1是其中設(shè)置有作為例如螺旋記錄軌道的基于EFM+ 信號由凹坑/平臺形成的記錄數(shù)據(jù)序列的區(qū)域，并且該區(qū)域包括記錄管 理信息的導(dǎo)入?yún)^(qū)域、記錄內(nèi)容數(shù)據(jù)的內(nèi)容區(qū)域、導(dǎo)出區(qū)域等。
圖3和圖4是圖2中示出的信息記錄區(qū)域l的區(qū)域AR1和區(qū)域 AR2的局部放大圖和示例性橫截面圖。
在區(qū)域AR1中，產(chǎn)生充當(dāng)凹坑和平臺的記錄數(shù)據(jù)序列的通常記 錄軌道。區(qū)域AR2包括其中設(shè)置有穿孔凹坑的附加信息記錄區(qū)域。
圖3 ( a )是區(qū)域AR1的放大圖，圖3 ( b )是圖3 ( a )中由虛 線示出的部分的示例性橫截面圖。
圖3 (a)示出其中設(shè)置有充當(dāng)凹坑2和平臺3的記錄數(shù)據(jù)序列
18的圖案的狀態(tài)。
如圖3(b)所示，通過使用粘合劑5 (例如，紫外線固化樹脂或 粘合劑片)將具有反射膜的光盤基底95與粘結(jié)基底(偽光盤基底) 96粘結(jié)，只讀光盤90被賦予1.2mm的厚度，例如，光盤基底95和 粘結(jié)基底96中的每一個都由聚碳酸酯形成并具有0.6mm的厚度。
在這種情況下，具有反射膜的光盤基底95的一個主平面充當(dāng)信 息記錄表面LO。記錄數(shù)據(jù)序列(預(yù)制凹坑信號序列)在信息記錄表 面LO上祐 沒置為具有凹坑2和平臺(間隔)3的凹凸圖案。此外， 在凹坑2和平臺3的表面上設(shè)置反射膜4。
可以反轉(zhuǎn)凹坑2和平臺3的凹凸關(guān)系。
在圖3(b)中，要與具有反射膜的光盤基底95粘結(jié)的粘結(jié)基底 96是偽光盤基底(沒有涂敷反射膜的盤基底)。但是，如上所述，具 有反射膜的光盤基底或者具有半透射反射膜的光盤基底可以用作粘 結(jié)基底96。
雖然粘合劑5通常透射光，但是根據(jù)結(jié)構(gòu)其不必一定透射光。當(dāng) 粘結(jié)到具有反射膜的光盤基底95的粘結(jié)基底96具有反射膜或半透射 反射膜時，其上設(shè)置有反射膜或半透射反射膜的表面充當(dāng)粘結(jié)表面。
接下來，圖4(a)是圖2中的區(qū)域AR2的放大圖，并且圖4(b) 是圖4 (a)中由虛線示出的部分的示例性橫截面圖。
如圖4(a)所示，某個軌道的一部分充當(dāng)附加信息記錄區(qū)域IO。 在附加信息記錄區(qū)域10中，設(shè)置由在上述附加寫入工序中形成的穿 孔標(biāo)記6形成的記錄數(shù)據(jù)序列(穿孔標(biāo)記信號序列)。換句話說，附 加信息作為由穿孔標(biāo)記6形成的記錄數(shù)據(jù)序列4皮記錄。由凹坑2和平 臺3形成的記錄數(shù)據(jù)序列沿著軌道線方向設(shè)置在附加信息記錄區(qū)域10 的前后。此外，在與附加信息記錄區(qū)域IO相鄰的軌道中，也設(shè)置凹 坑2和平臺3的記錄數(shù)據(jù)序列。
如圖4 (b)所示，雖然區(qū)域AR2的基本層結(jié)構(gòu)與圖3(b)所示 相似，但是穿孔標(biāo)記6設(shè)置在信息記錄表面LO的部分上。換句話說， 穿孔標(biāo)記6以這樣的方式形成，使得金屬合金反射膜4被擦除或減少并且?guī)缀醪淮嬖凇?br> 圖5U)和圖5(b)示出對應(yīng)于圖4(a)和圖4(b)的在上 述附加寫入工序中附加信息被記錄前的狀態(tài)。
如圖5 (a)所示，附加信息記錄區(qū)域10是充當(dāng)其中沒有形成具 有凹坑2和平臺3的凹凸圖案的未調(diào)制部分的區(qū)域。由圖5 (b)顯然 可知，附加信息記錄區(qū)域10與平臺3處于同一平面，并且被反射膜4 覆蓋從而形成所謂的透鏡部分。
在附加寫入工序中，附加信息記錄在附加信息記錄區(qū)域IO中。
也就是說，上述附加信息記錄裝置150被準(zhǔn)備作為使用例如高功 率紅色半導(dǎo)體激光的專用記錄裝置，該附加信息記錄裝置150具有例 如通過DVD (微分相位檢測)跟蹤信息記錄區(qū)域1中的凹坑序列的功 能以及發(fā)射用于在所需部分中記錄的高功率激光脈沖的功能，并且， 如圖4所示，該附加信息記錄裝置150在圖5 (a)所示的狀態(tài)中在附 加信息記錄區(qū)域10中執(zhí)行記錄從而形成穿孔標(biāo)記6。在這種情況下， 發(fā)光模式使用EFM+信號以與對應(yīng)于信息記錄區(qū)域中的凹坑序列的調(diào) 制方法相同的調(diào)制方法進行調(diào)制。
圖6示出這樣的樣品在該樣品中，通過入射高功率激光來形成 穿孔標(biāo)記6，以l更在只讀光盤90上的附加信息記錄區(qū)域10中記錄附 加信息。這是其中形成穿孔標(biāo)記6的附加信息記錄區(qū)域10的SEM(掃 描電子顯微鏡)觀測照片。
在SEM觀測中，具有反射膜的光盤基底95在粘結(jié)表面處從粘 結(jié)基底96 (偽光盤基底)被剝離，并且當(dāng)電子束入射在反射膜被暴露 的部分上時進行觀測。作為反射膜4，使用采用Al作為基礎(chǔ)合金的包 含大約1原子％的Fe和大約5原子％的Ti的Al合金。
如圖6所示，在附加信息記錄區(qū)域10中設(shè)置的金屬合金反射膜 根據(jù)附加信息的調(diào)制信號被擦除或減少，由此形成橢圓形孔，并且很 好地形成對應(yīng)于凹坑的穿孔標(biāo)記6。
當(dāng)然，為了將本實施例的該只讀光盤卯作為 使用，只讀 光盤90必須是符合DVD標(biāo)準(zhǔn)的盤。也就是說，由穿孔標(biāo)記6形成記錄數(shù)據(jù)序列的部分也必須符合DVD標(biāo)準(zhǔn)。
為了這個目的，具有穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列必須至少滿足下 列條件
由穿孔標(biāo)記6形成的記錄數(shù)據(jù)序列滿足游程長度(run-length )限制。
穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列的反射率符合DVD標(biāo)準(zhǔn)。 穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列的再現(xiàn)信號調(diào)制度符合DVD標(biāo)準(zhǔn)。 穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列的再現(xiàn)信號不對稱性符合DVD標(biāo)準(zhǔn)。
穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列的抖動值(jitter value)符合DVD標(biāo)準(zhǔn)。
首先，由穿孔標(biāo)記6形成的記錄數(shù)據(jù)序列滿足DVD游程長度限 制的事實必須提供有3T到14T (T表示通道時鐘周期)的穿孔標(biāo)記 和平臺的圖案。為了這個目的，以與在凹坑和平臺的記錄數(shù)據(jù)序列的 通常形成中采用的方式相同的方式將附加信息調(diào)制成EFM+信號中， 基于EFM+信號形成穿孔標(biāo)記6，并且在與附加信息記錄區(qū)域前后的 凹坑序列的關(guān)系滿足游程長度限制。
這里，穿孔標(biāo)記6是通過擦除或減少反射膜來形成的部分，并且 穿孔標(biāo)記6之間的間隔(平臺)是正常地留有反射膜的部分?；旧希?穿孔標(biāo)記6之間的間隔具有與凹坑2和平臺3的記錄數(shù)據(jù)序列中平臺 3的膜厚度相似的膜厚度。因此，可以在預(yù)制凹坑部分和穿孔標(biāo)記處 獲得再現(xiàn)信號振幅的幾乎同一最大電平，即，114H。
在DVD標(biāo)準(zhǔn)中，調(diào)制度規(guī)定為如下
I14/I14H ^ 0.60
13/114 ^ 0.15 (在單層光盤的情況下)
13/114 ^ 0.20 (在雙層光盤的情況下)
此外，在DVD標(biāo)準(zhǔn)中，不對稱性規(guī)定如下
-0.05 ^ {(I14H + I14L)/2 — (BH+I3L)/2}/I14 S 0.15
圖7是再現(xiàn)信號的眼睛模式的示意圖。114是14T模式的最高到最低的振幅電平，114H是14T模式的峰值電平，114L是14T模式的 最低電平，13是3T模式的最高到最低的振幅電平，13H是3T模式的 峰值電平，13L是3T模式的最低電平。
因此，預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號振幅的最小電平Ibp和穿孔 標(biāo)記信號序列的再現(xiàn)信號振幅的最小電平Ibh分別對應(yīng)于預(yù)制凹坑信 號的114L和穿孔標(biāo)記信號的114L。
此外，對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號 振幅的中間電平Isp和對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo)記或間隔 的再現(xiàn)信號振幅的中間電平Ish分別對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號的 (I3H+I3L)/2和穿孔標(biāo)記信號的(I3H+I3L)/2。
圖8示例性地示出對應(yīng)于來自光電檢測器的信號的在凹坑2和平 臺3的記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅和在穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序 列中的再現(xiàn)信號振幅。根據(jù)本實施例的只讀光盤介質(zhì)制造方法，如圖 10所示，可以從凹坑2和平臺3的記錄數(shù)據(jù)序列和穿孔標(biāo)i己6的記錄 數(shù)據(jù)序列獲得基本相等的電平I14H、 114L、 13H和I3L，并且可以滿 足上述調(diào)制度和不對稱性的標(biāo)準(zhǔn)。在再現(xiàn)設(shè)備中，即使當(dāng)來自光電檢 測器的信號被輸入到波形等化電路中，在預(yù)制凹坑信號和穿孔標(biāo)記信 號之間的切換部分中也不會導(dǎo)致波形變形。此外，即使當(dāng)穿孔標(biāo)記信 號通過由預(yù)制凹坑信號確定的限制電平進行二值化，也可以很好地實 現(xiàn)信號檢測。
作為再現(xiàn)信號振幅的I14H、 114L、 13H和13L獲得基本相等的 電平的事實意味著，在預(yù)制凹坑信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電 平(Ibp )和在穿孔標(biāo)記信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平(Ibh ) 基本相等，并且，對應(yīng)于預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再 現(xiàn)信號振幅的中間電平(Isp )和對應(yīng)于穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo) 記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平(Ish)基本相等。對基本相等的 電平的測量如下
對于基本相等的電平，穿孔標(biāo)記信號序列的指數(shù)值(用于調(diào)制度 的最小電平Ibh和用于不對稱性的中間電平Ish)只需要在預(yù)制凹坑信號序列的指數(shù)值(用于調(diào)制度的最小電平Ibp、和用于不對稱性的
中間電平Isp)的±15%內(nèi)。
也就是說，眾所周知，在下列情況中，作為適當(dāng)?shù)男盘栐佻F(xiàn)可以 獲得期望的效果
|(Ibp-Ibh)/Ibp| < 0.15
|(Isp-Ish)/Isp| < 0.15
對于抖動值(對于通道位時鐘時間)，記錄數(shù)據(jù)序列只需要由穿 孔標(biāo)記6來形成，從而使抖動值小于或等于8.0%。
這里，將給出對在制造的過程中實現(xiàn)的調(diào)整方法的描述，該調(diào)整 方法使得預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記信號序列的調(diào)制度和不對稱 性基本相等。
首先，如上所述，為了穩(wěn)定地讀出預(yù)制凹坑信號序列和穿孔標(biāo)記 信號序列，這些信號序列的再現(xiàn)信號調(diào)制度需要基本相等。
對于穿孔標(biāo)記信號序列的再現(xiàn)信號強度，根據(jù)再現(xiàn)原理(反射率 差再現(xiàn))和記錄標(biāo)記產(chǎn)生原理(通過加熱融化膜)調(diào)制度很難大于或 等于85%。因此，在預(yù)制凹坑信號序列中不能設(shè)置大大不同于85% 的再現(xiàn)信號調(diào)制度。為了這個目的，優(yōu)選的是，預(yù)制凹坑信號序列的 再現(xiàn)信號調(diào)制度小于或等于90%。
此外，為了穩(wěn)定地讀出在SNR(信噪比)良好的狀態(tài)中的預(yù)制 凹坑信號序列，優(yōu)選的是，預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號調(diào)制度大于 或等于80%。
因此，優(yōu)選的是，預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號調(diào)制度大于或等 于80%并且小于或等于90%。因此，在需要基本相等的信號的穿孔 標(biāo)記信號序列中，再現(xiàn)信號調(diào)制度大于或等于80。/。并且小于或等于 90%也是優(yōu)選的。
在母盤制作工序中調(diào)整預(yù)制凹坑信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的 調(diào)制度和不對稱性。作為用于調(diào)整預(yù)制凹坑信號序列中的調(diào)制度的方 法，可以想到使用光致抗蝕劑的涂層厚度的上述方法、在曝光母盤期 間的激光束強度、和激光束發(fā)射時間(曝光時間)。
23圖9示出施加到光盤母盤92上的抗蝕劑的厚度(即，只讀光盤 90沖的凹坑深度)與調(diào)制度之間的關(guān)系。對于基底的折射率n和再現(xiàn) 激光的波長X,在X/4n和3X/4n時，再現(xiàn)信號調(diào)制度最大(Mmax)。
這里，為了使該調(diào)制度基本上等于穿孔標(biāo)記信號序列的調(diào)制度， 如上所述，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置預(yù)制凹坑信號序列的調(diào)制度以便輕易地與穿孔 標(biāo)記信號序列的調(diào)制度匹配。
假定圖9中的調(diào)制度Ml是大于或等于80%并且小于或等于 90%的期望的調(diào)制度， 一種調(diào)整方法是在該圖中的dl處設(shè)置在母盤 制作工序中施加在光盤母盤上的抗蝕劑的厚度。
根據(jù)在母盤曝光期間的激光束強度，凹坑寬度是可調(diào)的。這里， 將考慮只讀光盤90的再現(xiàn)。圖10 (a)示出用于再現(xiàn)的激光光點SP 和凹坑3。
眾所周知，在預(yù)制凹坑信號序列中，當(dāng)激光光點SP這樣施加到 凹坑3時，反射光的強度根據(jù)來自區(qū)域A (凹坑部分)的反射光(圖 10 (b)中的LA)與來自區(qū)域B (凹坑外)的反射光(圖10 (b)中 的LB)之間的相差而不同。
當(dāng)凹坑寬度Wp改變時，區(qū)域A和區(qū)域B之間的面積比也改變。 在這種情況下，互相干涉的反射光LA和反射光LB之間的光量比改 變。結(jié)果，再現(xiàn)信號調(diào)制度改變。
換句話說，在母盤制作工序中用于母盤曝光的激光束強度的調(diào)整 和設(shè)置以及凹坑寬度的適當(dāng)設(shè)置也是用于調(diào)整預(yù)制凹坑信號序列的 調(diào)制度的方法。
此外，可以通過根據(jù)在母盤曝光期間的激光束發(fā)射時間(曝光時 間)來孩i調(diào)凹坑長度，從而進4亍調(diào)整。
例如，凹坑長度本身定義為3T到14T，并且激光發(fā)射時間根據(jù) T的每個凹坑長度來設(shè)置。通過微調(diào)對T的每個凹坑長度的激光發(fā)射 時間，T的凹坑長度可以輕微地增加或減少。
也就是說，在只讀光盤90的階段，凹坑2的邊緣位置被微調(diào)。
當(dāng)凹坑2具有短T(例如，大約3T到6T)時，凹坑2的邊緣位置的調(diào)整對應(yīng)于再現(xiàn)信號的DC電平的調(diào)整。具有短T的凹坑是指振 幅沒有達到最大振幅的凹坑(例如圖7中的114)。
因此，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置激光束發(fā)射時間(曝光時間)也是用于調(diào)整預(yù) 制凹坑信號序列的調(diào)制度的方法。
雖然上文描述了預(yù)制凹坑信號序列的調(diào)制度的調(diào)整，但是從調(diào)整 最大振幅和最小振幅之間的電平的不對稱性的觀點來看，也可以使用 相似的方法。
只需執(zhí)行上述預(yù)制凹坑信號序列的調(diào)整，以便使穿孔標(biāo)記信號序 列的調(diào)制度和不對稱性可以輕易地匹配預(yù)制凹坑信號序列的調(diào)制度 和不對稱性。
接下來，將描述用于穿孔標(biāo)記信號序列的調(diào)整方法。
雖然穿孔標(biāo)記信號序列在附加寫入工序中被記錄，但是穿孔標(biāo)記 6的寬度和長度可以通過改變從附加信息記錄裝置150輸出的記錄激 光和發(fā)光時間來調(diào)整。
圖11和圖12示出用于形成穿孔標(biāo)記6的記錄激光功率與穿孔標(biāo) 記6的寬度和長度之間的檢查得到的關(guān)系。
穿孔標(biāo)記6的寬度Wh和長度Lh對應(yīng)于在圖14中示出的部分 的尺寸。寬度Wh (n)和長度Lh (n)表示nT標(biāo)記的寬度和長度。
圖11 (a)示出記錄激光功率和3T標(biāo)記的長度Lh (3)之間的 關(guān)系，圖11 (b)示出記錄激光功率和11T標(biāo)記的長度Lh (11)之 間的關(guān)系。
圖12 (a)示出記錄激光功率和3T標(biāo)記的寬度Wh (3)之間的 關(guān)系，圖12 (b)示出記錄激光功率和IIT標(biāo)記的寬度Wh (11)之 間的關(guān)系。
在這一測量中，如圖13所示，記錄激光使用[n-2]型記錄補償模 式發(fā)射。在這種模式中，具有3T的長度的穿孔標(biāo)記6由一個脈沖記 錄，具有11T的長度的穿孔標(biāo)記6由九個脈沖記錄。較好的是，脈沖 之間的3巨離比T短。
如圖11和圖12所示，在3T標(biāo)記和11T標(biāo)^己中，穿孔標(biāo)記6的
25寬度和長度可以通過記錄激光功率控制。
雖然在本實驗中通過如圖13所示固定脈沖發(fā)射時間并改變記錄 激光功率來獲得在圖11和圖12中示出的穿孔標(biāo)記的寬度和長度的關(guān) 系，但是光能量量改變，并且通過改變脈沖發(fā)射時間可以控制穿孔標(biāo) 記的寬度和長度。在這種情況下，關(guān)系曲線圖與圖ll和圖12中示出 的關(guān)系曲線圖不同，但是通過記錄激光功率和脈沖發(fā)射時間可以控制 穿孔標(biāo)記6的寬度和長度。
由于穿孔標(biāo)記6的寬度和長度可以以這種方式控制，因此可以調(diào) 整穿孔標(biāo)記信號序列的調(diào)制度和不對稱性。
首先考慮穿孔標(biāo)記6的寬度Wh。來自穿孔標(biāo)記信號序列的信號 再現(xiàn)是基于反射光量之差。也就是說，再現(xiàn)信號振幅是通過基于標(biāo)記 部分和間隔部分之間的反射率的差的反射光量之差來獲得的。隨著穿 孔標(biāo)記6的寬度Wh增加，調(diào)制度也增加。
此外，例如，在3T到6T標(biāo)記的情況下，再現(xiàn)信號的DC電平 可以通過微調(diào)穿孔標(biāo)記6的長度Lh來調(diào)整，與上述預(yù)制凹坑信號序 列相似。
因此，通過"&置用于在附加寫入工序中記錄穿孔標(biāo)記信號序列的 記錄激光功率，可以使在穿孔標(biāo)記信號序列中的再現(xiàn)信號的調(diào)制度和 不對稱性與預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號的調(diào)制度和不對稱性基本 上一致。
也就是說，在本實施例中，例如，首先，在母盤制作工序中，要 形成的預(yù)制凹坑信號序列的再現(xiàn)信號振幅的最小電平Ibp和對應(yīng)于預(yù) 制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平Isp 在穿孔標(biāo)記信號序列中被設(shè)置為可調(diào)的。具體地說，施加在光盤母盤 92上的抗蝕劑的厚度、以及激光束記錄器110的記錄激光功率和發(fā)光 時間被適當(dāng)?shù)卦O(shè)置。
在成形和沉積工序中，基于使用這種設(shè)置形成的光盤母盤92生 產(chǎn)具有反射膜的光盤基底95。此外，在粘結(jié)工序中，生產(chǎn)粘結(jié)的光盤 97。在附加寫入工序中，穿孔標(biāo)記信號序列被記錄在粘結(jié)的光盤97 上。在這種情況下，附加信息記錄裝置150的記錄激光功率和發(fā)光時 間-陂調(diào)整。
結(jié)果，可以制作這樣的只讀光盤90，在該只讀光盤卯中，在預(yù) 制凹坑信號序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平Ibp和在穿孔標(biāo)記信號 序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平Ibh基本上一致，并且，在該只讀 光盤90中，對應(yīng)于在預(yù)制凹坑信號序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn) 信號振幅的中間電平Isp和對應(yīng)于在穿孔標(biāo)記信號序列中的最短標(biāo)記 或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平Ish基本上一致。
下面將給出實驗結(jié)果的描述，該實驗結(jié)果證明，在附加信息作為 穿孔標(biāo)記6的記錄數(shù)據(jù)序列被記錄在充當(dāng)由本實施例的只讀光盤介質(zhì) 制造方法制造的只讀光盤90的DVD上以后，在不需要具有特殊讀取 功能的再現(xiàn)i殳備的情況下，可以從DVD中檢測信號。
在這些實驗中，準(zhǔn)備在內(nèi)容區(qū)域中具有多個附加信息記錄區(qū)域 10的光盤基底，在該光盤基底上形成具有與圖6中使用的Al合金膜 的組成不同的組成的大約35nm的Al合金膜，并且該光盤基底粘結(jié)到 偽光盤基底上，從而制造只讀DVD。
在軌道線方向上的附加信息記錄區(qū)域10的長度X (參見圖4) 設(shè)置為大約4(Him。
接著，在考慮到在每個附加信息記錄區(qū)域10前后的凹坑序列的 信息數(shù)據(jù)的情況下，在所有的多個附加信息記錄區(qū)域10中附加信息 由穿孔標(biāo)記6形成，從而在檢測再現(xiàn)信號后正確地解碼EFM+信號。 作為用于形成穿孔標(biāo)記6的附加信息記錄裝置150，使用設(shè)置有650nm 波長并且包含具有0.60的NA的物鏡的光學(xué)系統(tǒng)的高輸出激光寫入 器。
如果將附加信息記錄到附加信息記錄區(qū)域10中沒有成功，則例 如，當(dāng)在預(yù)制凹坑信號和穿孔標(biāo)記信號之間114L(信號振幅的最小電 平)基本上不相等，并且/或者在預(yù)制凹坑信號和穿孔標(biāo)記信號之間 (I3H/+I3L)/2 (即，對應(yīng)于最,豆凹》亢(標(biāo)記)/間隔的再SH信號的中間電平)基本上不相等時，由于波形等化導(dǎo)致的穿孔標(biāo)記的變形和由于 限制電平的移位導(dǎo)致的檢測到的二進制信號的變化，導(dǎo)致解碼錯誤增 加。
<實驗例1>
準(zhǔn)備一種只讀光盤90 (DVD),在該只讀光盤卯中，在盤表面 上，使用從64mW的附加信息記錄裝置150輸出的激光在附加信息記 錄區(qū)域10中執(zhí)行記錄。
在這種情況下，準(zhǔn)備分別由七家制造商生產(chǎn)的市售的DVD播》文 器，并且進行再現(xiàn)測試。結(jié)果，在所有七個模型中都發(fā)生解碼錯誤， 并且不可能再現(xiàn)。在這種情況下，穿孔標(biāo)記信號的I14L大于預(yù)制凹 坑信號的114L，穿孔標(biāo)記信號的(I3H/十I3L)/2也大于預(yù)制凹坑信號的 (I3H/+I3L)/2，并且這些值不同。
<實驗例2>
首先，準(zhǔn)備一種只讀光盤90 (DVD)，在該只讀光盤90中，在 盤表面上，使用從66mW的附加信息記錄裝置150輸出的激光在附加 信息記錄區(qū)域10中執(zhí)行記錄。
接著，準(zhǔn)備分別由七家制造商生產(chǎn)的市售的DVD播放器，并且 進行再現(xiàn)測試。結(jié)果，五個模型可以讀出附加信息，但是在兩個模型 中發(fā)生讀取錯誤并且不能進行再現(xiàn)。在這種情況下，穿孔標(biāo)記信號的 I14L稍大于預(yù)制凹坑信號的I14L,并且穿孔標(biāo)記信號(I3H/十I3L)/2 也大于預(yù)制凹坑信號的(1311/+131^/2，但是這些差小于實驗例1中的 差。
<實驗例3>
準(zhǔn)備一種只讀光盤卯(DVD)，在該只讀光盤90中，在盤表面 上，使用從68mW的附加信息記錄裝置150輸出的激光在附加信息記 錄區(qū)域IO中執(zhí)行記錄。
準(zhǔn)備分別由七家制造商生產(chǎn)的市售的DVD播放器，并且進行再 現(xiàn)測試。結(jié)果，在所有七個模型中都可以讀出附加信息，而沒有導(dǎo)致 任何的解碼錯誤。<實驗例4>
準(zhǔn)備一種只讀光盤90 (DVD)，在該只讀光盤卯中，在盤表面 上，使用從73mW的附加信息記錄裝置150輸出的激光在附加信息記 錄區(qū)域10中執(zhí)行記錄。
然后，準(zhǔn)備分別由七家制造商生產(chǎn)的市售的DVD播放器，并且 進行再現(xiàn)測試。結(jié)果，在所有七個模型中都可以讀出附加信息，而沒 有導(dǎo)致任何的解碼錯誤。
從上述結(jié)果證明了 ，當(dāng)通過使用在實驗例3和實驗例4中輸出的 適當(dāng)?shù)募す庥涗洿┛讟?biāo)記6來記錄附加信息時，本實施例的只讀光盤 卯可以使用普通的市售的DVD播放器來再現(xiàn)，而不需要特殊的讀取 設(shè)備。
如上所述，雖然本文描述了調(diào)整用于產(chǎn)生穿孔標(biāo)記6的記錄條件 的情況，但是調(diào)整預(yù)制凹坑信號序列中的凹坑2的深度和寬度也是有 效的。
權(quán)利要求
1.一種只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括用于根據(jù)第一調(diào)制信號在信息記錄表面上形成凹凸形狀的成形工序、以及用于使用反射膜覆蓋該信息記錄表面的沉積工序，并且，其特征在于形成記錄軌道，在該記錄軌道中凹凸形狀作為由凹坑和平臺形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列設(shè)置，其中，該制造方法包括用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序，在附加信息記錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第一記錄數(shù)據(jù)序列在成形工序中由凹坑和平臺形成；以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序，所述標(biāo)記是通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜來形成的，并且其中，第一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上時，第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本相等。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，形成第一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法與形成第二記錄數(shù)據(jù) 序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反 射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將在第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信 號振幅的最小電平和在第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小 電平調(diào)整為基本相等。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將在第一記錄數(shù) 據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和在第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本相等。
5. —種只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括用于根據(jù)第 一調(diào)制信號在信息記錄表面上形成凹凸形狀的成形工序、以及用于使 用反射膜覆蓋該信息記錄表面的沉積工序，并且，其特征在于形成記 錄軌道，在該記錄軌道中凹凸形狀作為由凹坑和平臺形成的第一記錄 數(shù)據(jù)序列設(shè)置，其中，該制造方法包括 用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序，在附加信息記 錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第一記錄數(shù)據(jù)序列在 成形工序中由凹坑和平臺形成；以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二記錄 數(shù)據(jù)序列的工序，所述標(biāo)記是通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射 膜來形成的，并且其中，第一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣 被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列 上時，對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅 的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn) 信號振幅的中間電平基本相等。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，形成第 一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法與形成所述第二記錄 數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反 射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將對應(yīng)于第一記錄數(shù)據(jù)序列中的最 短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序 列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本相等。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將對應(yīng)于第一記 錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電 平調(diào)整為基本相等。
9. 一種只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在于包括用于根據(jù)第 一調(diào)制信號在信息記錄表面上形成凹凸形狀的成形工序、以及用于使 用反射膜覆蓋該信息記錄表面的沉積工序，并且，其特征在于形成記 錄軌道，在該記錄軌道中凹凸形狀作為由凹坑和平臺形成的第一記錄 數(shù)據(jù)序列設(shè)置，其中，該制造方法包括用于在記錄軌道中形成附加信息記錄區(qū)域的工序，在附加信息記 錄區(qū)域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第 一記錄數(shù)據(jù)序列在 成形工序中由凹坑和平臺形成；以及用于在沉積工序后在附加信息記錄區(qū)域中由標(biāo)記形成第二i己錄 數(shù)據(jù)序列的工序，所述標(biāo)記是通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射 膜來形成的，并且其中，第 一記錄數(shù)據(jù)序列的形成和第二記錄數(shù)據(jù)序列的形成這樣 被執(zhí)行，使得當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列 上時，第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù) 據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本上相等，并且，對應(yīng)于第一 記錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對 應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間 電平基本相等。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，形成第 一記錄數(shù)據(jù)序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法與形成第二記錄數(shù)據(jù) 序列的信息數(shù)據(jù)調(diào)制方法相同。
11. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在形成第二記錄數(shù)據(jù)序列的工序中，通過調(diào)整通過擦除或減少反 射膜形成的標(biāo)記的寬度和/或長度，將在第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信 號振幅的最小電平和在第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小 電平調(diào)整為基本相等，并且，將對應(yīng)于第一記錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中 的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào)整為基本相等。
12. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的只讀光盤介質(zhì)的制造方法，其特征在 于，在成形工序中，通過調(diào)整凹坑的寬度和/或長度，將在第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和在第二記錄數(shù)據(jù)序列中的再 現(xiàn)信號振幅的最小電平調(diào)整為基本相等，并且，將對應(yīng)于第一記錄數(shù) 據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和對應(yīng)于第 二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平調(diào) 整為基本相等。
13. —種只讀光盤介質(zhì)，其特征在于包括具有根據(jù)第一調(diào)制信號 形成的凹凸形狀的信息記錄表面、以及用于覆蓋該信息記錄表面的反 射膜，并且，其特征在于這樣設(shè)置記錄軌道，使得凹凸形狀為由凹坑 和平臺形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列，其中，在記錄軌道中設(shè)置附加信息記錄區(qū)域，在附加信息記錄區(qū) 域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第 一記錄數(shù)據(jù)序列由凹坑 和平臺形成，其中，在附加信息記錄區(qū)域中設(shè)置第二記錄數(shù)據(jù)序列，該第二記 錄數(shù)據(jù)序列由通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜而獲得的標(biāo) 記形成，并且其中，當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上 時，第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù) 序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本上相等。
14. 一種只讀光盤介質(zhì)，其特征在于包括具有根據(jù)第一調(diào)制信號 形成的凹凸形狀的信息記錄表面、以及用于覆蓋該信息記錄表面的反 射膜，并且，其特征在于這樣設(shè)置記錄軌道，使得凹凸形狀為由凹坑 和平臺形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列，其中，在記錄軌道中設(shè)置附加信息記錄區(qū)域，在附加信息記錄區(qū) 域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第 一記錄數(shù)據(jù)序列由凹坑 和平臺形成，其中，在附加信息記錄區(qū)域中設(shè)置第二記錄數(shù)據(jù)序列，該第二記 錄數(shù)據(jù)序列由通過根據(jù)第二調(diào)制信號擦除或減少反射膜而獲得的標(biāo) 記形成，并且其中，當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上 時，對應(yīng)于第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的 中間電平和對應(yīng)于第二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信 號振幅的中間電平被調(diào)整為基本相等。
15. —種只讀光盤介質(zhì)，其特征在于包括具有根據(jù)第一調(diào)制信號 形成的凹凸形狀的信息記錄表面、以及用于覆蓋該信息記錄表面的反 射膜，并且，其特征在于這樣設(shè)置記錄軌道，使得凹凸形狀為由凹坑 和平臺形成的第一記錄數(shù)據(jù)序列，其中，在記錄軌道中設(shè)置附加信息記錄區(qū)域，在附加信息記錄區(qū) 域中信息記錄表面是平坦的，在記錄軌道中第 一記錄數(shù)據(jù)序列由凹坑 和平臺形成，其中，在附加信息記錄區(qū)域中第二記錄數(shù)據(jù)序列由通過根據(jù)第二 調(diào)制信號擦除或減少反射膜而獲得的標(biāo)記形成，并且其中，當(dāng)激光被施加到第 一記錄數(shù)據(jù)序列和第二記錄數(shù)據(jù)序列上 時，第一記錄數(shù)據(jù)序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平和第二記錄數(shù)據(jù) 序列中的再現(xiàn)信號振幅的最小電平基本上相等，并且，對應(yīng)于所述第 一記錄數(shù)據(jù)序列中的最短凹坑或間隔的再現(xiàn)信號振幅的中間電平和 對應(yīng)于所述第二記錄數(shù)據(jù)序列中的最短標(biāo)記或間隔的再現(xiàn)信號振幅 的中間電平被調(diào)整為基本相等。
全文摘要
在信息信號記錄平面上的信息信號區(qū)域?qū)?yīng)于調(diào)制信息數(shù)據(jù)被形成為在反射鏡上的凹坑，并被金屬合金反射膜覆蓋。信息信號區(qū)域具有不包含對應(yīng)于信息數(shù)據(jù)的凹坑的部分。在不包含凹坑的相應(yīng)部分上的金屬合金反射膜部分被形成為對應(yīng)于信息數(shù)據(jù)的穿孔標(biāo)記。在這種情況下，通過調(diào)整凹坑的深度和寬度和/或調(diào)整穿孔標(biāo)記的寬度和長度，可以獲得與穿孔標(biāo)記信號的再現(xiàn)信號振幅電平基本相同的預(yù)制凹坑信號再現(xiàn)信號振幅電平。這樣抑制由于波形等化電路引起的波形變形的產(chǎn)生或者由于限制電平移位引起的二進制信號的不規(guī)則性，從而通過同一讀取設(shè)備穩(wěn)定地、可靠地檢測信號。
文檔編號G11B7/26GK101595525SQ20088000360
公開日2009年12月2日 申請日期2008年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月11日
發(fā)明者中野淳, 坂本哲洋, 朝比奈隆行, 河內(nèi)秀夫, 芝崎悅男 申請人:索尼株式會社