專利名稱：光記錄媒體及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光記錄媒體及其制造方法。作為光記錄媒體例如有將有機染料用作記錄材料等的CD-R、DVD-R等的補寫型光盤，以及采用相變型記錄材料的CD-RW、DVD-RW等可改寫型光盤。這類光記錄媒體是在設(shè)有跟蹤用紋道(凹條部)的光盤基片上形成記錄層。在這些記錄媒體之中，在進行更高密度記錄的DVD-R與DVD-RW中，把紋道作為記錄磁道，而且把具有地址信息等預(yù)先格式設(shè)于相鄰的紋道間的凸條部(稱為紋間表面)中。圖5與圖6中例示了這種結(jié)構(gòu)媒體的構(gòu)造。這種媒體在基片102上具有記錄層(未圖示)，在基片102上存在相互大致平行的紋道109。用于記錄或再生的激光束從圖中下方照射。紋道104為記錄磁道，在此形成記錄標記10。在相鄰的紋道104與104之間是紋間表面103，而在此紋間表面103中則形成有預(yù)制坑105。具有圖5所示結(jié)構(gòu)的光盤已描述于特開平9-326138號公報的

圖15中，而具有圖6所示結(jié)構(gòu)的光盤則記載于上述特開平9-326138號公報的圖3以及特開2000-132868號公報的圖1(a)之中。
下面說明光盤基片的一般制造方法。
光盤基片采用設(shè)有預(yù)制坑和紋道的字模圖案的沖壓模，通過對樹脂進行注射成型制造。上述沖壓模一般由Ni構(gòu)成。為了制成此沖壓模，首先制作光盤的原盤，再由此原盤制作原模(一次復(fù)制盤)、母模(二次復(fù)制盤)與子模(三次復(fù)制盤)等。
光盤原盤一般由以下工序制造。首先于玻璃等組成的剛性基片表面上形成光致抗蝕劑等抗蝕劑材料組成的抗蝕劑層。隨即在由激光束等曝光用光束使抗蝕劑層曝光形成潛像圖案，然后顯像。通過這樣地將抗蝕劑層圖案化，可以制得光盤原盤。
在用此光盤原盤制作原模時，為使光盤原盤的抗蝕劑層表面上具有導(dǎo)電性，由濺射法或非電解鍍層等形成Ni薄膜。然后以此Ni薄膜為基底進行電鑄，形成Ni電鑄膜。將Ni薄膜與Ni電鑄膜組成的疊層體從抗蝕劑層剝離，將此疊層體用作原模。母模則是在原模的表面上形成Ni電鑄模，通過剝離此Ni電鑄膜制成。此時，對母模表面作氧化處理等，容易將Ni電鑄模剝離。通過同樣的作業(yè)，用母?？梢灾瞥勺幽?。
在光盤原盤的制造工藝中，形成抗蝕劑層的潛像圖案的最小寬度受到曝光用光束的光束點直徑的限制。聚束點直徑W在以λ表示光束波長而以NA作照射光學系物鏡的數(shù)值孔徑時，表示為W＝k·λ/NA，式中的k為根據(jù)物鏡的孔徑形狀與入射光束的強度分布等確定的常數(shù)。在形成對應(yīng)于紋道間潛像圖案時，使光束按螺旋狀掃描。在紋道間設(shè)有預(yù)制坑的情形。于潛像圖案形成時使用兩道光束，以一道光束連續(xù)地照射形成紋道圖案，以另一道光束間歇地照射形成預(yù)制坑圖案。這樣地使用兩道光束的方法在本說明書中稱為雙光束法。
如上所述，在制作用于制造紋道間具有預(yù)制坑結(jié)構(gòu)的光盤的光盤原盤時，必須在光刻時個別控制兩束曝光用光束，遂使曝光裝置的結(jié)構(gòu)與控制復(fù)雜化。
此外，隨著記錄密度的提高，還需要縮短預(yù)制坑的長度。但在既有的方法中，由于是以光束間歇地照射抗蝕劑層以在照射區(qū)域形成預(yù)制坑，例如就會由于光束的波長和照射光學系的數(shù)值孔徑限制預(yù)制坑的尺寸。具體地說，在光束波長與數(shù)值孔徑為一定的條件下來縮短預(yù)制坑的長度時(縮短曝光時間時)，當于抗蝕劑層中形成預(yù)制坑圖案，就不能將抗蝕劑層挖坑到其底面附近，結(jié)果就不能形成規(guī)定深度的預(yù)制坑，防礙預(yù)制坑的讀出。但通過縮短光束波長和更換為數(shù)值孔徑大的物鏡等對曝光系統(tǒng)作大規(guī)模的變動，則將顯著加大成本。本發(fā)明把設(shè)于支承基體中的紋道或紋間表面用作記錄磁道，而且對于設(shè)有預(yù)制坑的記錄媒體，使支承基體的制造與高密度記錄變得容易。
上述目的可以通過下述的(1)～(12)中的本發(fā)明內(nèi)容來實現(xiàn)。
(1)光記錄媒體，它在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部；存在作為連接相鄰?fù)箺l部的凸部的橫斷凸部，而此橫斷凸部在相鄰?fù)箺l部之間的中央附近具有成為最窄的平面形狀。
(2)在上述(1)內(nèi)所述的光記錄媒體中，所述橫斷凸部用作預(yù)制坑。
(3)在上述(1)或(2)內(nèi)所述的光記錄媒體中，于所述凸條部中存在孤立的凹部，而此孤立的凹部則用作預(yù)制坑。
(4)在上述(1)～(3)中任一之內(nèi)所述的光記錄媒體中，通過使凹條部的一部分彎曲，在與此凹條部相鄰的凸條部中形成突出的區(qū)域，而將此突出區(qū)域用作預(yù)制坑。
(5)光記錄媒體，它在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部；存在作為連接相鄰凹條部的凹部即橫斷凹部，而此橫斷凹部在相鄰凹條部之間的中央附近具有成為最窄的平面形狀。
(6)在上述(5)內(nèi)所述的光記錄媒體中，所述橫斷凹部用作預(yù)制坑。
(7)在上述(5)或(6)所述的光記錄媒體中，于所述凹條部中存在孤立的凸部，而此孤立的凸部則用作預(yù)制坑。
(8)在上述(5)～(7)中任一項內(nèi)所述的光記錄媒體中，通過使凸條部的一部分彎曲，在與此凸條部相鄰的凹條部中形成突出區(qū)域，而將此突出區(qū)域用作預(yù)制坑。
(9)在上述(1)～(8)中任一項內(nèi)所述的光記錄媒體中，將凸條部或凹條部用作記錄磁道。
(10)在上述(1)～(9)中任一項所述的光記錄媒體中，于支承基體上具有相對于用作記錄或再生的激光束可透光的基體或膜層，而上述激光束可通過此基體或膜層入射到所述記錄層；凸條部起到紋道的作用而凹條部則起到紋間表面的作用。
(11)在上述(1)～(9)中任一項所述的光記錄媒體中，上述支承基體相對于用于記錄或再生的激光束具有透光性，所述激光束通過此支承基體入射到前述記錄層內(nèi)；凸條部起到紋間表面的作用而凹條部則起到紋道的作用。
(12)光記錄媒體的制造方法，此光記錄媒體在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部，而在凸條部或凹條部中存在預(yù)制坑；在制備用于前述支承基體制造中的具有形成凸條部、凹條部與預(yù)制坑各個的母模圖案的抗蝕劑層的光盤原盤之際，是通過將曝光用光束照射抗蝕劑層來形成前述母模圖案的工序中，用一束曝光用的光束間歇地照射，使照射了曝光用光束的區(qū)域作為凹條部或凸條部的母模圖案，而將未照射曝光用光束的區(qū)域作為預(yù)制坑的母模圖案。
本發(fā)明在光盤原盤的制作中的曝光時只用到一束光，將這束光作間歇的照射，把未照射有光束的區(qū)域用作預(yù)制坑。這樣，預(yù)制坑的長度不受曝光時光束聚束點直徑的約束。于是可以不需大幅度變更曝光用光束的照射光學系統(tǒng)而將預(yù)制坑的長度縮短，這在提高記錄密度時是有利的。
此外，本發(fā)明與迄今所用的雙光束法不同，由于在曝光時不必分別控制兩束光，曝光裝置的結(jié)構(gòu)與控制也變得簡單。圖1是相對本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖2是相對本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖3是相對本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖4是相對本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖5是相對于先有的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖6是相對于先有的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)例示明其一部分的斜視圖。
圖中各標號的意義如下2，支承基體；3，凸條部；31，橫斷凸部；32，(凸條部的)突出部；4，凹條部；41，橫斷凹部；5，孤立凹部；10，記錄標記；102，基板；103，紋間表面；104，紋道；105，預(yù)制坑?，F(xiàn)在說明本發(fā)明的實施形式。
圖1中例示本發(fā)明的光記錄媒體的結(jié)構(gòu)。本發(fā)明的光記錄媒體在支承基體2上具有記錄層(未圖示)。在支承基體2的上面(記錄層形成面上)交替地存在著相互大致平行的凸條部3和凹條部4。通常，支承基體2為盤狀。凸條部3設(shè)置成螺旋狀或同心圓狀。記錄層密貼到凸條部3與凹條部4上，或通過介質(zhì)層等的其他層，形成對凸條部與凹條部的包覆。
在圖1所示的支承基體2中，存在有橫斷凸部31用作將相鄰?fù)箺l部3、3相互連接的凸部。因此，存在于相鄰?fù)箺l部3、3之間的凹條部4便成了由橫斷凸部31分斷的狀態(tài)。距凹條部4底面的高度在橫斷凸部31和凸條部3處大致相等。圖示橫斷凸部31的平面形狀成為在相鄰?fù)箺l部3、3間中央附近最窄的形狀。
此媒體將凸條部3用作記錄磁道，如圖中所示，形成記錄標記10。另一方面，橫斷凸部31成為預(yù)制坑。用于記錄或再生的激光束也可從圖中上方照射記錄磁道，但也可從圖中下方通過支承基體2照射記錄磁道。在由圖中上方照射激光束時，凸條部3起到紋道的作用，凹條部4起到紋間表面的作用。另一方面，在由圖中下方以激光束照射時，凸條部3起到紋間表面的作用而凹條部4起到紋道的作用。這就是說，不論是哪種情形下，從激光束照射一方來看，相對近(靠近眼前一側(cè))的區(qū)域是紋道而相對遠的區(qū)域是紋間表面。
一般地說，光記錄媒體中的坑(穴、凹處)從激光束照射一方觀察時，其底面與周圍相比意味著是相對地存在于眼前這一側(cè)的。于是在圖1中，當激光束從圖中下方照射時，一般的坑便是支承基體2上面形成的凹部。但是，圖中的橫斷凸部31與通常的坑相反，從周圍突出。不過在本說明書中將這種情形也稱為坑。實際上，即使是激光束從圖中下方照射的情形，橫斷凸部也能起到預(yù)制坑的作用。
預(yù)制坑的用途雖無特定限制，但通常最好是作為預(yù)先格式信息的保持和/或服務(wù)控制。作為預(yù)先格式信息例如有地址信息和/或同步信息。作為服務(wù)控制例如有聚焦伺服控制和/或跟蹤伺服控制。
圖1中以凸條部3作為記錄磁道時，在相鄰記錄磁道間便存在預(yù)制坑。另一方面，使記錄磁道擺動而由此使地址信息與時間信息等也載于記錄磁道本身上時，則在前述光盤原盤制作之際，需要使照射曝光用光束的線條區(qū)域成為記錄磁道。因而在這種情形中，需要將圖1的凹條部4作為記錄磁道。這時預(yù)制坑便存在于記錄磁道內(nèi)。在以前所述的雙光束法制造的媒體中，于記錄磁道內(nèi)存在預(yù)制坑時，對于重疊到預(yù)制坑上形成記錄標記的情形，就難以讀出此記錄標記。在以前的雙光束法中，對于記錄標記是不能形成短的預(yù)制坑的。具體地說，由于預(yù)制坑，使其上記錄標記的形狀受到很大影響，還由于預(yù)制坑的再生信號的頻率與記錄標記再生信號的頻率接近之故。與此相反，本發(fā)明能使預(yù)制坑相對于記錄標記形成得非常短，因而即使在預(yù)制坑上形成記錄標記，也容易使兩者分離讀出。于是在本發(fā)明的媒體中，即使是在記錄磁道內(nèi)存在預(yù)制坑的情形，也能確保與不存在預(yù)制坑情形有同等的記錄容量。
當用于記錄或再生的激光束從圖中上方照射時，通常在記錄層上設(shè)有透光性的基體或膜層。這種基體或膜層保護著記錄層而且對于所述激光束具有透光性。此時的支承基體不必對所述激光束具有透光性。透光性的基體或膜層既可以是由涂布法形成的樹脂層，也可以是貼附的樹脂片，或可以是由樹脂或玻璃組成的撓性以至剛性的片狀體貼附而成。樹脂層或樹脂片組成的透光層可以薄到厚度≤300μm，因而在由例如具有約0.75～0.95高NA的物鏡的光學拾波器進行再生時是有利的。高NA化的結(jié)果彗形像差大，使傾斜余量減小，但通過設(shè)置薄的透光層可以改善。此種透光層也可以由氧化物、氮化物、碳化物、碳等無機材料構(gòu)成。無機材料組成的透光層，厚度可以薄到約500nm以下。
本發(fā)明的媒體所用的支承基體，與既有的光盤基片相同，用沖模經(jīng)注射成型制造，但本發(fā)明的采用沖模制造前述光盤原盤的制作方法與先有的方法是不同的。
本發(fā)明在制作光盤原盤之際設(shè)有這樣的工序于玻璃基片等的高剛性基片表面上形成正性抗蝕劑層，經(jīng)曝光用光束使抗蝕劑層曝光后，通過顯像使抗蝕劑層圖案化。這一點與既有的光盤原盤制作工序相同。
但在本發(fā)明中于曝光時只用一束光，通過對此光束作通/斷調(diào)制進行間歇的照射。照射光束的區(qū)域?qū)?yīng)于凹條部4，沒有照射光束的區(qū)域?qū)?yīng)于橫斷凸部31。這樣，在本發(fā)明中，由于只用一束光就能在光盤原盤上形成與紋間表面、紋道和預(yù)制坑分別對應(yīng)的所有圖案，與先有情形相比，光盤原盤的制造變得簡單。此外，在先有的雙光束法下，光束照射區(qū)域成為預(yù)制坑，但在本發(fā)明中，截斷光束輸出的區(qū)域則與預(yù)制坑(橫斷凸部31)對應(yīng)。凹條部4的端部由于是光束照射結(jié)束的終點與照射開始的始點，故與聚束光點的形狀相對應(yīng)成為紋間表面的形狀。結(jié)果，夾于兩個凹條部4、4中的橫斷凸部31，如前所述，成為在相鄰?fù)箺l部3、3之間中央附近最狹的形狀。但是，取決于曝光束的聚束光點的形狀和照射條件等，橫斷凸部31的平面形狀也會有其他形狀。
這樣形成的橫斷凸部31(預(yù)制坑)其長度不受聚束光點直徑的約束。從而不需要大幅度變更曝光光束的照射光學系統(tǒng)就能縮短預(yù)制坑的長度，這就有利于記錄的高密度化。
圖1所示結(jié)構(gòu)的媒體能夠從光盤原盤用復(fù)制1次的原模、復(fù)制3次的子模等復(fù)制次數(shù)為奇數(shù)次的沖模實現(xiàn)。但具有用母模等復(fù)制次數(shù)為偶數(shù)的沖模制作的支承基體的媒體也包含在本發(fā)明之內(nèi)。本發(fā)明在制作光盤原盤時能實現(xiàn)前述效果。也就是說，媒體制造中所用的沖模不依賴于是由光盤原盤經(jīng)奇數(shù)次或經(jīng)偶數(shù)次復(fù)制的沖模。
此外，在制造本發(fā)明的媒體時，于光盤原盤制作中曝光之際只使用一束光來間歇地照射此光束，而把光束未照射的區(qū)域用作預(yù)制坑，除此之外，可以與既有的制造光盤的方法相同。
圖2例示用母模制造的支持基體2的結(jié)構(gòu)。支承基體2上面的凹凸圖案相對于圖1所示支承基體2上面的凹凸圖案成為表里相反關(guān)系。圖2所示的支承基體2中將相鄰的凹條部4、4相互連接作為凹部，存在橫斷凹部41、因此存在于相鄰凹條部4、4間的凸條部3成為由橫斷凹部41分斷的狀態(tài)。距凸條部3頂面的高度，在橫斷凹部41與凹條部4處大致相等。圖示橫斷凹部41的平面形狀在相鄰凹條部4、4之間的中央附近成為最窄的形狀。此橫斷凹部41能用作預(yù)制坑。
圖2中，當把凹條部4用作記錄磁道時，在相鄰的記錄磁道間便存在預(yù)制坑。另一方面，使記錄磁道擺動而由此使地址信息與時間信息等也載于記錄磁道本身上時，則在制作前述光盤原盤之際，需要將照射曝光用光束的線條區(qū)域作為記錄磁道。因而在這種情形中，需要將圖1的凹條部4作為記錄磁道。如前所述，本發(fā)明中由于使預(yù)制坑相對于記錄標記形成得顯著地短，即使是在預(yù)制坑上形成記錄標記，也容易使兩者分離讀出。于是在圖2中，即使是把存在有預(yù)制坑的凸條部3用作記錄磁道，也能確保與把凹條部4用作記錄磁道的情形有同等的記錄容量。
本發(fā)明的特征是設(shè)有橫斷凸部31與橫斷凹部41而把它們用作預(yù)制坑，但除此之外，也可設(shè)置與先有情形相同形成的預(yù)制坑。這種情形的支承基體2的結(jié)構(gòu)例如如圖3所示。圖3所示的支承基體2，除在凸條部3的一個中設(shè)置孤立凹部5外，與圖1所示的支承基體2有相同的結(jié)構(gòu)。孤立凹部5與先有情形中的預(yù)制坑相同，是與凹條部4不連絡(luò)的孤立狀態(tài)的凹部。為了形成孤立凹部5，與既有媒體中在紋道間設(shè)置預(yù)制坑的情形相同，在使光盤原盤圖案化之際也可采取使用兩束光的雙光束法。
另外，在圖2所示結(jié)構(gòu)的支承基體2中，也可形成與既有預(yù)制坑相同的預(yù)制坑。在制造圖2所示的支承基體時，由于使用的是光盤原盤復(fù)制次數(shù)為偶數(shù)的沖模，這種情形的預(yù)制坑便形成了圖2中的凹條部4，而凸條部3成為不連絡(luò)的孤立狀態(tài)的凸部。
圖4所示的支承基體2在凹條部4的一個之中未設(shè)有橫斷凹部41而是使凹條部4的一部分彎曲，除此之外，與圖1所示的支承基體2有同樣的結(jié)構(gòu)。在使凹部條4彎曲的區(qū)域中，與其凹條部4鄰接的一對凸條部3、3的一方成為為彎曲的凹條部侵蝕的狀態(tài)，而在另一方則形成突出部32。此突出部32與圖4所示的橫斷凸部31相同，具有作為預(yù)制坑的功能。為了使凹條部4的一部分彎曲形成突出部32，在將光盤原盤圖案化之際，要想形成相當于凹條部的溝時，可一面轉(zhuǎn)動原盤一面用一束曝光的光連續(xù)照射，而在打算彎曲的位置使曝光用光束只是在一瞬間沿原盤的徑向作位移即可。這種方法由于只用一束曝光光束就可，故在圖案化時容易控制。
在制造圖4所示的支承基體2時，根據(jù)本發(fā)明，采用的是由所制的光盤原盤經(jīng)奇數(shù)次復(fù)制的沖模，但也可用相同的原盤按偶數(shù)次復(fù)制次數(shù)制作的沖模來制造支承基體2。這種情況下凸條部3的一部分彎成彎曲部。于是與此凸條部3鄰接的一對凹條部4、4的一方成為為彎曲的凸條部侵蝕的狀態(tài)，而另一方則形成突出部，此凸出部具有作為預(yù)制坑的功能。
也可在本發(fā)明的媒體中同時設(shè)有圖5所示的先有預(yù)制坑和圖4所示的彎曲部。
本發(fā)明的媒體中對于支承基體的組成材料并無特別限制，可以從能進行注射成型的各種樹脂如聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、聚烯烴等之中作適當?shù)倪x擇。支承基體的厚度無特別限制，以根據(jù)注射成型能形成高精度圖案程度的厚度為宜，通常最好是約0.3～1.5mm。
但在本發(fā)明中，也可將樹脂以外的材料用作支承基體的構(gòu)成材料。這就是說，在本發(fā)明中為了在制作光盤原盤之際實現(xiàn)前述的效果，對于能用沖模來形成圖案的材料無特別限制。例如，即使是用2P(光聚合物)法來形成紋道、紋間表面與預(yù)制坑時，也能實現(xiàn)本發(fā)明的效果。這種情形下的支承基體由玻璃板及于其上形成的2P樹脂層構(gòu)成。此外，在2P法中也可用樹脂板取代玻璃板。還有，例如可將熔融乃至軟化的玻璃由沖模成形用作支承基體。
本發(fā)明能適用于把紋道或紋間表面作為記錄磁道而且設(shè)有預(yù)制坑的各種光記錄媒體，例如采用相變型記錄材料的媒體或把有機染料用作記錄材料的媒體等。應(yīng)用有機染料的媒體的一般結(jié)構(gòu)是，從激光入射側(cè)觀察由近向內(nèi)依序設(shè)有記錄層和反射層。有機染料例如使用酞花菁系、菁系、偶氮系等。使用相變型記錄材料的媒體的一般結(jié)構(gòu)是，從激光光束入射側(cè)觀察由近向內(nèi)依序設(shè)有第一介質(zhì)層、記錄層、第二介電層與反射層。作為相變型記錄材料，例如可采用Sb-Te系、Ag-In-Sb-Te系、Ge-Sb-Te系等。在將本發(fā)明用于上述這類媒體中時，對支承基體以外的結(jié)構(gòu)無特別限定，可以與先有技術(shù)的媒體相同。
本發(fā)明也適用于除具有能記錄的區(qū)域外還具有讀出專用區(qū)域的媒體。這時在讀出專用區(qū)域的相位坑形成面上設(shè)有由金屬膜(也可以是記錄層)、半金屬膜、介質(zhì)多層膜等組成的反射層。
實施例按下述步驟制作了這樣的光盤，它具有圖1所示的結(jié)構(gòu)，同時能以凹條部4作為紋間表面而以凸條部3作為紋道來分別起作用，且在紋間表面中存在預(yù)制坑(橫斷凸部31)。
首先，在以偶聯(lián)劑處理了經(jīng)光學研磨的玻璃基片的表面后，由旋涂法形成光致抗蝕劑層，經(jīng)燒焙使殘留溶劑蒸發(fā)，光致抗蝕劑層厚30nm。
然后在使玻璃基片旋轉(zhuǎn)的同時對一束激光作通/斷調(diào)制進行照射，使光致抗蝕劑層曝光，形成成為圖1所示凹條部4與橫斷凸部31各自母型的潛像圖案。將激光束照射的休止時間設(shè)定為可使橫斷凸部31的長度成為0.08μm、0.12μm或0.16μm。凹條部4的排列間距取為0.36μm而寬度則為0.21μm。激光波長為351nm，激光束照射光學系統(tǒng)物鏡的數(shù)值孔徑為0.9。
然后進行顯像處理制得原盤。為給此光盤原盤的光致抗蝕劑層表面以導(dǎo)電性，由非電解鍍層形成Ni薄膜，以之作為基底進行電鑄而形成Ni電鑄膜。再將此Ni薄膜與Ni電鑄膜組成的疊層體從光致抗蝕劑層上剝離，之后對其背面進行研磨便制得原模。
用上述原模經(jīng)注射成型制成了聚碳酸酯制的支承基體(直徑120mm，厚1.1mm)。此支承基體的表面由原子間力顯微鏡觀察時，可以確認橫斷凸部31的平面形狀在相鄰?fù)箺l部3、3之間的中央附近成為最窄的形狀。
然后在此支承基體的表面上形成Al98Pd1Cu1(原子比)組成的厚100nm的反射層，再在此反射層表面上由濺射法形成Al2O3組成的厚20nm的第二介質(zhì)層。再由濺射法于此第二介質(zhì)層表面上形成Sb74Te18Ge7In1(原子比)組成的厚12nm的相變型記錄層，而再于此記錄層表面上由濺射法形成ZnS(80mol％)-SiO2(20mol％)組成的厚130nm的第一介質(zhì)層。這以后通過旋涂法涂布紫外線硬化型樹脂，經(jīng)紫外線照射硬化，形成厚100μm的透光層而制得光盤。
比較例在制作光盤原盤的曝光工序中用前述的雙光束法通過一束激光形成連續(xù)的凹條的潛像，而由另一束激光形成存在于相鄰凹條間的凹部(相當于預(yù)制坑)潛像。形成凹部潛像的激光照射時間設(shè)定成可使凹部的長度為0.08μm、0.12μm或0.16μm。此外，與上述實施例相同制作了原模。然后用此原模制作成母模。除用此母模制成支承基體外，與前述實施例相同制成光盤。
此光盤中由于支承基體是從母模復(fù)制而成，形成于抗蝕層中的前述凹條在支承基體中成為凸條。這種凸條起著紋道的作用，因而在紋間表面中存在預(yù)制坑。
評價在將上述實施例與比較例制作的各光盤的記錄層由體消磁器初始化(結(jié)晶化)后，對各個光盤的預(yù)制坑分別測定了DVD-RW標準規(guī)定的坑調(diào)制度(Lppb)以及記錄前的坑輸出與記錄后的坑輸出之比(AR)。測定中所用評價裝置的條件為激光波長405nm，物鏡的數(shù)值孔徑0.85，線速度5.7m/s，再生功率0.3mW。
記錄/再生時是使激光束通過前述透光層入射到記錄層，相對于紋道進行記錄。測定結(jié)果示明于表1中。前述標準規(guī)定的范圍為0.18＜Lppb＜0.27，0.1＜AR表1
*標準范圍以外如表1所示，比較例的光盤與實施例的光盤相比，Lppb與AR顯著的低。在這些光盤中，雖然形成了長度在0.16μm以下的預(yù)制坑。但在雙光束法下，在所給曝光時間對應(yīng)于激光波長351nm、數(shù)值孔徑數(shù)0.90條件時長度0.20μm以下的情形，就難以形成開挖到光致抗蝕劑層底面附近的預(yù)制坑圖案。
另一方面，在上述實施例中，由于在形成紋間表面圖案之際，中止曝光的區(qū)域成為預(yù)制坑圖案而曝光部分則不形成預(yù)制坑，因而即使是預(yù)制坑的長度在0.20μm之下，也能獲得充分高的坑調(diào)制度。
權(quán)利要求
1.光記錄媒體，它在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部；存在作為連接相鄰?fù)箺l部的凸部的橫斷凸部，此橫斷凸部在相鄰?fù)箺l部之間的中央附近具有成為最窄的平面形狀。
2.權(quán)利要求1所述的光記錄媒體，其中所述橫斷凸部用作預(yù)制坑。
3.權(quán)利要求1或2所述的光記錄媒體，其中于所述凸條部中存在孤立的凹部，而此孤立的凹部用作預(yù)制坑。
4.權(quán)利要求1～3中任一項所述的光記錄媒體，其中通過使凹條部的一部分彎曲，在與此凹條部相鄰的凸條部中形成突出區(qū)域，而此突出區(qū)域用作預(yù)制坑。
5.光記錄媒體，它在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部；存在作為連接相鄰凹條部的凹部的橫斷凹部，此橫斷凹部在相鄰凹條部之間的中央附近具有成為最窄的平面形狀。
6.權(quán)利要求5所述的光記錄媒體，其中所述橫斷凹部用作預(yù)制坑。
7.權(quán)利要求5或6所述的光記錄媒體，其中所述凹條部內(nèi)存在孤立的凸部，而此孤立的凸部用作預(yù)制坑。
8.權(quán)利要求5～7中任一項所述的光記錄媒體，其中通過使凸條部的一部分彎曲，在與此凸條部相鄰的凹條部中形成突出區(qū)域，而此突出區(qū)域用作預(yù)制坑。
9.權(quán)利要求1～8中任一項所述的光記錄媒體，其中將凸條部或凹條部用作記錄磁道。
10.權(quán)利要求1～9中任一項所述的光記錄媒體，其中于支承基體上具有相對于用于記錄或再生的激光束可透光的基體或膜層，而上述激光束可通過此基體或膜層入射到所述記錄層；凸條部起到紋道的作用而凹條部則起到紋間表面的作用。
11.權(quán)利要求1～9中任一項所述的光記錄媒體，其中上述支承基體相對于用于記錄或再生的激光束具有透光性，所述激光束通過此支承基體入射到前述記錄層內(nèi)；凸條部起到紋間表面的作用而凹條部則起到紋道的作用。
12.光記錄媒體的制造方法，此光記錄媒體在支承基體上具有記錄層，在支承基體的記錄層形成面上交替地存在相互大致平行的凸條部與凹條部，而在凸條部或凹條部中存在預(yù)制坑；在制備用于前述支承基體制造中的具有形成凸條部、凹條部與預(yù)制坑各個的母模圖案的抗蝕劑層的光盤原盤之際，在通過將曝光用光束照射抗蝕劑層來形成前述母模圖案的工序中，用一束曝光用的光束間歇地照射，使照射了曝光用光束的區(qū)域作為凹條部或凸條部的母模圖案，而將未照射曝光用光束的區(qū)域作為預(yù)制坑的母模圖案。
全文摘要
對于在支承基體中設(shè)有紋道和/或紋間表面用作記錄磁道且設(shè)有預(yù)制坑的光記錄媒體,使其支承基體易于制造且易使記錄高密度化。于支承基體2上交替存在凸條部3與凹條部4和將相鄰?fù)箺l部互連的橫斷凸部。此橫斷凸部在中央附近呈最窄的平面形狀。支承基體由具有形成凸和凹條部與預(yù)制坑各自母型圖案的抗蝕劑層的光盤原盤制造。用一束曝光光束間歇地照射抗蝕劑層。以照射區(qū)作為凹或凸條部的母型圖案,以照射中止區(qū)作為預(yù)制坑的母型圖案。
文檔編號G11B7/013GK1337691SQ0112175
公開日2002年2月27日 申請日期2001年7月6日 優(yōu)先權(quán)日2000年7月7日
發(fā)明者加藤達也, 宇都宮肇, 井上弘康, 平田秀樹 申請人:Tdk株式會社