專利名稱：：限寫一次型光記錄媒體及其反射率的調整方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及限寫一次型(WRITE-ONCETYPE)光記錄媒體，尤其涉及可使用波長比藍色短的激光進行高密度下的記錄的光記錄媒體的反射率的調整方法及通過該調整方法來調整反射率的限寫一次型光記錄媒體。
背景技術：
：近年來，需求可進行高密度·高速記錄的光記錄媒體，作為其具體對策的一種，可由藍色波長的激光進行記錄/再現的光記錄媒體引人注目。在利用藍色波長激光的光記錄媒體中，已經提出有再現專用型(ROMreadonlymemory)的光記錄媒體、或可改寫型(RWrewritable)的光記錄媒體。但是，還沒有提出可通過波長比藍色波長更短的激光來高速記錄的限寫一次型光記錄媒體?，F有技術中，作為限寫一次型光記錄媒體中的記錄構造，提出了在基板上涂敷有機色素的構造。其是利用照射了激光的部分的色素吸收光而發(fā)熱，并通過該熱使基板的形狀、或折射率變化的，且將變化的部分作為反射率的變化而讀出。但是，使用有機色素的記錄媒體在想進行高速記錄時，記錄靈敏度不充分，此外為了提高記錄密度而縮短激光的波長時，尤其可對應于藍色波長以下的短波長的激光的色素的合成很難是實情。另外，雖然提出了一些通過無機材料來形成記錄層的技術(例如特公平4-838號等)，但是現有結構中的任何一個都不適合于高速記錄、或記錄狀態(tài)的保存可靠性不充分、或再現耐久性缺乏等問題很多。從這些情況來看，現有技術中還不存在保存性好、低成本、可高速、高密度記錄·保存的限寫一次型光記錄媒體的情形是實情。另一方面，反映近年來技術的驚人進步，更高性能、或更多樣的新標準的光記錄媒體接連地被產品化。但是，通常，市場上要求可處理新標準產品的驅動系統構成為不僅可處理該新標準的光記錄媒體，還可處理之前的標準。進一步，在有與該新標準并行采用的另外標準(例如，再現專用、或可改寫型等標準)的情況下，還要求可以盡可能也處理這些光記錄媒體。因此，例如在通過形成·檢測反射率的變化來記錄·再現信息的情況下，若每當光記錄媒體的種類或標準不同而該反射率不同，則作為結果，驅動系統必須裝備可對應于那么多標準的反射率的寬頻帶的或多頻帶的構造，且有相應地成本升高的問題。此外由此也有很難小型化、輕量化等的情形。現有技術中，作為記錄媒體本身的基本構造仍相同，而簡單地調整反射率的方法，已知有在可改寫型的記錄媒體中調整電介質層的膜厚的方法。但是，由于可改寫型的電介質層承擔了控制由記錄時的激光貯存在記錄層中的熱量的任務和從來自外部的水分等保護記錄層的任務，所以從膜厚的設定范圍被限制等情況來看，反射率的調整范圍最大也限定在幾％到30％左右(后面詳述)。因此，例如，不能對應于在再現專用型的反射率、或限寫一次型反射率等之間可具有互換性的這樣的寬范圍的調整是實情。
發(fā)明內容本發(fā)明為解決消除這種現有技術的問題而成，其目的是提供一種通過使用無機材料，可進行使用藍色波長以下的短波長(200～450nm)的激光的高速·高密度的限寫一次型光記錄，尤其是通過與反射率的關系來簡單且良好地維持與其它種類光記錄媒體間的互換性的限寫一次型光記錄媒體的反射率的調整方法、及關于反射率的調整制造適應性高的限寫一次型光記錄媒體。其目的通過如下所述的構成(本發(fā)明)實現。(1)一種限寫一次型光記錄媒體的反射率的調整方法，其特征在于通過對至少包含兩層子記錄層的層疊記錄層照射波長為200nm～450nm范圍的激光，使各子記錄層含有的主成分金屬擴散并混合，該子記錄層分別以一個類型的不同金屬作為其主成分；在通過該混合可形成反射率比沒有照射所述激光的部分低、且單層化了的不可逆記錄標記的同時；在所述層疊記錄層的至少一側上配置電介質層；通過改變·調整所述子記錄層的材料及其膜厚、所述電介質層的材料及其膜厚中至少一個要素來改變所述激光的反射狀態(tài)；并將沒有照射所述激光的部分的反射率調整為屬于5％～60％的范圍內的規(guī)定值。發(fā)明者得到了下列認識通過將所述子記錄層的材料和/或膜厚的調整，和通過敢于設置限寫一次型的光記錄媒體中本來不需要的電介質層而可進行的該電介質層的材料和/或膜厚的調整組合，不僅維持了作為限寫一次型光記錄媒體的穩(wěn)定性，而且可以進行沒有達到過的寬范圍的反射率調整。如上所述，通過現有公知的電介質層的材料和膜厚的調整而可改變·調整的反射率，在可改寫型光記錄媒體中最多是幾％到30％程度的范圍。為將對于限寫一次型的、且可進行本發(fā)明這種的幾％～60％左右的寬范圍調整變?yōu)榭赡?，如上所述的“通過對至少包含兩層子記錄層的層疊記錄層照射波長為200nm～450nm范圍的激光，使各子記錄層所含有的主成分金屬擴散并混合，該子記錄層分別以一個類型的不同金屬作為其主成分；通過該混合可形成反射率比沒有照射所述激光的部分低、且單層化了的不可逆記錄標記”的基本構成是必須的。另外，這里所說的記錄標記，不單單指由材料的混合而成的標記，還包括隨著記錄膜或基板等的變形或折射率變化的情況。由于具有該基本構成，所以與本發(fā)明相關的光記錄媒體相對于使用現有的有機色素材料的限寫一次型光記錄媒體，或相對于現有的可改寫型光記錄媒體，也可具有下述優(yōu)點。即，在使用現有的有機色素材料的光記錄媒體中，例如為了將反射率設定為低(例如，20％以下)，采用了增厚色素材料的膜厚，或光吸收率大(光學衰減系數)大的色素材料等方法。但是，在任意方法中都使記錄層的熱容量變大，由于通常有機材料的熱傳導率低而產生所謂的“熱貯存”，容易發(fā)生信號品質劣化的不良情況。另外，使用有機色素材料的光記錄媒體還存在對于設計改變的適應性小的問題。作為現實問題，例如，在并行提出包括反射率等各種諸要素不同的記錄媒體時，僅一方作為正式標準而被采用的情況下，或者，在將反射率等不同的記錄媒體并行推到市場時，一方成為事實上的標準等情況下，之后，必須提供符合該所選的一方標準或反射率的記錄媒體。在這種情況下，使用了有機色素材料的光記錄媒體、(由于需要以適用的激光波長為基礎來設計色素材料或膜厚)符合某一標準而設計的光記錄媒體若例如使用的波長偏差了5nm，則也不能維持作為商品的特性，而不得不以根據情況來進行涉及現存的制造工序整體的大幅度設計改變。該情況對于反射率的調整也同樣，由于由各層的膜厚改變或色素材料的選擇產生的反射率的調整對其它基本特性產生大的影響，所以不能簡單進行是現實。進一步，在使用有機色素材料的光記錄媒體中，現在還沒有開發(fā)出對比藍色短的波長的激光可在實用等級上對應的材料，因此，現有技術中很難實現“高密度的記錄”是實際情況。另一方面，在現有的可改寫型光記錄媒體中，由于使用了反射率低的硫族合金作為記錄層的材料，所以很難通過改變記錄層的膜厚來調整(提高)反射率。另外，在可改寫型光記錄媒體中，需要成為通過從熔融狀態(tài)急速冷卻記錄層的材料而形成非晶質(無定形)部分的構造(急速冷卻構造)。因此，電介質層(在具有反射層的結構的光記錄媒體中，尤其是對記錄層的反射層側的電介質層)具有所謂貯熱量的控制的重要任務，而僅僅為了反射率的調整而改變電介質層的膜厚是不可能的，這是現實。從這些情況來看，最終在現有技術中，在基本結構相同的基礎上的反射率調整最多僅在幾％～30％程度的范圍內可實現。與此相對，在與本發(fā)明相關的光記錄媒體中，由于沒有必要采用急速冷卻構造，所以可自由設定電介質層的膜厚，基本上可以將未記錄部分的反射率設定得高。另外，即使對于激光的波長改變，由于記錄層包含金屬材料，所以在寬波長范圍內表示出大致相同的反射率變化，故僅通過由電介質層的厚度來調整光路長度，而可靈活地對應。尤其，所謂被稱為高密度記錄不可缺少的“對應于比藍色短的波長(200nm～450nm)的激光”的優(yōu)點是在使用現有的有機色素材料的光記錄媒體中是不能實現的，故可期待作為下一代的高密度光記錄媒體。進一步，由于使用金屬材料，所以熱傳導率高，即使使記錄層厚也不發(fā)生熱貯存等問題。因此，為進行反射率的調整，對于將記錄層的厚度增厚或變薄的自由度變大。即，作為子記錄層的主成分金屬，若采用例如高反射金屬，則可通過其膜厚的改變，不但可以確保反應所需的溫度升高，還可以在寬范圍內調整反射率。另外，在電介質層中，本發(fā)明情況下，(由于受熱容量的控制等其它特性的約束少)為了調整反射率，可以自由調整其膜厚或材料。根據發(fā)明者的實驗，可以確認雖然也是根據組合主成分金屬的組合，還可通過該方法，與本發(fā)明相關的限寫一次型光記錄媒體既是“使用了200～450nm的激光的高密度記錄用途的光記錄媒體”，若為5％～60％左右的范圍，則也可以調整為幾乎可稱作任意值的反射率。另外，通常在照射了激光的部分(記錄部分記錄標記)的反射率比沒有照射激光的部分(未記錄部分)的反射率上升的類型(lowtohigh)中，由于記錄前的反射率低，所以記錄前跟蹤伺服信號、聚焦伺服信號小。另外，由于預置坑(プリピツト/prepit)的反射率更低，所以再現預置坑保持的信號是困難的。但是，在本發(fā)明中，由于具有未記錄部分的反射率比記錄后的反射率高的特性(hightolow的特性)，所以對于再現的穩(wěn)定性而言，也可以得到良好的結果。因此，通過利用與本發(fā)明相關的反射率的調整方法，例如，既是現有的限寫一次型的光記錄媒體，考慮再現的互換性，也可容易地在可改寫型的反射率附近設定其反射率，或設定為驅動器設計更容易的較高的反射率。另外，無需因作為結果成為支配市場的記錄媒體的反射率而帶來制造設備的大幅改變，也可以靈活地使其一致。本發(fā)明中，例如考慮下面的變化。后面進行詳述。(2)(1)中的限寫一次型光記錄媒體的反射率調整方法，其特征在于通過所述兩層的子記錄層內的至少一層通過采用從包含Al、Ag、Au、Cu的高反射率金屬中選擇出的一種作為其主成分金屬，調整所述激光的反射狀態(tài)。(3)(1)或(2)中的限寫一次型光記錄媒體的反射率調整方法，其特征在于在所述光記錄媒體在除所述層疊記錄層之外還具有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的反射層側形成有所述電介質層；在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外沒有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的光入射面?zhèn)刃纬捎兴鲭娊橘|層。(4)一種限寫一次型光記錄媒體，其特征在于在具有至少包含分別以一個類型的不同金屬作為其主成分的兩層子記錄層的層疊記錄層的同時，通過對該層疊記錄層照射波長為200nm～450nm范圍的激光，各子記錄層所含有的主成分金屬擴散并混合，通過該混合可形成反射率比沒有照射所述激光的部分低、且單層化了的不可逆記錄標記；在所述層疊記錄層的至少一側上具有電介質層；通過改變·調整所述子記錄層的材料及其膜厚、所述電介質層的材料及其膜厚中的至少一個要素，而將沒有照射所述激光部分的反射率設定為屬于5％～60％范圍內的規(guī)定值。(5)(4)中的限寫一次型光記錄媒體，其特征在于所述兩層的子記錄層中的至少一層包括從包含Al、Ag、Au、Cu的高反射率金屬中選擇出的一種作為其主成分金屬。(6)(4)或(5)中的限寫一次型光記錄媒體，其特征在于在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外還具有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的反射層側上形成有所述電介質層；在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外沒有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的光入射面?zhèn)壬闲纬捎兴鲭娊橘|層。圖1是模式放大顯示與本發(fā)明的實施方式的例子相關的高速限寫一次型光記錄媒體的截面圖；圖2是表示在上述光記錄媒體中，使子記錄層的厚度變化時的反射率的變化的曲線圖；圖3是表示在上述光記錄媒體中，使第二電介質層的厚度變化時的反射率的變化的曲線圖；圖4是表示在上述光記錄媒體中，改變子記錄層的材料、使子記錄層的厚度變化時的反射率的變化的曲線圖；圖5是表示在上述光記錄媒體中，進一步改變子記錄層的材料、使第二電介質層的厚度變化時的反射率的變化的曲線圖。具體實施例方式下面，參照附圖詳細說明本發(fā)明的實施方式的例子。如圖1所示，適用本發(fā)明的高速限寫一次型記錄媒體(下面光記錄媒體)10是在支承基體12上，將反射層14、第二電介質層16、記錄層(層疊記錄層)18、第一電介質層20和透光性覆蓋層22按此順序設置的，且從記錄用激光源將波長為405nm的藍色激光，通過透光性覆蓋層22照射到所述記錄層18，從而使照射區(qū)域的反射率變化，將其作為記錄標記的。所述記錄層18的至少一層(第一子記錄層18A)最好從Al、Ag、Au、Cu等高反射率金屬中采用任意一種作為主成分金屬。其中，尤其Al和Ag對于藍色以下的激光也具有高反射率的特性，所以由子記錄層的膜厚改變帶來的反射率的調整變得容易，且可將未記錄部分的反射率設定為比記錄標記形成后的反射率高，所以更好。關于這一點將在后面詳述。另外，作為組合到這些高反射率金屬上的另一層(第二子記錄層18B)的主成分金屬，可采用Sb、C、Ge、Ca、Ce、La、Se、Si等。若將作為記錄光的藍色激光照射到該記錄層18，則在照射區(qū)域中，第一及第二子記錄層18A、18B中所含有的所述主成分金屬擴散并混合，通過該混合產生的反應生成物使照射區(qū)域的反射率變化(使降低)，而將此作為記錄標記。在記錄標記中，所述主成分金屬通過混合而成為單層的狀態(tài)，并可認為作為金屬間化合物存在，或作為主成分金屬彼此耦合狀態(tài)的混合物或者作為各個金屬微粒子而存在。由于任何一種中，這種兩個主成分金屬擴散并混合的反應都是不可逆的，所以該記錄層18可以進行限寫一次型的光記錄。記錄層18的厚度，即第一和第二子記錄層18A、18B的總厚度為2～50nm，最好為4～20nm。定性地，若記錄層18(子記錄層18A、18B)過薄，則確保在記錄前后中的充分的反射率差是困難的，另一方面，若記錄層18過厚，則由于其熱容量變大，記錄靈敏度降低。為良好地進行與本發(fā)明相關的反射率調整，最好將以高反射金屬為主成分的子記錄層(18A或18B)的厚度設定為1～15nm，尤其為2～10nm的范圍內。更具體地，例如，當將波長為405nm的藍色激光照射到記錄層18時，構成第一和第二子記錄層18A、18B的主成分金屬或其合金以35Mbps(或其以上)的記錄傳送速度混合而形成記錄標記，并從上述范圍中選擇可記錄那樣的厚度。另外，這里所說的記錄傳送速度35Mbps是在(1.7)RLL的調制方式中，通道比特長度為0.12um、記錄線速度為5.3m/s、通道時鐘為66MHz、格式化效率為80％時的考慮效率的記錄傳送速度。所述第一和第二電介質層20、16由氧化物、硫化物、氮化物、氟化物、碳化物或這些的混合物等的各種電介質材料構成。具體地，在該實施方式中，該第一和第二電介質層20、16均使用ZnS-SiO2中間電極(ZnS80摩爾％、SiO220摩爾％)通過噴濺法而形成。第一電介質層20厚度為5～200m、并設置為與第二電介質層16一起夾著所述記錄層18。第二電介質層16厚度為5～200nm，設置在所述反射層14上。第一、第二電介質層20、16通過調整其厚度，在該部分干涉激光，可調整記錄層18中未記錄部分上的反射率，或使光記錄前后的發(fā)射率差更大。關于這一點將在后面詳述。另外，第一、第二電介質層20、16除反射率的調整之外，還承擔從水蒸氣和其它氣體保護記錄層18的任務。所述支承基體12例如由1.1mm厚的聚碳酸酯構成。另外，所述反射層14通過噴濺等在所述支承基體上形成例如銀合金層，其厚度為10～200nm左右。從激光的入射側看，該反射層14位于比記錄層18深的位置上，并通過對于記錄層18提供回返光，使記錄前后的反射率差變大，此外有助于變高記錄靈敏度。反射層14由金屬(包括半金屬)膜或電介質多層膜等構成。在該實施方式中，以100nm厚的銀合金來形成該反射層14。但是，從后面的實施例可以明確，該反射層14并不是必須的。所述透光性覆蓋層22在第一電介質層20上通過旋涂法來形成，或通過粘接預先形成的片狀部件而形成，例如，由紫外線硬化樹脂層或聚碳酸樹脂片構成。透光性覆蓋層22的厚度是當將例如波長為405nm的藍色激光照射到記錄層18時的物鏡開口數(NA)設為0.85時，選擇其與所述第一電介質層20的總厚度，使得該藍色激光在記錄層18上聚光。該條件下，具體為100um左右。在與本實施例相關的光記錄媒體10中，激光被照射時的所述第一和第二子記錄層18A、18B的主成分金屬可認為分別成為擴散·混合狀態(tài)，作為金屬間化合物存在，或即使不生成金屬間化合物，至少作為主成分金屬彼此之間耦合狀態(tài)的混合物或作為各個金屬微粒子而存在。例如，在由以Al為主成分的第一子記錄層18A和以Sb為主成分的第二子記錄層18b構成的記錄層18的情況下，可認為生成有金屬間化合物的AlSb。由于通過該混合產生的反應生成物使照射區(qū)域的反射率變化，所以可將該反射率的變化作為記錄標記而利用(在后面詳述)。另外，尤其由將Al和Sb作為主成分的子記錄層構成的光記錄媒體10，在記錄層18上形成的記錄標記中的反應生成物的熱穩(wěn)定性比僅僅層疊了第一和第二子記錄層18A、18B的未記錄部分中的熱穩(wěn)定性高。其具體是，當向已經形成有記錄標記的記錄層18照射可形成記錄標記的功率級的記錄光(激光)時，在記錄層18中的沒有產生混合的區(qū)域中，產生所述混合并反射率變化，另一方面，在已經形成了記錄標記的區(qū)域中，通過記錄光的照射反射率沒有變化。作為限寫一次型光記錄媒體可以說是理想的特性。若更詳細地說明，在Al-Sb的組合情況下，Al的熔點是660℃，Sb的熔點是631℃，兩者同時在單體下熱充分穩(wěn)定，且可產生由激光照射引起的熔融。另外，通過Sb和Al的反應，與各個單體相比熔點充分高，而可生成在低溫和高溫下都不改變結晶結構的穩(wěn)定的金屬間化合物AlSb(熔點1060℃)。另外，該AlSb這種金屬間化合物沒有必要進行結晶生長，即使是不能通過電子線衍射來檢測這種程度的微結晶狀態(tài)，也可進行記錄。因此，該光記錄媒體10即使記錄后在高溫環(huán)境下保存，由所述反應生成物構成的記錄標記也很難改變且穩(wěn)定。雖然通常在讀出所形成的記錄標記時，照射較低功率的再現用激光，但是在其照射區(qū)域中，記錄層18的溫度提高了幾十℃程度。因此，在熱穩(wěn)定性低的記錄標記中因再現、尤其因反復再現而記錄標記變化，但是在該光記錄媒體10中很難因再現記錄標記變化而再現耐久性良好。進一步，由于即使設定為降低記錄標記形成后的反射率，而記錄標記形成后的光吸收率變大，該記錄標記的熱穩(wěn)定性也高，所以也不會因再現用激光的照射等而劣化。另外，由于記錄標記的熱穩(wěn)定性高，所以實質上不產生在記錄時消去相鄰軌道的記錄標記的現象(交叉刪除crosserase)。因此，由于可使記錄軌道間距變窄，所以對于高密度記錄也有效。實施例1對于所述光記錄媒體10，關于以高反射金屬為主成分的記錄層18的厚度和反射率的關系，進行了特性評價。下面表示這時的光記錄媒體10的各層具體結構。反射層14未形成電介質層16、20ZnS+SiO2(80∶20mol％)第一電介質層2040nm第二電介質層1680nm第一子記錄層18AAlCr(98∶2at％)第二子記錄層18BSb10nm使第一子記錄層18A的膜厚在0～20nm范圍內變化。通過激光的波長為405nm的評價裝置，根據線速度為5.3m/s(35Mbps)、激光輸出10mV的測量條件，進行記錄，并測量這時的記錄標記形成前后的反射率。另外，通常，在照射了激光的部分(記錄部分)的反射率比沒有照射激光的部分(未記錄部分)的反射率高的類型(低到高/lowtohigh類型)中，由于記錄前的反射率低，所以記錄前跟蹤伺服信號、聚焦伺服信號小。另外，由于預置坑(プリピツト/prepit)的反射率更低，所以再現預置坑所保持的信號是困難的。因此，在(包括該實施例)本發(fā)明中，以在照射了激光的區(qū)域中反射率降低的類型(高到低/hightolow類型)為前提。圖2表示結果。圖2中橫軸表示以Al為主成分的第一子記錄層18A的厚度(nm)、縱軸表示反射率(％)。圖中的實線是未記錄部分的反射率、虛線是記錄部分(記錄標記)的反射率。在該實施方式(實施例)中，由于以具有高反射特性的Al作為主成分金屬來構成子記錄層18的一層，所以可知通過改變該子記錄層18的厚度，可在10～60％范圍內容易調整未記錄部分的反射率。另外，也可知即使不特別使用反射膜14，作為hightolow類型的信號也可得到可充分檢測的(記錄標記形成前后的)反射率差。尤其，反射率在15～20％、30～50％的范圍內可得到大的反射率差。但是，當子記錄層的厚度15nm以上時，由于記錄層的熱容量很大，所以評價裝置不能進行記錄，另外，即使為11nm以上也不能進行充分記錄，相對于記錄前的記錄后的反射率的降低變小。另外，可知為了得到反射率差，需要2nm以上。上述結果、即可在10～60％的范圍內容易調整未記錄部分的反射率的結果在實用上可以帶來極大的效果。例如，基本上，若反射率高，則很容易取得伺服信號等，而對于驅動系統來說容易設計。通常，在將反射率設定為30％以上的情況下，認為可減輕驅動系統的負擔，同時，可進行更高品質的記錄·再現。在現有的限寫一次型光記錄媒體(CD-R、DVD-R)中，為確保與ROM(再現專用高反射率)之間的互換性，而將反射率設定得高(例如在DVD-R中為45～85％)。在使用該光記錄媒體10來設計與這些光記錄媒體在反射率上有互換性的系統的情況下，例如，通過將子記錄層18的厚度設定為5nm以上，作為“藍色波長下反射率30％以上的高反射率光記錄媒體”來設計·組建驅動系統變得容易且可能。即使在想要設定為能取得45％以上的與DVD-R的互換的情況下，也可通過將子記錄層18的厚度設定為9nm以上，而變得可能。另一方面，由于在使用藍色波長的激光的DVR標準中，以之前的RW(可改寫型)類型作為前提而考慮的，所以可以預料光記錄媒體的反射率的設計相當低(例如，15～20％左右)。但是，在與該實施例相關的光記錄媒體中，從圖2的曲線圖可以知道通過將例如子記錄層18的厚度設定為2.5nm左右，可容易地將未記錄部分的反射率納入該范圍、即15～20％的范圍內。由此，也可容易設計·組建ROM(再現專用型)、RW(可改寫型)和WO(限寫一次型)的共用系統。實施例2接著，說明與反射率的調整有關而進行的其它實施例。若將光記錄媒體10的記錄層厚度設為20nm以下，且形成反射層14，則光記錄媒體10的反射率大大受反射層14和第二電介質層16的界面上反射的支配。在這里，試進行了第二電介質層16的厚度變化時的反射率的特性評價。實驗條件如下，除此之外的條件與前面的實施例1相同。反射層14銀合金AgPdCu(98∶1∶1at％)100nm第一電介質層2055nm(固定)第二電介質層165～200nm第一子記錄層18AAlCr(98∶2at％)4nm第二子記錄層18BSb6nm圖3表示該實驗結果。圖3中，橫軸表示第二電介質層16的厚度(nm)，縱軸表示反射率(％)。另外，圖中的實線是未記錄部分的反射率、虛線是記錄部分(記錄標記)的反射率。另外，在該實施例中，由于由以Al為主成分的第一子記錄層18A、和以Sb為主成分的第二子記錄層18B構成層疊記錄層，所以容易將記錄標記(記錄后的部分)的反射率設定為比未記錄部分的反射率低。返回到圖3的曲線圖，記錄部分的反射率比未記錄部分的反射率低的部分相當于可用作hightolow類型的光記錄媒體的區(qū)域。僅從曲線圖判斷，可推斷出5～30nm和85～115nm的范圍(厚度)是實用上可得到良好結果的厚度。另外，雖然從曲線圖中可看出150nm以上的厚度也有“記錄部分的反射率比未記錄部分的反射率低的特性”，但是若第二電介質層16的厚度比150nm厚，在生產上是不利的，另外還產生應力變大的其它問題，所以作為實際上采用的厚度范圍，不能說一定是好的。由于第二電介質層16的材料ZnS+SiO2的折射率為2.3，所以若將其換算成光路長度，則分別相當于10～70nm、190～270nm。在以多層生成第二電介質層16的情況下，若將n設為折射率、t設為各厚度(nm)，則可表現為10＜∑nt＜70、190＜∑nt＜270。另外，若改變第二電介質層16的材料(折射率)，當然應采用的厚度也相應于此而不同。從曲線圖可以看出，在該實施例的情況下，通過將第二電介質層16的厚度設定為該范圍內，在可確保存在hightolow類型(或lowtohigh類型)的高低差的條件下，可以知道可容易地將光記錄媒體的未記錄部分的反射率設定為大致5％～60％的任意值。例如，通過將第二電介質層16的厚度選定為85～90nm左右，作為“藍色波長下反射率大于30％的高反射率光記錄媒體”來設計·組建驅動系統變得容易且可能。即使在想要設定為能取得45％以上的與DVD-R之間的互換的情況下，也可通過在其附近進行稍微精密的厚度(和/或折射率)和反射率的確認實驗，若是到60％程度，是充分可能的。另一方面，可以知道例如通過將第二電介質層16的厚度選定為100nm程度，可以很容易地將未記錄部分的反射率納入該范圍、即15～20％的范圍內。由此，可確認為通過調整該第二電介質20的厚度，也可容易地設計·組建ROM(再現專用型)、RW(可改寫型)和WO(限寫一次型)的共用系統。實施例3對于所述光記錄媒體10，關于以高反射金屬為主成分的記錄層18的厚度和反射率的關系，改變第二子記錄層18B的材料等條件，進行特性評價。下面表示這時的光記錄媒體10的各層結構。另外，沒有設置反射層。電介質層ZnS+SiO2(80∶20mol％)第一電介質2060nm第二電介質1660nm第一子記錄層18AAlCr(98∶2at％)第二子記錄層18BC8nm在0～20nm的范圍內改變第一子記錄層18A的膜厚。通過波長為405nm的評價裝置，根據線速度為5.3m/s、激光輸出10mW的測量條件進行記錄，并測量這時的記錄前后的反射率。圖4表示結果。由于將作為高反射率金屬的Al作為主成分金屬而構成第一子記錄層18A，所以可以知道通過子記錄層的厚度也可將未記錄部分的反射率容易地調整為10～60％。另外，即使不使用反射層，作為hightolow類型的光記錄媒體也可得到可充分檢測出的反射率差。但是，在將第二子記錄層18B設為C時，由于與Sb相比記錄所需的熱量大，所以當厚度為11nm以上時不能由評價裝置進行記錄，幾乎沒有記錄后的反射率的降低。另外，可以知道為了得到反射率差，必須要2nm以上的膜厚。實施例4對于所述光記錄媒體10，關于第二電介質層16的厚度和反射率的關系，進一步改變第一、第二子記錄層18A、18B的材料等條件，而進行了特性評價。下面表示這時的光記錄媒體10的各層結構。反射層14銀合金AgPdCu(98∶1∶1at％)電介質層ZnS+SiO2(80∶20mol％)第一電介質2080nm第一子記錄層18ACu4nm第二子記錄層18BGe8nm使第二電介質16的膜厚在5～200nm的范圍內變化。通過波長為405nm的評價裝置，根據線速度為5.3m/s、激光輸出10mW的測量條件來進行記錄，并測量這時的記錄前后的反射率。圖5表示結果。在即使以Cu和Ge作為子記錄層的材料而使用的情況下，也與實施例2(Al-Sb)同樣，可以知道通過調整第二電介質層16的厚度，仍保持hightolow類型的信號輸出，而可將未記錄部分的反射率設定為任意值。另外，在與上述實施方式(或實施例)相關的光記錄媒體10中，雖然在第一和第二電介質層20、16之間設置了記錄層18，但是本發(fā)明并不限定于此，沒有必要必須在兩側設置電介質層。但是，為更有效地進行與本發(fā)明相關的反射率的調整，在具有反射層的情況下，最好包括尤其調整效果大的第二電介質層16(層疊記錄層的反射側的電介質層)。另一方面，在不包括反射層的情況下，由于第一電介質層20(層疊記錄層的光入射面?zhèn)鹊碾娊橘|層)的效果大，所以最好至少包括第一電介質層20。另外，由于還可通過第一、第二電介質層20、16的光路長度(膜厚和材質的折射率)來改變光的干涉效果，所以可以調整未記錄部分(及記錄標記)的反射率。進一步，通過使第一電介質層20和第二電介質層16的彼此間的光路長度最佳化，或將電介質層分為多層等，也可在進行反射率的調整，同時，使未記錄部分和記錄標記的反射率差增大。因此，為有效地進行與本發(fā)明相關的反射率的調整，最好在設置反射層的同時，在層疊記錄層的兩側設置電介質層。另外，雖然在上述實施方式中，記錄層18由第一和第二子記錄層18A、18B構成，但是其可以至少由兩層子記錄層構成，子記錄層也可以是三層以上，也可使任何一個子記錄層在入射光側。進一步，構成記錄層18的第一和第二子記錄層18A、18B雖然可以僅含有各自的主成分金屬，但是也可添加其它元素。但是，最好如上所述，所述記錄層18的至少一層以高反射金屬Al、Ag、Au、Cu的任意一個作為主成分。尤其，由于除Al之外的Ag對藍色以下的激光也具有高反射特性，所以由子記錄層的膜厚改變而引起的反射率調整變得容易，且由于可將未記錄部分的反射率設定為比記錄標記形成后的反射率高，所以非常好。另外，在上述實施方式中，雖然記錄層18中第一子記錄層18A和第二子記錄層18B直接接觸，但在此之間，也可以使以其它元素為主成分的插入層存在于兩者之間。另外，在上述實施方式中，雖然配置了由銀合金構成的反射層14，但是本發(fā)明并不限于此。另外，沒有必要必須使用反射層。但是，如上所述，為有效地進行反射率的調整，最好有反射層。作為反射層材料，主要可以反射記錄再現光就可，可以由金屬(包括半金屬)膜或電介質多層膜等構成。進一步，在上述實施方式中，在光記錄媒體10中具體記錄信息的情況下，將其記錄速度設定為35Mbps、激光的波長設定為405nm的藍色波長，但是記錄速度、激光波長兩者也可在其以上(其以下)。實際上，可以確認在實施例2中第二電介質層16的厚度為90～115nm的樣品中以70Mbps(線速度10.6m/s)的記錄速度中表示了良好的記錄特性。更確切地說，只有在這種高速記錄中，才可以充分發(fā)揮本發(fā)明所具有的優(yōu)點。另外，將關于激光波長、可適用于寬波長區(qū)域中的金屬材料用作記錄層，由此通過將在各波長上調整電介質層的膜厚，而在有機色素材料中得不到充分的信號特性的200～450nm的范圍內、仍維持充分實用的信號特性，并可進行寬范圍的反射率的調整。另外，確認了上述光記錄媒體10通過比藍色更長的紅色波長等級的激光(具體為到700nm程度的激光)也可得到與上述同樣的效果。因此，例如，在想要更低成本化的情況下，在紅色波長的激光照射系統中，也可適用上述光記錄媒體10。在本發(fā)明中，沒有必要必須可跨過5％～60％整個范圍進行反射率的調整，作為調整目標所選擇的反射率作為結果屬于上述范圍內就可。根據本發(fā)明，可以進行使用包括藍色或比其短的波長的各種激光的高速·高密度的限寫一次型光記錄，尤其，可以得到通過與反射率的關系來良好維持與其它種類的光記錄媒體的互換性的限寫一次型光記錄媒體。權利要求1.一種限寫一次型光記錄媒體的反射率的調整方法，其特征在于通過對至少包含兩層子記錄層的層疊記錄層，照射波長為200nm～450nm范圍的激光，使各子記錄層所含有的主成分金屬擴散并混合，該子記錄層分別以一個類型的不同金屬作為其主成分；通過該混合，可形成反射率比沒有照射所述激光的部分低、且單層化了的不可逆記錄標記；同時，在所述層疊記錄層的至少一側上配置電介質層；通過改變·調整所述子記錄層的材料及其膜厚、所述電介質層的材料及其膜厚中的至少一個要素來改變所述激光的反射狀態(tài)；將沒有照射所述激光的部分的反射率調整為屬于5％～60％范圍內的規(guī)定值。2.根據權利要求1所述的限寫一次型光記錄媒體的反射率的調整方法，其特征在于通過所述子記錄層中的至少一層采用從包含Al、Ag、Au、Cu的高反射率金屬中選擇出的一種作為其主成分金屬，調整所述激光的反射狀態(tài)。3.根據權利要求1或2所述的限寫一次型光記錄媒體的反射率的調整方法，其特征在于在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外還具有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的反射層側形成有所述電介質層；在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外沒有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的光入射面?zhèn)刃纬捎兴鲭娊橘|層。4.一種限寫一次型光記錄媒體，其特征在于具有層疊記錄層，該層疊記錄層至少包含分別以一個類型的不同金屬作為其主成分的兩層子記錄層；同時，通過對該層疊記錄層照射波長為200nm～450nm范圍的激光，各子記錄層所含有的主成分金屬擴散并混合，通過該混合可形成反射率比沒有照射所述激光的部分低、且單層化了的不可逆記錄標記；在所述層疊記錄層的至少一側上具有電介質層；通過改變·調整所述子記錄層的材料及其膜厚、所述電介質層的材料及其膜厚中至少一個要素，將沒有照射所述激光部分的反射率設定為屬于5％～60％范圍內的規(guī)定值。5.根據權利要求4所述的限寫一次型光記錄媒體，其特征在于所述子記錄層中的至少一層包括從包含Al、Ag、Au、Cu的高反射率金屬中選擇出的一種作為其主成分金屬。6.根據權利要求4或5的限寫一次型光記錄媒體，其特征在于在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外還具有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的反射層側上形成有所述電介質層；在所述光記錄媒體除所述層疊記錄層之外沒有反射層的情況下，至少在所述層疊記錄層的光入射面?zhèn)壬闲纬捎兴鲭娊橘|層。全文摘要將使用包含藍色或比其短的波長的激光的高速限寫一次型光記錄媒體的反射率調整為60％以下的希望值。高速限寫一次型光記錄媒體(10)的記錄層(18)由分別以一個類型的不同金屬為主成分的第一和第二子記錄層(18A)、(18B)層疊而成。若對記錄層(18)照射藍色波長的激光，則第一和第二子記錄層(18A)、(18B)中所包含的主成分金屬通過照射而擴散并混合，通過該混合形成反射率不可逆變化的記錄標記。由第一、第二電介質層(20)、(16)夾著記錄層(18)，通過調整記錄層(18)和第一、第二電介質層(20)、(16)的材料和厚度，在5％～60％范圍內調整未記錄部分的反射率。文檔編號G11B7/258GK1615514SQ0282715公開日2005年5月11日申請日期2002年11月25日優(yōu)先權日2001年11月29日發(fā)明者水島哲郎,吉成次郎申請人:Tdk股份有限公司