專利名稱：信息記錄介質(zhì)及其生產(chǎn)方法和濺射靶子的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種能夠高密度和高速度記錄/復(fù)制信息的光信息記錄介質(zhì)及其生產(chǎn)方法和濺射靶子。
背景技術(shù)：
作為一種高容量和高速度記錄/復(fù)制信息的介質(zhì)，已知的有信息記錄介質(zhì)如磁光記錄介質(zhì)、可相變的記錄介質(zhì)。記錄信息時，這些介質(zhì)利用了如下事實在材料局部使用激光產(chǎn)生的熱可以使記錄材料改變它的光學(xué)性質(zhì)。除這些光學(xué)信息記錄介質(zhì)外，已知的還有電記錄信息的信息記錄介質(zhì)如記憶卡片。因為這些信息記錄介質(zhì)在隨機存取中的顯著優(yōu)勢是有需要就可以取出，因而這種介質(zhì)使存取變得非常方便。這種介質(zhì)所起的重要作用是前所未有的。例如，各種領(lǐng)域?qū)υ摻橘|(zhì)的需求都在增加，諸如在計算機中記錄或保存單獨數(shù)據(jù)、圖像信息等；在介質(zhì)醫(yī)學(xué)領(lǐng)域或和學(xué)術(shù)領(lǐng)域的使用；家用磁帶錄像機的淘汰。目前隨著應(yīng)用程序和圖像信息的發(fā)展，這些信息記錄介質(zhì)需要更大容量，更高密度和更高速度。
作為傳統(tǒng)使用的介質(zhì)品種有能多次書寫的可重復(fù)書寫介質(zhì)和只寫一次的一次書寫介質(zhì)。一次書寫介質(zhì)容易生產(chǎn)，因為該介質(zhì)相對于可重復(fù)書寫介質(zhì)一般層數(shù)更少，所以這種介質(zhì)價格低廉。此外，一次書寫介質(zhì)不能重復(fù)書寫，因而那些想保留數(shù)據(jù)而不再破壞的用戶喜歡使用它。一次書寫介質(zhì)因為具有長時間的儲存壽命和好的可靠性，而大量使用于檔案中。這樣，隨著高密度可重復(fù)書寫類型介質(zhì)的普及，具有高密度的一次書寫介質(zhì)的需求也在增加。
作為一次書寫類型的記錄材料，通常使用幾種氧化物材料。例如，有報道認(rèn)為將Te粒子分散到氧化物基質(zhì)材料諸如GeO2，TeO2，SiO2，Sb2O3或SnO2中形成的記錄材料具有高靈敏性，并能產(chǎn)生大的信號幅度(參見日本未審查專利公開S58-54338)。例如，已公知的含有Te-O-Pd作為主要成分的記錄材料可以獲得大的信號幅度和更高的可靠性(T.Ohta，K.Kotera，K.Kimura，N.Akahira和M.Takenaga，“用于光盤的基于Te-TeO2的新的一次書寫介質(zhì)”，Proc.of SPIE，Vol.695(1986)，pp.2-9)。下面是這些Te-O-M類型記錄材料的記錄介質(zhì)(這里M指至少包含金屬元素、半金屬元素、和半導(dǎo)體金屬元素的任意一種的材料)。膜形成后的Te-O-M膜是含有在TeO2中均勻分散有Te-M，Te，或M的粒子的化合物材料。光學(xué)激光作用后，因為材料部分融化，并且Te，Te-M或M分離出來形成更大的晶體顆粒，所以光學(xué)條件改變并且條件差可以以信號形式檢測到。此外，因為該材料的主要成分Te-O-M是具有低于氧的化學(xué)計量量的氧化物，因而膜的傳輸率可以是大的值，并且材料優(yōu)勢表現(xiàn)為它可以用作具有多層信息層的多層光學(xué)信息介質(zhì)。(K.Nishiuchi，H.Kitaura，N.Yamada and N.Akahira，“Dual-Layer Optical Disk with Te-O-Pd Phase-Change Film”，Jpn.J.Appl.Phys.Vol.37(1998)，pp.2163-2167)。
在生產(chǎn)一次書寫類型的氧化物記錄材料時，通常采用一種所謂的反應(yīng)性膜形成方法，它是通過引入氧氣到成膜氣體中而形成。該方法的優(yōu)點在于容易獲得具有好的膜性能的氧化物，而且也容易通過改變成膜氣體中的氧濃度而獲得具有不同組分的氧化物。然而，在該介質(zhì)的大規(guī)模生產(chǎn)線上采用這種反應(yīng)性的成膜方法時，會出現(xiàn)下列問題。在大規(guī)模生產(chǎn)線上，靶子和基質(zhì)之間的距離通常是安排非常緊湊的，這是為了縮短生產(chǎn)節(jié)拍(tact)。所以膜的形成速率變得非常快。在這種情況下，如果通過引入大量氧到成膜氣體中進(jìn)行該形成方法，因為氧速率容易出現(xiàn)變化以及含在成形的記錄膜中的氧的組分比容易改變，因而所生產(chǎn)的每個介質(zhì)將有不同的性質(zhì)。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個目的是為解決上述問題，并提供一種信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法，它可以生產(chǎn)氧化物類型的記錄材料，且該材料是穩(wěn)定的并且在大規(guī)模生產(chǎn)線上有好的再現(xiàn)性。
為解決上述問題，在生產(chǎn)記錄層(其屬于信息記錄介質(zhì)生產(chǎn)方法的一部分)時，在生產(chǎn)該記錄層的生產(chǎn)過程中使用的濺射靶子至少包含A-O，和A和/或M，所述信息記錄介質(zhì)至少具有一個在基材上包含有氧化物A-O或A-O-M(注釋A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W的任意一種的材料，M是至少含有金屬元素、半金屬元素和半導(dǎo)體金屬元素的任意一種的材料)的記錄層，而且能夠記錄和復(fù)制信息。另外，記錄層包括Te-O-M，濺射靶子至少包含TeO2和M。從以上可以得出，在大規(guī)模生產(chǎn)線上生產(chǎn)穩(wěn)定具有良好再現(xiàn)性的薄膜已經(jīng)成為可能。
這里的材料M優(yōu)選至少包括Pd，Au，Pt，Ag，Cu，Sb，Bi，Ge，Si，Sn和In的任意一種，特別優(yōu)選Pd，Au，Pt和Ag中的任意一種，因為所獲得的信息記錄介質(zhì)需要能夠耐受高速記錄。
至于用于生產(chǎn)記錄層的濺射靶子，優(yōu)選由(TeO2)aTebMcXd表示的材料。其中所述的a，b，c，和d應(yīng)該滿足a+b+c+d＝100，0≤b，0＜c和0≤d，更優(yōu)選滿足50≤a≤95，5≤b+c≤40和0≤d≤20。還更優(yōu)選60≤a≤90。另外，b和c優(yōu)選滿足0.5b≤c(0＜b)。因此，可以獲得具有更好信號質(zhì)量的信息記錄介質(zhì)。
另外，材料X優(yōu)選包括氟化物和/或氧化物。因而可以獲得具有更好信號質(zhì)量的信息記錄介質(zhì)。
在生產(chǎn)記錄層的方法中采用的成膜氣體至少包含惰性氣體和氧氣。當(dāng)惰性氣體的流動速率為x，氧氣的流動速率為y時，優(yōu)選滿足關(guān)系0≤y≤0.2x。
此外，記錄層至少包含氧化物A-O和A(O相對于材料A的原子比小于化學(xué)計量比組成，下文中指具有“更低氧含量”)并且濺射靶子至少包含氧化物A-O和A，其中所述的氧化物A-O的O對A的原子比在化學(xué)計量比組成范圍之內(nèi)。由上可見，在大規(guī)模生產(chǎn)線上生產(chǎn)具有好的再現(xiàn)性的穩(wěn)定氧化物薄膜是可以的。
此外，由上述生產(chǎn)方法生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)可以在大規(guī)模生產(chǎn)線上提供質(zhì)量差異更小且性能穩(wěn)定的介質(zhì)。尤其地，在生產(chǎn)包括多個信息層的信息記錄介質(zhì)時，至少其中所述的的一個信息層優(yōu)選具有由這種生產(chǎn)方法生產(chǎn)的記錄層。此時，特別需要的是減少由于各信息層的生產(chǎn)帶來的差異。使用本發(fā)明的方法，可以獲得更小成膜差異的信息記錄介質(zhì)。
另外，在生產(chǎn)包括多層的信息層時，對于信息層的記錄層的至少兩種生產(chǎn)方法，優(yōu)選所使用的濺射靶子的組成彼此不相同。特別是，濺射靶子中含有的氧的組分比優(yōu)選不同。所以，對于包括具有多層的信息層的信息記錄介質(zhì)，每個信息層的記錄性能容易實現(xiàn)良好均衡。
在生產(chǎn)記錄層的過程中，成膜速率優(yōu)選為4.0nm/s以上。例如，在兩個膜形成室形成的30nm厚的記錄層時，因為每個室的膜形成速率為15nm，如果膜形成速率為4.0nm/s以上，那么每個室的膜形成可以以3.75s/室或更低的速度進(jìn)行。這樣，即使包括排氣時間，大規(guī)模生產(chǎn)的生產(chǎn)節(jié)拍(tact)仍然可以是5秒或更小。如剛才所述，當(dāng)膜形成速率非常快時，本發(fā)明的膜形成的穩(wěn)定性改善效果突出。膜形成速率越快，介質(zhì)大規(guī)模生產(chǎn)的時間越短。
如上所述，本發(fā)明提高了生產(chǎn)包含由更低氧含量的氧化物材料構(gòu)成的一次書寫記錄層的信息記錄介質(zhì)時的產(chǎn)率并改善了生產(chǎn)率。所以可以低成本提供高容量信息記錄介質(zhì)。
附圖簡述

圖1是示出由本發(fā)明實施方案的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的實例的示意圖。
圖2是示出由本發(fā)明實施方案的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的另一個實例的示意圖。
圖3是示出由本發(fā)明實施方案的生產(chǎn)裝置實例的示意圖。
圖4是示出由本發(fā)明實施方案的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的介質(zhì)層結(jié)構(gòu)的另一個實例的示意圖。
具體實施例方式
下面描述本發(fā)明的實施方案。對于由本發(fā)明方法生產(chǎn)的光信息記錄介質(zhì)，該介質(zhì)的記錄層包括含有氧化物的一次書寫記錄材料。尤其地，記錄層使用了具有低于化學(xué)計量比氧化物組成的氧含量的材料。
本發(fā)明的濺射靶子含有A-O，和A和/或M。通過使用這些靶子，可以形成含有A-O或A-O-M的記錄層。先將大量的氧引入含有A或A和M的濺射靶子中形成含有A-O或A-O-M的記錄層。相反地，如果使用本發(fā)明的濺射靶子，只引入惰性氣體、或惰性氣體和少量的氧可以形成相似的記錄層。此外，例如在高速膜形成過程中，可以縮小介質(zhì)差異，例如可以分別減小磁盤表面的反射比或抖動(jitter)的變化。為高速成膜和減小介質(zhì)差異，本發(fā)明的濺射靶子優(yōu)選具有高密度(這是由粉末包裝決定，并且如果粉末若是無間隙包裝，該狀態(tài)定義為100％)。密度優(yōu)選80％或更高，更優(yōu)選90％或更高。
下面描述本發(fā)明的濺射靶子的生產(chǎn)方法實例。
含有A-O和A的濺射靶子的生產(chǎn)方法作為實例描述。準(zhǔn)備具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O的粒子和材料A的粒子，將這些材料稱重量再按預(yù)定混合比混合，然后加入到熱的加壓裝置中。如果需要該裝置也可以是真空的，而且混合材料燒結(jié)并保持在預(yù)定高壓和高溫條件下。經(jīng)過充分混合后，濺射靶子的組分在所有方向變得均勻。此外，通過壓力、溫度和時間最佳化，可以改善填充性能，獲得高密度的濺射靶子。因此，就形成了含有預(yù)定組分比的A-O和A的濺射靶子。如果需要，燒結(jié)后材料可使用焊料如In粘結(jié)到例如平銅板。這樣，粘結(jié)材料可以放置在濺射裝置內(nèi)，進(jìn)行濺射。
同樣，含有A-O，A和M的濺射靶子可以由上述方法生產(chǎn)，通過具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O，材料A和材料M來生產(chǎn)。作為選擇，也可以制備下列材料組合諸如具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O和材料A-M；具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O，材料A和材料A-M；有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O，材料M和材料A-M；或具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O，材料A，材料M和材料A-M?？梢杂蒙鲜鼋M合的任意一種由上述方法生產(chǎn)濺射靶子。
同樣，含有A-O和M的濺射靶子可以通過制備具有預(yù)定粒子直徑的高純度材料A-O和材料M由上述方法生產(chǎn)。
作為本發(fā)明的氧化物體系的記錄材料，使用的氧化物A-O的氧含量低于化學(xué)計量比(注釋A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任一種的材料，材料O原子比小于化學(xué)計量比)。然后，在形成記錄層的過程中，濺射靶子含有A和氧化物A-O，在氧化物A-O中O與A的原子比在化學(xué)計量比范圍之內(nèi)。特別地，當(dāng)使用Sb-O作為記錄介質(zhì)時，含有Sb2O3和Sb的材料用作濺射靶子。該靶子可以通過燒結(jié)按預(yù)定比例混合至少含有Sb2O3和Sb的材料產(chǎn)生。使用這種濺射靶子生產(chǎn)的記錄層具有比Sb2O3更低的氧組分比。此外，通過改變在濺射靶子中Sb2O3和Sb的比例，可以控制形成記錄層的膜組分。
為生產(chǎn)這種記錄層，優(yōu)選使用上述濺射靶子通過濺射方法進(jìn)行膜形成。使用濺射方法時，因為市場上已經(jīng)提供了用于其中多層膜堆疊在一起的大規(guī)模生產(chǎn)的膜形成裝置，所以使用該裝置可以相對容易地獲得具有高質(zhì)量的薄膜。
作為記錄層，除Sb-O外的材料也是可行的。例如，當(dāng)使用Sn-O作為記錄層材料時，在生產(chǎn)記錄層的過程中，濺射靶子使用至少含有SnO2和Sn的材料。同上，記錄層在大規(guī)模生產(chǎn)線上也具有好的重現(xiàn)性和穩(wěn)定性。作為另外一個實施例，當(dāng)使用In-O作為記錄層材料時，至少含有In2O3和In的材料用作生產(chǎn)記錄層過程中的濺射靶子?；蛟谑褂肸n-O作為記錄層材料時，至少含有ZnO和Zn的材料用作生產(chǎn)記錄層過程的濺射靶子。此外，Mo-O也可以作為另外一個使用實例。那么，含有MoO3和Mo的材料用作濺射靶子。含有MoO2和Mo的材料也是可行的。作為Mo的氧化物，因為存在很多種氧化物(它們在MoO2和MoO3組成范圍內(nèi)具有不同的價態(tài))，所以也可以使用至少含有這些氧化物和Mo的材料。所述組成從有利于記錄信號的振幅可靠性的值中挑選。
此外，使用W-O作為記錄層材料時，與Mo-O一樣，含有WO3-W或WO2-W的材料可用作濺射靶子。這種材料因為也存在很多種氧化物，在WO2和WO3組合物范圍內(nèi)存在多種原子價，所以也可以使用至少含有這些氧化物和W的材料。
Te-O體系也可用作氧化物體系的記錄材料。所以至少含有TeO2和Te的材料可以用作記錄層生產(chǎn)過程的濺射靶子。由上述材料作為基材并在基材中混合材料M制成的Te-O-M系統(tǒng)記錄材料，特別優(yōu)選用作記錄材料，這是因為Te-O-M體系記錄材料可以進(jìn)行更高速度書寫。在生產(chǎn)Te-O-M體系材料時，濺射靶子選用至少含有TeO2和M的材料。
特別優(yōu)選使用組分比為(TeO2)aTebMcXd的靶子。此處的a，b，c，d表示數(shù)字并滿足下面條件a+b+c+d＝100，0≤b，0＜c，和0≤d。特別優(yōu)選，50≤a≤95，5≤b+c≤40和0≤d≤20。此外，b和c優(yōu)選滿足0.5b≤c和0＜b。下面討論每種材料(使用)的原因和作用。
首先，TeO2的功能是充當(dāng)膜形成后不久的基材，并且需要選擇最優(yōu)的組分比。因為記錄層之間的熱傳導(dǎo)率或信號幅度不同。更精確地說，組分比優(yōu)選滿足50≤a≤95。如果小于50mol％，成形的記錄層的熱傳導(dǎo)率增加，在進(jìn)行信號記錄時記錄層膜內(nèi)會發(fā)生熱擴散。結(jié)果導(dǎo)致信號的抖動值變差。另一方面，如果a大于95mol％，成形的記錄層的氧化物組成接近化學(xué)計量比組成的氧化物組成，因此會因為記錄層的光吸收降低而導(dǎo)致記錄靈敏性的降低，或者是導(dǎo)致信號幅度降低。TeO2的組分比a優(yōu)選60≤a≤90。
其次，加入材料M后加速了Te的結(jié)晶。如果M中含有能與Te鍵接的任意元素，就會得到同樣的作用。Te晶體結(jié)構(gòu)為鏈結(jié)構(gòu)，是通過共價鍵連接形成的Te原子螺旋型系列，螺旋之間通過弱范德華力連接。溶解Te時，需要破壞弱范德華力，所以Te熔點很低約為452℃。然而，因為此時螺旋型系列仍然存在，所以結(jié)晶速率低。另一方面，如果加入的材料能形成與Te的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，并使鏈結(jié)構(gòu)幾乎消失，就可以加快結(jié)晶速度。
材料M的具體實例可以是元素如Pd，Au，Pt，Ag，Cu，Sb，Bi，Ge，Si，Sn，In，Ti，Zr，Hf，Cr，Mo，W，Co，Ni，Zn或這些元素的混合物。例如，這些材料可以使用Blu-ray規(guī)范進(jìn)行單速度記錄(數(shù)據(jù)傳輸速度為36MbPs)。尤其地，當(dāng)使用的材料至少含Pd，Au，Pt，Ag，Cu，Sb，Bi，Ge，Si，Sn和In中的一種時，因為能更有效獲得上述的交聯(lián)結(jié)構(gòu)，所以能夠容易地獲得更快的結(jié)晶速度。這些材料能進(jìn)行雙倍速度記錄(數(shù)據(jù)傳輸速度為72MbPs)更特別地，當(dāng)使用貴金屬如Au和Pd時，可以容易地獲得更快的結(jié)晶速率，也可以進(jìn)行4倍速率記錄(數(shù)據(jù)傳輸速度為144MbPs)。
根據(jù)上面描述的材料M的作用，材料M的混合比c優(yōu)選滿足0.5b≤c和0＜b，b為Te的組份比。如果0.5b＞c，就不能實現(xiàn)上述的結(jié)晶速率的提高效果。
材料M和Te在膜形成不久后形成的組合相中的分散相。所以這些組份比的和b+c優(yōu)選5～40mol％。如果b+c小于5mol％，則分散相少，記錄靈敏性降低和記錄后的信號幅度降低。此外，如果b+c大于40mol％，則分散相多，因而形成矩陣相的TeO2相對減少，膜形成不久后的記錄膜的熱傳導(dǎo)率容易升高。這可能是由于Te和由金屬和半導(dǎo)體構(gòu)成的M比介電材料的TeO2具有更高的熱傳導(dǎo)率。如果此時記錄信號，因為熱擴散沿著膜表面進(jìn)行并且靶子之間容易出現(xiàn)熱干涉，因而不能獲得信號的有益的抖動值。
接著描述濺射靶子和記錄層之間的組分關(guān)系。例如，使用(TeO2)87Te5Pd8(mol％)(＝Te34O63Pd3(at％))作為濺射靶子形成記錄層時，其中所述的形成條件為以恒定速度供給12sccm的Ar氣和1.0sccm的氧氣，氣體的總壓力為0.13Pa，由高頻能量源供給800W的能量，所獲得的記錄層組合物為Te35O62Pd3(at％)。雖然氧稍微降低，但可以發(fā)現(xiàn)記錄層的組分能夠與濺射靶子接近。
雖然加入材料X的主要目的是降低成形記錄層的熱傳導(dǎo)率和獲得高質(zhì)量的信號，但是材料X在有些時候不是必要的。材料本身至少含有氟化物、碳化物、硝化物以及除Te-O外的任意氧化物。尤其當(dāng)使用氟化物如La-F，Mg-F，Ca-F和氧化物如Si-O，Cr-O，Ge-O時，這些材料公知可以降低成形記錄層的熱傳導(dǎo)率和可以獲得滿意的信號質(zhì)量。由于混合材料X可以控制膜形成后不久的記錄層的熱傳導(dǎo)率，但這并不有助于信號記錄。所以，材料X的組分比d優(yōu)選0～20mol％。這是因為如果材料X的組分比大于20mol％，記錄前后的光性質(zhì)變化量稍微降低。如果在沒有加入材料X的膜形成后的熱傳導(dǎo)率足夠小，那么加入X就不是必須的。
在生產(chǎn)上述的各種記錄層的過程中，惰性氣體如Ar和Xe可用作膜形成氣體。此外，也可以使用惰性氣體和少量氧氣的混合氣體。在引入少量氧氣到膜形成氣體中進(jìn)行成膜時，可以精確控制在成形記錄層中的氧氣的組分比。這時，在形成記錄層的過程中優(yōu)選使用惰性氣體和少量氧氣作為膜形成氣體。作為引入的少量氧氣的測量方法，如果形成記錄層過程中使用的膜形成氣體中的惰性氣體的流速定義為x(sccm)，氧氣流速定義為y(sccm)，優(yōu)選滿足0≤y≤0.2x。用這種方法形成更低氧含量的氧化物記錄材料并保持成形記錄層的穩(wěn)定組分時，相比于所謂的反應(yīng)性濺射方法(這種濺射方法使用不含氧的靶子，在大量氧氣與其它氣體混合的氣氛中進(jìn)行成膜)，該方法可以獲得膜厚度和穩(wěn)定性的再現(xiàn)性。尤其地，在大規(guī)模生產(chǎn)線的生產(chǎn)過程中，基質(zhì)和靶子之間的距離非常小、生產(chǎn)節(jié)拍快，在快速成膜速率條件下進(jìn)行膜的形成時如果使用反應(yīng)性的濺射方法需要更大量氧氣與膜形成氣體結(jié)合使用。這時，引入氧氣的流速容易發(fā)生變化，膜厚或成形記錄層的組分比也容易出現(xiàn)變化。相應(yīng)地，使用本發(fā)明的濺射靶子和使用惰性氣體或者混有少量氧氣的惰性氣體，能生產(chǎn)出在任意時刻組分比和膜厚都幾乎不變的記錄層。由此，大規(guī)模生產(chǎn)線的生產(chǎn)節(jié)拍非常快，記錄層的膜形成過程的產(chǎn)率提高，可以獲得更低成本的記錄介質(zhì)。在快速膜形成速率條件例如大規(guī)?；a(chǎn)線生產(chǎn)氧化物記錄層時，本發(fā)明方法能夠表現(xiàn)出顯著作用。
這里首先描述一個由本發(fā)明的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)實例。層狀結(jié)構(gòu)實例在圖1示出。在圖1實例中，保護層1，記錄層2，保護層3，反射層4，從光學(xué)激光7的入射側(cè)按上述順序在基質(zhì)5上形成。在保護層1的表面上，形成了光透明層6。
基質(zhì)5和光透明層6是保護信息記錄介質(zhì)避免擦傷或氧化的保護材料。它們由例如樹脂諸如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯或聚烯烴體系樹脂或玻璃等構(gòu)成。因為光透明層6通過光學(xué)激光的透射進(jìn)行記錄/復(fù)寫，所以它的材料需要對光學(xué)激光是透明的。或者如果出現(xiàn)光吸收，那吸收也應(yīng)該是足夠小以至能被忽略(例如，10％或以下)。用于引導(dǎo)光學(xué)激光束的引槽或凹陷優(yōu)選至少在信息層一邊的光透明層6或基質(zhì)5之一上形成。
保護層1和保護層3應(yīng)用的主要目的是保護記錄材料并起到可以調(diào)節(jié)光性質(zhì)的作用如調(diào)節(jié)在信息層的有效光吸收。作為材料使用并能達(dá)到這些目的的化合物有例如硫化物如ZnS；氧化物諸如Si-O，Al-O，Ti-O，Ta-O，Zr-O or Cr-O；氮化物諸如Ge-N，Cr-N，Si-N，Al-N，Nb-N，Mo-N，Ti-N或Zr-N；碳化物諸如Ge-C，Cr-C，Si-C，Al-C，Ti-C，Zr-C或Ta-C；氟化物諸如Si-F，Al-F，Mg-F，Ca-F或La-F；其它介電物質(zhì)，或這些物質(zhì)的合適組合(例如，ZnS-SiO2)。
反射層4由金屬如Au，Ag，Cu，Al，Ni，Cr或Ti或任意選擇的金屬化合物組成。反射層4用于熱釋放和獲得光學(xué)作用如在記錄層的有效光吸收。
前面提到的記錄層2包括一次書寫記錄材料，其主要成分是具有更低氧含量的氧化物。用上述生產(chǎn)方法，能減少介質(zhì)之間的差異和提高生產(chǎn)層的產(chǎn)率。記錄層2的厚度優(yōu)選3～50nm。如果厚度小于3nm，記錄介質(zhì)具有層狀結(jié)構(gòu)的可能性小并且難于得到理想的信號。此外，如果厚度大于50nm，在記錄層上熱擴散的趨勢變大，因而難于獲得理想信號質(zhì)量。
圖2是由本發(fā)明方法生產(chǎn)的信息記錄介質(zhì)的層狀結(jié)構(gòu)的另外一個實例。在圖2中，第一信息層8，中間層9和第二信息層10，從光學(xué)激光7的入射邊按該順序在基質(zhì)11上形成。在這種信息記錄介質(zhì)中，為了通過從一個方向應(yīng)用光學(xué)激光7使第一信息層8和第二信息層10能夠記錄/復(fù)制，第一信息層8需要具有光透射性質(zhì)。在第二信息層10中，因為使用穿過第一信息層8的光進(jìn)行記錄，其優(yōu)選需要高記錄靈敏性。需要說明，第一信息層8包括保護層101，記錄層102，保護層103，反射層104，從光學(xué)激光7入射邊按該順序排列。在保護層10表面上形成光透明層12。第二信息層10包括保護層201，記錄層202，保護層203，反射層204，從光學(xué)激光7入射邊開始按該順序排列。
中間層9用于光學(xué)分離第一信息層8和第二信息層10，它的構(gòu)成材料如可使光學(xué)激光穿透的紫外線硬化樹脂。中間層9的厚度選擇為足以分離每個信息層，所選擇厚度也需要在物鏡能夠聚焦在兩個信息層上的范圍之內(nèi)。
在圖2的實例中，每個記錄層的膜厚度也優(yōu)選在3～50nm之間。除圖1解釋的相同原因外，另外原因是在形成第一信息層時如果記錄層的厚度大于50nm，在本實施例中難于獲得足夠大的透射速率。
此外，雖然第一信息層8的結(jié)構(gòu)包括如圖2所示的反射層，但是本發(fā)明方法可應(yīng)用于沒有反射層的信息層8的結(jié)構(gòu)、具有兩層的保護層103的結(jié)構(gòu)或具有各種其他結(jié)構(gòu)的介質(zhì)。
在上文中，解釋了具有兩個信息層的信息記錄介質(zhì)，但是本發(fā)明并不受限于上面提到的實例，也可以獲得其上疊加有m(m是2或以上的整數(shù))個層的介質(zhì)。下面，在圖4中列舉一個具有四個信息層的信息記錄介質(zhì)。
圖4示出信息記錄介質(zhì)的橫截面圖，其中由四個信息層疊加在一起。在這種信息記錄介質(zhì)中，第一信息層100，第二信息層200，第三信息層300，第四信息層400在基質(zhì)11和光透明層12之間從光學(xué)激光7入射邊起按該順序排列。每個信息層之間有中間層9。
在圖4所示的結(jié)構(gòu)實例中，第一信息層100從光學(xué)激光入射側(cè)上開始按順序包括保護層101，記錄層102，和保護層103；第二信息層200順序包括保護層201，記錄層202，和保護層203；第三信息層300順序包括保護層301，記錄層302，保護層303和反射層304；第四信息層400順序包括保護層401，記錄層402，保護層403和反射層404。
記錄層102，202，302，402中的至少一個可以含有A-O或A-O-M。這些層使用至少含有A-O，和A，和/或M的濺射靶子形成。在四個信息層中，因為第一信息層100，第二信息層200和第三信息層300需要更大的透射速率，因而記錄層102，202，302的優(yōu)選膜厚度為15nm或小于15nm。在這類介質(zhì)中，通過進(jìn)行高速率成膜來縮短生產(chǎn)節(jié)拍時，如果使用本發(fā)明的非-反應(yīng)性的膜形成方法，可以均勻形成膜的記錄層并且可以顯著減少在介質(zhì)之間的性質(zhì)差異或平面上每種性質(zhì)的差異。
接著，用圖說明本發(fā)明的信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)方法。圖3示出本發(fā)明用于生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的生產(chǎn)裝置實例。圖3表示的是生產(chǎn)裝置的示意性平面圖。圖3中，膜形成室21～26和主要形成室15通過排氣口與真空泵連接，并能保持高真空狀態(tài)。此外，氣體供應(yīng)口與膜形成室21～26相連接。這就可以供應(yīng)恒定速率的惰性氣體、氮氣、氧氣及這些氣體的混合氣體，并在膜形成過程中，每個室可以供應(yīng)合適的膜形成氣體。圖中基質(zhì)13(膜形成之前)放置在裝載鎖室(load lock chamber)16內(nèi)。然后，控制基質(zhì)使其按該順序進(jìn)入膜形成室21～26的每個室。最后具有所有層的磁盤14從裝載鎖室16中取出。在圖3中，編號31～36表示在膜形成室21～26中提供的濺射靶子，它們都與負(fù)極相連接。負(fù)極通過開關(guān)與直流電源和高頻電源連接。此外，膜形成室21～26和主要室15接地，使膜形成室21～26、主要室15和基質(zhì)13都成為正極。圖3中，示出了具有六個膜形成室的生產(chǎn)裝置，但是只要能生產(chǎn)所需的信息記錄介質(zhì)，膜形成室的數(shù)量并不受限。例如，可以獲得具有4個，8個或13個室的裝置。通常地，雖然膜形成室的數(shù)量越多，生產(chǎn)裝置越貴，但越有可能生產(chǎn)具有多層的信息記錄介質(zhì)。此外，即使在需要形成厚層的信息記錄介質(zhì)中，因為厚層可以使用2個或多個膜形成室形成，所以該介質(zhì)仍然可以以短生產(chǎn)節(jié)拍生產(chǎn)。所以，生產(chǎn)裝置的膜形成室的合適數(shù)量是根據(jù)層數(shù)或所需要信息記錄介質(zhì)的每層的厚度而選擇的。
例如生產(chǎn)圖1所示的具有層狀結(jié)構(gòu)的介質(zhì)，反射層4，保護層3，記錄層2和保護層1可分別在室22，室23，室24和室25中形成。這里，室24中的濺射靶子34是用于前面所述的記錄膜形成的靶子。作為選擇，生產(chǎn)圖1所示介質(zhì)的另外一個實例，反射層4，保護層3，記錄層2和保護層1可在室21和22，室23，室24和25，和室26中分別形成。在此實例中，即使反射層4和記錄層2的厚度非常厚，或即使膜形成速率低，膜形成也可以在與形成保護層1和3的時間幾乎相當(dāng)?shù)臅r間內(nèi)完成。當(dāng)然，如果保護層1和3具有大致同樣的厚度，或如果膜形成速率也很低，就需要使用兩個膜形成室。
(實施例1)下面詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例1。此處使用圖3所示的生產(chǎn)裝置，制備出為分析氧組分比的薄膜測試片。該測試片結(jié)構(gòu)為Si基質(zhì)上疊加10個具有30nm厚的Te-O-Pd記錄層。測試片的生產(chǎn)方法在下面解釋。首先，在圖3所示的生產(chǎn)裝置中，由(TeO2)87Te5Pd8(mol％)組成的濺射靶子34和35的直徑為20cm，并放置在膜形成室24和25內(nèi)。用作測試片的基質(zhì)是硅，其大小為12mm×18mm，厚度為1mm。該硅基質(zhì)固定在膜形成夾具中，并放到裝載鎖室16中。在穿過膜形成室21，22，23后，在膜形成室24中開始膜形成。形成記錄層時，Ar氣體以12sccm，氧氣以1.0sccm定量流動供給，總氣體壓力設(shè)定為0.13Pa，然后使用高屏能量源提供的800W能量。此時的膜形成速率為5.5nm/sec。室24內(nèi)的膜形成進(jìn)行到15nm后，記錄層轉(zhuǎn)移到室25，在與室24相同的條件下使膜形成步驟進(jìn)行到15nm以上。通過這些步驟，使用兩個室可以在Si基質(zhì)上形成30nm厚度的Te-O-Pd記錄層。在膜形成后，Si基質(zhì)穿過膜形成室26進(jìn)入裝載鎖室16。這種材料定義為非-反應(yīng)性的記錄層(1)-1。如上所述，測試片沒有從裝載鎖室16中移出，它穿過膜形成室21，22和23，然后在膜形成室24和25中，使Te-O-Pd記錄層在非-反應(yīng)性的記錄層(1)-1上再堆積到30nm。所獲得材料定義為非-反應(yīng)性的記錄層(1)-2。采用這種方法，在膜形成室24和25中堆積Te-O-Pd到30nm的實驗重復(fù)10次。然后，由測試片堆積的非-反應(yīng)性的記錄層(1)-1～(1)-10從裝載鎖室16中取出。
作為對比實施例，在膜形成室24和25中使用Te85Pd15(at％)作為濺射靶子34和35進(jìn)行反應(yīng)性的膜形成，同時使用12sccm的Ar氣和36sccm的氧氣作為膜形成氣體。與上面一樣，10個具有30nm厚度的Te-O-Pd記錄層堆積在Si基質(zhì)上，形成反應(yīng)性的記錄層(0)-1～(0)-10。
至于非-反應(yīng)性的記錄層(1)-1～(1)-10和反應(yīng)性的記錄層(0)-1～(0)-10，使用次級離子質(zhì)譜法(SIMS)求出Te，O和Pd中每一個的次級離子強度，再轉(zhuǎn)變成濃度。表1示出對于各濃度的氧組分比結(jié)果。第一次形成的(1)-1和(0)-1層設(shè)定其組分比為100.0。


如表1所示，非-反應(yīng)性的記錄層(1)-1～(1)-10中，氧組分比的變化在±0.1％之內(nèi)。而反應(yīng)性的記錄層(0)-1～(0)-10中，氧組分比的變化為-1.6％～+3.5％。
在進(jìn)行反應(yīng)性記錄層的膜形成時，最大流速為50sccm的質(zhì)量流量計用于供應(yīng)36sccm的氧氣。因為質(zhì)量流量計控制流量精確程度為最大±2％，所以在本實施例中，顯然有±1sccm流量抖動的絕對值。所以，假定因為氣流供應(yīng)變化導(dǎo)致氧和Te的反應(yīng)程度不同，那么在成形的記錄層中的氧組分比也會發(fā)生變化。
另外，在進(jìn)行非-反應(yīng)性記錄層的膜形成時，最大流量為3sccm的質(zhì)量流量計用于供應(yīng)1sccm的氧氣。這里也因為質(zhì)量流量計控制流量精確程度為±2％，所以明顯出現(xiàn)了±0.06sccm絕對值的流量抖動。換句話說，即使采用流量的最大變化量，氧氣流量為0.94～1.06sccm。此外，因為氧包含在濺射靶子中而不在反應(yīng)性的膜中，所以記錄層中引入不需要的氧的現(xiàn)象最少。
因此，使用含有TeO2，Te和Pd的(TeO2)87Te5Pd8(mol％)濺射靶子，通過非-反應(yīng)性的膜形成生產(chǎn)Te-O-Pd的記錄層時，對比傳統(tǒng)的反應(yīng)性的膜形成方法發(fā)現(xiàn)組分比的變化大大增加，可以進(jìn)行穩(wěn)定的大規(guī)?；a(chǎn)，尤其是在高的膜形成速率條件下。
(實施例2)(1)本發(fā)明實施例下面將詳細(xì)描述本發(fā)明的實施例2。這里使用如圖3所示的生產(chǎn)裝置，描述包括圖1所示的層結(jié)構(gòu)的信息記錄介質(zhì)。實施例中，基質(zhì)5為1.1mm厚的板，直徑為120mm的盤狀聚碳酸酯樹脂，ZnS中引入20mol％SiO2后的化合物作為保護層1和3，主要成分是Te-O-Pd的材料作為記錄層2，使用Al98Cr2的金屬化合物作為反射層4。作為光透明層6，利用紫外光樹脂粘結(jié)上厚度為0.1mm的盤狀聚碳酸酯樹脂。保護層1和3分別具有10nm和17nm厚的膜，記錄層2的厚度為30nm，反射層4厚度為40nm。
圖3所示的裝置中，反射層4在膜形成室21內(nèi)生成，保護層1和3分別在室23和26內(nèi)生成，記錄層2在室24和25內(nèi)生成。在膜形成過程，濺射靶子32為Al98Cr2，濺射靶子33和36都是ZnS中含有20mol％SiO2的組合物，濺射靶子34和35都是(TeO2)87Te5Pd8(mol％)。使用直徑為20cm的靶子。形成保護層1和3時，通過施加2.0kW的功率進(jìn)行膜形成。此時，供應(yīng)定量流量為12sccm的氣體，氣體的總壓力保持在0.13Pa，總氣體中2.0％氧氣中混有氬氣，負(fù)極使用高頻能量源。形成反射層4時，使用直流電源供應(yīng)5kW的能量，以20sccm的定量流量供應(yīng)Ar氣使氣體總壓力保持在0.2Pa。形成記錄層2時，使用高頻能量源供應(yīng)800W的功率，分別以12sccm和1.0sccm的定量流量供應(yīng)Ar氣和氧氣，使氣體總壓力保持在0.13Pa?？捎糜跒R射的惰性氣體如Kr也可用作除Ar外的濺射氣體中的惰性氣體。記錄層2的膜形成速率為5.5nm/s。因為記錄層2在膜形成室24和膜形成室25內(nèi)形成至30nm，在每個室中的膜形成進(jìn)行了約2.7sec。由本發(fā)明形成的介質(zhì)定義為介質(zhì)(1)。
(2)對比實施例在對比實施例中，在記錄層2的形成過程中使用膜形成室24和膜形成室25，除改變一些條件外，其它條件則與上述相同條件下生產(chǎn)介質(zhì)。改變的條件有使用Te85Pd15代替靶子34和35，在反應(yīng)性的膜形成時使用12sccm的Ar氣和36sccm的氧氣作為膜形成氣體。該介質(zhì)定義為介質(zhì)(0)。
在本實施例中，測量了介質(zhì)(1)和介質(zhì)(0)在試驗中連續(xù)大規(guī)模生產(chǎn)時的反射比率變化。在大規(guī)模試驗生產(chǎn)中，在相同條件下生產(chǎn)了500個介質(zhì)(介質(zhì)編號為1-1～1-500，0-1～0-500)。每隔50個介質(zhì)抽取一個介質(zhì)，共測定了11個介質(zhì)的反射比率。此外，為比較膜形成速率的變化，在下列條件下大規(guī)模生產(chǎn)介質(zhì)，例如記錄層2的形成功率為300W(膜形成速率為2nm/s)，600W(4nm/s)和1kW(7nm/s)。使用(TeO2)87Te5Pd8(mol％)濺射靶大規(guī)模生產(chǎn)的介質(zhì)代碼為11-1～11-500，21-1～21-500和31-1～31-500，其對于使用的功率分別為300W，600W和1kW的介質(zhì)。此外，作為對比，使用Te85Pd15(at％)濺射靶大規(guī)模生產(chǎn)的介質(zhì)代碼為10-1～10-500，20-1～20-500和30-1～30-500，其對于使用的功率分別為300W，600W和1kW的介質(zhì)。對比實施例的反應(yīng)性的膜形成狀況，因為如果功率不強則反應(yīng)容易進(jìn)行，所以在膜形成過程中的氧流量對于每一種膜形成功率都被最優(yōu)化，例如13.5sccm，27sccm和45sccm。
這里，解釋反射比率的評價條件。
對于記錄/復(fù)制的評價，可以使用普通的評價裝置。該裝置包括帶有光學(xué)激光源和物鏡的光度頭(optical header)；引入光學(xué)激光到給定位置的驅(qū)動裝置；追蹤控制裝置和用于分別控制追蹤方向和膜表面正交方向的聚焦控制裝置；用于調(diào)整激光功率的激光驅(qū)動裝置；和旋轉(zhuǎn)信息記錄介質(zhì)的旋轉(zhuǎn)控制裝置。
反射比率評價通過使用激光波長為405nm和物鏡數(shù)值孔徑為0.85的光學(xué)系統(tǒng)，以及通過單一速度(4.92m/s)旋轉(zhuǎn)介質(zhì)進(jìn)行。將0.35mW的復(fù)制功率打在介質(zhì)上40mm的徑向位置的凹槽上，再通過檢測從凹槽反射的光量來測定比率。解釋一下，這里的凹槽定義為在基質(zhì)5上形成的所有軌跡中最靠近光學(xué)激光邊的軌跡。反射比率的測定結(jié)果如表2所示。反射比率的設(shè)計靶值為18.5％。解釋一下，反射比率的變化定義為(最大值-最小值)/最小值。變化優(yōu)選6％或以下，更優(yōu)選3％或以下。


如表2所示，在本實施例中記錄層2的膜形成速率為2～7nm/s時，反射比率的變化為3％或更小。從這些結(jié)果看出，即使在高速情形下，膜形成也可以穩(wěn)定進(jìn)行和可以進(jìn)行大規(guī)模生產(chǎn)。另一方面，對比實施例的結(jié)果中，即使在2nm/s低速時，反射比率的變化也超過3％。當(dāng)速率超過4nm/s時，反射比率的變化則超過6％，而且發(fā)現(xiàn)膜形成速率越大，反射比率的變化越大。
因此，用含有TeO2，Te和Pd的(TeO2)87Te5Pd8(mol％)濺射靶，通過非-反應(yīng)性的膜形成方法生產(chǎn)Te-O-Pd記錄層時，發(fā)現(xiàn)反射比率的變化相對于傳統(tǒng)的反應(yīng)性的膜形成方法大大減小，并可以進(jìn)行穩(wěn)定的大規(guī)模生產(chǎn)，尤其是在高的膜形成速率條件時。
(實施例3)下面是本發(fā)明實施例3的詳細(xì)說明。實施例3使用在實施例2中大規(guī)模生產(chǎn)的介質(zhì)之一，在磁盤表面的徑向位置的內(nèi)部，中間和外部評價反射系數(shù)比，C/N值和抖動值，并研究了它們在整個磁盤的分布。
這里描述C/N值和抖動值的評價條件。使用與實施例2所述相同的記錄/復(fù)制裝置。光系統(tǒng)包括波長為405nm的激光，物鏡數(shù)值孔徑為0.85，介質(zhì)的線性速度為9.84m/s(雙倍速率)。1-7pp調(diào)幅用作信號的調(diào)幅方法。密度相應(yīng)于25GB的容量。為測定C/N值，使用相對于每個介質(zhì)最適宜的激光功率在凹槽上記錄2T(其標(biāo)志長度為0.149μm)的單一信號。使用光譜分析儀進(jìn)行測量。此外，為測量抖動值，在凹槽上記錄2T～8T的隨機信號，并使用了時間間隔分析儀進(jìn)行測量。抖動是LEQ(Limit Equalizer)抖動，測定前端抖動和后端抖動值并平均。LEQ抖動值優(yōu)選6.5％或更低，其為標(biāo)準(zhǔn)值。分別在23mm，40mm或58mm的徑向位置的內(nèi)部，中間和外部進(jìn)行測定。
選擇中間徑向位置的反射比率為18.5％的介質(zhì)進(jìn)行檢測。在該實施例中使用的介質(zhì)編號為11-200，21-150，1-150和31-200，對比實施例使用的介質(zhì)編號為10-250，20-150，0-300和30-50。在整個磁盤上的(比)值分布結(jié)果如圖3所示。變化的定義如同實施例2。


如表3所示，與對比實施例相比，在徑向位置的內(nèi)部，中間和外部之間的反射比率和C/N值的變化程度小。至于LEQ抖動值，因為這些值本身小，所以其變化程度趨向增加。所以，LEQ抖動值應(yīng)滿足徑向位置的內(nèi)部，中間和外部之間的標(biāo)準(zhǔn)值的6.5％或更少。在對比實施例中，隨著膜形成速率的增加，反射比率、C/N值和LEQ抖動值的變化程度增加。尤其是，徑向位置外部的性質(zhì)較差?？梢酝茰y對于使用反應(yīng)性膜形成方法的高速膜形成過程，不會從徑向位置的內(nèi)部到外部形成均勻的記錄層。
因此，使用包含TeO2，Te和Pd的(TeO2)87Te5Pd8(mol％)濺射靶并使用非-反應(yīng)性的膜形成方法生產(chǎn)Te-O-Pd記錄層時，可以發(fā)現(xiàn)在整個磁盤上的反射比率，C/N值和抖動值的變化程度能夠大大改善，并相對于傳統(tǒng)的反應(yīng)性的膜形成方法可以進(jìn)行穩(wěn)定的大規(guī)?；a(chǎn)，尤其是在高的膜形成速率條件時。
從這些結(jié)果看出，對于沒有通過反應(yīng)性的膜形成方法，而是通過在濺射靶子中混合氧化物和在膜形成氣體中混入少量氧氣生產(chǎn)記錄層，可以大規(guī)模生產(chǎn)性能變化小并具有與反應(yīng)性膜形成方法生產(chǎn)的記錄層同樣理想的信號記錄性質(zhì)的介質(zhì)。
說明一下，膜形成穩(wěn)定性的改善效果可以通過使用下列組分作為本發(fā)明實施例的靶子34和35而獲得(TeO2)60Te15Pd25(mol％)，(TeO2)70Te14Pd16(mol％)，(TeO2)78Te11Pd11(mol％)，(TeO2)90Te2Pd8(mol％)，(TeO2)95Pd5(mol％)，(TeO2)80Te5Pd10(SiO2)5(mol％)或(TeO2)75Te5Pd10(SiO2)10(mol％)。
此外除(TeO2)-Te-Pd外，使用下列物質(zhì)也可以改善膜形成的穩(wěn)定性(TeO2)50Te20Pd8Sb12(LaF3)10(mol％)，(TeO2)80Te5Au10(LaF3)5(mol％)，(TeO2)75Te5Au10(LaF3)10(mol％)或(TeO2)65Te5Au10(LaF3)20(mol％)。
此外，在如圖4所示的包括四個信息層的四層介質(zhì)中，使用了含TeO2，Te和Pd的(TeO2)87Te5Pd8(mol％)的濺射靶并采用了非-反應(yīng)性的膜形成方法。這種情況下，形成了諸如下面的層8nm厚的Te-O-Pd的記錄層102；10nm厚的Te-O-Pd的記錄層202；8nm厚的Te-O-Pd的記錄層302；20nm厚的Te-O-Pd的記錄層402。對比傳統(tǒng)的反應(yīng)性膜形成方法的結(jié)果，發(fā)現(xiàn)整個介質(zhì)上的性能變化顯著改善。尤其地，具有薄記錄層的下列信息層的性能變化顯著降低并獲得了理想的四層介質(zhì)第一信息層100，第二信息層200和第三信息層300。
盡管選擇了這些實施方案以解釋本發(fā)明，但是本領(lǐng)域技術(shù)人員容易從公開內(nèi)容中得知，此處所取得的各種變化和修飾并沒有超出從屬權(quán)利中所規(guī)定的本發(fā)明的范圍。此外，本發(fā)明前述的實施方案的描述只是用于解釋說明，而不是為了限定如從屬權(quán)利要求等所限定的本發(fā)明。
權(quán)利要求
1.一種生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，所述信息記錄介質(zhì)在基質(zhì)上至少有記錄層并能夠記錄與復(fù)制信息；其中所述的記錄層含有氧化物A-O或A-O-M，A是至少含有Te、Sb、Ge、Sn、In、Zn、Mo和W中任意一種的材料，而M是至少含有金屬元素、半金屬元素或半導(dǎo)體金屬元素中任意一種的材料；包括采用在生產(chǎn)至少含有A-O，和A和/或M的記錄層的方法中使用的濺射靶子。
2.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的記錄層含有Te-O-M；所述的濺射靶子至少含有TeO2和M。
3.如權(quán)利要求1或2所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的材料M至少包含Pd，Au，Pt，Ag，Cu，Sb，Bi，Ge，Si，Sn和In中的任意一種。
4.如權(quán)利要求3所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的材料M至少包含Pd，Au，Pt和Ag中的任意一種。
5.如權(quán)利要求2～4中任意之一所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述濺射靶子可以含材料X，并且表示為通式(TeO2)aTebMcXd(mol％)，其中a+b+c+d＝100，50≤a≤95，5≤b+c≤40，0≤d≤20，0≤b和0＜c。
6.如權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中60≤a≤90。
7.如權(quán)利要求5所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中0.5b≤c和0＜b。
8.如權(quán)利要求5或6所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的材料X包含氟化物和/或氧化物。
9.如權(quán)利要求1～8中任意之一所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中在生產(chǎn)記錄層的方法中使用的膜形成氣體至少包含惰性氣體和氧氣，并且當(dāng)惰性氣體流速為x，氧氣流速為y時，0≤y≤0.2x。
10.如權(quán)利要求1所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的記錄層的A-O是氧化物(O的原子比小于化學(xué)計量比組成)和其中所述的濺射靶子至少包含氧化物A-O和A，而所述氧化物A-O中的O比A的原子比在化學(xué)計量比組成范圍之內(nèi)。
11.一種在基質(zhì)上包含記錄層的信息記錄介質(zhì)，其中所述的記錄層由權(quán)利要求1～10中至少任意之一所述的生產(chǎn)方法生產(chǎn)。
12.一種包含多個信息層的信息記錄介質(zhì)，其中所述的信息層中的至少一個具有由權(quán)利要求1～10中至少任一項所述的生產(chǎn)方法生產(chǎn)的記錄層。
13.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中使用了兩種或更多種生產(chǎn)記錄層的方法，并且其中在所述過程中使用的濺射靶子在至少兩種所述方法中具有不同的組成。
14.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中包含在濺射靶子中的氧的組分比在至少兩種所述生產(chǎn)記錄層的方法中是不相同的。
15.如權(quán)利要求1～10中任一項所述的生產(chǎn)信息記錄介質(zhì)的方法，其中所述的生產(chǎn)記錄層的方法中，膜形成速率是4.0nm/s或更大。
16.用于形成記錄層的濺射靶子，其至少包括氧化物A-O，和A和/或M，其中所述A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo，和W中任意一種的材料，所述M是至少含有金屬元素、半金屬元素和半導(dǎo)體金屬元素中任意一種的材料。
17.如權(quán)利要求16所述的濺射靶子，至少包括TeO2和M。
18.如權(quán)利要求16或17所述的濺射靶子，其中所述的材料M至少包括Pd，Au，Pt，Ag，Cu，Sb，Bi，Ge，Si，Sn和In中的任意一種。
19.如權(quán)利要求17或18所述的濺射靶子，還可以包括(TeO2)aTebMcXd(mol％)表示的材料X，其中a+b+c+d＝100，50≤a≤95，5≤b+c≤40，0≤d≤20，0≤b和0＜c。
20.如權(quán)利要求19所述的濺射靶子，其中0.5b≤c和0＜b。
21.如權(quán)利要求19或20所述的濺射靶子，其中所述的材料X包含氟化物和/或氧化物。
全文摘要
在生產(chǎn)包含氧含量更低的氧化物作為主要成分的一次書寫記錄介質(zhì)時，如果通過引入大量氧到膜形成氣體中進(jìn)行記錄層的膜形成并且濺射靶子不含氧，那么生產(chǎn)出的每個介質(zhì)具有不同性能，這是因為氣體中的氧流量容易變化，并且記錄層中所含的氧的組分比也容易變化。為解決上述問題，在基質(zhì)上至少具有記錄層和能夠記錄與復(fù)制信息的信息記錄介質(zhì)含有氧化物A－O或A－O－M(A是至少含有Te，Sb，Ge，Sn，In，Zn，Mo和W中任意一種的材料，而M是至少含有金屬元素、半金屬元素和半導(dǎo)體金屬元素中任意一種的材料)，在生產(chǎn)該層的過程中使用的濺射靶子至少含有A－O和，A和/或M。使用該方法，甚至可在大規(guī)模生產(chǎn)線上生產(chǎn)出具有高重現(xiàn)性和穩(wěn)定性的記錄層。
文檔編號G11B7/243GK1606080SQ200410084969
公開日2005年4月13日 申請日期2004年10月8日 優(yōu)先權(quán)日2003年10月8日
發(fā)明者宇野真由美, 兒島理惠, 山田升 申請人:松下電器產(chǎn)業(yè)株式會社