專利名稱:高密度只再現(xiàn)光盤和從該光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法
技術(shù)領(lǐng)域:
本發(fā)明涉及一種高密度只再現(xiàn)光盤,其具有在盤相關(guān)信息被記錄為高頻凹槽擺動(dòng)(wobble)在其中的帶和用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)凹坑記錄在其中的帶之間的過(guò)渡帶,和從該光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
背景技術(shù):
通常,光盤是被用于以非接觸方式記錄/再現(xiàn)信息的光學(xué)拾取裝置中的信息記錄介質(zhì)。根據(jù)它們的存儲(chǔ)容量,光盤被分類為壓縮光盤(CD)或數(shù)字通用光盤(DVD)。能記錄、擦除和再現(xiàn)信息的光盤類型的例子包括650MB可記錄CD(CD-R)、可擦寫CD(CD-RW)、4.7GB DVD+RW、DVD隨機(jī)存取存儲(chǔ)器(DVD-RAM)和DVD-RW。650MB CD和4.7GB DVD-ROM是只再現(xiàn)盤的例子。此外,例如具有20GB或更多的記錄容量的HD-DVD的高密度光盤已經(jīng)被開(kāi)發(fā)。
通常,盤相關(guān)信息,即只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被以凹坑的形式記錄在位于傳統(tǒng)只再現(xiàn)光盤的里面的部分的導(dǎo)入?yún)^(qū)中。然而,為了設(shè)計(jì)與已知的或以后開(kāi)發(fā)的高密度可記錄光盤相同的光盤驅(qū)動(dòng)器兼容的只再現(xiàn)光盤,兩種盤的格式必須相容。因此,高密度只再現(xiàn)光盤的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)需要考慮高密度可記錄光盤的格式來(lái)設(shè)計(jì)。
發(fā)明內(nèi)容
因此,本發(fā)明的一方面提供一種高密度只再現(xiàn)光盤,具有只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被通過(guò)高頻凹槽擺動(dòng)記錄在其中的高頻數(shù)據(jù)帶、用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)凹坑記錄在其中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)、和在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間提供的過(guò)渡帶,其盤格式與高密度可記錄光盤的格式相容,和一種從該光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
本發(fā)明的另外的方面和/或優(yōu)點(diǎn)將部分在隨后的描述中闡明,且部分將從描述中清楚,或可以通過(guò)本發(fā)明的實(shí)踐獲悉。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上的和/或其它方面,提供一種高密度只再現(xiàn)光盤,包含盤相關(guān)信息被通過(guò)高頻擺動(dòng)記錄在其中的高頻數(shù)據(jù)帶;用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄在其中的用戶數(shù)據(jù)區(qū);和形成于高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶。
過(guò)渡帶可以包含凹坑行,在其中凹坑可以具有相同的大小或不同的大小。
一個(gè)或多個(gè)凹坑行可以被擺動(dòng)。擺動(dòng)的凹坑行的振幅可以從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小。
過(guò)渡帶可以包含凹槽或鏡像區(qū)。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和/或其它方面,提供一種從具有數(shù)據(jù)帶、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和過(guò)渡帶的只再現(xiàn)光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法,該方法包含使用推挽通道從數(shù)據(jù)帶再現(xiàn)通過(guò)擺動(dòng)記錄的盤相關(guān)信息,使用總和(sum)通道再現(xiàn)通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的盤相關(guān)信息,和使用推挽通道和總和通道從形成于數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶再現(xiàn)過(guò)渡帶信息。
為了實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的以上和/或其它方面,提供一種關(guān)于具有數(shù)據(jù)帶、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和過(guò)渡帶的只再現(xiàn)光盤的記錄數(shù)據(jù)的方法,該方法包含在數(shù)據(jù)帶中通過(guò)擺動(dòng)記錄盤相關(guān)信息,在用戶數(shù)據(jù)區(qū)通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄用戶數(shù)據(jù),和在形成于數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶中記錄過(guò)渡帶信息。
通過(guò)下面結(jié)合附圖對(duì)優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行的描述,本發(fā)明的這些和/或其它方面和優(yōu)點(diǎn)將會(huì)變得清楚和更易于理解,其中圖1是與本發(fā)明相關(guān)的高密度可記錄光盤的結(jié)構(gòu)的示意性視圖;圖2是根據(jù)本發(fā)明的高密度只再現(xiàn)光盤的結(jié)構(gòu)的示意性視圖;圖3A到3C是示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤的結(jié)構(gòu)的視圖;圖4A到4C是示出根據(jù)本發(fā)明其它實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤的結(jié)構(gòu)的視圖;和圖5是示出根據(jù)本發(fā)明另外的實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤的結(jié)構(gòu)的視圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在對(duì)本發(fā)明的本優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)的描述,其示例表示在附圖中,其中,相同的標(biāo)號(hào)始終表示相同部件。下面通過(guò)參照附圖對(duì)實(shí)施例進(jìn)行描述以解釋本發(fā)明。
圖1顯示了與本發(fā)明相關(guān)的高密度可記錄光盤的物理結(jié)構(gòu)。該高密度可記錄光盤包含導(dǎo)入?yún)^(qū)110、用戶數(shù)據(jù)區(qū)120和導(dǎo)出區(qū)130。用戶數(shù)據(jù)區(qū)包含凹槽軌123和岸軌125。這里,用戶數(shù)據(jù)能僅被記錄在凹槽軌123上,或既能記錄在凹槽軌123上又能記錄在岸軌125上。
在只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被記錄的地方,以具有特定的頻率的波的形式的擺動(dòng)信號(hào)105和106被連續(xù)地記錄在每一凹槽軌123的兩側(cè)壁上和/或岸軌125而不是凹坑上。這里,只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被沿著凹槽軌123和/或岸軌125傳播的激光束L記錄或再現(xiàn)。特別地,導(dǎo)入?yún)^(qū)110和導(dǎo)出區(qū)130分別包含用于記錄盤相關(guān)信息的只再現(xiàn)區(qū)(未顯示)和可記錄區(qū)(未顯示)。盤相關(guān)信息被通過(guò)高頻擺動(dòng)信號(hào)105記錄。此外,在導(dǎo)出區(qū)130和導(dǎo)入?yún)^(qū)110的可記錄區(qū)中以及在用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中,數(shù)據(jù)被通過(guò)比高頻擺動(dòng)信號(hào)105低的頻率的擺動(dòng)信號(hào)106記錄。標(biāo)號(hào)127表示形成于用戶數(shù)據(jù)區(qū)120中的記錄標(biāo)記。
在具有以上結(jié)構(gòu)的高密度可記錄光盤中,記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)110中的只再現(xiàn)數(shù)據(jù)可以使用推挽通道再現(xiàn),并且用戶數(shù)據(jù)可以使用總和通道再現(xiàn)。
根據(jù)本發(fā)明的高密度只再現(xiàn)光盤的物理數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)被設(shè)計(jì)以與上述的高密度可記錄光盤的結(jié)構(gòu)相容。
圖2顯示根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤。該光盤包含導(dǎo)入?yún)^(qū)10、用戶數(shù)據(jù)區(qū)13和導(dǎo)出區(qū)15。例如盤相關(guān)信息的只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被記錄在導(dǎo)入?yún)^(qū)10和導(dǎo)出區(qū)15中的至少一個(gè)中。只再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)被記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)13中。
凹槽軌3和岸軌5被交錯(cuò)地形成于導(dǎo)入?yún)^(qū)10和導(dǎo)出區(qū)15,并具有高頻數(shù)據(jù)帶,在其中例如盤相關(guān)信息的只再現(xiàn)數(shù)據(jù)被通過(guò)按照波形成的高頻凹槽擺動(dòng)8在每一個(gè)凹槽軌3或岸軌5的側(cè)壁上分別被記錄。此外,只再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)凹坑18記錄,例如,在該盤被生產(chǎn)時(shí)。顯示在圖2中的盤是一種混合盤(hybrid disc)并且具有不同的再現(xiàn)通道用于只再現(xiàn)數(shù)據(jù)和用戶數(shù)據(jù)。具體地說(shuō),正如在顯示在圖1中的高密度可記錄光盤中,在高密度只再現(xiàn)光盤中,記錄在高頻數(shù)據(jù)帶中的只再現(xiàn)數(shù)據(jù)可以使用推挽通道再現(xiàn),并且記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)的用戶數(shù)據(jù)可以使用總和通道再現(xiàn)。因此,本發(fā)明提供一種具有與高密度可記錄光盤的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)相容的數(shù)據(jù)結(jié)構(gòu)的高密度只再現(xiàn)光盤。
在高密度只再現(xiàn)光盤中,包含凹槽擺動(dòng)8被形成于其中的高頻數(shù)據(jù)帶和在其中凹坑18被形成的用戶數(shù)據(jù)區(qū),過(guò)渡帶被在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間被形成。由于過(guò)渡帶,用戶數(shù)據(jù)能被穩(wěn)定地從用戶數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)。
圖3A的實(shí)施例顯示過(guò)渡帶可以包含凹坑行。凹坑行可以由如顯示在圖3A中的具有相同大小的凹坑的排列形成,或由如顯示在圖3B中的具有不同大小的無(wú)規(guī)則的凹坑的排列形成。在凹坑行由無(wú)規(guī)則的凹坑組成的情形中,例如過(guò)渡帶信息的預(yù)定信息可以通過(guò)凹坑行被記錄。參考圖3A,過(guò)渡帶的軌道間距TP2可以不同于高頻數(shù)據(jù)帶的軌道間距TP1或用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距TP3。
圖3C顯示形成于過(guò)渡帶中的凹坑行可以是擺動(dòng)的。在過(guò)渡帶包含擺動(dòng)的凹坑行的情況下,過(guò)渡帶信息可以根據(jù)擺動(dòng)的凹坑行的形式被記錄。具體地說(shuō),在那里,考慮到凹槽擺動(dòng)不在被過(guò)渡帶跟隨的用戶數(shù)據(jù)區(qū)中形成,擺動(dòng)的凹坑行的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小,以使過(guò)渡帶的最外面的部分的凹坑行與在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中一樣是不擺動(dòng)的。因此,數(shù)據(jù)能被以更穩(wěn)定的方式從用戶數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)。換句話說(shuō),由于在過(guò)渡帶最外面的部分的凹坑行的形狀與用戶數(shù)據(jù)區(qū)幾乎相同,所以即使在過(guò)渡帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)間的邊界,用戶數(shù)據(jù)區(qū)被穩(wěn)定的再現(xiàn)而不需要大的改變。此外,具有以上結(jié)構(gòu),盤的生產(chǎn)過(guò)程更容易。
例如,在過(guò)渡帶包含擺動(dòng)的凹坑行的情況下,數(shù)據(jù)再現(xiàn)通道和用在高頻數(shù)據(jù)帶、過(guò)渡帶、和用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的尋軌方法如下<表1>
在過(guò)渡帶信息被從過(guò)渡帶中的擺動(dòng)的凹坑行再現(xiàn)的情況下,信號(hào)既在推挽通道也在總和通道中被探測(cè)。由于推挽通道和總和通道都被用在過(guò)渡帶,所以使用總和通道從用戶數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)的數(shù)據(jù)的可靠性能被提高。也就是,在過(guò)渡帶中的數(shù)據(jù)能使用同在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的數(shù)據(jù)一樣的通道被再現(xiàn)。由于在表1中的用于采用伺服尋軌的DPD(相差偵測(cè))方法和推挽方法是眾所周知的方法,它們的描述將被省略。
如顯示在表1中,被用于高頻數(shù)據(jù)帶、過(guò)渡帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)的數(shù)據(jù)再現(xiàn)通道不同的情況下,過(guò)渡帶能通過(guò)偵測(cè)此再現(xiàn)通道信號(hào)被識(shí)別。也就是,在區(qū)域中的信號(hào)既被通過(guò)推挽通道又被通過(guò)總和通道偵測(cè)的情況下,該偵測(cè)區(qū)域是過(guò)渡帶。
此外,沿著盤的切線方向和徑向之一的預(yù)定的段可以被指定為過(guò)渡帶。
根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤將在下面描述。該盤包含被設(shè)置在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶。
例如,過(guò)渡帶可以由如顯示在圖4A中的非擺動(dòng)的凹槽或如顯示在圖4B中擺動(dòng)的凹槽構(gòu)成。在過(guò)渡帶是由凹槽擺動(dòng)構(gòu)成的情況下,例如過(guò)渡帶信息的預(yù)定的信息可以被通過(guò)凹槽擺動(dòng)記錄在過(guò)渡帶中。這里,過(guò)渡帶的軌道間距TP2可以不同于高頻數(shù)據(jù)帶的軌道間距TP1或用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距TP3。例如,由于軌道間距的差別,過(guò)渡帶是有分別的。
此外,在顯示在圖4C的實(shí)施例中,過(guò)渡帶包含凹槽擺動(dòng),并且凹槽擺動(dòng)的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小。因此,由于在過(guò)渡帶的最外面的部分的凹槽擺動(dòng)的形狀與用戶數(shù)據(jù)區(qū)幾乎相同,所以即使在過(guò)渡帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的邊界上,用戶數(shù)據(jù)被再現(xiàn)而沒(méi)有大的改變。也就是,數(shù)據(jù)能被從用戶數(shù)據(jù)區(qū)穩(wěn)定地再現(xiàn)。
圖5顯示根據(jù)本發(fā)明的另一個(gè)實(shí)施例的高密度只再現(xiàn)光盤。該盤包含盤相關(guān)信息被以高頻擺動(dòng)記錄在其中的高頻數(shù)據(jù)帶;用戶數(shù)據(jù)被以凹坑記錄在其中的用戶數(shù)據(jù)區(qū);和其形成在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶。在這個(gè)實(shí)施例中,過(guò)渡帶包含鏡像區(qū)。在過(guò)渡帶包含鏡像區(qū)的情況下,在過(guò)渡帶中沒(méi)有再現(xiàn)信號(hào)被偵測(cè)到。
產(chǎn)業(yè)上的可利用性在根據(jù)本發(fā)明的高密度只再現(xiàn)光盤中,只有信息沒(méi)有被記錄在其中的過(guò)渡帶被在光盤中指定,或過(guò)渡帶信息被記錄在過(guò)渡帶中。
現(xiàn)在將描述從根據(jù)本發(fā)明的高密度只再現(xiàn)光盤中再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法。
根據(jù)該方法,通過(guò)推挽通道盤相關(guān)信息被從高頻數(shù)據(jù)帶中的高頻凹槽擺動(dòng)中再現(xiàn),并且通過(guò)總和通道用戶數(shù)據(jù)被從用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的凹坑中再現(xiàn)。此外,使用推挽通道和總和通道,過(guò)渡帶信息被從在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間提供的過(guò)渡帶再現(xiàn)。因此,在信號(hào)被既通過(guò)推挽通道又通過(guò)總和通道偵測(cè)的情況下,可以被發(fā)現(xiàn)該信號(hào)被偵測(cè)的區(qū)域是過(guò)渡帶。這里,過(guò)渡帶包含凹坑行,并且凹坑行是擺動(dòng)的。由于從凹坑再現(xiàn)用戶數(shù)據(jù)使用總和通道并且從高頻凹槽擺動(dòng)再現(xiàn)盤相關(guān)信息使用推挽通道,所以從擺動(dòng)的凹坑行再現(xiàn)過(guò)渡帶信息使用總和通道和推挽通道。
如上所述,由于高密度只再現(xiàn)光盤包含在盤相關(guān)信息被通過(guò)高頻擺動(dòng)記錄在其中的高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)凹坑記錄在其中的用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶,所以從用戶數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的可靠性被提高。
盡管本發(fā)明的一些實(shí)施例被顯示和描述,本領(lǐng)域的技術(shù)人員應(yīng)該理解,可以在不脫離本發(fā)明的原則和精神的前提下對(duì)實(shí)施例進(jìn)行改變,其范圍被在權(quán)利要求及其等同物中限定。
權(quán)利要求
1.一種高密度只再現(xiàn)光盤,包含高頻數(shù)據(jù)帶,在其中盤相關(guān)信息被通過(guò)高頻擺動(dòng)記錄;用戶數(shù)據(jù)區(qū),在其中用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄;和過(guò)渡帶,其在高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間形成。
2.如權(quán)利要求1所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶包含凹坑。
3.如權(quán)利要求2所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶中的凹坑具有相同的大小并被排列成一或多行。
4.如權(quán)利要求2所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶中的凹坑具有不同的大小并被排列成一或多行。
5.如權(quán)利要求2所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中凹坑被排列成行,并且凹坑的一或多行是擺動(dòng)的。
6.如權(quán)利要求5所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,擺動(dòng)的凹坑行的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小。
7.如權(quán)利要求2所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,預(yù)定的信息被通過(guò)凹坑在過(guò)渡帶中記錄。
8.如權(quán)利要求2所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,凹坑被排列成行,并且過(guò)渡帶具有與高頻數(shù)據(jù)帶的軌道間距或用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距不同的軌道間距。
9.如權(quán)利要求6所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,在其最外面部分的過(guò)渡帶的凹坑行不是擺動(dòng)的。
10.如權(quán)利要求1所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶包含凹槽。
11.如權(quán)利要求10所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,凹槽是擺動(dòng)的。
12.如權(quán)利要求11所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,擺動(dòng)的凹槽的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小。
13.如權(quán)利要求1所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶包含鏡像區(qū)。
14.如權(quán)利要求1所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶包含預(yù)定的信息。
15.如權(quán)利要求14所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,預(yù)定信息包含過(guò)渡帶信息。
16.如權(quán)利要求5所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶信息被通過(guò)一個(gè)或多個(gè)擺動(dòng)的凹坑記錄在過(guò)渡帶中。
17.如權(quán)利要求1所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中,過(guò)渡帶具有與高頻數(shù)據(jù)帶的軌道間距或用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距不同的軌道間距。
18.一種從具有數(shù)據(jù)帶、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和過(guò)渡帶的只再現(xiàn)光盤再現(xiàn)數(shù)據(jù)的方法,該方法包含使用推挽通道再現(xiàn)通過(guò)擺動(dòng)記錄在數(shù)據(jù)帶中的盤相關(guān)信息;使用總和通道再現(xiàn)通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄在用戶數(shù)據(jù)區(qū)中的用戶數(shù)據(jù);和既使用推挽通道又使用總和通道,從形成于數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶再現(xiàn)過(guò)渡帶信息。
19.如權(quán)利要求18所述的方法,其中,過(guò)渡帶包含排列成行的凹坑。
20.如權(quán)利要求19所述的方法,其中,在過(guò)渡帶中的凹坑具有不同的大小。
21.如權(quán)利要求19所述的方法,其中,一個(gè)或多個(gè)凹坑行是擺動(dòng)的。
22.如權(quán)利要求21所述的方法,其中,擺動(dòng)的凹坑行的振幅從數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸減小。
23.如權(quán)利要求18所述的方法,其中,盤相關(guān)信息的再現(xiàn)包含再現(xiàn)通過(guò)高頻擺動(dòng)記錄的盤相關(guān)信息。
24.如權(quán)利要求10所述的高密度只再現(xiàn)光盤,其中凹槽被排列成行,并且過(guò)渡帶具有與數(shù)據(jù)帶的軌道間距或用戶數(shù)據(jù)區(qū)的軌道間距不同的軌道間距。
25.一種只再現(xiàn)介質(zhì),包含數(shù)據(jù)帶,在其中盤相關(guān)信息被通過(guò)擺動(dòng)記錄;用戶數(shù)據(jù)區(qū),在其中用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑記錄;和形成于數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶。
26.如權(quán)利要求25所述的只再現(xiàn)介質(zhì),其中,該只再現(xiàn)介質(zhì)是高密度只再現(xiàn)光盤。
27.如權(quán)利要求25所述的只再現(xiàn)介質(zhì),其中,過(guò)渡帶包含一個(gè)或多個(gè)凹坑行。
28.如權(quán)利要求25所述的只再現(xiàn)介質(zhì),其中,過(guò)渡帶包含凹槽和鏡像區(qū)之一。
29.一種關(guān)于具有數(shù)據(jù)帶、用戶數(shù)據(jù)區(qū)和過(guò)渡帶的只再現(xiàn)光盤的記錄數(shù)據(jù)的方法,該方法包含通過(guò)擺動(dòng)在數(shù)據(jù)帶記錄盤相關(guān)信息;通過(guò)數(shù)據(jù)凹坑在用戶數(shù)據(jù)區(qū)記錄用戶數(shù)據(jù);和在形成于數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶中記錄過(guò)渡帶信息。
30.如權(quán)利要求29所述的方法,其中,過(guò)渡帶信息的記錄包含記錄以預(yù)定數(shù)量的行排列的凹坑。
31.如權(quán)利要求30所述的方法,其中,凹坑的記錄包含擺動(dòng)一個(gè)或多個(gè)凹坑行。
32.如權(quán)利要求31所述的方法,其中,一個(gè)或多個(gè)凹坑行的擺動(dòng)包含擺動(dòng)一個(gè)或多個(gè)凹坑行使得擺動(dòng)的凹坑行的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸地減小。
33.如權(quán)利要求30所述的方法,其中,凹坑的記錄包含記錄具有相同大小的凹坑和記錄具有不同大小的凹坑之一。
34.如權(quán)利要求29所述的方法,其中,過(guò)渡帶信息的記錄包含在過(guò)渡帶中提供凹槽。
35.如權(quán)利要求34所述的方法,其中,凹槽的提供包含擺動(dòng)該凹槽。
36.如權(quán)利要求35所述的方法,其中,凹槽的擺動(dòng)包含擺動(dòng)凹槽使得擺動(dòng)的凹槽的振幅從高頻數(shù)據(jù)帶向用戶數(shù)據(jù)區(qū)逐漸地減小。
37.如權(quán)利要求29所述的方法,其中,盤相關(guān)信息的記錄包含通過(guò)高頻擺動(dòng)在數(shù)據(jù)帶記錄盤相關(guān)信息。
全文摘要
一種高密度只再現(xiàn)光盤,包含盤相關(guān)信息被通過(guò)高頻擺動(dòng)記錄在其中的高頻數(shù)據(jù)帶;用戶數(shù)據(jù)被通過(guò)凹坑記錄在其中的用戶數(shù)據(jù)區(qū);和形成于高頻數(shù)據(jù)帶和用戶數(shù)據(jù)區(qū)之間的過(guò)渡帶。因此,從用戶數(shù)據(jù)區(qū)再現(xiàn)數(shù)據(jù)的可靠性提高。
文檔編號(hào)G11B7/005GK1666265SQ03815333
公開(kāi)日2005年9月7日 申請(qǐng)日期2003年6月19日 優(yōu)先權(quán)日2002年6月28日
發(fā)明者李坰根, 樸仁植, 盧明道, 尹斗燮, 樸昶敏 申請(qǐng)人:三星電子株式會(huì)社