專利名稱：光記錄介質(zhì)及其測試方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有相變型記錄層的光記錄介質(zhì)及其測試方法。
背景技術(shù)：
以往，公知一種光記錄介質(zhì)，其在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層，具有半透性，并且包含有由相變材料形成的記錄層(例如參照JP特開2003-22572號公報)。
這樣的光記錄介質(zhì)的信息層，由于在距離激光束的光入射面最遠的信息層上記錄并再現(xiàn)數(shù)據(jù)時通過激光束，所以要求相對于激光束具有高透光性，而需要很薄地形成信息層中的記錄層、反射層的膜厚。
但是，在由相變材料形成的薄的記錄層上記錄數(shù)據(jù)，將光記錄介質(zhì)在高溫下長時間保存(例如在80℃下保存24小時)之后，在保存以前記錄的數(shù)據(jù)部分上進行1次改寫(蓋寫)時，會發(fā)生再現(xiàn)信號的時基誤差(jitter)值急劇變差這樣的問題。
進一步，這樣的問題，記錄速度越快，或者記錄層的厚度越薄，就越明顯，而成為妨礙光記錄介質(zhì)的記錄的高速化和通過多層化來提高記錄密度等的主要原因。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是用來解決這樣的問題的，其目的是提供一種光記錄介質(zhì)及其測試方法，在防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，并在高溫保存的前后能夠進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)之外，還可以實現(xiàn)記錄的高速化和記錄密度的提高。
本發(fā)明的發(fā)明人努力研究的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)了一種可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，而在高溫保存的前后可以進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)及其測試方法。
更具體的是，本發(fā)明的發(fā)明人發(fā)現(xiàn)了現(xiàn)有的問題是與高溫保存后的記錄中的記錄標記(非晶態(tài)標記)的形成過程有關(guān)。從前認為，高溫保存后的時基誤差的惡化，是因為記錄標記通過高溫保存而變化為更穩(wěn)定的狀態(tài)，而記錄標記在高溫保存后很難消去(結(jié)晶化)。但是，詳細分析的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)由高溫保存后的記錄形成的記錄標記的大小與高溫保存前的記錄標記的大小相比變小，同時查明了該高溫保存前后的記錄標記的大小的改變就是再現(xiàn)信號的時基誤差值變差的主要原因。
進一步，也發(fā)現(xiàn)該記錄標記的大小的改變，相比于非晶質(zhì)部分，對準晶質(zhì)部分的記錄時表現(xiàn)得更顯著，判定故若高溫保存后進行數(shù)據(jù)的重寫，則在結(jié)晶部分和非晶部分被重寫的記錄標記的大小不同，其結(jié)果為時基誤差值變得惡化。
即，通過如下的本發(fā)明，可以實現(xiàn)上述目的。
(1)、一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時后被記錄在上述記錄層上的高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出，為具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或0.9倍以上。
(2)、一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，在60℃～90℃的溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時后被記錄在上述記錄層上的高溫保存后的記錄標記的面積，為具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的面積的0.85倍或0.85倍以上。
(3)、如上述(1)或(2)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層至少含有Sb和Ge。
(4)、如上述(3)所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層是由從1～15、17、18族中選擇的元素構(gòu)成的。
(5)、如(1)～(4)中任一項所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述具有半透射性的信息層相對于上述激光束的波長的透光率在30％～80％的范圍內(nèi)。
(6)、一種光記錄介質(zhì)的測試方法，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，包括在上述記錄層上記錄第一記錄標記的步驟；測定上述第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的步驟；將上述光記錄介質(zhì)在約60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟；在上述高溫保存后的上述記錄層上記錄具有與上述第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟；測定上述第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的步驟；判定上述第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出是否是上述第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或0.9倍以上的步驟。
(7)一種光記錄介質(zhì)的測試方法，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，包括在上述記錄層上記錄第一記錄標記的步驟；測定上述第一記錄標記的面積的步驟；將上述光記錄介質(zhì)在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟；在上述高溫保存后的上述記錄層上記錄具有與上述第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟；測定上述第二記錄標記的面積的步驟；判定上述第二記錄標記的面積是否是上述第一記錄標記的面積的0.85倍或0.85倍以上的步驟。
根據(jù)本發(fā)明的光記錄介質(zhì)及其測試方法，具有如下優(yōu)異的效果可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，并可以在高溫保存前后進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)之外，還可以使記錄高速化和提高記錄密度。


圖1是本發(fā)明實施例1的光記錄介質(zhì)的概略剖面圖。
圖2是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的一個例子的概略剖面3是表示本實施例1的光記錄介質(zhì)中的PP變化率和時基誤差值的關(guān)系的曲線圖。
圖4是表示在該光記錄介質(zhì)中，高溫保存后蓋寫記錄標記時的時基誤差值的惡化量為約2％的保存溫度和保存時間的關(guān)系的曲線圖。
圖5是表示本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的測試方法的一個例子的流程圖。
具體實施例方式
本發(fā)明所述的一種光記錄介質(zhì)，其在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且，包含有由相變材料形成的記錄層，在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時之后被記錄在上述記錄層的、高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出，是具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、而且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或其以上，根據(jù)該光記錄介質(zhì)，可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，在高溫保存的前后可以進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)。
另外，本發(fā)明所述的一種光記錄介質(zhì)，其在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且，包含有由相變材料形成的記錄層，在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時之后被記錄在上述記錄層的高溫保存后的記錄標記的面積，是具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、而且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的面積的0.85倍或其以上，根據(jù)該光記錄介質(zhì)，可以解決上述同樣的問題。
作為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的信息層的構(gòu)成例，可以列舉出在基板上依次層疊第一電介質(zhì)層、反射層、第二電介質(zhì)層、記錄層、第三電介質(zhì)層、散熱層的結(jié)構(gòu)。
第一電介質(zhì)層是為保護反射層以及調(diào)整透射率而設(shè)置的，其材料沒有特別限定，可以使用含有從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇出的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或者這些的復(fù)合物等。在本發(fā)明的實施方式中是由含有氧化鋯而以此作為主成分的材料形成。所謂主成分，是指占全體的摩爾比是60％或其以上的情況。第一電介質(zhì)層的膜厚D1最好是1nm≤D1≤60nm。若不到1nm則對反射層的保護不充分，而比60nm厚就偏離透射率的最佳范圍。
反射層是為散熱和光干涉效果而設(shè)置的，作為材料最好是采用Ag合金，而其膜厚Tr，為了成為半透射結(jié)構(gòu)而為0＜Tr＜30nm。更加理想為0＜Tr＜20nm。記錄層理想的膜厚Trec是2≤Trec≤12nm，更加理想的是3≤Trec≤8nm。
由此，信息層全體的記錄波長的透光率為30％～80％。這是因為，如果信息層的透光率不到30％，則對距離激光束的光入射面最遠的信息層的記錄變得困難，而如果超過80％時，則向信息層的記錄變得困難。
記錄層至少由Sb以及Ge構(gòu)成?；蛘咭部梢院蠱g。還有更進一步也可以含有從N、Al、Si、Mn、Zn、Ga、Sn、Bi等中被選擇出的至少一種添加物。
Sb的理想的原子重量比是60≤Sb≤95。Sb不到60at％時，結(jié)晶化速度降低，標記的消去變得困難。如果大于95at％，則結(jié)晶化速度過快，而低速記錄變得困難。還有損傷標記的熱穩(wěn)定性。Ge理想的原子重量比是0＜Ge≤20。若Ge為0 at％，則損傷標記的熱穩(wěn)定性。還有，如果多于20at％，則結(jié)晶化速度降低而標記的消去變得困難。Mg理想的原子重量比是0≤Mg≤20。如果Mg多于20at％，則結(jié)晶化速度降低，而標記的消去變得困難。
第二電介質(zhì)層，保護記錄層和反射層以及控制從記錄層到反射層的散熱性。材料沒有特別限定，可以采用含有從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或者這些的復(fù)合物等。本發(fā)明的實施方式中是由含有氧化鋯并以此作為主成分的材料形成的。所謂主成分，是指占全體的摩爾比為60％或其以上的情況。膜厚D2最好為2nm≤D2≤20nm。如果不到2nm，就不能充分保護記錄層以及反射層，而如果厚于20nm，則來自記錄層的熱不能很快向反射層傳遞，而冷卻速度降低，正確形成非晶態(tài)標記變得很難。
第三電介質(zhì)層是進行記錄層的保護、光學特性的調(diào)整以及從記錄層到散熱層的散熱性的控制。其材料沒有特別限定，可以采用含有從Ti、Zr、Hf、Ta、Si、Al、Mg、Y、Ce、Zn、In、Cr、Nb等中選擇出的至少一種金屬的氧化物、氮化物、硫化物、碳化物、氟化物或者這些的復(fù)合物等。理想的是由ZnS與SiO2的混合物形成。優(yōu)選ZnS與SiO2的摩爾比是從50∶50到95∶5。如果偏離該范圍，則ZnS與SiO2的混合物的折射率、吸收率發(fā)生變化，而光學特性的調(diào)整變得困難。第三電介質(zhì)層的膜厚D3最好是5nm≤D3≤50nm。如果薄于5nm，則保護記錄層以及調(diào)整光學特性變得困難，如果厚于50nm，則從記錄層到散熱層的散熱性降低。在本發(fā)明的實施方式中，第三電介質(zhì)層，是由在記錄層側(cè)為以氧化鋯作為主成分的材料、在光入射面?zhèn)葹閆nS與SiO2的混合物而形成的。
散熱層用于控制來自記錄層的散熱，提高記錄層的冷卻效果而易于正確形成非晶態(tài)標記。其材料沒有特別限定，但最好是采用比第三電介質(zhì)層的材料熱傳導(dǎo)性高的材料，最好是采用AlN、SiN、BN、Al2O3、TiO2等。本發(fā)明的實施方式中是由AlN形成的。散熱層理想的膜厚Theat是15nm≤Theat＜150nm，或者也可以是20nm≤Taln＜120nm。如果散熱層的膜厚不到15nm，則來自記錄層的散熱效果變小，而如果散熱層的膜厚為150nm或其以上，則成膜需要的時間變長而造成生產(chǎn)能力的降低。
另外，第一、第二、第三電介質(zhì)層，可以由單層、也可以由兩層或其以上的多個電介質(zhì)層構(gòu)成。
以下，利用附圖，對本發(fā)明的實施例進行詳細的說明。
實施例1如圖1所示，本實施例1的光記錄介質(zhì)10，是在厚度為1.1mm的聚碳酸酯制成的基板12上，通過濺射法形成由第一電介質(zhì)層14、反射層16、第二電介質(zhì)層18、記錄層20、第三電介質(zhì)層22、散熱層24構(gòu)成的信息層34，并將它們通過初始化設(shè)備進行全面結(jié)晶化后，最后形成厚度為0.1mm的透光層26而構(gòu)成的。另外，在本實施例1中，為了實驗的方便，使得光記錄介質(zhì)10由一個信息層構(gòu)成，本發(fā)明例如像圖2所示的光記錄介質(zhì)30那樣，適用于這樣的光記錄介質(zhì)其在基板32上具有多個信息層34、36，而距離激光束LB的光入射面30A最遠的信息層36以外的至少一個的信息層34，具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層。
該光記錄介質(zhì)30的基板32(光記錄介質(zhì)10的基板12也相同)，具有約1.1nm厚度。還有，由于激光束LB是通過位于與基板32相反一側(cè)的透光層37(從光入射面30A)照射，因此基板32不一定需要具有透光性。
另外，基板32在其表面形成有溝槽。該溝槽是在信息層36上記錄數(shù)據(jù)，從信息層36再現(xiàn)數(shù)據(jù)時，起到激光束LB的引導(dǎo)軌道的作用。還有，溝槽是通過例如利用了壓模的注射成形法而制作的。
間隔層35，具有使信息層34和信息層36在物理意義上和光學意義上以足夠距離而分離開的功能。該間隔層35，在信息層36上記錄數(shù)據(jù)、從信息層36再現(xiàn)數(shù)據(jù)時通過激光束LB，所以必須具有足夠高的透光性。因此，用于形成間隔層35的材料，被要求為在光學意義上為透明的，而光學吸收和反射很少，雙折射率小，若是滿足這些條件的材料即可，沒有特別限定，但最好通過紫外線硬化性丙烯樹脂等紫外線硬化性樹脂形成。
在間隔層35的表面上形成有溝槽。在該間隔層35的表面上形成的溝槽，在信息層34上記錄數(shù)據(jù)、從信息層34再現(xiàn)數(shù)據(jù)時，發(fā)揮激光束LB的引導(dǎo)軌道的作用。
還有，間隔層35最好是通過如下方法形成在信息層36上，將紫外線硬化性樹脂的溶液通過旋涂法涂敷而形成涂膜，而在涂膜的表面，覆蓋了形成與用于制作基板32的壓膜同樣的凹凸圖形的壓模的狀態(tài)下，經(jīng)由壓模照射紫外線而形成。
透光層37(光記錄介質(zhì)10的透光層26也相同)是透射激光束LB的層，其一個表面成為光入射面。用于形成透光層37的材料，被要求是光學意義上透明，光學吸收和反射少，雙折射率小，如果是滿足這些條件的材料即可，沒有特別限定，為形成透光層37，優(yōu)選使用含有紫外線硬化型樹脂、電子射線硬化型樹脂等的樹脂組成物，更加優(yōu)選含有紫外線硬化型丙烯樹脂的樹脂組成物。優(yōu)選透光層37是以具有30μm～200μm的厚度的方式而形成的。
另外，透光層37最好是將樹脂組成物的溶液通過旋涂法而涂敷到信息層34的表面而形成的，但也可以將通過透光性樹脂而形成的薄膜，利用粘結(jié)劑粘貼在信息層34的表面上而形成透光層37。
還有，對于信息層36的記錄層，沒有特別限定，可以是相變材料，也可以是色素材料、無機的一次寫入材料，也可以是ROM(再現(xiàn)專用)型。
而且，作為光記錄介質(zhì)30的結(jié)構(gòu)可以這樣構(gòu)成例如，在1.1mm的基板32上依次設(shè)置信息層36、厚度為25μm的間隔層35、信息層34、厚度為75μm的透光層37，而信息層36，是在基板32上按如下順序依次進行層疊作為反射層的100nm的AgNdCu(Ag∶Nd∶Cu＝98原子％∶1原子％∶1原子％)；作為第一電介質(zhì)層的10nm的CeO2和10nm的ZnS∶SiO2(ZnS∶SiO2＝50摩爾％∶50摩爾％)；作為記錄層的12nm的SbTeGe(Sb∶Te∶Ge＝75原子％∶19原子％∶6原子％)；作為第二電介質(zhì)層的40nm的ZnS∶SiO2(ZnS∶SiO2＝80摩爾％∶20摩爾％)；作為散熱層的30nm的AlN。
返回圖1，本實施例1的光記錄介質(zhì)10中，第一電介質(zhì)層14采用厚度為5nm的ZrO2，反射層16采用厚度為10nm的AgPdCu(Ag∶Pd∶Cu＝98原子％∶1原子％∶1原子％)，第二電介質(zhì)層18采用厚度為4nm的ZrO2，第三電介質(zhì)層22采用厚度為5nm的ZrO2以及厚度為10nm的ZnS-SiO2(ZnS∶SiO2＝80摩爾％∶20摩爾％)，散熱層24采用厚度為40nm的AlN。另外，透光層26是利用紫外線硬化性丙烯樹脂，通過旋涂法而形成的。
還有，記錄層20，其厚度為6nm，而作為其材料準備了SbGeMg(Sb∶Ge∶Mg＝83原子％∶15原子％∶2原子％)與SbTeGe(Sb∶Te∶Ge＝76原子％∶1 9原子％∶5原子％)的2種相變材料。
以具有由SbGeMg構(gòu)成的記錄層20的光記錄介質(zhì)作為本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的樣品No.1，以具有由SbTeGe構(gòu)成的記錄層20的光記錄介質(zhì)作為樣品No.2。而且，將這些樣品No.1以及No.2依次載入到光記錄介質(zhì)評估裝置中，在激光波長405nm、NA0.85、記錄信號(1，7)PLL調(diào)制信號、位長0.12μm/bit、記錄線速度10.5的記錄條件下，將具有2T(T是1時鐘周期)或者7T的位長的混合記錄標記記錄在記錄層，同時，利用TEM觀察該混合記錄標記。在表1表示其結(jié)果。
表1

表中的“Archival信號”是將混合記錄標記記錄在記錄層20之后，將光記錄介質(zhì)10在約80℃下高溫保存約24小時，并分別測定高溫保存后的2T以及7T的記錄標記的寬度以及長度的數(shù)據(jù)。還有，表中的“1次記錄信號”，是在記錄層20上沒有記錄標記的狀態(tài)下將光記錄介質(zhì)10在約80℃下高溫保存約24小時，在高溫保存后的記錄層20的準晶質(zhì)部分(未記錄記錄標記的部分)記錄1次混合記錄標記，并分別測定2T以及7T的記錄標記的寬度以及長度而得到的數(shù)據(jù)。另外，激光束的記錄功率、消去功率、偏置功率在高溫保存前后一致，分別設(shè)定為9.5mW、3.4mW、0.3mW。
如表所示的內(nèi)容可知，樣品No.1以及No.2均是即使在高溫保存前后的記錄功率相同，“一次記錄信號”中的記錄標記的寬度以及長度，與“Archival信號”中的記錄標記的寬度以及長度相比，全部相同或者變短。
具體而言，樣品No.1中，2T的記錄標記的寬度的變化率(1次記錄信號中的記錄標記的寬度/Archival信號中的記錄標記的寬度)是0.938，2T的記錄標記的長度的變化率(1次記錄信號中的記錄標記的長度/Archival信號中的記錄標記的長度)為0.941，2T的記錄標記的面積的變化率(1次記錄信號中的記錄標記的面積/Archival信號中的記錄標記的面積)為0.88，7T的記錄標記的寬度的變化率是0.988，7T的記錄標記的長度的變化率為0.915，7T的記錄標記的面積的變化率為0.90。另外，在本實施例1中，通過“記錄標記的寬度”與“記錄標記的長度”的乘積計算出各記錄標記的面積，而計算面積的變化率，但記錄標記的面積的算出方法并非限定于該方法。
這樣，可以理解為，樣品No.1中，高溫保存后的2T(或7T)的記錄標記的面積，變成高溫保存前的2T(或7T)記錄標記的面積的0.85倍或其以上。
另一方面，在樣品No.2中，2T的記錄標記的寬度的變化率為0.775，2T的記錄標記的長度的變化率為0.786，2T的記錄標記的面積的變化率為0.61，7T的記錄標記的寬度的變化率為0.733，7T的記錄標記的長度的變化率為1.000，7T的記錄標記的面積的變化率為0.73。這樣，可以理解為，樣品No.2中，高溫保存后的2T(或7T)的記錄標記的面積，變成小于高溫保存前的2T(或7T)的記錄標記的面積的0.85倍。
表2

該表2表示，在上述的記錄條件下，將具有2T-8T的位長的混合記錄標記記錄在記錄層20之后，將光記錄介質(zhì)10在80℃下高溫保存24小時，在高溫保存后的非晶質(zhì)部分(已記錄了記錄標記的部分)重新蓋寫一次混合記錄標記時的準晶質(zhì)部分和非晶質(zhì)部分的反射率差(PP)的變化率和時基誤差值的測定結(jié)果。
另外，圖3是表示基于該測定結(jié)果的PP變化率和時基誤差值的關(guān)系的曲線圖。而且，該曲線圖中的橫軸的所謂“PP變化率”，是指將使激光束的記錄功率在8.0mW～10.5mW的范圍內(nèi)變化、并將記錄標記記錄時的準晶質(zhì)部分和非晶質(zhì)部分的反射率之差，除以在高溫保存前利用記錄功率為9.5mW而記錄的記錄標記在高溫保存后再現(xiàn)時的準晶質(zhì)部分和非晶質(zhì)部分的反射率之差而得到的值。該PP變化率可以認為與高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出除以高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出而得到的值等價。
如表2以及圖3所示，PP變化率為1.00時，即，在高溫保存前后記錄標記的面積(大小)沒有變化時的時基誤差值約為6.1％而顯示良好的特性。
另外，隨著PP變化率比1.00變得更小，即，隨著高溫保存后的記錄標記的面積比高溫保存前的記錄標記的面積變小，時基誤差值逐漸不斷惡化，但如果PP變化率為0.90或其以上(記錄標記的面積的變化率為0.85倍或其以上)，則時基誤差值能抑制在11％或其以下，可以得到大體上良好的特性。
根據(jù)樣品No.1的光記錄介質(zhì)，在約80℃下高溫保存約24小時之后記錄到記錄層20上的高溫保存后的記錄標記的面積，為具有與高溫保存后的記錄標記相同的位長、并且在高溫保存前記錄到記錄層20上的高溫保存前的記錄標記的面積的0.85倍或其以上，因此可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，并在高溫保存前后可以進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)之外，還可以使記錄高速化和提高記錄密度。
還有，樣品No.1的光記錄介質(zhì)，由于高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出，是高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或其以上(由于PP變化率為0.90或其以上的緣故)，故可以得到相同的效果。
而且，樣品No.1的光記錄介質(zhì)的記錄層20由于至少含有Sb和Ge，所以可以更加有效地防止再現(xiàn)信號變差。
另外，樣品No.1的光記錄介質(zhì)的記錄層20，由于是由從1～15、17、18族中選擇的元素構(gòu)成的(由于由非硫族化合物材料構(gòu)成的緣故)，所以與含有16族(硫族)的元素(本實施例中為Te)的樣品No.2的光記錄介質(zhì)相比，對再現(xiàn)信號變差的防止效果更高。
進而，由于具有半透射性的信息層34的相對于激光束的波長的透射率在30％～80％的范圍內(nèi)，因此即使在將信息層多層化的情況下，也可以有效地使激光透射，而可以進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)。
而且，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)，并非是限定于上述實施例1的光記錄介質(zhì)10，例如，在上述實施例1中，示出了將光記錄介質(zhì)10在約80℃下高溫保存約24小時的例子，但光記錄介質(zhì)10的保存條件(保存溫度、保存時間)并不限定于此。
根據(jù)本發(fā)明者的實驗，從如圖4的斜線部分所示的那樣可知，將光記錄介質(zhì)10在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時之后，在記錄層20上蓋寫記錄標記時，高溫保存的前后的光記錄介質(zhì)10的時基誤差值的惡化量超過約2％。為此，在這樣的保存條件下，優(yōu)選適用本發(fā)明，這時，可以將高溫保存前后的時基誤差制的惡化量抑制為小于約2％。而即使在其他的保存條件(例如，保存溫度在不到60℃或超過90℃時，或者保存時間不到50-(4/3)(t-60)小時的情況下)，也可以減低高溫保存前后的時基誤差值的惡化量。
另外，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)并不特別限定于上述實施例1所示的結(jié)構(gòu)。因此，例如，也可以采用經(jīng)過基板照射激光束的結(jié)構(gòu)。這時，從基板側(cè)，按電介質(zhì)層、記錄層、電介質(zhì)層、以及反射層的順序?qū)盈B，而最后層疊保護層。進一步，在任何的介質(zhì)構(gòu)造中，電介質(zhì)層由單層以及多個電介質(zhì)層構(gòu)成都可以。還有，也可以在反射層的兩個界面上設(shè)置電介質(zhì)層。
而且，如圖5所示，根據(jù)包括下述步驟的光記錄介質(zhì)的測試方法，可以容易地篩選可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化、且在高溫保存的前后能夠進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)的光記錄介質(zhì)(例如，上述實施例1中的No.1的光記錄介質(zhì))，所述光記錄介質(zhì)的測試方法的步驟包括在記錄層20上記錄第一記錄標記的步驟S10；測定第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出MS1的步驟S11；將光記錄介質(zhì)在約60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟S12；在高溫保存后的記錄層20上記錄具有與第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟S13；測定第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出MS2的步驟S14；判定第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出MS2是否是第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出MS1的0.9倍或其以上的步驟S15。
還有，本發(fā)明的光記錄介質(zhì)的測試方法，不限定于圖5所示的測試方法，例如，即使是包括如下所述步驟的光記錄介質(zhì)的測試方法，也可以取得與上述圖5所示的測試方法一樣的效果。即，該光記錄介質(zhì)的測試方法包括在記錄層20上記錄第一記錄標記的步驟；測定第一記錄標記的面積MA1的步驟；將光記錄介質(zhì)10在約60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟；在高溫保存后的記錄層20上記錄具有與第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟；測定第二記錄標記的面積MS2的步驟；判定第二記錄標記的面積MS2是否為第一記錄標記MS1的0.85倍或其以上的步驟。
本發(fā)明能夠適用于例如DVD-RW和藍光光盤等中具有代表性的包含有相變型記錄層的光記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時后被記錄在上述記錄層上的高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出，為具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或0.9倍以上。
2.一種光記錄介質(zhì)，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，在60℃～90℃的溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時后被記錄在上述記錄層上的高溫保存后的記錄標記的面積，為具有與上述高溫保存后的記錄標記相同的位長、且在上述高溫保存前被記錄在上述記錄層上的高溫保存前的記錄標記的面積的0.85倍或0.85倍以上。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層至少含有Sb和Ge。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層至少含有Sb和Ge。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層是由從1～15、17、18族中選擇的元素構(gòu)成的。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述記錄層是由從1～15、17、18族中選擇的元素構(gòu)成的。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項所記載的光記錄介質(zhì)，其特征在于，上述具有半透射性的信息層相對于上述激光束的波長的透光率在30％～80％的范圍內(nèi)。
8.一種光記錄介質(zhì)的測試方法，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，包括在上述記錄層上記錄第一記錄標記的步驟；測定上述第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的步驟；將上述光記錄介質(zhì)在約60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟；在上述高溫保存后的上述記錄層上記錄具有與上述第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟；測定上述第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的步驟；判定上述第二記錄標記的再現(xiàn)信號輸出是否是上述第一記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或0.9倍以上的步驟。
9.一種光記錄介質(zhì)的測試方法，該光記錄介質(zhì)在基板上具有多個信息層，距離激光束的光入射面最遠的信息層以外的至少一個信息層具有半透射性，并且包含有由相變材料形成的記錄層，其特征在于，包括在上述記錄層上記錄第一記錄標記的步驟；測定上述第一記錄標記的面積的步驟；將上述光記錄介質(zhì)在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50-(4/3)(t-60)小時的步驟；在上述高溫保存后的上述記錄層上記錄具有與上述第一記錄標記相同的位長的第二記錄標記的步驟；測定上述第二記錄標記的面積的步驟；判定上述第二記錄標記的面積是否是上述第一記錄標記的面積的0.85倍或0.85倍以上的步驟。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光記錄介質(zhì)及其測試方法，可以防止在高溫下長時間保存時的再現(xiàn)信號的惡化，并在高溫保存的前后可以進行穩(wěn)定的記錄再現(xiàn)之外，能夠?qū)崿F(xiàn)記錄的高速化和提高記錄密度，光記錄介質(zhì)在60℃～90℃的保存溫度t下高溫保存至少50－(4/3)(t－60)小時后被記錄在記錄層上的高溫保存后的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出，為具有與高溫保存后的記錄標記相同的位長、且在高溫保存前被記錄在記錄層上的高溫保存前的記錄標記的再現(xiàn)信號輸出的0.9倍或0.9倍以上。
文檔編號G11B7/00GK1808595SQ20051012719
公開日2006年7月26日 申請日期2005年11月28日 優(yōu)先權(quán)日2004年11月30日
發(fā)明者新開浩, 吉成次郎, 三浦榮明 申請人:Tdk股份有限公司