專利名稱：磁頭及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種搭載在例如硬盤裝置等上的磁頭的滑塊，尤其涉及具有滑塊的規(guī)定側(cè)面形狀的磁頭及其制造方法。
背景技術(shù)：
搭載在以往的硬盤裝置等上的以往的磁頭的滑塊等，是在基板上形成多個(gè)薄膜磁頭元件，接著切割該基板形成棒狀的芯片條(元件列)，對(duì)切割面實(shí)施規(guī)定的研磨加工。在該芯片條的成為各滑塊的后(trailing)側(cè)端部的面上，設(shè)有臨近與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的記錄介質(zhì)對(duì)置面(ABS面)的多個(gè)磁記錄及/或再現(xiàn)用的薄膜磁性元件。通過加工該芯片條，得到在與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的對(duì)置面(ABS面)上具有規(guī)定形狀的軌道圖形的多個(gè)磁頭的滑塊。并且，各滑塊從由成為母材的陶瓷等形成的芯片條切割分離。
參照?qǐng)D9及圖10，說明從芯片條切割分離單個(gè)的滑塊111的以往的制造方法。首先，在成為滑塊111的母材的芯片條(chip bar)110的滑塊111的成為記錄介質(zhì)對(duì)置面的表面上，用淺槽形成用磨石131形成用于劃定各滑塊111的槽113。在圖9中，成為在芯片條110的表面形成著多個(gè)由槽113劃分的記錄介質(zhì)對(duì)置面112的狀態(tài)。
接著，用厚度比槽113的寬度小的片切割磨石132切斷各槽113的中央，得到單個(gè)的滑塊111。用該制造方法制造的各滑塊111，在記錄介質(zhì)對(duì)置面112和側(cè)面114的之間，殘留由槽113構(gòu)成的階梯差113a，該側(cè)面114在記錄介質(zhì)對(duì)置面112的兩側(cè)的讀出側(cè)端部和后側(cè)端部之間延伸。在該以往的利用片切割的制造方法中，在記錄介質(zhì)對(duì)置面112和階梯差113a的邊緣112a、階梯差113a和側(cè)面114的邊緣114a殘留毛刺，或發(fā)生脫粒。由于上述邊緣112a、114a直接成為滑塊111的最終邊緣，所以滑塊111傾斜，邊緣112a、114a與磁盤接觸，有損傷磁盤的顧慮。
為此，開發(fā)了在利用離子銑削(ion-milling)技術(shù)在芯片條上形成一臺(tái)階或二臺(tái)階的槽后，利用磨石切斷槽的中央部，由此防止在離子銑削的槽的角部發(fā)生毛刺等、發(fā)生脫粒的制造方法(專利文獻(xiàn)1)。還開發(fā)了在相鄰的記錄介質(zhì)對(duì)置面112之間利用離子銑削技術(shù)形成槽后，利用等離子刻蝕技術(shù)對(duì)槽的角部進(jìn)行倒角加工，其后利用磨石切斷槽的中央部，以此防止在等離子刻蝕的角部發(fā)生毛刺等、發(fā)生脫粒的制造方法(專利文獻(xiàn)2)。此外，開發(fā)了當(dāng)在與滑塊的記錄介質(zhì)對(duì)置的對(duì)置面上形成軌道時(shí)，通過將軌道槽的內(nèi)側(cè)面形成錐面，防止脫粒的制造方法(專利文獻(xiàn)3)。
專利文獻(xiàn)1日本特開平11-203646號(hào)公報(bào)[Pub.No.US 6405426B1]專利文獻(xiàn)2日本特開平11-191209號(hào)公報(bào)專利文獻(xiàn)3日本特開平04-214272號(hào)公報(bào)但是，在以往的機(jī)械加工工序中，在單個(gè)切斷滑塊的利用磨石的最終切斷中，由于臺(tái)階面和側(cè)面形成的角度為90°，所以在切斷部的邊緣及切斷面上發(fā)生碎屑、毛刺等，或發(fā)生脫粒，成為損傷盤面的原因。此外，即使在檢查工序中，因切斷面的碎屑等，使成品率下降。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述問題而提出的，其目的在于，提供一種磁頭及其制造方法，在單個(gè)切斷磁頭的滑塊時(shí)，能夠抑制在切斷面的邊緣發(fā)生碎屑、毛刺等。
解決上述問題的本發(fā)明，是在滑塊的與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的對(duì)置面的后側(cè)端部具有薄膜磁性元件的薄膜磁頭滑塊，其中，所述滑塊具有與所述記錄介質(zhì)對(duì)置面正交、且向與記錄介質(zhì)相對(duì)移動(dòng)的方向延伸的兩側(cè)面；具有分別跨越所述記錄介質(zhì)對(duì)置面和兩側(cè)面、并在該記錄介質(zhì)對(duì)置面及兩側(cè)面以鈍角相交的傾斜面。
也可以是，所述傾斜面由與所述記錄介質(zhì)對(duì)置面所成的角度階段性地減小的二個(gè)面以上形成。
與磁頭的制造方法有關(guān)的本發(fā)明，是是制造薄膜磁頭滑塊的方法，該薄膜磁頭滑塊在滑塊的與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的對(duì)置面的后側(cè)端部具有薄膜磁性元件，該制造方法具有以下工序在成為滑塊的母材的基板的后側(cè)端部，排列整齊地形成臨近記錄介質(zhì)對(duì)置面的多個(gè)薄膜磁性元件的工序；在具有1個(gè)薄膜磁性元件的滑塊形成區(qū)的切斷區(qū)域的中央位置，利用尖細(xì)的磨石形成V型槽的工序；利用寬度比該V型槽的最大寬度窄的磨石，從所述V型槽的中央位置切斷而分割成各滑塊的工序。
實(shí)際上包括在形成所述V型槽的工序和所述切斷工序之間，在所述V型槽和V型槽之間的基板表面上，設(shè)置用于構(gòu)圖形成記錄介質(zhì)對(duì)置面的抗蝕劑層的工序；用離子銑削法刻蝕未被所述抗蝕劑層覆蓋的基板表面，構(gòu)圖形成記錄介質(zhì)對(duì)置面的工序。
形成所述V型槽的工序，包括用頂端部為尖細(xì)的等邊梯形或等腰三角形形狀的旋轉(zhuǎn)磨石磨削的工序。
根據(jù)本發(fā)明，由于在滑塊的記錄介質(zhì)對(duì)置面和側(cè)面的之間具備傾斜面，所以在對(duì)置面和傾斜面、傾斜面和側(cè)面的邊界即邊緣不易發(fā)生碎屑或毛刺，脫粒也少。
根據(jù)本發(fā)明的制造方法，由于首先利用尖細(xì)的磨石在切斷區(qū)域的中央形成V型槽后，利用厚度比該V型槽的最大寬度小的磨石，從成為滑塊的母材的基板切斷各滑塊，由于無論在形成槽時(shí)，還是在從V型槽切斷時(shí)，對(duì)置面和傾斜面、傾斜面和側(cè)面都形成鈍角，所以在對(duì)置面和傾斜面的邊緣、傾斜面和側(cè)面的邊緣，不易發(fā)生碎屑或毛刺，脫粒也少。
如果在V型槽形成工序和切斷工序之間加入利用離子銑削法的刻蝕工序，邊緣被磨圓，進(jìn)一步減少碎屑或毛刺。


圖1是按記錄介質(zhì)對(duì)置面朝上地表示用本發(fā)明的滑塊制造方法制造的本發(fā)明的實(shí)施方式的滑塊的立體圖。
圖2是表示涉及本發(fā)明的磁頭制造方法的一工序的圖。
圖3是表示涉及本發(fā)明的磁頭制造方法的一工序的圖。
圖4是表示涉及本發(fā)明的磁頭制造方法的一工序的圖。
圖5是拍攝了用涉及本發(fā)明的磁頭制造方法制造的實(shí)施方式的滑塊的后側(cè)端面附近的V型槽邊緣周邊的電子顯微鏡照片。
圖6是拍攝了該滑塊的后側(cè)端面附近的片切割邊緣的電子顯微鏡照片。
圖7是拍攝了該滑塊的中央附近的V型槽邊緣周邊的電子顯鏡照片。
圖8是拍攝了該滑塊的中央附近的片切割邊緣的電子顯鏡照片。
圖9是表示以往的磁頭制造方法的一工序的圖。
圖10是表示以往的磁頭制造方法的一工序的圖。
圖11是拍攝了用以往的磁頭制造方法制造的滑塊的后側(cè)端面附近的記錄介質(zhì)對(duì)置面和臺(tái)階部的邊緣的電子顯微鏡照片。
圖12是拍攝了用以往的磁頭制造方法制造的滑塊的后側(cè)端面附近的臺(tái)階部和側(cè)面的邊界即邊緣的電子顯微鏡照片。
圖13是拍攝了用以往的磁頭制造方法制造的滑塊的中央附近的記錄介質(zhì)對(duì)置面和臺(tái)階部的邊緣的電子顯微鏡照片。
圖14是拍攝了用以往的磁頭制造方法制造的滑塊的中央附近的臺(tái)階部和側(cè)面的邊界即邊緣的電子顯微鏡照片。
具體實(shí)施例方式
圖1是按記錄介質(zhì)對(duì)置面朝上地表示搭載在硬盤等上的本發(fā)明的實(shí)施方式的磁頭的立體圖。圖1所示的磁頭的滑塊11由氧化鋁·碳化鈦、或硅等陶瓷材料形成，在記錄介質(zhì)對(duì)置面形成空氣坡口12，圍繞著空氣坡口12形成軌道部13a、13b。
軌道部13a、13b的周圍，成為與記錄介質(zhì)相對(duì)置的記錄介質(zhì)對(duì)置面14，該記錄介質(zhì)由與空氣坡口12的同一平面形成。另外，在本發(fā)明中，形成了2個(gè)軌道部13a、13b，但是軌道部13a、13b的數(shù)量或形狀并不局限于圖1所示的數(shù)量、形狀。
在滑塊11的后側(cè)端面(端部)B，設(shè)置著臨近記錄介質(zhì)對(duì)置面14的薄膜磁性元件15，并在與記錄介質(zhì)對(duì)置面14相反一側(cè)的背面附近設(shè)置著4個(gè)電極16。雖未圖示，但該薄膜磁性元件15被例如由氧化鋁(Al2O3)等陶瓷材料構(gòu)成的保護(hù)膜覆蓋著。
薄膜磁性元件15是層疊作為磁性材料的坡莫合金(Ni-Fe系合金)或作為絕緣材料的氧化鋁等而成的，包括再現(xiàn)記錄在磁盤上的磁記錄信號(hào)的磁檢測(cè)部、或在磁盤上記錄磁信號(hào)的磁記錄部，或者包括磁檢測(cè)部和磁記錄部?jī)烧?。磁檢測(cè)部例如是由巨大磁阻效應(yīng)元件(GMR元件)構(gòu)成的GMR磁頭。此外磁記錄部由構(gòu)圖形成有線圈和磁芯的感應(yīng)頭構(gòu)成。上述磁記錄部、磁檢測(cè)部與對(duì)應(yīng)的電極16連接著。
接著，說明滑塊11的側(cè)面形狀。如圖1所示，在兩側(cè)面18和記錄介質(zhì)對(duì)置面14之間，以跨越記錄介質(zhì)對(duì)置面14的方式形成傾斜面17，該兩側(cè)面18在讀出側(cè)端面A和后側(cè)端面B之間(與記錄介質(zhì)相對(duì)移動(dòng)的方向)延伸在讀出側(cè)端面A和后側(cè)端面B之間(與記錄介質(zhì)的相對(duì)移動(dòng)方向)延伸。記錄介質(zhì)對(duì)置面14和側(cè)面18形成直角，記錄介質(zhì)對(duì)置面14和傾斜面17、傾斜面17和側(cè)面18分別形成鈍角。設(shè)記錄介質(zhì)對(duì)置面14和傾斜面17形成的角度(內(nèi)角)為θ1，則其處于90°＜θ1＜180°的范圍。
由于記錄介質(zhì)對(duì)置面14和側(cè)面18正交，所以傾斜面17和側(cè)面18形成的角度(內(nèi)角)θ2為270°-θ1。也可以設(shè)定成θ1＝θ2＝135，但是，也可以使角度θ1和θ2不同，設(shè)定成90°＜θ2≤θ1，或θ1＜θ2＜180°。另外角度θ1、θ2都是比90°大的鈍角。
下面，參照?qǐng)D2、圖3及圖4說明本發(fā)明的滑塊11的制造方法。首先，如圖2所示，準(zhǔn)備將晶片切斷成一列一列的元件列而形成的、成為多個(gè)滑塊11的母材的芯片條21，該晶片的例如由氧化鋁·碳化鈦、或硅等陶瓷材料構(gòu)成的基板表面的縱向及橫向上形成了多個(gè)薄膜磁頭元件。在從該芯片條21切割分離各滑塊11的記錄介質(zhì)對(duì)置面的切斷區(qū)域中央，利用頂端部形成尖細(xì)形狀的V型槽形成用磨石31，研磨寬度從開口部朝著底部變窄的截面V字形的V型槽22。由該V型槽形成用磨石31研磨的V型槽22成為，在深度方向?qū)挾日腣型槽22，其斜面成為滑塊11的傾斜面17(參照?qǐng)D1～圖4)。圖2所示的V型槽形成用磨石31的截面呈等邊梯形，但不局限于此，也可是等腰三角形、或只將頂端部形成半圓形的形狀，或者對(duì)梯形的角部付與了圓角的形狀。
接著，如圖3所示，在芯片條21的表面上，在規(guī)定各V型槽22和V型槽22之間的各滑塊的區(qū)域，形成用于劃定各滑塊11的記錄介質(zhì)對(duì)置面14及軌道部13a、13b的抗蝕劑層20。接著，通過離子銑削來切削未被抗蝕劑層20覆蓋的上述芯片條21表面，形成軌道部13a、13b及記錄介質(zhì)對(duì)置面14。然后，除去抗蝕劑層20，使軌道部13a、13b露出。并且，上述離子銑削工序是一邊旋轉(zhuǎn)芯片條21一邊進(jìn)行，所以如圖3所示，在M方向或N方向上照射Ar等中性離子，使記錄介質(zhì)對(duì)置面14的邊緣形成圓角。此時(shí)，還磨削V型槽22的傾斜面17和記錄介質(zhì)對(duì)置面14的邊界部，形成圓角。
接著，如圖4所示，用厚度比V型槽22的最大寬度小的切割用旋轉(zhuǎn)磨石32切斷形成在芯片條21上的各V型槽22的中央部，切割成各個(gè)滑塊11。如此，通過利用厚度薄的切割用旋轉(zhuǎn)磨石32從V型槽22的中央切斷，能夠從傾斜面17的傾斜方向途中位置開始形成與記錄介質(zhì)對(duì)置面14正交的側(cè)面18。角度θ1、θ2都是鈍角。
如此，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式的制造方法，在芯片條21上形成V型槽22時(shí)，以V型槽形成用磨石31的頂端的兩邊緣部31a和芯片條21所成角度不足90°的角度(銳角)開始切削，所以在記錄介質(zhì)對(duì)置面14和傾斜面17的邊界即V型槽邊緣17a很少發(fā)生毛刺等，脫粒等也較少。再者，以V型槽22的傾斜面17和切割用旋轉(zhuǎn)磨石32的頂端部的兩側(cè)面部32a所成角度不足90°的角度(銳角)開始切削，所以在傾斜面17和側(cè)面18的邊界部即片切割邊緣18a很少發(fā)生毛刺等，脫粒等的發(fā)生也減少。此外，由于在切斷工序之前加入離子銑削工序，所以能除去V型槽邊緣17a及傾斜面17的毛刺、碎屑等，能夠使表面光滑。
圖5示出拍攝了用本發(fā)明的制造方法制造的滑塊11的后側(cè)端面附近的V型槽邊緣17a及傾斜面17的表面狀態(tài)的電子顯微鏡照片，圖6示出拍攝了以該滑塊11的后側(cè)端面附近的片切割邊緣18a為中心的表面狀態(tài)的電子顯微鏡照片，圖7示出拍攝了該滑塊11的中央附近的V型槽邊緣17a及傾斜面17的表面狀態(tài)的電子顯鏡照片，圖8示出拍攝了該滑塊11的以中央附近的片切割邊緣18a為中心的表面狀態(tài)的電子顯微鏡照片。圖11、圖12、圖13及圖14示出與圖5至圖8相同的部分的、用以往的制造方法制造的滑塊的電子顯微鏡照片。從這些照片清楚地看出，用本發(fā)明的制造方法制造的滑塊11，表面的粒子排列不混亂，屑片、毛刺等的發(fā)生少，脫粒也少。
在本發(fā)明的實(shí)施方式中，用V型槽形成用磨石31形成了V型槽22，但通過準(zhǔn)備頂端尖細(xì)的2種以上的V型槽形成用磨石，按滑塊的記錄介質(zhì)對(duì)置面和傾斜面所成角度階段性地減小的方式分為多個(gè)工序制造，也可以形成多個(gè)傾斜面。
權(quán)利要求
1.一種磁頭，是在滑塊的與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的對(duì)置面的后側(cè)端部具有薄膜磁性元件的薄膜磁頭滑塊，其特征在于，所述滑塊具有與所述記錄介質(zhì)對(duì)置面正交、且向與記錄介質(zhì)相對(duì)移動(dòng)的方向延伸的兩側(cè)面；具有分別跨越所述記錄介質(zhì)對(duì)置面和兩側(cè)面、并在該記錄介質(zhì)對(duì)置面及兩側(cè)面以鈍角相交的傾斜面。
2.如權(quán)利要求1記載的磁頭，其特征在于，所述滑塊的傾斜面由與所述記錄介質(zhì)對(duì)置面所成的角度階段性地減小的二個(gè)面以上形成。
3.一種磁頭的制造方法，是制造薄膜磁頭滑塊的方法，該薄膜磁頭滑塊在滑塊的與磁記錄介質(zhì)相對(duì)置的對(duì)置面的后側(cè)端部具有薄膜磁性元件，該制造方法具有以下工序在成為滑塊的母材的基板的后側(cè)端部，排列整齊地形成臨近記錄介質(zhì)對(duì)置面的多個(gè)薄膜磁性元件的工序；在具有1個(gè)薄膜磁性元件的滑塊形成區(qū)的切斷區(qū)域的中央位置，利用尖細(xì)的磨石形成V型槽的工序；利用寬度比該V型槽的最大寬度窄的磨石，從所述V型槽的中央位置切斷而分割成各滑塊的工序。
4.如權(quán)利要求3記載的磁頭的制造方法，其特征在于，包括在形成所述V型槽的工序和所述切斷工序之間，在所述V型槽和V型槽之間的基板表面上，設(shè)置用于構(gòu)圖形成記錄介質(zhì)對(duì)置面的抗蝕劑層的工序；用離子銑削法刻蝕未被所述抗蝕劑層覆蓋的基板表面，構(gòu)圖形成記錄介質(zhì)對(duì)置面的工序。
5.如權(quán)利要求3記載的磁頭的制造方法，其特征在于，形成所述V型槽的工序，包括用頂端部為尖細(xì)的等邊梯形或等腰三角形形狀的旋轉(zhuǎn)磨石磨削的工序。
全文摘要
本發(fā)明提供一種磁頭及其制造方法，在單個(gè)切斷磁頭的滑塊時(shí)，能夠抑制在切斷面的邊緣發(fā)生碎屑、毛刺等。該磁頭是在滑塊的記錄介質(zhì)對(duì)置面的后側(cè)端面(B)具有薄膜磁性元件的薄膜磁頭滑塊，所述滑塊具有與所述記錄介質(zhì)對(duì)置面正交、且在與記錄介質(zhì)相對(duì)移動(dòng)的方向上延伸的兩側(cè)面，并且，具有分別跨越所述記錄介質(zhì)對(duì)置面和兩側(cè)面、并在該記錄介質(zhì)對(duì)置面及兩側(cè)面以鈍角相交的傾斜面。
文檔編號(hào)G11B5/60GK1825437SQ20061000887
公開日2006年8月30日 申請(qǐng)日期2006年2月23日 優(yōu)先權(quán)日2005年2月25日
發(fā)明者足立卓也, 中林功 申請(qǐng)人:阿爾卑斯電氣株式會(huì)社