專利名稱：光信息記錄介質(zhì)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明特別是關(guān)于可藉由DVD-R等之短波長領(lǐng)域之激光來記錄及再生之熱模式的改寫型之光信息記錄介質(zhì)。
記錄、再生文字，圖形等之圖像或影像或聲音等之?dāng)?shù)據(jù)的手段，作為對應(yīng)于波長770～830nm之激光之記錄及再生之記錄材料例如使用具有含五次甲基系花青色素之記錄層的光盤CD-R已為人所知，但是目前使用可以更短波長例如620～690nm之紅色激光進行高密度記錄及再生之DVD-R(Digital，video，disc record double或digital versatiledisc record double)等作為介質(zhì)使用。
作為這種DVD-R，在特愿平9-251487號說明書中公開了具有使用特定三次甲基系花青色素之記錄層的光信息記錄介質(zhì)。
但是對于上述說明書所示具有與吲哚環(huán)鍵合之具有苯環(huán)或萘環(huán)之三次甲基系花青色素，當(dāng)其苯環(huán)或萘環(huán)之取代基為不包括硝基之氫原子等時，具有含該色素之色素層之光干涉層的吸收光譜如

圖1所示，基於色素分子間之相互作用及締合作用之吸收的次波峰b之吸光度h2相對于因色素分子之譜帶隙能所產(chǎn)生之吸收而形成色素分子本身之吸收的主波峰a之吸光度h1來說過大，因此由這些主波峰a及次波峰b所構(gòu)成之光譜不會形成尖銳狀，且顯示該尖銳度之光譜之半值寬度d(由主波峰a及次波峰b所構(gòu)成之光譜對於h1/2之吸光度的寬度)也無法縮小。
如上述，光譜無法形成尖銳狀時，對於光干涉層照射激光形成溝紋時之記錄靈敏度，即光干涉層之單位膜厚之吸光度無法增加，因此必須使色素層厚度增加，記錄功率增加，或降低記錄速度，且記錄時因溝紋與溝紋之間所易產(chǎn)生之蓄熱使溝紋變形易引起所稱的熱干涉，因而影響調(diào)制度或振動(Jitter)等之特性。
本發(fā)明之第1目的系提供具有對於DVD之記錄用之短波長激光可改善色素分子之吸收波峰與其分子締合之締合波峰比的光干涉層的光信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明之第2目的系提供對於DVD之短波長激光可得到記錄靈敏度良好，較薄膜厚之光干涉層的光信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明之第3目的系提供對於DVD之記錄用之短波長激光而言，調(diào)制度或振動等特性優(yōu)異之光信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明之第4目的系提供對於DVD之記錄用之短波長激光而言，記錄功率低，可高速記錄的光信息記錄介質(zhì)。
本發(fā)明人等為了解決上述問題而精心研究的結(jié)果發(fā)現(xiàn)特別是對於DVD之記錄用之短波長激光在色素層上具有與吲哚環(huán)鍵合之苯環(huán)或萘環(huán)上具有硝基之取代基之三次甲基系花青色素之光干涉層系如圖1所示，次波峰對主波峰較低，且能使由主波峰及次波峰所構(gòu)成之光譜形成尖銳狀，從而完成本發(fā)明。
因此，本發(fā)明系提供一種光信息記錄介質(zhì)，系(1)在基板上具有含色素層之光干涉層的光信息記錄介質(zhì)，該色素層含有以下述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，該光干涉層可用選自波長620nm～690nm波長領(lǐng)域之激光來進行記錄及再生。
〔化1〕 [但A表示下列一般式[化2]～[化5]中之任一個，
化2
化3
化4
化5
A’系表示下列一般式[化6]～[化9]中之任一個，
化6
化7
化8
化9
A與A’系可相同或不同(但M，n為取代基的數(shù)目，分別為1或復(fù)數(shù)的整數(shù))，R，R’系表示選自取代或非取代之烷基，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷氧基，烷基羥基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基胺基甲?；?，烷基胺磺?；?，羥基，鹵原子，烷基烷氧基，鹵化烷基，烷基磺酰基，與金屬離子或烷基鍵合之烷基羧基或烷基磺?；交?，芐基，烷基苯基及苯氧基烷基(可用烷基，羧基，羥基，鹵原子等之金屬離子以外之取代基取代苯環(huán)部分及/或烷基部分之氫原子，前述苯基，芐基，烷基苯基之該部分也相同)之群的取代基，可相同或不同，X-系表示選自鹵原子，PF6-，SbF6-，磷酸，高氯酸，硼氟化氫酸，苯磺酸，甲苯磺酸，烷基磺酸，苯羧酸，烷基羧酸，三氟甲基羧酸，高碘酸，SCN-，四苯硼酸及鎢酸的陰離子群的陰離子]又本發(fā)明系(2)提供上述(1)之光信息記錄介質(zhì)，其中色素層除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素外，還含有其他的色素，且全色素中至少含有50重量％之該一般式[化1]之三次甲基系花青色素。(3)系提供如上述(1)或(2)之光信息記錄介質(zhì)，其中光干涉層含有金屬配位化合物。
本發(fā)明之光干涉層可藉由波長620nm～690nm之波長領(lǐng)域之激光進行記錄及再生，此光干涉層可用於DVD-R。
本發(fā)明之光干涉層系指由有機色素材料所構(gòu)成之色素層，其他有機材料或無機材料所構(gòu)成之層所成，包括含有能以激光照射形成溝紋之單一層或多層之色素層的記錄層；除了此記錄層外也包括為調(diào)整光信息記錄介質(zhì)之光學(xué)物性之目的調(diào)整折射率，膜厚的例如由樹脂材料所構(gòu)成之加強層；進而，在基板與色素層間，當(dāng)色素層為多層時其間所設(shè)置之中間層等。光干涉層為這些記錄層等之統(tǒng)稱。
上述之色素層含有上述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，該色素可舉出例如有在一般式中A為任意選自上述一般式[化2]～[化5]之一般式，A’為任意選自上述一般式[化6]～[化9]之一般式，且兩者各自選擇后分別組合的化合物。例如一般式[化2]與一般式[化6]～[化9]之各組合，其他一般式[化3]～[化5]也相同。A，A’之取代基(NO2)m，(NO2)n之m，n至少為1、復(fù)數(shù)的整數(shù)即為2以上的整數(shù)。，這些色素可單獨使用或多個并用。
具有含三次甲基系花青色素(與吲哚環(huán)結(jié)合之苯環(huán)或萘環(huán)上具有硝基取代基者)之光干涉層上照射激光時，對於激光波長之吸光度的光譜使用圖1之符號表示時，能使主波A與次波b之吸光度比h2/h1為0.8以下，且由主波峰A與次波峰b所構(gòu)成之光譜之半值寬度d為100nm以下。使用其他之取代基如氫原子等取代上述一般式[化1]中之A，A’之取代基的硝基時，上述之吸光度比h2/h1至少為0.8以上，無法降至0.8以下，上述之光譜之半值寬度d至少為100nm以上無法降至100nm以下。
如上述，三次甲基系花青色素之吲哚環(huán)所鍵合之苯環(huán)或萘環(huán)上導(dǎo)入硝基使次波峰縮小，由主波峰及次波峰所構(gòu)成之光譜形成尖銳(Sharp)，增加光干涉層之單位膜厚之吸光度，提高記錄效率，換言之提高記錄靈敏度。記錄靈敏度提高時，即使光干涉層之膜厚比以往更薄，例如最多70nm厚，即70nm以下也能使調(diào)制度符合現(xiàn)在的規(guī)格，同時因膜厚較薄也能抑制記錄時之溝紋間的蓄熱，可抑制因該蓄熱使溝紋變形，即所謂的熱干涉現(xiàn)象，且振動特性良好。
記錄靈敏度良好，調(diào)制度或振動等特性良好時，可降低記錄功率，或提高記錄速度。
本發(fā)明之光干涉層上可設(shè)置并用除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素的其他色素之一種或多種之相同的色素層或其他的色素層，全色素中使上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素至少混合50重量％，即形成混合50重量％以上之混合系時，調(diào)制度或振動的特性比不混合上述其他色素時稍差，但仍能滿足上述規(guī)格。
上述其他色素例如有下列一般式[化10]表示之三次甲基系花青色素。 [但B系表示下列一般[化11]～[化14]中任一個]，
化11
化12
化13
化14
B’系表示下列一般式[化15]～[化18]中任一個，化15
化16

化17
化18
B與B’可相同或不同(但D1，D2系分別選自氫原子，烷基，烷氧基，羥基，鹵原子，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷基羥基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基氨基甲酰基，烷基胺磺?；?，烷基磺酰基，苯基，氰基，酯基，硝基，?；?，烯丙基，芳基，芳氧基，烷基硫基，芳基硫基，苯基偶氮基，吡啶偶氮基，烷羰基胺基，磺酰胺基，胺基，烷基磺基，硫代氰基，巰基，氯磺酸基，烷基偶氮次甲基，烷胺基磺基，乙烯基及磺基所成群的取代基，可相同或不同，p，q為取代基的數(shù)目，系分別表示1或多數(shù)的整數(shù)(但不包括D1，D2同時僅選擇硝基的情況))。R，R’系與上述一般式[化1]相同]。
此一般式[化10]中，B為任意選自上述一般式[化11]～[化14]之一，B’為任意選自上述一般式[化15]～[化18]之一，且兩者所選擇后分別所有組合的化合物。例如有一般式[化11]與一般式[化15]～[化18]之各組合，而其他一般式[化12]～[化14]也相同。B，B’之取代基(D1)p，(D2)q之p，q至少為1，多數(shù)的整數(shù)，即2以上的整數(shù)。
上述一般式[化1]，[化11]所表示之色素的合成法可利用TheChemistry of Synthetic Dyes Vol 14所記載的方法。
上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素或其他的色素可只使用這些色素，但為了提高耐光性時，色素層或其他層中可含有作為光穩(wěn)定化劑之金屬配位化合物。
這種金屬配位化合物例如有下述一般式[化19]表示之化合物。
化19
[其中R1，R2系分別表示SO2R3(但R3系以下述[化20]表示)，化20
鹵原子，苯基，烷基，氰基，硫化烷基，烷基磺?；?，r，s系表示1～4的整數(shù)，R4為烷基，Y系表示N或P，M系表示Cu，Co或Ni等之金屬。
上述一般式[化19]之具體化合物除了後述之實施例所示者外，例如有下述[化21]，[化22]的化合物。
化21
化22
制造本發(fā)明之光信息記錄介質(zhì)時，系調(diào)制上述一般式[化1]表示之花青色素，或這些色素與上述一般式[化10]表示之花青色素之其他色素予以溶解的混合色素(其中前者混合50重量％以上較理想)，或?qū)⑸鲜鲆话闶絒化19]表示之金屬配位化合物溶解於上述色素的溶液，然後涂布於透光性的基板上。這些之色素溶液可使用氯仿，二氯乙烷，氟化醇等之氟系溶劑，甲基乙基酮，二甲基甲酰胺，甲醇，甲苯，環(huán)己酮，乙?；?，甲基溶纖素等之溶纖素類，二噁烷等。此時花青色素之混合比例理想為1重量％～10重量％。
本發(fā)明用之基板例如有玻璃或環(huán)氧樹脂，甲基丙烯酸樹脂，聚碳酸酯樹脂，聚酯樹脂，聚氯化乙烯樹脂，聚烯烴樹脂等之塑料。此基板上可形成軌道溝或溝紋，也可為具有位址信號所需之信號者。
使用旋轉(zhuǎn)涂布法將上述花青色素溶液涂布於基板上較理想。此時乾燥後之涂布層其厚度也可使用以往使用的厚度。
本發(fā)明之光干涉層可含有上述金屬配位化合物以外之單態(tài)氧消失劑，光吸收劑，游離基捕捉劑等之其他的化合物。
除了上述光干涉層外可設(shè)置反射層，此反射層上可具有保護層，進而，在基板面(激光之入射側(cè))也可具有保護層。
反射層可舉出例如有藉由蒸鍍，濺鍍等所形成之Au，Al，Ag，Cu，Pt，這些之其他合金，這些以外添加微量成分之合金等之金屬膜等之高反射率材料膜，保護層可舉出例如以保護光信息記錄介質(zhì)及提高耐候性等，且以旋轉(zhuǎn)涂布法等涂布紫外線硬化型樹脂等之放射線硬化型樹脂之溶液，經(jīng)放射線硬化之涂布層。
如上述可得到在基板上設(shè)置含有色素層之光干涉層、反射層、更進一步設(shè)置保護層等之光盤。也可以將至少含有該光干涉層之其他相同構(gòu)成或其他構(gòu)成之光盤予以貼合，或使基板相對粘貼。
此貼合之材料，方法例如可使用紫外線硬化樹脂，陽離子性硬化樹脂，兩面粘結(jié)片，熱熔融法，旋轉(zhuǎn)涂布法，分散法(擠壓法)，網(wǎng)版印刷法，輥涂方式等。
依據(jù)以下實施例詳細(xì)說明，使用軌跡距為0.74μm(可為0.80μm)，僅具有顫動(wobble)信號(也可同時具有預(yù)置溝紋信號)之聚碳酸酯基板，光干涉層的色素層使用屬於上述一般式[化1]之化合物的，①上述一般式[化2]與一般式[化6]之組合所成的色素、②特別是m，n同時為1的色素；③R，R’為相同，以碳數(shù)8為中心之無支鏈之烷基或苯基烷基(低級烷基)的色素、④特別是X-為高氯酸之陰離子的色素之各色素之假吲哚(インドレニン)系之三次甲基系花青色素，調(diào)制各色素的溶液，及屬於①～④之各色素與屬於上述一般式[化19]，且R3為[化20]之金屬絡(luò)合物的溶液，又這些色素溶液中再添加屬於上述一般式[化10]之化合物的，⑤由上述一般式[化11]與一般式[化16]之組合所成之色素、⑥特別是D1，D2同時為氫原子之色素、⑦R，R2不相同，且碳數(shù)3，4等之低級烷基之色素；⑧特別是X-為碘之陰離子之色素之各假吲哚色素，調(diào)制的屬於上述⑤～⑧之各色素的溶液。上述①～④的色素溶液占色素整體之60～70重量份。使用這些溶液藉由旋轉(zhuǎn)涂布法可形成乾燥膜厚為50～70nm之光干涉層的色素層。此時光干涉層之吸收光譜如圖1所示之吸收波峰之吸光度比h2/h1充其量為0.8，換言之可在0.8以下，理想為0.6～0.75，由主波峰a及次波峰b所構(gòu)成之光譜的半值寬度d最大為100nm，即100nm以下，理想為80nm～100nm。然後設(shè)置用濺射之Au或Al之反射層，其上藉由旋轉(zhuǎn)涂布法形成由紫外線硬化樹脂所構(gòu)成之保護層，更進一步藉由旋轉(zhuǎn)涂布法之由紫外線硬化樹脂所構(gòu)成之粘著劑粘貼聚碳酸酯基板，得到貼合型光盤。
上述制得之光盤上照射620～690nm之激光進行記錄時，可提高調(diào)制度，振動等之特性，且與除了使用上述⑤～⑧的色素取代屬於上述一般式[化1]之①～⑤的色素外其余相同地制得之光盤比較時，記錄功率可降低，或為相同記錄功率時也可提高記錄速度。實施例1藉由射出成型法形成在表面上有寬0.32μM，深度100nm，間距0.74μM之螺旋狀群組的由厚度0.6mm，外徑(直徑)120mmφ之聚碳酸酯所構(gòu)成之透明的基板。
其次以重量比95∶5混合下述[化23]所示之三次甲基系花青色素NK-2084(日本感光色素研究所制)及以下述[化24]表示之金屬絡(luò)合物之光穩(wěn)定化劑，將此混合物溶解於氟化醇例如2，2，3，3-四氟-1-丙醇(東京化成公司制，以下簡稱TFP)成為3重量％，將該溶液以旋轉(zhuǎn)涂布於基板表面，形成由膜厚60nm之感光色素膜所構(gòu)成之光干涉層。
化23
化24
以可見紫外分光光度計/U-4000((株)日立制作所制)測定該光干涉層之吸收光譜[吸光度(AbS)之波長400～800nm之波長依存性]得到如圖2之光譜。次波峰對主波峰之吸光度比(與圖1之吸光度比h2/h1對應(yīng))為0.74，光譜之半值寬度(與由主波峰及次波峰所構(gòu)成之光譜對圖1之h1/h2之寬度d對應(yīng))為96nm。
在此光干涉層上由基板之44mmφ～117mmφ之全領(lǐng)域藉由濺鍍法作成膜厚80nm之AU膜，形成反射層。
此反射層上旋轉(zhuǎn)涂布紫外線硬化樹脂SD-211(大日本油墨化學(xué)工業(yè)公司制)，該涂膜上照射紫外線使之硬化形成膜厚5μM之保護膜。
進而，將紫外線硬化樹脂SD-318(大日本油墨化學(xué)工業(yè)公司制)滴入基板之保護膜及未形成該保護膜之光干涉層上，然後將相同方法所形成之其他基板置於其上，藉由旋轉(zhuǎn)涂布法使樹脂擴散至其間隙後，再由重疊之基板側(cè)照射紫外線硬化之，在基板之32mmφ～120mmφ之領(lǐng)域內(nèi)形成由樹脂所構(gòu)成之厚度25μM的粘著層，貼合重疊之基板，制成貼合型之光盤。
依據(jù)NA(開口率(numerical aperture))＝0.6激光波長＝635nm之DDU-1000(Pulsetex公司之記錄機以線速3.5M/秒記錄於上述制得之光盤上，再以橫河電機公司制時間間隔分析儀/TA-320測定振動。依據(jù)DVD Specification for Read-only Disc之規(guī)格時，Data to ClockJitter系指以通道位速度＝26.6mbps(38.23 n SE c)為基準(zhǔn)時鐘脈沖，將二值資料邊緣信號的偏差值σ形成規(guī)格化者。關(guān)於Jitter之評價基準(zhǔn)系以最小溝紋長為0.4μm，對於線速3.5M/秒之EFM信號進行調(diào)制。以時鐘脈沖規(guī)格化時，進而，為了使信號錯誤而不會反調(diào)制時，9％為其限度，理想為8.5％以下，換言之最高也不超過8.5％較理想。
又使用波長650nm之激光測定記錄後之調(diào)制度I14/ItopItop為HF(EFM)信號之最大反射光量，幾乎與I14之最大反射光量一致。I14系被記錄之組群內(nèi)之被記錄之最長溝紋中，被衍射返回對物鏡之光量及在非溝紋部之反射返回透鏡之光量差所構(gòu)成之光學(xué)調(diào)制成分的信號。
對於上述制得之光盤進行W.O.M.(Weather-ometer)之耐光試驗。其測定條件系使用東洋精機制作所制Atolas weather-ometerC135A，在溫度30℃，濕度70～80％RH之氣氛下，使氙光源之6.5kw之光通過光盤之主面照射80小時，求出試驗前後之上述調(diào)制度(I14/Itop)，并進行比較。
上述各測定值的結(jié)果如表1所示。表中表示現(xiàn)在通用的規(guī)格值。
此實施例系使用上述一般式[化1]中，A，A’同時為具有一個硝基之苯環(huán)，R，R’同為相同之碳數(shù)8之烷基之三次甲基系花青色素的例子，可籍由波長635nm之激光記錄及藉由波長650nm之激光再生，調(diào)制度高，且Jitter也不高。由耐光試驗前後之調(diào)制度得知耐光性良好。
實施例2除了使用上述一般式[化1]之下述[化25]之三次甲基系花青色素取代實施例1之三次甲基系花青色素NK-2084外，其余同實施例1的方法制作由色素層所構(gòu)成之光干涉層及進行下述步驟制作光盤，同實施例1的方法測定光干涉層的結(jié)果如圖3，表1所示，對於光盤則同實施例1進行記錄，測定結(jié)果如表1所示。
此實施例之光盤雖與實施例1所用的色素在上述一般式[化1]中R，R’為同樣的苯基乙基方面有所不同，但可藉由波長635nm之激光進行記錄及可藉由波長650nm之激光進行再生，Jitter不高，調(diào)制度也稍微優(yōu)於實施例1。
化25
實施例3除了以重量化60∶35∶5使用實施例1之三次甲基系花青色素NK-2084，以下述[化26]表示之三次甲基系花青色素NK-4370(日本感光色素研究所制)及金屬配位化合物外，與實施例1相同制作由色素層所構(gòu)成之光干涉層及進行後述步驟制作光盤，同實施例1測定光干涉層結(jié)果如圖4，表1所示，對於光盤則同實施例1進行記錄，測定結(jié)果如表1所示。
化26
此實施例之光盤系使用混合(重量比60∶35)屬於上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素NK-2084和屬於上述一般式[化10]之上述三次甲基系花青色素NK-4370的例子，可藉由波長635nm之激光記錄以波長650nm之激光進行再生，Jitter高於實施例1，2，調(diào)制度也較差，皆無法符合規(guī)格值。
實施例4除了實用實施例2之上述[化25]所示之三次甲基系花青色素及不使用上述[化24]之金屬配位化合物外，其余同實施例2制作由色素層所構(gòu)成之光干涉層及進行後述的步驟制作光盤，同實施例1測定光干涉層的結(jié)果如表1所示(光干涉層之吸收光譜，依據(jù)此吸收光譜之計算值h2/h1，d幾乎與圖2一致)，對於光盤則同實施例1進行記錄，測定的結(jié)果如表1所示。
此實施例之光盤系未并用金屬配位化合物之光穩(wěn)定劑之例子，可藉由波長635nm之激光來記錄及藉由波長650nm之激光進行再生，Jitter不高，調(diào)制度優(yōu)於實施例1，2，但耐光試驗結(jié)果稍差。
比較例1除了使用偶氮色素(Altorich公司制，型號36，482，Disperse Red13)取代實施例1之三次甲基系花青色素NK-2084，及不使用上述[化24]之金屬配位化合物外，其余同實施例1制作由色素層所構(gòu)成之光干涉層及進行後述之步驟制作光盤，同實施例1測定光干涉層的結(jié)果如圖5，表1所示，對於光盤則同實施例1進行記錄，測定的結(jié)果如表1所示。
此比較例之光盤系使用不屬於上述一般式[化1]且也不屬於花青色素之偶氮色素，且未并用作為光穩(wěn)定化劑之金屬絡(luò)合物之例子，而次波峰/主波峰之吸光度比，由主波峰及次波峰所構(gòu)成之光譜的半值寬度皆大於上述實施例，又Jitter在規(guī)格外，耐光試驗結(jié)果也差。
由以上結(jié)果得知實施例與比較例比較時，其次波峰/主波峰之吸光度比及半值寬度有明顯差異，且實施例之光干涉層之吸收波峰比比較例更尖銳，此事實可充分反映Jitter特性。在實施例中并用作為光穩(wěn)定化劑之金屬錯合物時，明顯提高耐光性。
由這些結(jié)果得知上述本案發(fā)明可限定「Jitter為8.5以下，調(diào)制度為70％以上(不并用屬於上述一般式[化1]之色素時，而開用時為66％以上)」，另外可限定「光干涉層其可見紫外分光光度計之最大吸收波峰(主波峰)波長及第二大吸收波峰(次波峰)波長在500～655nm之范圍內(nèi)」。
上述本案發(fā)明限定為「一般式[化1]」，「一般式[化10]」，「一般式[化19]」之各種組合之一部分，或限定為理想之實施例所舉之色素或金屬絡(luò)合物之一部分或全部，更進一步可追加上述之限定事項。
本發(fā)明系提供一種光信息記錄介質(zhì)，其特徵系可設(shè)置對於DVD之記錄用之短波長激光可改善色素之主波峰與次波峰之吸光度比，且使用這些波峰所構(gòu)成之光譜之半值寬度縮小形成尖銳之波峰之光干涉層，藉此達到記錄靈敏度佳，較薄膜厚之光涉層，且調(diào)制度或Jitter等之特性優(yōu)，記錄功率低，可進行高速記錄。
附圖之簡單說明[圖1]系表示本發(fā)明之由含有不屬於上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素(屬於上述一般式[化10]之色素)之色素層所構(gòu)成之光干涉層之吸收光譜圖。系表示本發(fā)明之由含有屬於上述一般式[化1]之一例之色素之色素層所構(gòu)成之光干涉層的吸收光譜圖。系表示本發(fā)明之由含有屬於上述一般式[化1]之其他例之色素之色素層所構(gòu)成之光干涉層的吸收光譜圖。系表示本發(fā)明之由并用屬於上述一般式[化1]之色素(與圖3相同的色素)與屬於上述一般式[化10]之色素之色素層所構(gòu)成之光干涉層的吸收光譜圖。系表示由含有偶氮色素之色素層所構(gòu)成之光干涉層之吸收光譜圖。
權(quán)利要求
1.一種光信息記錄介質(zhì)，系在基板上具有含色素層之光干涉層的光信息記錄介質(zhì)，其特徵為該色素層含有以下述一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，該光干涉層可藉由選自波長620nm～690nm波長領(lǐng)域之激光進行記錄及再生，化1
其中A系表示下列一般式[化2]～[化5]中之任一個，化2
化3
化4
化5
A’系表示下列一般式[化6]～[化9]中之任一個，化6
化7
化8
化9
A與A’系可相同或不同(但m，n為取代基的數(shù)目，分別為1或復(fù)數(shù)的整數(shù))，R，R’系表示選自取代或非取代之烷基，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷氧基，烷基羥基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基氨基甲?；?，烷基胺磺酰基，羥基，鹵原子，烷基烷氧基，鹵化烷基，烷基磺?；c金屬離子或烷基鍵合之烷基羧基或烷基磺?；?，苯基，芐基，烷基苯基及苯氧基烷基(可以烷基，羧基，羥基，鹵原子等之金屬離子以外之取代基取代苯環(huán)部分及/或烷基部分之氫原子，前述苯基，芐基，烷基苯基之該部分也相同)之群的取代基，可相同或不同，X-系表示選自鹵原子，PF6-，SbF6，磷酸，高氯酸，硼氟化氫酸，苯磺酸，甲苯磺酸，烷基磺酸，苯羧酸，烷基羧酸，三氟甲基羧酸，高碘酸，SCN-，四苯硼酸及鎢酸的陰離子群的陰離子；其中光干涉層以可見紫外分光光度計在波長400～800nm范圍測定之吸收光譜中，主波峰h1與次波峰h2之吸光度比h2/h1為0.8以下，且由主波峰與次波峰所構(gòu)成之光譜之半值寬度為100nm以下。
2.如權(quán)利要求1所述的光信息記錄介質(zhì)，其中光干涉層以可見紫外分光光度計測得之最大吸收峰(主波峰)波長及第2大吸收峰(次波峰)波長為500～655nm。
3.如權(quán)利要求2所述的光信息記錄介質(zhì)，其中色素層除了上述一般式[化1]之三次甲基系花青色素外，還含有下述一般式[化10]表示之三次甲基系花青色素的其他色素，且全色素中至少含有50重量％的該一般式[化1]之三次甲基系花青色素，化10
其中B系表示下列一般式[化11]～[化14]中之任一個，化11
化12
化13
化14
其中B’系表示下列一般式[化15]～[化18]中之任一個，化15
化16
化17
化18
B與B’系可相同或不同，其中D1、D2系分別選自氫原子、烷基，烷氧基，羥基，鹵原子，羧基，烷氧基羰基，烷基羧基，烷基羥基，芳烷基，烯基，烷基酰胺基，烷基胺基，烷基磺酰胺基，烷基氨基甲?；榛坊酋；榛酋；?，苯基，氰基，酯基，硝基，酰基，烯丙基，芳基，芳氧基，烷基硫基，芳基硫基，苯基偶氮基，吡啶偶氮基，烷羰基氨基，磺酰胺基，氨基，烷基磺基，氰硫基，巰基，氯磺基，烷基偶氮次甲基，烷胺基磺基，乙烯基及磺基的取代基，可相同或不同，p，q為取代基的數(shù)目，系分別表示1或復(fù)數(shù)的整數(shù)(但不包括D1、D2同時僅選擇硝基的情況)，R，R’系與上述一般式[化1]相同。
4.如權(quán)利要求2或3之光信息記錄介質(zhì)，其中光干涉層含有下述一般式[化19表示]的金屬配位化合物，化19
其中R1，R2系分別表示SO2R3，其中R3系以下述[化20]表示的基，化20
鹵原子，苯基，烷基，氰基，硫化烷基，烷基磺酰基，r，s系表示1～4的整數(shù)，R4為烷基，Y系表示N或P，M系表示Cu，Co或Ni等之金屬。
全文摘要
本發(fā)明系提供一種光信息記錄介質(zhì)，系在基板上具有含色素層之光干涉層的光信息記錄介質(zhì)，該色素層含有以一般式[化1]表示之三次甲基系花青色素，且該光干涉層可藉由選自波長620nm～690nm波長領(lǐng)域之激光進行記錄及再生。
文檔編號G11B7/24GK1523595SQ200310104498
公開日2004年8月25日 申請日期1999年7月19日 優(yōu)先權(quán)日1998年7月17日
發(fā)明者田島俊明, 壽, 藤井徹, 富澤祐壽, 美子, 浜田惠美子 申請人:太陽誘電株式會社