專利名稱：制造磁盤單元的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及制造》茲盤單元的方法，該方法包括向機殼(enclosure)中引 入具有比空氣低的密度的低密度氣體的步驟。
背景技術(shù)：
f茲盤單元例如硬盤設(shè)置有》茲盤，/磁盤具有同心布置于其上的多個道 (track),每個道具有寫入其中的伺服數(shù)據(jù)。伺服數(shù)據(jù)包含地址數(shù)據(jù)和猝發(fā) 信號(burst signal)以用于,茲頭的位置控制。
寫伺服數(shù)據(jù)的已知方法之一是所謂的自伺服寫入(SSW)，其在已經(jīng)組 裝了磁盤單元之后通過控制容納在機殼中的磁頭和致動器來寫伺服數(shù)據(jù)到 》茲盤中。
專利文獻1:日本專利特開No. 2006-40423。

發(fā)明內(nèi)容
在磁盤中記錄伺服數(shù)據(jù)所涉及的問題在于旋轉(zhuǎn)磁盤所產(chǎn)生的氣流使磁 頭的支承系統(tǒng)震動，由此在磁盤上形成扭曲的道。扭曲的道是妨礙磁頭定位 的主要原因。
專利文獻1公開了在機殼被填充以氦時實施自伺服寫入的技術(shù)，氦從穿 過磁盤單元機殼的氣體入口 (孔)引入。被填充以氦的機殼中的磁盤幾乎不 震動且因此允許形成幾乎圓形的道，因為氦具有比空氣低的密度。
不幸地，專利文獻l中公開的技術(shù)要求氦的引入必須在具有高的空氣潔 凈度的環(huán)境(例如潔凈室)中進行，以防止顆粒通過氣體入口孔進入機殼。 這束縛了制造工藝。
考慮到前述內(nèi)容完成了本發(fā)明。本發(fā)明的目的之一在于提供一種制造磁 盤單元的方法，該方法允許容易且有效地引入低密度氣體到機殼中。
本發(fā)明的要旨在于一種制造磁盤單元的方法，該磁盤單元包括存儲數(shù)據(jù) 的磁盤、寫和讀取數(shù)據(jù)的磁頭、以及相對于磁盤移動磁頭的致動器，它們?nèi)菁{于氣密地密封的機殼中，機殼具有氣體入口和氣體出口用于其內(nèi)外之間連 通，氣體入口和氣體出口具有附于其上的各自的過濾器，其中該方法包括通 過檢測提供到氣體入口的具有比空氣低的密度的低密度氣體的質(zhì)量流速
(mass flow rate )且根據(jù)這樣檢測的質(zhì)量流速控制提供到氣體入口的低密度 氣體的質(zhì)量流速，經(jīng)氣體入口用低密度氣體填充機殼的步驟。
根據(jù)本發(fā)明一實施例，該填充步驟通過>^企測提供到氣體入口的低密度氣 體的壓強且根據(jù)這樣檢測的低密度氣體的質(zhì)量流速和壓強控制提供到氣體 入口的低密度氣體的質(zhì)量流速來實現(xiàn)。
根據(jù)該實施例，根據(jù)已檢測的低密度氣體的質(zhì)量流速和壓強以及下面給 出的公式l,控制提供到氣體入口的低密度氣體的質(zhì)量流速，使得機殼中的 壓強維持在預定水平。
其中Q,是提供到氣體入口的低密度氣體的質(zhì)量流速，c是流速常數(shù)，din 是氣體入口的直徑，P!是提供到氣體入口的低密度氣體的壓強，P2是氣密地 密封的機殼中的壓強，PrP2是由于附著到氣體入口的過濾器引起的壓強損 失，p是氣體密度。
根據(jù)該實施例，提供到氣體入口的低密度氣體的質(zhì)量流速被控制，使得 氣密密封的機殼中的壓強高于氣密密封的機殼外的壓強。
根據(jù)本發(fā)明另一實施例，該填充步驟通過從公共供應源經(jīng)分配通道提供 低密度氣體到多個機殼，檢測提供到多個機殼的低密度氣體的總質(zhì)量流速， 以及根據(jù)多個機殼的數(shù)量集體控制提供到多個機殼的低密度氣體的總質(zhì)量 流速來實現(xiàn)。
根據(jù)該實施例，當多個機殼的數(shù)量在提供低密度氣體期間改變時，該填 充步驟通過逐漸使實際總質(zhì)量流速達到提供到多個機殼的低密度氣體的所 述總質(zhì)量流速來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，該填充步驟通過在向氣體入口提供低密度氣 體時，根據(jù)依賴于機殼中低密度氣體的濃度而變化的指數(shù)(index)評估機殼 中低密度氣體的濃度來實現(xiàn)。
根據(jù)該實施例，該指數(shù)是提供到旋轉(zhuǎn)磁盤的馬達的驅(qū)動電流的大小。
公式1根據(jù)該實施例，氣密密封的機殼以這樣的方式被填充以低密度氣體，即， 低密度氣體被引入到氣密密封的機殼時發(fā)生的驅(qū)動電流隨時間的變化速度 大于氣密密封的機殼中的溫度改變時發(fā)生的驅(qū)動電流隨時間的變化速度。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，該填充步驟通過在開始低密度氣體的？ I入之 前關(guān)閉除了氣體入口和氣體出口之外的允許機殼內(nèi)外之間連通的任何間隙 來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，該填充步驟通過在低密度氣體被引入到氣密 密封的機殼中時轉(zhuǎn)動》茲盤來實現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，該方法包括在低密度氣體已被引入到氣密密 封的機殼中之后通過控制容納于氣密密封的機殼中的磁頭和致動器來寫伺 服數(shù)據(jù)到;茲盤中的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的又一實施例，該低密度氣體是氦。
根據(jù)本發(fā)明，穿過機殼的氣體入口和氣體出口分別設(shè)置有過濾器。該結(jié) 構(gòu)放松了對引入氦的環(huán)境的束縛，且允許容易地引入低密度氣體到機殼中。
如果過濾器的特性屬性彼此不同，當經(jīng)氣體入口和過濾器引入低密度氣 體時，通常難以用低密度氣體均勻地填充機殼。然而，該問題通過本發(fā)明得 到了解決，本發(fā)明中提供到氣體入口的低密度氣體的質(zhì)量流速被檢測和控制 從而提供到氣體入口的低密度氣體的質(zhì)量流速維持在期望水平，且能有效地 實現(xiàn)低密度氣體到機殼中的引入。


圖1是分解透視圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的磁盤單元1。
圖2是分解透視圖，示出作為機殼IO的組元的頂蓋11。
圖3是流程圖，示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的磁盤單元的制造方法的示例。
圖4是示出步驟S3的圖。
圖5是示出步驟S5的圖。
圖6是示出步驟S8的圖。
圖7是示出步驟S9和S10的圖。
圖8是示出步驟S16的圖。
圖9是方塊圖，示出氣體引入裝置的一個示例。
圖10是方塊圖，示出氣體引入裝置的另一示例。
6下面將參照附圖描述本發(fā)明的實施例。
圖l是分解透視圖，示出適于本發(fā)明一實施例的》茲盤單元1。磁盤單元
1具有裝入在機殼10 (盤機殼，DE)中的部件，機殼10包括具有開放的頂 部的矩形盒狀基座12和關(guān)閉開放頂部以使4^殼10氣密的頂蓋11。
機殼10容納磁盤2和頭組件6以及其他部件。磁盤2附著到置于基座 12底部上的主軸馬達(spindle motor )3。磁盤2具有形成于其上的同心道(未 示出)。每個道具有以某間距寫入其中的伺服數(shù)據(jù)。伺服數(shù)據(jù)包括地址數(shù)據(jù) 和猝發(fā)信號。
磁盤2旁邊是頭組件6，其使磁頭4支承于其前端。磁頭4稍微浮于旋 轉(zhuǎn)的磁盤2上方以寫入和讀取數(shù)據(jù)。頭組件6還具有附著到其后端的音圈馬 達7。音圈馬達7搖擺頭組件6從而幾乎沿磁盤2的徑向移動磁頭4。
頭組件6還具有附著到其上的FPC (柔性印刷電路)8。 FPC 8從置于 基座12底部上的連接器9延伸，從而電連接基座12背面的電路板(未示出) 與^f茲頭4和音圈馬達7。
圖2是分解透視圖，示出作為機殼IO的組元的頂蓋11。圖2(a)示出 頂蓋11的正面lla,圖2 (b)示出頂蓋11的后面llb。
頂蓋11具有形成于其中的氣體入口 lli、氣體出口 lle、測試口 llt和 螺孔lls,其允許機殼10內(nèi)外之間的連通。順便提及，氣體入口 lli和氣體 出口 lle可形成于基座12中。
氣體入口 11 i是所謂的呼吸口 ，其防止機殼10內(nèi)外之間的壓強差的波動。 它還用于在后面描述的制造工藝中用氣體填充機殼10。
氣體入口 lli具有附著到頂蓋11的后面lib的平的圓的呼吸過濾器22。 特別地，呼吸過濾器22以關(guān)閉氣體入口 lli的方式附著到頂蓋11的后面llb。 它過濾進入機殼10的氣體且防止包含于其中的顆粒進入機殼10。
另外，氣體入口 11i形成在頭組件6與連接器9之間有容納附著到頂蓋 11的后面lib的呼吸過濾器22的空間的位置處。
氣體出口 lle用于在制造工藝中用氣體填充機殼10。它具有附著到頂蓋 11的后面llb的平的非織造織物(unwoven fabric)的過濾器24。它還被附 著到頂蓋11的正面lla的泄漏密封件34關(guān)閉。
7測試口 lit用于在后面提到的制造工藝中的測試。它被附著到頂蓋11
的正面11a的泄漏密封件36關(guān)閉。順便提及，它沒有過濾器。
螺孔lis允許螺桿穿過其來固定頭組件6的軸承(bearing) 6b。螺孔Us 被附著到頂蓋11的正面11a的泄漏密封件38關(guān)閉。
氣體入口 11i的過濾器22在濾除氣體中的顆粒的能力方面勝于氣體出口 11e的過濾器24。氣體中的顆粒包括塵埃、濕氣、化學物質(zhì)等形式的顆粒。 呼吸過濾器22包括非織造織物的平的過濾器(類似于用于過濾器24的那 種)、延長流道長度的螺旋流動通道、吸收濕氣的活性碳和吸收化學物質(zhì)的 化學過濾器。由于其長期濾出各種顆粒的能力，呼吸過濾器22優(yōu)于過濾器 24。
盡管根據(jù)該實施例氣體出口 lie具有片狀過濾器24,但是它也可以設(shè)置 有與呼吸過濾器22相似的呼吸過濾器，從而它用作呼吸口。在該情況下， 氣體出口 11e不需要泄漏密封件38。
圖3示出根據(jù)本發(fā)明一實施例的磁盤單元的制造工藝的示例。該制造工 藝主要表示用氦填充機殼IO且進行SSW (自伺服寫入)的步驟。
步驟Sl至S5在潔凈室中進行。步驟Sl意在將呼吸過濾器22和過濾器 24附著到頂蓋11的后面llb。換言之，頂蓋11的后面lib以呼吸過濾器22 和過濾器24分別關(guān)閉氣體入口 lli和氣體出口 lle的方式設(shè)置有呼吸過濾器 22和過濾器24。具有呼吸過濾器22和過濾器24的頂蓋11固定到容納》茲盤 2和頭組件6的基座12,從而機殼IO被氣密地封閉。
步驟S2意在測試封閉機殼10中的顆粒。具體地，檢測器穿過測試口 lit 插入到機殼10中以計量顆粒數(shù)。順便提及，與氣體入口 lli和氣體出口 lie 不同，測試口 llt未設(shè)置有阻止檢測器插入的任何過濾器。另外，與氣體入 口 lli和氣體出口 lle相比，測試口 llt具有更大的直徑從而便于檢測器的 插入。
步驟S3意在附著臨時密封件44從而臨時關(guān)閉氣體出口 lle，如圖4所 示。臨時密封件44具有關(guān)閉氣體出口 lie的關(guān)閉部分44a和從其延伸的便 于剝離的柄部44b。
臨時密封件44最小化了在后面提到的步驟S8 (氦引入)之前顆粒穿過 氣體出口 lie和過濾器24進入機殼10的可能性。順便提及，如果過濾器24 具有足夠的過濾能力，臨時密封件44不是必需的。在該實施例中，氣體出口 lle被關(guān)閉，因為附著到其上的過濾器24能 力弱于附著到氣體入口 11i的呼吸過濾器22。此外，氣體出口 lle和氣體入 口 lli兩者都可被臨時關(guān)閉。
步驟S4意在通過經(jīng)測試口 lit引入空氣來進行空氣泄漏測試。該測試 確保機殼IO是完全氣密的且沒有空氣泄漏。
因為磁盤單元l (準備裝運)使其氣體出口 11e被泄漏密封件34關(guān)閉， 如圖l所示，所以在空氣泄漏測試之前臨時關(guān)閉氣體出口 lle相當于在與準 備裝運的磁盤單元1相同的條件下進行空氣泄漏測試。
步驟S5意在分別用泄漏密封件36、 38和39關(guān)閉形成于頂蓋11中的測 試口 llt、螺孔lis和形成在基座12的后面的螺孔(未示出)，如圖5所示。
螺孔lls在該步驟中被關(guān)閉從而機殼10不泄漏在氦引入步驟S8中引入 到機殼10中的氦。即使前面的步驟S4 (空氣泄漏測試)確信空氣不從機殼 IO泄漏，也有可能在后面的步驟S8中引入的氦通過空氣不能穿過的非常小 的間隙從機殼10泄漏，因為氦具有比空氣小的密度。該問題通過關(guān)閉可能 允許氦泄漏的任何間隙的步驟而得到解決。期望密封基座12和頂蓋11之間 的任何間隙。
根據(jù)該實施例，測試口 llt不能用作稍后提到的引入或排出氣體的開口 ， 因為如上所述它應在機殼10被緊密關(guān)閉之后用來檢查顆粒和空氣泄漏。
在完成了前面的步驟S1至S5之后，機殼IO從潔凈室移出且轉(zhuǎn)移到空 氣潔凈度不被控制的普通區(qū)域。隨后的步驟S6至S19在該普通區(qū)域中進行。
步驟S6意在對容納于機殼10中的磁盤2徹底進行AC擦除。該步驟通 過使用特定擦除裝置來進行。
步驟S7意在去除關(guān)閉氣體出口 11e的臨時密封件44(圖4所示)。該步 驟為后面的氦引入步驟S8做準備。因為氦引入步驟S8在普通區(qū)域進行，所 以需要臨時關(guān)閉氣體出口 lle直到開始氦引入。這最小化了顆粒穿過過濾器 24和氣體出口 lie進入機殼10的可能。
步驟S8意在通過氣體入口 lli和氣體出口 lie引入氦到封閉的機殼10 中。填充有氦的機殼IO準備用于自伺服寫入。盡管該實施例采用氦作為具 有比空氣低的密度的氣體，但是氦可以被氫取代。
氦的引入可通過氣體引入裝置完成。具體地，氣體引入裝置的管嘴50 配合到氣體入口 lli，如圖6所示，氦通過管嘴50引入到機殼10中。這樣引入的氦通過氣體出口 lle推出殘留在機殼IO中的氣體(主要是空氣)。以 此方式，機殼10中的空氣被氦代替。
氦引入可在普通區(qū)域完成，因為機殼10的氣體入口 lli和氣體出口 lie 兩者分別提供有呼吸過濾器22和過濾器24。換言之，不需要在具有提高的 空氣潔凈度的環(huán)境(例如潔凈室)中進行氦引入。這簡化了制造工藝。
因為附著到氣體入口 lli的呼吸過濾器22具有比附著到氣體出口 lie 的過濾器24更好的過濾能力，所以即使顆粒包含在從氣體引入裝置提供的 氦中，氦通過氣體入口 lli的引入也有效地防止了顆粒進入機殼10。
圖9是方塊圖，示出氣體引入裝置的一個示例。在圖9中，白箭頭表示 氣體流，黑箭頭表示控制信號流。
氣體引入裝置100A具有固定器(fixture) 81至84，其每個支承機殼10。 每個固定器81至84具有圖6所示的管嘴50(如上所述)。管嘴50定位于機 殼10的氣體入口 lli處，/人而它供給氦到氣體入口 lli。
氣體引入裝置IOOA通過氣體供應源61 (如氦氣罐)、控制將要提供的 氦的壓強的壓強調(diào)整器63、控制將要提供的氦的流動的流控制閥65、以及 控制流控制閥65的流控制器67來供給氦。
氣體引入裝置IOOA還借助于分支閥71 (branchvalve)分配氦，從而把 來自于流控制閥65的氦分配到每個固定器81至84,分支閥71被固定器控 制器73控制。
流控制閥65具有傳感器，其檢測氦的質(zhì)量流速且將所檢測的質(zhì)量流速 反饋到流控制器67。流控制器67遵照所檢測的質(zhì)量流速來驅(qū)動流控制閥65 從而保持氦的預定質(zhì)量流速。順便提及，流控制閥65也依賴于傳感器的靈 敏度。
氣體供應源61供給氦到全部固定器81至84。因此，流控制閥65檢測 且控制供給到各機殼10的氦的總質(zhì)量流速。
每個固定器81至84具有傳感器以檢測每個固定器保持機殼10。來自傳 感器的信號使固定器控制器73識別固定器81至84中的哪個保持機殼10。
固定器驅(qū)動器73驅(qū)動分支閥71從而氦被供給到固定器81至84中保持 機殼IO的固定器。
根據(jù)固定器81至84中保持機殼10的固定器數(shù)量，固定器控制器73改 變流控制器67控制的氦的質(zhì)量流速。上述氣體引入裝置100A保持供給到機殼10的氣體入口 lli的氦的預定 質(zhì)量流速，因此，它有效地用氦填充機殼10。
另外，氣體引入裝置100A能同時用氦填充超過一個機殼10,因為它才艮 據(jù)保持在固定器上的機殼IO的數(shù)量而改變氦的質(zhì)量流速。在附著到機殼10 的呼吸過濾器22在性能上個體變化的情況下亦是如此，因為供給到超過一 個機殼10的氦的總質(zhì)量流速保持恒定。
如果在供給氦時保持在固定器81至84上的機殼10的數(shù)量改變，則流 控制器67應優(yōu)選以這樣一方式被控制，即，使得供給到新增機殼IO的氦的 總質(zhì)量流速逐漸逼近實際總質(zhì)量流速。以此方式，可以防止氦的總質(zhì)量流速 過沖。
圖10是方塊圖，示出氣體引入裝置的另一示例。圖9和圖10中相同的 部件被賦予相同的附圖標記且省略其說明。
除了上述第一示例中的部件之外，氣體引入裝置IOOB具有壓強傳感器 91至94，其分別對應于固定器81至84。壓強傳感器91至94檢測從分支閥 71分配到各固定器81至84的氦的壓強(在管嘴50中)。它們反饋所檢測的 壓強到流控制器67。
流控制器67根據(jù)從流控制閥65反饋的氦的總質(zhì)量流速以及從壓強傳感 器91至94反饋的氦的壓強控制氦的質(zhì)量流速從而保持每個機殼10中的預 定壓強。具體地，流控制器67根據(jù)下面的公式進行計算。
其中Q,是提供到氣體入口 lli的氦的質(zhì)量流速，c是流速常數(shù)，din是氣 體入口 lli的直徑，P!是提供到氣體入口 lli的氦的壓強，P2是緊閉的機殼 IO中的壓強，PHP2是由于附著到氣體入口 lli的過濾器而引起的壓強損失。
順便提及，供給到氣體入口 11i的氦的質(zhì)量流速Q(mào)!可以是a/b的商，其 中a表示流控制閥65檢測的氦的總質(zhì)量流速，b表示保持在固定器81至84 上的機殼10的數(shù)量。
上述公式1允許流控制器67從供給到氣體入口 lli的氦的質(zhì)量流速Q(mào), 和壓強P,計算機殼10中的壓強P2 (din是常數(shù))。因此，氦的質(zhì)量流速能被 控制從而機殼10中的壓強P2保持在預定水平。
公式l
ii機殼10中的壓強P2應優(yōu)選高于機殼10外的壓強(或者氣體出口 lie 外的壓強)。以此方式升高機殼中的壓強P2防止了緊跟在氦的引入之后空氣 進入機殼10。這提供了一定的時間長度，直到在后面的步驟S9和S10中附 著臨時密封件42和44。
返回參照步驟S8和圖6繼續(xù)對實施例的描述。根據(jù)該實施例，氦的引 入通過附著到氣體入口 11i的管嘴50完成。然而，還可以附著另一管嘴到氣 體出口 lle從而氣體通過該管嘴從機殼IO取出。另外，該布置是期望的， 因為可以從氣體出口 lle排放的氣體收集氦以用于回收。
附著到氣體出口 11e的過濾器24應優(yōu)選比附著到氣體入口 lli的呼吸過 濾器22具有更大的壓強損失。此外，氣體出口 lie應優(yōu)選比氣體入口 lli 具有更小的直徑。這意味著與氣體入口 lli相比，氣體更難以穿過氣體出口 lie,且因此在氦引入時機殼10中的壓強增大。以此方式升高機殼10中的
壓強P2防止了緊跟在氦的引入之后空氣進入機殼10。這提供了一定的時間
長度，直到在后面的步驟S9和S10中附著臨時密封件42和44。
在磁盤2 (容納于機殼10中)被外部驅(qū)動的主軸馬達3旋轉(zhuǎn)時進行步驟 S8中的氦氣體引入。旋轉(zhuǎn)的磁盤2容易地擴散氦氣體(其已從氣體入口 lli 被引入)到整個機殼10中，由此有助于氦氣體的有效填充。
對于在》茲盤2旋轉(zhuǎn)時進行的氦引入，氣體入口 lli和氣體出口 lle應優(yōu) 選沿磁盤2的邊緣設(shè)置，因為機殼10中的氣體在磁盤2的旋轉(zhuǎn)方向上沿磁 盤2的周邊流動。為了機殼10中氦(通過氣體入口 lli引入)的完全擴散， 氣體入口 lli和氣體出口 lie應優(yōu)選在i茲盤2的旋轉(zhuǎn)方向上以一定距離間隔 開地設(shè)置。因此，根據(jù)該實施例，氣體入口 lli和氣體出口 lle設(shè)置在f茲盤 2在之間的彼此相對的位置處。
在氦引入時，隨著磁盤2旋轉(zhuǎn)，可以從提供到主軸馬達3的電流的大小 知曉機殼10中氦的濃度。隨著機殼IO中氦的濃度增大，對旋轉(zhuǎn)磁盤2的阻 力降低，這導致以預定速度驅(qū)動主軸馬達3的電流下降。因此，^是供到主軸 馬達3的現(xiàn)流的大小能用作指示機殼10中氦的濃度的指數(shù)。
以這樣的方式實現(xiàn)氦的引入，即，氦被引入到機殼10中時發(fā)生的驅(qū)動 電流隨時間的改變速度大于機殼10中的溫度改變時發(fā)生的驅(qū)動電流隨時間 的改變速度，如下面的公式2所示。
公式2△ihe/At > Aitemp/At
其中Aihe是在引入氦到機殼10中時驅(qū)動電流的增量，Aitemp是在機殼10
中的溫度改變(其將發(fā)生在增加一定量的熱時)時驅(qū)動電流的增量，At是引 入氦到機殼10中所需的時間長度。
通常難以從驅(qū)動電流評估機殼10中氦的濃度，因為機殼10中溫度變化 引起的驅(qū)動電流的改變遠大于機殼IO中氦濃度變化引起的驅(qū)動電流的改變。 然而，如果以比機殼10中溫度改變的速度更大的速度引入氦，則可以評估 氦的濃度而不考慮機殼10中的溫度改變。
完成氦引入步驟S8之后，開始步驟S9和S10，其中臨時密封件42和 44被附著(如圖7所示)從而臨時關(guān)閉氣體入口 lli和氣體出口 lle從而防 止在自伺服寫入的步驟S12期間氦從機殼10泄漏。
在關(guān)閉氣體入口 lli的臨時密封件42被附著之前附著關(guān)閉氣體出口 lie 的臨時密封件44 (即T^i;)。這是因為用于氣體出口 11e的過濾器24與用 于氣體入口 1 li的呼吸過濾器22相比對泄漏有更小的阻擋。
在氦被引入到機殼10中之后，臨時密封件42和44應在比預定時間長 度(Te)短的Ta和Tb內(nèi)被附著。Te定義為氦引入到機殼10中之后如果氣體 入口 lli和氣體出口 lie不被關(guān)閉，機殼10中的氦濃度下降到允許范圍以下 所需的時間長度。在Ta和Tb超出Te的情況下，步驟Sll回到步驟S8，再次 引入氦。
步驟S12意在寫伺服數(shù)據(jù)于磁盤2中或者通過外部控制容納于關(guān)閉的機 殼10中的磁頭4和音圈馬達7來進行所謂的自伺服寫入(SSW)。
磁頭4和音圈馬達7被外部伺服數(shù)據(jù)記錄裝置通過機殼10中的連接器9 和FPC8所控制。具體地，伺服數(shù)據(jù)記錄裝置向磁頭4提供將被寫入在磁盤 2中的伺服數(shù)據(jù)。它還獲得磁頭4從磁盤2讀取的伺服數(shù)據(jù)。此外，響應于 獲得的伺服凄t據(jù)，它產(chǎn)生且輸出用于音圈馬達7的驅(qū)動信號。
由于磁頭4攜載的記錄和再現(xiàn)元件沿磁盤2的徑向錯開(displace )，在 磁頭4循著以前形成的道時進行伺服數(shù)據(jù)的寫入以形成新的道。換言之，再 現(xiàn)元件從前面形成的道讀取伺服數(shù)據(jù)且所獲得的伺服數(shù)據(jù)使磁頭4遵循所述 道。然后記錄元件寫伺服數(shù)據(jù)以形成新的道。形成另一新道的過程在-茲盤2 的徑向上繼續(xù)。
前面的過程在磁盤2上形成道(具有幾乎完全圓度且很少畸變)，因為機殼10通過氦引入步驟S8而被填充以氦。
由于機殼10的氣體入口 lli和氣體出口 lie分別i殳置有呼，及過濾器22 和過濾器24且還分別被臨時密封件42和44關(guān)閉，所以氦從機殼10的泄漏 被抑制。結(jié)果，自伺服寫入可在機殼IO置于普通區(qū)域時完成。
此外，由于如上所述氦引入步驟S8亦在普通區(qū)域進行，所以可以減少 從氦引入到開始自伺服寫入的時間。結(jié)果，可以在機殼10中氦濃度仍保持 為高時進行自伺服寫入。
從氦引入到機殼10中至完成自伺服寫入的時間(Te + Td)不應超過預 定時間Tf, Tf定義為氦已被引入到機殼10中之后氣體入口 lli和氣體出口 lle被關(guān)閉時機殼10中的氦濃度下降到允許范圍以下的時間。
完成自伺服寫入步驟S12之后，在步驟S13和S14中從氣體入口 lli和 氣體出口 11e去除臨時密封件42和44。
從氦引入到機殼10中至完成自伺服寫入和臨時密封件42和44的去除 的時間(Tc + Td + Tg)不應超過預定時間Th， Th定義為氦引入到機殼10中 之后氦開始從機殼IO泄漏且組分發(fā)生改變的時間。由于氦從才幾殼IO泄漏而 引起的組分改變意味著機殼10中壓強下降導致的頂蓋11的變形或滑動部件 中潤滑油的退化。
步驟S15意在通過氣體入口 lli和氣體出口 lie引入空氣到關(guān)閉的機殼 10中。該步驟可以以與上述步驟S8相同的方式進行。引入空氣到機殼10 中的步驟S15跟著自伺服寫入步驟S12,從而后面的初步測試步驟S18和最 終測試步驟S19在與測試磁盤單元1 (準備裝運)的條件相同的條件下進行。
當空氣通過氣體入口 lli被引入到機殼10中時，氦通過氣體出口 lie 從機殼10排出。因此，期望收集和回收所排放的氦。
步驟S16意味通過附著泄漏密封件34到氣體出口 lie而關(guān)閉氣體出口 lle。泄漏密封件34防止磁盤單元1在準備裝運之后顆粒通過氣體出口 lie 進入機殼10。在該實施例中，氣體出口 11e被附著到其上的過濾器24關(guān)閉， 過濾器24在過濾能力方面弱于附著到氣體入口 11 i的呼吸過濾器。
通過后面的步驟S17 (電路板附著到機殼IO的后面)、S18 (初步測試) 和S19 (最終測試)完成磁盤單元1。
1權(quán)利要求
1. 一種制造磁盤單元的方法，該磁盤單元包括容納于氣密密封的機殼中的存儲數(shù)據(jù)的磁盤、寫和讀取所述數(shù)據(jù)的磁頭、以及相對于所述磁盤移動所述磁頭的致動器，所述機殼具有用于其內(nèi)外之間連通的氣體入口和氣體出口，所述氣體入口和氣體出口具有附著到其上的各自的過濾器，其中所述方法包括通過檢測提供到所述氣體入口的具有比空氣低的密度的低密度氣體的質(zhì)量流速且根據(jù)這樣檢測的流速控制提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的質(zhì)量流速，經(jīng)所述氣體入口用所述低密度氣體填充所述機殼的步驟。
2. 如權(quán)利要求i所述的制造磁盤單元的方法，其中所述填充步驟還通過 檢測提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的壓強且根據(jù)這樣檢測的所述 低密度氣體的流速和壓強控制提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的質(zhì) 量流速來實現(xiàn)。
3. 如權(quán)利要求2所述的制造磁盤單元的方法，其中根據(jù)已檢測的所述低 密度氣體的質(zhì)量流速和壓強以及下面給出的公式1控制提供到所述氣體入口 的所述低密度氣體的質(zhì)量流速，使得所述機殼內(nèi)的壓強維持在預定水平，其中(^是提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的質(zhì)量流速，c是流速 常數(shù)，4是所述氣體入口的直徑，P,是提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的壓強，P2是所述氣密密封的機殼中的壓強，P,-P2是由于附著到所述氣體 入口的過濾器引起的壓強損失，p是氣體密度。
4. 如權(quán)利要求3所述的制造磁盤單元的方法，其中提供到所述氣體入口的所述低密度氣體的質(zhì)量流速被控制，使得所述氣密密封的機殼中的壓強高 于所述氣密密封的機殼外的壓強。
5. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其中所述填充步驟通過從 公共供應源經(jīng)分配通道提供所述低密度氣體到多個所述機殼，檢測提供到多 個所述機殼的所述低密度氣體的總質(zhì)量流速，以及根據(jù)多個所述機殼的數(shù)量 集體控制提供到多個所述機殼的所述低密度氣體的總質(zhì)量流速來實現(xiàn)。
6. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其中當多個所述機殼的數(shù)公式1量在提供所述低密度氣體期間改變時，所述填充步驟通過逐漸使實際總質(zhì)量 流速達到提供到多個所述機殼的所述低密度氣體的所述總質(zhì)量流速來實現(xiàn)。
7. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其中在向所述氣體入口提 供所述低密度氣體期間，所述填充步驟通過根據(jù)依賴于所述機殼中的所述低 密度氣體的濃度而變化的指數(shù)評估所述機殼中的所述低密度氣體的濃度來 實現(xiàn)。
8. 如權(quán)利要求7所述的制造磁盤單元的方法，其中所述指數(shù)是提供到轉(zhuǎn) 動所述磁盤的馬達的驅(qū)動電流的大小。
9. 如權(quán)利要求7所述的制造磁盤單元的方法，其中所述氣密密封的機殼 以這樣的方式被填充以低密度氣體，即，所述低密度氣體被引入到所述氣密 密封的機殼中時發(fā)生的所述驅(qū)動電流隨時間的變化速度大于當所述氣密密 封的機殼中的溫度改變時發(fā)生的所述驅(qū)動電流隨時間的變化速度。
10. 如權(quán)利要求7所述的制造磁盤單元的方法，其中所述填充步驟通過 在開始引入所述低密度氣體之前關(guān)閉除了所述氣體入口和所述氣體出口之 外的允許所述機殼內(nèi)外之間連通的任何間隙來實現(xiàn)。
11. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其中所述填充步驟通過 在所述低密度氣體被引入到所述氣密密封的機殼中時轉(zhuǎn)動所述^f茲盤來實現(xiàn)。
12. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其包括在所述低密度氣 體已被引入到所述氣密密封的機殼中之后，通過控制容納于所述氣密密封的 機殼中的所述磁頭和所述致動器來寫伺服數(shù)據(jù)到所述磁盤中的步驟。
13. 如權(quán)利要求1所述的制造磁盤單元的方法，其中所述低密度氣體是氦。
全文摘要
本發(fā)明提供一種制造磁盤單元的方法，該方法允許容易且有效地引入低密度氣體到機殼中。磁盤單元的機殼具有氣體入口和氣體出口，其每個設(shè)置有過濾器。當機殼被填充以氦時，提供到氣體入口的氦的質(zhì)量流速被檢測且根據(jù)這樣檢測的氦的質(zhì)量流速控制提供到氣體入口的氦的質(zhì)量流速。
文檔編號G11B5/596GK101447191SQ20081018200
公開日2009年6月3日 申請日期2008年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月28日
發(fā)明者武市淳, 河野敬, 石渡謙介, 祝迫俊彥, 赤城協(xié), 黑木賢二 申請人:日立環(huán)球儲存科技荷蘭有限公司