專利名稱：帶有分區(qū)低環(huán)境區(qū)域的低環(huán)境壓力滑塊的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及一種用于磁盤驅(qū)動器的空氣軸承滑塊。更具體地，本發(fā)明適合于一種低環(huán)境壓力空氣軸承滑塊的多級表面結構。
背景技術：
硬盤驅(qū)動器是慣常的信息儲存設備，基本上包括一系列用磁性讀寫元件存取的可旋轉的磁盤。這些數(shù)據(jù)轉送元件，通常被稱為傳感器，一般由一個位于與磁盤上形成的離散數(shù)據(jù)軌道緊密相關位置的滑塊體攜帶并嵌入其中，以實現(xiàn)數(shù)據(jù)的讀寫操作。為了把傳感器放入相對于磁盤表面的合適位置，在滑塊體上形成的空氣軸承表面(ABS)有一個氣流用來為滑塊和傳感器在磁盤數(shù)據(jù)軌道上的“飛行”提供足夠的提升力。磁盤的高速旋轉產(chǎn)生一股沿著磁盤表面的氣流或風，其方向大體上與磁盤的切向速度平行。這股氣流與滑塊體的ABS共同作用使得滑塊可以在旋轉的磁盤上飛越。懸浮的滑塊通過這個自驅(qū)空氣軸承與磁盤的表面有效地分離。滑塊的ABS通常形成在面對著旋轉磁盤的滑塊表面，并在很大程度上影響不同條件下滑塊在磁盤上飛躍的能力。
ABS設計的一些主要目的是使得滑塊及附隨于其上的傳感器在旋轉磁盤表面飛越時距離盡可能地近，并且均勻地保持這個恒定的近距離而不用考慮變化的飛越條件。在空氣軸承滑塊和旋轉磁盤之間的高度或分離間隙通常由飛越高度決定。通常，裝配后的傳感器或讀/寫元件僅僅在距磁盤表面至多百分之幾英寸的上方飛越?；瑝K的飛越高度被視為裝配后的讀/寫元件影響磁盤讀取和紀錄能力的最重要的評價參數(shù)之一。例如，減少或者有一個相對較小的飛越高度有許多優(yōu)點。一個較小的飛越高度可使傳感器對來自磁盤表面緊密界定的區(qū)域之間的不同數(shù)據(jù)位區(qū)域和磁性區(qū)間達到更大的分辨率。已經(jīng)知道，一個低距離飛越的滑塊可以為磁盤提供改進的高密度記錄或者存儲能力，這種改進通常由傳感器與磁性介質(zhì)之間的距離限定。狹窄的分離間隙結果允許波長更短的信號被記錄或讀取。同時，隨著更輕更緊湊的使用相對小然而有力的磁盤驅(qū)動器的筆記本電腦進一步流行，對于有更低飛越高度的更小的滑塊體的需求也在不斷增長。
人們還觀察到一個恒定的飛越高度可以提供令人滿意的好處，這可以通過特別的ABS設計來更容易地實現(xiàn)。已經(jīng)知道飛越高度的浮動會對附隨的傳感器或讀/寫元件的分辨率和數(shù)據(jù)轉送能力產(chǎn)生負面影響。當飛越高度相對恒定時被記錄或讀取的信號的振幅不會大幅變化。另外，飛越高度的變化可能導致滑塊裝配件和磁性旋轉圓盤的無意中的接觸。滑塊通常被認為既有直接接觸，假性接觸，也有飛越的滑塊被描述成與旋轉的磁盤有意接觸。不考慮滑塊的類型，人們通常希望避免與旋轉磁盤表面的不必要的接觸從而減少滑塊體與磁盤的磨損。記錄介質(zhì)的損壞或磨損可能導致記錄數(shù)據(jù)的丟失，同時滑塊的磨損還會導致傳感器或磁性元件的根本失效。
經(jīng)常導致飛越高度變化的是滑塊執(zhí)行讀寫操作時越過旋轉磁盤的連續(xù)高速運動。例如，磁盤的不同線性速度依賴于滑塊的徑向位置。在旋轉磁盤的外邊緣可以觀察到較高的速度，同時內(nèi)邊緣的速度較低。作為結果，空氣軸承滑塊相對于磁盤在不同的徑向位置以不同的相對速度滑動。由于滑塊速度越高，飛越高度也越高，當位于磁盤外部上方的位置時飛越高度有一種增加的趨勢。同時，在磁盤內(nèi)部區(qū)域的較低速度導致滑塊飛越得更低。相應地，滑塊的設計必須考慮徑向位置和相對速度的變化對飛越高度的顯而易見的影響。
滑塊的飛越高度還受斜度變化的負面影響。傾斜角由滑塊體的縱向軸線和相對磁盤旋轉成切向的氣流的方向之間形成的夾角確定并測量。當裝配后的滑塊位于旋轉磁盤的內(nèi)側或外側邊緣，它的縱向軸線通常相對氣流方向傾斜。滑塊的縱向軸線可以被確定為沿著滑塊體長度方向的參考中心線。當一個旋轉的操作臂和萬向節(jié)懸浮元件繞其樞軸旋轉從而使滑塊在旋轉磁盤上方以弓形軌道運動時，這些有角度的方向或傾斜角典型地在變化?？紤]到對有相對小的操作臂的緊湊型磁盤驅(qū)動器不斷增長的需求，由于更短的臂長出現(xiàn)更多的是較大的傾斜角?？梢越?jīng)常觀察到當傾斜值為零度以上，滑塊受壓減少，從而產(chǎn)生人們不愿看到的飛越高度的降低。甚至一個相對適中的傾斜角范圍對滑塊的飛越能力都有負面影響。作為結果，ABS的設計不斷嘗試使滑塊對傾斜變化的靈敏度最小化。
另一個飛越高度的浮動可能被確定為滑塊滾動。滾動角由滑塊縱向邊之間的飛越高度的差異測量并確定。只要滑塊相對氣流的方向傾斜飛越，在ABS和磁盤之間就會傾向于產(chǎn)生一個不平衡的壓力分布。這種不平衡使得當滑塊體的一邊離磁盤表面比另一邊更近時，滑塊滾動。然而，一個滑塊，優(yōu)選地被設置為一個恒定的滑塊滾動而不考慮飛越條件的任何變化，包括旋轉磁盤內(nèi)外軌道之間切線速度的差異，以及在磁盤上方不斷的橫向運動和變化的傾斜角。
如

圖1所示，已知用于常見的雙體滑塊5的ABS設計可由一對沿著面向磁盤的滑塊表面外邊緣延伸的平行軌道2和4形成。其他的包括三個或更多的附加軌道，帶有不同表面區(qū)域和幾何形狀的ABS結構也已經(jīng)被開發(fā)出來了。兩個軌道2和4典型地沿著從前緣6到尾緣8的滑塊體長度的至少一部分運動。前緣6被確定為滑塊的邊緣，旋轉磁盤在通過滑塊5的長度向尾緣8運動之前要先通過此邊緣。如圖所示，前緣6可以是錐形的，盡管不希望的大公差典型地與這個機加工有關。傳感器或磁性元件7典型地沿著如圖1所示的滑塊的尾緣8的某個位置安裝。軌道2和4形成一個空氣軸承表面，滑塊在其上飛越，并通過與旋轉磁盤產(chǎn)生的氣流的接觸提供必要的提升力。當磁盤旋轉時，產(chǎn)生的風或氣流沿著雙體軌道2和4的下面以及在中間運動。當氣流通過軌道2和4的下方，軌道與磁盤之間的氣壓增加，從而提供正壓力以及提升力。雙體滑塊通常產(chǎn)生足夠數(shù)量的提升力，或正負載力，以使得滑塊在旋轉磁盤上方的合適高度飛越。沒有軌道2和4，滑塊體5的大的表面區(qū)域會產(chǎn)生一個過于巨大的空氣軸承表面區(qū)域。大體上，當空氣軸承表面區(qū)域增加，它產(chǎn)生的提升力也增加。沒有軌道，滑塊可能就會飛越得距旋轉磁盤太遠，從而喪失前面所述的低飛越高度的所有好處。
如圖2闡明的，一個頭部萬向節(jié)組件40通常為滑塊提供多個自由度，例如描述滑塊飛越高度的垂直間隔，或傾斜角以及滾動角。如圖2所示，一個懸掛部分74將頭部萬向節(jié)組件40支撐在運動的磁盤76(有邊緣70)的上方并沿箭頭80表示的方向運動。當操作圖2所示的磁盤驅(qū)動器時，一個操作元件72使磁頭萬向節(jié)元件在磁盤76上方的不同直徑上運動(例如，越過弧75的內(nèi)徑(ID)，中徑(MD)，外徑(OD))。
盡管雙體滑塊在提供一個適當?shù)娘w越高度上最初是有效的，它們對變化的傾斜角范圍和其他負面的飛越條件特別靈敏。當傾斜角增加，例如當飛越的滑塊在旋轉磁盤上方運動，在軌道下面的空氣壓力分布可能被扭曲。通過以相對高速接近磁盤的內(nèi)部和外部區(qū)域，數(shù)量不均勻的空氣被引入每個軌道的下方，典型地導致滑塊如圖1所描述的滾動。結果是，滑塊的壓力分布不均勻，使得滑塊在一個方向上滾動，這樣在ABS軌道之間的飛越高度不一致。于是裝配后的傳感器可能不能有效操作或精確的實現(xiàn)其數(shù)據(jù)傳送操作。不考慮ABS軌道對不同傾斜范圍和其他負面飛越條件的靈敏度，這個軌道設計被普遍承認是為滑塊飛越提供有效壓力或提升力的通用結構。
為了抵消滑塊體的正壓力以提供一個低的和恒定的飛越高度，已經(jīng)知道形成一個也提供負的或低環(huán)境壓力來向著磁盤推動或牽引滑塊體的ABS。例如，已經(jīng)知道負壓空氣軸承(NPAB)或自負載滑塊可提供抵消負壓負載。在這個雙重壓力系統(tǒng)中，ABS可以通常有一個前緣、一個尾緣、側軌道以及一個在側軌之間延伸的基本上H形導向的交叉軌道。交叉軌道，經(jīng)常定位于離滑塊前緣比尾緣更近的位置，產(chǎn)生一個沿交叉軌道延伸并在側軌道之間的低環(huán)境壓力區(qū)。低環(huán)境壓力區(qū)產(chǎn)生一個負壓力或負載抵消了順著ABS側軌道部分產(chǎn)生的正壓力。已經(jīng)知道這個正負力的抵消增加了滑塊的穩(wěn)定性和空氣軸承的硬度，提供了滑塊的快速起飛，并且降低了它對條件變化的靈敏度，例如可以產(chǎn)生引起飛越高度浮動的變化的磁盤速度和徑向運動。與磁盤內(nèi)外軌道之間的變化的速度相一致的正負壓力的補償變化，有利于保持充分的恒定和穩(wěn)定的飛越高度的全部目的。但是，在低環(huán)境壓力系統(tǒng)中產(chǎn)生的補償力可能經(jīng)常產(chǎn)生不利影響，事實上導致飛越高度的變化。由于軌道下方不平衡的空氣壓力或分布，一個NPAB滑塊經(jīng)常表現(xiàn)出明顯的滾動，還有在傾斜條件下的飛越高度的降低。
通常知道的已經(jīng)開發(fā)出來的另一種類型的ABS軌道修正是橫向壓力結構(TPC)。一個TPC可以沿著它們的空氣軸承表面區(qū)域的邊緣形成在ABS軌道的不同位置。已經(jīng)觀察到在特定應用下的傾斜角它減少了一些飛越高度上的變化。當穿過軌道表面的氣流有橫向成分，TPC軌道的橫向邊緣提供的輪廓可以受到正壓力，同時一個輪廓平衡負壓由沿著其它軌道橫向邊緣的輪廓產(chǎn)生。結果是，在ABS上的全部壓力分布可以保持相對不變，包括那些在氣流的橫向成分趨于產(chǎn)生不平衡壓力從而有變動傾斜角范圍的區(qū)域。
所有以上提到的用于空氣軸承滑塊的ABS結構和修正都試圖達到一個低的和恒定的飛越高度。這些ABS設計提供了不同程度的效果，全都不能很好地控制飛越高度，或傾斜和滾動角度。例如，許多現(xiàn)有的ABS設計已經(jīng)被觀察到表現(xiàn)出了在磁盤外部軌道區(qū)域的極度增加的滑塊滾動角。當從內(nèi)軌道向外軌道區(qū)運動時，這些結構也典型地不能控制滑塊傾斜角的增加。這樣，需要為空氣軸承滑塊提供一種ABS結構，可以有效保持恒定飛越高度和控制滾動角而不用考慮持續(xù)變化的飛越條件，例如磁盤外部區(qū)域和內(nèi)部區(qū)域的相對速度的差異，滑塊對旋轉磁盤的相對位置，以及不同的傾斜角范圍。
圖2是按照本發(fā)明(未按比例)裝配后的空氣軸承滑塊的平面圖。
圖3是按照本發(fā)明一個實施例的低環(huán)境壓力滑塊的底部平面圖。
圖4是圖3所示滑塊與低環(huán)境區(qū)域未被分區(qū)的滑塊的飛越高度相比較的曲線圖。
圖5是按照本發(fā)明的替代實施例的低環(huán)境壓力滑塊的底部平面圖。
圖6是按照本發(fā)明的替代實施例的低環(huán)境壓力滑塊的底部平面圖。
圖7是按照本發(fā)明的替代實施例的低環(huán)境壓力滑塊的底部平面圖。
圖8是按照本發(fā)明的替代實施例的低環(huán)境壓力滑塊的底部平面圖。
在圖3中，按照本發(fā)明的一個實施例，軌道12和14之間的低環(huán)境壓力區(qū)被分為多個區(qū)域。在這個例子中，低環(huán)境壓力區(qū)被分為在前部15之后的一個第一區(qū)域19和一個第二區(qū)域20。在這個實施例中，第二區(qū)域可被指稱為低環(huán)境壓力區(qū)的外-后象限，因為第二區(qū)域?qū)嵸|(zhì)上是位于滑塊后部以及位于滑塊體外部邊緣(相對于運動的磁盤)的區(qū)域的一個象限。第一低環(huán)境壓力區(qū)19可以這樣被形成，例如，通過將那個區(qū)域蝕刻到在20至100微英寸之間的深度(如，50微英寸)。優(yōu)選地，低環(huán)境壓力區(qū)19的深度要深于前部15的深度。在這個實施例中，第二低環(huán)境壓力區(qū)20的深度為在20至200微英寸之間。優(yōu)選地，第二低環(huán)境壓力區(qū)20比第一低環(huán)境壓力區(qū)19的深度要深。這樣，例如，當區(qū)域19的深度為50微英寸，第二低環(huán)境壓力區(qū)20的深度可以是130微英寸。
在本發(fā)明的這個實施例中，滑塊10還包括其他特征。例如，軌道12和14可以包括一個尾部襯墊21，這個襯墊包括一個磁性讀/寫頭22。在這個例子中，尾部襯墊有兩個平面，一個深度等于軌道24和26的深度的第一平面21a，以及一個深度為2至50微英寸之間的第二平面22a。軌道24和26也可以包括深度等于尾部襯墊第二平面的深度的第二結構24a和26a。更進一步地，還可以采用高于軌道12，14的抗靜摩擦襯墊25，27。這些襯墊可以為滑塊10提供改進的初動并防止當滑塊10距離運動的磁盤很近時損傷軌道12，14。
在操作時，圖3中的帶有分區(qū)的低環(huán)境壓力區(qū)的滑塊會有一個在運動磁盤的直徑范圍上更統(tǒng)一的飛越高度。如現(xiàn)有技術已知的，當滑塊在運動磁盤的內(nèi)部直徑和外部直徑之間運動時，氣流的方向和氣流的量是變化的。在圖3的滑塊中，內(nèi)部直徑的氣流是從左下方向的角度而外部直徑的氣流是從左上方向的角度。在內(nèi)部直徑上，低環(huán)境壓力區(qū)提供一個力迫使滑塊向著運動磁盤的方向。與有統(tǒng)一深度的低環(huán)境壓力區(qū)相比，相對更深的低環(huán)境壓力區(qū)20增加了對滑塊的這個吸引力。另一方面，在外部直徑上，由于氣流的不同方向，第二環(huán)境壓力區(qū)在為滑塊提供這個吸引力的方面發(fā)揮很小的作用。結果是為滑塊提供了更平滑的飛越高度。按照圖4，一個曲線圖示出了圖3中滑塊的相對飛越高度(用菱形表示)和有統(tǒng)一低環(huán)境壓力區(qū)的滑塊的相對飛越高度(用方塊表示)。從內(nèi)部直徑到外部直徑，圖3中的滑塊在飛越高度上的變化少于5％。有統(tǒng)一的低環(huán)境壓力區(qū)的滑塊，其對于運動磁盤的不同直徑的飛越高度的變化可高達20％。
圖5至8示出了本發(fā)明的替代實施例。在圖5中，低環(huán)境壓力區(qū)被二等分。低環(huán)境壓力區(qū)的內(nèi)側部分50的深度等于圖3的第一區(qū)域的深度，外側部分的深度等于圖3中的第二區(qū)域的深度。在圖6中，低環(huán)境壓力區(qū)的劃分方式大部分與圖5中的滑塊相同。在這種情形下，低環(huán)境壓力區(qū)的內(nèi)側部分60的深度等于圖3的第一區(qū)域的深度，外側部分61的深度等于圖3中的第二區(qū)域的深度。圖6中實施例的不同之處在于，內(nèi)側部分60沿外側部分61和外部軌道之間的通道60a延伸。在圖7中，區(qū)域78的深度等于圖3的第一區(qū)域的深度，區(qū)域71的深度等于圖3中的第二區(qū)域的深度。在這個實施例中，區(qū)域78從滑塊的前部沿軌道之間延伸，同時區(qū)域71在尾部襯墊的前方并向著尾部襯墊的邊緣延伸。
在圖8的實施例中，低環(huán)境壓力區(qū)被分成四個象限81-84。每個象限的深度可依賴存在于內(nèi)部和/或外部直徑的條件來確定。作為例子，象限81和83的深度可以確定從而以運動磁盤的內(nèi)部或外部直徑之一確定飛越高度。一旦飛越高度被確定，象限82和84的深度可以確定從而以其它極端確定飛越高度(也就是，外部和內(nèi)部直徑之一)。希望的是將內(nèi)部和外部直徑的飛越高度設置得盡可能接近。深度的精確設定可以通過用特定深度制造滑塊并用重復過程改變深度數(shù)值來得到。優(yōu)選地，這個過程用計算機模擬來完成(例如，使用下面描述的等式1)。
任何滑塊的飛越高度都依賴于正壓力(例如，在滑塊的空氣軸承軌道上產(chǎn)生的)與負或低環(huán)境壓力(例如，在軌道之間的低環(huán)境壓力區(qū)的)的平衡。在滑塊下方產(chǎn)生的壓力的大小取決于稱作軸承數(shù)值A的非直徑條件，可被定義為A=6μULph2]]>等式1其中μ＝空氣粘度，U＝空氣的線性速度，L＝特征長度，
p＝環(huán)境壓力，h＝特征高度。
相應地，從等式1，氣流速度的變化可以通過改變特征高度來平衡。這可以通過控制滑塊的低環(huán)境壓力區(qū)分區(qū)區(qū)域的數(shù)量、形狀和深度來達到。
如上文所述的帶有分區(qū)低環(huán)境壓力區(qū)的滑塊設計的可能優(yōu)點之一是滑塊對空氣速度不敏感。當滑塊對空氣速度不敏感時，滑塊可以從磁盤上以相對快的方式“起飛”而避免對磁盤和滑塊的磨損。另一個按照本設計的滑塊的可能優(yōu)點是同樣的滑塊可以用于以不同旋轉速度(例如，5400和7200RPM)和不同高度運轉的驅(qū)動器。
當本發(fā)明被參照上述申請描述時，并非對優(yōu)選實施例的描述的有意限制。應該理解本發(fā)明的所有方面都不限于這里闡明的依賴于多種空氣動力學原理和變量的具體的描述、結構或尺寸，并可以例如通過計算機模擬程序使用如位于加利福尼亞伯克萊的加利福尼亞大學的計算機機械實驗室開發(fā)的計算機模擬程序來確定。在形式和細節(jié)上對所公開的設備的不同修正，還有本發(fā)明的其他改變，在參考了本發(fā)明所公開內(nèi)容的基礎上對本領域普通技術人員是很明顯的。在此預期隨附的權利要求將覆蓋所有對所述實施例所作的修改或改變，因為它們都落入了本發(fā)明的本質(zhì)精神和范圍。
權利要求
1.一個低環(huán)境壓力空氣軸承滑塊，包括一個由前緣，一個沿滑塊體縱向延伸的內(nèi)邊緣和外邊緣，以及一個尾緣確定的滑塊體，所述滑塊體包括一個包括至少第一和第二軌道的空氣軸承表面；一個從滑塊的前緣向所述第一和第二軌道的前部延伸的前部；一個在前部以及第一和第二軌道之間延伸的低環(huán)境壓力區(qū)，其中所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成至少第一和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域有一個第一深度以及所述第二區(qū)域有一個第二深度，以及所述第二深度比所述第一深度深。
2.如權利要求1所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域位于所述滑塊體的外-后象限。
3.如權利要求2所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
4.如權利要求1所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的內(nèi)側半從滑塊體的前部延伸，以及第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸。
5.如權利要求2所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
6.如權利要求1所述的滑塊，其中所述第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半以及第一區(qū)域在滑塊的內(nèi)側半從滑塊的前部延伸并包括一個沿滑塊的前部并在第二區(qū)域和所述第一、第二軌道之一之間延伸的通道。
7.如權利要求6所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
8.如權利要求1所述的滑塊，還包括一個位于最接近滑塊尾緣的尾部襯墊，其中所述第一區(qū)域從所述前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域沿所述尾部襯墊布置。
9.如權利要求8所述的滑塊，其中所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
10.如權利要求1所述的滑塊，其中所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成第一、第二、第三和第四區(qū)域。
11.一種頭部萬向節(jié)組件，包括一個滑塊，包括一個由前緣，一個沿滑塊體縱向延伸的內(nèi)邊緣和外邊緣，以及一個尾緣確定的滑塊體，所述滑塊體包括一個包括至少第一和第二軌道的空氣軸承表面；一個從滑塊的前緣向所述第一和第二軌道的前部延伸的前部；一個在前部以及第一和第二軌道之間延伸的低環(huán)境壓力區(qū)，其中所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成至少第一和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域有一個第一深度以及所述第二區(qū)域有一個第二深度，以及所述第二深度比所述第一深度深。
12.如權利要求11所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域位于所述滑塊體的外-后象限。
13.如權利要求12所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
14.如權利要求11所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的內(nèi)側半從滑塊體的前部延伸，以及第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸。
15.如權利要求12所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
16.如權利要求11所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半以及第一區(qū)域在滑塊的內(nèi)側半從滑塊的前部延伸并包括一個沿滑塊的前部并在第二區(qū)域和所述第一、第二軌道之一之間延伸的通道。
17.如權利要求16所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
18.如權利要求11所述的頭部萬向節(jié)組件，其中所述滑塊還包括一個位于最接近滑塊尾部邊緣的尾部襯墊，其中所述第一區(qū)域從所述前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域沿所述尾部襯墊布置。
19.如權利要求18所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
20.如權利要求11所述的頭部萬向節(jié)組件，其中對于滑塊所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成第一、第二、第三和第四區(qū)域。
21.一種磁盤驅(qū)動器，包括一個可旋轉的磁盤；一個連接到一個調(diào)節(jié)器的頭部萬向節(jié)組件，所述頭部萬向節(jié)組件包括一個滑塊，所述滑塊包括一個由前緣，一個沿滑塊體縱向延伸的內(nèi)邊緣和外邊緣，以及一個尾緣確定的滑塊體，所述滑塊體包括一個包括至少第一和第二軌道的空氣軸承表面；一個從滑塊的前緣向所述第一和第二軌道的前部延伸的前部；一個在前部以及第一和第二軌道之間延伸的低環(huán)境壓力區(qū)，其中所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成至少第一和第二區(qū)域，所述第一區(qū)域有一個第一深度以及所述第二區(qū)域有一個第二深度，以及所述第二深度比所述第一深度深。
22.如權利要求21所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第一區(qū)域從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域位于所述滑塊體的外-后象限。
23.如權利要求22所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊，所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間，以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
24.如權利要求21所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第一區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的內(nèi)側半從滑塊體的前部延伸，以及第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半從滑塊體的前部在所述第一和第二軌道之間延伸。
25.如權利要求22所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
26.如權利要求21所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第二區(qū)域在低環(huán)境壓力區(qū)的外側半以及第一區(qū)域在滑塊的內(nèi)側半從滑塊的前部延伸并包括一個沿滑塊的前部并在第二區(qū)域和所述第一、第二軌道之一之間延伸的通道。
27.如權利要求26所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
28.如權利要求21所述的磁盤驅(qū)動器，其中所述滑塊還包括一個位于最接近滑塊尾部邊緣的尾部襯墊，其中所述第一區(qū)域從所述前部在所述第一和第二軌道之間延伸，以及所述第二區(qū)域沿所述尾部襯墊布置。
29.如權利要求28所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述第一區(qū)域的深度在20至100微英寸之間以及所述第二區(qū)域的深度在20至200微英寸之間。
30.如權利要求21所述的磁盤驅(qū)動器，其中對于滑塊所述低環(huán)境壓力區(qū)被分成第一、第二、第三和第四區(qū)域。
全文摘要
用于磁盤驅(qū)動器的低環(huán)境壓力空氣軸承滑塊以及類似物，其中低環(huán)境壓力區(qū)被分成兩個或更多區(qū)域。例如，一個從軌道之間延伸的第一區(qū)域有一個與軌道高度有關的深度(例如，在20至100微英寸之間)，同時第二區(qū)域有一個更深的深度(例如，在20至200微英寸之間)。在一個實施例中，第二區(qū)域位于相對于滑塊尾部邊緣和更接近運動磁盤外部直徑的軌道的外后象限。通過把低環(huán)境壓力區(qū)分區(qū)以及適當選擇分區(qū)的深度，滑塊可以在不同的磁盤旋轉速度和不同的運行高度下，達到在運動磁盤直徑范圍上更統(tǒng)一的飛越高度。
文檔編號G11B21/21GK1475989SQ0314769
公開日2004年2月18日 申請日期2003年6月7日 優(yōu)先權日2002年6月7日
發(fā)明者E·T·查, H·Q·潘, E T 查, 潘 申請人:新科實業(yè)有限公司