專利名稱：Mram測(cè)試的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本公開(kāi)一般的涉及MRAM，并且更具體而言，涉及用于測(cè)試MRAM的技術(shù)。
背景技術(shù)：
已經(jīng)發(fā)現(xiàn)磁阻隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(MRAM)用作存儲(chǔ)器是有益的，這是因?yàn)樗鼈兪欠?易失性的并且在讀寫(xiě)方面都具有高速的操作。已經(jīng)證實(shí)對(duì)于MRAM有效的一種方法是將 MRAM作為跳變存儲(chǔ)器(togglememory)來(lái)操作。在這種情況下，通過(guò)使MRAM單元保持在其 現(xiàn)有狀態(tài)(這是因?yàn)楝F(xiàn)有狀態(tài)是所需的狀態(tài))或者將存儲(chǔ)器狀態(tài)跳變成與現(xiàn)有邏輯狀態(tài)相 反的邏輯狀態(tài)，來(lái)將MRAM單元的狀態(tài)設(shè)置成所需的邏輯狀態(tài)。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與直接寫(xiě)入單元 狀態(tài)的方法相比，將MRAM作為跳變存儲(chǔ)器來(lái)操作可以提供更可靠的操作。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，由于 太頻繁地使沿著位線的其他單元同時(shí)被不正確地寫(xiě)成相同的邏輯狀態(tài)，導(dǎo)致直接寫(xiě)入MRAM 的邏輯狀態(tài)造成了寫(xiě)干擾的問(wèn)題。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，與直接寫(xiě)入相比，跳變存儲(chǔ)器更不容易出現(xiàn)寫(xiě) 干擾。為了使跳變寫(xiě)入有效，必須讀取單元的邏輯狀態(tài)，以確定是否應(yīng)該執(zhí)行跳變操作。這 樣增加了寫(xiě)操作的時(shí)間，但是即使采用額外的讀操作，寫(xiě)操作也是以幾十納秒的數(shù)量級(jí)進(jìn) 行的，而典型的浮置柵非易失性存儲(chǔ)器(NVM)需要以毫妙的數(shù)量級(jí)進(jìn)行寫(xiě)入。對(duì)快閃型浮 置柵NVM的使用已經(jīng)變得十分普遍。理解的是，雖然MRAM的益處是顯而易見(jiàn)的，但是因?yàn)?可靠性的原因，所以閃存至少部分保持選擇NVM。因此，確定MRAM能夠?yàn)榭煽康牟⑶铱深A(yù)見(jiàn)為可靠的是有益的。


本發(fā)明以示例的方式示出并且不受附圖限制，在附圖中，類似的附圖標(biāo)記指示類 似的元件。圖中的元件是為了簡(jiǎn)便和清楚起見(jiàn)示出的，并且不必按比例繪制。圖1是MRAM的一部分的電路圖；圖2是使用圖1中的MRAM的框圖；圖3是圖2中的系統(tǒng)的一部分的框圖；圖4是圖3所示的框圖的一部分進(jìn)一步的細(xì)節(jié)；以及圖5是描述根據(jù)一個(gè)實(shí)施例測(cè)試MRAM的方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式通過(guò)連續(xù)跳變正被測(cè)試的單元的相鄰鄰居單元來(lái)測(cè)試每個(gè)單元的寫(xiě)干擾，對(duì)MRAM 進(jìn)行寫(xiě)干擾方面的測(cè)試。在一個(gè)示例中，已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)對(duì)同一字線上的相鄰單元進(jìn)行跳變之 后對(duì)同一位線上的相鄰單元進(jìn)行跳變時(shí)，有時(shí)會(huì)出現(xiàn)寫(xiě)干擾。通過(guò)同時(shí)跳變其他相鄰的存 儲(chǔ)器單元并且重復(fù)對(duì)相鄰的單元進(jìn)行跳變，可以更徹底地進(jìn)行這種類型的測(cè)試。圖1所示的是存儲(chǔ)器10的一部分，包括MRAM單元12、MRAM單元14、MRAM單元 16,MRAM 單元 18、MRAM 單元 20、MRAM 單元 22、MRAM 單元 24、MRAM 單元 26 和 MRAM 單元 28。 MRAM單元22、14和24沿著與字線30耦合的行。MRAM單元20、12和16沿著與字線32耦合的行。MRAM單元26、18和28沿著與字線34耦合的行。MRAM單元22、20和26沿著與位 線36耦合的列。MRAM單元14、12和18沿著與位線38耦合的列。MRAM單元24、16和28 沿著與位線40耦合的列。例如，對(duì)于作為被測(cè)試單元(CUT)的MRAM單元12的示例而言， MRAM單元14和18是與MRAM單元12相鄰的單元，這是因?yàn)樗鼈兣cMRAM單元12相鄰并且 沿著與MRAM單元12相同的位線。MRAM單元20和16是與MRAM單元12相鄰的單元，這是 因?yàn)樗鼈兣cMRAM單元12相鄰并且沿著與MRAM單元12相同的字線。MRAM單元22、24、26 和28不被認(rèn)為是與MRAM單元12相鄰的單元，這是因?yàn)榕cMRAM單元12既不在同一字線上 也不在同一位線上。已經(jīng)發(fā)現(xiàn)，當(dāng)相鄰單元中的一個(gè)單元與被測(cè)試單元(⑶T)位于同一字線上并且另 一個(gè)單元與CUT位于同一位線上時(shí)，對(duì)于跳變相鄰單元的情況而言，存在更多的問(wèn)題。因 此，為了確?？煽啃愿?，MRAM單元12具有在測(cè)試期間連續(xù)跳變的相鄰單元。圖2所示的系統(tǒng)50包括存儲(chǔ)器10、內(nèi)置的自測(cè)試(BIST)電路52、處理器54、模塊 56、接口電路58和總線60。存儲(chǔ)器10耦合到BIST電路52、接口電路58和總線60。BIST 電路52還耦合到接口電路58。處理器54耦合到接口電路58和總線60。模塊56耦合到 處理器54、接口電路58和總線60。接口電路58附加地具有用于外部地耦合到系統(tǒng)50的 輸入/輸出，系統(tǒng)50可以是單個(gè)集成電路。模塊56可以是多個(gè)電路功能，例如，外圍控制、 存儲(chǔ)器或其他處理器。BIST電路52通過(guò)連續(xù)跳變相鄰的單元對(duì)存儲(chǔ)器10提供測(cè)試，對(duì)存 儲(chǔ)器10的測(cè)試包括對(duì)各個(gè)存儲(chǔ)器單元進(jìn)行測(cè)試。這是響應(yīng)于通過(guò)接口電路58的外部源而 提供的。處理器54以其他方式控制存儲(chǔ)器10并且在至少一定程度上控制模塊56。系統(tǒng) 50可以包括其他電路和圖示的電路。還可以在處理器54的控制下或者通過(guò)接口 58對(duì)存儲(chǔ) 器10執(zhí)行測(cè)試。圖3更詳細(xì)地示出了 BIST電路52和存儲(chǔ)器10。還存在BIST電路52和存儲(chǔ)器 10之間與其他電路(為了簡(jiǎn)化起見(jiàn)在附圖中未示出)的連接。BIST電路52包括其他BIST 邏輯62、配置存儲(chǔ)電路64和迫使跳變邏輯電路66。存儲(chǔ)器10包括存儲(chǔ)器控制器68和存 儲(chǔ)器陣列70。其他BIST邏輯62和迫使跳變邏輯電路66基于來(lái)自配置存儲(chǔ)電路64的輸入 經(jīng)由存儲(chǔ)器控制器68來(lái)引導(dǎo)對(duì)存儲(chǔ)器陣列70的測(cè)試，所述輸入包括對(duì)與CUT相鄰的某些 單元跳變的(一個(gè)或多個(gè))序列。分開(kāi)的信號(hào)、迫使跳變指示符由迫使跳變邏輯電路66產(chǎn) 生，用于指示將要執(zhí)行的迫使跳變。迫使跳變是確保了無(wú)論單元中的內(nèi)容如何都出現(xiàn)單元 跳變的跳變。配置存儲(chǔ)電路64的內(nèi)容通過(guò)其他BIST邏輯62加載。圖4中示出的是配置存儲(chǔ)電路64的更多細(xì)節(jié)。配置存儲(chǔ)電路64可以是提供與⑶T 相關(guān)的信息并且提供如何測(cè)試CUT的信息的寄存器。配置存儲(chǔ)電路64具有域72、域74、域 76、域78、域80和域82。域76是可以為鄰居0的地址的位置。域78是可以為鄰居1的地 址的位置。域80是可以為鄰居2的地址的位置。域82是可以為鄰居3的地址的位置。對(duì) 于MRAM單元12的示例為CUT的情況而言，域76-82將會(huì)按照測(cè)試CUT所需的次序來(lái)識(shí)別 存儲(chǔ)器單元14、16、18和20的位置。域72識(shí)別要使用的域76-82中的最后域，所述最后域 影響哪一個(gè)鄰居是要在序列中跳變的最后的鄰居。例如，該序列可以只包括兩個(gè)鄰居，并且 最后一個(gè)將會(huì)是在序列中跳變的第二個(gè)。即使在該序列中只有兩個(gè)鄰居，也可以多次執(zhí)行 該序列。域74指示要執(zhí)行的跳變鄰居的序列的第一次之外的另外的次數(shù)。配置存儲(chǔ)電路 64中的域可以相對(duì)于彼此以任意的次序來(lái)組織，其的一個(gè)實(shí)施例在圖4中示出。
圖5中示出的是用于對(duì)⑶T執(zhí)行測(cè)試的流程圖100，該⑶T可以是MRAM單元12。 在步驟102中，CUT被寫(xiě)成已知狀態(tài)，其是通過(guò)讀取以及之后的跳變(如果需要的話)來(lái)實(shí) 現(xiàn)的。在步驟104中，執(zhí)行對(duì)CUT的讀取，以驗(yàn)證步驟102中的寫(xiě)。在如作為最后的步驟 128和130那樣的其他BIST邏輯62的方向下，執(zhí)行步驟102和104。其他步驟是在配置存 儲(chǔ)電路64和迫使跳變邏輯電路66的方向下。在步驟106中，域76中被識(shí)別的鄰居發(fā)生跳 變。對(duì)于MRAM單元12而言，這可以是存儲(chǔ)器單元14、16、18和20中的任一個(gè)。在步驟108 中，確定跳變的鄰居是否是域72中識(shí)別的最后的鄰居。如果是，則在步驟110中，確定是否 將基于域74重復(fù)執(zhí)行跳變。如果要重復(fù)執(zhí)行，則下一個(gè)步驟是步驟106。用字母“A”指示 返回到步驟106。如果在步驟110中確定了沒(méi)有要執(zhí)行的重復(fù)，則在步驟128中，讀取CUT 來(lái)驗(yàn)證CUT沒(méi)有改變狀態(tài)，并因此沒(méi)有寫(xiě)干擾。執(zhí)行任意次數(shù)的步驟128，可以在步驟130 中選擇下一個(gè)單元作為下一個(gè)⑶T，并且該過(guò)程因此將會(huì)針對(duì)新選擇的⑶T再次從步驟102 開(kāi)始。如果在步驟108中，確定了步驟106中跳變的鄰居不是要跳變的最后的鄰居，則下 一個(gè)步驟是跳變?cè)谟?8中識(shí)別的鄰居。這樣還可以識(shí)別CUT中四個(gè)鄰居中的任一個(gè)。即 使在步驟112中示出的為鄰居1，但是其可以與域76中識(shí)別并且步驟106中跳變的鄰居相 同。在鄰居1已跳變之后，在步驟114中決定這是否是在域72中識(shí)別的最后的鄰居。如果 這是最后的鄰居，則在步驟116中決定是否存在沒(méi)有基于域74執(zhí)行的另外的重復(fù)。如果不 是，則在步驟128中讀取CUT來(lái)確定是否存在寫(xiě)干擾。如果還有要執(zhí)行的另外的重復(fù)，則下 一個(gè)步驟是步驟106。如果鄰居1不是最后的鄰居，則在步驟118中在域80中識(shí)別的鄰居 (即鄰居2)發(fā)生跳變。這還可以是包括鄰居0或鄰居1中的任一個(gè)的四個(gè)鄰居中的任何一 個(gè)。在步驟120中，確定鄰居2是否是最后的鄰居。如果是，則在步驟122中決定是否存在 基于域74的任何另外的重復(fù)。如果沒(méi)有另外的重復(fù)，則在步驟128中讀取CUT以確定是否 存在寫(xiě)干擾。如果有另外的重復(fù)，則下一個(gè)步驟是步驟106。如果鄰居2不是最后的鄰居， 則作為鄰居3的在域82中被識(shí)別的鄰居在步驟124中發(fā)生跳變。與對(duì)于鄰居0、1和2相 類似，鄰居3可以是CUT中的四個(gè)鄰居中的任一個(gè)。在被識(shí)別為鄰居3的單元在步驟124 中發(fā)生了跳變之后，在步驟126中決定是否存在基于域74要執(zhí)行的另外的重復(fù)。如果存在 要被執(zhí)行的另外的重復(fù)，則下一個(gè)步驟是步驟106并且該過(guò)程繼續(xù)。如果沒(méi)有其他重復(fù)要 執(zhí)行，則在步驟128中，讀取CUT，以確定是否存在寫(xiě)干擾。因此，流程圖100示出用于跳變鄰居的各種選擇是可用的。一個(gè)示例是只跳變兩 個(gè)鄰居，在這兩個(gè)鄰居中，一個(gè)是與⑶T在同一列而另一個(gè)是與⑶T在同一行?？梢灾貜?fù)這 兩個(gè)單元序列。事實(shí)上，可以重復(fù)與域74所指示一樣的次數(shù)。在這種情況下，列和行中的 鄰居將會(huì)連續(xù)跳變，并且然后根據(jù)需要進(jìn)行重復(fù)。另外，可以連續(xù)地跳變相同的鄰居。這通 過(guò)識(shí)別域76和78中的相同的鄰居來(lái)實(shí)現(xiàn)。這也可以根據(jù)需要來(lái)重復(fù)和/或向序列添加另 外的一個(gè)或多個(gè)單元。該流程圖不僅可以用于提供測(cè)試來(lái)識(shí)別單元是否可靠，而且可以用 該流程圖來(lái)調(diào)查最會(huì)造成寫(xiě)干擾風(fēng)險(xiǎn)的跳變的不同組合。這在識(shí)別建立可靠的MRAM的過(guò) 程中的今后的極限測(cè)試(margin test)以及識(shí)別有可能的改進(jìn)區(qū)域方面是有用的。如圖1所示，圖示的MRAM單元為橢圓形，在這些橢圓中，長(zhǎng)軸與行和列成45度的 角度。最明顯的寫(xiě)干擾問(wèn)題是使長(zhǎng)軸對(duì)準(zhǔn)的兩個(gè)相鄰的單元造成的。因此，對(duì)于作為CUT 的MRAM單元12而言，造成寫(xiě)干擾的最危險(xiǎn)的組合是MRAM單元20和14或單元16和18的連續(xù)跳變。因此，可能有利的是，僅跳變主軸對(duì)準(zhǔn)得最好的鄰居，用于測(cè)試寫(xiě)干擾，然后接著 移向下一個(gè)⑶T。到現(xiàn)在為止，應(yīng)該理解的是，已提供了一種用于測(cè)試具有多個(gè)單元的跳變MRAM的 方法。該方法包括在多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的單元。該方法還包括將第一狀態(tài)寫(xiě)入單元。 該方法還包括讀取該單元，以驗(yàn)證第一狀態(tài)。該方法還包括根據(jù)鄰居的預(yù)定序列來(lái)連續(xù)跳 變?cè)搯卧牡谝秽従拥臓顟B(tài)和該單元的第二鄰居的狀態(tài)，其中，該單元的第一鄰居與該單 元相鄰并且該單元的第二鄰居與該單元相鄰，并且其中，鄰居的預(yù)定序列指示連續(xù)跳變第 一鄰居的狀態(tài)和第二鄰居的狀態(tài)的序列。該方法還包括在連續(xù)跳變的步驟之后，讀取單元 以確定是否出現(xiàn)從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的改變。沒(méi)有響應(yīng)于對(duì)第一鄰居的讀取來(lái)執(zhí)行第一 鄰居狀態(tài)的跳變，沒(méi)有響應(yīng)于對(duì)第二鄰居的讀取來(lái)執(zhí)行第二鄰居狀態(tài)的跳變。該方法的特 征還在于，在第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之前沒(méi)有立即執(zhí)行對(duì)第一鄰居的讀取，在第二鄰居 的狀態(tài)發(fā)生跳變之前沒(méi)有立即執(zhí)行對(duì)第二鄰居的讀取。該方法還可以包括由配置存儲(chǔ)電路 得到鄰居的預(yù)定序列。該方法的特征還可以在于，配置存儲(chǔ)電路還指示鄰居的預(yù)定序列中 的最后的鄰居。該方法的特征還可以在于，配置存儲(chǔ)電路包括重復(fù)指示符，該重復(fù)指示符用 于確定重復(fù)鄰居的預(yù)定序列的次數(shù)，其中，在讀取單元以確定是否從第一狀態(tài)改變?yōu)榈诙?狀態(tài)之前，根據(jù)鄰居的預(yù)定序列對(duì)第一鄰居和第二鄰居重復(fù)進(jìn)行連續(xù)跳變，其重復(fù)次數(shù)是 使用重復(fù)指示符確定的。該方法的特征還在于，第一鄰居沿著與單元相同的位線并且第二 鄰居沿著與單元相同的字線。該方法的特征還可以在于，鄰居的預(yù)定序列指示第一鄰居跟 隨在第二鄰居之后，并且其中，執(zhí)行單元的第一鄰居的狀態(tài)和單元的第二鄰居的狀態(tài)連續(xù) 跳變，使得在第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之前，第二鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變。另外，存在數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，該數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)具有包括多個(gè)單元的MRAM陣列、與 MRAM陣列耦合的MRAM控制器和測(cè)試邏輯。測(cè)試邏輯耦合到MRAM控制器并且包括配置存儲(chǔ) 電路，該配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)至少兩個(gè)鄰居位置的預(yù)定序列，其中，對(duì)于多個(gè)單元中正被測(cè)試 的每個(gè)單元而言，如預(yù)定序列的至少兩個(gè)鄰居位置所指示，測(cè)試邏輯連續(xù)跳變正被測(cè)試的 單元的鄰居的狀態(tài)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的特征還可以在于MRAM陣列、MRAM控制器和測(cè)試邏輯 位于單個(gè)集成電路上。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的特征還可以在于，配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)用于指示預(yù)定 序列的末尾的最后的鄰居指示符。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的特征還可以在于，配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)重 復(fù)指示符，該重復(fù)指示符指示由預(yù)定序列指示的測(cè)試邏輯連續(xù)跳變正被測(cè)試的單元的至少 兩個(gè)鄰居的序列的次數(shù)。數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)的特征還在于，沒(méi)有響應(yīng)于讀取正跳變的鄰居來(lái)執(zhí) 行跳變。還描述了一種測(cè)試具有多個(gè)單元的跳變MRAM的方法。該方法包括從多個(gè)單元中 選擇要測(cè)試的單元。該方法還包括將第一狀態(tài)寫(xiě)入單元。該方法還包括讀取該單元，以驗(yàn)證 第一狀態(tài)。該方法還包括如鄰居的預(yù)定序列所指示，確定該單元的第一鄰居，其中，第一鄰 居與該單元相鄰。該方法還包括跳變單元的第一鄰居的狀態(tài)，其中，沒(méi)有響應(yīng)于讀取第一鄰 居來(lái)執(zhí)行第一鄰居的狀態(tài)的跳變。該方法還包括如鄰居的預(yù)定序列所指示，確定該單元的 第二鄰居，其中，第二鄰居與該單元相鄰。該方法還包括跳變單元的第二鄰居的狀態(tài)，其中， 沒(méi)有響應(yīng)于讀取第二鄰居來(lái)執(zhí)行第二鄰居的狀態(tài)的跳變。該方法還包括在第二鄰居的狀 態(tài)跳變之后，讀取該單元以確定是否出現(xiàn)了從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的改變。該方法還包括 在讀取該單元以確定是否出現(xiàn)了從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的改變之后，從多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的下一個(gè)單元。該方法還可以包括在該單元的第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之后，確定第 一鄰居不是預(yù)定序列中的最后的鄰居。該方法還可以包括在該單元的第二鄰居的狀態(tài)發(fā) 生跳變之后并且在讀取該單元以確定是否存在從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的改變之前，確定第 二鄰居是預(yù)定序列中的最后的鄰居。該方法還可以包括在確定第二鄰居是預(yù)定序列中的 最后的鄰居之后，確定是否指示預(yù)定序列的重復(fù)。該方法還可以包括在選擇了下一個(gè)單元 之后，將第三狀態(tài)寫(xiě)入下一個(gè)單元；讀取下一個(gè)單元，以驗(yàn)證第三狀態(tài)；如鄰居的預(yù)定序列 所指示，確定下一個(gè)單元的第三鄰居，其中，第三鄰居與下一個(gè)單元相鄰；跳變下一個(gè)單元 的第三鄰居的狀態(tài)，其中，沒(méi)有響應(yīng)于讀取下一個(gè)單元的第三鄰居來(lái)執(zhí)行下一個(gè)單元的第 三鄰居狀態(tài)的跳變；如鄰居的預(yù)定序列所指示，確定下一個(gè)單元的第四鄰居，其中第四鄰居 與下一個(gè)單元相鄰；跳變下一個(gè)單元的第四鄰居的狀態(tài)，其中，沒(méi)有響應(yīng)于讀取下一個(gè)單元 的第四鄰居來(lái)執(zhí)行下一個(gè)單元的第四鄰居狀態(tài)的跳變；以及在下一個(gè)單元的第四鄰居的狀 態(tài)發(fā)生跳變之后，讀取下一個(gè)單元以確定是否出現(xiàn)了從第三狀態(tài)到第四狀態(tài)的改變。該方 法的特征還可以在于，第二狀態(tài)是邏輯狀態(tài)和不確定狀態(tài)之一。該方法的特征還在于，第一 鄰居和第二鄰居沒(méi)有沿著同一字線或同一位線。因?yàn)閷?shí)現(xiàn)本發(fā)明的設(shè)備中的大部分是由本領(lǐng)域的技術(shù)人員已知的電子組件和電 路構(gòu)成，所以為了理解并體會(huì)本發(fā)明下面的構(gòu)思并且為了不混亂或分散本發(fā)明的教導(dǎo)，沒(méi) 有對(duì)電路細(xì)節(jié)進(jìn)行以任何比上述必要考慮的程度更大的程度來(lái)說(shuō)明?？梢岳酶鞣N不同的信息處理系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)可應(yīng)用的以上實(shí)施例中的一些。例如， 雖然圖1以及對(duì)圖1的討論描述了示例性信息處理構(gòu)造，但是該示例性構(gòu)造只是被表現(xiàn)為 在討論本發(fā)明的各種方面的過(guò)程中提供可用的參考。當(dāng)然，已為了討論的目的而簡(jiǎn)化了對(duì) 該構(gòu)造的說(shuō)明，并且這只是根據(jù)本發(fā)明可以使用的許多不同類型的合適構(gòu)造之中的一種。 本領(lǐng)域的技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，邏輯塊之間的邊界只是示例性的，并且可替選的實(shí)施例可以 并入邏輯塊或電路元件或者將功能性的可替選分解施加到邏輯塊或電路元件。雖然在此參照具體實(shí)施例描述了本發(fā)明，但是可以在不脫離如以下權(quán)利要求所闡 述的本發(fā)明范圍內(nèi)進(jìn)行各種修改和變化。例如，在圖5的流程圖中，可以去除盒116、122和 126，并且從盒114和120的“是”輸出以及盒124的輸出都可以耦合到盒110的輸入。因 此，說(shuō)明書(shū)和附圖將被認(rèn)為是示例性的而非限制性的，并且所有這類修改旨在被包括在本 發(fā)明的范圍內(nèi)。本文所描述的關(guān)于具體實(shí)施例的任何益處、優(yōu)點(diǎn)和問(wèn)題的解決方法旨在被 理解為是任意或全部權(quán)利要求的關(guān)鍵的、需要的或必要的特征或元件。如本文所使用的術(shù)語(yǔ)“耦合”不意圖限制為直接耦合或機(jī)械耦合。另外，如本文所使用的單數(shù)形式被限定為一個(gè)或不止一個(gè)。另外，在權(quán)利要求中使 用諸如“至少一個(gè)”和“一個(gè)或多個(gè)”的引語(yǔ)不應(yīng)該被理解為暗示通過(guò)不定冠詞引入的另一 個(gè)權(quán)利要求的元件將含有這類被引用的權(quán)利要求元件的任何特定權(quán)利要求限制于只包含 一個(gè)這類元件的發(fā)明，即使是當(dāng)相同的權(quán)利要求包括引語(yǔ)“一個(gè)或多個(gè)”或“至少一個(gè)”以 及不定冠詞時(shí)。對(duì)于使用定冠詞也是如此。除非特別說(shuō)明，否則諸如“第一”和“第二”的術(shù)語(yǔ)用于任意區(qū)別這類術(shù)語(yǔ)所描述 的元件。因此，這些術(shù)語(yǔ)不是必須旨在指示這類元件在時(shí)間上或其他方面的優(yōu)先序列。
權(quán)利要求
一種用于測(cè)試具有多個(gè)單元的跳變MRAM的方法，所述方法包括在所述多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的單元；將第一狀態(tài)寫(xiě)入所述單元；讀取所述單元，以驗(yàn)證所述第一狀態(tài)；根據(jù)鄰居的預(yù)定序列來(lái)連續(xù)跳變所述單元的第一鄰居的狀態(tài)和所述單元的第二鄰居的狀態(tài)，其中所述單元的第一鄰居與所述單元相鄰并且所述單元的第二鄰居與所述單元相鄰，并且其中所述鄰居的預(yù)定序列指示連續(xù)跳變所述第一鄰居的狀態(tài)和所述第二鄰居的狀態(tài)的次序；在連續(xù)跳變的步驟之后，讀取所述單元，以確定是否出現(xiàn)從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的改變。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述第一鄰居來(lái)執(zhí)行所述第一鄰居的狀態(tài)的跳變，以及 沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述第二鄰居來(lái)執(zhí)行所述第二鄰居的狀態(tài)的跳變。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中在所述第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之前，沒(méi)有立即執(zhí)行讀取所述第一鄰居，以及 在所述第二鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之前，沒(méi)有立即執(zhí)行讀取所述第二鄰居。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，還包括 從配置存儲(chǔ)電路中得到鄰居的所述預(yù)定序列。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述配置存儲(chǔ)電路還指示鄰居的所述預(yù)定序列中的最后的鄰居。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中所述配置存儲(chǔ)電路包括重復(fù)指示符，所述重復(fù)指示符用于確定重復(fù)鄰居的所述預(yù)定序 列的次數(shù)，其中，在讀取所述單元以確定是否出現(xiàn)從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的改變 之前，根據(jù)鄰居的所述預(yù)定序列將所述第一鄰居和所述第二鄰居的連續(xù)跳變重復(fù)使用所述 重復(fù)指示符確定的次數(shù)。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述第一鄰居沿著與所述單元相同的位線，以及 所述第二鄰居沿著與所述單元相同的字線。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中鄰居的所述預(yù)定序列指示所述第一鄰居跟隨在所述第二鄰居之后，以及 其中執(zhí)行所述單元的所述第一鄰居的狀態(tài)和所述單元的所述第二鄰居的狀態(tài)的連續(xù) 跳變，使得在所述第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之前，所述第二鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變。
9.一種數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，包括MRAM陣列，所述MRAM陣列包括多個(gè)單元；MRAM控制器，所述MRAM控制器耦合到所述MRAM陣列；以及測(cè)試邏輯，所述測(cè)試邏輯耦合到所述MRAM控制器，所述測(cè)試邏輯包括配置存儲(chǔ)電路， 所述配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)至少兩個(gè)鄰居位置的預(yù)定序列，其中，對(duì)于正被測(cè)試的所述多個(gè)單 元中的每個(gè)單元，如所述預(yù)定序列中的至少兩個(gè)鄰居位置所指示，測(cè)試邏輯連續(xù)跳變正被 測(cè)試的單元的鄰居的狀態(tài)。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述MRAM陣列、所述MRAM控制器和所述測(cè)試邏輯位于單個(gè)集成電路上。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)用以指示所述預(yù)定序列的末尾的最后的鄰居指示符。
12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中所述配置存儲(chǔ)電路存儲(chǔ)重復(fù)指示符，所述重復(fù)指示符指示測(cè)試邏輯連續(xù)跳變由所述預(yù) 定序列所指示的正被測(cè)試的所述單元的至少兩個(gè)鄰居的序列的次數(shù)。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的數(shù)據(jù)處理系統(tǒng)，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取被跳變的鄰居來(lái)執(zhí)行所述跳變。
14.一種用于測(cè)試具有多個(gè)單元的跳變MRAM的方法，所述方法包括從所述多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的單元；將第一狀態(tài)寫(xiě)入所述單元；讀取所述單元，以驗(yàn)證所述第一狀態(tài)；如鄰居的預(yù)定序列所指示，確定所述單元的第一鄰居，其中所述第一鄰居與所述單元 相鄰；跳變所述單元的所述第一鄰居的狀態(tài)，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述第一鄰居來(lái)執(zhí)行所述 第一鄰居的狀態(tài)的跳變；如鄰居的所述預(yù)定序列所指示，確定所述單元的第二鄰居，其中所述第二鄰居與所述 單元相鄰；跳變所述單元的第二鄰居的狀態(tài)，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述第二鄰居來(lái)執(zhí)行所述第二 鄰居的狀態(tài)的跳變；在所述第二鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之后，讀取所述單元，以確定是否出現(xiàn)從所述第一狀 態(tài)到所述第二狀態(tài)的改變；以及在讀取所述單元以確定是否出現(xiàn)從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的改變之后，從所述 多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的下一個(gè)單元。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中，在所述單元的所述第一鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之后，所述方法還包括確定所述第一鄰居 不是所述預(yù)定序列中的最后的鄰居。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的方法，其中在所述單元的所述第二鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之后并且在讀取所述單元以確定是否出 現(xiàn)從所述第一狀態(tài)到所述第二狀態(tài)的改變之前，所述方法還包括確定所述第二鄰居是所述 預(yù)定序列中的最后的鄰居。
17.根據(jù)權(quán)利要求16所述的方法，其中在確定所述第二鄰居是所述預(yù)定序列中的最后的鄰居之后，所述方法還包括確定是否 指示了所述預(yù)定序列的重復(fù)。
18.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在選擇下一個(gè)單元之后，所述方法還包括將第三狀態(tài)寫(xiě)入所述下一個(gè)單元；讀取所述下一個(gè)單元，以驗(yàn)證所述第三狀態(tài)；如鄰居的所述預(yù)定序列所指示，確定所述下一個(gè)單元的第三鄰居，其中所述第三鄰居與所述下一個(gè)單元相鄰；跳變所述下一個(gè)單元的所述第三鄰居的狀態(tài)，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述下一個(gè)單元的 第三鄰居來(lái)執(zhí)行所述下一個(gè)單元的第三鄰居的狀態(tài)的跳變；如鄰居的所述預(yù)定序列所指示，確定所述下一個(gè)單元的第四鄰居，其中所述第四鄰居 與所述下一個(gè)單元相鄰；跳變所述下一個(gè)單元的第四鄰居的狀態(tài)，其中沒(méi)有響應(yīng)于讀取所述下一個(gè)單元的第四 鄰居來(lái)執(zhí)行所述下一個(gè)單元的第四鄰居的狀態(tài)的跳變；在所述下一個(gè)單元的第四鄰居的狀態(tài)發(fā)生跳變之后，讀取所述下一個(gè)單元以確定是否 出現(xiàn)從所述第三狀態(tài)到第四狀態(tài)的改變。
19.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中 所述第二狀態(tài)是邏輯狀態(tài)或不確定狀態(tài)之一。
20.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中所述第一鄰居和所述第二鄰居不沿著相同的字線或相同的位線。
全文摘要
一種用于測(cè)試具有多個(gè)單元(12、14、16、18、20、22、24、26、28)的跳變MRAM(10)的方法，該方法包括在多個(gè)單元中選擇要測(cè)試的單元(12)；將第一狀態(tài)寫(xiě)入單元(12)；讀取單元(12)，以驗(yàn)證第一狀態(tài)；根據(jù)鄰居的預(yù)定序列來(lái)連續(xù)跳變?cè)搯卧牡谝秽従?14、16、18或20)的狀態(tài)和該單元的第二鄰居(14、16、18或20)的狀態(tài)，其中該單元的第一鄰居與該單元相鄰并且該單元的第二鄰居與該單元相鄰，并且其中鄰居的預(yù)定序列指示連續(xù)跳變第一鄰居的狀態(tài)和第二鄰居的狀態(tài)的次序，并且在連續(xù)跳變之后，讀取該單元以確定是否出現(xiàn)從第一狀態(tài)到第二狀態(tài)的改變。
文檔編號(hào)G11C11/00GK101842843SQ200780101320
公開(kāi)日2010年9月22日 申請(qǐng)日期2007年11月1日 優(yōu)先權(quán)日2007年11月1日
發(fā)明者約瑟夫·J·納哈斯, 肯尼斯·P·帕普沃思, 賈森·雅內(nèi)斯基, 賽義德·M·阿拉姆, 馬克·德埃烈亞, 馬蒂厄·布雷茲-溫寧 申請(qǐng)人:飛思卡爾半導(dǎo)體公司