專利名稱：磁記錄介質(zhì)及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種例如硬盤等的磁記錄介質(zhì)及其制造方法。
背景技術(shù)：
磁記錄介質(zhì)，為了提高記錄·讀取精度，盡量減小表面粗糙度尤為重要。例如，如果是硬盤的情況，懸浮式磁頭成為主流，為了得到良好的記錄·讀取精度，重要的是盡量減小表面粗糙度，并將懸浮式磁頭與磁記錄介質(zhì)之間的間隙保持在微小范圍內(nèi)。
以往，在硬盤等的磁記錄介質(zhì)的制造工序中，利用CMP(ChemicalMechanical Polishing化學(xué)機(jī)械拋光)法等研磨基板的雙面或單面的基面，平坦地加工，并利用濺射法等在該基板的基面上層疊記錄層、保護(hù)層等，從而盡量減小作為整個(gè)磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度(例如參照J(rèn)P特開平5-314471號(hào)公報(bào)、JP特開平9-231562號(hào)公報(bào))。
發(fā)明的公開然而，以往的基板的平坦化存在這樣的問題為了加工成期望的表面粗糙度而需要反復(fù)多次對(duì)基板的基面進(jìn)行研磨，導(dǎo)致生產(chǎn)效率降低。
特別是在使用CMP法時(shí)，對(duì)基板的基面反復(fù)多次進(jìn)行研磨，每研磨一次就需要進(jìn)行用于除去處理液的清洗，成為導(dǎo)致生產(chǎn)效率大幅度的降低的主要原因。
而且，由于以往的基板的生產(chǎn)效率低，導(dǎo)致在磁記錄介質(zhì)的成本中，基板的成本所占的比率較高。
另外，即使平坦地加工基板的基面，在層疊定向?qū)印④洿艑拥鹊倪^程中表面粗糙度也會(huì)逐漸變大，最終整個(gè)磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度有時(shí)會(huì)超出許可范圍。
例如，近年來，為了力圖提高面記錄密度，垂直記錄型的硬盤有所增加，由于這種垂直記錄型的硬盤在基板與記錄層之間設(shè)置有比記錄層厚的軟磁層，所以有作為整個(gè)磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度易于變大的傾向。
而且，作為要實(shí)現(xiàn)面記錄密度的進(jìn)一步提高的磁記錄介質(zhì)的候補(bǔ)，例如，由凹凸圖案形成記錄層的離散型等的磁記錄介質(zhì)引人注目，但由凹凸圖案形成的記錄層的表面粗糙度更加容易變大。
另外，存在這樣的問題通過用CMP法等對(duì)記錄層的表面進(jìn)行研磨，要使由凹凸圖案形成記錄層的磁記錄介質(zhì)的表面的粗糙度變小，但實(shí)際上，薄記錄層的研磨難于進(jìn)行控制等的同時(shí)，由于藥劑的化學(xué)作用等，會(huì)導(dǎo)致記錄層變質(zhì)而磁性惡化。而且，當(dāng)采用這樣的研磨工序時(shí)，會(huì)存在生產(chǎn)率降低的問題。
另外，伴隨著面記錄密度的提高，磁頭的懸浮高度有降低的傾向，隨著懸浮高度降低，即使是以往不成為問題的較大的表面粗糙度，也會(huì)大大降低磁記錄介質(zhì)的記錄·讀取精度。
本發(fā)明是鑒于以上的問題點(diǎn)而提出的，其課題在于，提供一種表面粗糙度小而且低成本的磁記錄介質(zhì)以及磁記錄介質(zhì)的制造方法。
本發(fā)明通過在基板與記錄層之間設(shè)置記錄層一側(cè)的面的表面粗糙度小于基板的基面的表面粗糙度的中間層，從而實(shí)現(xiàn)表面粗糙度小而且低成本的磁記錄介質(zhì)。即，通過在相比于基板而更接近磁記錄介質(zhì)的表面的地方設(shè)置平坦的中間層，能夠高效低成本的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。另外，因?yàn)橛涗泴邮且勒罩教沟闹虚g層而形成為平坦的形狀，所以不需要用于使記錄層的表面平坦化的加工，另外，假設(shè)即使需要加工時(shí)，因?yàn)槟軌蛞种破浼庸ち?，所以也能夠防止記錄層的惡化?br> 并且，對(duì)于具備軟磁層的垂直記錄型的磁記錄介質(zhì)，也可以成為軟磁層兼作中間層的結(jié)構(gòu)。因?yàn)檐洿艑颖扔涗泴雍窈芏?，所以即使為了平坦化而?duì)軟磁層的表面進(jìn)行加工，對(duì)磁性的影響也會(huì)被抑制得很小。
并且，不通過如CMP這樣的濕法工藝，而通過使用離子束蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等干法工藝來進(jìn)行平坦化處理，從而更加能夠抑制軟磁層等的中間層的特性的惡化。
另外，在本發(fā)明，作為中間層的軟磁層為具有第一軟磁層、和形成于該第一軟磁層上的第二軟磁層的結(jié)構(gòu)，并使第二軟磁層的表面粗糙度小于第一軟磁層上的上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度，并且也小于上述基板的基面的表面粗糙度，從而實(shí)現(xiàn)表面粗糙度小并且成本低的磁記錄介質(zhì)。
例如，通過濺射法或電鍍法在基板的基面上形成第一軟磁層，從而能夠高效地形成比其它層厚很多的軟磁層。另外，通過例如偏壓濺射法等的施加偏置電壓的成膜方法，在第一軟磁層上形成第二軟磁層，從而有選擇的蝕刻第二軟磁層的凸部，同時(shí)進(jìn)行第二軟磁層的成膜，從而能夠形成表面粗糙度小的第二軟磁層。這樣，通過在表面粗糙度小的第二軟磁層上形成記錄層等，能夠高效低成本的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。而且，通過用離子束蝕刻等對(duì)第二軟磁層進(jìn)行平坦化處理，能夠高效低成本、可靠的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。
另外，本發(fā)明用施加偏置電壓的成膜方法來形成中間層，或者通過使用離子束蝕刻、反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等干法工藝來對(duì)中間層的表面進(jìn)行平坦化處理，從而實(shí)現(xiàn)表面粗糙度小的低成本的磁記錄介質(zhì)。即，不通過濕法工藝，而用施加偏置電壓的成膜方法來形成平坦的中間層，或者通過干蝕刻來對(duì)中間層進(jìn)行平坦化處理，從而能夠高效低成本的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。另外，因?yàn)檫@些加工方法沒有用于記錄層的形成和記錄層的加工，能夠抑制記錄層的惡化。
即，通過以下這樣的本發(fā)明，力圖解決以上課題。
(1)一種磁記錄介質(zhì)，在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，在上述基板與上述記錄層之間設(shè)置有中間層，該中間層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度。
(2)如(1)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁層兼為上述中間層。
(3)如(2)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁層為將上述基板側(cè)的第一軟磁層、和上述記錄層側(cè)的第二軟磁層層疊的結(jié)構(gòu)，該第二軟磁層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度，并且小于上述第一軟磁層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度。
(4)一種磁記錄介質(zhì)，在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，在上述基板與上述記錄層之間，與上述記錄層相接而設(shè)置有中間層，該中間層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度。
(5)如(1)至(4)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述中間層在上述記錄層側(cè)的面的中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
(6)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，用于在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在該基板的基面上形成中間層，使得中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，用于在該中間層上形成上述記錄層。
(7)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，用于在上述基板的基面上形成中間層；中間層平坦化工序，用于通過干蝕刻對(duì)該中間層的表面進(jìn)行加工并進(jìn)行平坦化處理而使中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，用于在該中間層上形成上述記錄層。
(8)如(6)或(7)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述中間層形成工序中，形成上述軟磁層來作為上述中間層。
(9)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，用于在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在該基板的基面上形成中間層，使得中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，用于相接于該中間層上而形成上述記錄層。
(10)如(6)或(9)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述中間層形成工序與上述記錄層形成工序之間，設(shè)置有通過干蝕刻對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行平坦化處理的中間層平坦化工序。
(11)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，用于在上述基板的基面上形成中間層；中間層平坦化工序，用于通過干蝕刻對(duì)該中間層的表面進(jìn)行加工并進(jìn)行平坦化處理而使中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，用于相接于該中間層上而形成上述記錄層。
(12)如(6)、(7)、(9)、(11)中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
(13)如(8)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
(14)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括第一軟磁層形成工序，用于通過濺射法以及電鍍法中的任意一種在上述基板的基面上成膜軟磁材料，從而形成第一軟磁層；第二軟磁層形成工序，用于在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在上述第一軟磁層上成膜軟磁材料，從而形成表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度的第二軟磁層；記錄層形成工序，用于在該第二軟磁層上形成上述記錄層。
(15)一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括第一軟磁層形成工序，用于通過濺射法以及電鍍法中的任意一種在上述基板的基面上成膜軟磁材料，從而形成第一軟磁層；第二軟磁層形成工序，用于在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在上述第一軟磁層上成膜軟磁材料，從而形成第二軟磁層；軟磁層平坦化工序，用于通過干蝕刻對(duì)該第二軟磁層的表面進(jìn)行加工，并對(duì)該第二軟磁層的表面進(jìn)行平坦化處理，使得該第二軟磁層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，用于在該第二軟磁層上形成上述記錄層。
(16)如(14)或(15)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述第二軟磁層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
并且，在本申請(qǐng)中，“離子束蝕刻”一詞的意義是，例如離子蝕刻等將離子化了的氣體照射在被加工體上而除去的加工方法的總稱，并不限于僅用離子束照射的加工方法。
另外，在本申請(qǐng)中，“磁記錄介質(zhì)”一詞的意義是，并不僅限于在信息的記錄、讀取中只用磁的硬盤、floppy(注冊(cè)商標(biāo))盤、磁帶等，還包含磁與光并用的MO(Magneto Optical磁光盤)等的光磁記錄介質(zhì)、磁與熱并用的熱輔助型的記錄介質(zhì)。
附圖的簡單說明

圖1是示意性地表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖2是表示該磁記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。
圖3是示意性地表示該磁記錄介質(zhì)的基板沖壓成形后的形狀的側(cè)剖面圖。
圖4是示意性地表示在該基板上形成了基底層的狀態(tài)的側(cè)剖面圖。
圖5是示意性表示在該基底層上形成了第一軟磁層的狀態(tài)的側(cè)剖面圖。
圖6是示意性表示在該第一軟磁層上形成了第二軟磁層的狀態(tài)的側(cè)剖面圖。
圖7是示意性表示在該第二軟磁層上形成了定向?qū)拥臓顟B(tài)的側(cè)剖面圖。
圖8是示意性地表示在該定向?qū)由闲纬闪擞涗泴拥臓顟B(tài)的側(cè)剖面圖。
圖9是表示本發(fā)明的第一實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。
圖10是示意性地表示該磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖11是示意性地表示對(duì)該磁記錄介質(zhì)的制造過程中的第二軟磁層進(jìn)行了平坦化處理的狀態(tài)的側(cè)面圖。
圖12是示意性地表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖13是表示該磁記錄介質(zhì)的制造工序的概要的流程圖。
圖14是示意性地表示對(duì)該磁記錄介質(zhì)的制造過程中的軟磁層進(jìn)行了平坦化處理的狀態(tài)的側(cè)剖面圖。
圖15是示意性地表示本發(fā)明的第四實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的結(jié)構(gòu)的側(cè)剖面圖。
圖16是放大表示本發(fā)明的實(shí)施例1涉及的磁記錄介質(zhì)的基板的基面的表面狀態(tài)的AFM(原子力顯微鏡)照片。
圖17是放大表示該磁記錄介質(zhì)的第一軟磁層的表面狀態(tài)的AFM照片。
圖18是放大表示本發(fā)明的實(shí)施例1涉及的磁記錄介質(zhì)的第二軟磁層的表面狀態(tài)的AFM照片。
圖19是放大表示本發(fā)明的實(shí)施例3涉及的磁記錄介質(zhì)的第一軟磁層的表面狀態(tài)的AFM照片。
圖20是放大表示本發(fā)明的實(shí)施例6涉及的磁記錄介質(zhì)的第二軟磁層的表面狀態(tài)的AFM照片。
圖21是表示本發(fā)明的第三實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)的其他制造工序例的概要的流程圖。
實(shí)施發(fā)明的最佳方式下面，參照附圖針對(duì)本發(fā)明的最佳實(shí)施方式進(jìn)行詳細(xì)地說明。
如圖1所示，本實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10是垂直記錄型，在將單面作為基面12A的基板12的基面12A上，依次形成基底層14、軟磁層(中間層)16、定向?qū)?8、記錄層20、保護(hù)層22、潤滑層24。
磁記錄介質(zhì)10的特征在于，軟磁層16為將基板12側(cè)的第一軟磁層26、和記錄層20側(cè)的第二軟磁層28層疊的結(jié)構(gòu)，該第二軟磁層28的記錄層20側(cè)的面28A的表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度，并且也小于第一軟磁層26的記錄層20側(cè)的面26A的表面粗糙度。因?yàn)閷?duì)于其他結(jié)構(gòu)來說，與以往的磁記錄介質(zhì)相同，所以適當(dāng)省略說明。
基板12的材料是玻璃，厚度為0.2～2mm。
基底層14的材料是Ta(鉭)、Cr(鉻)或Cr合金，厚度為20～2000nm。
軟磁層16中，第一軟磁層26以及第二軟磁層28的材料都是Fe(鐵)合金或Co(鈷)合金，第一軟磁層26以及第二軟磁層28的厚度之和為50～300nm。第一軟磁層26形成的厚度比第二軟磁層28厚。
定向?qū)?8的材料是Cr、非磁性的CoCr(鈷-鉻)合金、MgO(氧化鎂)、Ti(鈦)等，厚度為3～30nm。
記錄層20的材料是Co(鈷)合金，厚度為5～30nm。
保護(hù)層22的材料是類金剛石碳，厚度為1～5nm。另外，在本申請(qǐng)中“類金剛石碳(以下稱為“DLC”)”一詞所用的意義是采用以碳為主要成分的非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的、維氏(Vickers)硬度測定為200～8000kgf/mm2左右的硬度的材料。
潤滑層24的材料是PFPE(全氟聚醚)，厚度為1～2nm。
接下來，參照?qǐng)D2的流程圖，針對(duì)磁記錄介質(zhì)10的制造方法進(jìn)行說明。
首先，形成基板12(S102)。具體地說，對(duì)玻璃加熱使其成為熔融狀態(tài)，通過沖壓成形而成形為板狀。由此，能夠得到如圖3所示的基面12A的中心線平均粗糙度約為10～20nm的基板12。
接下來，如圖4所示，通過濺射法在基板12的基面12A上形成基底層14(S104)?；讓?4的表面形成為依照著基板12的基面12A的表面形狀的形狀。
接下來，如圖5所示，通過濺射法或電鍍法在基底層14上形成第一軟磁層26(S106)。第一軟磁層26的表面26A形成為依照著基底層14的表面形狀的形狀。
接下來，如圖6所示，通過偏壓濺射法在第一軟磁層26上形成第二軟磁層28(S108)。此時(shí)，同時(shí)進(jìn)行濺射法的成膜作用、和蝕刻作用，該蝕刻作用是以偏置電壓(bias power)加載的濺射氣體對(duì)已經(jīng)成膜的第二軟磁層28的一部分進(jìn)行蝕刻的作用，成膜作用優(yōu)先于蝕刻作用而進(jìn)行成膜。濺射的成膜作用有著依照著第一軟磁層26的表面26A的形狀而成膜第二軟磁層28的傾向，但因?yàn)槲g刻作用有著相比其它部位有選擇地盡早除去膜突出的部位的傾向，所以通過該蝕刻作用能夠抑制第二軟磁層28的表面的凹凸，從而成膜。由此，第二軟磁層28的表面28A的中心線平均粗糙度約為0.5～2nm，小于基板12的基面12A的表面粗糙度，并且小于第一軟磁層26的記錄層20側(cè)的面26A的表面粗糙度。
接下來，如圖7所示，通過濺射法在第二軟磁層28的表面28A上形成定向?qū)?8(S110)。定向?qū)?8依照著第二軟磁層28的表面28A的形狀，形成為表面平坦的形狀。進(jìn)一步，如圖8所示，通過濺射法在定向?qū)?8上形成記錄層20(S112)。定向?qū)?8、記錄層20依照著第二軟磁層28的表面28A的形狀，形成為表面平坦的形狀。
接下來，通過CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)法在記錄層20上形成保護(hù)層22(S114)，通過浸漬法在保護(hù)層22上形成潤滑層24(S116)。由此，完成上述圖1所示的磁記錄介質(zhì)10。保護(hù)層22、潤滑層24也依照著第二軟磁層28的表面28A的形狀，形成為表面平坦的形狀。
這樣，本實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10不通過以往那樣的基板的研磨，而將軟磁層16做成兩層結(jié)構(gòu)，通過在第一軟磁層26上用偏壓濺射法成膜第二軟磁層28，來將記錄層42、保護(hù)層22、潤滑層24的表面粗糙度抑制得很小，從而提高生產(chǎn)效率、降低成本。
特別是通過抑制在磁記錄介質(zhì)10表面附近的位置上配設(shè)的比其他層厚的軟磁層16的表面粗糙度，能夠提高減低磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度的效果。
另外，通過偏壓濺射法形成平坦的第二軟磁層28，由于沒有使用為了使記錄層20平坦化或者形成記錄層20而施加偏置電壓的、具有蝕刻作用的成膜方法，所以能夠防止記錄層20的惡化。
且，第二軟磁層28的形成所用的偏壓濺射法具有平坦化效果的另一方面，只是具有蝕刻作用的部分成膜速度慢，但因?yàn)樵诘谝卉洿艑?6的形成中使用了成膜速度比偏壓濺射法快的濺射法或電鍍法，所以生產(chǎn)效率較高。
另外，在本第一實(shí)施方式中，雖然使用偏壓濺射法形成第二軟磁層28，但本發(fā)明并不僅限于此，如果能夠在基板的方向上施加偏置電壓并在基板的表面成膜軟磁材料，則成膜方法不特別限定，也可以用例如施加偏置電壓的CVD(Chemical Vapor Deposition化學(xué)氣相沉積)、IBD(Ion Beam Deposition離子束沉積)等其他的成膜方法來形成第二軟磁層28。
下面，針對(duì)本發(fā)明的第二實(shí)施方式進(jìn)行說明。
如圖9所示的流程圖所示，本第二實(shí)施方式的特征在于，在上述第一實(shí)施方式中第二軟磁層成膜工序(S108)與記錄層形成工序(S110)之間，設(shè)置有用離子束蝕刻對(duì)第二軟磁層28的表面28A進(jìn)行加工而使其更為平坦化的第二軟磁層平坦化工序(S202)，從而能夠得到比上述第一實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10表面粗糙度小的、如圖10所示的磁記錄介質(zhì)50。對(duì)于其他結(jié)構(gòu)，因?yàn)榕c上述第一實(shí)施方式相同，所以標(biāo)有與圖1～圖8相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)省略說明。
首先，與上述第一實(shí)施方式同樣，在基板12的基面12A上形成基底層14、第一軟磁層26，進(jìn)而通過偏壓濺射法成膜第二軟磁層28(參照?qǐng)D6)。第二軟磁層28上的表面28A的表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度，并且也小于第一軟磁層26的記錄層20側(cè)的面26A的表面粗糙度而形成。
接下來，從相對(duì)于成膜了的第二軟磁層28(參照?qǐng)D6)的表面28A傾斜的方向照射Ar(氬)等的離子束，對(duì)第二軟磁層28的表面28進(jìn)行除去處理而使其平坦化。此時(shí)，離子束的入射角為-10～15°的范圍為最佳。這里所謂“入射角”所用的意義，是相對(duì)第二軟磁層28的表面28A的入射角，是被加工體的表面與離子束的中心軸形成的角度。例如，在離子束的中心軸與第二軟磁層28的表面28A平行時(shí)，入射角為0°。
由于離子束蝕刻有相比其他部位盡早有選擇地除去表面突出的部位的傾向，所以如圖11所示，第二軟磁層28的表面28A更加平坦化，中心線平均粗糙度Ra約為0.1～1nm。
在該第二軟磁層28的表面28A上，與上述第一實(shí)施方式同樣，通過形成定向?qū)?8(S110)、記錄層20(S112)、保護(hù)層22(114)、潤滑層24(S116)，從而完成上述圖10所示的磁記錄介質(zhì)50。
這樣，通過對(duì)于用偏壓濺射法成膜的第二軟磁層28的表面28A，進(jìn)一步用離子束蝕刻法進(jìn)行平坦化處理，能夠?qū)⒋庞涗浗橘|(zhì)50的表面粗糙度抑制到比上述第一實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10的表面粗糙度小。
并且，對(duì)于上述第一以及第二實(shí)施方式，軟磁層16是在第一軟磁層26上形成第二軟磁層28的兩層結(jié)構(gòu)，但本發(fā)明并不僅限于此，也可以做成三層或其以上的軟磁層。
另外，在本第二實(shí)施方式中，雖然用離子束蝕刻法對(duì)第二軟磁層28的表面28A進(jìn)行平坦化處理，但本發(fā)明并不僅限于此，例如可以使用反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等其他的干蝕刻的方法，來對(duì)第二軟磁層28的表面28A進(jìn)行平坦化處理。
下面針對(duì)本發(fā)明的第三實(shí)施方式進(jìn)行說明。
如圖12所示，本第三實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)60的特征在于，相對(duì)于上述第一實(shí)施方式、第二實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)10、50具有兩層結(jié)構(gòu)的軟磁層16，該磁記錄介質(zhì)60具有單層的軟磁層(中間層)62，能夠?qū)⒃搯螌拥能洿艑?2的表面62A的表面粗糙度抑制得比基板12的基面12A的表面粗糙度小。
關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，因?yàn)榕c上述第一以及第二實(shí)施方式相同，所以標(biāo)有與圖1～圖11相同的附圖標(biāo)記，適當(dāng)省略說明。
磁記錄介質(zhì)60可通過圖13的流程圖所示的制造方法得到。首先，與上述第一實(shí)施方式同樣，通過濺射法或電鍍法在基板12的基面12A上形成基底層14、軟磁層62(S302，參照?qǐng)D5)。
接下來，用與上述第二實(shí)施方式中的第二軟磁層平坦化工序(S202)同樣的方法，用離子束蝕刻對(duì)軟磁層62的表面62A進(jìn)行精加工，如圖14所示，將單層的軟磁層32平坦化(S304)。由此，軟磁層62的表面62A的中心線平均粗糙度Ra約為0.1～1nm，小于基板12的基面12A的表面粗糙度。
與上述第一以及第二實(shí)施方式同樣，通過在該軟磁層62上形成定向?qū)?8(S110)、記錄層20(S112)、保護(hù)層22(S114)、潤滑層24(S116)，從而得到上述圖12所示的磁記錄介質(zhì)60。
因?yàn)楸镜谌龑?shí)施方式也是用干法工藝(離子束蝕刻)將軟磁層32平坦化，所以相對(duì)以往的使用CMP法這樣的濕法工藝的制造方法，能夠高效且低成本的制造磁記錄介質(zhì)。另外，因?yàn)檐洿艑拥男纬梢詥螌拥能洿艑拥某赡ぜ纯桑栽谶@點(diǎn)上也能夠提高生產(chǎn)效率。
并且，在本第三實(shí)施方式中，雖然用離子束蝕刻法對(duì)單層的軟磁層62的表面62A進(jìn)行了平坦化處理，但本發(fā)明并不僅限于此，可以使用例如反應(yīng)性離子蝕刻、反應(yīng)性離子束蝕刻等其他的干蝕刻的方法，來對(duì)單層的軟磁層62的表面62A進(jìn)行平坦化處理。
另外，在本第三實(shí)施方式中，通過濺射法或電鍍法形成單層的軟磁層62(S302)，并用離子束蝕刻將軟磁層62的表面62A平坦化(S304)，但如圖21的流程圖所示，也可以通過偏壓濺射法形成表面62A平坦的單層的軟磁層62(S306)。另外，此時(shí)，可以進(jìn)一步用離子束蝕刻等的干蝕刻將單層的軟磁層62平坦化。
在以上說明的第一～第三實(shí)施方式中，如何采用某一種的制造方法，按照所要求的磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度等適當(dāng)選擇即可。
下面，針對(duì)本發(fā)明的第四實(shí)施方式進(jìn)行說明。
本第四實(shí)施方式是涉及如圖15所示的磁記錄介質(zhì)70的方式，該磁記錄介質(zhì)70是離散磁道型，其相對(duì)上述第二實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)50，具有將記錄層72分割為多個(gè)記錄單元72A的結(jié)構(gòu)，并在記錄單元72A間的凹部中填充了非磁性材料74。而且，在記錄單元72A間的凹部的側(cè)面以及底面形成有隔膜76。關(guān)于其他結(jié)構(gòu)，因?yàn)榕c上述第二實(shí)施方式相同，所以標(biāo)有與圖10以及圖11相同的附圖標(biāo)記，省略說明。
非磁性材料74是SiO2(二氧化硅)等。另外，隔膜76的材料是上述稱為DLC的硬質(zhì)碳膜。
該磁記錄介質(zhì)70這樣得到用與上述第一以及第二實(shí)施方式相同的方法，在基板12上形成基底層14、軟磁層16、定向?qū)?8、連續(xù)記錄層(省略圖示)、以及多個(gè)掩模層(省略圖示)、抗蝕層(省略圖示)等，使用光刻法、干蝕刻的方法將連續(xù)記錄層分割為多個(gè)記錄單元72A，從而形成記錄層72，然后通過CVD法等形成隔膜76，進(jìn)而通過偏壓濺射法等將非磁性材料74填充到記錄單元72A間的凹部中，通過離子束蝕刻等進(jìn)行平坦化處理，然后用與上述第一及第二實(shí)施方式相同的方法來形成保護(hù)層22、潤滑層24。
并且，因?yàn)閷?duì)于本發(fā)明的理解并不特別需要，所以關(guān)于用于分割加工連續(xù)記錄層的掩模層、抗蝕層的材料、光刻法、干蝕刻等的方法等的說明省略。
磁記錄介質(zhì)70也與上述第二實(shí)施方式涉及的磁記錄介質(zhì)50同樣，在將表面粗糙度抑制小的同時(shí)，能夠高效低成本的進(jìn)行制造。
并且，在上述第一～第四實(shí)施方式中，作為軟磁層的材料，例示了Fe(鐵)合金或Co(鈷)合金，但本發(fā)明并不僅限于此，只要是適于施加偏置電壓的成膜方法、由干蝕刻進(jìn)行的加工的軟磁材料即可，軟磁層的材料并沒有特別限定。
并且，在上述第一～第四實(shí)施方式中，對(duì)于磁記錄介質(zhì)10、50、60、70，將基板12的單面作為基面12A，在單面上形成記錄層等，但本發(fā)明并不僅限于此，將基板的兩面作為基面，在基板的兩面通過電鍍法或?yàn)R射法形成第一軟磁層，進(jìn)而通過偏壓濺射法等形成第二軟磁層，從而形成記錄層等，這樣，能夠高效低成本的制造兩面的表面粗糙度較小的磁記錄介質(zhì)。也可以用離子束蝕刻等的干蝕刻來進(jìn)一步平坦化第二軟磁層的表面。
另外，也可以在基板的兩面形成軟磁層，用離子束蝕刻等的干蝕刻進(jìn)行平坦化處理，從而形成記錄層等。另外，也可以在基板的一側(cè)的基面上形成單層的軟磁層并用干蝕刻進(jìn)行平坦化處理，而在另一側(cè)的基面上形成兩層結(jié)構(gòu)的軟磁層。
并且，上述第一～第四實(shí)施方式表示了本發(fā)明的一部分的應(yīng)用例的實(shí)施方式，本發(fā)明也能夠在抑制表面粗糙度的同時(shí)，高效低成本的制造具有軟磁層的其他各種結(jié)構(gòu)的磁記錄介質(zhì)。
例如，在上述第一～第四實(shí)施方式中，基板12的材料是玻璃，但本發(fā)明不僅限于此，作為基板的材料，也可以使用含有Al2O3(三氧化二鋁)、Si(硅)、SiO2(二氧化硅)、玻璃碳、樹脂等的非磁性材料。
另外，在上述第一～第四實(shí)施方式中，雖然記錄層20(72)的材料是CoCr合金，但本發(fā)明不僅限于此，本發(fā)明也可以同樣適用于制造由含有例如鐵系元素(Co、Fe(鐵)、Ni)的其他合金、這些層疊體等其他的材料的記錄層構(gòu)成的磁記錄介質(zhì)。
另外，在上述第一～第四實(shí)施方式中，雖然在基板12與軟磁層16(62)之間形成基底層14，但本發(fā)明不僅限于此，設(shè)置在基板12與軟磁層16(62)之間的層的結(jié)構(gòu)可對(duì)應(yīng)磁記錄介質(zhì)的種類做適當(dāng)變更。例如，也可在基板12與軟磁層16(62)之間形成多層。另外，也可以在基板上直接形成軟磁層。
另外，在上述第一～第四實(shí)施方式中，雖然在軟磁層16(62)與記錄層20(72)之間形成定向?qū)?8，但本發(fā)明不僅限于此，設(shè)置在軟磁層16(62)與記錄層20(72)之間的層的結(jié)構(gòu)可對(duì)應(yīng)磁記錄介質(zhì)的種類做適當(dāng)變更。例如，也可以在軟磁層16(62)與記錄層20(72)之間形成多層。另外，也可以在作為中間層的軟磁層16(62)上直接形成記錄層20(72)。
另外，在上述第一～第四實(shí)施方式中，通過使軟磁層16(62)的表面28A(62A)的表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度，從而得到表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)10(50、60、70)，但也可以使例如基底層14和定向?qū)?8等的基板12與記錄層20(72)之間的其他中間層的表面粗糙度，小于基板12的基面12A的表面粗糙度，從而可以實(shí)現(xiàn)表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。此時(shí)也能夠高效低成本的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)，另外，能夠防止記錄層的惡化。并且，考慮到表面粗糙度比基板12的基面12A的表面粗糙度小的中間層所設(shè)置的位置越接近磁記錄介質(zhì)的表面，減小磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度的效果就越高，所以優(yōu)選如軟磁層16、定向?qū)?8那樣，設(shè)置在記錄層附近位置的層是表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度的中間層。并且，軟磁層與其他層相比明顯的厚，當(dāng)在軟磁層的基板一側(cè)設(shè)置中間層時(shí)，相抵了使磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度變小的效果，所以相比于軟磁層而接近磁記錄介質(zhì)的表面的層、或軟磁層自身，最好是表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度的中間層。另外，為了使減小磁記錄介質(zhì)的表面粗糙度的效果有所提高，表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度的中間層最好是設(shè)置在與記錄層相接的位置的層。
另外，在上述第四實(shí)施方式中，磁記錄介質(zhì)70是記錄單元72A在磁道的徑向以細(xì)微的間隔并列設(shè)置的垂直記錄型的離散磁道型的磁記錄介質(zhì)，但本發(fā)明不僅限于此，對(duì)于記錄單元在磁道的周方向(扇區(qū)方向)以細(xì)微的間隔并列設(shè)置的磁盤的制造、記錄單元在磁道的徑向以及周方向兩個(gè)方向以細(xì)微的間隔并列設(shè)置的磁盤的制造、記錄單元呈螺旋形狀的磁盤的制造，本發(fā)明當(dāng)然也可適用。另外，對(duì)于MO等的光磁盤、磁與熱并用的熱輔助型的記錄磁盤，本發(fā)明也可適用。
另外，在上述第一～第四實(shí)施方式中，雖然磁記錄介質(zhì)10(50、60、70)是垂直記錄型的記錄磁盤，但對(duì)于面內(nèi)記錄型的記錄磁盤本發(fā)明也可適用。
實(shí)施例1如上述第一實(shí)施方式那樣制作磁記錄介質(zhì)10，在制作過程中測定了第二軟磁層28的表面粗糙度。具體地說，沖壓成形直徑約為21.6mm、厚度約為0.38mm、并具有內(nèi)徑約為6.0mm的中心孔的玻璃制的基板12。用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)該基板12的基面12A拍攝時(shí)，可得到圖16所示的圖像?；趫D16，求出基板12的基面12A的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為12.37nm。
接下來，通過濺射法在基板12的基面12A上以約30nm的厚度成膜材料為Ta的基底層14。進(jìn)而，通過濺射法在基底層14上，以約為20nm的厚度成膜材料為Cr的電極膜，然后通過電解電鍍法成膜第一軟磁層26。具體地說，用氨基磺酸鎳以及氨基磺酸鐵的混合液，在50℃的溫度下以約150nm的厚度成膜。用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第一軟磁層26的表面26A拍攝時(shí)，可得如圖17所示的圖像?；趫D17，求出第一軟磁層26的表面26A的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為7.64nm。即，第一軟磁層26比基板12的基面12A表面粗糙度小。
接下來，通過偏壓濺射法，在第一軟磁層26上以約100nm的厚度成膜第二軟磁層28。在偏壓濺射中使用Ar氣體，偏壓濺射的條件按以下設(shè)定。
Ar流量100sccm氣壓1.0Pa輸入功率500W基板偏置電壓250W用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行拍攝，基于該拍攝圖像(省略圖示)，求出第二軟磁層28的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為0.72nm。即，可以確認(rèn)，相對(duì)基板12的基面12A表面粗糙度，第二軟磁層28的表面粗糙度大幅度減低。
實(shí)施例2如上述第二實(shí)施方式那樣制作磁記錄介質(zhì)50，在制作過程中測定了第二軟磁層28的表面粗糙度。具體地說，在與上述實(shí)施例1相同的工序中成膜第一軟磁層26、第二軟磁層28，用離子束蝕刻對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行平坦化處理。在離子束蝕刻中使用Ar氣體，離子束蝕刻的條件按以下設(shè)定，使基板旋轉(zhuǎn)的同時(shí)進(jìn)行加工。
Ar流量11sccm氣壓0.05Pa電子束電壓500V電子束電流500mA抑制器電壓400W離子束入射角3°用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行拍攝時(shí)，可得如圖18所示的圖像?；谠搱D18，求出第二軟磁層28的表面中心線平均粗糙度Ra，約為0.46nm。即，可以確認(rèn)，第二軟磁層28的表面粗糙度更為減低。
實(shí)施例3相對(duì)上述實(shí)施例1，通過濺射法以約150nm的厚度成膜第一軟磁層26。并且，在基底層14上沒有成膜電極膜。其他的條件與上述實(shí)施例1相同。用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第一軟磁層26的表面26A拍攝時(shí)，可得如圖19所示的圖像?；趫D19，求出第一軟磁層26的表面26A的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為14.12nm。即，第一軟磁層26比基板12的基面12A表面粗糙度大。
接下來，與實(shí)施例1同樣，通過濺射法在第一軟磁層26上以約100nm的厚度成膜第二軟磁層28。用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行拍攝，基于該拍攝圖像(省略圖示)，求出第二軟磁層28的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為0.88nm。即，可以確認(rèn)，相對(duì)基板12的基面12A的表面粗糙度，第二軟磁層28的表面粗糙度大幅度的減低。
實(shí)施例4相對(duì)上述實(shí)施例2，通過與(代替上述實(shí)施例1)上述實(shí)施例3相同的工序來成膜第一軟磁層26、第二軟磁層28，用離子束蝕刻對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行平坦化處理，從而制作磁記錄介質(zhì)50，在制作過程中測定第二軟磁層28的表面粗糙度。其他的條件與上述實(shí)施例2相同。
用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)第二軟磁層28的表面進(jìn)行拍攝，基于該拍攝圖像(省略圖示)，求出第二軟磁層28的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為0.55nm。即，可以確認(rèn)，第二軟磁層28的表面粗糙度比實(shí)施例3更為減低。
實(shí)施例5如上述第三實(shí)施方式那樣，制作具有單層的軟磁層62的磁記錄介質(zhì)60，在制作過程中測定了軟磁層62的表面粗糙度。具體地說，直到成膜軟磁層62的工序與上述實(shí)施例1中的直到形成第一軟磁層26的工序相同，用離子束蝕刻對(duì)成膜的軟磁層62的表面進(jìn)行平坦化處理。
用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)軟磁層62的表面進(jìn)行拍攝，基于該拍攝圖像(省略圖示)，求出第二軟磁層28的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為0.72nm。即，可以確認(rèn)，相對(duì)基板12的基面12A的表面粗糙度，軟磁層62的表面粗糙度大幅度的減低。
實(shí)施例6相對(duì)上述實(shí)施例5，直到成膜軟磁層62的工序與(代替上述實(shí)施例1)上述實(shí)施例3中的直到形成第一軟磁層26的工序相同，用離子束蝕刻對(duì)成膜的軟磁層62的表面進(jìn)行平坦化處理，從而制作磁記錄介質(zhì)60，在制作過程中測定軟磁層62的表面粗糙度。其他的條件與上述實(shí)施例5相同。
用AFM(原子力顯微鏡)對(duì)軟磁層62的表面進(jìn)行拍攝時(shí)，可得如圖20所示的圖像?；谠搱D20，求出第二軟磁層28的表面的中心線平均粗糙度Ra，約為0.76nm。即，可以確認(rèn)，相對(duì)基板12的基面12A的表面粗糙度，軟磁層62的表面粗糙度大幅度的減低。
表1對(duì)比表示以上實(shí)施例1～6的測定結(jié)果。
表1

根據(jù)表1可知，實(shí)施例1～6中任意一個(gè)都將第二軟磁層28(軟磁層62)的表面的中心線平均粗糙度抑制在1nm或其以下，具有充分的平坦性，可得到良好的磁頭懸浮效果。
另外可知，通過將軟磁層做成兩層結(jié)構(gòu)，使用偏壓濺射法來成膜第二軟磁層28之后，進(jìn)一步用離子束蝕刻來進(jìn)行平坦化處理，尤其能夠減小第二軟磁層28的表面粗糙度。
另外可知，即使軟磁層是單層，只要用離子束蝕刻對(duì)軟磁層的表面進(jìn)行了平坦化處理，就能夠使表面粗糙度比用離子束蝕刻平坦化之前的的兩層結(jié)構(gòu)的軟磁層小。
另外可知，由于使用電鍍法來作為第一軟磁層26(軟磁層62)的成膜方法，所以即使使用濺射法時(shí)，也能夠減小成膜后的第一軟磁層26(軟磁層62)的表面粗糙度，由此，能夠減小第二軟磁層28(軟磁層62)的表面粗糙度。
工業(yè)上的可利用性本發(fā)明可用于高效低成本的制造表面粗糙度小的磁記錄介質(zhì)。
權(quán)利要求
1.一種磁記錄介質(zhì)，在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，在上述基板與上述記錄層之間設(shè)置有中間層，該中間層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度。
2.如權(quán)利要求1所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁層兼為上述中間層。
3.如權(quán)利要求2所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述軟磁層為將上述基板側(cè)的第一軟磁層、和上述記錄層側(cè)的第二軟磁層層疊的結(jié)構(gòu)，該第二軟磁層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度，并且小于上述第一軟磁層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度。
4.一種磁記錄介質(zhì)，在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，在上述基板與上述記錄層之間，與上述記錄層相接而設(shè)置有中間層，該中間層在上述記錄層側(cè)的面的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)，其特征在于，上述中間層在上述記錄層側(cè)的面的中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
6.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在該基板的基面上形成中間層，使得中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，在該中間層上形成上述記錄層。
7.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，在上述基板的基面上形成中間層；中間層平坦化工序，通過干蝕刻對(duì)該中間層的表面進(jìn)行加工并進(jìn)行平坦化處理而使中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，在該中間層上形成上述記錄層。
8.如權(quán)利要求6或7所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述中間層形成工序中，形成上述軟磁層來作為上述中間層。
9.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在該基板的基面上形成中間層，使得中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，相接于該中間層上而形成上述記錄層。
10.如權(quán)利要求6或9所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，在上述中間層形成工序與上述記錄層形成工序之間，設(shè)置有通過干蝕刻對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行平坦化處理的中間層平坦化工序。
11.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上形成記錄層，其特征在于，包括中間層形成工序，在上述基板的基面上形成中間層；中間層平坦化工序，通過干蝕刻對(duì)該中間層的表面進(jìn)行加工并進(jìn)行平坦化處理而使中間層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，相接于該中間層上而形成上述記錄層。
12.如權(quán)利要求6、7、9、11中任一項(xiàng)所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
13.如權(quán)利要求8所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述中間層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
14.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括第一軟磁層形成工序，通過濺射法以及電鍍法中的任意一種在上述基板的基面上成膜軟磁材料，從而形成第一軟磁層；第二軟磁層形成工序，在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在上述第一軟磁層上成膜軟磁材料，從而形成表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度的第二軟磁層；記錄層形成工序，在該第二軟磁層上形成上述記錄層。
15.一種磁記錄介質(zhì)的制造方法，該磁記錄介質(zhì)是在至少使單面為基面的基板的上述基面上，依次形成軟磁層、記錄層，其特征在于，包括第一軟磁層形成工序，通過濺射法以及電鍍法中的任意一種在上述基板的基面上成膜軟磁材料，從而形成第一軟磁層；第二軟磁層形成工序，在上述基板的方向上施加偏置電壓，同時(shí)在上述第一軟磁層上成膜軟磁材料，從而形成第二軟磁層；軟磁層平坦化工序，通過干蝕刻對(duì)該第二軟磁層的表面進(jìn)行加工，并對(duì)該第二軟磁層的表面進(jìn)行平坦化處理，使得該第二軟磁層的表面粗糙度小于上述基板的基面的表面粗糙度；記錄層形成工序，在該第二軟磁層上形成上述記錄層。
16.如權(quán)利要求14或15所述的磁記錄介質(zhì)的制造方法，其特征在于，對(duì)上述第二軟磁層的表面進(jìn)行精加工，使得中心線平均粗糙度為1nm或1nm以下。
全文摘要
提供一種表面粗糙度小而且低成本的磁記錄介質(zhì)以及磁記錄介質(zhì)的制造方法。軟磁層16是將基板12側(cè)的第一軟磁層26、和記錄層20側(cè)的第二軟磁層28層疊而構(gòu)成；以第二軟磁層28在記錄層20側(cè)的面28A的表面粗糙度小于基板12的基面12A的表面粗糙度，并且也小于第一軟磁層26在記錄層20側(cè)的面26A的表面粗糙度的方式形成第二軟磁層28。
文檔編號(hào)G11B5/84GK1856824SQ20048002788
公開日2006年11月1日 申請(qǐng)日期2004年9月24日 優(yōu)先權(quán)日2003年9月26日
發(fā)明者服部一博, 高井充 申請(qǐng)人:Tdk股份有限公司