專利名稱：決定分離閘存儲胞元特性的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種建立半導(dǎo)體組件特性的模式的方法，尤其是關(guān)于建立一種電可擦可編程只讀存儲器(electrically-erasable programmable read-only memory，EEPROM)特性的模式的方法。
一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)是用于儲存存在或不存在于漂浮閘(floating gate)上的電荷為形式的信息的電子內(nèi)存組件。
閘極是“漂浮的”，是因?yàn)楸唤^緣材料所包圍住，且于其上沒有一電性接觸。因此，即使連接于所述組件的電源移除后，漂浮閘極上的電荷仍將持續(xù)保有且不會漏電。因而這種形式內(nèi)存為非易失性(nonvolatile)。為將電荷置于漂浮閘上，組件必須執(zhí)行一強(qiáng)迫電荷越過絕緣材料的程序化程序。
電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元可具有不同形式。其中一形式是“分離閘”胞元，它是借助一控制閘與漂浮閘的重疊排列賦予特性。隨著這著排列，控制閘與漂浮閘皆對由組件源極至漏極的電子流動有著極大影響。另一形式是雙多單晶體管的可刪除通道氧化物胞元(double-poly single-transistor erasabletunnel oxide cell，ETOX cell)，它是使用兩垂直排列的閘極，因此控制閘與組件主體分離一段距離。
眾所熟知的是一成不變的程序化、刪除與讀取一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)。例如，一程序化胞元(或執(zhí)行一寫入的操作)是借助以熱電子注入而置放一負(fù)電荷于漂浮閘上。熱電子注入包含提升漏極(drain，D)相對于源極(source，S)的電壓至一足夠正值。然后，提升控制閘(control gate，CG)相對于源極的電壓至一足夠正值。這致使電子于控制閘與漂浮閘下的通道由源極至漏極流動。借助控制閘設(shè)定的電場會吸引這些電子。由于高漏極電壓，電子非常具有能量，即非?！盁帷薄Ｒ恍犭娮泳哂凶銐蚰芰慷艽┰狡￠l下的薄絕緣氧化層。所以電子可注入至漂浮閘。
刪除或移除來自漂浮閘的電荷包括提升基層主體(body，B)電壓至一足夠正值與接地源極、控制閘與漏極的步驟。借助主體電壓設(shè)定的電場會致使電子由漂浮閘向基層流動。
在置放電荷于胞元上或移除胞元上的電荷后，可讀取胞元以決定其狀態(tài)。當(dāng)讀取胞元時(shí)，可以一般金屬氧化半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管(MOSFET)方式施以電壓于胞元上。因此，比程序化/寫入或刪除電壓還小的正電壓置于漏極與控制閘上，且測定由源極流動至漏極的電流量。
漂浮閘上電荷不存在通常被指定為一高邏輯狀態(tài)，例如“1”。在這狀態(tài)下，胞元為可完全導(dǎo)電的。反之，當(dāng)漂浮閘上的電荷存在時(shí)，胞元于讀取操作中為較不可導(dǎo)電的。漂浮閘上電荷的存在通常被指定為一低邏輯狀態(tài)，例如“0”。在這狀態(tài)下，胞元為部份或完全不可導(dǎo)電的。
胞元亦可以一多位方式程序化。于這多位程序化機(jī)構(gòu)下，漂浮閘上的電荷量將可設(shè)定胞元于超過兩狀態(tài)之一狀態(tài)。
一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元的操作特性主要視幾何形狀因子而定，例如電極間的距離。于一組件布置好后，將難以量測組件的幾何形狀。
當(dāng)設(shè)計(jì)一傳統(tǒng)電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)時(shí)，電容量測值已作為一直接物理量測值的代理。電容量測值可以解釋為提供組件實(shí)際尺寸之一指標(biāo)與組件的實(shí)際電子性能。通常這些量測值是用于決定“耦合電容值(couplingcapacitances)”，它可描述一電極對另一電極的影響。這些電容值的比例，即耦合比例(coupling ratios)，亦可以用于描述一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元。這些耦合比例不僅用于監(jiān)視漂浮閘，且提供間隙區(qū)域與漂浮閘間的電壓降的一指標(biāo)，其中間隙區(qū)域?yàn)橐豢刂崎l與漂浮閘間的弱控制區(qū)域。一旦組件的電子性能建立模式后，所述模式可用于決定無法直接量測的漂浮閘的電壓。
傳統(tǒng)的設(shè)計(jì)程序，譬如HSPICE，是與決定的耦合比例聯(lián)合以建立一組件的模式。伴隨一正確的模式，則可增強(qiáng)胞元設(shè)計(jì)，因此可避免故障。所以，能夠以一小安全容忍量來設(shè)計(jì)組件。
本發(fā)明的目的是提供一半導(dǎo)體組件特性的模式、一使用所述模式的胞元設(shè)計(jì)與一建立所述特性的模式的方法，以避免現(xiàn)有技術(shù)的缺點(diǎn)與限制所衍生問題。
本發(fā)明的另一目的是提供一種用于決定一分離閘存儲胞元的特性的方法。
本發(fā)明再一目的是提供一種用于決定一分離閘存儲胞元的兩特性的方法。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明一方面的用于決定分離閘存儲胞元特性的方法包含一決定分離閘存儲胞元特性的方法，包括有將漂浮閘完全充電、于漂浮閘完全充電時(shí)量測存儲胞元的一參數(shù)與根據(jù)量測值決定存儲胞元的特性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明另一方面的用于決定分離閘存儲胞元特性的方法包括有初始化存儲胞元、將內(nèi)存置于反操作模式、掃視胞元的控制閘電壓、量測胞元的源極電壓與決定所述存儲胞元的特性。
為實(shí)現(xiàn)上述目的，根據(jù)本發(fā)明又一方面的用于決定分離閘存儲胞元的兩特性的方法包括有定義一具有三個(gè)未知變量的第一函數(shù)、找出造成兩未知變量的兩特性、于當(dāng)僅所述兩特性為未知變量時(shí)定義一第二函數(shù)、量測一相對于一第二組件參數(shù)的第一組件參數(shù)以決定第一函數(shù)的剩余未知變量與使用量測值解第一函數(shù)與第二函數(shù)以決定兩特性。
由本發(fā)明方法所得的正確的模式提供了胞元的準(zhǔn)確負(fù)載電容與電阻，其意味著對于下一階段干擾放大器上升至下降時(shí)間的電壓比例可以正確地被認(rèn)為致使一改善的設(shè)計(jì)與產(chǎn)品。
為更清楚理解本發(fā)明的目的、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)，下面將結(jié)合附圖對本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說明。以下對較佳實(shí)施例的詳盡描述僅用于舉例用，而本發(fā)明并不限于這些實(shí)施例。


圖1是一根據(jù)本發(fā)明的電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)的截面圖；圖2是一根據(jù)本發(fā)明的等效電容電路的電路圖；圖3A~B是根據(jù)本發(fā)明方式的用于決定耦合比例(coupling ratios)程序的流程圖；以及圖4~圖7是根據(jù)本發(fā)明的程序所獲得的量測值。
根據(jù)本發(fā)明的一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元具有如圖1所顯示的結(jié)構(gòu)。電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元可于一內(nèi)存數(shù)組(memory array)中與其它相同結(jié)構(gòu)的電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)胞元一并提供以提供一按塊擦除存儲器結(jié)構(gòu)，其中刪除僅于區(qū)塊(block)或整個(gè)數(shù)組中執(zhí)行，借以與一加載于一集成電路中的數(shù)組執(zhí)行程序化。主體電極10與基層20連接并接地。漂浮閘30配置于介于源極區(qū)50與漏極區(qū)60間的通道區(qū)40的上方?？刂崎l區(qū)70重疊于漂浮閘30與通道區(qū)40。這樣的排列，漂浮閘30與控制閘區(qū)70皆對于流過通道區(qū)40的電子有強(qiáng)大影響。于漏極區(qū)60、控制閘區(qū)70與源極區(qū)50上方分別提供電極80、90與100以供給這些區(qū)域適當(dāng)電壓。
圖1所示的電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)可借助一等效電容電路建立模式。請參閱圖2，所述等效電路包含有一介于控制閘電極90與漏極區(qū)電極80間的電容110(CD)，與一介于控制閘電極90與基層20的一部份130間的電容120(CSUB1)。基層的一部份130定義為于不與漂浮閘30重疊的控制閘區(qū)70之下的基層的一非通道部份。所述等效電路還包含有一介于控制閘電極90與通道區(qū)40的一部份150間的電容140(CGC1)，與一介于控制閘電極90與漂浮閘30間的電容160(CFG)。
另外，所述圖2的等效電路還包含有一介于漂浮閘30與源極區(qū)電極100間的電容170(CS)，與一介于漂浮閘30與基層20的一部份190間的電容180(CSUB2)?；鶎拥囊徊糠?90定義為于漂浮閘30與通道40的下的基層的一非通道部份。所述等效電路還包含有一介于漂浮閘30與漂浮閘之下的通道區(qū)40的一部份210間的電容200(C6C2)。
HSPICE模擬電路仿真工具或其它電路仿真程序可以與上述一致的電容電路予以程序化，且一旦電容值準(zhǔn)確決定后，可用于預(yù)測胞元如何反應(yīng)操作，譬如讀取或?qū)懭搿?br> 為準(zhǔn)確決定上述的電容值，電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)可與一量測組件連接以執(zhí)行一半導(dǎo)體組件中的電流與電壓量測，例如普遍使用的Hewlett-PackardModel Series Nos.HP 4142/4145/4156量測組件。電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)最好置于一“黑”箱中，其是用于遮蔽光線以消除量測擾亂。微定位器(Micropositioner)可使操作員或機(jī)械手臂使所欲連接與EEPROM相連。
許多耦合比例會影響EEPROM中的漂浮閘電壓，如控制閘對漂浮閘的耦合比例(αG)、源極端對漂浮閘的耦合比例(αS)、漏極對漂浮閘的耦合比例(αD)與基層對漂浮閘的耦合比例(αSUB)。當(dāng)然，控制閘對漂浮閘的耦合比例(αG)與源極端對漂浮閘的耦合比例(αS)對漂浮閘電壓有最大影響。對分離閘EEPROM胞元而言，以上四個(gè)耦合比例是所僅應(yīng)用的比例。至于其它EEPROM的結(jié)構(gòu)則具有額外應(yīng)用的比例。
例如，于如圖2所示的EEPROM等效電路中，CT為總漂浮閘電容(＝CFG+CS+CGC2+CSUB2)。因此，漂浮閘耦合比例為αG=CFGCT]]>αS=CSCT]]>αSUB2=CSUB2CT]]>αGC2=CGC2CT----(1)]]>因?yàn)檫@里所描述的特殊程序，包含將EEPROM胞元的漂浮閘完全充電，即將所述胞元予以程序化至一“0”狀態(tài)，以及提供一高臨界電壓(threshold voltage)，通道40微弱地反轉(zhuǎn)而避免基層耦合。所以，αSUB2項(xiàng)可以忽略。再者，耦合比例αGC2亦可視為忽略，這是因?yàn)?通道40沒有完全形成。
使用不可忽略的耦合比例與總電容的表示式，可得一第一線性方程式αG+αS＝1 (2)
因?yàn)榈谝痪€性方程式僅有未知變量αG與αS，僅需要兩獨(dú)立線性方程式。根據(jù)本實(shí)施例的方法提供了一方程式組合而能夠使電路設(shè)計(jì)者迅速并準(zhǔn)確地決定耦合比例。當(dāng)圖1的EEPROM的基層接地時(shí)，第一方程式才有效。
第二線性方程式則如下所推導(dǎo)。當(dāng)胞元使用于反操作模式時(shí)，其中恒源極電流注入強(qiáng)迫所述胞元中，而考慮弱反轉(zhuǎn)區(qū)域中的一源極電流，則源極電壓VS與控制閘電壓VCG相對于αG與αS耦合比例間的改變的關(guān)系可以決定。
于反操作模式下，源極電流對臨界區(qū)域VS的依賴可以忽略。電流僅可經(jīng)漂浮閘電壓而影響，借助耦合比例，與基層，或背極偏壓(back-gate bias)。如果背極(基層)處于接地電位時(shí)，則背極偏壓可以忽略。所以，臨界電流(IS)與漂浮閘電壓(VFG)可表示為Is＝I0exp[β(VFG-VT)]VFG=αGVCG+αSVS+QFGCT----(3)]]>其中I0為常數(shù)，β為q/nkT(q/kT為熱電壓的倒數(shù)，25.9mV)，n為介于1.5~3的數(shù)字，VT為臨界電壓(threshold voltage)，QFG為漂浮閘上的電荷。取代VFG并取其自然對數(shù)可簡化第(3)式為InIS=InIG+β(α0VCG+αSVS+QFGCT-VT)----(4)]]>VS=V0-αGαSVCGcos]]>(IS，QFG，VTbeing constant) (5)為維持IS、QFG與VT為常數(shù)，源極電流IS維持于一固定值。并且，所述胞元程序化于“0”狀態(tài)，而能確保漂浮閘上具有高電荷以排拒外來電荷而使QFG與VT維持于常數(shù)值。
對第(5)式等號左方取對于變量VCG的偏微分可獲得第二線性方程式其中S定義為S=αGαS----(6)]]>S≡dVSdVG----(7)]]>與本發(fā)明較佳實(shí)施例一致的方法，S值(耦合是數(shù)的比例)可借助決定控制閘相關(guān)于源極的電壓改變速率的方法而量測的。圖3A與圖3B為使用根據(jù)本發(fā)明線性方程式以決定耦合是數(shù)αS與αG的程序。
如圖4至圖7的實(shí)驗(yàn)例亦將于上下文中作為參考用。
首先，EEPROM胞元借助移除胞元上電荷初始化(步驟310)。因此，所述胞元置于與一邏輯高狀態(tài)一致的完全導(dǎo)電狀態(tài)，例如“1”狀態(tài)。然后，將所述胞元完全程序化以置放大量電荷于所述胞元上。換言之，所述胞元借助注入大量電荷于漂浮閘上以使所述胞元不導(dǎo)電而置于一邏輯低狀態(tài)，例如“0”狀態(tài)。刪除與程序化所述胞元的循環(huán)可避免軟程序(soft program)狀況的發(fā)生。由于漂浮閘里有大量電荷，由充電源極電流的再注入電荷將有其限制。因此，伴隨胞元的完全程序化，漂浮閘上的電荷(第(3)式的QFG)將在接續(xù)步驟中幾乎為一常數(shù)，這是因?yàn)槠￠l上完全電荷將顯著地抑制接續(xù)步驟中的強(qiáng)迫電流所引起的電子注入。
于實(shí)驗(yàn)例中，“0”狀態(tài)對應(yīng)于5.4V的臨界電壓。為解釋漂浮閘上的完全電荷的效應(yīng)，于實(shí)驗(yàn)例中使用一邏輯“0”狀態(tài)，臨界電壓于實(shí)驗(yàn)例程序中由5.4V變換至5.14V。與其相比較，當(dāng)使用邏輯“1”狀態(tài)時(shí)而胞元的臨界電壓由0.9V變換至2.2V，電子注入的問題是非常嚴(yán)重的。實(shí)際上，臨界電壓的大變換可顯示漂浮閘的大電子注入，接著使得程序失敗，這是因?yàn)镼FG將不是常數(shù)。所以，胞元最好初始化于“0”狀態(tài)。
在胞元初始化后，可借助正常讀取操作來量測胞元的臨界電壓(步驟320)。換言之，當(dāng)完全程序化時(shí)，決定ID對VCG以記錄組件的正確值。
當(dāng)控制閘電壓的掃視范圍與強(qiáng)迫電流為在一關(guān)系而使胞元維持于臨界區(qū)域時(shí)，第(1)式至第(7)式仍然有效。當(dāng)所述方法維持VCG與臨界之下的值時(shí)，胞元的臨界應(yīng)予決定之。為了使用量測值決定臨界，在胞元初始化后，量測IS對VCG以決定臨界發(fā)生的VCG值，它是借助IS快速上升而顯示的(步驟330)?；蛘?，臨界可大約決定，當(dāng)臨界(Vth)定義為VCG(于max.gm時(shí))－1/2VDS?？鐚?dǎo)(transconductance)gm為反轉(zhuǎn)電荷反應(yīng)閘極電壓電荷的指針。當(dāng)閘極電壓增加時(shí)，跨導(dǎo)(transconductance)gm將漸增至一最大值，且然后飽和并降低其值。當(dāng)VCG＜Vth時(shí)，IS為臨界電流。如果所述胞元并反操作于臨界區(qū)域的話(步驟340)，程序會終止，且顯示一錯(cuò)誤(步驟350)。
圖4為當(dāng)使用量測值決定臨界時(shí)的胞元的操作。圖4中，當(dāng)VCG增加時(shí)而IS開始迅速上升時(shí)，臨界發(fā)生。圖4中不連續(xù)標(biāo)號至上生的IS左方為量測組件的量測分辨率與組件制造的產(chǎn)物。這些標(biāo)號可以忽略。
如果胞元操作于次臨界區(qū)域，漏極電流ID與源極電流IS可直接量測以決定源極-基層連接是否具大量漏電流(步驟360)。的上所導(dǎo)衍的方程式是假設(shè)所有源極電流IS來自于漏極。如果有一寄生電流至源極，則這假設(shè)將不成立。
為決定是否有大量漏電，需驗(yàn)證電流ID與IS差的絕對值是否超過一與所想要量測值的容忍度的預(yù)決定值。電流ID與IS差的絕對值與ID絕對值的比例為一錯(cuò)誤值ERR。對于一定義ERRI值的約3％容忍度而言，則當(dāng)ERR比ERRI小時(shí)，基層電流是可容忍的，且當(dāng)ERR比ERRI大時(shí)，基層電流會導(dǎo)致一錯(cuò)誤值(步驟370)。如果絕對值太大的話，這程序?qū)⒔K止，并會顯示錯(cuò)錯(cuò)(步驟350)。
圖5顯示實(shí)驗(yàn)例中源極與漏極電流的量測值。如圖5黑體字所示，于VCG為3.6V時(shí)，源極電流(199.966nA)與漏極電流(200nA)相同，即顯示基層電流可予以忽略。事實(shí)上，圖5明顯顯示想電流間的差異。盡管如此，于所述實(shí)驗(yàn)例中，黑體字顯示出基層電流為一0.034nA的定值。
如果基層電流可忽略的話，胞元將置于反操作模式(步驟380)。正電流由漏極流向源極，即電子由源極流向漏極，且源極上電壓會比漏極上電壓處于更高電位。
于反操作模式，IS設(shè)定于一常數(shù)值。于實(shí)驗(yàn)例中，IS設(shè)定于200nA，它比基層電流(0.034nA)大得多?？刂崎l電壓借預(yù)決定或可變的增值而連續(xù)下降，例如在預(yù)決定的0.05V增值下由5V降至1V。于實(shí)驗(yàn)例中，掃視范圍在0.05增值下為介于6V與2.3V之間。如果VCG是以增加大小來掃視的話，初始VCG低值需要VS設(shè)定于高值以建立一非電荷通道并產(chǎn)生源極電流。大VS值會導(dǎo)致所不想要的電子注入于漂浮閘中。
因?yàn)镮S為一常數(shù)值，源極電壓會增加。因此，借參考圖3B與圖6中的例子，可以得到VCG對VS的圖樣610(步驟410)。于圖樣610中的固定斜率范圍中，胞元操作于次臨界區(qū)域。
圖6中的圖樣610的斜率或微分可以決定的(步驟420)。所述斜率非應(yīng)了S值。圖6中顯示圖樣620的S對VCG繪圖。為測試S僅是微弱地依賴VS的假設(shè)，如圖7的實(shí)例所示，可以建立S對VS繪圖。如圖7所示，當(dāng)VS遞減則S＝f(VS)遞增，這是因?yàn)殡娙軨S的增加是由源極消耗區(qū)域擴(kuò)大影響。
一旦S決定后，耦合比例αG與αS可以借助參考上述方程式(2)與(6)輕易地決定的(步驟430)。
為證實(shí)僅有一小量電荷注入于漂浮閘中，即臨界電壓僅偏移一小量，需建立ID對VCG繪圖(步驟440)，且量測值可以確認(rèn)導(dǎo)因于漂浮閘電荷的臨界電壓偏移可以忽略。因?yàn)樯鲜鰧?dǎo)衍的方程式是假設(shè)漂浮閘上電荷為常數(shù)，如果有大量改變時(shí)，則假設(shè)將會錯(cuò)誤。
臨界電壓已由步驟440決定，臨界電壓差值的絕對值，例如量測前的臨界電壓與借由本發(fā)明方法操作的臨界電壓的差值，需檢視以判斷其是否超過與量測值希望的容忍度一致所決定的預(yù)決定量(步驟450)。如果絕對值太大的話，例如大于0.1V，程序會終止并顯示錯(cuò)誤，因?yàn)閲?yán)格的電流注入于漂浮閘上將會發(fā)生(步驟350)。
一旦耦合比例決定后，這些值將用于一模式化程序中，例如HSPICE，以設(shè)計(jì)并制造一電可擦可編程只讀存儲器(EEPROM)。使用習(xí)用模式化技術(shù)無法提供正確耦合比例值，其意味閘極對源極關(guān)系不能正確地描述而導(dǎo)致無法電路設(shè)計(jì)。
由本發(fā)明方法所得的正確的模式提供了胞元的準(zhǔn)確負(fù)載電容與電阻，其意味著對于下一階段干擾放大器上升至下降時(shí)間的電壓比例可以正確地被認(rèn)為致使一改善的設(shè)計(jì)與產(chǎn)品。
說明書與實(shí)施例是用于作為示例用，熟悉本技術(shù)的人員可以不偏離本發(fā)明精神而對本發(fā)明做不同的修正或改變，例如，對一只讀存儲器(ROM)或其它半導(dǎo)體組件的電極的電容建立模式是可以完成的。這些修正和改變均包括在本發(fā)明的專利保護(hù)范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于決定一分離閘存儲胞元特性的方法，包括下列步驟將一漂浮閘完全充電；于漂浮閘完全充電時(shí)量測所述存儲胞元的一參數(shù)；以及根據(jù)所述量測值決定所述存儲胞元的特性。
2.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述將漂浮閘完全充電包含有移除所述漂浮閘上所有電荷，并且然后增加電荷于所述漂浮閘上至所述漂浮閘完全充電為止。
3.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述參數(shù)的量測包含有量測相對于一源極閘電壓的一控制閘電壓。
4.如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述特性的決定包含有決定一電容特性。
5.一存儲胞元，其特征在于，它是使用如權(quán)利要求1的所決定的特性進(jìn)行設(shè)計(jì)的。
6.一存儲胞元數(shù)組，其特征在于，所述數(shù)組的每一胞元是使用如權(quán)利要求1所決定的特性而設(shè)計(jì)的。
7.一種用于決定一分離閘存儲胞元特性的方法，包括下列步驟將所述存儲胞元初始化；將所述存儲胞元置于一反操作模式；掃視所述存儲胞元的一控制閘電壓；量測所述胞元的一源極電壓；以及決定所述存儲胞元的特性。
8.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述初始化包含有量測所述胞元的相對于一控制閘電壓的一漏極電流，以及量測所述胞元相對于一控制閘電壓的一源極電流并決定所述存儲胞元是否處于一次臨界區(qū)域中，且如果所述存儲胞元是處于一次臨界區(qū)域中時(shí)，將一漏極電流與一源極電流相比較。
9.如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，所述方法還包括確認(rèn)所述特性的決定已否有效執(zhí)行。
10.如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，所述確認(rèn)包含有決定一臨界電壓改變。
11.一存儲胞元，其特征在于，它使用如權(quán)利要求7的所決定的特性進(jìn)行設(shè)計(jì)。
12.一存儲胞元數(shù)組，其特征在于，所述數(shù)組的每一胞元是使用如權(quán)利要求7所決定的特性而設(shè)計(jì)的。
13.一種用于決定一分離閘存儲胞元的兩特性的方法，包括下列步驟定義一含有三未知變量的第一函數(shù)，而所述兩特性為其中的兩未知變量；定義一第二函數(shù)而其中僅兩特性為未知變量；量測一第一組件參數(shù)相對于一第二組件參數(shù)以決定所述第一函數(shù)的其余未知變量；以及使用量測值而解所述第一函數(shù)與所述第二函數(shù)以決定所述兩特性。
14.如權(quán)利要求13所述的方法，其特征在于，所述第一函數(shù)為 ；其中S為其余未知變量，耦合比例αG為所述兩特性的其一特性，耦合比例αS為所述兩特性的另一特性，耦合比例αG為于總漂浮閘電容中漂浮閘電容對源極電極電容的比例，耦合比例αS為于總漂浮閘電容中控制閘電極對漂浮閘電極電容的比例。
15.如權(quán)利要求14所述的方法，其特征在于，所述第二函數(shù)為αG+αS＝1。
16.如權(quán)利要求15所述的方法，其特征在于，所述第一組件參數(shù)為一變化源極電壓且所述第二組件參數(shù)為一變化控制閘電壓，且其余未知變量S為變化源極電壓與變化控制閘電壓的比例。
17.一存儲胞元，其特征在于，它使用如權(quán)利要求13所決定的特性進(jìn)行設(shè)計(jì)。
18.一存儲胞元數(shù)組，其特征在于，所述數(shù)組的每一胞元是使用如權(quán)利要求13所決定的特性而設(shè)計(jì)的。
19.一種用于決定一分離閘存儲胞元耦合比例的方法，其特征在于，包括下列步驟將所述存儲胞元初始化；將所述存儲胞元置于一反操作模式；掃視所述存儲胞元的一控制閘電壓；量測所述胞元的一源極電壓；以及決定所述存儲胞元的耦合比例，其中所述耦合比例為于包含一差異胞元組件阻抗值的總組合胞元阻抗值中的差異胞元阻抗值的比例。
20.如權(quán)利要求19所述的方法，其特征在于，所述第一耦合比例為于總漂浮閘電容中的控制閘電極對漂浮閘電容的比例，而所述第二耦合比例為于總漂浮閘電容中的控制閘電極對漂浮閘電容的比例。
全文摘要
一種決定分離閘存儲胞元特性的方法包括:將存儲胞元初始化;將存儲胞元置于反操作模式;掃視存儲胞元的控制閘電壓;量測胞元的源極電壓以及決定存儲胞元的耦合比例。初始化包含將胞元的漂浮閘完全充電并在此時(shí)進(jìn)行量測。定義含有其中為兩耦合比例的三未知變量的第一函數(shù)與僅有兩耦合比例為未知變量的第二函數(shù)。通過使用量測值解第一函數(shù)與第二函數(shù)以決定分離閘存儲胞元的兩耦合比例。這樣可建立所述分離閘存儲胞元的一準(zhǔn)確等效模式。
文檔編號G11C16/00GK1388576SQ0111974
公開日2003年1月1日 申請日期2001年5月24日 優(yōu)先權(quán)日2001年5月24日
發(fā)明者高啟弘 申請人:華邦電子股份有限公司