專利名稱：：非易失性存儲裝置中的多級單元回拷編程方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及非易失性存儲裝置中的多級單元(multi-levelcell)回拷(copyback)方法。
背景技術(shù)：
：在一般的非易失性存儲裝置中，一個(gè)串由多個(gè)存儲單元組成，且存儲單元陣列包括多個(gè)串。驅(qū)動(dòng)存儲單元的一般方法根據(jù)具有兩個(gè)狀態(tài)的閾值電壓電平操作。這里，與編程區(qū)和擦除區(qū)之一相對應(yīng)的第一狀態(tài)指的是在閾值電壓的電平高于給定電平的情況下閾值電壓的電平，而與另外的區(qū)相對應(yīng)的笫二狀態(tài)指的是在閾值電壓的電平小于給定電平的情況下閾值電壓的電平。例如，根據(jù)具有第一狀態(tài)和第二狀態(tài)的閣值電壓的電平對存儲單元進(jìn)行編程和擦除，其中第一狀態(tài)對應(yīng)于小于參考電壓，即OV的闊值電壓的電平，且第二狀態(tài)對應(yīng)于高于ov的閾值電壓的電平。該存儲單元被稱作單級單元(singlelevelcell，下文稱作"SLC")。由于SLC僅考慮基于參考電壓的兩個(gè)狀態(tài)，所以SLC可準(zhǔn)確*儲數(shù)據(jù)。然而，SLC不適于處理大容量數(shù)據(jù)。為了改進(jìn)SLC的該缺陷，研究了多級單元(以下稱作"MLC，，)。從物理角度看MLS與SLC具有相同的結(jié)構(gòu)。然而，從邏輯角度看MLS具有至少四個(gè)閾值電壓電平。也就是說，與SLC相似地基于參考電壓閾值電壓被分成編程區(qū)和擦除區(qū)，然而與SLC不同，在編程區(qū)至少存在三個(gè)閾值電壓。因此，由于MLS利用與SLC相同的物理結(jié)構(gòu)驅(qū)動(dòng)至少四個(gè)狀態(tài)，所以與SLC相比MLS具有卓越的數(shù)據(jù)處理能力。換句話說，具有MLC的非易失性存儲裝置使用在一個(gè)存儲單元存儲兩個(gè)數(shù)據(jù)的方法。因此，才艮據(jù)MLC的閾值電壓分布和偏置狀態(tài)驅(qū)動(dòng)非易失性存儲裝置的方法與驅(qū)動(dòng)具有SLC的非易失性存儲裝置的方法相比較更復(fù)雜。該方法的回拷操作指的是將存儲在第一存儲單元中的數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)移到具有與第一存儲單元不同的地址的第二存儲單元的操作。如果存在用于回拷操作的算法，則使用頁面緩沖器感測存儲單元中的數(shù)據(jù)，然后該數(shù)據(jù)被讀出到芯片外的裝置。1^,所讀取的數(shù)據(jù)被存儲到裝置中，然后所存儲的數(shù)據(jù)再次被存儲到存儲單元中。另夕卜，在非易失性存儲裝置除芯片中的頁面緩沖器之外不具有額外的存儲區(qū)的情況下，所存儲的數(shù)據(jù)被讀取，然后所讀取的數(shù)據(jù)被再次存儲到芯片外的裝置中。因此，具有MLC的非易失性存儲裝置應(yīng)使用與具有SLC的非易失性存儲裝置中的算法不同的回拷操作的算法。另一方面，在回拷操作期間損壞了源頁面的數(shù)據(jù)的情況下，應(yīng)^務(wù)正被損壞的數(shù)據(jù)。另外，根據(jù)MLC的回拷操作進(jìn)行LSB編程操作和MSB編程操作。這里，由于對每個(gè)編程操作都進(jìn)行iHt操作，因此需要統(tǒng)一的g操作。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的特征是提供非易失性存儲裝置中用于修正源頁面的損壞數(shù)據(jù)的多級單元回拷方法。本發(fā)明另一特征是提供非易失性存儲裝置中用于進(jìn)行對于LSB編程操作和MSB編程操作的統(tǒng)一的mit操作的多級單元回拷方法。根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的非易失性存儲裝置中的多級單元回拷編程方法包括讀取源頁面的LSB數(shù)據(jù)，將所讀取的LSB數(shù)據(jù)存儲在源頁面的第二寄存器中；將存儲在第二寄存器中的數(shù)據(jù)發(fā)送到耦合到數(shù)據(jù)輸入電路的第一寄存器，并將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在第一寄存器中；通過數(shù)據(jù)輸入電路修正存儲在笫一寄存器中的數(shù)據(jù)；將所修正的數(shù)據(jù)發(fā)送到第二寄存器；將發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在第二寄存器中，并根據(jù)存儲在第二寄存器中的數(shù)據(jù)將對應(yīng)的數(shù)據(jù)LSB編程到目標(biāo)頁面。根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的非易失性存儲裝置中的多級單元回拷編程方法包括進(jìn)行多級單元回拷編程操作；根據(jù)存儲在第一寄存器中的MSB節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)或存儲在第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)選擇性地進(jìn)行第一^it操作、第二a操作或第三mt操作，其中第一B操作基于第一lHt電壓，第二mi操作基于高于第一發(fā)江電壓的第二發(fā)逸電壓，且第三!Hi操作基于高于第二驗(yàn)證電壓的第三發(fā)逸電壓；并根據(jù)^it操作重復(fù)進(jìn)行回拷編程操作。如上所述，非易失性存儲裝置可進(jìn)行用于修正損壞的源頁面的數(shù)據(jù)的多級單元回拷操作。另外，非易失性存儲裝置進(jìn)行對于LSB編程操作和MSB編程操作的統(tǒng)一的驗(yàn)證操作，因此可減小存儲與驗(yàn)證操作相關(guān)的算法的ROM的面積和控制電路的面積。通過參照以下結(jié)合附圖進(jìn)行的詳細(xì)說明，本發(fā)明的以上和其它特征、優(yōu)勢將更明顯，在附圖中圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的非易失性存儲裝置的電路的圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的回拷編程方法的LSB回拷方法的流程圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的IHL操作的流程圖4A是示出基于第一^i電壓PVl的第一mt操作的圖4B是示出基于第二mit電壓PV2的第二a操作的圖4C是示出基于第三JiHi電壓PV3的第三iHi操作的圖5是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的回拷編程方法的MSB頁面回拷方法的流程圖6是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的iiHE操作的流程圖；以及圖7是示出根據(jù)回拷處理的多級單元的闊值電壓分布的變化的具體實(shí)施方式以下參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。圖1是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的非易失性存儲裝置的電路的圖。本發(fā)明的非易失性存儲裝置包括存儲單元陣列和頁面緩沖器。頁面緩沖器具有位線選擇電路100，用于將位線BLe或BLo選擇性地耦合到感測節(jié)點(diǎn)SO;用于存儲特定數(shù)據(jù)的第一寄存器110和第二寄存器120;數(shù)據(jù)比較電路130，用于比較存儲在第一寄存器110中的數(shù)據(jù)和存儲在笫二寄存器120中的數(shù)據(jù)，并根據(jù)比較結(jié)果將給定數(shù)據(jù)發(fā)送到感測節(jié)點(diǎn)SO;以及數(shù)據(jù)輸入電路140。位線選擇電路100包括多個(gè)N-MOS晶體管N102~N108。N-MOS晶體管N102耦合在偶位線BLe和偏置電壓VIRPWR之間，且響應(yīng)于偶放電信號DISCHe被導(dǎo)通。在N-MOS晶體管N102被導(dǎo)通的情況下，偏置電壓VIRPWR被施加到偶位線BLe。N-MOS晶體管N104耦合在奇位線BLo和偏置電壓VIRPWR之間，且響應(yīng)于奇放電信號DISCHo被導(dǎo)通。在N-MOS晶體管N104被導(dǎo)通的情況下，偏置電壓VIRPWR被施加到奇位線BLo。N-MOS晶體管N106耦合在偶位線BLe和感測節(jié)點(diǎn)SO之間且響應(yīng)于偶位線選擇信號SELBLe被導(dǎo)通。在N-MOS晶體管N106導(dǎo)通的情況下，偶位線BLe耦合到感測節(jié)點(diǎn)SO。N-MOS晶體管N108耦合在奇位線BLo和感測節(jié)點(diǎn)SO之間，且響應(yīng)于奇位線選擇信號SELBLo被導(dǎo)通。在N-MOS晶體管N108被導(dǎo)通的情況下，奇位線BLo耦合到感測節(jié)點(diǎn)SO。第一寄存器U0包括具有兩個(gè)Jl相器IV114和IV116的鎖存器112、耦合到鎖存器112的第一節(jié)點(diǎn)MSB的N-MOS晶體管N112、耦合到鎖存器112的第二節(jié)點(diǎn)MSB—N的N-MOS晶體管N114、反相器IV112和P-MOS晶體管P112,該P(yáng)-MOS晶體管P112根據(jù)第二節(jié)點(diǎn)MSB—N的電壓電平導(dǎo)通，從而向與MSB^Hit信號MSBVER—N相對應(yīng)的部分輸出具有高電平的電壓Vdd。另外，第一寄存器110還包括耦合在節(jié)點(diǎn)N4和地之間的N-MOS晶體管N116,其中節(jié)點(diǎn)N4位于N-MOS晶體管N112和N-MOS晶體管N114之間。N-MOS晶體管N112耦合在笫一節(jié)點(diǎn)MSB和節(jié)點(diǎn)N4之間，且響應(yīng)于MSB重置信號MSBRST導(dǎo)通。N-MOS晶體管N114耦合在笫二節(jié)點(diǎn)MSB—N和節(jié)點(diǎn)N4之間且根據(jù)MSB設(shè)置信號MSBSET導(dǎo)通。N-MOS晶體管N116耦合在節(jié)點(diǎn)N4和地之間，且根據(jù)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平導(dǎo)通，從而向節(jié)點(diǎn)N4提供地電壓。第二寄存器120包括具有兩個(gè)^^目器IV124和IV126的鎖存器122、耦合到鎖存器122的第一節(jié)點(diǎn)LSB的N-MOS晶體管N122、耦合到鎖存器122的笫二節(jié)點(diǎn)LSB—N的N-MOS晶體管N124，反相器IV122以及P-MOS晶體管P122,該P(yáng)-MOS晶體管P122才艮據(jù)第二節(jié)點(diǎn)LSB_N的電壓電平導(dǎo)通的，從而向與lHi信號LSBVER—N相對應(yīng)的部分輸出具j高電平的電壓Vdd。另外，第二寄存器120還包1^耦合在節(jié)點(diǎn)N9和地之間的N-MOS晶體管N126，其中節(jié)點(diǎn)N9位于N-MOS晶體管N122和N-MOS晶體管N124之間。N-MOS晶體管N122耦合在第一節(jié)點(diǎn)LSB和節(jié)點(diǎn)N9之間，且響應(yīng)于LSB重置信號LSBRST導(dǎo)通。N-MOS晶體管N124耦合在第二節(jié)點(diǎn)LSB_N和節(jié)點(diǎn)N9之間，且響應(yīng)于最低有效位(leastsignificantbit,LSB)設(shè)置信號LSBSET導(dǎo)通。N-MOS晶體管N126耦合在節(jié)點(diǎn)N9和地之間，且根據(jù)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平導(dǎo)通，從而對感測節(jié)點(diǎn)N9提供地電壓。數(shù)據(jù)比較電路130響應(yīng)于最高有效位(mostsignificantbit,MSB)編程信號MSBPROG向感測節(jié)點(diǎn)SO提供存儲在第一寄存器110中的數(shù)據(jù)和存儲在第二寄存器120中的數(shù)據(jù)的邏輯積數(shù)據(jù)，并包括第一比較電路132和第二比較電路134。第一比較電路132具有N-MOS晶體管N132和N136。N-MOS晶體管N132和N136串^i^合在感測節(jié)點(diǎn)SO和節(jié)點(diǎn)N7之間。N-MOS晶體管N132響應(yīng)于MSB編程信號MSBPROG導(dǎo)通。N-MOS晶體管N136響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)N12的電壓導(dǎo)通，從而感測節(jié)點(diǎn)SO耦合到節(jié)點(diǎn)N7或與節(jié)點(diǎn)N7斷開。第二比較電路134包括N-MOS晶體管N134和N138。N-MOS晶體管N134和N138串:^合在感測節(jié)點(diǎn)SO和節(jié)點(diǎn)N12之間。N-MOS晶體管N134響應(yīng)于MSB編程信號MSBPROG導(dǎo)通。N-MOS晶體管N138響應(yīng)于節(jié)點(diǎn)N7的電壓導(dǎo)通，從而感測節(jié)點(diǎn)SO耦合到節(jié)點(diǎn)N12或與節(jié)點(diǎn)N12斷開。在操作數(shù)據(jù)比較電路130的情況下，在給定時(shí)間導(dǎo)通用于預(yù)充電的晶體管P150，從而將感測節(jié)點(diǎn)SO預(yù)充電到高電平。然后，對MSB編程信號MSBPROG應(yīng)用高電平。在該情況下，感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平##節(jié)點(diǎn)N7和N12的電壓電平而變化。下表示出電壓電平的狀態(tài)。<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>如上表所示才艮據(jù)節(jié)點(diǎn)N7和N12的電壓電平確定N-MOS晶體管N136和N138的導(dǎo)通。另外，才艮據(jù)N-MOS晶體管N136和N138的導(dǎo)通判斷節(jié)點(diǎn)N7和N12各自的電壓是否影響感測節(jié)點(diǎn)。在節(jié)點(diǎn)N7和N12的各電壓具有低電平的情況下，晶體管N136和N138關(guān)斷。結(jié)果，停止發(fā)送邏輯積數(shù)據(jù)。在這種情況下，根據(jù)預(yù)充電電平確定感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓。數(shù)據(jù)輸入電路140包括N-MOS晶體管N142和N144。N-MOS晶體管N142耦合在第一節(jié)點(diǎn)MSB和輸V輸出端子YA之間，且響應(yīng)于it據(jù)輸入信號DATALOAD導(dǎo)通。在N-MOS晶體管N142導(dǎo)通的情況下，輸7W輸出端子YA的數(shù)據(jù)^LiL送到第一寄存器110中的第一節(jié)點(diǎn)MSB。N-MOS晶體管N144耦合在第二節(jié)點(diǎn)MSB—N和輸A/輸出端子YA之間，且響應(yīng)于反相數(shù)據(jù)輸入信號DATALOAD一N^通。在N-MOS晶體管N144導(dǎo)通的情況下，輸X/輸出端子YA的數(shù)據(jù)被提供給第二節(jié)點(diǎn)MSB—N。因此，在輸X/輸出端子YA耦合到地的情況下傳送具有高電平的數(shù)據(jù)輸入信號DATALOAD時(shí)，N-MOS晶體管N142導(dǎo)通。結(jié)果，第一節(jié)點(diǎn)MSB具有低電平。在向N-MOS晶體管N144施加具有高電平的反相數(shù)據(jù)輸入信號DATALOAD—N的情況下，N-MOS晶體管N144導(dǎo)通。結(jié)果，第二節(jié)點(diǎn)MSB—N具有低電平，且數(shù)據(jù)被輸入。另一方面，用于數(shù)據(jù)傳送的晶體管N156耦合在節(jié)點(diǎn)N7和感測節(jié)點(diǎn)SO之間，用于數(shù)據(jù)傳送的晶體管N158耦合在節(jié)點(diǎn)N12和感測節(jié)點(diǎn)SO之間。N-MOS晶體管N156耦合在感測節(jié)點(diǎn)SO和節(jié)點(diǎn)N7之間，且響應(yīng)于數(shù)據(jù)傳送信號DATTRAN導(dǎo)通。因此，在N-MOS晶體管N156導(dǎo)通的情況下，節(jié)點(diǎn)N7的數(shù)據(jù)被傳送到感測節(jié)點(diǎn)SO。N-MOS晶體管N158耦合在感測節(jié)點(diǎn)SO和節(jié)點(diǎn)N12之間，且響應(yīng)于最低有效位(LSB)編程信號LSBPROG導(dǎo)通。因此，在N-MOS晶體管N158導(dǎo)通的情況下，節(jié)點(diǎn)N12的lt據(jù)凈皮傳送到感測節(jié)點(diǎn)SO。用于預(yù)充電的P-MOS晶體管P150耦合在源電壓Vdd和感測節(jié)點(diǎn)SO之間，且響應(yīng)于具有低電平的預(yù)充電信號PRECH一N導(dǎo)通。在P-MOS晶體管P150導(dǎo)通的情況下，源電壓Vdd被施加到感測節(jié)點(diǎn)SO。因此，感測節(jié)點(diǎn)SO凈皮預(yù)充電到源電壓Vdd的電平。非易失性存儲裝置包括用于將提供給節(jié)點(diǎn)N7和N12的數(shù)據(jù)傳送到外部端子的晶體管N152、N154和N160。MSB傳送裝置N152以N-MOS晶體管實(shí)現(xiàn)，且耦合在節(jié)點(diǎn)N7和節(jié)點(diǎn)N8之間，并響應(yīng)于MSB傳送信號MSBPASS操作。LSB傳送裝置N154以N-MOS晶體管實(shí)現(xiàn)，且耦合在節(jié)點(diǎn)N12和節(jié)點(diǎn)N18之間，并響應(yīng)于LSB傳送信號LSBPAS操作。數(shù)據(jù)傳送裝置N160以N-MOS晶體管實(shí)現(xiàn)，并響應(yīng)于傳送信號PASS將施加到節(jié)點(diǎn)N8的電壓傳送到反相器IV150。以下詳細(xì)說明在非易失性存儲裝置中使用的多級單元回拷編程方法。圖2是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的回拷編程方法的LSB回拷方法的流程圖。在步驟T02,初始化第一寄存器110的第一節(jié)點(diǎn)(以下稱作"MSB節(jié)點(diǎn)")和笫二寄存器120的第一節(jié)點(diǎn)(以下稱作"LSB節(jié)點(diǎn)，，)。為了初始化節(jié)點(diǎn)，具有低電平的預(yù)充電信號PRECH_N被發(fā)送到晶體管P150，從而導(dǎo)通晶體管P150。因此，具有高電平的電壓被施加到感測節(jié)點(diǎn)SO。另外，發(fā)送具有高電平的MSB重置信號MSBRST和LSB設(shè)置信號LSBSET，從而導(dǎo)通晶體管N112和N124。因此，MSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有低電平的數(shù)據(jù)，LSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有高電平的數(shù)據(jù)。接著，讀取作為回拷對象的源頁面的LSB數(shù)據(jù)，然后將該LSB數(shù)據(jù)存儲在頁面緩沖器的第二寄存器120中。在步驟T04，基于圖7的第一讀取電壓RV1讀取特定單元的數(shù)據(jù)，然后將該數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。這里，圖7是示出根據(jù)回拷過程的多級單元的閾值電壓分布變化的圖。為了進(jìn)行以上處理，該處理使用如下方法感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平根據(jù)對應(yīng)的單元是否為編程的單元而變化。也就是說，在該方法中，感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平在對應(yīng)的單元是編程的單元的情況下具有高電平，在對應(yīng)的單元是擦除的單元的情況下具有低電平。這里，根據(jù)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平來確定第二寄存器120的N-MOS晶體管N126的導(dǎo)通。在這種情況下，具有高電平的LSB重置信號LSBRST被提供給晶體管N122,因此N-MOS晶體管N122導(dǎo)通。因此，在對應(yīng)的單元被編程到高于第一讀取電壓RV1的電壓的情況下(圖7的'10，、'00，和'01，)，地電壓被施加到LSB節(jié)點(diǎn)。因此，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在對應(yīng)的單元^L擦除的情況下(圖7的'11，)，在上述初始化步驟中具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在步驟T06，基于圖7的第三讀取電壓RV3讀取特定單元的數(shù)據(jù)，然后將該數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。該讀取^Mt與步驟T04相似。然而，與步驟T04不同，具有高電平的LSB設(shè)置信號LSBSET被傳送到N-MOS晶體管N124，從而導(dǎo)通N-MOS晶體管N124。因此，在對應(yīng)的單元被編程到高于笫三讀取電壓RV3的電壓的情況下(圖7的'01，)，具有高電平的數(shù)據(jù)^L存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在單元被擦除的情況下(圖7的'11，、'10，和'00，)，保持在之前步M儲的數(shù)據(jù)。筒而言之，在單元的閾值電壓小于第一讀取電壓RV1且高于第三讀取電壓RV3的情況下，即'11，和'01，的情況下，具有高電平的數(shù)據(jù)凈皮存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在單元的閾值電壓高于笫一讀取電壓RV1且低于第三讀取電壓RV3的情況下，即'10，和'00，的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。在本發(fā)明另一示例實(shí)施例中，LSB回拷方法還可包括向MSB節(jié)點(diǎn)發(fā)送^^正與回拷操作相關(guān)的源頁面的數(shù)據(jù)的情況下該方法可包括該步驟。為執(zhí)行該步驟，存儲在特定寄存器中的數(shù)據(jù)仗t送到與數(shù)據(jù)輸入電路140耦合的寄存器，然后通過使用數(shù)據(jù)輸入電路140修正該數(shù)據(jù)。首先，在步驟T08，存儲在第二寄存器120中的數(shù)據(jù)被發(fā)送到第一寄存器110且然后所發(fā)送的數(shù)據(jù)被存儲在該第一寄存器110中。為執(zhí)行步驟T08，使用預(yù)充電信號PRECH一N將感測節(jié)點(diǎn)SO預(yù)充電到高電平，且具有高電平的LSB編程信號LSBPROG和MSB設(shè)置信號MSBSET被發(fā)送到晶體管N158和NU4。因此，在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'10，和'00，的情況下，具有高電平的數(shù)據(jù)^L存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在具有高電平的數(shù)據(jù)^L存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'11，和'01，的情況下，保持存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的具有低電平的數(shù)據(jù)。在步驟TIO,新數(shù)據(jù)被提供給MSB節(jié)點(diǎn)。為執(zhí)行步驟TIO，具有高電平的數(shù)據(jù)輸入信號DATALOAD或DATALOAD一N被提供給數(shù)據(jù)輸入電路140，從而修正MSB節(jié)點(diǎn)的電壓電平。也就是說，可通過上述步驟轉(zhuǎn)換存儲在MSN節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的電平。在步驟T12，檢查存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)。例如，在對于存儲在整個(gè)頁面的數(shù)據(jù)不需要LSB編程的情況下，即圖7的'11，和'10，的情況下，對于對應(yīng)的頁面不執(zhí)行LSB編程。根據(jù)MSB^Hit信號MSBVER一N的電壓電平確定檢查的結(jié)果。由于在不需要LSB編程的情況下，即圖7^'11，和'01，的情況下，MSB節(jié)點(diǎn)維持低電平，具有高電平的信號被施加到P-MOS晶體管P112的柵極。因此，MSB^Ht信號MSBVER—N保持浮動(dòng)狀態(tài)，且可不進(jìn)行LSB編程。在步驟T14，在存儲在第一寄存器UO中的數(shù)據(jù)被再次發(fā)送到第二寄存器120前，初始化第二寄存器120。為執(zhí)行步驟T14，具有低電平的預(yù)充電信號PRECH—N被發(fā)送到晶體管P150，從而導(dǎo)通晶體管P150。因此，具有高電平的電壓被施加到感測節(jié)點(diǎn)SO。另外，LSB設(shè)置信號LSBSET被提供給N-MOS晶體管N124，從而導(dǎo)通N-MOS晶體管N124。因此，LSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有高電平的數(shù)據(jù)。在步驟T16，存儲在第一寄存器IIO中的數(shù)據(jù)被發(fā)送到第二寄存器120，且所發(fā)送的數(shù)據(jù)被存儲在第二寄存器120中。為執(zhí)行步驟T16，使用預(yù)充電信號PRECH—N將感測節(jié)點(diǎn)SO預(yù)充電到高電平，且數(shù)據(jù)發(fā)送信號DATTRAN和LSB重置信號LSBRST被發(fā)送到晶體管N156和晶體管N122。因此，在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'11，和'01，的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'10，和'00，的情況下，保持存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)。在步驟T18，檢查存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)。例如，在對于存儲在整個(gè)頁面的數(shù)據(jù)不需要LSB編程的情況下，即圖7的'11，和'10，的情況下，對于對應(yīng)的頁面不進(jìn)4亍LSB編程。才艮據(jù)LSBB信號LSBVER_N的電壓電平確定檢查的結(jié)果。由于在不需要LSB編程的情況下，即圖7"'11，和'01，的情況下，LSB節(jié)點(diǎn)維持低電平，具有高電平的信號被施加到P-MOS晶體管P112的柵極。因此，LSB^iit信號LSBVER—N保持浮動(dòng)狀態(tài)，且對于整個(gè)頁面可不進(jìn)行LSB編程。在步驟T20，初始化存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)。這里，由于根據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行目標(biāo)頁面的LSB編程和^iiE^作，該初始化不影響LSB編程。為執(zhí)行步驟T20，具有高電平的預(yù)充電信號PRECH一N和MSB重置信號MSBRST被發(fā)送到晶體管P150和晶體管N112,且具j低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。在步驟T22,根據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)進(jìn)行編程操作。另一方面，在判斷出在步驟T12或T18不需要LSB編程的情況下，省略編程^作。為i^f亍回拷編程^Mt，位線被預(yù)充電到高電平，所要編程的數(shù)據(jù)被提供給感測節(jié)點(diǎn)SO。在這種情況下，具有高電平的MSB編程信號MSBPROG被發(fā)送到數(shù)據(jù)比較電路130,且LSB節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)被提供給感測節(jié)點(diǎn)SO。特別地，由于在之前步驟中初始化MSB節(jié)點(diǎn)，具有高電平的數(shù)據(jù)M送到節(jié)點(diǎn)N7。在步驟T16的LSB節(jié)點(diǎn)的情況，具有高電平的數(shù)據(jù)被存儲在要編程的單元中，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在要擦除的單元中。因此，在要編程的單元的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)4皮存儲在節(jié)點(diǎn)N12，且具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在要擦除的單元中。因此，在具有高電平的數(shù)據(jù)被存儲在節(jié)點(diǎn)N12中的情況下，即在J^除的單元的情況下，具有高電平的數(shù)據(jù)根據(jù)數(shù)據(jù)輸入電路140的操作收良送到感測節(jié)點(diǎn)SO，且在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在節(jié)點(diǎn)N12的情況下，即在要編程的單元的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)被提供給感測節(jié)點(diǎn)SO。因此，M于要編程的單元進(jìn)行編程操作。在步驟T24，進(jìn)行關(guān)于是否正常進(jìn)行了LSB操作的m^操作。以下參照附圖詳細(xì)說明該B操作。圖3是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的^操作的流程圖。在步驟VI，輸入關(guān)于存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的檢查結(jié)果(步驟T12)和關(guān)于存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的檢查結(jié)果(步驟T18)。根據(jù)輸入的檢查結(jié)果選擇性地進(jìn)行基于第電壓的第一^^操作、基于高于第一驗(yàn)證電壓的第二驗(yàn)證電壓的第二驗(yàn)證操作或基于高于第二驗(yàn)證電壓的第三發(fā)江電壓的第三^it操作。在步驟V2，確定存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于^^除的數(shù)據(jù)，即MSB節(jié)點(diǎn)是否具有低電平，以及存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于^除的數(shù)據(jù)，即LSB節(jié)點(diǎn)是否具有低電平。在步驟V3，在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)和存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)對應(yīng)于M除的數(shù)據(jù)的情況下，在不進(jìn)行LSB編程的情況下結(jié)束編程操作。在步驟V4，在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)或存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)不對應(yīng)于^#除的數(shù)據(jù)時(shí)，確定存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于要擦除的數(shù)據(jù)。在步驟V5，在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)不是JI^除的數(shù)據(jù)的情況下，基于圖7的第二4Ht電壓PV2進(jìn)行第二4Ht操作。然而，該第二!HiE^^是對于MSB編程的J^it操作。因此，在對于LSB回拷編程進(jìn)行mit操作的情況下，不執(zhí)行步驟V5，而是直接執(zhí)行步驟V6，因?yàn)樵诓襟ET20，MSB節(jié)點(diǎn)被初始化成0。在步驟V6，確定存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否是絲除的數(shù)據(jù)。在存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)不是a除的數(shù)據(jù)時(shí)，基于圖7的第一驗(yàn)證電壓PV1或笫三B電壓PV3進(jìn)行,操作。這里，^ii操作根據(jù)當(dāng)前編程操作是LSB編程還是MSB編程的確定結(jié)果而變化。為進(jìn)行IHE操作，在步驟V9通過尋址從外部裝置輸入關(guān)于源頁面的回拷編程是否是LSB編程的信息，其中所述源頁面是回拷對象。在步驟V8,通過所輸入的信息判斷源頁面的回拷編程是否是LSB編程或MSB編程。在步驟Vll，在回拷編程是LSB編程的情況下，基于第一驗(yàn)證電壓PV1進(jìn)行第一絲操作。在步驟VIO，在回拷編程是MSB編程的情況下，基于第三驗(yàn)證電壓PV3進(jìn)行第三JiHit操作。在當(dāng)前步驟，由于正在進(jìn)行LSB回拷操作，僅進(jìn)行第一B操作。以下參照附圖詳細(xì)說明IHt操作。圖4A是示出基于第一g電壓PVl的第一^操作的圖，圖4B是示出基于第二驗(yàn)汪電壓PV2的第二a操作的圖。圖4C是示出基于第三mt電壓PV3的第三IHE操作的圖。這里，第二IHE電壓PV2高于第一驗(yàn)汪電壓PV1，且第三發(fā)江電壓PV3高于笫二發(fā)汪電壓PV2。以下參照圖4A詳細(xì)說明第一!Hi操作。在LSB編程操作的情況下，根據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的電平確定對應(yīng)的單元的編程。這里，在對應(yīng)的單元是要編程的單元時(shí)，存儲具有高電平的數(shù)據(jù)。然而，在對應(yīng)的單元是M除的單元時(shí)，存儲具有低電平的數(shù)據(jù).進(jìn)行編程操作，然后進(jìn)行讀取對應(yīng)的單元的閾值電壓的mt操作。這利用了感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平根據(jù)對應(yīng)的單元是否被編程的結(jié)果而變化這一事實(shí)。另一方面，具有高電平的LSB重置信號LSBRST^JL送到晶體管N122。因此在根據(jù)對應(yīng)的單元被編程，感測節(jié)點(diǎn)SO具有高電平時(shí)，存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成具有低電平的數(shù)據(jù)。然而，在根據(jù)盡管進(jìn)行編程操作，單元的閾值電壓卻沒有上升到編程電平，該單元被讀取為擦除的單元的情況下，存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在通過重復(fù)上述處理對所要編程的各單元進(jìn)行編程時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。在單元不是要編程的單元時(shí)，首先具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。因此，在不考慮特定單元是否是要編程的單元這一事實(shí)完成關(guān)于對應(yīng)的頁面的編程的lHi操作時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。因此，輸出具有浮動(dòng)狀態(tài)的LSB^it信號LSBVER_N。通過以上處理進(jìn)行關(guān)于LSB編程的!Hi操作，并重復(fù)進(jìn)行直到完成LSB編程為止。圖5是示出根據(jù)本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例的回拷編程方法的MSB頁回拷方法的流程圖。在步驟S02,初始化第一寄存器110的MSB節(jié)點(diǎn)和第二寄存器120的LSB節(jié)點(diǎn)。為進(jìn)行該初始化，具有低電平的預(yù)充電信號PRECH一N被發(fā)送到晶體管P150,從而導(dǎo)通晶體管P150。因此，具有高電平的電壓被施加到感測節(jié)點(diǎn)SO。另夕卜，具有高電平的MSB重置信號MSBRST和LSB設(shè)置信號LSBSET被發(fā)送到N-MOS晶體管N112和N-MOS晶體管N124,從而導(dǎo)通N-MOS晶體管N112和N-MOS晶體管N124。因此，MSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有低電平的數(shù)據(jù)，且LSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有高電平的數(shù)據(jù)。隨后，存儲在作為回拷對象的源頁面中的數(shù)據(jù)被讀取并存儲。這里，由于該步驟是MSB回拷編程步驟，因此讀M儲在MSB頁中的數(shù)據(jù)。為進(jìn)行上述讀取操作，在步驟S04基于圖7的笫二讀取電壓RV2讀取特定單元的數(shù)據(jù)，然后將該數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。這利用了感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平根據(jù)對應(yīng)的單元是否被編程的結(jié)果而變化這一事實(shí)。也就是說，利用了以下事實(shí)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平在對應(yīng)的單元,皮編程的情況下具有高電平且在對應(yīng)的單元被擦除的情況下具有低電平。因此，根據(jù)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平確定第二寄存器120中的N-MOS晶體管N126的導(dǎo)通。在這種情況下，通it^C送具有高電平的LSB重置信號LSBRST導(dǎo)通N-MOS晶體管N122。這里，在對應(yīng)的單元被編程到大于第二讀取電壓的電壓的情況下，即圖7的'00，和'01，的情況下，對LSB節(jié)點(diǎn)施加地電壓，因此具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在單元被擦除的情況下，即圖7的'11，和'10，的情況下，在上述步驟中初始化的具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在本發(fā)明一個(gè)示例實(shí)施例中，MSB頁面回拷方法還包括向MSB節(jié)點(diǎn)提供新數(shù)據(jù)的步驟。例如，在與回拷操作相關(guān)的源頁面的數(shù)據(jù)要被修正的情況下，該方法可包括該步驟。為執(zhí)行該步驟，存儲在特定寄存器中的數(shù)據(jù)M送到與數(shù)據(jù)輸入電路140耦合的寄存器中，然后通過使用該數(shù)據(jù)輸入電路140修正該數(shù)據(jù)。首先，在步驟S06，存儲在第二寄存器120中的數(shù)據(jù)被發(fā)送到第一寄存器110，且然后所發(fā)送的數(shù)據(jù)被存儲在第一寄存器UO中。為執(zhí)行步驟S06,通過4吏用預(yù)充電信號PRECH一N將感測節(jié)點(diǎn)SO預(yù)充電到高電平，且具有高電平的MSB設(shè)置信號MSBSET和LSB編程信號LSBPROG被發(fā)送到晶體管N158和N114。因此，在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'00，和'01，的情況下，具有高電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在具有高電平的數(shù)據(jù)^L存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的情況下，即'11，和'10，的情況下，存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的具有低電平的數(shù)據(jù)保持不變。在步驟S08,新數(shù)據(jù)被提供給MSB節(jié)點(diǎn)。為執(zhí)行步驟S08，具有高電平的數(shù)據(jù)輸入信號DATALOAD或DATALOAD一N被提供給數(shù)據(jù)輸入電路140，從而修正MSB節(jié)點(diǎn)的電壓電平。也就是說，可通過上述步驟轉(zhuǎn)換存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的電平。在步驟SIO，檢查存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)。例如，在不需要對存儲在整個(gè)頁面的lt據(jù)MSB編程時(shí)，即圖7的'11'和'10'時(shí)，對于對應(yīng)的頁面不進(jìn)行MSB編程。根據(jù)MSBiHi信號MSBVER一N的電壓電平確定該檢查結(jié)果。由于在不需要MSB編程時(shí)，即圖7的'11，和'10'時(shí)，MSB節(jié)點(diǎn)維持低電平，具有高電平的信號被施加到P-MOS晶體管P112的柵極。因此，MSBi^iiE信號MSBVEI^N維持浮動(dòng)狀態(tài)，且對于整個(gè)頁面可不進(jìn)行MSB操作。在步驟S12,在存儲在笫一寄存器110中的數(shù)據(jù)再次^iC送到第二寄存器120前，初始化第二寄存器120。為執(zhí)行步驟S12,具有低電平的預(yù)充電信號PRECH_N被發(fā)送到晶體管P150,從而導(dǎo)通晶體管P150。因此，具有高電平的電壓被施加到感測節(jié)點(diǎn)SO。另外，LSB設(shè)置信號LSBSET被提供給N-MOS晶體管N124，從而導(dǎo)通N-MOS晶體管N124。因此，LSB節(jié)點(diǎn)被初始化成具有高電平的數(shù)據(jù)。在步驟S14，讀取通過LSB回拷編程^Mt編程的目標(biāo)頁面的狀態(tài)。換句話說，確定對于目標(biāo)單元的對應(yīng)的單元是否進(jìn)行了LSB編程。這里，基于第一讀取電壓RV1讀取特定單元的數(shù)據(jù)，然后將該數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。為執(zhí)行以上處理，該處理利用感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平才艮據(jù)對應(yīng)的單元是否是LSB編程的單元的結(jié)杲而變化這一事實(shí)。也就是說，該處理利用了以下事實(shí)在對應(yīng)的單元是LSB編程的單元時(shí)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平具有高電平，且在對應(yīng)的單元是擦除的單元時(shí)具有低電平。這里，才艮據(jù)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平確定第二寄存器120的N-MOS晶體管N126的導(dǎo)通。在該情況下，具有高電平的LSB重置信號LSBRST被施加到晶體管N122，且N-MOS晶體管N122被導(dǎo)通。因此，在對應(yīng)的單元被LSB編程的情況下(圖7的'10，和'00，)，地電壓被施加到LSB節(jié)點(diǎn)。因此，具有地電平的lt據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。然而，在對應(yīng)的單元不被LSB編程的情況下(圖7的'11，和'10，)，在上述步驟初始化的具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在步驟S16,存儲在第一寄存器110中的數(shù)據(jù)被發(fā)送到第二寄存器120，并存儲在第二寄存器120中。也就是說，存儲在第二寄存器120中的數(shù)據(jù)被重置。為執(zhí)行步驟S16，通過使用預(yù)充電信號PRECH_N感測節(jié)點(diǎn)SO被預(yù)充電到高電平，且數(shù)據(jù)發(fā)送信號DATTRAN和LSB重置信號LSBRST枕良送到晶體管N156和晶體管N122。因此，在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中時(shí)，即'11，和'10，時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)^L存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。換句話說，不考慮LSB回拷編程，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中，從而對于對應(yīng)的單元不進(jìn)行MSB回拷。另一方面，在具有高電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中時(shí)，即'00，和'01，時(shí)，存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)保持不變。因此在存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)具有高電平時(shí)，即'01，時(shí)，保持具有高電平的數(shù)據(jù)，在存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)具有低電平時(shí)，即'00，時(shí)，保持具有低電平的數(shù)據(jù)。可通過上述操作區(qū)分僅對最高有效位編程而不對最低有效位編程的單元('01，)和對最低有效位和最高有效位都編程的單元('00，)。然而，由于在'01，數(shù)據(jù)的情況下，在當(dāng)前條件下，具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)中，當(dāng)通過使用數(shù)據(jù)比較電路130進(jìn)行MSB編程操作時(shí)感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平不被轉(zhuǎn)換成低電平.因此，不進(jìn)行MSB編程，且在步驟S18進(jìn)行額外MSB數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換處理。對于數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換處理，感測節(jié)點(diǎn)SO被預(yù)充電到高電平，且通過向數(shù)據(jù)比較電路130發(fā)送MSB編程信號MSBPROG來比較節(jié)點(diǎn)N7和N12的數(shù)據(jù)。在根據(jù)數(shù)據(jù)比較電路130的操作具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在節(jié)點(diǎn)N7和N12中時(shí)，即LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)具有低電平('11，和'10，)時(shí)，具有高電平的數(shù)據(jù)M送到感測節(jié)點(diǎn)SO。在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在節(jié)點(diǎn)N7或節(jié)點(diǎn)N12中時(shí)，即LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)具有低電平和高電平或LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)具有高電平和低電平('00，)時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)被^供給感測節(jié)點(diǎn)SO。在具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在節(jié)點(diǎn)N7和N12中時(shí)，即LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)都具有高電平('01，)時(shí)，不操作數(shù)據(jù)比較電路130。因此預(yù)充電電壓電平保持不變。在這種情況下，僅對于單元'00，進(jìn)行MSB編程。這里MSB編程應(yīng)該對于單元'01'編程，但是由于在當(dāng)前步驟感測節(jié)點(diǎn)SO保持高電平，所以不執(zhí)行MSB編程。為了改正該現(xiàn)象，MSB重置信號MSBRST凈免義送到第一寄存器110。因此，僅在感測節(jié)點(diǎn)SO保持高電平時(shí)，即'11，、'10，和'01，時(shí)，存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成具有低電平的數(shù)據(jù)。這里，由于在'11，和'10，的情況下于具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中，數(shù)據(jù)不被轉(zhuǎn)換。然而，由于在'01，的情況下具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中，具有高電平的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成具有低電平的數(shù)據(jù)。這是為了僅對于'01，數(shù)據(jù)進(jìn)行l(wèi)t據(jù)轉(zhuǎn)換。因此，在'11，和'10，的情況下，通過以上處理具有低電平的數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)中。在'01，的情況，具有高電平的數(shù)據(jù)和具有低電平的數(shù)據(jù)分別存儲在LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)中。在'00，的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)和具有高電平的數(shù)據(jù)分別被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)中。在步驟S20，根據(jù)在以上處理中設(shè)置的數(shù)據(jù)進(jìn)行編程操作。然而，在以上步驟S10確定不需要進(jìn)行MSB編程時(shí)，可省略MSB編程操作。另一方面，對于回拷編程操作位線被預(yù)充電到高電平，且要編程的lt據(jù)被發(fā)送到感測節(jié)點(diǎn)SO。在這種情況下，具有高電平的MSB編程信號MSBPROG被提供給數(shù)據(jù)比較電路130，因此LSB節(jié)點(diǎn)和MSB節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)M送到感測節(jié)點(diǎn)SO。在根據(jù)數(shù)據(jù)比較電路130的操作具有高電平的數(shù)據(jù)存儲在節(jié)點(diǎn)N7和N12中的情況下，即'11，和'10，的情況下，具有高電平的數(shù)據(jù)iiUL送到感測節(jié)點(diǎn)SO。在具有低電平的lt據(jù)^L存儲在節(jié)點(diǎn)N7或節(jié)點(diǎn)N12中的情況下，即'00，和'01，的情況下，具有低電平的數(shù)據(jù)被提供給感測節(jié)點(diǎn)SO。因此，僅對于對應(yīng)于'00，和'01，的單元進(jìn)行編程操作。在步驟S22，進(jìn)行關(guān)于MSB操作的iHi操作。以下參照圖3詳細(xì)說明^Hi操作。圖3中的!Ht操作適用于關(guān)于LSB編程的!Ht操作和關(guān)于MSB編程的在步驟Vl,輸入關(guān)于存儲在MSB節(jié)點(diǎn)的數(shù)據(jù)的檢查結(jié)果(步驟T12)。在步驟V2，確定存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于M除的數(shù)據(jù)，即MSB節(jié)點(diǎn)是否具有低電平，以及存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于J^除的數(shù)據(jù)，即LSB節(jié)點(diǎn)是否具有低電平。在步驟V3,在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)和存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)對應(yīng)于J^除的數(shù)據(jù)時(shí)，在不進(jìn)行MSB編程的情況下完成編程操作。在步驟V4，在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)或存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)不對應(yīng)于J^除的數(shù)據(jù)時(shí)，確定存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否對應(yīng)于要擦除的數(shù)據(jù)。在步驟V5，在存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)不是M除的數(shù)據(jù)時(shí)，基于圖7的第二^電壓PV2進(jìn)行第二miE操作。以下參照圖4B詳細(xì)說明第二^SE操作。在MSB編程操作的情況下，根據(jù)存儲在MSB節(jié)點(diǎn)和LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)的電平確定感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平和對應(yīng)的單元的編程。這里，在對應(yīng)的單元是要編程的單元時(shí)，第一數(shù)據(jù)存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中，且與第一數(shù)據(jù)相對的第二數(shù)據(jù)存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。因此，具有低電平的數(shù)據(jù)被發(fā)送到感測節(jié)點(diǎn)so。然而，在對應(yīng)的單元是a除的單元時(shí)，具有高電平的數(shù)據(jù)被提供給感測節(jié)點(diǎn)SO。進(jìn)行編程操作，然后進(jìn)行感測對應(yīng)的單元的閾值電壓的m^操作。這利用了感測節(jié)點(diǎn)SO的電壓電平根據(jù)對應(yīng)的單元是否被編程的結(jié)果來變化這一事實(shí)。另一方面，具有高電平的MSB重置信號MSBRST被發(fā)送到晶體管N112。因此在根據(jù)對應(yīng)的單元被編程感測節(jié)點(diǎn)SO具有高電平的情況下，存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成具有低電平的數(shù)據(jù)。然而，在根據(jù)盡管進(jìn)行了編程操作，單元的闊值電壓沒有上升到編程電平，該單元被讀取為擦除單元的情況下，存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在通過重復(fù)上述處理來對要編程的各單元進(jìn)行編程時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。在單元不是要編程的單元時(shí)，首先具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。因此，在不考慮特定單元是否是要編程的單元而完成對于對應(yīng)的頁面的編程的mt搮作時(shí)，MSB節(jié)點(diǎn)存儲具有低電平的數(shù)據(jù)。因此，輸出具有浮動(dòng)狀態(tài)的MSB4Ht信號MSBVER_N。另一方面，在'01，數(shù)據(jù)的情況下，因?yàn)楦袦y節(jié)點(diǎn)SO具有低電平，'01，數(shù)據(jù)對應(yīng)于要編程的數(shù)據(jù)。然而，由于具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中，不進(jìn)行第二^￡操作。這里，基于第三發(fā)江電壓對于數(shù)據(jù)的編程進(jìn)行第三msE操作。在步驟V6，確定存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)是否是要擦除的數(shù)據(jù)。在存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的各數(shù)據(jù)不是M除的數(shù)據(jù)時(shí)，基于圖7中的第一mit電壓PV1或第三發(fā)汪電壓PV3進(jìn)行IHi操作。這里，IHt操作根據(jù)當(dāng)前編程操作是LSB編程還是MSB編程的確定結(jié)果而變化。為進(jìn)行^it操作，在步驟V9通過尋址從外部裝置輸入關(guān)于源頁面的回拷編程是否是LSB編程的信息，其中所述源頁面是回拷對象。在步驟V8，通過輸入的信息確定源頁面的回拷編程是LSB編程還是MSB編程。在步驟VIO，在當(dāng)前步驟回拷編程對應(yīng)于MSB編程的情況下，基于第三發(fā)近電壓PV3進(jìn)行笫三^搮作。以下參照圖4C詳細(xì)說明第三lHi操作。第三!Ht操作與圖4A和圖4B的g操作相似。然而，基于第三驗(yàn)汪電壓PV3進(jìn)行第三B操作。通it^L送具有高電平的LSB重置信號LSBRST進(jìn)行第三IHE操作。因此在根據(jù)對應(yīng)的單元被編程，感測節(jié)點(diǎn)SO具有高電平的情況下，存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)被轉(zhuǎn)換成具有低電平的數(shù)據(jù)。然而，在根據(jù)盡管進(jìn)行了編程操作，單元的閾值電壓沒有上升到編程電平，該單元被讀取為擦除的單元的情況下，存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中的具有高電平的數(shù)據(jù)保持不變。在通過重復(fù)以上處理對要編程的各單元進(jìn)行編程時(shí)，具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在LSB節(jié)點(diǎn)中。在單元不是要編程的單元時(shí)，首先具有低電平的數(shù)據(jù)被存儲在MSB節(jié)點(diǎn)中。因此，在不考慮特定單元是否是要編程的單元而完成對于對應(yīng)的頁面的編程的mitlMt時(shí)，LSB節(jié)點(diǎn)存儲具有低電平的數(shù)據(jù)。因此，輸出具有浮動(dòng)狀態(tài)的LSB!Ht信號LSBVER一N。通過以上處理進(jìn)行對于LSB編程的mit操作。另夕卜，重復(fù)進(jìn)行編程操作和4Hi操作，直到完成LSB編程。圖6是示出根據(jù)本發(fā)明又一實(shí)施例的mit操作的流程圖。、該l^操作與圖3的i^操作相似。，而,一在給定時(shí)期省略了以下步驟也就是說，在'11，數(shù)據(jù)或'10，數(shù)據(jù)被MSB編程為'00，數(shù)據(jù)的情況下，在給定時(shí)期省略了確定是否進(jìn)行對于LSB編程的mi操作的步驟。因此，可減少4Hi操作所需的時(shí)間。在步驟G7，將省略次數(shù)預(yù)設(shè)為K。在步驟G14響應(yīng)于JiHiE操作的重復(fù)對lHt操作的執(zhí)行次數(shù)計(jì)數(shù)，并在步驟G6確定執(zhí)行次數(shù)是否大于k。省略確定是否進(jìn)行對于lsb編程的mt操作的步驟，直到執(zhí)行次數(shù)大于k。然而，在執(zhí)行次數(shù)大于k的情況下，執(zhí)行確定是否進(jìn)行對于lsb編程的g操作的步驟。然后，進(jìn)行第一Jmit操作或第三JiHiL^作。在本i兌明書中提及"一個(gè)實(shí)施例"、"實(shí)施例"、"示例實(shí)施例"等指的是與實(shí)施例相關(guān)聯(lián)地說明的特定特征、結(jié)構(gòu)或性能包括在本發(fā)明至少一個(gè)實(shí)施例中。在本說明書各個(gè)地方出現(xiàn)該術(shù)語不一定指同一個(gè)實(shí)施例。此外，當(dāng)與任何實(shí)施例相關(guān)聯(lián)地說明特定特征、結(jié)構(gòu)或性能時(shí)，應(yīng)理解本領(lǐng)域才支術(shù)人員能夠與實(shí)施例的其它特征、結(jié)構(gòu)或特性相關(guān)聯(lián)地改變該特征、結(jié)構(gòu)或特性。盡管參照一些示例性實(shí)施例說明了實(shí)施例，應(yīng)理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可構(gòu)思出落入本發(fā)明原則的精神和范圍內(nèi)的許多其它修改和實(shí)施例。更具體地，在說明書、附圖和所附權(quán)利要求的范圍內(nèi)可對組件和/或?qū)ο蠼M合排列的布置作出各種改變和修改。除了對組件和/或布置的改變和修改之外，對本領(lǐng)域技術(shù)人員來說替選用途也是明顯的。權(quán)利要求1.一種非易失性存儲裝置中的多級單元回拷編程方法，包括讀取源頁面的LSB數(shù)據(jù)，并將所讀取的LSB數(shù)據(jù)存儲到頁面緩沖器中的第二寄存器中；將存儲在所述第二寄存器中的數(shù)據(jù)發(fā)送到耦合到數(shù)據(jù)輸入電路的第一寄存器，并將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在所述第一寄存器中；通過所述數(shù)據(jù)輸入電路修正存儲在所述第一寄存器中的數(shù)據(jù)；將所修正的數(shù)據(jù)發(fā)送到所述第二寄存器，并將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在所述第二寄存器中；以及根據(jù)存儲在所述第二寄存器中的數(shù)據(jù)將對應(yīng)的數(shù)據(jù)LSB編程到目標(biāo)頁面。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述讀取LSB數(shù)據(jù)的步驟包括通過向要讀取的單元的字線施加第一讀取電壓來確定對應(yīng)的單元的通過對所述字線施加高于所述第一讀取電壓的第三讀取電壓來確定所述對應(yīng)的單元的編程；在其閾值電壓小于所述第一讀取電壓的單元和其閾值電壓大于所述第三讀取電壓的單元的情況下，將具有第一電平的數(shù)據(jù)存儲到所述第二寄存器；以及在其閾值電壓大于所述第一讀取電壓且小于所述第三讀取電壓的單元的情況下，將具有與第一電平相對的第二電平的數(shù)據(jù)存儲到所述第二寄存器中。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，還包括讀取源頁面的MSB數(shù)據(jù)，并將所讀取的MSB數(shù)據(jù)存儲到所述第二寄存器中；將存儲在所述第二寄存器中的數(shù)據(jù)發(fā)送到耦合到所述數(shù)據(jù)輸入電路的所述第一寄存器，并將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在所述第一寄存器中；通過所述數(shù)據(jù)輸入電路修正存儲在所述第一寄存器中的數(shù)據(jù)；將LSB編程的數(shù)據(jù)讀取到目標(biāo)頁面，并將所讀取的數(shù)據(jù)存儲在所述第二寄存器中；根據(jù)存儲在所述第一寄存器中的數(shù)據(jù)的電平，通過重置存儲在所述第二寄存器中的數(shù)據(jù)來檢測要被MSB編程的數(shù)據(jù)；以及根據(jù)存儲在所述第二寄存器中的數(shù)據(jù)將對應(yīng)的數(shù)據(jù)MSB編程到目標(biāo)頁面。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的方法，其中LSB編程步驟包括根據(jù)存儲在所述第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)或存儲在所述第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)選擇性地進(jìn)行對于編程目標(biāo)頁面的第一^Hi操作、第二mE操作或第三!HiE操作，其中所述第一^i操作基于第一驗(yàn)證電壓，所述第二lHE操作基于高于所述第一lHiE電壓的第二發(fā)汪電壓，且所述第三!Hi操作基于高于所述第二發(fā)汪電壓的第三mi電壓；以及才艮據(jù)所述B操作的結(jié)果重復(fù)進(jìn)^f亍LSB編禾呈。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的方法，其中進(jìn)行所述!HiE操作的步驟包括通過檢查存儲在所述第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第二lHi^Mt;根據(jù)確定結(jié)果進(jìn)行所述第二!Hi操作；通過檢查存儲在所述第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第一IHi操作或所述第三IHi操作；以及根據(jù)外部地址信息進(jìn)行所述第一IHE操作和所述第三B操作之一。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于LSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第一mt操作。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于MSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第三4Hi操作。8.根據(jù)權(quán)利要求3所述的方法，其中MSB編程的步驟包括根據(jù)存儲在所述第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)或存儲在所述第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)對于編程目標(biāo)頁面選擇性地進(jìn)行第一a^操作、第二!HiE操作或第三lHE操作，其中所述第一!Hi操作基于第一^E電壓，所述第二mi操作基于高于所述第一發(fā)逸電壓的第二!Ht電壓，且所述第三a^L操作基于高于所述第二驗(yàn)證電壓的第三驗(yàn)汪電壓；以及才艮據(jù)B操作結(jié)果重復(fù)進(jìn)行MSB編程。9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的方法，其中進(jìn)行所述^it操作的步驟包括:通過檢查存儲在所述第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第二IHE操作；根據(jù)確定結(jié)果進(jìn)行所述第二IHE操作；通過檢查存儲在所述第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)來確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第一mt操作或所述第三^操作；以及根據(jù)外部地址信息進(jìn)行所述第一!HiE操作和所述第三^^Mt之一。10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于LSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第一棘操作。11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于MSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第三IHE操作。12.根據(jù)權(quán)利要求9所述的方法，其中在給定時(shí)期省略確定是否進(jìn)行所述第一mt操作或所述第三^E操作的步驟。13.—種非易失性存儲裝置中的多級單元回拷編程方法，包括進(jìn)行多級單元回拷編程操作；根據(jù)存儲在第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)或存儲在第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)選擇性地進(jìn)行第一mit操作、第二IHE操作或第三驗(yàn)證操作，其中所述第一!HiE操作基于第一驗(yàn)證電壓，所述第二a^操作基于高于所述第一驗(yàn)汪電壓的第二IHE電壓，且所述第三IHE操作基于高于所述第二發(fā)汪電壓的第三*汪電壓；以及才艮據(jù)所述mi操作的結(jié)果重復(fù)進(jìn)行回拷編程^Mt。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法，其中進(jìn)行所述IHE操作的步驟包括通過檢查存儲在所述第一寄存器的MSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第二^i操作；根據(jù)確定結(jié)果進(jìn)行所述第二^操作；通過檢查存儲在所述第二寄存器的LSB節(jié)點(diǎn)中的數(shù)據(jù)確定對于對應(yīng)的頁面是否進(jìn)行所述第一IHt操作或所述第三IHiE操作；以及根據(jù)外部地址信息進(jìn)行所述第一4HE操作和所述第三mt操作之一。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于LSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第一IHE操作。16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在對于對應(yīng)的頁面的編程對應(yīng)于MSB編程時(shí)根據(jù)所述地址信息進(jìn)行所述第三B操作。17.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其中在給定時(shí)期省略判斷是否進(jìn)行所述第一m^操作或所述第三m^操作的步驟。全文摘要公開了非易失性存儲裝置中的一種多級單元回拷編程方法。該方法包括讀取源頁面的LSB數(shù)據(jù)，將所讀取的LSB數(shù)據(jù)存儲在頁面緩沖器的第二寄存器中，將存儲在第二寄存器中的數(shù)據(jù)發(fā)送到耦合到數(shù)據(jù)輸入電路的第一寄存器，將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在第一寄存器中，通過數(shù)據(jù)輸入電路修正存儲在第一寄存器中的數(shù)據(jù)，將所修正的數(shù)據(jù)發(fā)送到第二寄存器，并將所發(fā)送的數(shù)據(jù)存儲在第二寄存器中，根據(jù)存儲在第二寄存器中的數(shù)據(jù)將對應(yīng)的數(shù)據(jù)LSB編程到目標(biāo)頁面。文檔編號G11C16/10GK101174463SQ20071016439公開日2008年5月7日申請日期2007年10月30日優(yōu)先權(quán)日2006年10月31日發(fā)明者成鎮(zhèn)溶,樸成濟(jì)申請人:海力士半導(dǎo)體有限公司