專利名稱：具有覆蓋的結(jié)合引線和屏蔽件的磁致電阻傳感器的制作方法
具有覆蓋的結(jié)合引線和屏蔽件的磁致電阻傳感器本發(fā)明總體上涉及用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的磁頭的讀出頭部分，更具體而言， 涉及引線覆蓋讀出頭，其中電引線和第二磁屏蔽件結(jié)合。
背景技術(shù)：
可以通過(guò)提高磁硬盤(pán)的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面密度實(shí)現(xiàn)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的性能的提高。 可以降低寫(xiě)入數(shù)據(jù)的磁道寬度，從而在磁盤(pán)的每英寸內(nèi)寫(xiě)入更多的磁道，由此實(shí)現(xiàn)這一目的。要想從具有降低的磁道寬度的磁盤(pán)讀取數(shù)據(jù)，必須開(kāi)發(fā)出 具有充分窄的讀取寬度的讀出頭，從而能夠準(zhǔn)確地讀取窄數(shù)據(jù)磁道，并且在 讀取窄數(shù)據(jù)磁道時(shí)充分消除來(lái)自相鄰數(shù)據(jù)磁道的不利的磁場(chǎng)千擾。標(biāo)準(zhǔn)的現(xiàn)有技術(shù)讀出頭元件包括多個(gè)所淀積和制作的用于制造GMR讀 出頭的薄膜層，這對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言是公知的'。值得注意的是，在構(gòu) 成GMR讀出頭傳感器的薄膜層的寬度降至某些值之下時(shí)，將明顯損害所述 層的磁特性。為了克服這一問(wèn)題，開(kāi)發(fā)出了這樣的GMR讀出頭，其中，所 述薄膜層具有足夠的寬度，并在所述薄膜層的部分頂部上覆蓋電引線。這一 引線覆蓋結(jié)構(gòu)的作用在于產(chǎn)生一個(gè)有源(active)讀出頭傳感器區(qū)域，其具 有小于所淀積的傳感器層的整個(gè)寬度的讀取寬度，從而能夠保持薄膜層的磁 特性。因此，在現(xiàn)有技術(shù)的引線覆蓋GMR讀出頭中，傳感器的有源磁層部 分存在于電引線的內(nèi)端(inner ends )之間。還可以通過(guò)提高磁盤(pán)的數(shù)據(jù)磁道上每英寸的位數(shù)實(shí)現(xiàn)磁盤(pán)數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面 密度的提高，而這一手段是通過(guò)降低數(shù)據(jù)位在磁道內(nèi)的尺寸實(shí)現(xiàn)的。要想讀 取此類尺寸降低的數(shù)據(jù)位，必須減小讀傳感器的讀取間隙，其中，將所述讀 取間隙定義為在所述傳感器層的上面和下面制作的磁屏蔽件之間的距離。因此，要想改善這樣的引線覆蓋讀出頭的性能特性，希望降低所覆蓋的 引線的內(nèi)端之間的讀取寬度并減小磁屏蔽件之間的讀取間隙。本發(fā)明解決了 這些問(wèn)題。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是一種改進(jìn)的用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的包括引線覆蓋讀出頭的磁頭，其 中，減小了讀取寬度和讀取間隙。通過(guò)在制作所覆蓋的電引線之前制作薄讀 取寬度絕緣構(gòu)件降低了對(duì)應(yīng)于所覆蓋的電引線的內(nèi)端之間的距離的讀取寬度。通過(guò)由諸如NiFe的導(dǎo)電磁材料制作覆蓋電引線減小了讀取間隙，由此 還能夠使所述覆蓋電引線起到磁屏蔽件作用。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比減小了 作為第 一和第二磁屏蔽件之間的距離的讀取間隙。本發(fā)明的磁頭的優(yōu)點(diǎn)在于，其包括具有降低的讀取寬度的讀出頭。 本發(fā)明的磁頭的另 一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括具有減小的讀取間隙的讀出頭。 本發(fā)明的磁頭的另 一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括具有結(jié)合的電引線和磁屏蔽件的 讀出頭。本發(fā)明的磁頭的另 一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括具有減少的噪聲和側(cè)讀取(side reading)問(wèn)題的讀出頭。本發(fā)明硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的優(yōu)點(diǎn)在于，其包括的本發(fā)明的磁頭，包括具有降低 的讀取寬度的讀出頭。本發(fā)明硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的另一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括的本發(fā)明的磁頭，包括具有 減小的讀取間隙的讀出頭。本發(fā)明的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的另一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括的本發(fā)明的磁頭，包括具 有結(jié)合的電引線和磁屏蔽件的讀出頭。本發(fā)明的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的另一優(yōu)點(diǎn)在于，其包括的本發(fā)明的磁頭，包括具 有減少的噪聲和側(cè)讀取問(wèn)題的讀出頭。本發(fā)明的用于制作磁頭的方法的優(yōu)點(diǎn)在于，其包括具有結(jié)合的電引線和 磁屏蔽件的讀出頭，由此減少了所需的制作步驟。對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員而言，在閱讀了下述參考附圖的詳細(xì)說(shuō)明后，本發(fā) 明的這些和其他特征和優(yōu)點(diǎn)無(wú)疑將變得顯而易見(jiàn)。


圖1是示出了具有本發(fā)明的磁頭的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的頂視平面圖；圖2是現(xiàn)有技術(shù)的磁頭的引線覆蓋讀出頭部分的側(cè)視圖；圖3是本發(fā)明的磁頭的引線覆蓋讀出頭部分的第 一 實(shí)施例的側(cè)視圖；圖4-8是本發(fā)明的磁頭的引線覆蓋讀出頭部分的制作步驟的側(cè)視圖；圖9是本發(fā)明的磁頭的引線覆蓋讀出頭部分的備選實(shí)施例的側(cè)視圖；以及圖10是本發(fā)明的磁頭的51線覆蓋讀出頭部分的另 一 實(shí)施例的側(cè)視圖。
具體實(shí)施方式
圖1是示出了包括本發(fā)明的磁頭的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的主要部件的頂視平面 圖。硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10包括以可旋轉(zhuǎn)的方式安裝在機(jī)動(dòng)主軸14上的磁介質(zhì)硬盤(pán) 12。將致動(dòng)臂16通過(guò)樞軸安裝在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10內(nèi)，其中，在致動(dòng)臂16的 遠(yuǎn)端22上設(shè)置本發(fā)明的磁頭20。典型的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10可以包括以可旋轉(zhuǎn)的 方式安裝在主軸14上的多個(gè)磁盤(pán)12以及多個(gè)致動(dòng)臂16,磁頭20安裝在每 個(gè)致動(dòng)器臂的遠(yuǎn)端22上。如本領(lǐng)域技術(shù)人員所公知的，在硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10工 作時(shí)，硬盤(pán)12在主軸14上旋轉(zhuǎn)，磁頭20起著氣墊滑塊的作用，其適于在 旋轉(zhuǎn)磁盤(pán)的表面上飛行。所述滑塊包括在其上制作形成磁頭的各種層和結(jié)構(gòu) 的襯底基座。在晶片襯底上制作大量的這樣的頭，接下來(lái)將其切割成分立的 萬(wàn)茲頭20。一種提高硬盤(pán)12的數(shù)據(jù)存儲(chǔ)面密度的方法是使寫(xiě)在硬盤(pán)上的數(shù)據(jù)磁道 的磁道寬度變窄，從而能夠在磁盤(pán)的每英寸內(nèi)寫(xiě)入更多的磁道。要想在更窄 的磁道內(nèi)寫(xiě)入數(shù)據(jù)，必須開(kāi)發(fā)出具有更窄的寫(xiě)入磁道寬度的磁頭的寫(xiě)入頭部 件。相應(yīng)地，還必須開(kāi)發(fā)出此類磁頭20的具有縮小的有源讀取寬度的讀出 頭部件，從而將能夠讀取窄數(shù)據(jù)磁道，并使來(lái)自相鄰數(shù)據(jù)磁道的側(cè)讀取降至 最低。但是，如本領(lǐng)域技術(shù)人員所知，存在與形成GMR讀出頭的讀出頭有 源部件的薄膜層的寬度有關(guān)的性能限制。也就是說(shuō)，當(dāng)傳感器層的寬度降至 某些值以下時(shí)，讀出頭的薄膜傳感器層的所需磁特性將受到不利影響。 一種 嘗試克服這一限制的現(xiàn)有技術(shù)是圖2所示的引線覆蓋讀出頭構(gòu)造，下面將對(duì) 其予以說(shuō)明。圖2是現(xiàn)有技術(shù)的磁頭40的電引線覆蓋GMR讀出頭36部分的側(cè)視截 面圖。如圖所示，現(xiàn)有技術(shù)引線覆蓋讀出頭36 —般包括其上形成磁頭的襯 底基座42,其由諸如氧化鋁鈦碳化物的晶片材料構(gòu)成。在淀積于襯底上的下 層43上制作第一磁屏蔽件44，在磁屏蔽件44上制作通常由氧化鋁構(gòu)成的絕 緣層46。在絕緣層46上依次淀積一系列薄膜傳感器層。制作此類GRM讀 出頭的各種薄膜傳感器層是現(xiàn)有技術(shù)中已知的，出于本發(fā)明的目的，所述層通常包括反鐵磁層54、淀積于反鐵磁層54上的被釘扎磁層58、淀積于被釘 扎磁層58上的間隔層64、淀積于間隔層64上的自由磁層68和淀積于自由 磁層.68上的帽蓋層72。通常，反鐵石茲層54可以由PtMn構(gòu)成，所述被釘扎 磁層58可以由CoFe構(gòu)成，所述間隔層64可以由Cu構(gòu)成，所述自由磁層 68可以由CoFe構(gòu)成，所述帽蓋層72可以由Ta構(gòu)成。讀出頭傳感器層54-72的淀積之后，執(zhí)行圖案化蝕刻工藝，從而僅保留 傳感器層54-72的中央?yún)^(qū)域80。此后，沿中央傳感器區(qū)域80的側(cè)面在側(cè)面 區(qū)域內(nèi)淀積電絕緣的薄層84，在中央傳感器區(qū)域80的每一側(cè)的絕緣層84 上淀積硬偏置元件88。硬偏置元件88的淀積之后，在硬偏置元件88的頂部 制作電引線元件94。如圖2所示，使引線94的內(nèi)端96覆蓋在中央讀出頭傳 碌器區(qū)域80的層54-72的外側(cè)部分100的頂部。傳感器層80的中央部分102 不被引線94的內(nèi)端96覆蓋。在電引線94和帽蓋層72的頂部制作第二絕緣 層104,繼之以第二磁屏蔽件108的制作，此后制作本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的 其他部件112 (未詳細(xì)示出)，最后得到了完整的磁頭。圖2所示的現(xiàn)有技術(shù)引線覆蓋GMR讀出頭36的顯著特征在于，中央傳 感器區(qū)域80的基本界定讀出頭36的讀取寬度W的部分是設(shè)置于電引線94 的內(nèi)端96之間的中央傳感器區(qū)域80的中央部分102。也就是說(shuō)，由于電流 流經(jīng)電引線94之間的讀出頭傳感器層，因此所述傳感器層的有源部分通常 包括處于電引線94的內(nèi)端96之間的讀取寬度。設(shè)置于電引線94的覆蓋內(nèi) 端96之下的讀出頭層的外側(cè)部分100通常是無(wú)源的，因?yàn)殡娨€94之間的 明顯的電流并不流經(jīng)所述部分。現(xiàn)有技術(shù)中的磁頭的讀取間隙被定義為第一和第二磁屏蔽件44和108 之間的距離。由圖2可見(jiàn)，這一讀取l，隙包括第一絕緣間隙層、傳感器層層 和第二絕緣間隙層的厚度。在根據(jù)制造窄讀取寬度所需要的將覆蓋電引線的內(nèi)端布置為相互接近時(shí)，第二間隙層的厚度通常必須接近電引線的厚度，以 避免與第二磁屏蔽件的短路。對(duì)應(yīng)于更高的數(shù)據(jù)密度盤(pán)，必須在不增強(qiáng)信號(hào)噪聲和來(lái)自相鄰數(shù)據(jù)磁道 的側(cè)讀取效應(yīng)的情況下降低磁頭的讀取寬度。而且，希望能夠減小讀取間隙， 從而可以準(zhǔn)確地讀取更高密度的數(shù)據(jù)磁道，但不增加來(lái)自數(shù)據(jù)磁道上的與正 在讀取的數(shù)據(jù)位相鄰設(shè)置的磁道內(nèi)數(shù)據(jù)位的信號(hào)噪聲。圖3示出了本發(fā)明的第一磁頭實(shí)施例110，具有本發(fā)明的引線覆蓋讀出頭120，適于用作圖1所示的磁盤(pán)驅(qū)動(dòng)器10的磁頭20。為了便于理解，采 用相同的附圖標(biāo)記表示本發(fā)明和現(xiàn)有技術(shù)中的類似結(jié)構(gòu)。如圖3所示，讀出 頭120包括GMR讀出頭薄膜傳感器元件80，以及絕緣層84和硬偏置元件 88。讀出頭120的顯著特征在于設(shè)置于兩個(gè)覆蓋電引線134和138之間的、 處于中央的、獨(dú)立的讀取寬度電絕緣構(gòu)件128的制作，其中，所述絕緣構(gòu)件 128被設(shè)置于薄膜傳感器元件80上的中央位置。讀出頭120的第二個(gè)顯著特 征在于，引線134和138由諸如NiFe的磁屏蔽件材料制作，并且優(yōu)選但不 限于由坡莫合金(80/20NiFe)制作。在電引線134、 138的上表面142上以 及電絕緣體128的上表面144上制作電絕緣層140。與圖2所示并且在上文予以說(shuō)明的現(xiàn)有技術(shù)引線覆蓋讀出頭傳感器一 樣，電流146將流經(jīng)電引線134，由于電絕緣構(gòu)件128而經(jīng)過(guò)傳感器層80， 并通過(guò)另一電引線138。結(jié)果，讀出頭120的有效讀取寬度W通常近似等于 電絕緣構(gòu)件128的寬度S，加上取決于傳感器層和引線的相對(duì)電阻的在電絕 緣構(gòu)件128的每側(cè)的一定的額外特征寬度。因此，絕緣構(gòu)件128的寬度S的 受控制作，尤其是寬度S的降低導(dǎo)致了讀出頭120的讀取寬度W的降低， 從而得到了適于讀取更高密度的數(shù)據(jù)磁盤(pán)的窄磁道寬度的磁頭110。讀出頭120的另一個(gè)顯著的特征在于，電引線134、 138還起著第二磁 屏蔽件的作用，因?yàn)槠溆芍T如NiFe的磁屏蔽件材料構(gòu)成。顯然，在讀出頭 120的第二磁屏蔽件134、 138與傳感器層58-72之間不存在對(duì)應(yīng)于圖2所示 的現(xiàn)有技術(shù)磁頭的第二絕緣層104的絕緣層。結(jié)果，與現(xiàn)有技術(shù)相比，降低 了第一磁屏蔽件44和第二磁屏蔽件(電引線134、 138)之間的讀取間隙距 離，因?yàn)椴恍枰趦蓚€(gè)磁屏蔽件44和134、 138之間制作第二絕緣層104(參 考圖2)。讀取間隙的降低提高了讀出頭120的磁道內(nèi)讀取靈敏度。就這一點(diǎn) 而言，讀出頭120還適于更高密度的磁盤(pán)，該^t盤(pán)具有增加的每英寸數(shù)據(jù)磁 道位密度。接下來(lái)將借助圖4-8描述本發(fā)明的讀出頭120的制作方法。圖4示出了用于說(shuō)明本發(fā)明的制作方法的起始點(diǎn)。如圖所示，已經(jīng)在磁 頭襯底42上制作了下層43、第一磁屏蔽件44和第一絕緣層46。此后，已 經(jīng)淀積了包括GMR傳感器層54-72的各個(gè)層，并對(duì)其構(gòu)圖，以建立中央傳 感器層結(jié)構(gòu)80。此后，沿中央傳感器80的側(cè)面淀積由諸如氧化鋁的電絕緣 材料構(gòu)成的薄層84,并在絕緣層84上制作硬偏置元件88。優(yōu)選但不限于采 用原子層淀積(ALD)法制作薄絕緣層84,這是本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的。因此，應(yīng)當(dāng)理解，讀出頭制作的這一階段與圖2所示的基本相同，本領(lǐng)域技 術(shù)人員能夠充分理解。此后，如圖5所示，在中央傳感器80上制作讀取寬度電絕緣構(gòu)件128。 希望將絕緣構(gòu)件128制作在處于硬偏置元件88之間的中央位置，并且絕緣 構(gòu)件128的高度(將其稱為帶高度(未示出))至少延伸至傳感器元件80的 帶高度(strip height),這一點(diǎn)是本領(lǐng)域技術(shù)人員所理解的。還希望絕緣體構(gòu)件 128的寬度S是可控的窄寬度，因?yàn)榇蓬^的讀取寬度W主要地、盡管不是全 部地由絕緣體構(gòu)件128的寬度S決定?？梢岳帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員已知的各種制作方法制作薄絕緣構(gòu)件128。例 如， 一種此類的絕緣構(gòu)件制作方法包括在預(yù)期的絕緣構(gòu)件128的位置處制作 垂直光致抗蝕劑壁。此后，利用諸如ALD的淀積工藝，在水平表面和垂直 光致抗蝕劑壁上淀積一層絕緣構(gòu)件材料。之后，采用反應(yīng)離子蝕刻(RIE) 工藝去除絕緣層材料；但是，由于RIE工藝的非常強(qiáng)的方向性，只從水平表 面上去除了絕緣材料，而淀積在光致抗蝕劑的垂直壁上的絕緣材料卻保留了 下來(lái)。此后，在去除光致抗蝕劑的同時(shí)，保留了薄的、垂直的絕緣構(gòu)件128, 其寬度S近似等于ALD淀積層的厚度。采用這種制作方法制作了由諸如氧 化鋁的材料構(gòu)成的高的高寬比的電絕緣構(gòu)件128,可以將寬度S控制到低達(dá) l-40nm的尺寸，其中，由于電子的電隧穿通過(guò)lnm左右或更低的薄膜氧化 鋁層是不利的，因此lnm近似為最小的預(yù)期寬度，本領(lǐng)域技術(shù)人員對(duì)此公知。此后，如圖6所示，在所述器件上按照適當(dāng)?shù)膱D案淀積電引線材料130， 從而在絕緣構(gòu)件128的側(cè)表面154處淀積電引線材料130。如上所述，所述 電引線由諸如NiFe的磁性材料構(gòu)成，可以按照適當(dāng)?shù)碾娨€圖案對(duì)其進(jìn)行 濺射淀積或電鍍。如圖6所示，在濺射淀積電引線材料時(shí)，將在電絕緣構(gòu)件 128上淀積一些電引線材料160。此后，如圖7所示，在淀積電引線材料130之后，進(jìn)行化學(xué)機(jī)械拋光 (CMP)步驟，以去除額外的電引線材料160,并形成引線的頂表面142以 及暴露電絕緣構(gòu)件128的頂表面144。重要的是暴露電絕緣構(gòu)件128的頂表 面144,從而通過(guò)絕緣構(gòu)件128防止電引線134、 138之間的可能發(fā)生的電短 路，由此使引線之間的檢測(cè)電流通過(guò)中央傳感器80。如圖8所示，在制作引線134、 138之后，接著跨越電引線的頂表面142 和電絕緣構(gòu)件128的頂表面144淀積諸如氧化鋁的電絕緣材料164,從而釆用絕緣材料164覆蓋電引線134和138，以防止電短路。由磁性材料構(gòu)成的 電引線134、 138還起著讀出頭120的第二磁屏蔽件的作用，并且能夠避免 來(lái)自相鄰數(shù)據(jù)磁道的不利側(cè)讀取和噪聲。之后，在接下來(lái)的多個(gè)公知步驟中， 在絕緣層164上制作諸如寫(xiě)入頭部件的其他磁頭部件166(未詳細(xì)示出)，從 而最終形成完整的磁頭110。或者，如圖9所示，可以在絕緣材料層164上淀積諸如NiFe的第二層 磁性材料168,從而為讀出頭傳感器提供更為魯棒(robust)的磁屏蔽件，由此 形成了備選讀出頭實(shí)施例170。但是，通過(guò)由》茲材料構(gòu)成的電引線134、 138 (第二磁屏蔽件)提供了實(shí)質(zhì)上控制讀取間隙距離的主磁屏蔽。圖10示出了本發(fā)明的備選讀出頭實(shí)施例180,其具有很多與圖3和圖8 中所示的讀出頭120類似的結(jié)構(gòu)，為了便于理解，采用相同的附圖標(biāo)記表示 這樣的類似結(jié)構(gòu)元件。如圖IO所示，磁頭180中的顯著差異在于，電引線 的外側(cè)部分184由諸如Rh的比NiFe具有更高的導(dǎo)電性的非磁的導(dǎo)體形成。 在圖7所示的CMP步驟之后，在NiFe磁電引線134、 138上制作電引線的 外側(cè)部分184。由非磁的電導(dǎo)體構(gòu)成的這種外側(cè)電引線184能夠降低在磁頭 的整個(gè)電引線結(jié)構(gòu)均由磁材料構(gòu)成的情況下可能產(chǎn)生的不利信號(hào)噪聲。與前 面的讀出頭實(shí)施例120—樣，讀出頭180實(shí)現(xiàn)了降低的噪聲和減小的側(cè)讀取。因此，應(yīng)當(dāng)理解，利用本發(fā)明的電引線覆蓋制作法，能夠?qū)⒈景l(fā)明的磁 頭的寬度W有效地降低至近似于絕緣構(gòu)件128的寬度S，加上取決于傳感器 層和引線的相對(duì)電阻的在絕緣構(gòu)件128的每側(cè)的一定的額外特征寬度。同樣 地，能夠通過(guò)由諸如NiFe的磁性材料制作覆蓋引線，可降低不利的磁噪聲 和側(cè)讀取。這將磁屏蔽件設(shè)置于更加接近傳感器層80,還減小了讀出頭的讀 取間隙。本發(fā)明的顯著特征在于降低的讀取寬度和減小的讀出頭的讀取間隙，由 此得到了降低的信號(hào)噪聲。采用本發(fā)明的磁頭的讀出頭傳感器可以有效地讀 取更高密度的數(shù)據(jù)磁盤(pán)。本發(fā)明被設(shè)計(jì)為應(yīng)用于具有各種類型和構(gòu)造的 GRM讀出頭，所述讀出頭包括各種數(shù)量和類型的薄膜層，從而為引線覆蓋 構(gòu)造提供改善的讀出頭特性。因此，盡管已經(jīng)參考某些優(yōu)選實(shí)施例對(duì)本發(fā)明 進(jìn)行了圖示和文字說(shuō)明，但是應(yīng)當(dāng)理解，本領(lǐng)域技術(shù)人員無(wú)疑可以對(duì)其做出 一定的修改和變型，而所述的修改和變型仍然包含本發(fā)明的實(shí)質(zhì)精神和范 圍。因此，旨在使權(quán)利要求覆蓋所有的此類修改和變型。
權(quán)利要求
1、一種磁頭，包括第一磁屏蔽件；設(shè)置于所述第一磁屏蔽件上的第一絕緣層；設(shè)置于所述第一絕緣層上的多個(gè)傳感器層；設(shè)置于所述傳感器層上的讀取寬度絕緣構(gòu)件；設(shè)置于所述傳感器層上的兩條電引線，其中，一條所述電引線設(shè)置在所述讀取寬度絕緣構(gòu)件的第一側(cè)，第二條所述電引線設(shè)置在所述讀取寬度絕緣構(gòu)件的另一側(cè)；設(shè)置在所述電引線和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件上的第二絕緣層。
2、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述讀取寬度絕緣構(gòu)件以大約 lnm到大約40nm的寬度形成。
3、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述電引線由磁性材料構(gòu)成。
4、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁頭，其中，所述磁性材料為NiFe。
5、 根據(jù)權(quán)利要求1所述的磁頭，其中，所述電引線包括由磁性材料構(gòu) 成的內(nèi)側(cè)部分和由非》茲材料構(gòu)成的外側(cè)部分。
6、 根據(jù)權(quán)利要求3所述的磁頭，其包括設(shè)置在所述第二絕緣層上的另 一磁屏蔽件。
7、 一種石茲頭，包4舌 第一磁屏蔽件；設(shè)置于所述第 一磁屏蔽件上的第 一絕緣層； 設(shè)置于所述第一絕緣層上的多個(gè)傳感器層； 設(shè)置在所述傳感器層上的第二磁屏蔽件。
8、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭，其中，所述第二磁屏蔽件電連接到所 述磁頭的電傳感器電路。
9、 根據(jù)權(quán)利要求7所述的磁頭，其中，所述第二磁屏蔽件由兩個(gè)導(dǎo)電 構(gòu)件構(gòu)成，并且讀取寬度絕緣構(gòu)件設(shè)置在所述傳感器層上并處于所述兩個(gè)導(dǎo) 電構(gòu)4牛之間。
10、 根據(jù)權(quán)利要求9所述的磁頭，其中，第二絕緣層設(shè)置在所述兩個(gè)導(dǎo) 電構(gòu)件上和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件上。
11、 根據(jù)權(quán)利要求10所述的磁頭，其中，另一磁屏蔽件設(shè)置在所述傳 感器絕緣層上。
12、 一種包括磁頭的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，所述^f茲頭包括 第一石茲屏蔽件；設(shè)置于所述第一磁屏蔽件上的第一絕緣層； 設(shè)置于所述第一絕緣層上的多個(gè)傳感器層； 設(shè)置于所述傳感器層上的讀取寬度絕緣構(gòu)件；設(shè)置于所述傳感器層上的兩條電引線，其中， 一條所述電引線設(shè)置在所 述讀取寬度絕緣構(gòu)件的第一側(cè)，第二條所述電引線設(shè)置在所述讀取寬度絕緣 構(gòu)件的另一側(cè)； 、設(shè)置在所述電引線和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件上的第二絕緣層。
13、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述讀取寬度絕緣構(gòu) 件以大約lnm到大約40nm的寬度形成。
14、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述電引線由磁性材 料構(gòu)成。
15、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述磁性材料為NiFe。
16、 根據(jù)權(quán)利要求12所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述電引線包括由磁 性材料構(gòu)成的內(nèi)側(cè)部分和由非磁材料構(gòu)成的外側(cè)部分。
17、 根據(jù)權(quán)利要求14所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其包括設(shè)置在所述第二絕緣 層上的另一磁屏蔽件。
18、 一種包括磁頭的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，所述/f茲頭包括 第一磁屏蔽件；設(shè)置于所述第 一磁屏蔽件上的第 一絕緣層； 設(shè)置于所述第一絕緣層上的多個(gè)傳感器層； 設(shè)置在所述傳感器層上的第二磁屏蔽件。
19、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述第二磁屏蔽件電 連接到所述磁頭的電傳感器電路。
20、 根據(jù)權(quán)利要求18所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述第二磁屏蔽件由 兩個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件構(gòu)成，并且讀取寬度絕緣構(gòu)件設(shè)置在所述傳感器層上且處于所 述兩個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件之間。
21、 根據(jù)權(quán)利要求20所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，所述第二絕緣層設(shè)置在所述兩個(gè)導(dǎo)電構(gòu)件上和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件上。
22、 根據(jù)權(quán)利要求21所述的硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器，其中，另一磁屏蔽件設(shè)置在所述第二絕緣層上。
23、 一種制作磁頭的方法，包括 在晶片襯底上制作第 一磁屏蔽件； 在所述第一磁屏蔽件上制作第一絕緣層； 在所述第一絕緣層上制作多個(gè)傳感器層； 在所述傳感器層上制作讀取寬度絕緣構(gòu)件； 在所述傳感器層上和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件上淀積電引線材料；面；在所述電引線上和所述讀取寬度絕緣構(gòu)件的上表面上淀積第二絕緣層。
24、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的制作磁頭的方法，其中，所述電引線由磁 性材料構(gòu)成。
25、 根據(jù)權(quán)利要求24所述的制作磁頭的方法，其中，在所述第二絕緣 層上制作另一磁屏蔽件。
26、 根據(jù)權(quán)利要求23所述的制作磁頭的方法，其中，通過(guò)由磁性材料 制作所述電引線的內(nèi)側(cè)部分且由非磁材料制作所述電引線的外側(cè)部分制作 所述電引線。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種具有覆蓋的結(jié)合引線和屏蔽件的磁致電阻傳感器以及改進(jìn)的用于硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器的包括引線覆蓋讀出頭的磁頭，其中，減小了讀取寬度和讀取間隙。通過(guò)在制作所覆蓋的電引線之前制作薄讀取寬度絕緣構(gòu)件降低了對(duì)應(yīng)于所覆蓋的電引線的內(nèi)端之間的距離的讀取寬度。通過(guò)由諸如NiFe的導(dǎo)電的磁材料制作覆蓋電引線減小了讀取間隙，由此還能夠使所述覆蓋電引線起到磁屏蔽件作用。因此，與現(xiàn)有技術(shù)相比減小了作為第一和第二磁屏蔽件之間的距離的讀取間隙，減小的幅度為電引線的厚度和形成于所述電引線和第二磁屏蔽件之間的現(xiàn)有技術(shù)第二絕緣層的厚度。
文檔編號(hào)G11B5/127GK101246691SQ200710199850
公開(kāi)日2008年8月20日 申請(qǐng)日期2007年12月14日 優(yōu)先權(quán)日2006年12月14日
發(fā)明者何國(guó)山, 戴維·J·西格爾, 曾慶驊, 李顯邦 申請(qǐng)人:日立環(huán)球儲(chǔ)存科技荷蘭有限公司